CN111554818A

CN111554818A - 发光器件和制造该发光器件的方法

Info

Publication number: CN111554818A
Application number: CN202010074281.0A
Authority: CN
Inventors: 河在国
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2019-02-12
Filing date: 2020-01-22
Publication date: 2020-08-18
Also published as: US20200259102A1; US11437586B2; US11895916B2; US20220399507A1; EP3696870B1; KR20200098814A; EP3696870A1

Abstract

提供了一种发光器件和制造该发光器件的方法。所述发光器件包括：阳极；阴极，面对阳极；发射层，位于阳极与阴极之间；以及电子控制层，位于发射层与阴极之间，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：式5

其中，A₅₁和n51与说明书中定义的相同。所述方法包括：在阳极上形成发射层；以及在发射层上形成电子控制层，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物。

Description

发光器件和制造该发光器件的方法

本申请要求于2019年2月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0016353号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种发光器件和一种制造该发光器件的方法。

背景技术

发光器件是将电能转换为光能的器件。这样的发光器件的示例可以包括在发射层中使用有机材料的有机发光器件和在发射层中使用量子点的量子点发光器件，而没有限制。

这样的发光器件的示例可以包括：第一电极，设置(放置或定位)在基底上；以及空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极，顺序地设置在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。然后，诸如空穴和电子的载流子可以在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

例如，有机发光器件是产生全色图像的自发射器件，并且还具有宽视角、高对比度、短响应时间以及/或者在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异特性。

在一个或更多个实施例中，量子点发光器件可以具有高的色纯度和/或高的发射效率，并且可以产生全色图像。

发明内容

本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种包括电子控制层的发光器件和一种制造该发光器件的方法。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。

本公开的一个或更多个实施例提供一种发光器件，所述发光器件包括：阳极；阴极，面对阳极；发射层，位于阳极与阴极之间；以及电子控制层，位于发射层与阴极之间，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：

式5

式6

＊-(L₆₁)_a61-(R₆₁)_b61。

在式5、式5A至式5C和式6中，

A₅₁可以由从式5A至式5C中选择的一者表示，

A₅₁的n51个数的氢原子可以被-OH(羟基)取代，

n51可以为1至20的整数，

X₅₁可以为N或C(R₅₁)，X₅₂可以为N或C(R₅₂)，X₅₃可以为N或C(R₅₃)，X₅₄可以为N或C(R₅₄)，X₅₅可以为N或C(R₅₅)，X₅₆可以为N或C(R₅₆)，X₅₇可以为N或C(R₅₇)，X₅₈可以为N或C(R₅₈)，X₅₉可以为N或C(R₅₉)，X₆₀可以为N或C(R₆₀)，

R₅₁至R₆₀可以均独立地选自于由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀醚基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

L₆₁可以为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

a61可以为0至6的整数，

R₆₁可以选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀醚基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

b61可以为1至10的整数，

Q₁至Q₃可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基，并且

*表示与相邻原子的结合位。

本公开的另一实施例提供一种制造发光器件的方法，所述方法包括：提供阳极；在阳极上形成发射层；以及在发射层上形成电子控制层，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：

式5

式6

＊-(L₆₁)_a61-(R₆₁)_b61。

在式5、式5A至式5C和式6中，

A₅₁可以由从式5A至式5C中选择的一者表示，

A₅₁的n51个数的氢原子可以被-OH(羟基)取代，

n51可以为1至20的整数，

a61可以为0至6的整数，

b61可以为1至10的整数，

*表示与相邻原子的结合位。

附图说明

通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：

图1是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图；

图2是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图；

图3是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图；以及

图4是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图。

具体实施方式

现在，将参照示例实施例更充分地描述本公开。然而，公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于这里所阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达公开的构思。通过参照稍后将更详细地描述的实施例，本发明的优点、特征以及如何实现它们应变得明显。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应局限于示例实施例。

如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。

还将理解的是，这里使用的术语“包括”和它们的变型和/或“包含”和它们的变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”或“到”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。当层、区域或组件被称为“直接在”或“直接到”另一层、区域或组件“上”时，可以不存在中间层、中间区域或中间组件。

当诸如“……中的至少一个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”和“选自于……”的表述在一列元件(要素)之后(之前)时，修饰的是整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。此外，当描述本发明的实施例时使用“可以(可)”指“本发明的一个或更多个实施例”。

如这里使用的，术语“室温”指约25℃的温度。

如这里使用的，术语“中间层”指设置在发光器件的第一电极(在下文中，也称为阳极)与第二电极(在下文中，也称为阴极)之间的单个层和/或多个层。包括在“中间层”中的材料可以是有机材料和/或无机材料。

如这里使用的，表述“(中间层)包括至少一种由式1表示的重复单元”可以包括其中“(中间层)包括一种或更多种相同的式1的重复单元或者两种或更多种不同的式1的重复单元”的情况。

如图1中所示，根据一个或更多个实施例的发光器件可以包括：阳极；阴极，面对阳极；发射层，位于阳极与阴极之间；以及电子控制层，位于发射层与阴极之间，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：

式5

在式5中，A₅₁可以由从式5A至式5C中选择的一者表示，并且A₅₁的n51个数的氢原子可以被-OH(羟基)取代，其中，n51可以为1至20的整数：

在式5A至式5C中，X₅₁至X₆₀可以均独立地与这里描述的相同。

例如，在式5中，n51可以为2至8的整数，但本公开的实施例不限于此。

在式5A至式5C中，X₅₁可以为N或C(R₅₁)，X₅₂可以为N或C(R₅₂)，X₅₃可以为N或C(R₅₃)，X₅₄可以为N或C(R₅₄)，X₅₅可以为N或C(R₅₅)，X₅₆可以为N或C(R₅₆)，X₅₇可以为N或C(R₅₇)，X₅₈可以为N或C(R₅₈)，X₅₉可以为N或C(R₅₉)，X₆₀可以为N或C(R₆₀)。

例如，从式5A中的X₅₁至X₅₆中选择的至少一个可以为N，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，从式5A中的X₅₁至X₅₆中选择的两个或三个可以为N，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，从式5A中的X₅₁至X₅₆中选择的三个可以为N，但本公开的实施例不限于此。

例如，从式5B中的X₅₁至X₆₀中选择的至少一个可以为N，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，从式5B中的X₅₁至X₆₀中选择的两个可以为N，但本公开的实施例不限于此。

例如，在式5C中，X₅₁可以为C(R₅₁)，X₅₂可以为C(R₅₂)，X₅₃可以为C(R₅₃)，X₅₄可以为C(R₅₄)，X₅₅可以为C(R₅₅)，X₅₆可以为C(R₅₆)，X₅₇可以为C(R₅₇)，X₅₈可以为C(R₅₈)，X₅₉可以为C(R₅₉)，X₆₀可以为C(R₆₀)，但本公开的实施例不限于此。

在式5A至式5C中，R₅₁至R₆₀可以均独立地为由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀醚基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基：

式6

＊-(L₆₁)_a61-(R₆₁)_b61。

在式6中，L₆₁、a61、R₆₁和b61与下面描述的相同，并且*表示与相邻原子的结合位。

例如，在式5A至式5C中，R₅₁至R₆₀可以均独立地选自于：

由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基和C₁-C₂₀醚基；

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、苯基、联苯基和三联苯基中选择的至少一者的C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基和C₁-C₂₀醚基；

环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基；

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、C₁-C₂₀醚基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)和-P(＝S)(Q₃₁)(Q₃₂)中选择的至少一者的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基；以及

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，在式5A至式5C中，R₅₁至R₆₀可以均独立地选自于由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基和C₁-C₂₀醚基；

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基和苯并喹唑啉基；以及

Q₁至Q₃可以均独立地选自于C₁-C₆₀烷基、苯基、联苯基和三联苯基，但本公开的实施例不限于此。

在式6中，L₆₁可以为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基。

例如，在式6中，L₆₁可以选自于：

苯基、萘基、芴基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、菲基、芘基、

基、苝基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基和苯并喹唑啉基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、C₁-C₂₀醚基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中选择的至少一者的苯基、萘基、芴基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、菲基、芘基、

基、苝基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基和苯并喹唑啉基，但本公开的实施例不限于此。这里，根据b61的数量，L₆₁可以可选地为一价基团、二价基团、三价基团或更高价态基团。

在式6中，a61可以为0至6的整数。当a61为二或更大时，多个L₆₁可以彼此相同或不同。

例如，在式6中，a61可以选自于0、1、2和3，但本公开的实施例不限于此。

在式6中，R₆₁可以选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀醚基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。

例如，在式6中，R₆₁可以选自于：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基和C₁-C₂₀醚基；

在一个或更多个实施例中，在式6中，R₆₁可以选自于：

在式6中，b61可以为1至10的整数。当b61为二或更大时，多个R₆₁可以彼此相同或不同。

在一个或更多个实施例中，由式5表示的电子控制化合物可以选自于化合物10-1至化合物10-30，但本公开的实施例不限于此：

因为由式5表示的电子控制化合物本质上包括一个或更多个羟基，所以该电子控制化合物在室温下在醇溶剂中的溶解度可以相对高。

另外，在由式5表示的电子控制化合物中，A₅₁具有适合在发射层与阴极之间使用的电子传输和/或空穴阻挡性质，从而改善在发射层与阴极之间包括由式5表示的电子控制化合物的发光器件的效率和/或寿命。

在一个或更多个实施例中，电子控制层不包括金属氧化物。因为电子控制层不包括金属氧化物，所以可以减少由相分离引起的薄膜不均匀性。

在一个或更多个实施例中，电子控制化合物在室温下对醇溶剂(特别是，乙醇)可以具有在约0.1wt％至约5.0wt％的范围内的溶解度，但本公开的实施例不限于此。电子控制化合物可以选择性地溶解在醇溶剂中。因此，即使当在已经通过使用非醇溶剂所形成的层上通过使用醇溶剂来形成电子控制层时，也可以减少其中通过使用非醇溶剂所形成的层与电子控制层之间的界面混合的现象。

例如，醇溶剂可以包括甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇和它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，发射层可以包括选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物。

选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物在室温下对非醇溶剂(特别是，甲苯)可以具有在约0.01wt％至约5.0wt％的范围内的溶解度，但本公开的实施例不限于此。选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物可以选择性地溶解在非醇溶剂中。因此，即使当通过使用非醇溶剂形成发射层、然后通过使用醇溶剂形成电子控制层时，也可以减少其中发射层与电子控制层之间的界面混合的现象。

例如，非醇溶剂可以包括苯、甲苯、氯苯、二甲苯、苯甲酸甲酯、二苯醚、乙基联苯和它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，发射层和电子控制层均可以通过溶液工艺来形成，但本公开的实施例不限于此。例如，溶液工艺可以是旋涂、浇铸、凹版涂布、棒涂、辊涂、浸涂、喷涂、丝网涂布、柔版印刷、胶版印刷、喷墨印刷和/或喷嘴印刷，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，溶液工艺可以是柔版印刷、胶版印刷、喷墨印刷和/或喷嘴印刷，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，发射层和电子控制层可以彼此直接接触，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，发光器件还可以包括位于电子控制层与发射层之间的混合物层，

电子控制层可以包括电子控制化合物(例如，由电子控制化合物构成)，发射层可以包括选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物(例如，由选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物构成)，

混合物层可以包括电子控制化合物以及选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物(例如，可以由电子控制化合物以及选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物构成)，并且

电子控制化合物与选自于有机化合物和半导体化合物中的至少一种化合物可以彼此不同。

在一个或更多个实施例中，发光器件可以满足下面的公式1，但本公开的实施例不限于此：

公式1

0≤D_M/(D_M+D_E)<0.4。

在公式1中，

D_M是混合物层的厚度(nm)，并且

D_E是发射层的厚度(nm)。

当发光器件满足公式1时，可以提供具有高效率的发光器件。相反，当发光器件不满足公式1时，发射层的薄膜稳定性会低，并且发光器件的效率会明显低。

在一个或更多个实施例中，如图2中所示，发光器件还可以包括位于阳极与发射层之间的空穴控制层，并且

空穴控制层可以通过使光交联聚合物化合物光交联而形成，但本公开的实施例不限于此。

例如，光交联聚合物化合物可以包括由式1表示的重复单元，但本公开的实施例不限于此：

式1

在式1中，

X₁₁可以选自于取代或未取代的三价C₁-C₃₀烷烃基、取代或未取代的三价C₂-C₃₀烯烃基、取代或未取代的三价C₂-C₃₀炔烃基、取代或未取代的三价C₆-C₃₀芳烃基、取代或未取代的三价C₁-C₃₀杂芳烃基、取代或未取代的三价非芳香缩合多环基和取代或未取代的三价非芳香缩合杂多环基，

L₁₁、L₁₂和Y₁₁可以均独立地选自于单键、取代或未取代的C₁-C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀亚烯基、取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₃₀亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基、取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基和取代或未取代的二价芳基氨基，

a11、a12和b11可以均独立地选自于0、1、2、3和4，

Z₁₁可以选自于光交联基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，其中，至少一个Z₁₁可以为光交联基团，

k11可以选自于1、2、3和4，

*和*'均表示与相邻原子的结合位。

例如，在式1中，光交联基团可以选自于式2-1至式2-3，但本公开的实施例不限于此：

在式2-1至式2-3中，

R₂₁至R₂₉可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、1,2-二甲基丙基、正己基、异己基、1,3-二甲基丁基、1-异丙基丙基、1,2-二甲基丁基、正庚基、1,4-二甲基戊基、3-乙基戊基、2-甲基-1-异丙基丙基、1-乙基-3-甲基丁基、正辛基、2-乙基己基、3-甲基-1-异丙基丁基、2-甲基-1-异丙基、1-叔丁基-2-甲基丙基、正壬基、3,5,5-三甲基癸基、正癸基和异癸基，并且

*表示与相邻原子的结合位。

例如，在式1中，X₁₁可以选自于三价甲烷基、三价乙烷基、三价丙烷基、三价乙烯基、三价苯基、三价萘基、三价蒽基、三价咔唑基和三价芴基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₃₀芳基、C₆-C₃₀芳氧基、C₆-C₃₀芳硫基、C₁-C₃₀杂芳基、C₁-C₃₀杂芳氧基、C₁-C₃₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基中选择的至少一者的三价甲烷基、三价乙烷基、三价丙烷基、三价乙烯基、三价苯基、三价萘基、三价蒽基、三价咔唑基和三价芴基，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，在式1中，X₁₁可以选自于式3-1至式3-6，但本公开的实施例不限于此：

在式3-1至式3-6中，

R₃₁至R₃₃可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、1,2-二甲基丙基、正己基、异己基、1,3-二甲基丁基、1-异丙基丙基、1,2-二甲基丁基、正庚基、1,4-二甲基戊基、3-乙基戊基、2-甲基-1-异丙基丙基、1-乙基-3-甲基丁基、正辛基、2-乙基己基、3-甲基-1-异丙基丁基、2-甲基-1-异丙基、1-叔丁基-2-甲基丙基、正壬基、3,5,5-三甲基己基、正癸基和异癸基，

b31可以选自于1、2和3，

b32可以选自于1和2，

*和*'均表示与相邻原子的结合位，并且

*"表示与(Y₁₁)_b11-Z₁₁的结合位。

例如，在式1中，L₁₁、L₁₂和Y₁₁可以均独立地选自于：

单键、*-{C(Q₁₁)(Q₁₂)}_m11-*'、*-{C(Q₁₁)＝C(Q₁₂)}_m12-*'、亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚咔唑基和亚芴基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₃₀芳基、C₆-C₃₀芳氧基、C₆-C₃₀芳硫基、C₁-C₃₀杂芳基、C₁-C₃₀杂芳氧基、C₁-C₃₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚咔唑基和亚芴基，

Q₁₁和Q₁₂可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₃₀芳基、C₆-C₃₀芳氧基、C₆-C₃₀芳硫基、C₁-C₃₀杂芳基、C₁-C₃₀杂芳氧基、C₁-C₃₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基，

m11可以选自于1、2、3、4、5和6，

m12可以选自于1、2和3，并且

*和*'均表示与相邻原子的结合位，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，在式1中，L₁₁和L₁₂可以均独立地选自于*-{C(Q₁₁)(Q₁₂)}_m11-*'、*-{C(Q₁₁)＝C(Q₁₂)}_m12-*'以及式4-1至式4-6，但本公开的实施例不限于此：

Q₁₁和Q₁₂以及式4-1至式4-6中的R₄₁至R₄₄可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、1,2-二甲基丙基、正己基、异己基、1,3-二甲基丁基、1-异丙基丙基、1,2-二甲基丁基、正庚基、1,4-二甲基戊基、3-乙基戊基、2-甲基-1-异丙基丙基、1-乙基-3-甲基丁基、正辛基、2-乙基己基、3-甲基-1-异丙基丁基、2-甲基-1-异丙基、1-叔丁基-2-甲基丙基、正壬基、3,5,5-三甲基己基、正癸基和异癸基，

b41可以选自于1、2、3和4，

b42可以选自于1和2，

b43可以选自于1、2和3，

m11可以选自于1、2和3，

m12可以选自于1和2，并且

*和*'均表示与相邻原子的结合位。

在一个或更多个实施例中，在式1中，Y₁₁可以由*-{C(Q₁₁)(Q₁₂)}_m11-*'表示，

Q₁₁和Q₁₂可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、1,2-二甲基丙基、正己基、异己基、1,3-二甲基丁基、1-异丙基丙基、1,2-二甲基丁基、正庚基、1,4-二甲基戊基、3-乙基戊基、2-甲基-1-异丙基丙基、1-乙基-3-甲基丁基、正辛基、2-乙基己基、3-甲基-1-异丙基丁基、2-甲基-1-异丙基、1-叔丁基-2-甲基丙基、正壬基、3,5,5-三甲基己基、正癸基和异癸基，

m11可以选自于1、2和3，并且

例如，在式1中，Z₁₁可以选自于光交联基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基和C₁-C₁₀烷基，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，在式1中，Z₁₁可以选自于光交联基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、1,2-二甲基丙基、正己基、异己基、1,3-二甲基丁基、1-异丙基丙基、1,2-二甲基丁基、正庚基、1,4-二甲基戊基、3-乙基戊基、2-甲基-1-异丙基丙基、1-乙基-3-甲基丁基、正辛基、2-乙基己基、3-甲基-1-异丙基丁基、2-甲基-1-异丙基、1-叔丁基-2-甲基丙基、正壬基、3,5,5-三甲基己基、正癸基和异癸基，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，由式1表示的重复单元可以由从式1-1至式1-21中选择的一者表示，但本公开的实施例不限于此：

在式1-1至式1-21中，

*和*'均表示与相邻原子的结合位。

在一个或更多个实施例中，如图3中所示，发光器件还可以包括位于阳极与发射层之间的空穴传输层，并且空穴传输层可以通过使热交联聚合物化合物热交联而形成，但本公开的实施例不限于此。

例如，所述热交联聚合物化合物i)可以包括双键，并且ii)可以选自于包括芴部分和/或芳基胺部分的聚合物化合物。然而，本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，如图4中所示，发光器件还可以包括位于阳极与发射层之间的空穴注入层，并且空穴注入层可以包括在室温下对醇溶剂具有在约0.1wt％至约10wt％的范围内的溶解度的空穴注入材料，但本公开的实施例不限于此。

例如，空穴注入材料可以选自于包括芳基胺部分和/或芴部分的聚合物化合物，但本公开的实施例不限于此。

阳极

阳极可以例如通过在基底上沉积或溅射用于形成阳极的材料来形成。用于形成阳极的材料可以选自于具有高逸出功的材料以促进空穴注入。

阳极可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当阳极是透射电极时，用于形成阳极的材料可以选自于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)和它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，当阳极是半透射电极或反射电极时，用于形成阳极的材料可以选自于镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。

阳极可以具有单层结构或者包括两个层或更多个层的多层结构。例如，阳极可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但第一电极的结构不限于此。

中间层可以设置在阳极上。如上所述，中间层可以包括发射层和电子控制层。在一个或更多个实施例中，中间层还可以包括位于阳极与发射层之间的空穴传输区域以及位于发射层与阴极之间的电子传输区域。

中间层中的空穴传输区域

空穴传输区域可以具有：i)单层结构，包括包含单种材料的单个层；ii)单层结构，包括包含多种不同材料的单个层；或者iii)多层结构，具有包括多种不同材料的多个层。

空穴传输区域可以包括从空穴注入层、空穴传输层、空穴控制层、发射辅助层和电子阻挡层中选择的至少一个层。

例如，空穴传输区域可以具有包括由多种不同材料形成的单个层的单层结构，或者诸如空穴注入层/空穴传输层结构或空穴注入层/空穴传输层/空穴控制层结构的多层结构，其中，每种结构的层沿离开阳极的方向顺序地堆叠。然而，空穴传输区域的结构不限于此。

空穴传输区域可以包括从聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)中选择的至少一种。

空穴传输区域的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内，并且空穴传输层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当空穴传输区域的厚度、空穴注入层的厚度和空穴传输层的厚度在这些范围中的任何范围内时，可以获得令人满意的(或合适的)空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。

除了上述材料之外，空穴传输区域还可以包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中。

电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。

在一个或更多个实施例中，p掺杂剂可以具有-3.5eV或更小的最低未占分子轨道(LUMO)能级。

p掺杂剂可以包括从醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中选择的至少一种，但本公开的实施例不限于此。

例如，p掺杂剂可以包括从以下化合物中选择的至少一种：

醌衍生物，诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)；

金属氧化物，诸如氧化钨和/或氧化钼；

1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)；以及

由下面的式221表示的化合物，

但本公开的实施例不限于此：

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以均独立地选自于取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，其中，从R₂₂₁至R₂₂₃中选择的至少一个可以具有从氰基、-F、-Cl、-Br、-I、取代有-F的C₁-C₂₀烷基、取代有-Cl的C₁-C₂₀烷基、取代有-Br的C₁-C₂₀烷基和取代有-I的C₁-C₂₀烷基中选择的至少一个取代基。

中间层中的发射层

当发光器件是全色发光器件时，发射层可以根据子像素而被图案化为红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层可以具有从红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中选择的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括从红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中选择的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层可以包括从有机化合物和半导体化合物中选择的至少一种，但本公开的实施例不限于此。当发射层包括有机化合物时，发光器件可以被称为有机发光器件。

在一个或更多个实施例中，有机化合物可以包括主体和掺杂剂。

在一个或更多个实施例中，半导体化合物可以是量子点，并且发光器件可以是量子点发光器件。

在一个或更多个实施例中，半导体化合物可以是有机钙钛矿和/或无机钙钛矿。

发射层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异的(或合适的)发光特性，而不显著增大驱动电压。

有机发光器件

有机发光器件的发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括从磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中选择的至少一种。

在发射层中，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以在约0.01重量份至约15重量份的范围内，但本公开的实施例不限于此。

量子点发光器件

量子点发光器件的发射层可以包括量子点。也就是说，量子点发光器件可以包括量子点发射层。在量子点发射层中，多个量子点(无机纳米颗粒)以单层或多层布置。

发射层中的主体

主体可以包括从PVK(聚(N-乙烯基咔唑)):PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)以及化合物101至化合物105中选择的至少一种：

发射层中的磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可以包括由下面的式401表示的有机金属配合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

在式401和式402中，

M可以选自于铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，

L₄₀₁可以选自于由式402表示的配体，xc1可以为1、2或3，其中，当xc1为二或更大时，两个或更多个L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，xc2可以为0至4的整数，其中，当xc2为二或更大时，两个或更多个L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁至X₄₀₄可以均独立地为氮或碳，

X₄₀₁和X₄₀₃可以经由单键或双键连接，X₄₀₂和X₄₀₄可以经由单键或双键连接，

A₄₀₁和A₄₀₂可以均独立地为C₅-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

X₄₀₅可以为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，其中，Q₄₁₁和Q₄₁₂可以为氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，

X₄₀₆可以为单键、O或S，

R₄₀₁和R₄₀₂可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，其中，Q₄₀₁至Q₄₀₃可以均独立地选自于C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₂₀芳基和C₁-C₂₀杂芳基，

xc11和xc12可以均独立地为0至10的整数，并且

式402中的*和*'均表示与式401中的M的结合位。

在一个或更多个实施例中，在式402中，A₄₀₁和A₄₀₂可以均独立地选自于苯基、萘基、芴基、螺二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一个或更多个实施例中，在式402中，i)X₄₀₁可以为氮，X₄₀₂可以为碳，或者ii)X₄₀₁和X₄₀₂两者可以同时为氮。

在一个或更多个实施例中，式402中的R₄₀₁和R₄₀₂可以均独立地选自于：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中选择的至少一者的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，并且

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以均独立地选自于C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，当式401中的xc1为二或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个A₄₀₁可以可选地经由作为连接基的X₄₀₇连接，或者两个或更多个L₄₀₁中的两个A₄₀₂可以可选地经由作为连接基的X₄₀₈连接(例如，见化合物PD1至化合物PD4以及化合物PD7)。X₄₀₇和X₄₀₈可以均独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₃)-*'、*-C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)-*'或*-C(Q₄₁₃)＝C(Q₄₁₄)-*'(其中，Q₄₁₃和Q₄₁₄可以均独立地为氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但本公开的实施例不限于此。

式401中的L₄₀₂可以为单价有机配体、二价有机配体或三价有机配体。例如，L₄₀₂可以为卤素、二酮(例如，乙酰丙酮(化物))、羧酸(例如，吡啶甲酸(盐))、-C(＝O)、异腈、-CN和磷(例如，膦和/或亚磷酸(盐))，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，磷光掺杂剂可以选自于例如化合物PD1至化合物PD25，但本公开的实施例不限于此：

发射层中的荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。

荧光掺杂剂可以包括由下面的式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁可以为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₅₀₁至L₅₀₃可以均独立地选自于取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，

xd1至xd3可以均独立地为0至3的整数，

R₅₀₁和R₅₀₂可以均独立地选自于取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且

xd4可以为1至6的整数。

在一个或更多个实施例中，在式501中，Ar₅₀₁可以选自于：

萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中选择的至少一者的萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基。

在一个或更多个实施例中，在式501中，L₅₀₁至L₅₀₃可以均独立地选自于：

亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚

基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚

基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基。

在一个或更多个实施例中，在式501中，R₅₀₁和R₅₀₂可以均独立地选自于：

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，并且

Q₃₁至Q₃₃可以均独立地选自于C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在一个或更多个实施例中，式501中的xd4可以为2，但本公开的实施例不限于此。

例如，荧光掺杂剂可以选自于化合物FD1至化合物FD22：

在一个或更多个实施例中，荧光掺杂剂可以选自于下面的化合物，但本公开的实施例不限于此：

量子点

在本说明书中，术语“量子点”可以指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸而发射具有不同长度的发射波长的光的任何材料。因此，构成量子点的化合物的类型没有具体限制。量子点的直径没有具体限制。例如，量子点的直径可以在约1nm至约10nm的范围内。

可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似工艺来合成布置在量子点发射层中的量子点，而没有限制。

湿化学工艺是用于将前驱物材料添加到有机溶剂并生长晶粒晶体的方法。当晶体生长时，由于有机溶剂自然地充当与量子点晶体的表面配位的分散剂并控制晶体的生长，因此它比气相沉积(诸如，金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))容易，并且可以通过低成本工艺来控制无机纳米颗粒的生长。

例如，量子点可以是从III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物以及它们的任何组合中选择的半导体材料。

例如，III-VI族半导体化合物可以选自于：二元素化合物(诸如In₂S₃)；以及从AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂和它们的混合物中选择的三元素化合物，但本公开的实施例不限于此。

例如，II-VI族半导体化合物可以选自于：从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物中选择的二元素化合物；从CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物中选择的三元素化合物；以及从CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物中选择的四元素化合物，但本公开的实施例不限于此。

例如，III-V族半导体化合物可以选自于：从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物中选择的二元素化合物；从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物中选择的三元素化合物；以及从GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP和它们的混合物中选择的四元素化合物，但本公开的实施例不限于此。

例如，IV-VI族半导体化合物可以选自于：从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物中选择的二元素化合物；从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物中选择的三元素化合物；以及从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物中选择的四元素化合物，但本公开的实施例不限于此。

例如，IV族元素或化合物可以选自于：从Si和Ge中选择的单元素和它们的混合物；以及从SiC、SiGe和它们的混合物中选择的二元素化合物，但本公开的实施例不限于此。

二元素化合物、三元素化合物和/或四元素化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以其中浓度分布部分地不同的状态存在于同一颗粒中。

量子点可以具有均匀的单一结构或核-壳双结构。例如，核和壳可以包括不同的材料。例如，构成核和壳的材料可以是不同的半导体化合物。

量子点的壳可以用作用于防止或减少核的化学变性并保持半导体特性的保护层和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低(减小)的浓度梯度。

量子点的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物和它们的组合。例如，金属或非金属的氧化物可以包括诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO的二元素化合物以及/或者诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄的三元素化合物，但本公开的实施例不限于此。例如，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb，但本公开的实施例不限于此。

量子点可以具有在约45nm或更小(例如约40nm或更小，例如约30nm或更小)的范围内的半峰全宽(FWHM)的发射波长光谱，并且可以在该范围内改善颜色纯度或颜色再现性。另外，通过这样的量子点发射的光在所有方向上发射，从而实现宽视角。

在一个或更多个实施例中，量子点可以为呈球形、棱锥形、多臂和/或立方的形式的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板等，但本公开的实施例不限于此。

由于可以通过调节量子点的尺寸来控制能带隙，因此可以在量子点发射层中获得各种波长范围的光。因此，可以通过使用具有不同尺寸的量子点来实现发射各种波长的光的显示器。例如，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光，从而实现彩色显示。在一个或更多个实施例中，量子点的尺寸可以被构造为通过组合各种颜色的光来发射白光。

中间层中的电子传输区域

电子传输区域可以具有：i)单层结构，包括包含单种材料的单个层；ii)单层结构，包括包含多种不同材料的单个层；或者iii)多层结构，具有包括多种不同材料的多个层。

电子传输区域可以包括从电子控制层、缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中选择的至少一个，但本公开的实施例不限于此。

例如，电子传输区域可以具有电子控制层/电子传输层/电子注入层的结构或电子控制层/电子传输层的结构，但其结构不限于此。

电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮环(πelectron-depleted nitrogen-containing ring，或π电子耗尽的含氮环)的无金属化合物。

“贫π电子的含氮环”可以指具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C₁-C₆₀杂环基。

例如，“贫π电子的含氮环”可以是：i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团；ii)其中均具有至少一个*-N＝*'部分的两个或更多个5元至7元杂单环基团彼此缩合的杂多环基团；或者iii)其中均具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团中的至少一个与至少一个C₅-C₆₀碳环基缩合的杂多环基团。

贫π电子的含氮环的示例包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、异苯并噻唑、苯并噁唑、异苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶、氮杂咔唑等，但本公开的实施例不限于此。

例如，电子传输区域可以包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21。

在式601中，

Ar₆₀₁可以为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可以为1、2或3，

L₆₀₁可以选自于取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，

xe1可以为0至5的整数，

R₆₀₁可以选自于取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以均独立地为C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且

xe21可以为1至5的整数。

在一个或更多个实施例中，xe11个数的Ar₆₀₁和xe21个数的R₆₀₁中的至少一个可以包括贫π电子的含氮环。

在一个或更多个实施例中，式601中的Ar₆₀₁可以选自于：

苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)中选择的至少一者的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，并且

当式601中的xe11为二或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可以经由单键连接。

在一个或更多个实施例中，在式601中，Ar₆₀₁可以为蒽基。

在一个或更多个实施例中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：

式601-1

在式601-1中，

X₆₁₄可以为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以为N或C(R₆₁₆)，并且从X₆₁₄至X₆₁₆中选择的至少一个可以为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以均独立地与结合L₆₀₁定义的相同，

xe611至xe613可以均独立地与结合xe1定义的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以均独立地与结合R₆₀₁定义的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在一个或更多个实施例中，在式601和式601-1中，L₆₀₁以及L₆₁₁至L₆₁₃可以均独立地选自于：

基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚

基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，

但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，在式601和式601-1中，xe1以及xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。

在一个或更多个实施例中，在式601和式601-1中，R₆₀₁以及R₆₁₁至R₆₁₃可以均独立地选自于：

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及

-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，并且

Q₆₀₁和Q₆₀₂与上面描述的相同。

电子传输区域可以包括从化合物ET1至化合物ET36中选择的至少一种化合物，但本公开的实施例不限于此：

在一个或更多个实施例中，电子传输区域可以包括从2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、NTAZ和二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-氧化膦(TSPO1)中选择的至少一种：

缓冲层的厚度、空穴阻挡层的厚度和电子控制层的厚度可以均独立地在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当缓冲层的厚度、空穴阻挡层的厚度和电子控制层的厚度在这些范围中的任何范围内时，电子传输区域可以具有优异的(或合适的)空穴阻挡特性和/或电子控制特性，而不显著增大驱动电压。

电子传输层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当电子传输层的厚度在上述范围内时，电子传输层可以具有令人满意的(或合适的)电子传输特性，而不显著增大驱动电压。

除了上面描述的材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属材料。

含金属材料可以包括从碱金属配合物和碱土金属配合物中选择的至少一种。碱金属配合物可以包括从Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和Cs离子中选择的金属离子，碱土金属配合物可以包括从Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子和Ba离子中选择的金属离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施例不限于此。

例如，含金属材料可以包括Li配合物。Li配合物可以包括例如化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，LiQ)和/或化合物ET-D2：

电子传输区域可以包括促进来自第二电极的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极。

电子注入层可以具有：i)单层结构，包括包含单种材料的单个层；ii)单层结构，包括包含多种不同材料的单个层；或者iii)多层结构，具有包括多种不同材料的多个层。

电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。

碱金属可以选自于Li、Na、K、Rb和Cs。在一个或更多个实施例中，碱金属可以是Li、Na和/或Cs。在一个或更多个实施例中，碱金属可以是Li和/或Cs，但本公开的实施例不限于此。

碱土金属可以选自于Mg、Ca、Sr和Ba。

稀土金属可以选自于Sc、Y、Ce、Tb、Yb和Gd。

碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可以分别选自于碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。

碱金属化合物可以选自于诸如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O的碱金属氧化物以及诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI的碱金属卤化物。在一个或更多个实施例中，碱金属化合物可以选自于LiF、Li₂O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI，但本公开的实施例不限于此。

碱土金属化合物可以选自于诸如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(0<x<1)和/或Ba_xCa_1-xO(0<x<1)的碱土金属氧化物。在一个或更多个实施例中，碱土金属化合物可以选自于BaO、SrO和CaO，但本公开的实施例不限于此。

稀土金属化合物可以选自于YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃和TbF₃。在一个或更多个实施例中，稀土金属化合物可以选自于YbF₃、ScF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃和TbI₃，但本公开的实施例不限于此。

碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以分别包括如上面所描述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，并且与碱金属配合物、碱土金属配合物或稀土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施例不限于此。

电子注入层可以包括如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合(例如，由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成)。在一个或更多个实施例中，电子注入层还可以包括有机材料。当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可以具有令人满意的(或合适的)电子注入特性，而不显著增大驱动电压。

阴极

阴极可以设置在中间层上方。用于形成阴极的材料可以选自于具有低逸出功的金属、合金、导电化合物和它们的任何组合。

阴极可以包括从锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO和IZO中选择的至少一种，但本公开的实施例不限于此。阴极可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

阴极可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。

发光器件还可以包括第一盖层和/或第二盖层。例如，发光器件可以具有其中第一盖层、阳极、中间层和阴极以该陈述的顺序堆叠的结构，可以具有其中阳极、中间层、阴极和第二盖层以该陈述的顺序堆叠的结构，或者可以具有其中第一盖层、阳极、中间层、阴极和第二盖层以该陈述的顺序堆叠的结构。

从发光器件的中间层中的发射层发射的光可以穿过作为半透射电极或透射电极的阳极以及第一盖层，并且光可以向外部发射；或者从发光器件的中间层中的发射层发射的光可以穿过作为半透射电极或透射电极的阴极以及第二盖层，并且光可以向外部发射。

第一盖层和第二盖层可以根据相长干涉原理来提高外部发光效率。

第一盖层和第二盖层可以均独立地为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。

从第一盖层和第二盖层中选择的至少一个可以独立地包括从碳环化合物、杂环化合物、胺类化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物和碱土金属配合物中选择的至少一种材料。碳环化合物、杂环化合物和胺类化合物可以可选地被包含从O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br和I中选择的至少一种元素的取代基取代。在一个或更多个实施例中，从第一盖层和第二盖层中选择的至少一个可以独立地包括胺类化合物。

在一个或更多个实施例中，从第一盖层和第二盖层中选择的至少一个可以独立地包括由式201表示的化合物或由式202表示的化合物：

式201

式202

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以均独立地选自于取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，

L₂₀₅可以选自于*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、取代或未取代的C₁-C₂₀亚烷基、取代或未取代的C₂-C₂₀亚烯基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，

xa1至xa4可以均独立地为0至3的整数，

xa5可以为1至10的整数，并且

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以均独立地选自于取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基以及取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基。

在一个或更多个实施例中，在式202中，R₂₀₁和R₂₀₂可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基和/或二苯基-亚甲基连接，R₂₀₃和R₂₀₄可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基和/或二苯基-亚甲基连接。

在一个或更多个实施例中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₅可以均独立地选自于：

亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚

基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C₁-C₁₀烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)中选择的至少一者的亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚

基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基，并且

在一个或更多个实施例中，xa1至xa4可以均独立地为0、1或2。

在一个或更多个实施例中，xa5可以为1、2、3或4。

在一个或更多个实施例中，R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以均独立地选自于：

苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，并且

在一个或更多个实施例中，在式201中，从R₂₀₁至R₂₀₃中选择的至少一个可以独立地选自于：

芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C₁-C₁₀烷基的苯基、取代有-F的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，

但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，在式202中，i)R₂₀₁和R₂₀₂可以经由单键连接，并且/或者ii)R₂₀₃和R₂₀₄可以经由单键连接。

在一个或更多个实施例中，在式202中，从R₂₀₁至R₂₀₄中选择的至少一个可以选自于：

咔唑基；以及

取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C₁-C₁₀烷基的苯基、取代有-F的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的咔唑基，

但本公开的实施例不限于此。

由式201表示的化合物可以由式201A表示：

式201A

在一个或更多个实施例中，由式201表示的化合物可以由下面的式201A(1)表示，但本公开的实施例不限于此：

式201A(1)

在一个或更多个实施例中，由式201表示的化合物可以由下面的式201A-1表示，但本公开的实施例不限于此：

式201A-1

在一个或更多个实施例中，由式202表示的化合物可以由式202A表示：

式202A

在一个或更多个实施例中，由式202表示的化合物可以由式202A-1表示：

式202A-1

在式201A、式201A(1)、式201A-1、式202A和式202A-1中，

L₂₀₁至L₂₀₃、xa1至xa3、xa5和R₂₀₂至R₂₀₄与上面描述的相同，

R₂₁₁和R₂₁₂可以与结合R₂₀₃定义的相同，并且

R₂₁₃至R₂₁₇可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C₁-C₁₀烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。

由从式201和式202中选择的一者表示的化合物可以包括从化合物HT1至化合物HT39中选择的至少一种化合物，但本公开的实施例不限于此：

在一个或更多个实施例中，从第一盖层和第二盖层中选择的至少一个可以独立地包括从化合物HT28至化合物HT33和化合物CP1至化合物CP5中选择的化合物，但本公开的实施例不限于此：

发光器件可以被包括在各种合适的设备中。例如，可以提供包括发光器件的发光设备、认证设备和/或电子设备。

可以在从发光器件发射的光的至少一个行进方向上设置滤色器。例如，从发光器件发射的光可以是蓝光，但本公开的实施例不限于此。发光器件可以与上面描述的相同。例如，发光器件可以是蓝色有机发光器件。

第一基底可以包括多个子像素区域，并且滤色器可以包括分别与多个子像素区域对应的多个滤色器区域。

像素限定膜可以形成在子像素区域之间以限定每个子像素区域。

滤色器可以包括位于滤色器区域之间的阻光图案。

滤色器区域可以包括用于发射第一颜色光的第一滤色器区域、用于发射第二颜色光的第二滤色器区域以及用于发射第三颜色光的第三滤色器区域。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，第三颜色光可以是蓝光，但本公开的实施例不限于此。多个滤色器区域中的每个可以包括量子点，但本公开的实施例不限于此。例如，第一滤色器区域可以包括红色量子点，第二滤色器区域可以包括绿色量子点，第三滤色器区域可以不包括量子点。量子点可以与上面描述的相同。第一滤色器区域、第二滤色器区域和第三滤色器区域均可以进一步包括散射体，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，发光器件可以发射第一光，第一滤色器区域可以吸收第一光并发射第1-1颜色光，第二滤色器区域可以吸收第一光并发射第2-1颜色光，第三滤色器区域可以吸收第一光并发射第3-1颜色光。第1-1颜色光、第2-1颜色光和第3-1颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝光，第1-1颜色光可以是红光，第2-1颜色光可以是绿光，第3-1颜色光可以是蓝光，但本公开的实施例不限于此。

薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层。源电极和漏电极中的一个可以电连接到从发光器件的第一电极和第二电极中选择的一个。

薄膜晶体管还可以包括栅电极和/或栅极绝缘层等。

有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等，但本公开的实施例不限于此。

发光设备还可以包括密封发光器件的密封部。密封部可以设置在滤色器与发光器件之间。密封部可以透过来自发光器件的图像，并且防止外部空气和湿气渗透到发光器件中(或保护发光器件免受外部空气和湿气的影响)。密封部可以是包括透明玻璃或塑料的密封基底。密封部可以是包括多个有机层和/或多个无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，整个平面显示装置可以制成柔性的。

发光设备可以用作各种合适的显示器和/或光源等。

认证设备可以是例如用于通过使用生物体(例如指尖和/或瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。

除了发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息收集器。

电子设备可以应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ECG)显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼器、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和/或船舶的仪表)和/或投影仪等，但本公开的实施例不限于此。

制备方法

可以通过使用从真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中选择的一种或更多种合适的方法在特定区域中均独立地形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层。

当通过真空沉积来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层时，通过考虑将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约

/秒的沉积速度下执行真空沉积。

当通过旋涂来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层时，通过考虑将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速度下并在约80℃至约200℃的热处理温度下执行旋涂。

在下文中，将更详细地描述根据实施例的制备发光器件的方法。

制备发光器件的方法可以包括以下步骤：提供阳极；在阳极上形成发射层；在发射层上形成电子控制层，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物。

在一个或更多个实施例中，可以均通过溶液工艺来执行形成发射层的步骤和形成电子控制层的步骤。例如，可以均通过印刷工艺来执行形成发射层的步骤和形成电子控制层的步骤。

例如，可以在形成发射层的步骤中使用第一溶剂，可以在形成电子控制层的步骤中使用第二溶剂。第二溶剂对第一溶剂的溶解度可以为1wt％或更小，但本公开的实施例不限于此。也就是说，第一溶剂和第二溶剂不会基本均匀地混合，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，第一溶剂可以是非醇溶剂，第二溶剂可以是醇溶剂，但本公开的实施例不限于此。

例如，第一溶剂可以包括苯、甲苯、氯苯、二甲苯、苯甲酸甲酯、二苯醚、乙基联苯或它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。

例如，第二溶剂可以包括甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇或它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，制备发光器件的方法还可以包括在阳极上形成空穴控制层，并且形成空穴控制层的步骤可以包括以下步骤：在阳极上提供光交联聚合物化合物；以及通过曝光(例如，通过光曝光)使光交联聚合物化合物交联。

可以通过溶液工艺来执行提供光交联聚合物化合物的步骤。例如，可以通过在阳极上印刷包括光交联聚合物化合物的组合物来执行提供光交联聚合物化合物的步骤，但本公开的实施例不限于此。

可以通过照射具有约1W至约500W的强度和约250nm至约350nm的波长的光来执行通过曝光而交联的步骤，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，制备发光器件的方法还可以包括在阳极上形成空穴传输层，并且形成空穴传输层的步骤可以包括以下步骤：在阳极上提供热交联聚合物化合物；以及通过加热使热交联聚合物化合物交联。

可以通过溶液工艺来执行提供热交联聚合物化合物的步骤。例如，可以通过在阳极上印刷包括热交联聚合物化合物的组合物来执行提供热交联聚合物化合物的步骤，但本公开的实施例不限于此。

可以在约80℃至约220℃的范围内的温度下执行通过加热而交联的步骤，但本公开的实施例不限于此。

在一个或更多个实施例中，制备发光器件的方法还可以包括通过在阳极上提供空穴注入材料来形成空穴注入层，并且空穴注入材料在室温下对醇溶剂可以具有约0.1wt％至约10wt％的范围内的溶解度。

在一个或更多个实施例中，制备发光器件的方法可以包括以下步骤：提供阳极；在阳极上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成空穴控制层；形成发射层；以及在发射层上形成电子控制层，其中，电子控制层可以包括由式5表示的电子控制化合物，但本公开的实施例不限于此。形成空穴注入层的步骤、形成空穴传输层的步骤、形成空穴控制层的步骤、形成发射层的步骤以及形成电子控制层的步骤均可以独立地与上面描述的相同。

取代基的一般定义

如这里使用的术语“C₁-C₆₀烷基”可以指具有1个至60个碳原子的直链或支链的饱和脂肪族烃单价基团，其非限制性示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如这里使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”可以指与C₁-C₆₀烷基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₂-C₆₀烯基”可以指在沿着C₂-C₆₀烷基的烃链的一个或更多个位置处(例如，在C₂-C₆₀烷基的中间和/或末端处)具有至少一个碳-碳双键的烃基，其非制性示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如这里使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”可以指与C₂-C₆₀烯基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₂-C₆₀炔基”可以指在沿着C₂-C₆₀烷基的烃链的一个或更多个位置处(例如，在C₂-C₆₀烷基的中间和/或末端处)具有至少一个碳-碳三键的烃基，其非限制性示例包括乙炔基和丙炔基。如这里使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”可以指与C₂-C₆₀炔基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”可以指由-OA₁₀₁(其中，A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)表示的单价基团，其非限制性示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如这里使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”可以指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，其非限制性示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如这里使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”可以指与C₃-C₁₀环烷基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”可以指具有作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一个杂原子以及1个至10个碳原子的单价饱和单环基团，其非限制性示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如这里使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”可以指与C₁-C₁₀杂环烷基具有相同结构的二价基团。

这里使用的“C₃-C₁₀环烯基”可以指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且没有芳香性的单价单环基团，其非限制性示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。这里使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”可以指与C₃-C₁₀环烯基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”可以指在其环中具有作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一个杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价单环基团。C₁-C₁₀杂环烯基的非限制性示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。这里使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”可以指与C₁-C₁₀杂环烯基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₆-C₆₀芳基”可以指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团。C₆-C₆₀芳基的非限制性示例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和

基。这里使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”可以指与C₆-C₆₀芳基具有相同结构的二价基团。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基均独立地包括两个或更多个环时，相应的环可以彼此稠合(缩合)。

如这里使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”可以指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基的非限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。这里使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”可以指与C₁-C₆₀杂芳基具有相同结构的二价基团。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基均独立地包括两个或更多个环时，相应的环可以彼此稠合。

这里使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”可以指由-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)表示的单价基团，如这里使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”可以指由-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)表示的单价基团。

如这里使用的术语“C₁-C₆₀杂芳氧基”可以指由-OA₁₀₄(其中，A₁₀₄为C₁-C₆₀杂芳基)表示的单价基团，如这里使用的术语“C₁-C₆₀杂芳硫基”可以指由-SA₁₀₅(其中，A₁₀₅为C₁-C₆₀杂芳基)表示的单价基团。

如这里使用的术语“单价非芳香缩合多环基”可以指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子并且在其整个分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的非限制性示例为芴基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合多环基”可以指与单价非芳香缩合多环基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”可以指具有彼此缩合的两个或更多个环、除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)之外的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的非限制性示例为咔唑基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”可以指与单价非芳香缩合杂多环基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“C₅-C₆₀碳环基”可以指具有5个至60个碳原子的单环或多环基团，其中成环原子仅为碳原子。C₅-C₆₀碳环基可以是芳香碳环基或非芳香碳环基。C₅-C₆₀碳环基可以是诸如苯的环、诸如苯基的单价基团或者诸如亚苯基的二价基团。在一个或更多个实施例中，根据连接到C₅-C₆₀碳环基的取代基的数量，C₅-C₆₀碳环基可以是三价基团或四价基团。

如这里使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”可以指：除了使用除碳原子(碳原子的数量可以在1个至60个的范围内)外的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子作为成环原子之外，与C₅-C₆₀碳环基具有相同结构的基团。

在本说明书中，取代的C₅-C₆₀碳环基、取代的C₁-C₆₀杂环基、取代的C₁-C₃₀亚烷基(或取代的C₁-C₂₀亚烷基)、取代的C₂-C₃₀亚烯基(或取代的C₂-C₂₀亚烯基)、取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的C₆-C₆₀亚芳基(或取代的C₆-C₃₀亚芳基)、取代的C₁-C₆₀亚杂芳基(或取代的C₁-C₃₀亚杂芳基)、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的二价芳基氨基、取代的C₁-C₆₀烷基(或取代的C₁-C₂₀烷基)、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基(或取代的C₁-C₂₀烷氧基)、取代的C₁-C₆₀醚基、取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代的单价非芳香缩合多环基、取代的单价非芳香缩合杂多环基、取代的三价C₁-C₃₀烷烃基、取代的三价C₂-C₃₀烯烃基、取代的三价C₂-C₃₀炔烃基、取代的三价C₆-C₃₀芳烃基、取代的三价C₁-C₃₀杂芳烃基、取代的三价非芳香缩合多环基以及取代的三价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基可以选自于：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基；

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)和-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)中选择的至少一者的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基；

C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；

均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)和-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)中选择的至少一者的C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、取代有从氘、-F和氰基中选择的至少一者的C₁-C₆₀烷基、取代有从氘、-F和氰基中选择的至少一者的C₆-C₆₀芳基、联苯基和三联苯基。

如这里使用的术语“Ph”可以指苯基，如这里使用的术语“Me”可以指甲基，如这里使用的术语“Et”可以指乙基，如这里使用的术语“ter-Bu”或“Bu^t”可以指叔丁基，这里使用的术语“OMe”可以指甲氧基，“D”可以指氘。

如这里使用的术语“联苯基”可以指“取代有苯基的苯基”。例如，“联苯基”可以是具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如这里使用的术语“三联苯基”可以指“取代有联苯基的苯基”。例如，“三联苯基”可以是具有取代有C₆-C₆₀芳基的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外定义，否则这里使用的*、*'和*"均指与对应的式中的相邻原子的结合位。

在下文中，将参照合成示例和示例更详细地描述根据实施例的化合物和根据实施例的发光器件。在描述合成示例时使用的表述“使用B来代替A”可以指使用相同摩尔当量的B来代替相同摩尔当量的A。

示例

示例1

将ITO阳极(15Ω/cm²

ITO玻璃基底(可从Corning Inc.获得))切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洁。然后，将玻璃基底提供到真空沉积设备。

在玻璃基底的ITO阳极上，将PEDOT:PSS以3,000rpm的涂覆速度旋涂40秒钟，在120℃的温度下干燥1小时，以形成具有

的厚度的空穴注入层。

在空穴注入层上，将PVK以1,000rpm的涂覆速度旋涂40秒钟，在氮气氛中在200℃至250℃的温度下热处理1小时，以形成具有

的厚度的空穴传输层。

在空穴传输层上，将PVK:PF(聚芴)以3,000rpm的涂覆速度旋涂40秒钟，并且对其照射具有2mW/cm²的强度和254nm的波长的紫外线5分钟，以形成具有

的厚度的空穴控制层。

然后，在空穴控制层上，将其中PVK:PBD(主体)、Ir(ppy)₃(掺杂剂)和甲苯以2:0.2:98的重量比混合的混合物以2,000rpm的涂覆速度旋涂40秒钟，以形成具有

的厚度的发射层。然后，为了除去残留的甲苯，在100℃的热板上对其执行热处理达30分钟。

在发射层上，将其中2wt％的化合物10-3与余量的异丙醇(IPA)混合的组合物以2,000rpm的涂覆速度旋涂40秒钟，以形成具有

的厚度的电子控制层。然后，为了除去残留的异丙醇，在100℃的热板上对其执行热处理达20分钟。

将其中直至形成电子控制层的所得基底引入真空蒸发器中。

在电子控制层上真空沉积Alq₃以形成具有

的厚度的电子传输层，在电子传输层上真空沉积LiF以形成具有

的厚度的电子注入层，从而形成电子传输区域。

在电子传输区域上真空沉积Al以形成具有

的厚度的阴极，从而完成有机发光器件的制造。

示例2至示例10

除了在形成电子控制层中使用表1中示出的材料之外，以与示例1中的方式相同(或基本相同)的方式来制造有机发光器件。

对比示例1

除了在形成电子控制层中使用其中氧化锌纳米颗粒和异丙醇以2:98的重量比混合的组合物之外，以与示例1中的方式相同(或基本相同)的方式来制造有机发光器件。

评价示例

通过使用Keithley SMU 236和亮度计PR650来测量根据示例1至示例10和对比示例1制造的有机发光器件的驱动电压、电流密度、效率、寿命和CIE色坐标，其结果示出在表1中。寿命(T₉₅)表示在驱动有机发光器件之后亮度(@1,000nit)为初始亮度(100％)的95％时所经过的时间量。

表1

通过表1中示出的结果，确认的是，与对比示例1的有机发光器件的效率和/或寿命相比，示例1至示例10的有机发光器件具有改善的效率和/或寿命。具体地，确认的是，示例1至示例10的有机发光器件具有显著改善的寿命。尽管不受特定理论的限制，但相信的是，对比示例1的有机发光器件在获得平坦的薄膜方面相对困难，因此，使器件的特性劣化。

根据本实施例的发光器件可以具有高效率和长寿命并且可以相对减少生产成本。

如这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。

另外，术语“基本(基本上)”、“大约(约)”和类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。

此外，这里陈述的任何数值范围意图包括包含在所陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(并且包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任何最大数值限制意图包括其中包含的所有较低数值限制，并且本说明书中陈述的任何最小数值限制意图包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地陈述这里明确陈述的范围内包含的任何子范围。

应该理解的是，应该仅以描述性含义来考虑这里描述的实施例，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。

尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种改变。

Claims

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

阳极；

阴极，面对所述阳极；

发射层，位于所述阳极与所述阴极之间；以及

电子控制层，位于所述发射层与所述阴极之间，

其中，所述电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：

式5

式6

*-(L₆₁)_a61-(R₆₁)_b61，

其中，在式5、式5A至式5C和式6中，

A₅₁由从式5A至式5C中选择的一者表示，

A₅₁的n51个数的氢原子被-OH取代，

n51为1至20的整数，

X₅₁为N或C(R₅₁)，X₅₂为N或C(R₅₂)，X₅₃为N或C(R₅₃)，X₅₄为N或C(R₅₄)，X₅₅为N或C(R₅₅)，X₅₆为N或C(R₅₆)，X₅₇为N或C(R₅₇)，X₅₈为N或C(R₅₈)，X₅₉为N或C(R₅₉)，X₆₀为N或C(R₆₀)，

R₅₁至R₆₀均独立地选自于由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀醚基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

L₆₁为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

a61为0至6的整数，

R₆₁选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀醚基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

b61为1至10的整数，

Q₁至Q₃均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、C₁-C₆₀杂芳氧基、C₁-C₆₀杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基，并且

*表示与相邻原子的结合位。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

由式5表示的所述电子控制化合物选自于化合物10-1至化合物10-30：

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述电子控制层不包括金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发射层包括从有机化合物和半导体化合物中选择的至少一种化合物，并且

从所述有机化合物和所述半导体化合物中选择的所述至少一种化合物在室温下在非醇溶剂中具有在0.01wt％至5.0wt％的范围内的溶解度。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，

所述有机化合物包括主体和掺杂剂，并且

所述半导体化合物包括量子点。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发射层和所述电子控制层中的每个通过溶液工艺形成。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发光器件还包括位于所述电子控制层与所述发射层之间的混合物层，

所述电子控制层由所述电子控制化合物构成，

所述发射层由从有机化合物和半导体化合物中选择的至少一种化合物构成，

所述混合物层由所述电子控制化合物以及从所述有机化合物和所述半导体化合物中选择的所述至少一种化合物构成，

所述电子控制化合物与从所述有机化合物和所述半导体化合物中选择的所述至少一种化合物彼此不同，并且

所述发光器件满足公式1：

公式1

0≤D_M/(D_M+D_E)<0.4，

其中，在公式1中，

D_M是所述混合物层的厚度，nm，并且

D_E是所述发射层的厚度，nm。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发光器件还包括位于所述阳极与所述发射层之间的空穴控制层，并且

所述空穴控制层通过使光交联聚合物化合物光交联而形成。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，

所述光交联聚合物化合物包括由式1表示的重复单元：

式1

其中，在式1中，

X₁₁选自于取代或未取代的三价C₁-C₃₀烷烃基、取代或未取代的三价C₂-C₃₀烯烃基、取代或未取代的三价C₂-C₃₀炔烃基、取代或未取代的三价C₆-C₃₀芳烃基、取代或未取代的三价C₁-C₃₀杂芳烃基、取代或未取代的三价非芳香缩合多环基和取代或未取代的三价非芳香缩合杂多环基，

L₁₁、L₁₂和Y₁₁均独立地选自于单键、取代或未取代的C₁-C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀亚烯基、取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₃₀亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基、取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基和取代或未取代的二价芳基氨基，

a11、a12和b11均独立地选自于0、1、2、3和4，

Z₁₁选自于光交联基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳氧基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-N(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)和-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，其中，至少一个Z₁₁为所述光交联基团，

k11选自于1、2、3和4，

*和*'均表示与相邻原子的结合位。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，

由式1表示的所述重复单元由从式1-1至式1-21中选择的一者表示：

并且

其中，在式1-1至式1-21中，

*和*'均表示与相邻原子的结合位。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发光器件还包括位于所述阳极与所述发射层之间的空穴传输层，并且

所述空穴传输层通过使热交联聚合物化合物热交联而形成。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述热交联聚合物化合物i)包括双键，并且ii)选自于包括芴部分和/或芳基胺部分的聚合物化合物。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发光器件还包括位于所述阳极与所述发射层之间的空穴注入层，并且

所述空穴注入层包括空穴注入材料，所述空穴注入材料在室温下在醇溶剂中具有在0.1wt％至10wt％的范围内的溶解度。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，

所述空穴注入材料选自于包括芳基胺部分和/或芴部分的聚合物化合物。

15.一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在阳极上形成发射层；以及

在所述发射层上形成电子控制层，

其中，所述电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：

式5

式6

*-(L₆₁)_a61-(R₆₁)_b61，

其中，在式5、式5A至式5C和式6中，

A₅₁由从式5A至式5C中选择的一者表示，

A₅₁的n51个数的氢原子被-OH取代，

n51为1至20的整数，

a61为0至6的整数，

b61为1至10的整数，

*表示与相邻原子的结合位。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

在形成所述发射层的步骤中使用第一溶剂，

在形成所述电子控制层的步骤中使用第二溶剂，并且

所述第二溶剂在所述第一溶剂中的溶解度为1wt％或更小。

17.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述阳极上形成空穴控制层，

其中，形成所述空穴控制层的步骤包括以下步骤：

在所述阳极上提供光交联聚合物化合物；以及

通过曝光使所述光交联聚合物化合物交联。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

通过用具有1W至500W的强度和250nm至350nm的波长的光照射所述光交联聚合物化合物来执行通过曝光而交联的步骤。

19.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述阳极上形成空穴传输层，

其中，形成所述空穴传输层的步骤包括：

在所述阳极上提供热交联聚合物化合物；以及

通过加热使所述热交联聚合物化合物交联。

20.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括通过在所述阳极上提供空穴注入材料来形成空穴注入层，

其中，所述空穴注入材料在室温下在醇溶剂中具有在0.1wt％至10wt％的范围内的溶解度。