CN107662921B - 用以制造硅锭的容器及其制造方法及结晶硅锭的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种用以制造硅锭的容器及其制造方法及结晶硅锭的制造方法。所述用以制造硅锭的容器及其制造方法包括以下步骤。在腔室中提供由石英所制成的基层。在所述基层的内表面上涂布粉浆层。所述粉浆层包括氮化硅、碳或硅。将涂布有所述粉浆层于其上的所述基层加热至1000℃至1700℃的温度时，在所述腔室中供应反应气体2小时至8小时，以将所述基层的一部分形成为阻障层。所述阻障层包括氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。

Description

用以制造硅锭的容器及其制造方法及结晶硅锭的制造方法
技术领域
本发明涉及一种容器及其制造方法，且特别是涉及一种用以制造硅锭的容器及其制造方法。
背景技术
应用在传统的结晶硅太阳能电池的结晶硅晶片(crystalline silicon wafer)通常通过切割结晶硅锭形成。所述结晶硅锭可通过加热容器中的硅材料，以获得硅熔体。之后，冷却并凝结所述硅熔体，以形成结晶硅锭。然而，在加热过程中，所述容器中的分子会扩散至所述结晶硅锭，造成所述结晶硅锭中具有高浓度的杂质。使用具有高浓度杂质的结晶硅锭所制造的太阳能电池的光电转换效率将受到损害。因此，如何减少制造结晶硅锭的过程中所产生的杂质将成为此领域重要的一门课题。
发明内容
本发明提供一种用以制造硅锭的容器及其制造方法以及结晶硅锭的制造方法，其可有效降低硅锭中的杂质。
本发明提供一种用以制造硅锭的容器，包括基层与阻障层。所述基层包括石英。所述阻障层配置于所述基层的内表面上。所述基层与所述阻障层通过原子键结而结合在一起，以于所述基层与所述阻障层之间形成附着力。所述阻障层包括氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。
本发明提供一种用以制造硅锭的容器的制造方法。所述方法包括以下步骤。在腔室中提供由石英所制成的基层。所述基层的内表面上涂布粉浆层。所述粉浆层包括氮化硅、碳或硅。在所述腔室中供应反应气体2小时至8小时，并将涂布有所述粉浆层于其上的所述基层加热至1000℃至1700℃的温度，以将所述基层的一部分形成为阻障层。
本发明提供一种结晶硅锭的制造方法。所述方法包括以下步骤。将硅材料放置在容器中。所述容器包括基层与阻障层。所述基层包括石英。所述阻障层配置于所述基层的内表面上。所述基层与所述阻障层通过原子键结而结合在一起，以于所述基层与所述阻障层之间形成附着力，所述阻障层包括氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。之后，加热并熔化所述硅材料，以形成硅熔体。固化所述硅熔体，以形成结晶硅锭。
本发明提供一种用以制造硅锭的容器包括基层。所述基层包括石英。所述基层包括气泡复合层与气泡空泛层。所述气泡空泛层相对所述气泡复合层靠近所述硅锭，且所述气泡空泛层的一部分构成了阻障层。所述阻障层包括氮化硅与氮氧化硅。
基于上述，通过在基底的内表面上形成阻障层，容器中的原子不容易扩散到后续所形成的结晶硅锭中。换言之，所述阻障层可抑制源自于容器的杂质的扩散，以减少结晶硅锭中的杂质量。因此，本发明可提高结晶硅锭的质量，并且还可以提高使用所述结晶硅锭所制造的太阳能电池的效率。
附图说明
图1是本发明一实施例的一种结晶硅锭生长系统的示意图；
图2A至图2D是图1的容器的区域R的放大图，其绘示了依照本发明一实施例的所述容器的制造步骤；
图3A为图2A至图2D所制造的容器与结晶硅锭之间的界面的光学显微镜照片的示意图；
图3B是不具有阻障层的现有容器与结晶硅锭之间的界面的光学显微镜照片的示意图；
图4A至图4D是图1的容器的区域R的放大图，其绘示了依照本发明另一实施例的所述容器的制造步骤；
图5A为图4A至图4D所制造的容器与结晶硅锭之间的界面的光学显微镜照片的示意图；
图5B是不具有阻障层的现有容器与结晶硅锭之间的界面的光学显微镜照片的示意图；
图6是本发明另一实施例的一种结晶硅锭生长系统示意图。
符号说明
100、100’：容器
100a：内表面
100b：外表面
102：气泡复合层
104：气泡空泛层
106：粉浆层
108：残余层
110：基层
110a：内表面
110b：外表面
112：阻障层
114：保护层
200、200’：结晶硅锭
300：热源
C：腔室
G：反应气体
H：热辐射
P：管子
R：区域
T：热能
θ：接触角
γSG、γSL、γLG：表面张力
具体实施方式
参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明也可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述之实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的标号表示相同或相似之元件，以下段落将不再赘述。
图1是依照本发明一实施例的一种结晶硅锭生长系统的示意图。请参照图1，结晶硅锭生长系统包括容器100、结晶硅锭200以及热源300。容器100包括内表面100a与外表面100b。结晶硅锭200容置于容器100中且形成在容器100的内表面100a上。热源300与容器100相距一距离且朝着容器100提供热辐射(热能)H。热源300可例如是石墨烯加热器。结晶硅锭200的形成方法包括以下步骤。首先，将硅材料(未绘示)放置在容器100中。之后，透过由热源300所提供的热辐射H，加热并熔化容器100中的硅材料，以形成硅熔体。接着，固化所述硅熔体，以形成结晶硅锭200。在一些实施例中，结晶硅锭200的形成步骤包括以不同方向来旋转容器100与结晶硅锭200，使得结晶硅锭200与容器100彼此分离。举例来说，容器100以顺时针方向旋转时，结晶硅锭200可以逆时针方向旋转。
容器100例如可以是用以硅锭生长的坩埚(crucible)。容器100包括基层110与阻障层112。基层110可包括石英。在一些实施例中，基层110可包括纯二氧化硅(SiO2)，但本发明不以此为限。在一些替代实施例中，基层110还可包括除了SiO2以外的分子。举例来说，基层110可包括碳化硅或氮化硅。基层110包括气泡复合层102与气泡空泛层104。气泡复合层102靠近热源300，而气泡空泛层104靠近结晶硅锭200。换言之，气泡空泛层104位于气泡复合层102与结晶硅锭200(或阻障层112)之间。气泡复合层102包括多个气泡(未绘示)，而气泡空泛层104基本上是未形成气泡于其中的固体结构。在替代实施例中，气泡空泛层104仍可包括微量气泡(未绘示)。也就是说，气泡空泛层104的气泡密度低于气泡复合层102的气泡密度。气泡复合层102的气泡可散射由热源300所提供的热辐射H。换言之，气泡复合层102中的气泡有助于将热辐射H分布在所有方向上，以实现均匀加热。因此，结晶硅锭200可均匀生长。另一方面，加热时，靠近结晶硅锭200的基层110可能熔化。为了加强基层110，可将气泡空泛层104形成在靠近结晶硅锭200的一侧。相较于气泡复合层102，由于气泡空泛层104具有较高的密度(例如二氧化硅密度)，因此，可提高基层110的耐久性与耐热性，藉此延长容器100的使用寿命。
基层110具有内表面110a，其面朝结晶硅锭200。阻障层112形成在基层110的内表面110a上。换言之，阻障层112夹在基层110与结晶硅锭200之间。阻障层112实质上包括氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。由于阻障层112由氮氧化硅所制成且基层110由二氧化硅所制成，因此，所述两层的晶格是匹配的。也就是说，阻障层112与基层110通过原子键结而结合在一起，以于阻障层112与基层110之间形成强的附着力。阻障层112与基层110之间的强附着力可避免部分阻障层112的剥离，此剥离是由于容器100与结晶硅锭200之间相对旋转的剪应力。在一些实施例中，阻障层112与基层110之间的附着力可大于30MPa。举例来说，阻障层112与基层110之间的附着力可介于50MPa至60MPa。另一方面，由于阻障层112是通过烧结(sintering)与结晶(crystallization)制作工艺所形成，其厚度可相对地薄。举例来说，阻障层112的厚度为20微米至150微米。在一些实施例中，阻障层112的较佳厚度为60微米至100微米。在其他实施例中，阻障层112的厚度为60微米至150微米。此外，阻障层112具有粗糙表面，其具有椭圆形晶粒(elliptic-like grain)的表面形态。阻障层112的粒径(grain size)可以是15微米至55微米。举例来说，在一些实施例中，阻障层112的粗糙表面的粒径可以是28微米至43微米。阻障层112可避免杂质(例如氧原子)从基层110扩散至结晶硅锭200中。因此，本发明可改善结晶硅锭200的品质。结晶硅锭200可被切割以形成多个结晶硅晶片。结晶硅晶片在后续中可用以制造电子元件。因此，以所述结晶硅锭200所制造的元件的效能也可提升。以下将详细说明阻障层112的形成方法。
图2A至图2D是图1的容器100的区域R的放大图，其绘示了依照本发明一实施例的所述容器100的制造步骤。请参照图2A，在腔室C中提供基层110。腔室C包括管子P，其在后续制作工艺中用以供应反应气体。在本实施例中，基层110由石英所制成，其包括气泡复合层102与气泡空泛层104。在本实施例中，气泡复合层102的厚度可实质上等于气泡空泛层104的厚度。然而本发明不以此为限。在一些替代实施例中，气泡空泛层104的厚度可小于气泡复合层102的厚度。接着，在大气条件(760托(torr)与100℃)下，将粉浆层106涂布在基层110的内表面110a上。用于粉浆层106的粉浆可以是将粉末溶解到溶剂中。在本实施例中，所述粉末包括氮化硅颗粒。另一方面，所述溶剂可包括蒸馏水、乙醇或甲醇。另外，所述粉浆中也可包括具有低偏析系数(low segregation coefficient)的分散剂或是粘合剂。将涂布有粉浆层106于其上的基层110放置30分钟。
请参照图2B，对腔室C提供热能T。具体来说，可将腔室C加热至1000℃至1700℃的温度。在一优选实施例中，可将腔室C加热至1400℃至1600℃的温度。同时，通过管子P将反应气体G供应至腔室C中。反应气体G可例如是氮气。腔室C可保持在20托至200托的气压下，使得基层110与粉浆反应2小时至8小时。此外，在另一优选实施例中，腔室C可保持在50托至100托的气压下，且反应时间为4小时至6小时。由于基层110与粉浆的反应是发生在富氮环境(亦即高浓度的氮气)下，基层110中的氧原子与来自粉浆层106中的氮原子之间互相扩散，其与反应气体G反应，以于基层110的内表面110a上形成阻障层112，如图2C所示。阻障层112实质上由氮氧化硅所构成。在一些实施例中，阻障层112可包括纯的氮氧化硅。在一些替代实施例中，阻障层112可包括氮氧化硅以外的微量的次要化合物，例如是氮化硅与氧化硅。一般来说，阻障层112中具有氮化硅。阻障层112中的氮氧化硅的分子式可表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。由于阻障层112通过烧结与互相扩散而形成，因此，阻障层112与基层110通过原子键结而结合在一起，以于阻障层112与基层110之间形成附着力。举例来说，阻障层112与基层110之间的附着力可大于30MPa。在一些实施例中，阻障层112与基层110之间的附着力可介于50MPa至60MPa。另外，阻障层112的厚度可相对地薄。阻障层112的厚度可以是20微米至150微米。阻障层112的较佳厚度可为60微米至100微米。在其他实施例中，阻障层112的厚度可以是60微米至150微米。此外，由于阻障层112是通过晶体生长法(crystal growth)所形成，因此，阻障层112具有粗糙表面，其具有椭圆形晶粒的表面形态。阻障层112的粒径可以是15微米至55微米。换言之，可在阻障层112的表面上观察到结晶颗粒或结晶晶粒。在一些实施例中，可通过调整反应参数来控制阻障层112的表面上的结晶颗粒或结晶晶粒的方向(orientation)。举例来说，阻障层112的表面在X、Y以及Z方向上的晶向可被控制，以获得比表面(specific surface)特性。如上述，在本实施例中，在阻障层112形成之前，气泡复合层102的厚度可实质上等于气泡空泛层104的厚度。然而，应注意的是，由于气泡空泛层104与粉浆层106皆有参与形成阻障层112的反应，因此，如图2C所示，在阻障层112形成之后，所述两层的厚度都稍微减少。换言之，气泡空泛层104的一部分变成了阻障层112。相较于未反应的气泡复合层102，反应后的气泡空泛层104具有较薄的厚度。此外，提供至腔室C的热能T可蒸发粉浆层106中的溶剂，以形成残余层108。残余层108包括剩余的未反应的氮化硅颗粒。未反应的氮化硅颗粒可以是粉末形式。
请参照图2D，在形成阻障层112之后，移除残余层108。由于未反应的氮化硅残留物为粉末形式，因此，可通过刮除或吹风方式来移除残余层108。
图3A是依照图2A至图2D所制造的容器100与结晶硅锭200之间的界面的光学显微镜照片。图3B是不具有阻障层的现有容器100’与结晶硅锭200之间的界面的光学显微镜照片。请参照图3A与图3B，在容器100、100’与结晶硅锭200之间的界面上进行湿润测试(wetting test)。结晶硅锭200与容器100、100’之间的接触角θ可通过杨-杜普雷方程式(Young-Dupre Equation)来计算：γSG＝γSL+γLGcosθ，其中γSG、γSL以及γLG为表面张力。如图3A与3B所示，图3A的结晶硅锭200与阻障层112之间的接触角θ为108°，而图3B的结晶硅锭200与容器100’之间的接触角为62°。换言之，阻障层112可防止结晶硅锭200与容器100之间的交互作用。此外，通过傅里叶转换红外光谱(FTIR)测量结晶硅锭200中靠近结晶硅锭200与容器100、100’之间的界面的间隙氧含量(interstitial oxygen content)。在图3A的实施例中，间隙氧含量大约为12.35每百万原子分率(parts-per-million-atomic，ppma)。另一方面，图3B的间隙氧含量大约为19.73ppma。从这些实验数据可知，阻障层112可有效地防止杂质(例如是氧原子)从基层110扩散至结晶硅锭200中。
图4A至图4D是图1的容器的区域R的放大图，其绘示了依照本发明另一实施例的所述容器的制造步骤。请参照图4A至图4D，本实施例与图2A至图2D的实施例类似，其不同之处在于本实施例的粉浆层106的粉末可以是碳(或碳粉)。在本实施例中，碳原子可视为硅还原的催化剂。详细地说，粉浆层106中的碳原子有助于基层110中的二氧化硅进行碳热还原(carbothermal reduction)，以形成游离硅原子(free silicon atoms)。在其他实施例中，粉浆层106的粉末可以是纯硅(或纯硅粉)。粉浆层106中的硅粉也可形成用于后续步骤中的游离硅原子。之后，所述游离硅原子可与由管子P所供应的氮气(即反应气体G)以及基层110中的氧原子反应，以于基层110的内表面110a上形成阻障层112。换言之，基层110的一部分变成了阻障层112。应注意的是，本实施例的反应参数可与图2A至图2D的实施例的反应参数相同。
与图2A至图2D的实施例相似，阻障层112中的氮氧化硅的分子式可表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。由于阻障层112通过烧结与晶体生长而形成，因此，阻障层112与基层110通过原子键结而结合在一起，以于阻障层112与基层110之间形成强的附着力。举例来说，阻障层112与基层110之间的附着力可大于30MPa。在一些实施例中，阻障层112与基层110之间的附着力可介于50MPa至60MPa。另外，阻障层112的厚度可相对地薄。阻障层112的厚度可以是20微米至150微米。阻障层112的较佳厚度可为60微米至100微米。在其他实施例中，阻障层112的厚度可以是60微米至150微米。此外，由于阻障层112是通过晶体生长法所形成，因此，阻障层112具有粗糙表面，其具有椭圆形晶粒的表面形态。阻障层112的粒径可以是15微米至55微米。换言之，可在阻障层112的表面上观察到结晶颗粒或结晶晶粒。应注意的是，由于气泡空泛层104参与形成阻障层112的反应，因此，在阻障层112形成之后，气泡空泛层104的厚度稍微地减少，如图4C所示。另一方面，粉浆层106中的碳原子可视为催化剂，其使得粉浆层106的厚度削减仅来自于其溶剂的蒸发。
图5A是依照图4A至图4D所制造的容器100与结晶硅锭200之间的界面的光学显微镜照片。图5B是不具有阻障层的现有容器100’与结晶硅锭200之间的界面的光学显微镜照片。类似图3A与图3B，在图5A的容器100、图5B的容器100’与结晶硅锭200之间的界面上分别进行湿润测试。如图5A与图5B所示，图5A的结晶硅锭200与阻障层112之间的接触角θ为96°，而图5B的结晶硅锭200与容器100’之间的接触角为67°。换言之，阻障层112可防止结晶硅锭200与容器100之间的交互作用。此外，通过惰性气体融合分析(Inert Gas FusionAnalysis，IGFA)测量结晶硅锭200中靠近结晶硅锭200与容器100、100’之间的界面的平均氧含量。在图5A的实施例中，平均氧含量大约为15每百万重量分率(parts-per-million-weight，ppmw)。另一方面，图5B的平均氧含量大约为22ppmw。从这些实验数据可知，阻障层112可有效地防止杂质(例如是氧原子)从基层110扩散至结晶硅锭200中。
如上述，本发明实施例的阻障层112是通过晶体生长法来形成。因此，本发明的阻障层112的特性与通过涂布技术而形成在基层110上的氮氧化硅层的特性不同。通过晶体生长法所形成的本发明的阻障层112、通过涂布技术而形成的氮氧化硅层(比较例1)以及通过涂布技术与烧结而形成的氮氧化硅层(比较例2)之间的比较如下表1所示。
在比较例1中，将氮氧化硅粉末(粉末颗粒的平均粒径为5微米)溶解在溶剂(例如蒸馏水)中，以形成氮氧化硅溶液。接着，将所述氮氧化硅溶液涂布在尺寸为50毫米(mm)x50mm x 10mm的石英基板上。在比较例2中，提供比较例1的具有氮氧化硅层于其上的石英基板。接着，将涂布有氮氧化硅层于其上的所述石英基板加热至1500℃。
表1
Figure BDA0001362100570000091
附着测试是将尺寸为50mm x 50mm x 10mm的样品浸入充满蒸馏水的超音波槽中。超音波槽中的蒸馏水的温度为25℃。之后，开启所述超音波槽，并提供400瓦特的功率以40kHz的频率振动超音波槽至15分钟。然后，观察样品的表面。
从表1清楚可知，阻障层112的表面上的颗粒的粒径大于通过涂布法所形成的氮氧化硅层的粒径。换言之，本发明之阻障层112具有粗糙的表面形态。另外，本发明实施例的晶体生长法所形成的阻障层112的厚度明显地薄于比较例1的氮氧化硅层的厚度。此外，在附着测试之后，本发明的阻障层112上仍具有残留物，而比较例1的所有残留物皆被移除。顺带一提的是，比较例2的氮氧化硅层在烧结之后具有裂纹或呈裂纹状。因此，在附着测试之后，比较例2的所有残留物也被移除。也就是说，本发明实施例之阻障层112与基层110之间的附着力显然大于经由涂布技术所形成的氮氧化硅层与基层110之间的附着力。
应注意的是，由于氧氮化硅层和石英基底之间的热膨胀系数不匹配，因此，烧结后可观察到比较例2的氧氮化硅层的裂纹。实际上来说，比较例1、2的氧氮化硅层的残留物将会污染后续形成的硅锭，进而增加硅锭中的杂质量。
图6是依照本发明另一实施例的一种结晶硅锭200’生长系统的示意图。请参照图6，此实施例与图1的实施例相似，其不同之处在于本实施例的容器100还包括保护层114，其形成于基层110的外表面110b。保护层114的材料与形成方法类似于阻障层112的材料与形成方法。换言之，保护层114实质上由氮氧化硅所构成。保护层114中的氮氧化硅的分子式可表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。保护层114可通过图2A至图2D或是图4A至图4D所述的方法所制造。如上述，热源300可以是石墨烯加热器。在提供热辐射H的过程中，热源300中的杂质可被释放出来。这些杂质可能会污染容器100的外表面100b，其导致容器100的结晶及破裂。因此，通过在容器100的外表面100b上形成保护层114，其可防止导致容器100破裂的相互作用。因此，容器100的使用寿命可有效地延长。
综上所述，阻障层可抑制来自容器的杂质的扩散，以减少结晶硅锭中的杂质量。因此，可改善结晶硅锭的品质并提升使用所述结晶硅锭所制造的太阳能电池的效能。另外，阻障层与基层之间的附着力可防止由于容器与结晶硅锭之间的相对旋转的剪应力而导致的部分阻障层剥离。因此，结晶硅锭的品质可更进一步地提升。
虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (15)

1.一种用以制造硅锭的容器，其特征在于，包括：
基层，其中所述基层包括石英；以及
阻障层，配置于所述基层的内表面上，其中所述基层与所述阻障层通过原子键结而结合在一起，以于所述基层与所述阻障层之间形成附着力，所述阻障层主要组成为氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1，其中所述基层包括气泡复合层与气泡空泛层，所述气泡空泛层位于所述气泡复合层与所述阻障层之间，所述阻障层是由所述气泡空泛层与粉浆层反应而形成，使得所述气泡空泛层的一部分构成了所述阻障层，且所述粉浆层包括氮化硅、碳或硅。
2.如权利要求1所述的用以制造硅锭的容器，其特征在于，所述阻障层的厚度为20微米至150微米。
3.如权利要求1所述的用以制造硅锭的容器，其特征在于，所述阻障层的厚度为60微米至150微米。
4.如权利要求1所述的用以制造硅锭的容器，其特征在于，所述阻障层包括氮化硅。
5.如权利要求1所述的用以制造硅锭的容器，其特征在于，所述阻障层与所述基层之间的所述附着力大于30MPa。
6.如权利要求1所述的用以制造硅锭的容器，其特征在于，所述阻障层具有粗糙表面，且所述阻障层的粒径为15微米至55微米。
7.如权利要求1所述的用以制造硅锭的容器，其特征在于，所述阻障层具有椭圆形晶粒的表面形态。
8.一种用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，包括：
在腔室中提供基层，其中所述基层包括石英，其中所述基层包括气泡复合层与气泡空泛层，所述气泡空泛层配置在内侧；
在所述气泡空泛层的内表面上涂布粉浆层，其中所述粉浆层包括氮化硅、碳或硅；以及
将涂布有所述粉浆层于其上的所述基层加热至1000℃至1700℃的温度，并且于所述腔室中供应反应气体2小时至8小时，以将所述气泡空泛层的一部分形成为阻障层，其中所述阻障层主要组成为氮氧化硅。
9.如权利要求8所述的用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，所述反应气体包括氮气。
10.如权利要求8所述的用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，所述阻障层是通过晶体生长法所形成的。
11.如权利要求8所述的用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，所述阻障层包括氮化硅、氮氧化硅或其组合。
12.如权利要求8所述的用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，所述阻障层包括氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1。
13.如权利要求12所述的用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，所述阻障层包括氮化硅。
14.如权利要求8所述的用以制造硅锭的容器的制造方法，其特征在于，所述阻障层具有粗糙表面，且所述阻障层的粒径为15微米至55微米。
15.一种结晶硅锭的制造方法，其特征在于，包括：
将硅材料放置在如权利要求1所述的容器中，所述容器包括基层与阻障层，所述基层包括石英，所述阻障层配置于所述基层的内表面上，其中所述基层与所述阻障层通过原子键结而结合在一起，以于所述基层与所述阻障层之间形成附着力，所述阻障层主要组成为氮氧化硅，其表示为SixNyOz，其中1≤x≤2，1≤y≤2且0.1≤z≤1；
加热并熔化所述硅材料，以形成硅熔体；以及
固化所述硅熔体，以形成结晶硅锭。
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