JPH03261182A - 多色有機発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、発光色の切り替えが可能な多色有機発光素子
に関する。

（従来の技術） 近年、表示素子や照明素子等として用いられる有機膜発
光素子の研究開発が盛んに行われている。例えば、凡用
大学の斎藤省吾は、１９８６年に金属電極／芳香族色素
／ポリチオフェン／透明電極を用いた有機２層構造素子
を報告している（Ｊ、　　Ｊ、　Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ　
、肚、Ｌ７７３，１９８８）。ここでは、有機膜の膜厚
か１μｍ以上あり、印加電圧も１００ｖと大きい。これ
に対して、コダ・ツク社のＣ，Ｗ、Ｔａｎｇ等は、Ｍｇ
　−Ａｇ　／ＡＩｑ３　／ジアミン／ＩＴＯという有機
２層構造で、有機膜の膜厚を１０００Å以下にすること
によって、印加電圧１０Ｖ以下で駆動して実用上十分な
輝度を示す素子が得られたことを報告している（ＡＰＬ
５１．９１３．１９８７　）。これらの発光素子は、電
子注入性的な色素と正孔注入性的な色素とを組合わせて
有機２層構造とすることを基本とし、有機膜をできるだ
け薄くすること、電子注入側の金属電極に仕事関数の小
さいものを選ぶこと、真空蒸着法或いは昇華法によって
有機膜を形成する際に電気的欠陥が発生しないような材
料を選択すること、等を主要な特徴としている。凡用大
学の斎藤省吾は更に１９８８年には、電子注入層／発光
層／正孔注入層という有機３層構造素子を提案し、発光
層に高いフォトルミネセンスを示す色素を選ぶことによ
って高輝度発光が得られることを示した（Ｊ。

Ｊ、　Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ　、　、　２７．Ｌ２Ｂ９．
１９８８）。

その他これまでに、各種の有機膜の組合わせによる発光
素子構造、単層の有機膜であっても、発光剤と正孔注入
剤を混合することによっである程度の発光が認められる
こと、発光体であるＡ　ｉｑ３の特性劣化に関する研究
等が次々に報告されており、また同様の特許出願が多く
なされている。

これら有機発光素子において、発光層材料を変えること
によって三原色の発光は実現されているが、現状では一
画素一色である。したがってカラー表示素子を実現しよ
うとすると、発光性の有機膜をパターンニングしなけれ
ばならない。しかしこれは、有機膜のバターニング技術
としてまだ良いものが開発されておらず、不可能に近い
。そこで有機膜のバターニングを必要としない多色表示
有機発光素子が望まれる。

（発明が解決しようとする課題） 以上のように有機発光素子が種々提案されているが、こ
れまで有機膜バターニングを必要としない一画素多色の
発光素子は得られていない。

本発明は上記の点に鑑みなされたもので、有機膜バター
ニングを必要としない一画素多色の有機発光素子を提供
することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明に係る多色有機発光素子は、 基板上に併置して形成されて第１の端子に共通接続され
た下部電子注入電極および下部正孔注入電極と、 これらの電極が形成された基板上に積層形成された第１
の発光層である第１の有機膜、中間層としての第２の有
機膜および第２の発光層としての第３の有機膜と、 前記第３の有機膜上に形成されて第２の端子に共通接続
された前記下部電子注入電極に対向する上部正孔注入電
極および前記下部正孔注入電極に対向する上部電子注入
電極と、 を備えたことを特徴とする。

この場合三層の積層有機膜は好ましくは、第１の有機膜
と第２の有機膜の接合が、第１の有機膜から第２の有機
膜への電子注入に対して障壁接合を構威し、第２の有機
膜から第１の有機膜への正札注入に対して障壁接合を構
成し、かつ第２の有機膜と第３の有機膜の接合が、第３
の有機膜からｊ＠２の有機膜への電子注入に対して障壁
接合を構成し、第２の有機膜から第３の有機膜への正孔
注人に対して障壁接合を構成するように、材料が選ばれ
る。

（作用） 本発明によれば、第１の端子と第２の端子間に印加する
電圧の極性によって、異なる発光色を得ることができる
。すなわち第１の端子に第２の端子に対して正の電圧を
印加すると、積層有機膜には下部正孔注入電極から正孔
が、これに対向する上部電子注入電極から電子がそれぞ
れ注入され、これらの再結合によって第１の有機膜での
発光が得られる。一方第２の端子に第１の端子に対して
正の電圧を印加すると、積層有機膜には上部正孔注入電
極から正孔が、これに対向する下部電子注入電極から電
子がそれぞれ注入され、これらの再結合によって第３の
有機膜での発光が得られる。

本発明では、有機膜のパターニングにより発光領域を決
定する方法と異なり、一種の積層有機−膜に対する電極
材料の選択によって異なる発光色の発光領域を決定して
おり、したがって多色発光素子の製造が容易である。

（実施例） 以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は、一実施例の多色有機発光素子の断面図である
。ガラス基板１１に第１の端子１０に繋がるＩＴＯ等の
透明導電膜１２が形成され、この透明導電膜１２上に、
下部電子注入電極（Ｍ＋＋）１３と、下部正孔注入電極
（Ｍ１２）１４が形成されている。これらの電極１３．
１４が形成された領域上に第１の有機膜（０１）１５．
第２の有機膜（０２）１６および第３の有機膜（０３）
１７の積層膜が形成されている。第１の有機膜１５が第
１の発光層であり、第３の有機膜１７が第２の発光層で
あって、第２の有機膜１６は中間層である。この積層有
機膜上には、下部電子注入電極１３に対向して上部正孔
注入電極（Ｍ２＋）１ｇが形成され、下部正孔注入電極
１４に対向して上部電子注入電極（Ｍ２２）１９が形成
されている。この実施例の場合これら上部正孔注入電極
１８と上部電子注入電極１９とは一部オーバーラップさ
せることで共通接続され、第２の端子２０に導かれてい
る。下部電子注入電極１３と上部正孔注入電極１８が対
向する領域Ａが第１の発光領域となり、下部正孔注入電
極１４と上部電子注入電極１９が対向する領域Ｂが第２
の発光領域となる。

第２図は、この実施例の各ポの有機膜および電極材料の
電気的特性を、接合前の状態で示したものである。すな
わち下部電子注入電極１３の仕事関数をＥＭｌｏ、下部
正孔注入電極１４の仕事関数をＥＭユ２、上部正孔注入
電極１８の仕事関数をＥＶ２１、上部電子注入電極１９
の仕事関数をＥ　Ｍ２２とし、第１の有機膜１５の伝導
帯下端の真空準位からのエネルギー差（以下、単に伝導
帯レベルという）をＥＣ１、フェルミレベルの真空準位
からのエネルギー差（以下、単にフェルミレベルという
）をＥｌ、価電子帯上端の真空準位からのエネルギー差
（以下、単に価電子帯レベルという）をＥｖＩとし、第
２の有機膜の伝導帯レベル、フェルミレベルおよび価電
子帯レベルをそれぞれＥＣ２Ｅ２およびＥＶ２とし、第
３の有機膜の伝導帯レベル、フェルミレベルおよび価電
子帯レベルをそれぞれ”　Ｃ３＋　　Ｅ　３およびＥＶ
、としたとき、先ず、三層の有機膜相互間では、 Ｅ　ｃ＋＞　Ｅ　Ｃ２−（１） Ｅ　Ｃ２＜　Ｅ　Ｃ３・”　（２） Ｅ　ｖ＋＞　Ｅ　Ｖ２　　　　−　（３）Ｅ　　Ｖ２＜
　　Ｅ　　Ｖ３　　　　　　　　　−　　（４）なる関
係を有する。この条件から、自ずと、Ｅｌ　＞Ｃ２＜Ｃ
３・・・（５） なる関係が導かれる。一方、下部電子注入電極１３と第
１の有機膜１５の間では、 ＥＭＩＩ＜Ｅｌ　　　　・・・（６） なる関係を有し、下部正孔注入電極１４と第１の有機膜
１５の間では、 ＥＭＩ□＞Ｅ、　　　　・・・（７〉 なる関係を有する。また上部正孔注入電極１８と第３の
有機膜１７の間では、 ＥＶ２１＞Ｃ３・・・（８） なる関係を有し、上部電子注入電極１つと第３の有機膜
１７の間では、 ＥＭ２□くＣ３・・・（９） なる関係を有する。

第３図（ａ）　（ｂ）は、以上のようなエネルギーレベ
ルの関係に設定されたこの実施例の素子の、各部が接合
された熱平衡状態でのバンド図である。

ただし第３図（ａ）は、下部電子注入電極１３と上部正
孔注入電極１８が対向する第１の発光領域Ａでの状態で
あり、同図（ｂ）は下部正孔注入電極１４と上部電子注
入電極１９が対向する第２の発光領域Ｂでの状態である
。第１の有機膜１５と第２の有機膜１６の接合部には、
伝導帯には第１の有機膜１５から第２の有機膜１６への
電子注入に対する障壁が形成され、価電子帯には第２の
有機膜１６から第１の有機膜１５への正孔注入に対する
障壁が形成されている。第２の有機膜１６と第３の有機
膜１７の接合部には、価電子帯には第２の有機膜１６か
ら第３の有機膜１７への正孔注入に対する障壁が形成さ
れ、伝導帯には第３の有機［１１７から第２の有機膜１
６への電子注入に対する障壁が形成されている。また、
第１の発光領域Ａでは、（ａ）に示すように下部電子注
入電極１３から第１の有機膜１５に電子か注入され易く
、上部正孔注入電極１８から第３の有機膜１７に正孔が
注入されやすい接合か形成されている。第２の発光領域
Ｂでは、（ｂ）に示すように、下部正孔注入電極１４か
ら第１の有機膜１５に正孔が注入されやすい接合が形成
され、上部電子注入電極１９から第３の有機膜１７に電
子が注入されやすい接合が形成されている。

次にこの実施例の多色有機発光素子での発光動作を第４
図（ａ）　（ｂ）を用いて説明する。

第４図（ａ）は、第２の端子２０に第１の端子１０に対
して正の電圧ｖＡを印加した時の第１の発光領域Ａでの
バンド図である。このとき、下部電子注入電極１３から
は第１の有機膜１５に電子が注入され、この電子は第１
の有機膜１５と第２の有機膜１６の接合界面に蓄積され
る。また上部正札注入電極１８からは第３の有機膜１７
に正孔が注入され、その正孔は第２の有機膜１６を通っ
て第２の有機膜１６と第１の有機膜１５の接合界面まで
輸送されてここに蓄積される。こうして第１の有機膜１
５と第２の有機膜１６の接合界面には、電子と正札が蓄
積された電気二重層が形成される。この電気二重層の厚
みは色素の分子間距離（〜１０大）であるから、ここに
発生する電界は例えば、１０７Ｖ／ｃｍ以上に達する。

したがってキャリアは容易に障壁をトンネル注入して隣
接層へ注入される。今の、場合節１の有機膜１５が発光
層であるから、第２の有機膜１６から第１の有機膜１５
に注入された正孔が第１の有機膜１５内で多数キャリア
である電子と再結合して、波長λ１の発光を生しる。こ
のとき第２の発光領域Ｂでは、上部電子注入電極１つが
下部正孔注入電極１４に対して正であるから、電子注入
および正孔注入はなく、発光は生じない。

第４図（ｂ）は、第１の端子１０に第２の端子２０に対
して正の電圧■８を印加した時の第２の発光領域Ｂでの
バンド図である。このとき下部正孔注入電極１４から第
１の有機膜１５に正孔が注入され、この正孔は第２の有
機膜１６を通って第２の有機膜１６と第３の有機膜１７
の接合界面まで輸送されてここに蓄積される。上部電子
注入電極１９からは第３の有機膜１７に電子か注入され
、この電子は第２の有機膜１６と第３の有機膜１７の接
合界面に蓄積される。こうして第２の有機膜１６と第３
の有機膜１７の接合部に電気二重層が形成される。そし
て第２の有機膜１６の正孔が第３の有機膜１７にトンネ
ル注入されて第３の有機膜１７内の多数キャリアである
電子と再結合して、波長λ２の発光を生しる。このとき
、第１の発光領域Ａでは、上部正孔注入電極１８か下部
電子注入電極１３に対して負であるから、電子注入およ
び正孔注入はなく、発光は生じない。

したがってこの実施例によれば、第１の端子１０と第２
の端子２０間に印加する電圧の極性を切り替える事によ
って、第１の有機膜１５からの発光と第３の有機膜１７
からの発光を切り替える事ができる。すなわち印加電圧
の極性により異なる発光色が得られる一画素多色発光素
子が得られる。例えば、第１の有機膜１５を青色発光剤
で構成し、第３の有機膜１７を黄色発光剤で構成すれば
、印加電圧の切り替えにより青色発光と黄色発光を選択
する事ができる。これらの発光は、下部電子注入電極１
３および下部正孔注入電極１４を光減衰が十分小さくな
るような薄膜とすることによって、基板１１側から取り
出すことができる。

第５図（ａ）　（ｂ）　（ｃ）は、本発明の他の実施例
の多色有機発光素子を示す平面図とそのＡ−Ａ’および
Ｂ−Ｂ’断面図である。この実施例では、バンドギャッ
プの広い高抵抗のｎ−型またはｐ−型半導体基板２１を
用い、その表面に下部電子注入電極としての高濃度ｎ型
層２２と下部正孔注入電極としての高濃度ｐ型層２３を
形成している。これらのｎ型層２２およびｐ型層２３は
、短絡電極２８により共通接続されて第１の端子１０に
導かれている。ｎ型層２２とｐ型層２３を覆う領域に先
の実施例と同様に第１の有機膜（Ｃｚ　＞２５゜第２の
有機膜（０２）２６および第３の有機膜（０３）２７の
積層膜が形成されている。第１の有機膜２５が第１の発
光層であり、第３の有機膜２７が第２の発光層である。

これら有機膜積層構造上に、ｎ型層２２に対向する領域
に上部正孔注入電極（Ｍ２＋）２９か形成され、ｐ型層
２３に対向する領域に上部電子注入電極（Ｍ　２゜）３
０が形成されている。この実施例の場合、上部電子注入
電極３０は一部上部正孔注入電極２９と重なって両者を
共通接続しており、かつ有機膜積層領域から外部に導か
れて第２の端子２０に繋がっている。

端子２０に繋がる電極部は、基板２１との分離のために
予め基板上に形成された絶縁膜２４上に配置されている
。

なお高抵抗半導体基板を用いることは必ずしも必要では
ない。例えば基板全体がｎ型層（またはｐ型層）であっ
て、これに選択的にｐ型層（またはｎ型層）を形成する
ようにしてもよい。

第６図は、この実施例の多色有機発光素子の各部の電気
的特性を接合前の状態で示したものである。第１．第２
および第３の有機膜２５．２６および２７の相互間の関
係、これらと上部正孔注入電極２つおよび上部電子注入
電極３０との関係は、上記実施例と同様である。下部電
子注入電極である高濃度ｎ型層２２のフェルミレベルＥ
ＮＦは、第１の有機膜２５のフェルミレベルＥ１に対し
て、Ｅ　ＮＦ＜　Ｅ　。

であり、下部正孔注入電極である高濃度ｐ型層２３のフ
ェルミレベルＥＰＦは Ｅ　ＰＰ＞　Ｅ　１ である。

第７図（ａ）　（ｂ）は、それぞれこの実施例の素子で
の第１の発光領域Ａと第２の発光領域Ｂての熱平衡状態
でのバンド図である。図から明らかなように、第１の発
光領域Ａでは、ｎ型層２２から第１の有機膜２５に電子
が注入され易く、上部正孔注入電極２９から第３の有機
膜２７に正孔が注入されやすい関係になっている。第２
の発光領域Ｂでは、ｐ型層２３から第１の有機膜２５に
正孔が注入され易く、上部電子注入電極３０から第３の
有機膜２７に電子が注入されやすい関係になっている。

したがってこの実施例の素子においても、第２の端子２
０に第１の端子１０に対して正の電圧を印加すると、高
濃度ｎ型層２２から第１の有機膜２５に電子が注入され
、上部正孔注入電極２つから第３の有機膜２７に正孔が
注入される。これらのキャリアは第１の有機膜２５と第
２の有機膜２６の接合界面に蓄積されて電気二重層を形
成し、トンネル注入によって第１の有機膜２５内で発光
再結合する。これにより第１の発光領域Ａか発光する。

印加電圧を逆にすると、高濃度ｐ型層２３から第１の有
機膜２５に正孔が圧入され、上部電子注入電極３０から
第３の有機膜２７に電子か注入される。これらのキャリ
アは第２の有機膜２６と第３の有機膜２７の接合界面に
蓄積されて電気二重層を形成する。そしてトンネル注入
によって第３の有機膜２７内で発光再結合する。すなわ
ち第２の発光領域が発光する。

こうしてこの実施例によっても、先の実施例と同様に、
印加電圧の極性によって発光色の切り替えができる多色
発光素子が得られる。発光は、バンドギャップが広く透
明である基板２１側から取り出される。

以下により具体的な実施例を説明する。

実施例１ 第１図の素子において、次のような材料の組み合わせを
用いた。

下部電子注入電極１３：Ｙｂ膜 下部正孔注入電極１４二Ａｕ膜 第１の有機膜１５（−第１の発光層）：第２の有機膜１
６： 一部３の有機膜１７（−第２の発光層）：／ Ｅ、ＯＯＣ 上部正孔注入電極１８：Ａｕ膜 上部電子注入電極１９：Ｙｂ膜 素子作成プロセスは、透明導電膜１２としてＩＴＯ膜を
形成したガラス基板１１上に真空蒸着法によってＡｕ膜
電極とＹｂ膜電極をそれぞれ膜厚１００大で形成する。

この上に真空昇華法（真空度〜１０−６Ｔｏｒｒ）によ
って、第１の有機膜１５゜第２の有機膜１６および第３
の有機膜１７をそれぞれ５００Åずつ順次積層形成する
。この有機積層膜上に、下部のＹｂ膜電極に対向する領
域から端子領域まで延在する１０００大程度のＡｕ膜電
極を形成し、さらに下部Ａｕ膜電極に対向する、一部Ａ
ｕ膜電極に重なる１０００λ程度のＹｂ電極を形成する
。

得られた素子に、上部電極側を陽極としてバイアスを印
加すると、５Ｖの印加電圧で５０ｍＡ／ｃＩ１１２の電
流が流れ、輝度１０００　Ｃｄ／ｍ２の緑色発光が得ら
れた。この発光は第３の有機膜１７からのものである。

上部電極側を陰極としてバイアスを印加すると、５Ｖの
印加電圧で５０　ｍ　Ａ　／　ｃｒｎ　２の電流が流れ
、輝度１０００Ｃｄ／ｍ２の橙色発光が得られた。

この発光は第１の有機膜１５からのものである。

実施例２ 第５図の素子において、次の材料を用いた。

半導体基板２１：窒素ドープｎ型ＧａＰ（−ｎ型層２２
） ｐ型層２３：ｚｎ拡散層 第１の有機膜２５：実施例１の第１の有機膜１５と同じ 第２の有機膜２６：実施例１の第２の有機膜１６と同じ 第３の有機膜２７；実施例１の第３の有機膜１７と同じ 上部正孔注入電極２９：Ａｕ膜 上部電子注入電極３０：Ｙｂ膜 短絡電極２８　：　ＡｕＧｅ膜 素子作成プロセスは、まず窒素ドープのｎ型ＧａＰ基板
にＺｎを部分的に拡散してｐ型層を形成する。その後上
部電極の端子取出し部を確保するためにＭＯＣＶＤ法に
よって５ｉ０２膜を形成した後、これをリソグラフィに
よって必要箇所に残す。次いで真空昇華法（真空度〜１
０−ｂＴｏｒｒ）によって実施例１と同様に第１〜第３
の有機膜をそれぞれ５００Åずつ積層形成する。この有
機膜積層構造上に、Ａｕ膜電極とＹｂ膜電極を真空蒸着
とりソグラフイにより形成する。Ｙｂ膜電極は一部Ａｕ
膜電極に重なり、端子取出し部となるＳ　ｉ　Ｏ２膜上
まで延在するようにバターニングされる。最後に基板上
のｐ型層とｎ型層を短絡するＡｕＧｅ膜電極を形成する
。

得られた素子に、上部電極側を陽極としてバイアスを印
加すると、５ｖの印加電圧で５０ｍＡ／Ｃｌ１１２の電
流が流れ、輝度１０００Ｃｄ／ｍ２の緑色発光が得られ
た。この発光は第３の有機膜２７からのものである。

上部電極側を陰極としてバイアスを印加すると、５Ｖの
印加電圧で５０　ｍ　Ａ　／　ｃｍ　２の電流が流れ・
輝度１０００　Ｃｄ　／　ｍ　２の橙色発光が得られた
。

この発光は第１の有機膜２５からのものである。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、有機膜のパターニン
グ工程を要せず、電極材料の組合わせによって、印加電
圧の極性により発光色の切り替えを可能とした一画素多
色の有機発光素子を得る事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の多色有機発光素子の断面図
、 第２図はその各部の接合前の状態での電気的特性を示す
バンド図、 第３図（ａ）　（ｂ）は接合後の熱平衡状態でのバンド
図、 第４図（ａ）　（ｂ）は、二つの発光領域での発光動−
作を説明するためのバンド図、 第５図（ａ）　（ｂ）　（ｃ）は他の実施例の多色有機
発光素子を示す平面図とそのＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ′断
面図、 第６図はその各部の接合前の状態での電気的特性を示す
バンド図、 第７図（ａ）　（ｂ）は接合後の熱平衡状態でのバンド
図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・透明導電膜、１３・
・・下部電子注入電極（Ｍ、□）、１４・・・下部正孔
注入電極（Ｍｌ□）、１５・・・第１の有機膜（０１）
、１６・・・第２の有機膜（０２）、１７・・・第３の
有機膜（０３）、１８・・・土部正孔注入電極（Ｅ　２
１）、１９・・・上部電子注入電極（Ｅ２□）、１０．
、、第１の端子、２０・・・第２の端子、２１・・・半
導体基板、２２・・・高濃度ｎ型層（下部電子注入電極
）、２３・・・高濃度ｐ型層（下部正孔注入電極）、２
４・・・絶縁膜、２５・・・第１の有機膜、２６・・・
第２の有機膜、２７・・・第３の有機膜、２８・・・短
絡電極、２つ・・・上部正孔注入電極、３０・・・上部
電子注入電極。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に併置して形成されて第１の端子に共通接
   続された下部電子注入電極および下部正孔注入電極と、 これらの電極が形成された基板上に積層形成された第１
   の発光層である第１の有機膜，中間層としての第２の有
   機膜および第２の発光層としての第３の有機膜と、 前記第３の有機膜上に形成されて第２の端子に共通接続
   された前記下部電子注入電極に対向する上部正孔注入電
   極および前記下部正孔注入電極に対向する上部電子注入
   電極と、 を備えたことを特徴とする多色有機発光素子。
2. （２）前記第１の有機膜と第２の有機膜の接合は、前記
   第１の有機膜から第２の有機膜への電子注入に対して障
   壁を構成し、前記第２の有機膜から第１の有機膜への正
   孔注入に対して障壁を構成し、前記第２の有機膜と第３
   の有機膜の接合は、前記第３の有機膜から第２の有機膜
   への電子注入に対して障壁を構成し、前記第２の有機膜
   から第３の有機膜への正孔注入に対して障壁を構成する
   、ことを特徴とする請求項１記載の多色有機発光素子。
3. （３）前記下部および上部電子注入用電極と、前記下部
   および上部正孔注入用電極とに仕事関数の異なる金属を
   用いたことを特徴とする請求項１記載の多色有機発光素
   子。
4. （４）前記基板は透明基板であり、この透明基板上に前
   記第１の端子に繋がる透明導電膜が形成され、この透明
   導電膜上に前記下部電子注入電極と下部正孔注入電極と
   が形成されていることを特徴とする請求項１記載の多色
   有機発光素子。
5. （５）前記基板は前記第１および第３の有機膜よりバン
   ドギャップの大きい半導体基板であり、前記下部電子注
   入用電極および下部正孔注入用電極はそれぞれこの半導
   体基板に形成された高濃度ｎ型層および高濃度ｐ型層で
   あって、これに高濃度ｎ型層と高濃度ｐ型層は前記第１
   の端子に繋がる電極により共通接続されていることを特
   徴とする請求項１記載の多色有機発光素子。