KR102170383B1 - 플립칩 자기 센서 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 자기 센서 패키지는, 접속 패드를 포함하는 자기 센서 칩, 상기 접속 패드 상에 적층되는 범프 전극, 및 상면은 자기 센서 칩을 커버하고, 저면은 상기 범프 전극을 노출시키는 몰딩부를 포함한다. 이와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 베이스 메탈 상에 모든 공정이 이루어지기 때문에, 팬-인 혹은 팬-아웃 등 RDL 공정이 자유롭고, 공정이 단순화되는 효과가 기대된다.

Description

플립칩 자기 센서 패키지 및 그 제조 방법 {A device for flip-chip semiconductive magnetic sensor package and manufacturing method thereof}

본 발명은, 플립칩 다이 본딩되는 자기 센서 패키지 및 이러한 자기 센서 패키지가 공정 캐리어를 이용하여 제조되는 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 차량의 자율 주행 시스템에 적용하기 위한 GaAs 기반의 고감도 자기 홀 센서 소자 기타 반도체 자기 센서의 패키지 제조 방법에 있어서, 베이스 메탈 상에 도금 공정을 실시하여 전극을 패턴닝 하고, 여기에 자기 홀 센서를 플립칩 다이 본딩하며, 공정 후에는 베이스 메탈을 제거하는 반도체 자기 센서 패키지 제조 방법에 관한 것이다.

통상적으로, 자기 홀 센서는 홀 효과를 이용하여 자기장을 효과적으로 감지하는 센서로서 자기장 측정뿐 아니라 물체의 위치 및 회전 그리고 전류 등의 측정이 가능하여 사무기기 및 가전제품 모터 제어, 세탁기, 냉장고 등의 도어 스위치, 전류 혹은 전력 측정 등에 광범위하게 활용되고 있으며, 최근 IT 관련 기기의 발전으로 소형 카메라 모듈의 손떨림 보정 등에 많이 활용되고 있다.

이러한 자기 홀 센서는, 와이어 본딩(wire-bonding) 타입의 자기 센서 패키지가 이용되고 있다. 이러한 패키지는 대략, 기판 상에 리드 프레임을 적층하고, 상기 리드 프레임 상에 자기 센서를 마운트 하며, 자기 센서와 리드 프레임 간에 금속 와이어로 전기적으로 접속시킨 후, 열경화성 수지 또는 열가소성 수지 등을 이용하여 자기 센서와 금속 와이어를 몰딩시켜, 패키지를 완성한다.

한편, 다양한 전자 장치들의 소형화에 수반하여, 자기 센서의 소형화 및 박형화가 진전되고 있다. 특히, 자기 센서에서는, 센서 두께가 전자 기기의 두께에 영향을 주는 경우가 많기 때문에, 패키지의 박형화가 강하게 요구되고 있다.

그러나, 리드 프레임 상에 자기 센서를 부착하고, 패키징하는 전술한 와이어 본딩 타입의 자기 센서 패키지는 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 기판 그리고 금속 리드 프레임을 절단해야 하는데, 다이싱 블레이드를 이용하여 기판 및 금속 리드 프레임을 절단할 때, 블레이드의 마모가 심각하며, 결과적으로 비용 상승의 원인이 된다. 또한, 절단면 자체가 깨끗하지 못하다.

둘째, 도금 공정이 완전한 평면에서 진행되지 않기 때문에, 도금 불량의 원인이 되고, 일정하지 못한 도금 영역을 이용하여 와이어 본딩이 진행되기 때문에, 결과적으로 와이어 본딩 불량을 초래한다.

셋째, 와이어 본딩 공정은 그 자체로서 공정수가 많고, 복잡한 공정으로 인하여 결과적으로 수율 저하의 원인이 된다. 또한, 와이어 본딩은 패키지의 소형화에 적합하지 않다.

한국 공개 특허 10-2018-0035161

따라서 본 발명의 목적은 와이어 본딩 공정을 사용하지 않음으로써, 본딩 결함을 방지하고 접속 수율을 개선하는 플립칩 자기 센서 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 리드 프레임 및 본딩 와이어를 사용하지 않음으로써, 패키지의 소형화를 구현하는 플립칩 자기 센서 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 플립칩 자기 센서 패키지의 제조 방법은, 공정 캐리어를 준비하는 단계, 도금 공정을 이용하여 상기 공정 캐리어 상에 범프 전극을 형성하는 단계, 플립칩 다이 본딩 공정을 이용하여 상기 범프 전극에 자기 센서 칩을 부착하는 단계, 몰딩 공정을 이용하여 상기 공정 캐리어 상에 몰딩 부재를 도포하여 몰딩부를 형성하는 단계, 탈거 공정을 이용하여 상기 몰딩부로부터 상기 공정 캐리어를 제거하는 단계, 및 절단 공정을 이용하여 상기 몰딩부를 각 자기 센서 칩 단위로 분리하는 단계를 포함한다.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 본 발명의 플립칩 자기 센서 패키지의 제조 방법은, 공정 캐리어의 표면 일부를 노출시키는 제1마스크 패턴을 이용하여 전기 도금을 실시하고, 재배선 전극을 적층하는 단계, 상기 재배선 전극의 표면 일부를 노출시키는 제2마스크 패턴을 이용하여 전기 도금을 실시하고, 범프 전극을 적층하는 단계, 상기 범프 전극과 자기 센서 칩을 플립칩 본딩하는 단계, 상기 자기 센서 칩을 커버하는 몰딩 부재를 적층하는 단계, 상기 몰딩 부재로부터 상기 공정 캐리어를 분리하는 단계, 및 상기 몰딩 부재를 절단하여 상기 자기 센서 칩을 다이싱 하는 단계를 포함한다.

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.

첫째, 공정 캐리어 상에서 팬-인 혹은 팬-아웃 등 RDL 공정이 자유롭기 때문에, 자기 센서 패키지가 결합되는 외부 기판의 다양한 배선 형태에 구애받지 않고, 다양한 전기적 접속을 구현할 수 있다.

둘째, 공정 캐리어의 표면이 평탄화 공정을 통하여 일정하고, 도금면이 균일하게 형성되기 때문에, 후속 도금 불량을 원천적으로 방지할 수 있다. 특히, 베이스 메탈을 이용하여 공정을 수행하기 때문에, 도금 공정을 연속적으로 진행할 수 있고, 특히 적층막을 다층으로 제공하는 경우에 본 공정이 매우 적합하다.

셋째, 공정 캐리어가 제거된 후에, 몰딩 재료가 절단되기 때문에 쏘잉 공정에 별다른 문제점이 없다. 가령, 블레이드 쏘잉이든 레이저 쏘잉이든 다이싱 방법에 별다른 제약이 있을 수 없다.

넷째, 공정 캐리어에 의하여 공정이 진행되고, 캐리어 상면 레벨에서 모든 공정이 진행되기 때문에 각 단위 공정별로 전기적 검사를 수시로 진행할 수 있어, 테스트 수율이 증가된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 자기 센서 패키지의 구성을 나타내는 측단면도.
도 2는 본 발명에 의한 다른 실시예에 의한 자기 센서 패키지의 구성을 나타내는 측단면도.
도 3은 본 발명에 의한 또 다른 실시예에 의한 자기 센서 패키지의 구성을 나타내는 측단면도.
도 4a 내지 도 4i는, 도 1의 제조 방법을 나타내는 측단면도들.
도 5a 내지 도 5g는, 도 2의 제조 방법을 나타내는 측단면도들.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 자기 센서 패키지(100)는, 접속 패드(148)를 포함하는 자기 센서 칩(150), 접속 패드(148) 상에 적층되는 범프 전극(120), 및 상면은 자기 센서 칩(150)을 커버하고, 저면은 범프 전극(120)을 노출시키는 몰딩부(170)를 포함한다.

몰딩부(170)의 저면과 범프 전극(120)의 노출면은 동일한 평면에 배치될 수 있다.

또한, 범프 전극(120)은, 단일 금속층 혹은 다층 금속층으로 구성될 수 있다.

범프 전극(120)의 단일 금속층은, 후술하는 공정 캐리어(90)와 함께 구리(Cu) 도금막으로 형성될 수 있다.

범프 전극(120)의 다중 금속층은 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 및 주석(혹은 주석 합금)의 적층막을 포함할 수 있다.

가령, 적어도 0.2㎛ 두께 이상의 금(Au) 도금막, 최대 5.0㎛ 두께의 니켈(Ni) 도금막, 최대 10.0㎛ 두께의 구리(Cu) 도금막, 최대 20㎛ 두께의 주석(Sn) 도금막이 순서대로 적층된 다층 금속층일 수 있다. 다만, 구리(Cu) 측면에는 구리(Cu) 산화막을 더 제공하여, 범프 전극(120)과 몰딩부(170) 간의 접착 신뢰도를 개선할 수 있다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 자기 센서 패키지(200, 300)는, 접속 패드(248, 348)를 포함하는 자기 센서 칩(250, 350), 접속 패드(248, 348) 상에 적층되는 범프 전극(220, 320), 적어도 일부가 범프 전극(220, 320) 상에 적층되는 재배선 전극(230, 330), 및 상면은 자기 센서 칩(250, 350)을 커버하고, 저면은 재배선 전극(230, 330)을 노출시키는 몰딩부(270, 370)를 포함한다.

몰딩부(270, 370)의 저면과 재배선 전극(230, 330)의 노출면은 동일 혹은 상이한 평면에 배치될 수 있다. 가령, RDL 공정에서 사용되는 마스크 패턴을 제거하지 않고, 그대로 진행하는 경우 상이한 레벨로 제공될 수 있다.

자기 센서 칩(150, 250, 350)은, 정상 자기 저항(Ortrinary Magnetoresistance, OMR) 센서, 이방성 자기 저항(Anisotropic Magnetoresistance, AMR) 센서, 거대 자기 저항(Giant Magneto Resistance, GMR) 센서, 터널링 자기 저항(Tunnelling Magnetoresistance, TMR) 센서, 자기 터널링 접합(Magnetic Tunneling Junction, MJT) 센서, 혹은 평면 홀 저항(Planar Hall Resistance) 센서를 포함하며, 반도체 자기 센서라면 여기에 모두 포함될 수 있다.

여기서, 팬-인(fan-in) 자기 센서 패키지(300)는, 재배선 전극(320)이 자기 센서 칩(350)의 입/출력 접속 패드(I/O pad)(348) 내측으로 연장 배치되는 패키지 형태로써, 팬-인 자기 센서 패키지는 신호 전달이 빠르고 전기적 특성은 우수하나, 공간적 제약이 큰 단점이 있다. 즉, PCB 기판 등에 직접 실장할 수 없는 한계가 있다.

반대로, 팬-아웃(fan-out) 자기 센서 패키지(200)는, 재배선 전극(230)이 자기 센서 칩(250)의 입/출력 접속 패드(I/O pad)(248) 외측으로 연장 배치되는 패키지 형태로써, 팬-아웃 자기 센서 패키지는 신호 전달이 느리고 비용이 증가하지만, 별다른 공간적 제약을 받지 않고 RDL을 구현할 수 있다. 직접 PCB 등에 직접 실장될 수 있는 장점이 있다.

따라서, 팬-인 자기 센서 패키지(300)가 적합한지 혹은 팬-아웃 자기 센서 패키지(200)가 적합한지 여부는 자기 센서 패키지가 사용되는 환경에 따라 달라질 수 있는 것으로, 적절하게 선택될 수 있다. 가령, 범프 전극(320)이 비아 전극을 통하여 고밀도 집적을 실현하는 경우 팬-인 자기 센서 패키지(300)가 적절하게 선택될 수 있고, 범프 전극(220)이 솔더 볼과 전기적으로 연결되는 경우, 팬-아웃 자기 센서 패키지(200)가 적절하게 선택될 수 있다.

혹은 자기 센서 패키지(200)에서 2개 이상의 자기 센서 칩(250)이 수평면 상에 배열되는 경우 각 자기 센서 칩(250) 상호 간에 전기적 접속을 위하여 재배선 패턴(230)이 팬-아웃 형태로 제공될 수 있다. 내지는 자기 센서 패키지(300)에서 2개 이상의 자기 센서 칩(350)이 수직으로 적층되는 경우 각 자기 센서 칩(350) 상호 간에 전기적 접속을 위하여 재배선 패턴(330)이 팬-인 형태로 제공될 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 의한 자기 센서 패키지의 제조 방법을 설명한다. 도 4a 내지 4i는 도 1의 자기 센서 패키지의 제조 방법을 나타낸다.

도 4a를 참조하면, 공정 캐리어(90)를 준비한다. 여기서 공정 캐리어(90)는 도금 공정을 위하여 제공되는 것으로, 필요한 도금 공정이 완료되면 제거될 수 있다. 따라서, 공정 캐리어(90) 상에 전면 도금의 경우 직접 공정 캐리어(90) 상에 도금을 실시하고, 부분 도금의 경우 포토 레지스트 공정을 이용하여 마스크를 형성한 다음 도금을 실시할 수 있다. 필요한 경우 포토 레지스트 공정은 필름을 이용하여 제공될 수 있다.

공정 캐리어(90)는 도전성 금속 캐리어(가령, 베이스 메탈)를 포함할 수 있다. 베이스 메탈의 상면은 공정이 수행되는 영역으로, 도금 수행 전에 상부 표면을 평탄화 하는 평면화 공정 혹은 파티클 등을 제거하는 클린 공정이 수행될 수 있다.

공정 캐리어(90)는 적층 도금할 금속과 동일한 금속 혹은 상이한 금속으로 제공될 수 있다. 가령, 적층될 범프 전극이 구리(Cu) 패턴으로 제공되는 경우, 공정 캐리어(90) 역시 구리(Cu) 베이스 메탈이 제공될 수 있다.

이와 같이 공정 캐리어(90)를 이용하여 후술하는 범프 적층 공정을 실시하면, 원하는 범프 전극(120) 패턴을 형성하기 매우 용이하고, 몰딩 재료를 도포하고 경화할 때, 몰딩 재료가 뒤틀리거나 휘는 것을 방지하여 몰딩 불량이 최소화 될 수 있다.

이어서, 고정 캐리어(90) 상에 범프를 형성한다. 범프는 구리(Cu) 범프를 포함할 수 있다.

도 4b 및 도 4c를 참조하면, 공정 캐리어(90) 상에 마스크 공정이 실시된다. 포토 레지스트 공정을 이용하여 공정 캐리어(90) 상면 일부를 노출시키는 마스크를 형성한다. 가령, 공정 캐리어(90) 표면에 포토 레지스트막(120a)을 도포하고(도 4b 참조), 이를 선택적으로 노광하면 개구(120b)를 포함하는 마스크 패턴(120c)이 형성된다(도 4c 참조).

도 4d 및 도 4e를 참조하면, 이와 같이 마스크 패턴(120c)은 공정 캐리어(90) 상면 일부를 노출시키는 역할을 수행하는데, 노출된 개구(120b)를 이용하여 구리(Cu)를 전기 도금하여 적층하면 범프 전극(120)이 제공된다. 가령, 캐리어 상면에 구리(Cu)를 일정한 두께(가령, 5㎛ 내지 15㎛ 정도)로 적층 도금한다(도 4d 참조). 마스크 패턴(120c)을 제거한다(도 4e 참조). 도금 공정 후 범프 전극(120) 패턴에 대한 평면화 공정이 더 실시될 수 있다.

한편, 범프 전극(120)이 다층 적층막으로 구성되는 경우에는, 금(Au) 도금막, 니켈(Ni) 도금막, 구리(Cu) 도금막, 및 주석 도금막을 순차적으로 적층하여 범프 전극(120)이 제공될 수 있다. 특히, 구리(Cu) 도금막 측면에는 산화막이 더 제공될 수 있다. 이러한 산화막은 범프 전극(120)과 몰딩 재료(170a) 사이의 접합력을 향상시키는 기능을 수행한다. 측면 산화막은 범프 측면에 블랙옥사이드 산화막을 통해 형성될 수 있다. 또한, 금(Au)-니켈(Ni) 합금은 도금막 사이의 접합을 개선시킬 수 있다.

도 4f를 참조하면, 공정 캐리어(90) 상에 범프 전극(120)을 이용하여 자기 센서 칩(150)을 다이 부착(die attaching)한다. 다이 부착 공정에는 와이어 본딩 공정과 플립칩 본딩 공정을 포함할 수 있는데, 본 발명에서는, 페이스 다운(face-down) 형식의 플립칩 본딩(flip-chip bonding)을 실시한다.

자기 센서 칩(150)의 접속 패드(도시되지 않음)가 공정 캐리어(90)와 대향되도록 공정 캐리어(90) 상에 마운트 된다. 따라서 접속 패드와 범프 전극(120)이 상호 대응될 수 있다.

도 4g를 참조하면, 공정 캐리어(90) 상에 자기 센서 칩(150)과 범프 전극(120)을 커버하는 몰딩 재료(170a)를 도포한다. 이러한 인캡슐레이션은 통상 에폭시 몰딩 컨파운드 방법에 의하거나 혹은 스핀 코팅 방법 등 다양한 몰딩 방법이 사용될 수 있다.

이때, 몰딩 공정을 통하여 몰딩 재료(170a)가 자기 센서 칩(150)으로 언더 필(under-fill) 되고, 범프 전극(170) 사이로 충진되어 경화되면, 범프 전극(120)과 몰딩 재료(170a)는 동일한 평면에 있게 된다. 따라서, 범프 전극(120)이 몰딩 재료(170a)와 보이드 발생 없이 긴밀하게 결합될 수 있도록 언더-필 공정이 수행될 수 있다.

도 4h를 참조하면, 탈거 공정을 통하여 공정 캐리어(90)를 제거한다. 공정 캐리어(10)는 다양한 방법으로 제거될 수 있지만, 박리와 같은 물리적 방법을 이용할 수 있다. 혹은 식각과 같은 화학적 방법이 이용될 수 있다. 이로써, 범프 전극(120)이 외부로 노출되며, 자기 센서 칩(150)이 외부와 전기적으로 접속될 수 있다.

도 4i를 참조하면, 절단 공정을 통하여 몰딩 재료(170a)는 각각의 자기 센서 칩(150) 단위의 개별 패키지(100)로 다이싱 될 수 있다. 한편, 싱귤레이션 공정 전에 각 패키지(100)에 대한 전기적 성능을 검사할 수 있다. 물론, 다이싱 공정 이전에 각 단위 공정 단계에서 테스트를 진행할 수 있다. 가령, 범프 형성과 같이 전기적 연결이 이루어진 다음에는 언제든지 공정 테스트가 진행될 수 있다.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 의한 자기 센서 패키지의 제조 방법을 설명한다. 도 5a 내지 도 5g는 도 2의 자기 센서 패키지의 제조 방법을 나타낸다.

도 5a를 참조하면, 공정 캐리어(90)를 준비하고, 공정 캐리어(90) 표면에 포토 리소그라피 공정을 통하여 마스크를 제공한다. 공정 캐리어(90) 상에 제1마스크 패턴(230a)이 형성된다.

도 5b를 참조하면, 노출된 제1개구(230b)를 통하여 전기 도금을 실시하면, 제1마스크 패턴(230a)과 대응되는 재배선 전극(230) 패턴이 형성된다.

도 5c를 참조하면, 계속해서, 공정 캐리어(90) 상에 포토 리소그라피 공정을 통하여 제2마스크 패턴(220a)이 형성된다.

도 5d를 참조하면, 노출된 제2개구(220b)를 통하여 도금 공정을 실시하면, 제2마스크 패턴(220a)과 대응되는 범프 전극(220) 패턴이 형성된다.

도 5e를 참조하면, 공정 캐리어(90) 상에 범프 전극(220)을 이용하여 자기 센서 칩(250)을 다이 본딩 한다. 자기 센서 칩(250)은 페이스-다운 형식으로 플립칩 본딩 된다.

도 5f를 참조하면, 공정 캐리어(90) 상에 자기 센서 칩(250)과 범프 전극(220)을 커버하는 몰딩 재료(270a)를 도포한다. 이어서, 도 5g를 참조하면, 공정 캐리어(90)를 제거하면, 재배선 전극(230) 패턴이 노출된다. 다이싱 공정을 통하여 각 단위 패키지(200)로 분리될 수 있다.

이와 같이 본 발명의 다양한 실시예에 의하면, 자기 센서 패키지(200)는 RDL 공정을 더 포함할 수 있다. 범프 형성 시 RDL 공정을 통하여 재배선 패턴이 더 제공될 수 있다. 재배선 패턴이 제공되는 경우, 절연 및 재배선 패턴의 보호를 위하여 재배선 패턴 상에 패시베이션 공정이 더 진행될 수 있다. 가령, 범프 전극(220)으로부터 소정 위치까지 재배선 패턴(230)이 더 제공될 수 있다.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 재배선 패턴(230, 330)은 자기 센서 칩(250, 350)과 배선 위치에 따라 팬-아웃 타입 및 팬-인 타입을 포함할 수 있다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 종래에 리드 프레임에 자기 센서 칩을 적층하고, 와이어 본딩으로 자기 센서 칩과 리드를 연결하여 몰딩하는 패키지 제조 방법은 부품 소형화와 대량 생산이 곤란하지만, 공정 캐리어에 자기 센서 칩을 플립칩 본딩하면 도금 공정, 식각 공정, 및 적층 공정을 반복하고, RDL 공정을 동시에 실시할 수 있어 공정 수율이 크게 개선되는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.

100: 자기 센서 패키지 120: 범프 전극
150: 자기 센서 칩 170: 몰딩부

Claims (10)

1. 공정 캐리어를 준비하는 단계;
   도금 공정을 이용하여 상기 공정 캐리어 상에 범프 전극을 형성하는 단계;
   플립칩 다이 본딩 공정을 이용하여 상기 범프 전극에 자기 센서 칩의 입출력 접속 패드가 접하도록 부착하는 단계;
   몰딩 공정을 이용하여 상기 공정 캐리어 상에 몰딩 부재를 도포하고 경화하여 몰딩부를 형성하되, 상기 범프 전극과 상기 자기 센서가 상기 몰딩부에 매립되도록 하는 단계;
   탈거 공정을 이용하여 상기 몰딩부로부터 상기 공정 캐리어를 제거하는 단계; 및
   절단 공정을 이용하여 상기 몰딩부를 각 자기 센서 칩 단위로 분리하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기 센서 패키지의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 범프 전극을 형성하는 단계는,
   상기 공정 캐리어 상에 포토 레지스트막을 도포하는 단계;
   상기 포토 레지스트막에 대한 선택적 노광을 통하여 개구를 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
   전기 도금 공정을 이용하여 상기 개구에 범프 전극을 형성하는 단계; 및
   상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기 센서 패키지의 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 공정 캐리어는 베이스 메탈이고, 상기 베이스 메탈은 상기 범프와 동일 혹은 상이한 금속으로 제공되는 것을 특징으로 하는 자기 센서 패키지의 제조 방법.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 베이스 메탈은 구리(Cu)를 포함하고, 상기 범프 전극은 구리(Cu) 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기 센서 패키지의 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 범프 전극은 다중 금속층을 포함하며,
   상기 다중 금속층은 금(Au) 도금막, 니켈(Ni) 도금막, 구리(Cu) 도금막, 및 주석(Sn) 도금막을 순서대로 적층하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기 센서 패키지의 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 구리(Cu) 도금막의 측면에는 산화막이 더 제공되는 것을 특징으로 하는 자기 센서 패키지의 제조 방법.
7. 접속 패드를 포함하는 자기 센서 칩;
   상기 접속 패드 상에 적층되는 범프 전극; 및
   상면은 자기 센서 칩을 커버하고, 저면은 상기 범프 전극을 노출시키도록, 상기 자기 센서 칩과 상기 범프 전극의 전체를 덮는 몰딩부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기 센서 패키지.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 몰딩부의 저면과 상기 범프 전극의 노출면은 동일한 평면에 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 센서 패키지.
9. 삭제
10. 삭제

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