CN107768449B - 太阳能电池模块 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括：上基板；下基板，其与所述上基板相对；太阳能电池面板，其放置在所述上基板和所述下基板之间，所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池，所述多个太阳能电池以矩阵形式布置，并且通过接线构件彼此连接，以形成串；钝化层，其被构造成封装所述太阳能电池面板；框架，其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周；连接端子，其被构造成连接所述太阳能电池面板中两个相邻的串；以及盖构件，其被构造成覆盖所述连接端子。

Description

太阳能电池模块
本申请是原案申请号为201510363766.0的发明专利申请(申请日为2015年6月26日、发明名称为“太阳能电池模块”)的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年6月26日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2014-0079260和于2014年8月4日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2014-0100090的优先权和权益，并将其全部内容在此并入作为参考。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种太阳能电池模块。
背景技术
太阳能电池是一种使用光电效应获得光电功率的发电装置。在太阳能电池中，在形成p-n结半导体基板中分别产生被n型电极和p型电极收集的电子和空穴。此外，太阳能电池包括在半导体基板和电极之间形成势垒的后面场区域，后面场区域由高度掺杂了与半导体基板相同的导电类型的杂质形成。
具有上述结构的太阳能电池通过互连件连接以形成太阳能电池模块。太阳能电池模块是利用上基板和下基板将太阳能电池模块封装而形成的。太阳能电池模块被安装在室外，用于太阳能发电。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种能够改进光电转换效率和设计的太阳能电池模块。
一方面，一种太阳能电池模块包括：上基板；下基板，其与所述上基板相对；太阳能电池面板，其放置在所述上基板和所述下基板之间，所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池，所述多个太阳能电池以矩阵形式布置，并且通过接线构件彼此连接，以形成串；钝化层，其被构造成封装所述太阳能电池面板；框架，其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周；连接端子，其被构造成连接所述太阳能电池面板中两个相邻的串；以及盖构件，其被构造成覆盖所述连接端子。
盖构件可以是由与下基板相同的材料形成。
盖构件的表面可以是包括不平坦部分的倾斜表面。
盖构件放置在上基板和下基板之间，并且由钝化层封装。
盖构件放置在上基板的表面上。
通过涂覆连接端子的表面形成盖构件。
连接端子由与太阳能电池的电极相同的材料形成，或由与接线构件相同的材料形成。
连接端子具有与接线构件不同的形状，并且包括芯层和涂覆芯层的涂层，像接线构件。
接线构件具有宽度为0.24毫米至0.53毫米的线性形状，并且10至18个接线构件连接两个相邻的太阳能电池。
接线构件的一端连接到两个相邻太阳能电池中的第一个太阳能电池的前表面上形成的电极，另一端连接到两个相邻太阳能电池中的第二个太阳能电池的后表面上形成的电极。
比用于连接所述两个相邻的太阳能电池的接线构件的数量多两倍的接线构件连接到所述连接端子。
在另一方面，一种太阳能电池模块，包括：上基板；下基板，其与所述上基板相对；太阳能电池面板，其放置在所述上基板和所述下基板之间，所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池，所述多个太阳能电池以矩阵形式布置，并且通过接线构件彼此连接，以形成串；钝化层，其被构造成封装所述太阳能电池面板；框架，其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周；连接端子，其放置在所述下基板的后表面上，并且被构造成连接两个相邻的串。
连接端子被夹在框架和太阳能电池面板之间。
太阳能电池模块还可以包括被构造成穿过所述钝化层和所述框架的引导孔。连接到两个相邻串中的每一个的另一个接线构件通过引导孔连接到连接端子。
另一个连接到连接到两个相邻串中的每一个的接线构件围绕太阳能电池面板的外周，并且连接到连接端子。
连接端子是由与太阳能电池中的电极相同的材料形成，或者与所述布线部件相同的材料形成。
接线构件具有宽度为0.24毫米至0.53毫米的线形形状，并且10至18个接线构件连接两个相邻的太阳能电池。
接线构件的一端连接到两个相邻太阳能电池中的第一个太阳能电池的前表面上形成的电极，另一端连接到两个相邻太阳能电池中的第二个太阳能电池的后表面上形成的电极。
比用于连接所述两个相邻的太阳能电池的接线构件的数量多两倍的接线构件连接到所述连接端子。
另一方面，存在一种太阳能电池，包括多个太阳能电池，每个包括半导体基板，发射极区域，其与半导体基板一起形成p-n结，第一电极，其连接到发射极区域，以及第二电极，其连接到半导体基板的后表面；以及多个接线构件，其连接到第一电极或第二电极，并且被构造成与多个太阳能电池串联地电连接，其中，连接到每个太阳能电池的第一电极或第二电极的连接构件的数量是6至30，并且，其中，每个连接构件的宽度等于或大于下面的函数1“x＝3.1101×y2-90.552×y+911.2”，并且，等于或小于下面的函数2“x＝0.7225×y2–51.38×y+1162.1”，其中，x是接线构件的宽度，y是接线构件的数量。
接线构件时数量可以是9至23。
接线构件时数量可以是10至18。
该第一电极包括多个被构造为沿彼此平行的方向上延伸的前指状物，以及多个在多个前部指状物和所述多个布线构件相交处形成的焊盘。
太阳能电池模块还可能包含连接电极，
该连接电极被构造成在与所述多个前指状物相交的方向上连接所述多个焊盘。
附图说明
所包括的附图提供对本发明的进一步的理解并被并入且构成本说明书的一部分，说明本发明的实施方式与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池模块的平面图；
图2是沿着图1的线A-A截取的横截面图；
图3是连接到接线构件的太阳能电池的平面图；
图4是沿着图3的线B-B截取的横截面图；
图5示出了接线构件的形状；
图6示出了两个相邻串通过连接端子连接；
图7是沿着图6的线C-C截取的横截面图；
图8和图9是沿着图6的线D-D截取的横截面图；
图10示出了在上基板的表面上形成盖构件；
图11示出了根据本发明的另一个示例性实施方式的太阳能电池模块；
图12是沿着图11的线E-E截取的横截面图；
图13示出了连接端子被设置在太阳能电池面板的后表面上；
图14示出了太阳能电池连接到连接端子，而无需使用引导孔；
图15示出了连接端子被夹在框架和太阳能电池面板中间；
图16示出了根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池模块的示例；
图17是示出了应用于图16所示的太阳能电池模块的太阳能电池的示例的局部透视图；
图18是沿着图17的线CS3-CS3截取的横截面图；
图19是表示太阳能电池模块的输出降低量取决于图16所示的接线构件的电阻的曲线图；
图20是表示除了被图16所示的接线构件覆盖的阴影区域之外的剩余区域的太阳能电池模块的输出的仿真曲线图；
图21示出了当接线构件的宽度是0.25mm时取决于接线构件的数量的太阳能电池模块的输出的仿真结果；
图22示出了当接线构件的宽度是0.3mm时取决于接线构件的数量的太阳能电池模块的输出的仿真结果；
图23示出了当接线构件的宽度是0.2mm时取决于接线构件的数量的太阳能电池模块的输出的仿真结果；
图24是示出了本发明的实施方式和在接线构件和阴影区域的材料成本方面的比较示例之间的对比的曲线图；
图25是示出了当接线构件的数量是11时取决于接线构件的宽度的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图；
图26是示出了当接线构件的数量是13时取决于接线构件的宽度的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图；
图27是示出了当接线构件的数量是15时取决于接线构件的宽度的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图；
图28是示出了当接线构件的数量是17时取决于接线构件的宽度的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图；
图29是示出了取决于接线构件的直径和接线构件的数量的变化的由太阳能电池产生的电量和比较示例之间的对比的表格；
图30是示出了图29的结果的表格；
图31是示出了图29的结果的曲线图；以及
图32示意性地示出了电极和接线构件作为太阳能电池的另一个示例。
具体实施方式
现在可以参考附图更全面地描述布置和实施方式，附图中可以示出示例性实施方式。然而，这些实施方式可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为限于这里阐述的实施方式；相反，可以这些提供实施方式，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将概念完全传达给本领域的技术人员。
现在将详细地参考本发明的实施方式，在附图中示出本发明的示例。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施方式。无论在何处，相同的附图标记将被用于所有附图以指示相同或相似的部分。需要注意的是，如果确定公知技术可能误导本发明的实施方式，则将省略对该公知技术的详细描述。
图1是根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池模块的平面图。图2是沿着图1的线A-A截取的横截面图；
如图1和图2所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括太阳能电池面板13和支撑太阳能电池面板13的框架20。
框架20具有围绕太阳能电池面板13的周边的形状，并且与太阳能电池面板13联接。框架20由轻金属材料(例如，不锈钢或铝)组成。
太阳能电池面板13被构造为以矩阵形式布置多个太阳能电池11，并且电连接多个太阳能电池11。太阳能电池11通过接线构件30彼此连接，以形成一行的串11a。多个串11a彼此电连接，以形成太阳能电池面板13。图1示出了九个太阳能电池形成一个串11a，并且六个串11a通过连接端子40彼此连接，以形成太阳能电池面板13，作为示例。
连接端子40被设置在太阳能电池面板13和框架20之间(即，在太阳能电池面板13的上侧和下侧)，并且电连接两个相邻的串。盖构件放置在连接端子40上，并且因此在外面看不到连接端子40。这将在后面进行描述。
如图2所示，太阳能电池面板13被夹在对应于前表面(例如，入射面)的上基板80和对应于后表面的下基板90之间。位于上基板80和下基板90之间的透明的上钝化层60和透明的下钝化层70可以由乙烯醋酸酸乙烯酯(EVA)形成，并且封装太阳能电池面板13。本发明的实施方式描述了上基板80和下基板90是彼此分开的。然而，钝化层60和70可以通过对液体材料进行热处理来形成。可选地，可以通过将钝化层60和钝化层70凝胶化为片状类型的钝化层60和钝化层70而形成。在此情况下，不像本发明的实施方式，钝化层60和钝化层70可以形成单层。
上基板80是透明绝缘基板，并且优选地由钢化玻璃形成。钢化玻璃可以是含有少量铁的低铁钢化玻璃。上基板80可以具有不平坦的内表面，以便增加光的散射效果。
下基板90可以包括多个包含水分/氧气渗透防止层、化学腐蚀防止层、绝缘层等的功能层，以便防止水分和氧气渗透到太阳能电池面板13，并且保护太阳能电池面板13与外部环境隔开。多个功能层可以具有单层结构。
放置在太阳能电池11的前表面的一条线上的前电极通过接线构件30连接到放置在太阳能电池11的后表面的下一条线上的后电极。
图3是连接到接线构件的太阳能电池的平面图，以及图4是沿着图3的线B-B截取的横截面图。
如图3和图4所示，太阳能电池11具有常规的结构，其中，电极被分别放置在半导体基板111的前表面和后表面上。
半导体基板111形成p-n结，并且是包含第一导电类型的杂质的n型或p型半导体基板。
前电极113放置在半导体基板的前表面111，并且后电极115放置在半导体基板的后表面111。前电极113和后电极115分别收集相反极性的载流子。
前电极113与后电极115形成在它们之间的交叉方向上。例如，前电极113被形成为在竖直方向上彼此平行，并且后电极115被形成为在水平方向上彼此平行。
在半导体基板111和前电极113或后电极115之间形成：降低势垒的发射极区和后表面场区；以及防止表面处的载流子复合的钝化层。然而，在附图中省略了上述部件。
具有上述结构的两个相邻太阳能电池11(或C1和C2)通过接线构件30彼此连接。如图5的(A)所示，接线构件30具有线形形状。图5的(B)示出了接线构件30的横截面。
如图5所示，接线构件30具有这样的结构，其中涂层33以较薄的厚度(例如，约12μm或更小)被涂覆在芯层31上。接线构件30的整个厚度为300μm至500μm。
芯层31是由具有良好导电性的金属材料形成，例如，Ni、Cu、Ag和Al。涂层33是由具有Pb、Sn或SnIn、SnBi、SnPb、Sn、SnCuAg、SnCu等或它们的组合的化学式的金属材料形成。
因此，通过焊接可以容易地将接线构件30连接到电极113和电极115。
当两个相邻的太阳能电池C1和C2连接时，在半导体基板111具有156毫米*156毫米的尺寸的情况下，可以使用10到18个接线构件30。接线构件30的数量可以根据半导体基板111的尺寸、电极的结构等而变化。这将在后面详细描述。
用于连接两个相邻的太阳能电池C1和C2的接线构件30的一侧连接到第一太阳能电池C1的前电极113，并且另一侧连接到第二太阳能电池C2的后电极115。因此，前电极113与接线构件30被设置在它们之间的交叉的方向上，并且彼此连接。此外，后电极115和接线构件30被设置为彼此平行，并且彼此连接。
连接方法的示例分别在两个相邻太阳能电池C1和太阳能电池C2的前表面和后表面上放置接线构件30，使得接线构件30与前电极113和后电极115相对，并且以等于或高于熔化温度的温度加热接线构件30的涂层33若干秒钟。因此，由于涂层33被熔化并且被冷却，接线构件30附接到电极113和电极115。
图6示出了两个相邻串通过连接端子40连接，以及图7是沿着图6的线C-C截取的横截面图；
参考图6和图7，连接端子40由上钝化层60和下钝化层70封装，并且盖构件50放置在连接端子40上。因此，在外部看不到连接端子40。
由框架20围绕太阳能电池面板13的周边，用由绝缘材料形成密封剂SP插入其间。密封剂SP可以是绝缘树脂或绝缘带，很容易在其上执行热处理。框架20由轻金属材料(诸如，铝和不锈钢)构成。框架20包括在中心具有中空的形凸缘21。通过将凸缘21插入太阳能电池面板13的周边，框架20容易与太阳能电池面板13联接。
连接端子40被设置在框架20和太阳能电池面板13之间，并且在上钝化层60上。连接端子40由导电金属材料形成。例如，连接端子40可以由与电极13和电极15相同的金属材料(例如，银(Ag))形成，或者可以由与接线构件30相同的材料形成。
连接端子40具有矩形带形状或带状形状，像具有较薄的厚度的传统的总线带。连接端子40的宽度小于两个相邻太阳能电池11a和11b的水平宽度的总和，并且大于取自至少两个太阳能电池11a和太阳能电池11b的所有接线构件30的宽度的总和。
如图所示，连接端子40具有矩形平面形状，并且在与接线构件30交叉的方向上延伸。因此，可以将连接端子40连接到取自太阳能电池11a和太阳能电池11b的所有接线构件30。
图6和图7显示具有矩形带状的连接端子40作为示例。因此，其它形状可以被用于连接端子40。例如，连接端子40可以具有以与接线构件30相同方式的线形形状。在此，接线构件30可以具有这样的圆形横截面：接线构件30的宽度等于接线构件30的厚度。
并且，矩形带状可以是这样的带型：矩形带状的宽度大于矩形带状的厚度。
连接端子40可以以与接线构件30相同的方式包括芯层和涂层。形成连接端子40的芯层和涂层的材料可以不同于形成接线构件30的芯层和涂层的材料。因为连接端子40的厚度、宽度、长度等不同于接线构件30的那些，所以连接端子40的形状可以不同于接线构件30的形状。在本发明中，基本上，优选的是，连接端子40的厚度或宽度大于接线构件30的那些。
第一接线构件30a延伸至这样的连接端子40，该连接端子40连接到构成第一行的串的多个太阳能电池的最后的太阳能电池11a的前电极113。第二接线构件30b延伸至这样的连接端子40，该连接端子40连接到构成第二行的串的多个太阳能电池的第一个太阳能电池11b的后电极115。
第一接线构件30a和第二接线构件30b电连接到连接端子40，并且因此第一行和第二行的串彼此电连接。第一接线构件30a和第二接线构件30b通过液态或固状的导电粘合剂，而焊接到连接端子40，或电连接到连接端子40。
上述连接结构同样地被应用于所有的串。例如，如图1所示，两个连接端子40设置在太阳能电池面板13的上侧，以连接第二行和第三行的串，并且连接第四行和第五行的串。此外，三个连接端子40设置在太阳能电池面板13的下侧，以连接第一行和第二行的串、第三行和第四行的串、以及第五行和第六行的串。
钝化层60和钝化层70由透明绝缘材料形成，但是连接端子40由金属材料形成。因此，连接终端40可以容易地被看到。然而，在本发明的实施方式中，盖构件50放置在连接端子40上，并且覆盖连接端子40。在本发明的实施方式中，盖构件50包封钝化构件70上的连接端子，并且钝化构件包封盖构件50。
盖构件50的水平宽度和竖直宽度大于连接端子40的那些，使得盖构件50完全地覆盖连接端子40。盖构件50是由不透明材料形成，使得在外面看不到连接端子40。优选但不必需的是，盖构件50由与下基板90相同的材料形成，使得盖构件50具有与下基板90相同的颜色。在这种情况下，因为盖构件50由与下基板90相同的材料形成，在前面几乎不能看见盖构件50以及连接端子40。因此，太阳能电池模块的设计得到了改善。
此外，可以通过在不透明合成树脂的表面上涂覆反射材料来形成盖构件50，在该不透明合成树脂上很容易完成形状处理。
可以使用双面带来附接，或可以使用粘合剂固定盖构件50。可选地，可以通过胶凝化液体材料或片型材料来固定盖构件50。
到目前为止，本发明的实施方式描述了盖构件50是与连接端子40分离地形成，并且覆盖连接端子40。然而，可以通过用涂层材料涂覆连接端子40的表面来形成盖构件50。在这种情况下，优选的是，盖构件50具有与下基板相同的颜色或具有黑色。
如图8所示，盖构件50的表面可以包括不平坦部分51。因为盖构件50包含不平坦部分51，光可以从盖构件50反射，并且可以被传递到相邻的太阳能电池11。优选但是不必需的是，盖构件50的厚度SB1大于太阳能电池11的厚度SA1，以便提高光的反射。
如图9所示、盖构件50的表面可以具有倾斜的表面51a。优选但不必需的是，倾斜表面51a被构造为朝向相邻的太阳能电池的下降倾斜表面。可以在盖构件50的倾斜表面51a上形成不平坦部分，以便提高光的散射。
因此，入射在盖构件50的表面上的光额外地以对应于下降倾斜表面的角度弯曲，并且被入射到太阳能电池上。此外，由于倾斜表面51a还包括不平坦部分，光通过各种路径入射到太阳能电池上。
图10示出了代替下钝化层70在上基板80的表面上形成有盖构件50。通常，通过在太阳能电池上方和下方依次堆叠片型钝化层60和70以及基板80和90，并且将其以堆叠状态层压，来形成太阳能电池面板。因此，如图10所示，当在上基板80的表面上形成盖构件50时，以与背景技术相同的方式来制造太阳能电池面板，并且执行这样的简单过程，该过程用于将以带型制造的盖构件50与所制造的太阳能电池面板进行附接。因此，可以通过简单过程而不改变制造过程来制造太阳能电池面板。
图11示出了根据本发明的另一个示例性实施方式的太阳能电池模块，以及图12是沿着图11的线E-E截取的横截面图。图11所示的太阳能电池模块不同于图1所示的太阳能电池模块，其不同之处在于，不存在盖构件50，并且由框架20覆盖连接端子40。
如图11和图12所示，连接端子40放置在太阳能电池面板的端部的下钝化层70上，并且由上钝化层60封装。
凸缘21以形状围绕太阳能电池面板13的外周。凸缘21包括上支架21a和下支架21b。
上支架21a在水平方向上从主体21c突出预定的距离，并且覆盖太阳能电池面板13的外周的上侧的一部分。下支架21b在水平方向上从主体21c突出预定的距离。因此，太阳能电池面板13的外周夹在上支架21a和下支架21b中间。
如上所述，由于凸缘21围绕基板80和基板90的外周，对应于预定距离d1的区域是由凸缘21覆盖的边框区域SA。因为凸缘21由金属材料制成，边框区域SA是看不见的。
在本发明的实施方式中，连接端子40放置在边框区域SA。因此，当从太阳能电池模块的前面观察时，看不到连接端子40。
连接端子40具有第一宽度W1，并且边框区域SA具有大于第一宽度W1的第二宽度d1。从太阳能电池面板的端部到串的第一太阳能电池11c的距离t1大于第一宽度W1与第二宽度d1。优选但不必需的是，边框区域SA的宽度d1等于或大于连接端子40的宽度W1，并且等于或小于距离t1。
图13示出了连接端子40放置在太阳能电池面板的后表面上，和图12不同。
在本发明的实施方式中，下钝化层70和下基板90分别包括放置在同一条线上的引导孔LH，并且连接端子40放置为靠近引导孔LH。引导孔LH放置在边框区域SA内，并且在太阳能电池模块的前侧看不到。
连接到太阳能电池11c的接线构件30通过引导孔LH而连接到位于下基板90的后表面上的连接端子40。因此，通过连接端子40电连接两个相邻串。
在本发明的实施方式中，通过引导孔LH，接线构件30被抽拉至外部。因此，优选但不必需的是，引导孔LH填充有绝缘部构件43，以便减小接线构件30的损坏。例如，绝缘构件43可以是从液态变为固态的绝缘粘合剂、与钝化层相同的材料，或与密封剂SP相同的材料。
在本发明的实施方式中，如上所述，连接端子40放置在下基板90上，下基板90是不透明的。因此，在太阳能电池模块的前面看不见连接端子40。当对比于图12的结构时，图13的结构在边框区域SA内不设置连接端子40，并且在下基板90的后表面上设置连接端子40，从而通过减小边框区域SA来实现轻薄边框。
图14的结构不同于图13的结构，其不同之处在于，不存在引导孔LH。甚至在图14的结构中，连接端子40放置在太阳能电池面板的后表面上。
如图14所示，连接到太阳能电池11c的接线构件30在上钝化层60和下部钝化层70之间被引导出来。接线构件30围绕太阳能电池面板的周边，并且被抽拉到外部。因此，接线构件30连接到连接端子40。
在图14的结构中，因为在接线构件30被引导出来的状态下接线构件30被抽拉到连接端子40，所以物理冲击等可以容易地使接线构件30损坏。优选但不必需的是，在接线构件30被嵌入在密封剂SP中的状态下，接线构件30被抽拉到外面，鉴于这种情况，使得接线构件30不会接触到下基板90。
图15的结构基本上与图14的结构相同，除了连接端子40的位置之外。
如图15所示，连接端子40被夹在凸缘21的下支架21b和下基板90之间。在图15的结构中，通过如上所述将连接端子40设置在凸缘21的内部，可以防止施加于连接端子40的物理冲击使接线构件30和连接端子40断开。
到目前为止，本发明的实施方式描述太阳能电池模块。在下文中，本发明的实施方式描述了形成太阳能电池模块所需的适当数量的接线构件。
图16示出了根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的示例。更具体地说，图16的(a)中示出了当从太阳能电池模块的前面观看时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块；(b)是沿着图16的(a)的线CS1-CS1截取的横截面图；以及(c)是沿着图16的(a)的线CS2-CS2截取的横截面图。
图17是示出了应用于根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池的示例的局部透视图，以及图18是沿着图17的线CS3-CS3截取的横截面图。
如图16所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括多个太阳能电池C1和C2，并且多个接线构件IC连接到太阳能电池C1和C2中的每一个。
如图17和图18所示，应用于根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池的示例可以包括半导体基板110、发射极区120、抗反射层130、多个第一电极140、多个后面场(BSF)区域172、以及第二电极150。
如果必要或需要，后面场区域172可以被省略。在以下描述中，作为示例，本发明的实施方式描述了包括后面场区域172的太阳能电池作为示例，因为后面场区域172进一步提高了太阳能电池的效率。
尽管并不要求，但半导体基板110可以是由第一导电类型(例如，p型)的硅形成的半导体基板。在半导体基板110中使用的硅可以是单晶硅、多晶硅、或非晶硅。例如，半导体基板110可以由晶体硅晶片形成。
当半导体基板110是p型时，半导体基板110被掺杂有III族元素(诸如，硼(B)、镓(Ga)和铟(In))的杂质。可选地，半导体基板110可以是n型的，和/或可由除了硅以外的半导体材料形成。如果半导体基板110是n型时，则半导体基板110可以被掺杂有V族元素(诸如，磷(P)、砷(As)、锑(Sb))的杂质。
半导体基板110的前表面具有多个不平坦部分。为了简明和易于理解，图17示出了仅半导体基板110的一个边缘具有不平坦的部分。因此，图17示出了仅位于半导体基板110的前表面上的发射极区域120的边缘具有不平坦部分。然而，实际上，整个半导体基板110的前表面具有不平坦部分，并且位于半导体基板110的前表面上的发射极区域120的整个表面具有不平坦部分。
入射在具有多个不平坦部分的半导体基板110的前表面上的光被发射极区域的不平坦部分和半导体基板110的不平坦部分反射若干次，并且入射到半导体基板110内部。因此，从半导体基板110的前表面反射的光的量减少，并且入射到半导体基板110内部的光的量增加。此外，光入射于其上的半导体基板110的表面区域和发射极区域120增加了不平坦部分，并且入射在半导体基板110上的光的量增加。
如图17和图18所示，发射极区域120形成于第一导电类型的半导体基板110的前表面(对应于入射面)上，并且是通过将与第一导电类型(例如，p型)相反的第二导电类型(例如，n型)的杂质掺杂到半导体基板110形成的区域。即，发射极区域120可以放置在光入射于其上的半导体基板110的表面(即，前表面)内。因此，第二导电类型的发射极区域120与半导体基板110的第一导电类型区域一起形成p-n结。
由入射到半导体基板110上的光产生的即电子空穴对被半导体基板110和发射极区域120之间的p-n结分离成电子和空穴。然后，分离出的电子移动到n型半导体，分离出的空穴移动到p型半导体。因此，当半导体基板110是p型并且发射极区域120是n型时，电子移动到发射极区域120，并且空穴移动到半导体基板110。
因为发射极区域120与半导体基板110(即，半导体基板110的第一导电类型区域)一起形成p-n结，所以当半导体基板110是n型时，发射极区域120可以是p型，不像上面所描述的实施方式。在这种情况下，电子可以移动到半导体基板110的后表面，并且空穴可以移动到发射极区域120。
返回到本发明的实施方式中，当发射极区120是n型时，可以通过将V族元素(诸如，P、As和Sb)的杂质掺杂到半导体基板110而形成发射极区域120，相反，当发射极区域120是p-型时，可以通过将III族元素(诸如，B、Ga和In)的杂质掺杂到半导体基板110而形成发射极区域120。
如图17和图18所示，抗反射层130放置在半导体基板110的前表面上。当发射极区域120放置在半导体基板110的前表面上时，抗反射层130可以放置在发射极区域120上。
抗反射层130可以包括氢化氮化硅(SiNx:H)、氢化氧化硅(SiOx:H)、氢化氮氧化物(SiNxOy:H)和氢化非晶硅(a-Si:H)中的至少一种。
抗反射层130可以执行钝化功能，该钝化功能可以使用包含在抗反射层130中的氢(H)将缺陷(例如，存在于半导体基板110的表面处和半导体基板110的表面周围的悬空键)转变成稳定的键，并且阻止或减少移动至半导体基板110的表面的载流子的复合和/或消失。因此，通过在半导体基板110的表面处和半导体基板110的表面周围的缺陷，抗反射层130减少载流子的损失量。
当半导体基板110具有不平坦部分时，抗反射层130包括与半导体基板110相似的具有多个不平坦部分的不平坦表面。
通常，由于缺陷主要存在于半导体基板110的表面处和半导体基板110的表面周围，所以当如在本发明的实施方式中抗反射层130直接接触半导体基板110的表面时，抗反射层130的钝化功能得到了进一步改进。
抗反射层130可以包括使用如下各项中的至少一种的多个层：氢化氮化硅(SiNx:H)、氢化氧化硅(SiOx:H)、氢化氮氧化物(SiNxOy:H)、氢化氮氧化硅(SiOxNy:H)和氢化非晶硅(a-Si:H)中。
例如，抗反射层130可以包括使用氢化氮化硅(SiNx:H)的两个层。
因此，可以进一步改进反射层130的钝化功能，并且可以进一步提高太阳能电池的光电效率。
如图17和图18所示，多个第一电极140放置在半导体基板110的前表面上，并且彼此分隔开。每个第一电极140可以在第一方向x上延伸。
在半导体基板110的前表面上彼此分离并且在第一方向x上延伸的电极可以被称为前指状物。
多个第一电极140可以通过抗反射层130，并且可以连接到发射极区域120。
第一电极140可以由至少一种导电材料(例如，银(Ag))形成，并且可以收集移动到发射极区域120的载流子(例如，电子)。
根据本发明的实施方式的太阳能电池可以不包括汇流条电极(bus barelectrode)，该汇流条电极沿着与第一方向x交叉的第二方向y延伸，使得多个第一电极140共同连接到汇流条电极。
连接多个太阳能电池C1和C2的接线构件IC通常连接到汇流条电极。然而，在根据本发明的实施方式的太阳能电池中，接线构件IC可以直接连接到第一电极140，而不是汇流条电极。
后面场区域172可以放置在与半导体基板110的前表面相对的后表面。后面场区域172是一个这样的区域(例如，p+型区域)，该区域比半导体基板110更严重地被掺杂有与半导体基板110相同的导电类型的杂质。
由半导体基板110的第一导电类型区域和后面场区域172的杂质浓度之间的差异形成了势垒。因此，势垒阻止或减少电子移动到用作空穴的移动路径的后面场区域172，并且使空穴更加容易地移动到后面场区域172。因此，通过在半导体基板110的后表面处和半导体基板110的后表面周围的电子和空穴的复合和/或消失，后面场区域172减少了载流子的损失量，并且使所需的载流子(例如，空穴)的运动加速，从而增加载流子到第二电极150的运动。
第二电极150可以包括后电极层151和多个后汇流条152。后电极层151接触位于半导体基板110的后表面的后面场区域172。后电极层151可以基本上放置在半导体基板110的整个后表面上，除了半导体基板110的后表面的边缘和后汇流条152的形成区域之外。
后电极层151可以包括导电材料(例如，铝(Al))。
后电极层151收集移动到后面场区域172的载流子(例如，空穴)。
因为后电极层151接触具有高于半导体基板110的杂质浓度的后面场区域172，所以半导体基板110(即，后面场区域172)和后电极层151之间的接触电阻减小。因此，从半导体基板110到后电极层151的载流子转移效率得以提高。
多个后汇流条152放置在半导体基板110的后表面上(该后面上不放置后电极层151)，并且连接到后电极层151。
后汇流条152可以收集从后电极层151转移的载流子。
后汇流条152连接到接线构件IC，并且因此由后汇流条152收集的载流子(例如，空穴)可以通过接线构件IC而转移到相邻的另一太阳能电池。
后汇流条152可以由具有比后电极层151更好的导电性的材料形成。例如，汇流条152可以包含至少一种导电材料(例如，银(Ag))。
接线构件IC可以连接到多个后汇流条152中的每一个。
下面描述具有上述结构的太阳能电池的操作。
当照射在太阳能电池的光通过抗反射层130而入射到发射极区域120和半导体基板110上时，由基于入射光产生的光能在半导体部件中产生多个电子-空穴对。在这种情况下，通过半导体基板110和发射极区域120的不平坦表面，减小了入射在半导体基板110上的光的反射损失，并且入射在半导体基板110上的光的量增加。
由于在半导体基板110和发射极区域120之间的p-n结，电子-空穴对被分成电子和空穴。电子移动到n型发射极区域120，并且空穴移动到p-型半导体基板110。移动到发射极区域120的电子被第一电极140收集，并且转移到接线构件IC。移动到半导体基板110的空穴被后电极层151和后汇流条152收集，并且转移到接线构件IC。
到目前为止，图17和图18中所示的本发明的实施方式中描述了具有传统结构的太阳能电池作为示例，在该太阳能电池中，第一电极140放置在半导体基板110的前表面上，并且第二电极150放置在半导体基板底110的后表面上。然而，本发明的实施方式可以被应用于这样的太阳能电池，其中第一电极140与第二电极150放置在半导体基板110的后表面上。
图17和图18示出了这样的太阳能电池作为示例，在该太阳能电池中，后汇流条152放置在半导体基板110的后表面上。然而，后汇流条152可以被省略。也就是说，第二电极150可以只包括后电极层151。
根据本发明的实施方式的太阳能电池可以具有不同于图17和图18的结构。在描述了应用于根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的接线构件IC的数量和宽度之后，将描述太阳能电池的各种结构。后面将参考图29至图31描述太阳能电池的各种结构。
在下面的描述中，为了简明和便于阅读起见，使用图17和图18所示的太阳能电池作为示例来描述本发明的实施方式。
如图16的(a)所示，在根据本发明实施方式的太阳能电池模块中，多个太阳能电池C1和C2中的每个的第一电极140的纵向方向可以是第一方向x，并且多个太阳能电池C1和C2可以布置在与第一方向x相交的第二方向y上。
如图16的(a)至(c)所示，多个接线构件IC可以连接到第一电极140或第二电极150，以便串联电连接太阳能电池C1和C2。
更具体地，如图16的(b)所示，在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中，多个接线构件IC可以在第二方向y上延伸，并且可以将第一太阳能电池C1的第一电极140串联连接到第二太阳能电池C2的第二电极150。
每个接线构件IC可以具有线的形状。在这种情况下，如图16的(a)所示，每个接线构件的横截面IC可具有弯曲的表面。也即是说，作为示例，图16的(a)示出了每个接线构件IC的横截面具有圆形。然而，每个接线构件IC的横截面可以具有椭圆形、半圆形、矩形、和梯形中的一个。
因此，从外部入射的光被接线构件IC的倾斜的表面反射，并且入射在半导体基板110上。可选地，从外部入射的光被放置在太阳能电池C1和C2的前表面上的透明基板再次反射，并且入射在半导体基板110上。结果，入射在太阳能电池上的光的量可以增加。
多个接线构件IC可以使用包含金属材料(例如，在太阳能电池的第一电极140或第二电极150中的锡(Sn))的焊膏、导电金属颗粒被包括在绝缘树脂中的导电膏、或导电材料(诸如，导电粘合剂膜)。
在上述太阳能电池模块中，接线构件IC的数量NIC和每个接线构件IC的宽度WIC可以被设置为预定值。
也就是说，在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的多个太阳能电池C1和C2中的每一个中，考虑接线构件IC的电阻、由接线构件IC覆盖的阴影区域、以及太阳能电池的输出，连接到第一电极140或第二电极150的接线构件IC的数量NIC可以是10至18。此外，接线构件IC的宽度WIC可以是0.24mm至0.53mm。
为什么在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中接线构件IC的数量NIC如上所述地设置的原因如下。
作为示例，给出了由图19和图20的曲线图表示的太阳能电池模块的输出值的，并且本发明的实施方式不限于此。因此，输出值可以随包括太阳能电池的构造、应用于太阳能电池模块的太阳能电池的数量等在内的其它条件而变化。
图19是表示取决于图16所示的接线构件IC的电阻的太阳能电池模块的输出减少量的曲线图。
更具体地，图19示出了接线构件IC的电阻和太阳能电池模块的输出减少量之间关系的仿真结果，而不考虑由接线构件IC所覆盖的半导体基板110的阴影区域。
参考图19，随着接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加，太阳能电池模块的输出减少量降低。
更具体地，随着接线构件IC的数量NIC和宽度WIC降低，接线构件IC的电阻增加。因此，太阳能电池模块的输出减少量增加。也就是说，随着接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加，提高了接线构件IC的电阻。因此，太阳能电池模块的输出减少量减少。
尽管接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加到等于或大于预定值的值，但是太阳能电池模块的输出减少量收敛于约0.05W。
因此，随着接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加，太阳能电池模块的输出量增加，是因为接线构件IC的电阻减小。此外，在接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加到等于或大于预定值的值之后，太阳能电池模块的输出量缓慢地增加。
换句话说，随着接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加，接线构件IC的电阻减小。当接线构件IC的电阻减小到等于或小于预定值的值时，太阳能电池模块的输出量增加到每个太阳能电池可以输出的最大值。
在这种情况下，当接线构件IC的宽度WIC相对小(例如，当宽度WIC为0.15mm)时，取决于接线构件IC的数量NIC的变化的太阳能电池模块的输出减少量之间有相对大的差异。此外，当接线构件IC的宽度WIC相对大(例如，当宽度WIC为0.4mm)时，取决于接线构件IC的数量NIC的变化的太阳能电池模块的输出减少量之间有相对小的差异。
图20是表示除了被图16所示的接线构件覆盖的阴影区域之外的剩余区域的太阳能电池模块的输出的仿真曲线图。
在图20所示的曲线中，排除了接线构件IC的电阻的影响。
图20示出了，例如，在当没有接线构件IC时包括在太阳能电池模块中的每个太阳能电池的最大输出被设为5W的状态下，通过调整应用于太阳能电池模块的接线构件IC的数量NIC和宽度WIC获得太阳能电池的输出值的仿真结果。
如图20所示，当接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加时，由接线构件IC覆盖的阴影区域增加。因此，太阳能电池的输出降低。
在这种情况下，当接线构件IC的宽度WIC减小时，不考虑接线构件IC的数量NIC，太阳能电池的输出中有相对小的变化。此外，当接线构件IC的宽度WIC增加时，取决于接线构件IC的数量NIC的太阳能电池的输出中有相对大的变化。
也就是说，随着接线构件IC的数量NIC的增加，接线构件IC的数量NIC和宽度WIC相对增加。因此，太阳能电池的输出大大降低。
因此，当接线构件IC的宽度WIC为0.15mm时，即使当接线构件IC的数量NIC从7变化到21时，由接线构件IC覆盖的阴影区域稍微增加。因此，太阳能电池的输出稍微降低。
然而，当接线构件IC的宽度WIC为0.4mm时，当接线构件IC的数量NIC从7变化到21时，由接线构件IC覆盖的阴影区域大大地增加大地增加。因此，太阳能电池的输出大大降低。
如从图19和图20的仿真结果可以看到，当接线构件IC的数量NIC和宽度WIC增加时，接线构件IC的电阻减小。然而，因为由接线构件IC覆盖的阴影区域相对地增加，所以太阳能电池的输出受到影响。此外，当接线构件IC的数量NIC和宽度WIC减小时，接线构件IC的电阻增加。然而，因为由接线构件IC覆盖的阴影区域相对地减小，太阳能电池的输出受到影响。
因此，通过适当地调整接线构件IC的数量NIC和宽度WIC，应用于太阳能电池模块的每个太阳能电池的输出可以被进一步最大化。
此外，本发明的实施方式将接线构件IC的宽度WIC设为预定值，并且然后以接线构件IC的设定宽度WIC来模拟取决于接线构件IC的数量NIC的太阳能电池模块的输出，以便找到接线构件IC的合适的数量NIC。
图21示出了当接线构件IC的宽度WIC是0.25mm时取决于接线构件IC的数量NIC的太阳能电池模块的输出的仿真结果。图22示出了当接线构件IC的宽度WIC是0.3mm时取决于接线构件IC的数量NIC的太阳能电池模块的输出的仿真结果。图23示出了当接线构件IC的宽度WIC是0.2mm时取决于接线构件IC的数量NIC的太阳能电池模块的输出的仿真结果。
作为示例，给出了由图21至图23表示的太阳能电池模块的输出值，并且本发明的实施方式不限于此。因此，输出值可以随包括太阳能电池的构造、应用于太阳能电池模块的太阳能电池的数量等在内的其它条件而变化。
图21至图23中，例如，每个太阳能电池的可允许的最大输出为5W，，并且应用于太阳能电池模块的太阳能电池的数量为60。因此，太阳能电池模块的最大输出为300W。
在图21至图23中，对比示例示出了当接线构件IC的数量NIC为3以及接线构件IC的宽度WIC为1.5mm时，太阳能电池模块的输出的仿真结果。在这种情况下，对比示例中太阳能电池模块的输出为285.4W。
图21至图23示出了，考虑接线构件IC的电阻和阴影区域，取决于接线构件IC的数量NIC的太阳能电池模块的输出的仿真结果。
如图21所示，当接线构件IC的宽度WIC为0.25mm时，当接线构件IC的数量NIC为1至9时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出小于对比示例，当接线构件IC的数量NIC为10至28时大于对比示例，并且当接线构件IC的数量NIC超过29时小于对比示例。因此，当接线构件IC的数量NIC为17时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块具有最大输出。在这种情况下，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的最大输出为287.5W，比对比示例多出大约2W。
此外，如图22所示，当接线构件IC的宽度WIC为0.3mm时，当接线构件IC的数量NIC大于1小于7时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出小于对比示例，当接线构件IC的数量NIC为7至26时大于对比示例，并且当接线构件IC的数量NIC超过27时小于对比示例。因此，当接线构件IC的数量NIC为13时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块具有最大输出。在这种情况下，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的最大输出为288.6W，比对比示例多出大约3.2W。
此外，如图23所示，当接线构件IC的宽度WIC为0.2mm时，当接线构件IC的数量NIC大于1小于19时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出小于对比示例，当接线构件IC的数量NIC为19至32时大于对比示例，并且当接线构件IC的数量NIC超过32时小于对比示例。因此，当接线构件IC的数量NIC为24时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块具有最大输出。在这种情况下，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的最大输出为286.03W，比对比示例多出大约0.63W。
根据图21至图23的仿真结果，接线构件IC的宽度WIC为0.2mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的最大输出值和对比示例之间的差异小于1W。因此，因为该差异不是有意义的值，从为设定本发明的实施方式的接线构件IC的数量NIC的基础中排出图23的仿真结果。仅使用图21和图22的仿真结果。
根据图21和图22的仿真结果，当接线构件IC的数量NIC数量为10至26时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的最大输出总是大于对比示例。
在从图21至图23获得的范围内，本发明的实施方式模拟了与对比示例相比较的接线构件和阴影区域的材料成本。
图24是示出了在接线构件和阴影区域的材料成本方面本发明的实施方式和比较示例之间的对比的曲线图。
在图24中，在对比示例中，接线构件IC的数量NIC为3，并且接线构件IC的宽度WIC为1.5mm。在本发明的实施方式中，接线构件IC的宽度WIC为0.25mm。
如图24的(a)所示，在每个太阳能电池中，接线构件IC的数量NIC为32，本发明的实施方式中接线构件的材料成本与对比示例相同。
因此，在每个太阳能电池中，接线构件IC的数量NIC等于或小于32，本发明的实施方式中接线构件的材料成本小于对比示例。
如图24的(b)所示，当接线构件IC的宽度WIC为0.25mm并且每个太阳能电池中接线构件IC的数量NIC为18时，本发明的实施方式具有与对比示例相同的阴影区域。当每个太阳能电池中接线构件IC的数量超过18时，本发明的实施方式具有大于对比示例的阴影区域。
根据图21至图23的仿真结果和图24的曲线图，当每个太阳能电池中接线构件IC的数量小于18时，接线构件的材料成本被进一步减少，并且阴影区域小于对比示例。
因此，考虑从图21至图23的仿真结果和图24的曲线图获得的接线构件IC的数量NIC(＝10-26)，将连接线构件IC的数量NIC设定为10至18可以进一步减小接线构件的材料成本。
作为结果，考虑图21至图24，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中接线构件IC的数量NIC被设为10至18。
在确定了接线构件IC的数量NIC的状态下，本发明的实施方式模拟了接线构件IC的宽度WIC，并且设定了使得可能具有最佳输出的接线构件IC的宽度WIC。
图25至图28示出了当接线构件IC的数量NIC是11、13、15、和17时，取决于接线构件IC的宽度WIC的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图。
更具体地，图25是示出了当接线构件IC的数量NIC是11时取决于接线构件IC的宽度WIC的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图。图26是示出了当接线构件IC的数量NIC是13时取决于接线构件IC的宽度WIC的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图。图27是示出了当接线构件IC的数量NIC是15时取决于接线构件IC的宽度WIC的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图。图28是示出了当接线构件IC的数量NIC是17时取决于接线构件IC的宽度WIC的太阳能电池模块的输出值的仿真结果的曲线图。
作为示例，给出了由图25至图28表示的太阳能电池模块的输出值的曲线图，并且本发明的实施方式不限于此。因此，输出值可以随包括太阳能电池的构造、应用于太阳能电池模块的太阳能电池的数量等在内的其它条件变化。
在图25至图28中，例如，每个太阳能电池的可允许的最大输出是5W，并且应用于一个太阳能电池模块的太阳能电池的数量是60,。因此，一个太阳能电池模块的最大输出是300W。
在图25至图28中，当接线构件IC的数量NIC为3并且接线构件IC的宽度WIC为1.5mm时，对比示例示出了太阳能电池模块的输出的仿真结果。在这种情况下，在对比示例中太阳能电池模块的输出为285.4W。
如图25所示，当接线构件IC的数量NIC为11并且接线构件IC的宽度WIC为0.24mm至0.85mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出大于对比示例。此外，当接线构件IC的宽度WIC为0.3mm至0.67mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出显示等于或大于288W的好值。
在这种情况下，当接线构件IC的宽度WIC为0.4mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块获得最大输出289.4W，并且最大输出289.4W比对比示例大4W。
如图26所示，当接线构件IC的数量NIC为13并且接线构件IC的宽度WIC为0.24mm至0.72mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出大于对比示例。此外，当接线构件IC的宽度WIC为0.28mm至0.54mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出显示等于或大于288W的好值。
在这种情况下，当接线构件IC的宽度WIC为0.38mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块获得最大输出289.3W，并且最大输出289.3W比对比示例大大约3.9W。
如图27所示，当接线构件IC的数量NIC为15并且接线构件IC的宽度WIC为0.22mm至0.62mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出大于对比示例。此外，当接线构件IC的宽度WIC为0.28mm至0.45mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出显示等于或大于288W的好值。
在这种情况下，当接线构件IC的宽度WIC为0.35mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块获得最大输出288.7W，并且最大输出288.7W比对比示例大大约3.3W。
如图28所示，当接线构件IC的数量NIC为17并且接线构件IC的宽度WIC为0.21mm至0.53mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出大于对比示例。此外，当接线构件IC的宽度WIC为0.28mm至0.38mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出显示等于或大于288W的好值。
在这种情况下，当接线构件IC的宽度WIC为0.3mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块获得最大输出288.7W，并且最大输出288.7W比对比示例大大约3.3W。
根据图25至图28的仿真结果，当接线构件IC的数量NIC为10至18并且接线构件IC的宽度WIC为0.24mm至0.53mm时，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出大于对比示例。
此外，当接线构件IC的数量NIC为10至18时，在本发明实施方式中接线构件IC的宽度WIC可以是0.3mm至0.38mm。在这种情况下，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的输出大于对比示例，如图25至图28所示。
本发明人将当改变接线构件的宽度和数量时由太阳能电池产生的电量与对比示例进行比较，以便找到接线构件的数量和接线构件的宽度之间的关系。图29中示出了该比较的结果。在此公开的实施方式中，对比示例是具有所谓的3汇流条结构的太阳能电池，并且使用三条汇流条和三个条带实现太阳能电池的连接结构。
当接线构件的宽度为250μm、300μm、340μm，360μm、400μm和500μm时，在接线构件的每个宽度处，在将接线构件的数量改变为6、8、10、12、14、16、18、20、22、24、26、28和30的同时，本发明人模拟太阳能电池的输出，并且将仿真的结果与对比示例进行比较。
在图29中，“功率”(表示输出)是通过从对比示例的输出值减去仿真结果获得的值。因此，负功率值表示仿真结果比对比示例差，并且正功率值表示仿真结果比对比示例好。因此，当仿真结果从负功率值变化到正功率值时获得的接线构件的数量对应于接线构件的数量的最小值。
如图29的表格所示，当接线构件的宽度为250μm时，接线构件的数量的最小值为15。此外，当接线构件的宽度为300μm、340μm/360μm，400μm，500μm时，接线构件的数量的最小值分别为11、9、7、和6。
相反，当仿真结果的增加值减少时获得的接线构件的数量对应于接线构件的数量的最大值。当接线构件的宽度为500μm、400μm、360μm、340μm和300μm时，接线构件的数量的最大值分别为17、21、23、24、和28。此外，当接线构件的宽度为250μm时，接线构件的数量的最大值33，并且是在仿真的范围之外。
图30是示出了图29的结果的表格，并且图31是示出了图29的结果的曲线图。
接线构件的数量的最小值由下面的函数1表示，并且接线构件的数量的最大值由下面的函数2表示。在这种情况下，误差幅度是±5％。
[函数1]
x＝3.1101×y2-90.552×y+911.2
[函数2]
x＝0.7225×y2–51.38×y+1162.1
在上面的函数1和函数2中，x是接线构件的宽度，y是接线构件的数量。
根据上述结果，当太阳能电池模块被构造成使得各具有薄宽度的接线构件的数量为6-30并且满足上述函数1和函数2时，太阳能电池模块的效率可以有效地增加。
考虑图19至图28的结果，当接线构件的数量至10至18，并且满足函数1和函数2时，太阳能电池模块的效率可以有效地增加。
优选的是，考虑材料成本、加工裕量等，接线构件的宽度为340μm至360μm。因此，如图30所示，优选的是，接线构件的数量是9至24。
图32示出了太阳能电池的另一个示例。图32的太阳能电池具有常规的结构，其中第一电极140和第二电极150以与图16的太阳能电池相同的方式分别放置在半导体基板110的前表面和后表面上。图32仅示意性地示出电极的平面。
如图32所示，第一电极140包括在彼此平行的一个方向上延伸的前指状物1401、以及在相交于前指状物1401的方向上连接前指状物1401的连接电极1403。
接线构件IC放置在连接电极1403上，并且电连接到连接电极1403。因此，连接电极1403的数量可以与接线构件IC的数量相同。
前电极1403连接前指状物1401，并且连接到接线构件IC。因此，优选的是，连接电极1403的宽度等于或大于前指状物1401的宽度，并且等于或小于接线构件IC的宽度。随着连接电极的宽度增加，太阳能电池的制造成本增加。因此，优选的是，如上所述考虑太阳能电池的性能和制造成本来设置连接电极1403的宽度。
焊盘Pd可以选择性地形成于前指状物1401和连接电极1403交叉处。焊盘Pd可以增加交叉的区域，并可稳固地将接线构件IC连接到交叉处。焊盘Pd可以形成在前指状物1401和连接电极1403的所有的交叉处。然而，优选地，选择性地形成焊盘Pd，因为连接电极1403连接到接线构件IC。例如，图32示出了每六条线形成焊盘Pd。然而，本发明的实施方式不限于此。考虑包括太阳能电池的输出、接线构件的粘合强度等的各种变量，焊盘Pd的位置和数量可以被确定。
虽然已经参考多个说明性实施方式描述了实施方式，但是应该理解的是，可以由本领域的普通技术人员设计落入本公开的原理的范围内的实施方式和许多其它变型。更具体地，本公开、附图和所附权利要范围内的组成部分和/或对象组合布置中的各种变化和修改是可能的。除了组成部分和/或布置中的变化和修改，替代使用对于本领域技术人员来说也将是显而易见的。

Claims (9)

1.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块包括：
多个太阳能电池，所述多个太阳能电池中的每个太阳能电池都包括半导体基板、与所述半导体基板一起形成p-n结的发射极区域、连接到所述发射极区域的第一电极、以及连接到所述半导体基板的后表面的第二电极；
多个接线构件，所述多个接线构件连接到所述第一电极或所述第二电极，用以串联地电连接所述多个太阳能电池并且形成串；以及
连接端子，所述连接端子连接至所述多个接线构件，用以连接所述多个太阳能电池中的两个相邻的串，
其中，所述多个接线构件具有圆形线形状，并且所述连接端子具有矩形带形状，
其中，所述第一电极包括：
多个前指状物，所述多个前指状物被构造成彼此平行地在一个方向上延伸；以及
多个焊盘，所述多个焊盘形成在所述多个前指状物与所述多个接线构件的交叉处，并且所述多个焊盘的宽度大于所述多个前指状物的宽度，并且
其中，连接到每个太阳能电池的所述第一电极或所述第二电极的所述多个接线构件的数量是6至30，并且
每个接线构件的宽度等于或大于下面的函数1：“x＝3.1101×y2-90.552×y+911.2”，并且等于或小于下面的函数2：“x＝0.7225×y2–51.38×y+1162.1”，其中，x是所述接线构件的宽度，y是所述接线构件的数量。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述多个接线构件具有圆形横截面。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池模块，其中，所述多个接线构件的数量是9至23。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池模块，其中，所述多个接线构件的数量是10至18。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，所述太阳能电池模块还包括连接电极，所述连接电极被构造成在与所述多个前指状物交叉的方向上连接所述多个焊盘并且延伸。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述多个焊盘选择性地形成在所述多个前指状物和所述多个接线构件的全部交叉处中的部分交叉处。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述多个接线构件具有宽度为0.24mm至0.53mm的线形形状。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池模块，其中，所述多个接线构件被置于所述连接电极上。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池模块，其中，所述多个焊盘的宽度大于所述连接电极的宽度。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2960946B1 (en) 2014-06-26 2020-11-18 LG Electronics Inc. Solar cell module
KR101964968B1 (ko) * 2016-03-28 2019-04-03 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널
CN106549635A (zh) * 2016-11-04 2017-03-29 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 一种具有良好散热功能的太阳能电池模块
KR101894582B1 (ko) * 2016-11-17 2018-10-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널
KR101934055B1 (ko) 2017-01-06 2019-04-05 엘지전자 주식회사 태양전지 패널
JP2018170917A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 株式会社ジェンク 太陽光発電装置
EP3447804B1 (de) * 2017-08-25 2022-02-16 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Solarzellenverbinder mit funktioneller längsbeschichtung
JP6829673B2 (ja) * 2017-09-19 2021-02-10 株式会社東芝 太陽電池システム及び太陽電池システムの制御方法
CN107611211A (zh) * 2017-09-20 2018-01-19 山东拜科通新材料科技有限公司 一种用于太阳能背接触的增强电气安全性能的方法和电路
WO2019069396A1 (ja) * 2017-10-04 2019-04-11 パナソニック株式会社 太陽電池モジュール
JP6768626B2 (ja) * 2017-11-24 2020-10-14 株式会社豊田自動織機 ソーラーパネル
EP3547374A1 (en) 2018-03-28 2019-10-02 LG Electronics Inc. Solar cell panel and method for manufacturing the same
KR20200051112A (ko) * 2018-11-03 2020-05-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법
CN209389043U (zh) * 2018-11-27 2019-09-13 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池及光伏组件
WO2020133846A1 (zh) * 2018-12-26 2020-07-02 郑锋涛 太阳能板模块的底座、太阳能板安装支架和太阳能板模块
DE102020203510A1 (de) * 2020-03-19 2021-09-23 NICE Solar Energy GmbH Dünnschichtsolarmodul und Herstellungsverfahren
RU204509U1 (ru) * 2020-12-09 2021-05-28 Акционерное общество "Элеконд" Конструкция солнечного фотоэлектрического модуля для Арктики и Антарктиды
CN115084301B (zh) * 2022-01-13 2024-01-23 浙江晶科能源有限公司 太阳能组件
CN115101617B (zh) * 2022-01-13 2024-01-19 浙江晶科能源有限公司 太阳能组件
DE102022122448A1 (de) * 2022-09-05 2024-03-07 Hanwha Q Cells Gmbh Solarmodul-Halbzeug und Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls
CN117955416B (zh) * 2024-03-26 2024-06-18 南京鸿发有色金属制造股份有限公司 一种复合材料太阳能组件边框连接结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277771A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュール
JP2004335705A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Canon Inc 電力変換器付き太陽電池モジュールの製造方法
CN102428572A (zh) * 2009-10-08 2012-04-25 Lg电子株式会社 太阳能电池和太阳能电池组件
WO2014045909A1 (ja) * 2012-09-22 2014-03-27 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5011544A (en) * 1989-09-08 1991-04-30 Solarex Corporation Solar panel with interconnects and masking structure, and method
JPH08330615A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Canon Inc 直列型太陽電池およびその製造方法
JP5089569B2 (ja) * 2001-06-29 2012-12-05 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP4526223B2 (ja) * 2001-06-29 2010-08-18 シャープ株式会社 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
EP1687852A2 (en) * 2003-11-27 2006-08-09 Kyocera Corporation Solar cell module
TW200642103A (en) 2005-03-31 2006-12-01 Sanyo Electric Co Solar battery module
US20060272843A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Outokumpu Copper Neumayer Gmbh Electric connection element
US20070125415A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Massachusetts Institute Of Technology Light capture with patterned solar cell bus wires
CN101047211B (zh) * 2006-03-31 2012-05-02 三洋电机株式会社 太阳能电池组件
JP5384004B2 (ja) 2007-03-19 2014-01-08 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US20100132768A1 (en) * 2007-05-14 2010-06-03 Mitsubishi Electric Corporation Solar Cell Module
JP2009021288A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US20090025778A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Day4 Energy Inc. Shading protection for solar cells and solar cell modules
JP5288790B2 (ja) 2007-08-02 2013-09-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
US20100000602A1 (en) * 2007-12-11 2010-01-07 Evergreen Solar, Inc. Photovoltaic Cell with Efficient Finger and Tab Layout
EP2232567A2 (en) 2007-12-11 2010-09-29 Evergreen Solar, Inc. Photovoltaic panel and cell with fine fingers and method of manufacture of the same
KR20100097219A (ko) * 2007-12-18 2010-09-02 데이4 에너지 인코포레이티드 Ｐｖ 스트링으로 에지 액세스를 수행하는 광전지 모듈, 연결 방법, 장치, 및 시스템
WO2009116394A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
JP4860652B2 (ja) * 2008-03-31 2012-01-25 京セラ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP5515367B2 (ja) * 2009-03-31 2014-06-11 三洋電機株式会社 太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム
JP5602498B2 (ja) 2009-07-30 2014-10-08 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
EP2348539B1 (en) * 2010-01-19 2019-05-29 SolarWorld Industries GmbH Photovoltaic cell electrode and method for electrically connecting a photovoltaic cell
DE102010016476B4 (de) * 2010-04-16 2022-09-29 Meyer Burger (Germany) Gmbh Verfahren zum Aufbringen von Kontaktdrähten auf eine Oberfläche einer Photovoltaikzelle, Photovoltaikzelle, Photovoltaikmodul, Anordnung zum Aufbringen von Kontaktdrähten auf eine Oberfläche einer Photovoltaikzelle
DE102010016675A1 (de) * 2010-04-28 2011-11-03 Solarworld Innovations Gmbh Photovoltaikmodul, Verfahren zum elektrischen Verbinden einer Mehrzahl von Photovoltaikzellen, und Einrichtung zum elektrischen Verbinden einer Mehrzahl von Photovoltaikzellen
EP2600419B1 (en) 2010-07-30 2018-11-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
KR101279975B1 (ko) 2010-10-05 2013-07-05 제일모직주식회사 도체간 전기적 접속 재료
JP5874011B2 (ja) 2011-01-28 2016-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP5798772B2 (ja) * 2011-03-25 2015-10-21 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、タブ線
CN104321883A (zh) 2011-12-13 2015-01-28 道康宁公司 光伏电池及其形成方法
CN104040727B (zh) * 2011-12-30 2016-07-06 Memc新加坡私人有限公司 用于太阳能组件的汇流条
KR20130117161A (ko) * 2012-04-17 2013-10-25 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치
JP2012182472A (ja) 2012-04-23 2012-09-20 Sharp Corp 太陽電池モジュール、および太陽電池モジュールの製造方法
DE102012207168B4 (de) * 2012-04-30 2016-02-25 Solarworld Innovations Gmbh Photovoltaikmodul mit Bypass-Dioden und in Reihe geschalteten Stringanordnungen parallel geschalteter Strings aus Solarzellen
JP2014063978A (ja) 2013-04-26 2014-04-10 Noritake Co Ltd 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP6050661B2 (ja) * 2012-11-21 2016-12-21 長州産業株式会社 光発電装置の製造方法
EP2960946B1 (en) 2014-06-26 2020-11-18 LG Electronics Inc. Solar cell module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277771A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュール
JP2004335705A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Canon Inc 電力変換器付き太陽電池モジュールの製造方法
CN102428572A (zh) * 2009-10-08 2012-04-25 Lg电子株式会社 太阳能电池和太阳能电池组件
WO2014045909A1 (ja) * 2012-09-22 2014-03-27 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池モジュールおよびその製造方法

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