CN113380955A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及发光装置，其包括空穴传输区，所述空穴传输区包括两个层，所述两个层各自包含化合物A组、化合物B组或其任意组合，其中所述化合物A组包含一个或两个胺基团，并且所述胺基团包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合，以及所述化合物B组不包含胺基团，并且包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月10日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0029800号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及发光装置及包括所述发光装置的电子设备。
背景技术
与本领域中的其它装置相比，发光装置是具有广视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性的自发射装置。
在发光装置中，第一电极在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。
发明内容
一个或多于一个的实施方案包括装置，所述装置在发射辅助层中不包含p-掺杂剂，但与在发射辅助层中包含p-掺杂剂的装置相比表现出相等或更好的结果。
实施方案的额外的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
根据一个或多于一个的实施方案，发光装置包括：
第一电极，
面向所述第一电极的第二电极，以及
位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述中间层包括：
i)位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，以及
ii)位于所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，
所述空穴传输区包括两个层，所述两个层各自包含化合物A组、化合物B组或其任意组合，
所述化合物A组包含一个或两个胺基团，并且所述胺基团包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合，以及
所述化合物B组不包含胺基团，并且包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合。
根据一个或多于一个的实施方案，电子设备包括：
薄膜晶体管和所述发光装置，其中所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且所述发光装置的所述第一电极与所述薄膜晶体管的选自所述源电极和所述漏电极中的一个电连接。
附图说明
根据以下结合附图的描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它方面和特征将更加明显，图1是根据实施方案的发光装置的示意图。
具体实施方式
现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的实施方案的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。
p-掺杂剂是用于发射辅助层的材料，并且广泛地使用，因为p-掺杂剂具有改善传导性(例如，导电性)和促进来自空穴传输层的有效空穴注入的性质。
然而，此类p-掺杂剂昂贵并且引起不希望的电容增加。
当p-掺杂剂不用于发射辅助层时，空穴传输层与发射辅助层之间的势垒增加，导致空穴阻力增加，使得发光装置的驱动电压增加并且使用寿命降低，从而劣化发光装置的性能。
因此，本公开内容的实施方案的方面提供了发光装置，包括：
第一电极；
面向第一电极的第二电极；以及
位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中中间层包括：
i)位于第一电极与发射层之间的空穴传输区；以及
ii)位于发射层与第二电极之间的电子传输区，
空穴传输区包括两个层，所述两个层各自包含化合物A组、化合物B组或其任意组合，
化合物A组包含一个或两个胺基团，并且胺基团包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合，以及
化合物B组不包含胺基团，并且包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合。
如本文使用的表述“空穴传输区包括两个层，所述两个层各自包含化合物A组、化合物B组或其任意组合”是指其中层1包含化合物A组、化合物B组或其任意组合，并且层2包含化合物A组、化合物B组或其任意组合的情况。例如，包含在层1和层2两者中的所有化合物可以彼此不同。在一些实施方案中，例如，层1和层2的各自的组成可以完全不同，或者可以存在各自的组成的一些重叠。例如，层1可以包含与层2的一种或多于一种的化合物相同的一种或多于一种的化合物，而层1和层2的总组成彼此不同。
如本文使用的表述“层1包含化合物A组、化合物B组或其任意组合”可以意指“层1包含属于化合物A组、化合物B组或其任意组合的化合物”或者“层1包含两种或多于两种的不同的属于化合物A组、化合物B组或其任意组合的化合物”。与层2相关的表述具有与以上描述基本上相同的含义。
在一个实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，并且空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
在一个或多于一个的实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，并且电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在一个实施方案中，包括在空穴传输区中的两个层可以分别是空穴传输层和发射辅助层。
在根据实施方案的发光装置中，可以在发射辅助层中混合具有与空穴传输层的最高占据分子轨道(HOMO)能级相似的最高占据分子轨道(HOMO)能级的材料，从而去除或降低空穴传输层与发射辅助层之间的能量势垒。因此，在发射辅助层中不包含p-掺杂剂的结构甚至可以与在发射辅助层中包含p-掺杂剂的结构相比表现出相等或更好的性能。
在一个实施方案中，包括在空穴传输区中的两个层可以分别是空穴传输层和发射辅助层，其中空穴传输层可以包含选自化合物A组、化合物B组或其任意组合的化合物HTM，以及
发射辅助层可以包含选自化合物A组、化合物B组或其任意组合的辅助化合物1和辅助化合物2。
在此，化合物HTM、辅助化合物1和辅助化合物2可以彼此不同，以及
化合物HTM、辅助化合物1和辅助化合物2的HOMO能级可以满足以下不等式(1)和不等式(2)：
0 eV<EHOMO_化合物HTM-EHOMO_辅助化合物2≤0.15 eV(1)
|EHOMO_辅助化合物1-EHOMO_辅助化合物2|≤0.20 eV(2)。
在一个实施方案中，发射辅助层不包含p-掺杂剂。例如，发射辅助层可以不含(例如，基本上不含或完全不含)p-掺杂剂。
尽管发射辅助层不包含p-掺杂剂，但发射辅助层包含这样的化合物，其中该化合物的HOMO能级与空穴传输层的HOMO能级之间的差为0.15eV或低于0.15eV，并且因此，包含在发射辅助层中的两种不同的化合物之间的HOMO能级的差为0.20eV或低于0.20eV，从而与在发射辅助层中包含p-掺杂剂的结构相比表现出相等或更好的性能。
在一个实施方案中，化合物HTM可以包括以下化合物中的一种：
在一个实施方案中，辅助化合物1和辅助化合物2可以各自包括以下化合物中的一种：
在一个实施方案中，辅助化合物1和辅助化合物2的重量比可以是约1:9至约9:1。例如，辅助化合物1和辅助化合物2的重量比可以是约3:7至约7:3。例如，辅助化合物1和辅助化合物2的重量比可以是约4:5至约5:4。
在一个实施方案中，发射辅助层可以与发射层接触(例如，物理接触)。
在一个实施方案中，发射辅助层可以与空穴传输层接触(例如，物理接触)。
在一个实施方案中，发射层可以包含两种或多于两种的主体。例如，发射层可以包含两种不同的主体。
在一个实施方案中，发射层可以包含预混合的主体。所述预混合的主体通过在沉积过程期间使用通过混合两种或多于两种的主体而制备的单个源来引入，并且区别于在共沉积过程中使用两个或多于两个的源来制备的主体。
在一个实施方案中，空穴传输区可以包括包含电荷产生材料的空穴传输层，而不是空穴注入层。例如，发光装置的空穴传输区可以包括包含电荷产生材料的空穴传输层、包含电荷产生材料的发射辅助层、包含电荷产生材料的电子阻挡层或其任意组合。
在一个实施方案中，电荷产生材料可以是p-掺杂剂。
在一个实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、金属氧化物、含氰基基团的化合物或其任意组合。
在一个实施方案中，醌衍生物可以是TCNQ或F4-TCNQ：
在一个实施方案中，金属氧化物可以是氧化钨和/或氧化钼。
在一个实施方案中，含氰基基团的化合物可以是HAT-CN和/或由
式221表示的化合物：
式221
在式221中，
R221至R223可以各自独立地是取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
R221至R223中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被至少一个氰基基团取代的C1-C20烷基基团；被至少一个-F取代的C1-C20烷基基团；被至少一个-Cl取代的C1-C20烷基基团；被至少一个-Br取代的C1-C20烷基基团；被至少一个-I取代的C1-C20烷基基团；或其任意组合取代的C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团或者单价非芳香族稠合杂多环基团。
本公开内容的实施方案的另一个方面提供了电子设备，包括：薄膜晶体管；以及发光装置，其中薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且发光装置的第一电极与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
如本文使用的术语“中间层”是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或所有层。包含在“中间层”中的材料可以是有机材料、无机材料或其任意组合。
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层150和第二电极190。
在下文，将结合附图描述根据实施方案的发光装置10的结构以及制造发光装置10的方法。
第一电极110
在附图中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极190上方。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，促进空穴注入的具有高功函的材料可以用作用于形成第一电极110的材料。
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。在一个实施方案中，当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)及其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以是镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。
第一电极110可以具有包括单个层(或由单个层组成)的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但第一电极110的结构不限于此。
中间层150
中间层150可以位于第一电极110上。中间层150可以包括发射层。
中间层150可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极190之间的电子传输区。
除了各种适合的有机材料之外，中间层150可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
中间层150中的空穴传输区
空穴传输区可以具有i)单层结构，其包括以下(或由以下组成)：包含单一材料(或由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括以下(或由以下组成)：包含多种不同材料(或由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。如以上描述，空穴传输区可以包括包含电荷产生材料的空穴传输层，而不是空穴注入层。
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中在每种结构中，各层从第一电极110依次堆叠，但本公开内容的实施方案不限于此。
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以各自独立地是取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
L205可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基基团、取代或未取代的C2-C20亚烯基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可以各自独立地是0、1、2或3(例如，0、1或2)，
xa5可以是1至10的整数(例如，1、2、3或4)，以及
R201至R204和Q201可以各自独立地是取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
例如，在式202中，R201和R202可以任选地经由单键、二甲基-亚甲基基团或二苯基-亚甲基基团彼此连接，以及R203和R204可以任选地经由单键、二甲基-亚甲基基团或二苯基-亚甲基基团彼此连接。
在一个实施方案中，i)式201中的R201至R203中的至少一个和ii)式202中的R201至R204中的至少一个可以各自独立地是各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C1-C10烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、萘基基团、菲基基团、茚基基团、芴基基团、二甲基芴基基团、二苯基芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二甲基苯并芴基基团、二苯基苯并芴基基团、茚并菲基基团、二甲基茚并菲基基团、二苯基茚并菲基基团、吡啶基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯基吲哚基基团、苯并吲哚基基团、苯基苯并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯基异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、苯基苯并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、二甲基苯并噻咯基基团、二苯基苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、苯基咔唑基基团、联苯基咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二甲基二苯并噻咯基基团、二苯基二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团和二苯并呋喃基基团中的至少一个取代的芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、吡啶基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团或二苯并呋喃基基团，但本公开内容的实施方案不限于此。
在一个实施方案中，由式201或式202表示的化合物可以包含至少一个咔唑基团。
在一个或多于一个的实施方案中，由式201表示的化合物可以不包含咔唑基团。
在一个实施方案中，空穴传输区可以包含选自m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的至少一种：
空穴传输区的厚度可以是约
至约
例如，约
至约
当空穴传输区包括选自空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可以是约
至约
例如，约
至约
并且空穴传输层的厚度可以是约
至约
例如，约
至约
当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得适合的或令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
发射辅助层可以通过参考以上提供的其描述来理解。
电子阻挡层可以用于防止或减少来自电子传输区的电子注入。电子阻挡层可以包含如以上描述的材料。
p-掺杂剂
除了以上描述的材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导(例如，导电)性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中。
电荷产生材料可以是，例如，p-掺杂剂。
在一个实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是约-3.5eV或小于-3.5eV。
p-掺杂剂可以通过参考以上提供的其描述来理解。
例如，p-掺杂剂可以用于包含电荷产生材料的空穴传输层。
中间层150中的发射层
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触(例如，物理接触)或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含选自发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。然而，本公开内容的实施方案不限于此。
在一个实施方案中，发射层可以包含量子点。
发射层的厚度可以是约
至约
例如，约
至约
当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。
发射层中的主体
主体可以包括由式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301可以是取代或未取代的C5-C60碳环基团或者取代或未取代的C1-C60杂环基团，
xb11可以是1、2或3，
L301可以是取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
xb1可以是0、1、2、3、4或5，
R301可以是氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以是1、2、3、4或5，以及
Q301至Q303与关于Q11描述的相同。
例如，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar301可以经由单键彼此连接。
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或任意组合：
式301-1
式301-2
在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以各自独立地是C5-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
X301可以是O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
L301、xb1和R301与以上描述的相同，
L302至L304可以各自独立地与关于L301描述的相同，
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
R302至R305和R311至R314可以各自独立地与关于R301描述的相同。
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。例如，主体可以是Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。
在一个实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H120、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此：
在中间层150中的发射层中包含的磷光掺杂剂
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属(例如，中心金属原子)。
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
磷光掺杂剂可以是电中性的。
例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2
式402
在式401和式402中，
M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L401可以彼此相同或不同，
L402可以是有机配体，xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L402可以彼此相同或不同，
X401和X402可以各自独立地是氮或碳，
环A401和环A402可以各自独立地是C5-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
T401可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，
X403和X404可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414可以各自独立地与关于Q11描述的相同，
R401和R402可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、取代或未取代的C1-C20烷基基团、取代或未取代的C1-C20烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，
Q401至Q403可以各自独立地与关于Q11描述的相同，
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。
在一个或多于一个的实施方案中，在式402中，i)X401可以是氮，并且X402可以是碳，或ii)X401和X402中的每一个可以是氮。
在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L401中的两个环A401可以任选地经由作为连接基团的T402彼此连接，或者两个或多于两个的L401中的两个环A402可以任选地经由作为连接基团的T403彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T402和T403可以各自独立地与关于T401描述的相同，
式401中的L402可以是有机配体。例如，L402可以是卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦基团或亚磷酸酯基团)或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。
磷光掺杂剂可以包括，例如，以下化合物PD1至化合物PD25中的一种或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此：
发射层中的荧光掺杂剂
荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。
例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
式501
在式501中，
Ar501可以是取代或未取代的C5-C60碳环基团或者取代或未取代的C1-C60杂环基团，
L501至L503可以各自独立地是取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
xd1至xd3可以各自独立地为0、1、2或3，
R501和R502可以各自独立地是取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
例如，式501中的Ar501可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合的稠合环状环(例如，蒽基团、
基团、芘基团等)。
在一个实施方案中，式501中的xd4可以是2，但本公开内容的实施方案不限于此。
例如，荧光掺杂剂可以包括以下化合物FD1至化合物FD36、DPVBi、DPAVBi中的一种或其任意组合：
发射层中的量子点
发射层可以包含量子点。
在本说明书中，术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸发射不同长度的发射波长的任何材料。因此，量子点材料没有特别限制。量子点的直径没有特别限制，但可以是，例如，约1nm至约10nm。
可以通过湿法化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺和/或类似的工艺合成布置在发射层中的量子点。
根据湿法化学工艺，将前体材料添加至有机溶剂以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂用作自然地配位至量子点晶体的表面的分散剂并且控制晶体的生长。在这点上，与气相沉积工艺、如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)相比，可以容易地进行湿法化学工艺，并且通过低成本工艺，可以控制量子点颗粒的生长。
在一个实施方案中，量子点可以包括：III-VI族半导体化合物；II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或其任意组合。
例如，III-VI族半导体化合物可以包括：二元化合物，例如In2S3；三元化合物，例如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2等；或其任意组合。
例如，II-VI族半导体化合物可以包括：二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等；或其任意组合。
例如，III-V族半导体化合物可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或其任意组合。
例如，IV-VI族半导体化合物可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或其任意组合。
例如，IV族元素或化合物可以包括：单一元素，例如Si、Ge等；二元化合物，例如SiC、SiGe等；或其任意组合。
包含在二元化合物、三元化合物或四元化合物中的每种元素可以以均匀的或基本上均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以其中浓度分布部分地不同的状态存在于同一颗粒中。例如，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以沿着颗粒内的浓度梯度变化的浓度存在于颗粒中。
在一个实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中包含在相应量子点中的每种元素以均匀的或基本上均匀的浓度存在，或者可以具有核-壳双重结构。例如，包含在核中的材料可以不同于包含在壳中的材料。
量子点的壳可以通过防止或减少核的化学退化或降解而用作用于保持半导体特性的保护层，和/或可以用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单个层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向量子点的中心降低。
量子点的壳的实例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其任意组合。例如，金属或非金属的氧化物可以包括二元化合物(例如，SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO)或三元化合物(例如，MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4)，但本公开内容的实施方案不限于此。此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本公开内容的实施方案不限于此。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm。当量子点的发射波长光谱的FWHM在该范围内时，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，通过此类量子点发射的光可以全向照射，从而改善广视角。
此外，量子点可以是例如球形、角锥形、多臂或立方形纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米板颗粒，但本公开内容的实施方案不限于此。
通过调节量子点的尺寸，也可以调节能带间隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。更详细地，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，通过配置量子点的尺寸来组合各种颜色的光，以便发射白色光。
中间层150中的电子传输区
电子传输区可以具有i)单层结构，其包括以下(或由以下组成)：包含单一材料(或由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括以下(或由以下组成)：包含多种不同材料(或由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。
例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中对于各结构，构成层从发射层依次堆叠。然而，电子传输区的结构的实施方案不限于此。
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个可以容易地接收电子的含缺π电子的氮的环状基团的无金属化合物。
“含缺π电子的氮的环状基团”可以是具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基团。
例如，“含缺π电子的氮的环状基团”可以是i)第一环，ii)其中两个或多于两个的第一环彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个第一环和至少一个第二环稠合的稠合环状基团，其中第一环是包含至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的杂单环基团(例如，咪唑基团、吡啶基团、三嗪基团等)，并且第二环是不包含*-N＝*'部分作为成环部分的环状基团(例如，苯基团、二苯并呋喃基团、咔唑基团等)。
含缺π电子的氮的环状基团的实例是吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、苯并喹啉基团、异喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、噌啉基团、菲咯啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团和咪唑并哒嗪基团，但本公开内容的实施方案不限于此。
例如，电子传输区可以包含由式601表示并且包含至少一个含缺π电子的氮的环状基团的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可以是取代或未取代的C5-C60碳环基团或者取代或未取代的C1-C60杂环基团，
xe11可以是1、2或3，
L601可以是取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团、或者取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
R601可以是取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可以各自独立地与关于Q11描述的相同，以及
xe21可以是1、2、3、4或5。
例如，式601的Ar601、L601和R601中的至少一个可以各自独立地包含至少一个含缺π电子的氮的环。
在一个或多于一个的实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar601可以经由单键彼此连接。
在一个实施方案中，式601中的Ar601可以是取代或未取代的蒽基团。
在一个实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
式601-1
在式601-1中，
X614可以是N或C(R614)，X615可以是N或C(R615)，X616可以是N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可以是N，
L611至L613可以各自与关于L601描述的相同，
xe611至xe613可以各自与关于xe1描述的相同，
R611至R613可以各自与关于R601描述的相同，以及
R614至R616可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团。
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
电子传输区可以包含以下化合物ET1至化合物ET36、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ中的一种或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此：
缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可以各自独立地是约
至约
例如，约
至约
当缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的空穴阻挡特性或优异的电子控制特性，而没有驱动电压的显著增加。
电子传输层的厚度可以是约
至约
例如，约
至约
当电子传输层的厚度在以上描述的范围内时，电子传输层可以具有适合的或令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以是羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。
例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括，例如，化合物ET-D1(LiQ)或化合物ET-D2：
电子传输区可以包括促进来自第二电极190的电子注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触(例如，物理接触)第二电极190。
电子注入层可以具有i)单层结构，其包括以下(或由以下组成)：包含单一材料(或由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括以下(或由以下组成)：包含多种不同材料(或由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)，或其任意组合。
含碱金属的化合物可以是碱金属氧化物(例如Li2O、Cs2O或K2O)和碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(0<x<1)或BaxCa1-xO(0<x<1)。含稀土金属的化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其任意组合。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)连接至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。
电子注入层包含以下(或由以下组成)：碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合，或者可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
电子注入层的厚度可以是约
至约
例如，约
至约
当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，电子注入层可以具有适合的或令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
第二电极190
第二电极190可以位于具有此类结构的中间层150上。第二电极190可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于形成第二电极190的材料。
第二电极190可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO、IZO或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。第二电极190可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极190可以具有单层结构、或者包括两层或多于两层的多层结构。
覆盖层
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极190外部。更详细地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层150和第二电极190以此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层150、第二电极190和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层150、第二电极190和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构。
在发光装置10的中间层150的发射层中产生的光可以通过第一电极110和第一覆盖层朝向外部引出，第一电极110和第一覆盖层中的每一个可以是半透射的或透射的，或者在发光装置10的中间层150的发射层中产生的光可以通过第二电极190和第二覆盖层朝向外部引出，第二电极190和第二覆盖层中的每一个可以是半透射的或透射的。
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发光效率。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。在一个实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含选自化合物HT28至化合物HT33、化合物CP1至化合物CP5、及其任意组合的化合物，但本公开内容的实施方案不限于此：
设备
发光装置可以被包括在各种适合的设备中。例如，可以提供包括发光装置的发光设备、验证设备或电子设备。
除了发光装置之外，发光设备可以进一步包括滤色器。滤色器可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。发光装置可以通过参考以上提供的其描述来理解。
发光设备可以包含第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，并且滤色器可以包括对应于多个子像素区域的多个滤色器区域。
像素限定膜可以位于多个子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。
滤色器可以进一步包括位于多个滤色器区域之间的光阻挡图案。
多个滤色器区域可以包括：发射第一颜色光的第一滤色器区域；发射第二颜色光的第二滤色器区域；和/或发射第三颜色光的第三滤色器区域，并且第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。例如，多个滤色器区域可以各自包含量子点，但本公开内容的实施方案不限于此。更详细地，第一滤色器区域可以包含红色量子点，第二滤色器区域可以包含绿色量子点，并且第三滤色器区域可以不包含量子点。量子点可以通过参考以上提供的其描述来理解。第一滤色器区域、第二滤色器区域和/或第三滤色器区域可以各自包括散射物，但本公开内容的实施方案不限于此。
例如，发光装置可以发射第一光，第一滤色器区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二滤色器区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三滤色器区域可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在这点上，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。更详细地，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。
除了如以上描述的发光装置10之外，发光设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以与发光装置的第一电极和第二电极中的任一个电联接。
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘层等。
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等，但本公开内容的实施方案不限于此。
发光设备可以进一步包括用于密封发光装置10的密封部。密封部可以位于滤色器与发光装置10之间。密封部允许来自发光装置10的光被引出至外部，同时并举地(或同时地)防止或减少外部空气和/或湿气渗透进入发光装置10中。密封部可以是包括透明玻璃或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括多个有机层和/或多个无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，发光设备可以是柔性的。
发光设备可以用作各种适合的显示器、光源等。
验证设备可以是，例如，用于通过使用生物测量体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测量信息来验证个体的生物测量验证设备。
除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
电子设备可以应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ECG)显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等，但本公开内容的实施方案不限于此。
制备方法
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层。
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，考虑到待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
至约
的沉积速度进行沉积。
当通过旋涂形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，考虑到待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速率和以约80℃至约200℃的热处理温度进行旋涂。
至少一些取代基的一般定义
如本文使用的术语“C1-C60烷基基团”是指具有1个至60个碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基基团”是指具有与C1-C60烷基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基基团”是指在C2-C60烷基基团的主链(例如，中间)处或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基基团”是指具有与C2-C60烯基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基基团”是指在C2-C60烷基基团的主链(例如，中间)处或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基基团”是指具有与C2-C60炔基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基基团”是指由-OA101(其中A101为C1-C60烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的一价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团、双环[2.2.1]庚基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基基团”是指具有与C3-C10环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基基团”是指含有杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任意组合)作为成环原子的具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基基团”是指具有与C1-C10杂环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性(例如，非芳香族)的单价单环基团，并且其非限制性实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基基团”是指具有与C3-C10环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基基团”是指含有杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任意组合)作为成环原子的具有1个至10个碳原子的单价环状基团，其中环具有至少一个双键。C1-C10杂环烯基基团的实例是4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烯基基团”是指具有与C1-C10杂环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C6-C60亚芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。C6-C60芳基基团的实例是苯基基团、庚搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当C6-C60芳基基团和C6-C60亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，该两个或多于两个的环可以彼此接合(fused)(例如，结合在一起)。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基基团”是指具有作为成环原子的杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任意组合)和1个至60个碳原子的单价杂环芳香族体系，并且如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基基团”是指具有作为成环原子的杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任意组合)和1个至60个碳原子的二价杂环芳香族体系。C1-C60杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C1-C60杂芳基基团和C1-C60亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，该两个或多于两个的环可以彼此稠合(例如，结合在一起)。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基基团”是指-OA102(其中A102为C6-C60芳基基团)，并且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基基团”是指-SA103(其中A103为C6-C60芳基基团)。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子)，其具有彼此稠合(例如，结合在一起)的两个或多于两个的环、仅包含碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不是芳香族的)。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指其中两个或多于两个的环彼此稠合(例如，结合在一起)的单价基团，其包含除了碳之外的杂原子(例如，N、O、Si、P和S或其任意组合)作为成环原子并且其在其整个分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不是芳香族的)。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例是吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C5-C60碳环基团”是指仅包含碳作为成环原子并且包含5个至60个碳原子(或由5个至60个碳原子组成)的单环基团或多环基团。C5-C60碳环基团可以是芳香族碳环基团或非芳香族碳环基团。C5-C60碳环基团可以是化合物(例如苯)、单价基团(例如苯基基团)或二价基团(例如亚苯基基团)。在一个或多于一个的实施方案中，取决于连接至C5-C60碳环基团的取代基的数量，C5-C60碳环基团可以是三价基团或四价基团。
C5-C60碳环基团的实例是环戊二烯基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、
基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团和茚并蒽基团。
如本文使用的术语“C1-C60杂环基团”是指包含1个至60个碳原子和除了碳之外的作为成环原子的杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任意组合)的单环基团或多环基团。C1-C60杂环基团可以是芳香族杂环基团或非芳香族杂环基团。C1-C60杂环基团可以是化合物(例如吡啶)、单价基团(例如吡啶基基团)或二价基团(例如亚吡啶基基团)。在一个或多于一个的实施方案中，取决于连接至C1-C60杂环基团的取代基的数量，C1-C60杂环基团可以是三价基团或四价基团。
C1-C60杂环基团的实例是吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、苯并喹啉基团、异喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、噌啉基团、菲咯啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基团。
取代的C5-C60碳环基团、取代的C1-C60杂环基团、取代的C1-C60亚烷基基团、取代的C2-C60亚烯基基团、取代的C3-C10亚环烷基基团、取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代的C3-C10亚环烯基基团、取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代的C6-C60亚芳基基团、取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代的二价非芳香族稠合多环基团、取代的二价非芳香族稠合杂多环基团、取代的C1-C60烷基基团、取代的C2-C60烯基基团、取代的C2-C60炔基基团、取代的C1-C60烷氧基基团、取代的C3-C10环烷基基团、取代的C1-C10杂环烷基基团、取代的C3-C10环烯基基团、取代的C1-C10杂环烯基基团、取代的C6-C60芳基基团、取代的C6-C60芳氧基基团、取代的C6-C60芳硫基基团、取代的C1-C60杂芳基基团、取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代的单价非芳香族稠合杂多环基团的取代基可以各自是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)或-P(＝O)(Q11)(Q12)取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)或-P(＝O)(Q21)(Q22)取代的C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团或单价非芳香族稠合杂多环基团；
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)；或者
其任意组合。
在本说明书中，Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团或三联苯基基团。
如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“But”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被C6-C60芳基基团取代的C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用B代替A”指示使用等摩尔当量的B代替A。
实施例
发光装置的制造
比较例1
将
玻璃衬底(阳极)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。然后，将ITO玻璃衬底提供至真空沉积设备。
在ITO玻璃衬底上，将化合物HT1和p-掺杂剂(HAT-CN)以1:0.1的重量比真空沉积以形成具有
的厚度的p-掺杂的空穴传输层，并且然后将作为用于形成空穴传输层的化合物的化合物HT1真空沉积在其上以形成具有
的厚度的空穴传输层。
在空穴传输层上，将化合物1和p-掺杂剂(HAT-CN)以1:0.1的重量比形成至
的厚度，并且然后将化合物1真空沉积在其上以形成具有
的厚度的发射辅助层。
在发射辅助层上，将作为单一主体的mCP和掺杂剂(PD13)以90:10的重量比共沉积以形成具有
的厚度的发射层。
接着，将作为用于形成电子传输层的化合物的TSPO1形成在发射层上以形成具有
的厚度的电子传输层，并且将作为用于形成电子注入层的化合物的TPBI形成在其上以形成具有
的厚度的电子注入层。
将AgMg真空沉积在电子注入层上以形成具有
(10％)的厚度的阴极，从而完成有机发光装置的制造。
比较例2
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射辅助层时，仅使用化合物1而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
比较例3
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射辅助层时，使用化合物2代替化合物1。
比较例4
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射辅助层时，仅使用化合物2而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
比较例5
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射辅助层时，仅以5:5的重量比使用化合物1和化合物2而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
比较例6
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射辅助层时，仅以5:5的重量比使用化合物1和化合物3而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
比较例7
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射辅助层时，仅以5:5的重量比使用化合物2和化合物4而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
比较例8
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体。
比较例9
以与比较例2中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体。
比较例10
以与比较例3中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体。
比较例11
以与比较例4中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体。
比较例12
以与比较例6中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体。
比较例13
以与比较例7中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体。
比较例14
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用NPB以形成空穴传输层，使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体以形成发射层，以及仅以5:5的重量比将化合物HT2和化合物2-21用于形成发射辅助层而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
实施例1
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成发射层时使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体，并且在空穴传输层上，仅以5:5的重量比使用化合物1和化合物2而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
实施例2
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用包括7:3的重量比的HT和ET的预混合的主体代替单一主体以形成发射层，并且在空穴传输层上仅以5:5的重量比使用化合物5和化合物6而不使用p-掺杂剂以形成具有
的厚度的发射辅助层。
化合物HT1和化合物1至化合物6的HOMO能级如下：
化合物HT1：5.11eV
化合物1：5.45eV
化合物2：5.24eV
化合物3：5.30eV
化合物4：5.55eV
化合物5：5.22eV
化合物6：5.41eV
为了评价根据比较例1至比较例14以及实施例1和实施例2制造的发光装置的特性，测量在10mA/cm2的电流密度下的驱动电压、效率和使用寿命。
通过使用源表(吉时利仪器公司(Keithley Instrument Company)，2400系列)测量发光装置的驱动电压和电流密度，并且通过使用由滨松光子公司(HAMAMATSU PhotonicsCompany)制造的测量仪测量发光装置的效率。
表1
参考表1，可以看出，与比较例1至比较例14的发光装置相比，实施例1和实施例2的发光装置显示出优异的结果。
根据一个或多于一个的实施方案，与其中在发射辅助层中包含p-掺杂剂的发光装置相比，其中在发射辅助层中不包含p-掺杂剂的发光装置表现出相等或更好的结果。
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性意义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。
Claims (10)
1.发光装置，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；以及
位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，所述中间层包括：
i)位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，以及
ii)位于所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，
其中所述空穴传输区包括两个层，所述两个层各自包含化合物A组、化合物B组或其任意组合，
所述化合物A组包含一个或两个胺基团，并且所述胺基团包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合，以及
所述化合物B组不包含胺基团，并且包含芴部分、咔唑部分、二苯并呋喃部分、二苯并噻吩部分、二苯并噻咯部分或其任意组合。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，以及
所述空穴传输区进一步包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，以及
所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述两个层分别是空穴传输层和发射辅助层。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述两个层分别是空穴传输层和发射辅助层，
所述空穴传输层包含选自所述化合物A组、所述化合物B组和其任意组合的化合物HTM，
所述发射辅助层包含选自所述化合物A组、所述化合物B组和其任意组合的辅助化合物1和辅助化合物2，
所述化合物HTM、所述辅助化合物1和所述辅助化合物2彼此不同，
所述化合物HTM、所述辅助化合物1和所述辅助化合物2的最高占据分子轨道HOMO能级满足以下不等式(1)和不等式(2)：
不等式(1)
0eV<EHOMO_化合物HTM-EHOMO_辅助化合物2≤0.15eV
不等式(2)
|EHOMO_辅助化合物1-EHOMO_辅助化合物2|≤0.20eV。
6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射辅助层不包含p-掺杂剂。
7.如权利要求5所述的发光装置，其中化合物HTM是以下化合物中的一种：
8.如权利要求5所述的发光装置，其中辅助化合物1和辅助化合物2各自是以下化合物中的一种：
9.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射辅助层与所述发射层接触。
10.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射辅助层与所述空穴传输层接触。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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