CN107623076A - 全溶液oled器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种全溶液OLED器件及其制作方法。本发明的全溶液OLED器件的制作方法采用溶液成膜方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，与现有的OLED器件的制作方法相比，实现了电子传输层与阴极的全溶液制备，能够避免使用高真空蒸镀制程及设备，节约材料，降低制作成本；并且相邻结构层之间不会出现互溶现象，成膜质量高，有效提高器件性能。本发明的全溶液OLED器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极均采用溶液成膜方法制备，与现有的OLED器件相比，制备成本低，成膜质量高，并具有优异的显示品质。

Description

全溶液OLED器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种全溶液OLED器件及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、及设于电子传输层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
目前OLED器件最常用的制备方法为：空穴注入层、空穴传输层及发光层采用喷墨打印(Ink-Jet Printing)方法制备，电子传输层及阴极采用真空热蒸镀法制备，由于真空热蒸镀法的成本较高，从而造成OLED器件的生产成本较高，限制了OLED器件的大范围商业化。喷墨打印方法是利用多个喷嘴将功能材料墨水滴入预定的像素区域，之后通过干燥获得所需薄膜，该方法具有材料利用率高等优点，是解决大尺寸OLED显示成本问题的关键技术，然而，由于相邻的打印墨水层之间容易出现互溶现象，并且电子传输层与阴极的材料大多为蒸镀材料，导致全溶液制程的OLED器件很难实现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种全溶液OLED器件的制作方法，采用溶液成膜方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，能够避免使用高真空蒸镀制程及设备，节约材料，降低制作成本。
本发明的目的还在于提供一种全溶液OLED器件，其空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极均采用溶液成膜方法制备，制备成本低，并具有优异的显示品质。
为实现上述目的，本发明提供一种全溶液OLED器件的制作方法，包括：
提供TFT背板，所述TFT背板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT阵列层、设于所述TFT阵列层上且间隔设置的数个阳极、及设于所述TFT阵列层与数个阳极上的像素定义层，所述像素定义层上设有分别对应于数个阳极上方的数个开口；
提供空穴注入层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口内的数个阳极上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个空穴注入层；
提供空穴传输层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口内的数个空穴注入层上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个空穴传输层；
提供发光层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口内的数个空穴传输层上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个发光层；
提供电子传输层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口内的数个发光层上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个电子传输层；
所述电子传输层墨水包括电子传输层材料与溶剂，所述电子传输层材料为离子共轭聚电解质，所述溶剂为醇类溶剂；
提供金属浆体材料，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述像素定义层及数个开口内的数个电子传输层上进行整面溶液成膜，干燥去除溶剂后形成连续不间断的阴极；
所述金属浆体材料包含金属微粒、粘合剂、溶剂、及助剂。
所述数个开口的面积分别小于所述数个阳极的面积；所述数个开口分别对应数个像素区域；所述数个阳极的材料为氧化铟锡；所述数个阳极采用磁控溅射成膜的方式制备，所述数个阳极的膜厚在20nm到200nm之间；
所述空穴注入层墨水为PEDOT:PSS水溶液；所述数个空穴注入层的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个空穴注入层的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个空穴注入层的膜厚在1nm到100nm之间。
所述空穴传输层墨水包括空穴传输层材料与溶剂，所述空穴传输层材料为聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)，所述溶剂为有机溶剂；所述数个空穴传输层的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个空穴传输层的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个空穴传输层的膜厚在1nm到100nm之间；
所述发光层墨水包括发光层材料与溶剂，所述发光层材料为蓝光发光材料，所述蓝光发光材料包括聚9,9-二辛基芴，所述溶剂为有机溶剂；所述数个发光层的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个发光层的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个发光层的膜厚在1nm到100nm之间。
所述离子共轭聚电解质为阳离子共轭聚电解质，所述阳离子共轭聚电解质的结构式为所述醇类溶剂为甲醇；
所述数个电子传输层的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个电子传输层的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个电子传输层的膜厚在0.5nm到10nm之间。
所述金属微粒的材料为银；所述阴极的溶液成膜方法为喷墨打印；所述阴极的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述阴极的膜厚在10nm到200nm之间；所述像素定义层的顶部为粗糙表面。
本发明还提供一种全溶液OLED器件，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT阵列层、设于所述TFT阵列层上且间隔设置的数个阳极、设于所述TFT阵列层与数个阳极上的像素定义层、设于所述像素定义层上且分别对应于数个阳极上方的数个开口、分别设于所述数个开口内且位于所述数个阳极上的数个空穴注入层、分别设于所述数个开口内且位于所述数个空穴注入层上的数个空穴传输层、分别设于所述数个开口内且位于所述数个空穴传输层上的数个发光层、分别设于所述数个开口内且位于所述数个发光层上的数个电子传输层、以及整面覆盖于所述像素定义层及数个电子传输层上且连续不间断分布的阴极；
其中，所述数个空穴注入层、数个空穴传输层、数个发光层、数个电子传输层、及阴极均采用溶液成膜法制备；
所述数个电子传输层的材料包括离子共轭聚电解质；所述阴极的材料包含金属微粒与粘合剂。
所述数个开口的面积分别小于所述数个阳极的面积；所述数个开口分别对应数个像素区域；所述数个阳极的材料为氧化铟锡；所述数个阳极采用磁控溅射成膜的方式制备，所述数个阳极的膜厚在20nm到200nm之间；
所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS；所述数个空穴注入层的膜厚在1nm到100nm之间。
所述空穴传输层的材料包括聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)；所述数个空穴传输层的膜厚在1nm到100nm之间；
所述发光层为蓝光发光层，所述蓝光发光层的材料包括聚9,9-二辛基芴；所述数个发光层的膜厚在1nm到100nm之间。
所述离子共轭聚电解质为阳离子共轭聚电解质，所述阳离子共轭聚电解质的结构式为所述数个电子传输层的膜厚在0.5nm到10nm之间。
所述金属微粒的材料为银；所述阴极的膜厚在10nm到200nm之间；所述像素定义层的顶部为粗糙表面。
本发明的有益效果：本发明的全溶液OLED器件的制作方法采用溶液成膜方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，与现有的OLED器件的制作方法相比，实现了电子传输层与阴极的全溶液制备，能够避免使用高真空蒸镀制程及设备，节约材料，降低制作成本；并且相邻结构层之间不会出现互溶现象，成膜质量高，有效提高器件性能。本发明的全溶液OLED器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极均采用溶液成膜方法制备，与现有的OLED器件相比，制备成本低，成膜质量高，并具有优异的显示品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的流程图；
图2为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的步骤1的示意图；
图3为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的步骤2的示意图；
图4为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的步骤3的示意图；
图5为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的步骤4的示意图；
图6为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的步骤5的示意图；
图7为本发明的全溶液OLED器件的制作方法的步骤6的示意图及本发明的全溶液OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种全溶液OLED器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供TFT背板1，所述TFT背板1包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的TFT阵列层20、设于所述TFT阵列层20上且间隔设置的数个阳极30、及设于所述TFT阵列层20与数个阳极30上的像素定义层40，所述像素定义层40上设有分别对应于数个阳极30上方的数个开口41。
具体的，所述数个开口41分别对应数个像素区域。
具体的，所述数个开口41的面积分别小于所述数个阳极30的面积，保证所述数个开口41的底部均铺满阳极材料。
具体的，所述数个阳极30的材料为氧化铟锡(ITO)，所述数个阳极30采用磁控溅射成膜的方式制备，所述数个阳极30的膜厚在20nm到200nm之间。
步骤2、如图3所示，提供空穴注入层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口41内的数个阳极30上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个空穴注入层50。
具体的，所述空穴注入层墨水为PEDOT:PSS水溶液。
优选的，所述数个空穴注入层50的溶液成膜方法为喷墨打印。
具体的，所述数个空穴注入层50的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种，优选的，所述数个空穴注入层50的干燥方法为真空干燥。
具体的，所述数个空穴注入层50的膜厚在1nm到100nm之间。
步骤3、如图4所示，提供空穴传输层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口41内的数个空穴注入层50上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个空穴传输层60。
具体的，所述空穴传输层墨水包括空穴传输层材料与溶剂，所述空穴传输层材料为聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD，poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine))，所述溶剂为有机溶剂；优选的，所述有机溶剂包括甲苯、氯仿、及氯苯中的一种或多种。
优选的，所述数个空穴传输层60的溶液成膜方法为喷墨打印。
具体的，所述数个空穴传输层60的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种，优选的，所述数个空穴传输层60的干燥方法为真空干燥。
具体的，所述数个空穴传输层60的膜厚在1nm到100nm之间。
由于空穴注入层50的材料PEDOT:PSS为水溶性，而空穴传输层材料Poly-TPD为有机溶剂溶解特性，因此所述空穴注入层50与空穴传输层60不会发生互溶现象。另外，所述空穴传输层60制备完成后其材料Poly-TPD会发生交联聚合，因此不会被后续的发光层70的溶剂溶解，避免出现互溶现象。
步骤4、如图5所示，提供发光层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口41内的数个空穴传输层60上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个发光层70。
具体的，所述发光层墨水包括发光层材料与溶剂，所述发光层材料为蓝光发光材料，所述蓝光发光材料包括聚9,9-二辛基芴(PFO，Poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl))，所述溶剂为有机溶剂；优选的，所述有机溶剂包括甲苯、氯仿、及氯苯中的一种或多种。
优选的，所述数个发光层70的溶液成膜方法为喷墨打印。
具体的，所述数个发光层70的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种，优选的，所述数个发光层70的干燥方法为真空干燥。
具体的，所述数个发光层70的膜厚在1nm到100nm之间。
步骤5、如图6所示，提供电子传输层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口41内的数个发光层70上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个电子传输层80；
所述电子传输层墨水包括电子传输层材料与溶剂，所述电子传输层材料为离子共轭聚电解质，所述溶剂为醇类溶剂。
所述离子共轭聚电解质是一种可溶性的电子传送材料，其在OLED和OPV(有机太阳能电池)器件中已被证实具有优异的电子传输特性，能显著改善器件性能。
优选的，所述电子传输层墨水还包括粘度调节剂和表面张力调节剂，以进一步调节墨水的物理性质，提升打印效果。
由于发光层材料PFO的溶剂为甲苯、氯仿、及氯苯等有机溶剂，而阳离子共轭聚电解质的溶解特性为醇溶性，不会在甲苯、氯仿、及氯苯等有机溶剂中溶解，而发光层材料PFO也不会在醇类溶剂中溶解，因此，电子传输层80与发光层70不会发生互溶现象。
优选的，所述离子共轭聚电解质为阳离子共轭聚电解质，所述阳离子共轭聚电解质的结构式为所述醇类溶剂为甲醇。
优选的，所述数个电子传输层80的溶液成膜方法为喷墨打印。
具体的，所述数个电子传输层80的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种，优选的，所述数个电子传输层80的干燥方法为先进行真空干燥再进行加热干燥。
具体的，所述数个电子传输层80的膜厚在0.5nm到10nm之间。
步骤6、如图7所示，提供金属浆体材料，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述像素定义层40及数个开口41内的数个电子传输层80上进行整面溶液成膜，干燥去除溶剂后形成连续不间断的阴极90；
所述金属浆体材料包含金属微粒、粘合剂、溶剂、及助剂等。
优选的，所述助剂为黏度调节剂。
优选的，所述金属微粒的材料为银(Ag)。
优选的，所述阴极90的溶液成膜方法为喷墨打印。
具体的，所述阴极90的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种，优选的，所述阴极90的干燥方法为真空干燥。
具体的，所述阴极90的膜厚在10nm到200nm之间。
优选的，所述像素定义层40的顶部为粗糙表面，便于金属浆体材料附着，形成连续不间断的阴极90。
具体的，所述空穴注入层50、空穴传输层60、发光层70、电子传输层80及阴极90的溶液成膜制程中，所述涂布的方式为旋涂或刮涂。
所述空穴注入层50、空穴传输层60、发光层70、电子传输层80及阴极90的干燥制程中，当相邻的两结构层均采用加热干燥的方式时，后制程的结构层的加热温度小于前制程的结构层的加热温度。
上述全溶液OLED器件的制作方法采用溶液成膜方法制备空穴注入层50、空穴传输层60、发光层70、电子传输层80及阴极90，与现有的OLED器件的制作方法相比，实现了电子传输层80与阴极90的全溶液制备，能够避免使用高真空蒸镀制程及设备，节约材料，降低制作成本；并且相邻结构层之间不会出现互溶现象，成膜质量高，有效提高器件性能。
请参阅图7，基于上述全溶液OLED器件的制作方法，本发明还提供一种全溶液OLED器件，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的TFT阵列层20、设于所述TFT阵列层20上且间隔设置的数个阳极30、设于所述TFT阵列层20与数个阳极30上的像素定义层40、设于所述像素定义层40上且分别对应于数个阳极30上方的数个开口41、分别设于所述数个开口41内且位于所述数个阳极30上的数个空穴注入层50、分别设于所述数个开口41内且位于所述数个空穴注入层50上的数个空穴传输层60、分别设于所述数个开口41内且位于所述数个空穴传输层60上的数个发光层70、分别设于所述数个开口41内且位于所述数个发光层70上的数个电子传输层80、以及整面覆盖于所述像素定义层40及数个电子传输层80上且连续不间断分布的阴极90；
其中，所述数个空穴注入层50、数个空穴传输层60、数个发光层70、数个电子传输层80、及阴极90均采用溶液成膜法制备；
所述数个电子传输层80的材料包括离子共轭聚电解质；所述阴极90的材料包含金属微粒与粘合剂。
具体的，所述溶液成膜法为喷墨打印或者涂布的方式，所述涂布的方式为旋涂或刮涂。
具体的，所述数个开口41的面积分别小于所述数个阳极30的面积，保证所述数个开口41的底部均铺满阳极材料。
具体的，所述数个开口41分别对应数个像素区域。
具体的，所述数个阳极30的材料为氧化铟锡(ITO)，所述数个阳极30采用磁控溅射成膜的方式制备，所述数个阳极30的膜厚在20nm到200nm之间。
具体的，所述空穴注入层50的材料包括PEDOT:PSS；所述数个空穴注入层50的膜厚在1nm到100nm之间。
具体的，所述空穴传输层60的材料包括聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD，poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine))；所述数个空穴传输层60的膜厚在1nm到100nm之间。
具体的，所述发光层70为蓝光发光层，所述蓝光发光层的材料包括聚9,9-二辛基芴(PFO，Poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl))；所述数个发光层70的膜厚在1nm到100nm之间。
优选的，所述离子共轭聚电解质为阳离子共轭聚电解质，所述阳离子共轭聚电解质的结构式为
具体的，所述数个电子传输层80的膜厚在0.5nm到10nm之间。
优选的，所述金属微粒的材料为银(Ag)。
具体的，所述阴极90的膜厚在10nm到200nm之间。
优选的，所述像素定义层40的顶部为粗糙表面，有利于实现阴极90在其表面的附着。
上述全溶液OLED器件中的空穴注入层50、空穴传输层60、发光层70、电子传输层80及阴极90均采用溶液成膜方法制备，与现有的OLED器件相比，制备成本低，成膜质量高，并具有优异的显示品质。
综上所述，本发明提供一种全溶液OLED器件及其制作方法。本发明的全溶液OLED器件的制作方法采用溶液成膜方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，与现有的OLED器件的制作方法相比，实现了电子传输层与阴极的全溶液制备，能够避免使用高真空蒸镀制程及设备，节约材料，降低制作成本；并且相邻结构层之间不会出现互溶现象，成膜质量高，有效提高器件性能。本发明的全溶液OLED器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极均采用溶液成膜方法制备，与现有的OLED器件相比，制备成本低，成膜质量高，并具有优异的显示品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种全溶液OLED器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供TFT背板(1)，所述TFT背板(1)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT阵列层(20)、设于所述TFT阵列层(20)上且间隔设置的数个阳极(30)、及设于所述TFT阵列层(20)与数个阳极(30)上的像素定义层(40)，所述像素定义层(40)上设有分别对应于数个阳极(30)上方的数个开口(41)；
提供空穴注入层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口(41)内的数个阳极(30)上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个空穴注入层(50)；
提供空穴传输层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口(41)内的数个空穴注入层(50)上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个空穴传输层(60)；
提供发光层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口(41)内的数个空穴传输层(60)上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个发光层(70)；
提供电子传输层墨水，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述数个开口(41)内的数个发光层(70)上进行溶液成膜，干燥去除溶剂后形成数个电子传输层(80)；
所述电子传输层墨水包括电子传输层材料与溶剂，所述电子传输层材料为离子共轭聚电解质，所述溶剂为醇类溶剂；
提供金属浆体材料，采用喷墨打印或者涂布的方式分别在所述像素定义层(40)及数个开口(41)内的数个电子传输层(80)上进行整面溶液成膜，干燥去除溶剂后形成连续不间断的阴极(90)；
所述金属浆体材料包含金属微粒、粘合剂、溶剂、及助剂。
2.如权利要求1所述的全溶液OLED器件的制作方法，其特征在于，所述数个开口(41)的面积分别小于所述数个阳极(30)的面积；所述数个开口(41)分别对应数个像素区域；所述数个阳极(30)的材料为氧化铟锡；所述数个阳极(30)采用磁控溅射成膜的方式制备，所述数个阳极(30)的膜厚在20nm到200nm之间；
所述空穴注入层墨水为PEDOT:PSS水溶液；所述数个空穴注入层(50)的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个空穴注入层(50)的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个空穴注入层(50)的膜厚在1nm到100nm之间。
3.如权利要求1所述的全溶液OLED器件的制作方法，其特征在于，所述空穴传输层墨水包括空穴传输层材料与溶剂，所述空穴传输层材料为聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)，所述溶剂为有机溶剂；所述数个空穴传输层(60)的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个空穴传输层(60)的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个空穴传输层(60)的膜厚在1nm到100nm之间；
所述发光层墨水包括发光层材料与溶剂，所述发光层材料为蓝光发光材料，所述蓝光发光材料包括聚9,9-二辛基芴，所述溶剂为有机溶剂；所述数个发光层(70)的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个发光层(70)的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个发光层(70)的膜厚在1nm到100nm之间。
4.如权利要求1所述的全溶液OLED器件的制作方法，其特征在于，所述离子共轭聚电解质为阳离子共轭聚电解质，所述阳离子共轭聚电解质的结构式为所述醇类溶剂为甲醇；
所述数个电子传输层(80)的溶液成膜方法为喷墨打印；所述数个电子传输层(80)的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述数个电子传输层(80)的膜厚在0.5nm到10nm之间。
5.如权利要求1所述的全溶液OLED器件的制作方法，其特征在于，所述金属微粒的材料为银；所述阴极(90)的溶液成膜方法为喷墨打印；所述阴极(90)的干燥方法包括真空干燥与加热干燥中的一种或两种；所述阴极(90)的膜厚在10nm到200nm之间；所述像素定义层(40)的顶部为粗糙表面。
6.一种全溶液OLED器件，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT阵列层(20)、设于所述TFT阵列层(20)上且间隔设置的数个阳极(30)、设于所述TFT阵列层(20)与数个阳极(30)上的像素定义层(40)、设于所述像素定义层(40)上且分别对应于数个阳极(30)上方的数个开口(41)、分别设于所述数个开口(41)内且位于所述数个阳极(30)上的数个空穴注入层(50)、分别设于所述数个开口(41)内且位于所述数个空穴注入层(50)上的数个空穴传输层(60)、分别设于所述数个开口(41)内且位于所述数个空穴传输层(60)上的数个发光层(70)、分别设于所述数个开口(41)内且位于所述数个发光层(70)上的数个电子传输层(80)、以及整面覆盖于所述像素定义层(40)及数个电子传输层(80)上且连续不间断分布的阴极(90)；
其中，所述数个空穴注入层(50)、数个空穴传输层(60)、数个发光层(70)、数个电子传输层(80)、及阴极(90)均采用溶液成膜法制备；
所述数个电子传输层(80)的材料包括离子共轭聚电解质；所述阴极(90)的材料包含金属微粒与粘合剂。
7.如权利要求6所述的全溶液OLED器件，其特征在于，所述数个开口(41)的面积分别小于所述数个阳极(30)的面积；所述数个开口(41)分别对应数个像素区域；所述数个阳极(30)的材料为氧化铟锡；所述数个阳极(30)采用磁控溅射成膜的方式制备，所述数个阳极(30)的膜厚在20nm到200nm之间；
所述空穴注入层(50)的材料包括PEDOT:PSS；所述数个空穴注入层(50)的膜厚在1nm到100nm之间。
8.如权利要求6所述的全溶液OLED器件，其特征在于，所述空穴传输层(60)的材料包括聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)；所述数个空穴传输层(60)的膜厚在1nm到100nm之间；
所述发光层(70)为蓝光发光层，所述蓝光发光层的材料包括聚9,9-二辛基芴；所述数个发光层(70)的膜厚在1nm到100nm之间。
9.如权利要求6所述的全溶液OLED器件，其特征在于，所述离子共轭聚电解质为阳离子共轭聚电解质，所述阳离子共轭聚电解质的结构式为所述数个电子传输层(80)的膜厚在0.5nm到10nm之间。
10.如权利要求6所述的全溶液OLED器件，其特征在于，所述金属微粒的材料为银；所述阴极(90)的膜厚在10nm到200nm之间；所述像素定义层(40)的顶部为粗糙表面。
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