CN107834056A - 原位还原n掺杂石墨烯‑硫化锡‑二氧化锡复合电极材料制备方法及储锂应用 - Google Patents

原位还原n掺杂石墨烯‑硫化锡‑二氧化锡复合电极材料制备方法及储锂应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种原位还原N掺杂石墨烯‑硫化锡‑二氧化锡复合电极材料制备方法及其在锂离子存储中的应用。该复合电极材料是在传统水热制备复合物的基础上,通过改进的预硫化和气相还原步骤实现以N掺杂石墨烯为载体的均匀分布着纳米SnS/SnO2颗粒。本发明采用硫代乙酰胺作为硫源和氮源,通过预硫化和热处理产生H2对SnO2的原位气相还原,硫代乙酰胺与SnO2的质量比为1:2‑5。气相还原下得到的复合材料具有均一的p‑n异质界面和良好的电接触,增强电荷转移机制,其方法可重复性高,环保易操作。以该复合材料为为活性物质制备储锂电极,增强的导电性避免了SnO2的局部转换和严重粉化,改善其可逆性,表现出显著的倍率特性和循环稳定性。

Description

原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备 方法及储锂应用
技术领域
本发明涉及锂离子电池负极用SnO2基复合材料,具体涉及一种原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料制备方法及其储锂应用。
背景技术
由于当前便携式电子器件的日益普及,传统的石墨负极因其低的理论容量已经不能满足市场对可充电锂电池的高容量和高可靠性的要求。因此,过渡金属基(Sn、Mo、Cu等)的氧/硫化物储锂过程中由于同时包括转化和合金反应,具有较高的理论容量,逐渐被研究者视为理想的锂电池负极候选材料。其中,SnO2以其经济环保、资源丰富的特点和高于商业石墨电极两倍的储锂能力而备受关注。值得一提的是,在锂化反应SnO2+4Li++4e-→Sn+2Li2O和Sn+xLi++xe-→Li x Sn过程中,由于导电性较差,Sn、Li x Sn和Li2O的严重聚合、体积膨胀以致粉化通常是不可避免的。从而也导致了初步锂化过程的可逆性急剧下降,容量严重衰减,成为限制SnO2负极广泛应用到实际中的重要因素。
近期,为了改善SnO2基负极材料的可靠性能,研究者分别从为其提供导电载体和构建坚固的纳米结构两方面做了很多努力。首先,N掺杂的石墨烯由于具有大的比表面积、许多的活性位点、优异的导电性,并且其多孔框架可以充当反应应力的缓冲层,因此通常被选来做SnO2纳米颗粒的载体以提高循环稳定性。例如,Pyo等[Adv. Mater. 2013, 25:3307] 采用Sn+2颗粒分散在功能化的石墨烯纳米片上的方法合成SnO2/graphene结构,在Li+存储应用中表现出高的可逆容量和循环稳定性(在100 mA g-1电流密度下经200圈循环后容量保持870 mA h g-1)。其次,构建坚固的低维结构,例如纳米颗粒等方法,也可以用来加速应力的释放、缩短锂离子的扩散距离以提高其扩散速度。另外,构建合理的异质结构,其自建电场力可以起到增强内部的电荷转移动力学的作用。根据以上及理论分析得到,层状的SnS的能带结构适合与SnO2构建合理的p-n结,其自建电场力起到改进电子/离子的转移机制的作用因而有利于Li+的嵌入和脱离。与SnO2相比,SnS内部具有更强的Sn-S共价键,其可逆性和导电性都有明显的优势。因此,构建以石墨烯为框架的纳米维度的SnS-SnO2异质复合物作为电极材料,可以有效地避免SnO2和SnS的局部锂化,实现高度的容量可逆。最近一些研究工作报道了通过水热或者液相转移法将SnS-SnO2基的复合物成功地应用到了光电催化、能量存储和电子器件中,并明显地体现了异质结的优势 [ACS Appl. Mater.Interfaces 2011, 3, 1528; J. Mater. Chem. A 2015, 3, 24148; Adv. Funct.Mater. 2016, 26, 4673]。值得关注的是,对于异质复合物来说,均一的异质界面更加有利于良好的载流子转移和界面反应,但是通过传统的水热法很难对其进行有效控制;此外,虽然直接通过气体能够实现充分的反应,但是还原需要用到的H2对实验过程增加了安全性的质疑。因此,为了改善电极材料的倍率特性和高的循环稳定性,在如何合理的制备界面均一的极小的SnS-SnO2复合物以良好的发挥其异质协同效应方面仍需进一步改进。
发明内容
本发明的目的是针对现有水热方法制备纳米异质结的不足而提供的一种原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备方法及其储锂应用,改善SnO2基复合材料作为储锂负极的低可逆性和倍率特性。采用硫代乙酰胺为硫源,通过简单的水热法和热处理以预硫化和气相还原步骤实现了N掺杂石墨烯/SnS/SnO2纳米复合材料的合成,得到的极小SnO2/SnS颗粒构成的p-n结具有均一的异质界面和良好的电接触。该电极材料在储锂应用中与石墨烯/SnO2相比表现出较高的可逆容量、显著的倍率特性和循环稳定性。
本发明的原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料制备方法,包括如下步骤:
1)将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,得到2-5 mg/mL的A溶液;将1-2 mmol SnCl4∙5H2O溶解入去离子水中经水热反应后得到胶状的H2SnO3为B溶液,然后将B溶液均匀分散在A溶液中, 其中氧化石墨烯与SnO2的质量比约为1:8-12.5;
2)将混合液转移至水热釜中,并加入硫代乙酰胺混合均匀,经150℃反应18 h后冷却洗涤干燥,得到预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯;其中硫代乙酰胺与SnO2的质量比为1:2-5;
3)将预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯在Ar2保护下500℃热处理得到原位还原的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2纳米复合材料。
步骤1)中B溶液均匀分散在A溶液中是通过超声震碎仪在300 W功率下超声30 min实现的。
步骤2)中硫代乙酰胺加入水热釜中是通过先将硫代乙酰胺融入去离子水中,再与混合液均匀混合实现的。
步骤2)中洗涤干燥具体是采用抽滤和冷冻干燥的方法。
步骤3)中气体原位还原具体是在100 sccm Ar2下3h热处理产生H2而实现的。
本发明的原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合材料用于储锂应用,按以下电极制备方法:
将作为导电剂、粘结剂和活性物质的乙炔黑、聚偏氟乙烯和原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2纳米复合材料按照重量比为1:1:8混合搅拌浆料;将其均匀涂覆在铜箔集流体上,100℃下真空烘干;裁剪为直径1.2 cm的电极片后,与对电极锂片组装成纽扣电池。
本发明与现有技术相比,具有显著优点:
作为典型的合金型氧化物材料,SnO2的理论储锂容量约780 mA h g-1,相比传统石墨呈现出明显的优势。然而,由于较差的导电性、大颗粒间差的电接触所引起的局部转化反应和体积膨大致粉化等过程导致了严重的可逆性降低和容量衰减。因此,本发明在传统的水热法制备复合材料的基础上,主要是通过一种改进的以N掺杂石墨烯为框架的原位气相还原的方法制备均匀分布的SnS/SnO2纳米复合材料。本发明在制备SnO2/石墨烯时,选择了首先制备出胶状的H2SnO3前驱体,再通过超声震碎的方法将其与石墨烯混合,从而实现了微小的SnO2颗粒能够在石墨烯上均匀分散。硫代乙酰胺不仅作为硫源同时也作为氮源,热分解后够使其与石墨烯上丰富的功能团相互形成配位键,实现对石墨烯掺氮和预硫化的目的。均一的气体还原有利于形成良好的异质界面和电接触,从而提高SnO2的可逆性反应,在高倍率充放电循环中表现出显著的电化学性能。
本发明的气相还原过程中,是通过预硫化之后简单的热处理释放出H2,避免直接使用H2带来的安全问题。气体氛围下对SnO2能够实现均一大面积的还原,规避了常规水热实验中存在的颗粒团聚分散不均匀的缺点。在SnO2-SnS异质结处形成良好的界面接触,改善了SnO2的可逆性,避免了其局部转换和粉化,增强了电极的循环稳定性能。
N掺杂的石墨烯纳米片提供了结构的导电性,为SnO2颗粒提供了更多的活性位点。还原之后,SnO2与SnS构成均一的异质p-n结,内建电场在反应转换中有助于促进Li+的插入和脱离,增强电荷转移机制,从而带来了较高的循环稳定性和优异的倍率特性。
因此,本发明以简单的预硫化和气相还原步骤制备的石墨烯/SnS/SnO2电极材料改善了其结构导电性和电荷转移机制,得到了更优异的倍率特性和循环稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例1所得N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和石墨烯/SnO2电极材料的XRD和拉曼谱图;
图2是本发明实施例1所得N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和石墨烯/SnO2电极材料的XPS谱图;
图3是本发明实施例1所得预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯材料的透射电镜图;
图4是本发明实施例1所得N掺杂石墨烯/SnS/SnO2材料的透射电镜图;
图5是本发明实施例1所得对比样品石墨烯/SnO2电极材料的扫描电镜图;
图6是本发明实施例1所得N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和石墨烯/SnO2电极材料的电化学倍率性能对比;
图7是本发明实施例1所得N掺杂石墨烯/SnS/SnO2电极材料在800 mA/g的电流密度下循环稳定性能测试图。
具体实施方式
实施例1
原位还原的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料的制备
1) 将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,得到浓度为3 mg/mL的A溶液5mL。将1mmolSnCl4∙5H2O溶解入40 mL去离子水中经180℃水热反应后得到胶状的H2SnO3为B溶液,然后将B溶液均匀分散在A溶液中;其中氧化石墨烯与SnO2的质量比约为1:10;
2) 将混合液转移至水热釜中,并加入0.05 g硫代乙酰胺混合均匀,经150℃反应18 h后冷却,经酒精去离子水抽滤洗涤真空冷冻干燥24 h,得到预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯;其中硫代乙酰胺与SnO2的质量比为1:3;
3) 将预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯在高纯Ar2保护下500℃热处理得到原位还原的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料。
对照样品:石墨烯/SnO2电极材料的制备
1) 将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,得到浓度为3 mg/mL的A溶液5 mL。将1mmol SnCl4∙5H2O溶解入40 mL去离子水中经180℃水热反应后得到胶状的H2SnO3为B溶液,然后将B溶液均匀分散在A溶液中;其中氧化石墨烯与SnO2的质量比约为1:10;
2) 将混合液转移至水热釜中,经150℃反应18 h后冷却,经酒精去离子水抽滤洗涤真空冷冻干燥24 h;之后高纯Ar2保护下500℃退火处理得到石墨烯/SnO2电极材料。
参阅附图1,上述制备的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和石墨烯/SnO2材料的XRD、拉曼谱图表明,经气相原位还原之后,SnO2和SnS的特征峰同时在石墨烯/SnS/SnO2复合物中出现,表明SnO2与SnS异质结的形成。
参阅附图2,上述制备的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和石墨烯/SnO2材料的XPS谱图表明,与石墨烯/SnO2相比,N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合物不仅包含了Sn、O、C元素,同时还表明了S和N元素的存在,表明N掺杂石墨烯及SnO2与SnS异质结的形成。
参阅附图3,上述通过预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯材料在气相还原过程之前,SnO2分布均匀,无明显颗粒团聚现象。
参阅附图4,上述所得N掺杂石墨烯/SnS/SnO2材料中的SnO2和SnS颗粒粒径均处于8-12 nm范围之内,并且在石墨烯上分布均匀。
参阅附图5,为上述所得石墨烯/SnO2材料的扫描电镜图。
以实施例1中制备的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和对比材料石墨烯/SnO2为电极材料的活性物质,表征其电化学性能。
具体电极制备方法是:将作为导电剂、粘结剂和活性物质的乙炔黑、聚偏氟乙烯和活性物质(N掺杂石墨烯/SnS/SnO2或石墨烯/SnO2)纳米复合材料按照重量比为1:1:8混合搅拌浆料;将其均匀涂覆在铜箔集流体上,100℃下真空烘干;裁剪为直径1.2 cm的电极片后,在手套箱中以1 M LiPF6-EC/DC/DMC (V:V:V=1:1:1) 为电解液与对电极锂片组装成纽扣电池。
参阅附图6,上述所得的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2和石墨烯/SnO2电极材料的倍率性能结果可以看出,在3200 mA g-1电流密度下,N掺杂石墨烯/SnS/SnO2的比容量约为410 mAh g-1,再回到小电流工作时,仍具有94%的容量保留率,与石墨烯/SnO2电极材料相比,倍率特性有明显的增强。
参阅附图7,上述所得的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2电极材料在800 mA g-1电流密度下的循环性能测试图,200圈循环之后,可逆比容量约为700 mA h g-1,每圈衰减率约为0.098%,反映出经过原位还原形成异质结后,电极材料的循环稳定性得到了明显的提高。
实施例2
原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料的制备
1) 将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,得到浓度为2 mg/mL的A溶液6 mL。将1 mmolSnCl4∙5H2O溶解入40 mL去离子水中经180℃水热反应后得到胶状的H2SnO3为B溶液,然后将B溶液均匀分散在A溶液中;其中氧化石墨烯与SnO2的质量比约为1:12.5;
2) 将混合液转移至水热釜中,并加入0.075 g硫代乙酰胺混合均匀,经150℃反应18 h后冷却,经酒精去离子水抽滤洗涤真空冷冻干燥24 h,得到预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯;其中硫代乙酰胺与SnO2的质量比为1:2;
3) 将预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯在高纯Ar2保护下500℃热处理得到原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料。
实施例3
原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料的制备
1) 将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,得到浓度为5 mg/mL的A溶液7.5 mL。将2mmol SnCl4∙5H2O溶解入60 mL去离子水中经180℃水热反应后得到胶状的H2SnO3为B溶液,然后将B溶液均匀分散在A溶液中;其中氧化石墨烯与SnO2的质量比约为1:8;
2) 将混合液转移至水热釜中,并加入0.06 g硫代乙酰胺混合均匀,经150℃反应18 h后冷却,经酒精去离子水抽滤洗涤真空冷冻干燥24 h,得到预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯;其中硫代乙酰胺与SnO2的质量比为1:5;
3) 将预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯在高纯Ar2保护下500℃热处理得到原位还原N掺杂石墨烯/SnS/SnO2复合电极材料。
本发明采用硫代乙酰胺为硫源,通过简单的水热法和热处理以预硫化和气相还原步骤实现了N掺杂石墨烯/SnS/SnO2纳米复合材料的合成,得到的极小SnO2/SnS颗粒构成的p-n结具有均一的异质界面和良好的电接触。电化学性能表征后得到,该电极材料与硫化前的石墨烯/SnO2相比表现出较高的可逆容量、显著的倍率特性和循环稳定性。该发明与传统的水热等方法相比,可重复性高,环保易操作,因此该方法硫化物电极材料的制备具有指导意义,也为Sn基材料在能量存储应用方面做了良好的示范。

Claims (6)

1.一种原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,得到2-5 mg/mL的A溶液;将1-2 mmol的 SnCl4∙5H2O溶解入去离子水中经水热反应后得到胶状的H2SnO3为B溶液,然后将B溶液均匀分散在A溶液中;其中,氧化石墨烯与SnO2的质量比为1:8-12.5;
2)将混合液转移至水热釜中,并加入硫代乙酰胺混合均匀,经150℃反应18 h后冷却洗涤干燥,得到预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯;其中硫代乙酰胺与SnO2的质量比为1:2-5;
3)将预硫化的SnO2/N掺杂石墨烯在Ar2保护下500℃热处理得到原位还原的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2纳米复合材料。
2.根据权利要求1所述的原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备方法,其特征在于,步骤1)中B溶液均匀分散在A溶液中是通过超声震碎仪在300 W功率下超声30 min实现。
3.根据权利要求1所述的原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备方法,其特征在于,步骤2)中硫代乙酰胺加入水热釜中是通过先将硫代乙酰胺融入去离子水中,再与混合液均匀混合。
4.根据权利要求1所述的原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备方法,其特征在于,步骤2)中洗涤干燥采用抽滤和冷冻干燥的方法。
5.根据权利要求1所述的原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料制备方法,其特征在于,步骤3)中原位还原具体是在100 sccm气流下3 h热处理完成。
6.权利要求1所述的原位还原N掺杂石墨烯-硫化锡-二氧化锡复合电极材料用于储锂应用,具体包括:
将作为导电剂、粘结剂和活性物质的乙炔黑、聚偏氟乙烯和原位还原的N掺杂石墨烯/SnS/SnO2纳米复合材料按照重量比为1:1:8混合搅拌浆料;将其均匀涂覆在铜箔集流体上,100℃下真空烘干;裁剪为直径1.2 cm的电极片后,与对电极锂片组装成纽扣电池。
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