CN112993174A - 发光装置和包括其的平板显示设备 - Google Patents

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成始珍
兪智娜
金仙花
金在弘
丁憙星
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Abstract

本申请公开了发光装置和包括其的平板显示设备。该发光装置包括：基板，包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；分别在基板的第一子像素、第二子像素和第三子像素中的多个第一电极；面向第一电极的第二电极；位于多个第一电极和第二电极之间的发射层；多个第一电极和发射层之间的空穴注入层；空穴注入层和发射层之间的第一公共层，第一公共层相对于第一子像素、第二子像素和第三子像素整体形成；空穴注入层和第一公共层之间的第二公共层，第二公共层相对于第一子像素、第二子像素和第三子像素整体形成，其中第一公共层和第二公共层满足某些条件。特别地，第一公共层由蓝色主体组成，且蓝色主体满足方程式1和方程式2：方程式1|EHOMO_BH|>|EHOMO_REML|方程式2|EHOMO_BH|>|EHOMO_GEML|。

Description

发光装置和包括其的平板显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0166005的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置和包括其的平板显示设备。
背景技术
发光装置包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的发射层。由阳极提供的空穴和由阴极提供的电子在发射层中复合以产生激子，其从激发态跃迁至基态，从而产生光。
发光装置可在低电压下驱动且可配置为轻的和薄的(轻薄的)，并且在视角、对比度和/或响应速度方面具有优异的特性。相应地，发光装置可用于个人便携式装置，比如MP3播放器和/或便携式电话以及TV中。
发明内容
在包括公共层的相关领域的发光装置中，通常包括堆叠的具有不同颜色的两个发射层，并且在两个发射层之间插入夹层以防止颜色混合。
尽管夹层用作单个装置中的空穴注入层和空穴传输层，因为夹层直接接触发射层，所以辅助层可不存在其中(被包括在其中)。此外，由于缺乏辅助层，驱动电压由于高的空穴注入势垒而增加，且从发射层进入夹层的电子未被阻挡，从而导致颜色混合和寿命减少。
另外，当电子和空穴注入至两个不同的发射层中时，存在电子和空穴甚至在穿过公共层时不应发射光的限制(例如，要求)。就此而言，在相关领域中，电子可穿过不同于公共层的两个不同发射层之间的夹层，且夹层被设计为防止电子朝向空穴传输区移动，因此未移动至其他发射层的电子在公共层中发射光。
相应地，其他发射层可发射公共层的颜色的光，即，可发生颜色混合。
本公开目的在于解决包括上述问题的各种问题且目的在于提供具有减少的颜色混合现象的发光装置。
另外的方面将部分在接下来的描述中阐释，并且部分将从描述中显而易见，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而认识到。
根据本公开的实施方式，提供的是发光装置，发光装置包括：基板，包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，
分别在基板的第一子像素、第二子像素和第三子像素中的多个第一电极，
面向第一电极的第二电极，
第二电极和多个第一电极之间的发射层，发射层包括在第一子像素中的发射第一颜色光的第一发射层、在第二子像素中的发射第二颜色光的第二发射层和在第三子像素中的发射第三颜色光的第三发射层，
发射层和多个第一电极之间的空穴注入层，
空穴注入层和发射层之间的第一公共层，第一公共层相对于第一子像素、第二子像素和第三子像素整体形成，
空穴注入层和第一公共层之间的第二公共层，第二公共层相对于第一子像素、第二子像素和第三子像素整体形成，
其中第一颜色光为红光，第二颜色光为绿光，第三颜色光为蓝光，
第一公共层基本上由蓝色主体组成，并且
蓝色主体满足下面方程式1和方程式2。
方程式1
|EHOMO_BH|>|EHOMO_REML|
方程式2
|EHOMO_BH|>|EHOMO_GEML|。
在方程式1和方程式2中，|EHOMO_BH|为蓝色主体的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值，且|EHOMO_REML|和|EHOMO_GEML|分别为第一发射层和第二发射层的HOMO能级的绝对值。
在实施方式中，第一公共层可不发射光。
在实施方式中，蓝色主体的HOMO能级和最低未占分子轨道(LUMO)能级之间的间隙可为约2.8eV或更大。
在实施方式中，第三发射层的阈值电压(Vth)可大于第一发射层的阈值电压和第二发射层的阈值电压中的每个。
在实施方式中，第一发射层可包括第一主体，第二发射层可包括第二主体，且第三发射层可包括第三主体。
在实施方式中，第三主体和蓝色主体可彼此相同或不同。
在实施方式中，第一公共层可直接接触发射层。
在实施方式中，第二公共层可直接接触第一公共层。
在实施方式中，第二公共层可直接接触空穴注入层。
在实施方式中，第二公共层可不同于空穴注入层。
在实施方式中，第二公共层可包括空穴注入材料。
在实施方式中，空穴注入材料可包括选自由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种。
式201
Figure BDA0002830164120000031
式202
Figure BDA0002830164120000032
在式201和式202中，
L201至L204可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
L205可选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
xa5可为选自1至10的整数，
R201至R204和Q201可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的C1-C20亚烷基、取代的C2-C20亚烯基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基，
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)，
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)，以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
在实施方式中，第一公共层的厚度可在约
Figure BDA0002830164120000051
至约
Figure BDA0002830164120000052
的范围内。
在实施方式中，第二公共层的厚度可在约
Figure BDA0002830164120000053
至约
Figure BDA0002830164120000054
的范围内。
在实施方式中，空穴注入层可进一步包括p-掺杂剂。
在一个实施方式中，p-掺杂剂可包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的至少一种。
在实施方式中，发光装置可进一步包括空穴注入层和发射层之间的空穴传输层。
在实施方式中，发光装置可进一步包括发射层和第二电极之间的电子传输区。
在一个实施方式中，多个第一电极可为阳极，并且
第二电极可为阴极。
根据本公开的另一实施方式，提供的是包括薄膜晶体管和发光装置的平板显示设备，薄膜晶体管包括源电极、漏电极和有源层，其中发光装置的多个第一电极中的一个或多个电连接至选自源电极和漏电极中的一个。
附图说明
本公开的某些实施方式的上面和其他方面、特征和优势将从结合附图的以下描述中更显而易见，其中：
图1为根据本公开的实施方式的发光装置的结构的示意性横截面图；
图2为根据实施例1和比较例1的发光装置的发射光谱的一部分；
图3是示出根据实施例1和比较例2制造的发光装置的红色发射区域中的电流-电压-亮度(IVL)特性的图；和
图4是示出根据实施例1以及比较例1和3制造的发光装置的漏电流比率的图。
具体实施方式
现将更详细地参考实施方式，其实例在附图中阐释，其中贯穿全文相同的附图标记指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同形式且不应解释为限于本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考图描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，全部的a、b和c，或其变体。表述比如“……中的一个”、“选自……”和“选自……中的至少一个”，当在一列元件之前时，修饰整个列的元件而不修饰列的个体元件。进一步，当描述本公开的实施方式时，使用“可”指“本公开的一个或多个实施方式”。
由于本公开允许各种改变和许多实施方式，特别的实施方式将阐释在附图中并以书面描述来更详细地描述。本公开的效果和特征以及实现它们的方法将参考结合附图在下面更详细描述的实施方式而显而易见。然而，本公开可体现为许多不同的形式且不应解释为限于本文陈述的示例性实施方式。
下文，将参考附图更详细地描述本公开的实施方式。相同或相应的组件将通过相同的附图标记表示，因此将不提供其冗余的描述。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一个组件。
如本文使用的，单数形式“一个”、“一种”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
将进一步理解，本文使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在叙述的特征或组件，但是不排除一个或多个其他特征或组件的存在或添加。
在以下实施方式中，当各种组件比如层、膜、区域、板等被称为在另一组件“上”时，这可不仅包括其中其他组件“就(或直接)”在层、膜、区域或板“上”(没有任何其他组件在其之间)的情况，而且也包括其中其他组件可放置在其之间的情况。为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，附图中组件的尺寸和厚度被任意地阐释，本公开的以下实施方式不限于此。
图1为根据本公开的实施方式的发光装置10的结构的示意性横截面图。
参考图1，根据实施方式的发光装置10包括：基板，包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3；多个第一电极110，分别布置在基板的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中；第二电极190，面向第一电极110；发射层150，位于第一电极110和第二电极190之间并包括第一发射层150a、第二发射层150b和第三发射层150c，第一发射层150a位于第一子像素SP1中并发射(例如，配置为发射)第一颜色光，第二发射层150b位于第二子像素SP2中并发射(例如，配置为发射)第二颜色光，第三发射层150c位于第三子像素SP3中并发射(例如，配置为发射)第三颜色光；空穴注入层131，在第一电极110和发射层150之间；第一公共层140，位于空穴注入层131和发射层150之间并相对于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3整体形成；以及第二公共层132，位于空穴注入层131和第一公共层140之间并相对于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3整体形成，其中第一颜色光为红光，第二颜色光为绿光，第三颜色光为蓝光，第一公共层140包括蓝色主体(例如，由蓝色主体组成)，且蓝色主体为满足方程式1和方程式2的材料。
方程式1
|EHOMO_BH|>|EHOMO_REML|
方程式2
|EHOMO_BH|>|EHOMO_GEML|
在方程式1和方程式2中，|EHOMO_BH|为蓝色主体的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值，且|EHOMO_REML|和|EHOMO_GEML|分别为第一发射层150a和第二发射层150b的HOMO能级的绝对值。
在本实施方式中，第一公共层140不发射光。
在本实施方式中，蓝色主体的HOMO能级和最低未占分子轨道(LUMO)能级之间的间隙为2.8eV或更大。例如，蓝色主体的HOMO能级和LUMO能级之间的间隙在约3.0eV至约3.3eV的范围内。
在本实施方式中，第三发射层150c的阈值电压(Vth)大于第一发射层150a的阈值电压和第二发射层150b的阈值电压。
在本实施方式中，第一发射层150a包括第一主体，第二发射层150b包括第二主体，且第三发射层150c包括第三主体。
在本实施方式中，第三主体和蓝色主体彼此相同或不同。例如，第三主体和蓝色主体可彼此相同。
在本实施方式中，第一公共层140直接接触发射层150。
在本实施方式中，第二公共层132直接接触第一公共层140。
在本实施方式中，第二公共层132直接接触空穴注入层131。
在本实施方式中，第二公共层132不同于空穴注入层131。第二公共层132包括空穴注入材料。
空穴注入材料可包括选自由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：
式201
Figure BDA0002830164120000081
式202
Figure BDA0002830164120000082
在式201和式202中，
L201至L204可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
L205可选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
xa5可为选自1至10的整数，
R201至R204和Q201可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的C1-C20亚烷基、取代的C2-C20亚烯基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
在本实施方式中，第一公共层140的厚度在约
Figure BDA0002830164120000091
至约
Figure BDA0002830164120000092
的范围内。
在本实施方式中，第二公共层132的厚度在约
Figure BDA0002830164120000093
至约
Figure BDA0002830164120000094
的范围内。
在一个实施方式中，发光装置10可进一步包括空穴注入层131和发射层150之间的空穴传输层，并可进一步包括发射层150和第二电极190之间的电子传输区。下面更详细地描述层。
在本实施方式中，第一公共层140相对于第一子像素至第三子像素(SP1、SP2和SP3)整体形成。
在包括R/G/B子像素(例如，由R/G/B子像素组成)的发光装置中，各个子像素的阈值电压彼此不同。相应地，当初始驱动条件不同时，其他(例如，非期望的)颜色的光由于漏电流而发射，且在主发射子像素的驱动条件下，横向上的漏电流可产生其他(例如，非期望的)颜色的光。
在本实施方式中，与相关领域中的发光装置的结构不同，进一步提供第一公共层140。因此，各个子像素的初始驱动条件可同样地或类似地被调整，或者初始驱动特性可被调整以控制发射，从而防止或减少由漏电流导致的颜色混合。
因为第一公共层140不包括掺杂剂且仅包括蓝色主体(例如，由蓝色主体组成)，所以第一公共层140不有助于实际的发射。
另外，与发射(例如，配置为发射)红光的第一发射层150a和发射(例如，配置为发射)绿光的第二发射层150b相比，蓝色主体具有更深的HOMO能级，因此包括蓝色主体(例如，由蓝色主体组成)的第一公共层140可控制(或基本上控制)第一子像素至第三子像素(SP1、SP2和SP3)之间的空穴注入。
另外，第一公共层140不仅位于第一子像素SP1和第二子像素SP2中，而且也位于发射(例如，配置为发射)蓝光的第三子像素SP3中。因此，蓝色装置(例如，蓝色子像素)的特性的改变可最小化(或减少)，并且可同时(或同步)使用(或利用)绿色装置(例如，绿色子像素)和红色装置(例如，红色子像素)，使得简化装置的结构和减少单个沉积掩模的数量。
另外，包括蓝色主体(例如，由蓝色主体组成)的第一公共层140满足某些条件。相反，当对应于第一公共层140的层包括相关领域的电子传输材料或电子阻挡材料而不是蓝色主体时，可抑制或基本上减少空穴从第一公共层140注入至对应于蓝色装置(例如，蓝色子像素)的第三发射层150c。因此，驱动电压可增加，并且公共层的HOMO能级可与分别对应于红色、绿色和蓝色装置(例如，红色、绿色和蓝色子像素)的第一至第三发射层(150a、150b和150c)的主体材料的HOMO能级不匹配，从而导致防止漏电流的失败。
另外，第二公共层132位于空穴注入层131和第一公共层140之间。因此，可促进空穴从第一公共层140注入至空穴注入层131，使得可抑制或减少由于第一公共层140的插入而使驱动电压增加，并且可降低注入至分别对应于红色、绿色和蓝色装置(例如，红色、绿色和蓝色子像素)的第一至第三发射层(150a、150b和150c)中的空穴的非均匀性。
此外，第一公共层140和第二公共层132可各自具有约
Figure BDA0002830164120000111
至
Figure BDA0002830164120000112
的厚度，因此在横向上的电流注入和空穴注入可顺利平衡，并且对装置的总体特性的副作用可最小化或基本上减少。
下文更详细地描述本实施方式的发光装置10。
第一电极110
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极190上面。基板可为玻璃基板或塑料基板。
第一电极110可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的一种或多种材料而形成。当第一电极110为阳极时，能够容易注入空穴的高功函材料可用作用于第一电极110的材料。
第一电极110可各自独立地为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可为镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此。
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是第一电极110的结构不限于此。
夹层
夹层位于第一电极110上。夹层包括发射层150。
夹层可进一步包括第一电极110和发射层150之间的空穴传输区以及发射层150和第二电极190之间的电子传输区。
除了一种或多种有机材料之外，夹层可进一步包括含金属的化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。
夹层中的空穴传输区
空穴传输区可具有：i)由单个层(由单种材料组成)组成的单层结构，ii)由单个层(由多种不同材料组成)组成的单层结构，或iii)包括含有不同材料的多个层的多层结构。
除了图1中阐释的空穴注入层131之外，空穴传输区可包括选自空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个层。
例如，空穴传输区可具有多层结构，包括空穴注入层131/空穴传输层的结构、空穴注入层131/空穴传输层/发射辅助层的结构、空穴注入层131/发射辅助层的结构或空穴注入层131/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中，在每种结构中，层从第一电极110起依次堆叠，但是本公开的实施方式不限于此。
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
式201
Figure BDA0002830164120000121
式202
Figure BDA0002830164120000122
在式201和式202中，
L201至L204可各自独立地为取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团或取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
L205可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团或取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可各自独立地为0、1、2或3(例如，0、1或2)，
xa5可为选自1至10的整数(例如，1、2、3或4)，并且
R201至R204和Q201可各自独立地为取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团或取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。
在一个实施方式中，在式202中，R201和R202可任选地经单键、二甲基-亚甲基和/或二苯基-亚甲基连接，且R203和R204可任选地经单键、二甲基-亚甲基和/或二苯基-亚甲基连接。
在一个实施方式中，i)式201的R201至R203中的至少一个和/或ii)式202的R201至R204中的至少一个可各自独立地选自芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基，各自未取代的或各自被选自以下的至少一个取代的：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、菲基、茚基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二甲基苯并芴基、二苯基苯并芴基、茚并菲基、二甲基茚并菲基、二苯基茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯基吲哚基、苯并吲哚基、苯基苯并吲哚基、异吲哚基、苯基异吲哚基、苯并异吲哚基、苯基苯并异吲哚基、苯并噻咯基、二甲基苯并噻咯基、二苯基苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、苯基咔唑基、联苯基咔唑基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、二苯并噻吩基和二苯并呋喃基，但是本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，由式201或式202表示的化合物可包括至少一个咔唑基。
在一个实施方式中，由式201表示的化合物可不包括咔唑基。
由式201表示的化合物可由下面式201-1表示：
式201-1
Figure BDA0002830164120000131
在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201-2表示，但是本公开的实施方式不限于此：
式201-2
Figure BDA0002830164120000141
在一个或多个实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201-2(1)表示，但是本公开的实施方式不限于此：
式201-2(1)
Figure BDA0002830164120000142
由式201表示的化合物可由式201A表示：
式201A
Figure BDA0002830164120000143
在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201A(1)表示，但是本公开的实施方式不限于此：
式201A(1)
Figure BDA0002830164120000151
在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由式201A-1表示：
式201A-1
Figure BDA0002830164120000152
在一个实施方式中，由式202表示的化合物可由下面式202-1表示：
式202-1
Figure BDA0002830164120000153
在一个或多个实施方式中，由式202表示的化合物可由下面式202-1(1)表示：
式202-1(1)
Figure BDA0002830164120000161
由式202表示的化合物可由式202A表示：
式202A
Figure BDA0002830164120000162
在一个或多个实施方式中，由式202表示的化合物可由式202A-1表示：
式202A-1
Figure BDA0002830164120000163
在式201-1、式201-2、式201-2(1)、式201A、式201A(1)、式201A-1、式202-1、式202-1(1)、式202A、式202A-1中，
L201至L203、xa1至xa3、xa5和R202至R204与上述的相同，
L205可选自亚苯基和亚芴基，
X211可选自O、S和N(R211)，
X212可选自O、S和N(R212)，
R211和R212可各自独立地与R203限定的相同，并且
R213至R217可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
空穴传输区可包括以下中的一种：化合物HT1至HT44、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此：
Figure BDA0002830164120000171
Figure BDA0002830164120000181
Figure BDA0002830164120000191
Figure BDA0002830164120000201
Figure BDA0002830164120000211
空穴传输区的厚度可为约
Figure BDA0002830164120000212
至约
Figure BDA0002830164120000213
例如，约
Figure BDA0002830164120000214
至约
Figure BDA0002830164120000215
当空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可在约
Figure BDA0002830164120000216
至约
Figure BDA0002830164120000217
例如，约
Figure BDA0002830164120000218
至约
Figure BDA0002830164120000219
的范围内，且空穴传输层的厚度可在约
Figure BDA00028301641200002110
至约
Figure BDA00028301641200002111
例如，约
Figure BDA00028301641200002112
至约
Figure BDA00028301641200002113
的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围的任一个内时，在不显著增加驱动电压下可获得满意(或合适的)的空穴传输特性。
发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离而增加光发射效率，且电子阻挡层可阻挡或减少来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可包括如上述的材料中的任何一种。
p-掺杂剂
除了这些材料之外，空穴传输区可包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中。
电荷产生材料可为例如p-掺杂剂。
在一个实施方式中，p-掺杂剂的LUMO能级可为-3.5eV或更小。
p-掺杂剂可包括醌衍生物、金属氧化物、含氰基的化合物或其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，p-掺杂剂可包括：
醌衍生物，比如TCNQ和/或F4-TCNQ等；
金属氧化物，比如氧化钨和/或氧化钼；
含氰基的化合物，比如HAT-CN等；
由式221表示的化合物；或
其任何组合。
然而，本公开的实施方式不限于此：
Figure BDA0002830164120000221
式221
Figure BDA0002830164120000222
在式221中，
R221至R223可各自独立地为取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团或取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，且R221至R223中的至少一个可各自独立地为C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基，单价非芳族稠合多环基团或单价非芳族稠合杂多环基团，各自未取代的或各自被以下取代的：氰基、-F、-Cl、-Br、-I、被至少一个氰基取代的C1-C20烷基、被至少一个-F取代的C1-C20烷基、被至少一个-Cl取代的C1-C20烷基、被至少一个-Br取代的C1-C20烷基、被至少一个-I取代的C1-C20烷基或其任何组合。
夹层中的发射层150
发射层150包括第一发射层150a、第二发射层150b和第三发射层150c。
第一发射层150a、第二发射层150b和第三发射层150c可各自包括主体(分别包括第一主体至第三主体)和掺杂剂。掺杂剂可包括选自磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。掺杂剂可发射第一颜色光至第三颜色光。例如，第一颜色光至第三颜色光可各自独立地选自蓝光、红光和绿光。基于100重量份的主体，掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内，但是本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，发射层150可包括量子点。
第一发射层150a、第二发射层150b和第三发射层150c的厚度可各自独立地为约
Figure BDA0002830164120000231
至约
Figure BDA0002830164120000232
例如，约
Figure BDA0002830164120000233
至约
Figure BDA0002830164120000234
当第一发射层150a、第二发射层150b和第三发射层150c的厚度在这些范围的任一个内时，在不显著增加驱动电压下可获得优异的(或合适的)发光特性。
发射层150中的主体
蓝色主体和主体(例如，第一主体至第三主体)可各自独立地包括由式301表示的化合物。
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301可为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团，
xb11可为1、2或3，
L301可选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xb1可为选自0至5的整数，
R301可选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)和-P(＝O)(Q301)(Q302)，并且
xb21可为选自1至5的整数，
其中Q301至Q303可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，式301中的Ar301可选自：
萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施方式不限于此。
当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar301可经单键彼此连接。
在一个或多个实施方式中，由式301表示的化合物可由下面式301-1或式301-2表示：
式301-1
Figure BDA0002830164120000241
式301-2
Figure BDA0002830164120000242
在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可各自独立地选自苯环、萘环、菲环、荧蒽环、三亚苯基环、芘环、1,2-苯并菲环、吡啶环、嘧啶环，茚环、芴环、螺-二芴环、苯并芴环、二苯并芴环、吲哚环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、萘并呋喃环、苯并萘并呋喃环、二萘并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、萘并噻吩环、苯并萘并噻吩环和二萘并噻吩环，
X301可为O、S或N-[(L304)xb4-R304]，
R311至R314可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
L301、xb1、R301和Q31至Q33与本文描述的相同，
L302至L304可各自独立地与结合L301描述的相同，
xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同，并且
R302至R304可各自独立地与结合R301描述的相同。
例如，式301、式301-1和式301-2中的L301至L304可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基，亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33与本文描述的相同。
在一个实施方式中，式301、式301-1和式301-2中R301至R304可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33与本文描述的相同。
在一个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物。例如，主体可选自Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物和Zn络合物。
主体可包括选自9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)和下面化合物H1至H120中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此：
Figure BDA0002830164120000271
Figure BDA0002830164120000281
Figure BDA0002830164120000291
Figure BDA0002830164120000301
Figure BDA0002830164120000311
Figure BDA0002830164120000321
发射层150中的磷光掺杂剂
磷光掺杂剂可包括由下面式401表示的有机金属络合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2。
在式401中，
M可选自铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，
L401可为由式402表示的配体，且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个L401可彼此相同或不同，
L402可为有机配体，且xc2可为选自0至4的整数，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L402可彼此相同或不同，
式402
Figure BDA0002830164120000331
在式402中，X401至X404可各自独立地为氮或碳，
X401和X403可经单键或双键彼此连接，且X402和X404可经单键或双键彼此连接，
A401和A402可各自独立地为C5-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
X405可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，其中Q411和Q412可为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
X406可为单键、O或S，
R401和R402可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，其中Q401至Q403可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C20芳基和C1-C20杂芳基，
xc11和xc12可各自独立地为选自0至3的整数，并且
式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。
在一个实施方式中，式402中的A401和A402可各自独立地选自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并[c]噻吩基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)X401可为氮，且X402可为碳，或ii)X401和X402中的每个可为氮。
在一个或多个实施方式中，式402中的R401和R402可各自独立地选自：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基；
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
各自被选自以下的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，
其中Q401至Q403可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但是本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L401中的两个A401可任选地经连接基团X407彼此连接，或两个或更多个L401中的两个A402可任选地经连接基团X408彼此连接(见例如化合物PD1至PD4和PD7)。X407和X408可各自独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q413)-*'、*-C(Q413)(Q414)-*'或*-C(Q413)＝C(Q414)-*'(其中Q413和Q414可各自独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但是本公开的实施方式不限于此。
式401中的L402可为单价、二价或三价有机配体。例如，L402可选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸根)、-C(＝O)、异腈、-CN和含磷的材料(例如，膦和/或亚磷酸盐)，但是本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可选自例如下面化合物PD1至PD25，但是本公开的实施方式不限于此：
Figure BDA0002830164120000351
Figure BDA0002830164120000361
发射层150中的荧光掺杂剂
荧光掺杂剂可包括芳胺化合物或苯乙烯胺化合物。
荧光掺杂剂可包括由下面式501表示的化合物：
式501
Figure BDA0002830164120000362
在式501中，
Ar501可为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团，
L501至L503可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xd1至xd3可各自独立地为选自0至3的整数，
R501和R502可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
xd4可为选自1至6的整数。
在一个实施方式中，式501中的Ar501可选自：
萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，式501中的L501至L503可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基，亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基，亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
在一个或多个实施方式中，式501中的R501和R502可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
其中Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2，但是本公开的实施方式不限于此。
例如，荧光掺杂剂可选自下面化合物FD1至FD36：
Figure BDA0002830164120000381
Figure BDA0002830164120000391
Figure BDA0002830164120000401
Figure BDA0002830164120000411
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可选自以下化合物，但是本公开的实施方式不限于此。
Figure BDA0002830164120000412
发射层150中的量子点
发射层150可包括量子点。
在本说明书中，量子点指半导体化合物的晶体，且可以包括根据晶体的尺寸发射不同长度的发射波长的所有材料。相应地，用于量子点的材料不被特别限制。量子点的直径不被特别限制，但可为例如约1nm至约10nm。
布置在发射层中的量子点可通过使用湿化学工艺、金属-有机化合物化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺和/或与其类似的任何合适的工艺来合成。
在湿化学工艺中，将前体材料添加到有机溶剂中以生长量子点颗粒的晶体。当晶体生长时，有机溶剂用作在量子点晶体的表面上自然配位的分散剂，并控制晶体的生长。因此，与气相沉积比如MOCVD或MBE相比，湿化学工艺相对易于处理，且量子点颗粒的生长可以通过相对低成本工艺来控制，即湿化学工艺。在一些实施方式中，量子点可包括：第III-VI族半导体化合物、第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物、第IV族元素或化合物、或其任何组合。
例如，第III-VI族半导体化合物可包括：二元化合物比如In2S3；三元化合物比如AgInS、AgInS2、CuInS和/或CuInS2；或其任何组合。
例如，第II-VI族半导体化合物可包括：二元化合物比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或其任何组合。
例如，第III-V族半导体化合物可包括：二元化合物比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物比如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和/或GaAlNP；或其任何组合。
例如，第IV-VI族半导体化合物可包括：二元化合物比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe；三元化合物比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe；四元化合物比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe；或其任何组合。
例如，第IV族元素或化合物可包括：单个元素化合物比如Si和/或Ge；二元化合物比如SiC和/或SiGe；或其任何组合。
二元化合物、三元化合物或四元化合物中包括的每种元素可以以均匀浓度存在于颗粒中，或者可以以其中浓度分布部分不同的状态存在于相同颗粒中。
在一些实施方式中，量子点可具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度是均匀的单个结构，或者可具有核-壳双结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可用作用于通过防止或减少核的化学退化而保持半导体特性的保护层和/或可用作用于为量子点赋予电泳特性的充电层。壳可为单个层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的原子的浓度朝向中心降低的浓度梯度。
量子点的壳的实例可包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其任何组合。例如，金属氧化物或非金属氧化物可包括：二元化合物比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO，和/或三元化合物比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4，但是本公开的实施方式不限于此。在一些实施方式中，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb等，但是本公开的实施方式不限于此。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小。当量子点的发射波长光谱的FWHM在该范围内时，可改善颜色纯度和/或颜色重现性。另外，通过这种量子点发射的光在所有方向辐射，从而改善宽视角。
在一些实施方式中，量子点可具体为球形、锥体、多臂和/或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维和/或纳米板颗粒，但是本公开的实施方式不限于此。
通过调整量子点的尺寸，能带的间隙是可调节的，因此可从发射层150获得各种波长的光。因此，可以通过使用具有不同尺寸的量子点来实施发射各种波长的光的发光装置。例如，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可以被配置为发射其中各种颜色的光组合的白光。
夹层中的电子传输区
电子传输区可具有：i)由单个层(由单种材料组成)组成的单层结构，ii)由单个层(由多种不同材料组成)组成的单层结构，或iii)包括含有不同材料的多个层的多层结构。
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此。
例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层的结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层的结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层的结构，其中对于每种结构，构成层从发射层起依次堆叠。然而，电子传输区的结构的实施方式不限于此。
电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可包括含有至少一个含π电子耗尽的氮的环的无金属化合物，其可容易接受电子(例如，其具有合适的电子接受性质)。
“含π电子耗尽的氮的环”指具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基团。
例如，“含π电子耗尽的氮的环”可为i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团，ii)杂多环基团，其中两个或更多个各自具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团彼此稠合，或者iii)杂多环基团，其中至少一个各自具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团与至少一个C5-C60碳环基团稠合。
含π电子耗尽的氮的环的实例包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、苯并异噻唑、苯并噁唑、苯并异噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑，但不限于此。
例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团，
xe11可为1、2或3，
L601可选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xe1可为选自0至5的整数，
R601可选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可各自独立地为C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
xe21可为选自1至5的整数。
在一个实施方式中，选自数量为xe11个的Ar601和数量为xe21个的R601中的至少一个可包括上述含π电子耗尽的氮的环。
在一个实施方式中，式601中的Ar601可选自：
苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar601可经单键连接。
在一个或多个实施方式中，式601中的Ar601可为蒽基。
在一个或多个实施方式中，由式601表示的化合物可由式601-1表示：
<式601-1>
Figure BDA0002830164120000461
在式601-1中，
X614可为N或C(R614)，X615可为N或C(R615)，X616可为N或C(R616)，选自X614至X616中的至少一个可为N，
L611至L613可各自独立地与结合L601描述的相同，
xe611至xe613可各自独立地与结合xe1描述的相同，
R611至R613可各自独立地与结合R601描述的相同，
R614至R616可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个实施方式中，式601和式601-1中的L601和L611至L613可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，
但是本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
在一个或多个实施方式中，式601和式601-1中的R601和R611至R613可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基，蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
其中Q601和Q602与本文描述的相同。
电子传输区可包括选自化合物ET1至ET36中的至少一种化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
Figure BDA0002830164120000481
Figure BDA0002830164120000491
Figure BDA0002830164120000501
Figure BDA0002830164120000511
在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括选自以下的至少一种：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和NTAZ：
Figure BDA0002830164120000521
缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度的范围可各自独立地在约
Figure BDA0002830164120000522
至约
Figure BDA0002830164120000523
例如，约
Figure BDA0002830164120000524
至约
Figure BDA0002830164120000525
的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围的任一个内时，在不显著增加驱动电压下可获得优异的(或合适的)空穴阻挡特性和/或优异的(或合适的)电子控制特性。
电子传输层的厚度可在约
Figure BDA0002830164120000526
至约
Figure BDA0002830164120000527
例如，约
Figure BDA0002830164120000528
至约
Figure BDA0002830164120000529
的范围内。当电子传输层的厚度在这些范围的任一个内时，在不显著增加驱动电压下电子传输层可具有满意(或合适的)的电子传输特性。
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
含金属材料可包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物可包括选自Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和Cs离子中的金属离子，且碱土金属络合物可包括选自Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子和Ba离子中的金属离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
例如，含金属材料可包括Li络合物。Li络合物可包括例如下面化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，LiQ)和/或化合物ET-D2：
Figure BDA0002830164120000531
电子传输区可包括允许电子被容易地从第二电极190提供的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极190。
电子注入层可具有i)由单个层(由单种材料组成)组成的单层结构，ii)由单个层(由多种不同材料组成)组成的单层结构，或iii)具有由多种不同材料组成的多个层的多层结构。
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。
碱金属可选自Li、Na、K、Rb和Cs。在一个实施方式中，碱金属可为Li、Na或Cs。在一个或多个实施方式中，碱金属可为Li或Cs，但是本公开的实施方式不限于此。
碱土金属可选自Mg、Ca、Sr和Ba。
稀土金属可选自Sc、Y、Ce、Tb、Yb和Gd。
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可分别各自独立地选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。
碱金属化合物可选自碱金属氧化物(比如Li2O、Cs2O和/或K2O)和碱金属卤化物(比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)。在一个实施方式中，碱金属化合物可选自LiF、Li2O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI，但是本公开的实施方式不限于此。
碱土金属化合物可选自碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(0<x<1)和/或BaxCa1-xO(0<x<1)。在一个实施方式中，碱土金属化合物可选自BaO、SrO和CaO，但是本公开的实施方式不限于此。
稀土金属化合物可选自YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3和TbF3。在一个实施方式中，稀土金属化合物可选自YbF3、ScF3、TbF3、YbI3、ScI3和TbI3，但是本公开的实施方式不限于此。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可分别包括如上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，并且与碱金属络合物、碱土金属络合物或稀土金属络合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
电子注入层可包括如上述的(例如，可由如下组成)碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料。当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可在约
Figure BDA0002830164120000541
至约
Figure BDA0002830164120000542
例如，约
Figure BDA0002830164120000543
至约
Figure BDA0002830164120000544
的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围的任一个内时，在不显著增加驱动电压下可获得满意(或合适的)的电子注入特性。
除了上述材料之外，电子注入层可进一步包括含金属材料。
第二电极190
如上述，发光装置10包括面向第一电极110的第二电极190。第二电极190可为阴极，其为电子注入电极，且就此而言，用于形成第二电极190的材料可选自具有相对低功函的金属、合金、电导电化合物和其组合。
第二电极190可包括选自锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO和IZO中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极190可具有单层结构，或包括两个或更多个层的多层结构。
例如，第一电极110可为阳极，且第二电极190可为阴极。就此而言，阳极可为透射的，且阴极可为反射的或半透射的。
封盖层
第一封盖层可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层可位于第二电极190外侧。在一些实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层和第二电极190以该陈述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层、第二电极190和第二封盖层以该陈述的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一封盖层、第一电极110、夹层、第二电极190和第二封盖层以该陈述的顺序依次堆叠的结构。
发光装置10的夹层的发射层150中产生的光可通过第一电极110和第一封盖层朝向外侧提取，第一电极110和第一封盖层中的每个可为半透射电极或透射电极，和/或者发光装置10的夹层的发射层150中产生的光可通过第二电极190和第二封盖层朝向外侧提取，第二电极190和第二封盖层中的每个可为半透射电极或透射电极。
第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发光效率。
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
选自第一封盖层和第二封盖层的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含氨基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。碳环化合物、杂环化合物和含氨基的化合物可各自独立地任选地被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。
在一个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含氨基的化合物。
例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自化合物HT28至HT33、化合物CP1至CP5或其任何组合的化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
Figure BDA0002830164120000561
设备
上述发光装置可被包括在各种合适的设备中。例如，可提供包括发光装置的发光设备、认证设备和/或电子设备。
除了发光装置之外，发光设备可进一步包括滤色器。滤色器可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光，但是本公开的实施方式不限于此。发光装置与本文描述的相同。
发光设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区，且滤色器可包括分别对应于多个子像素区的多个滤色器区。
像素限定膜可形成在多个子像素区之间以限定每个子像素区。
滤色器可进一步包括位于多个滤色器区之间的阻光图案。
多个滤色器区可包括发射(或用于发射)第一颜色光的第一滤色器区、发射(或用于发射)第二颜色光的第二滤色器区和/或发射(或用于发射)第三颜色光的第三滤色器区，且第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，且第三颜色光可为蓝光，但是本公开的实施方式不限于此。例如，多个滤色器区中的每个可包括量子点，但是本公开的实施方式不限于此。在一些实施方式中，第一滤色器区可包括红色量子点，第二滤色器区可包括绿色量子点，且第三滤色器区可不包括量子点。量子点与本文描述的相同。第一滤色器区、第二滤色器区和第三滤色器区中的每个可包括散射体(例如，散射材料)，但是本公开的实施方式不限于此。
例如，发光装置可发射第一光，第一滤色器区可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二滤色器区可吸收第一光以发射第二第一颜色光，且第三滤色器区可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，且第三第一颜色光可为蓝光，但是本公开的实施方式不限于此。
除了如本文描述的发光装置之外，发光设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中选自源电极和漏电极中的一个可与发光装置的一个或多个第一电极电接触或可与发光装置的第二电极电接触。
薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘层等。
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等，但是本公开的实施方式不限于此。
发光设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和发光装置之间。密封部分可允许光从发光装置发射到外侧并且可同时阻挡(或减少)外侧空气和/或水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括多个有机层和/或多个无机层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，发光设备可为柔性的。
发光设备可用作各种合适的显示器和/或光源等。
认证设备可例如为用于通过使用生物测定体的生物测定信息(例如，指尖和/或瞳孔等)来认证个体的生物测定认证设备。
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
电子设备可应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子文件薄、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ECG)显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、计量仪(例如，用于交通工具、航空器和/或容器的计量仪)和/或投影仪等，但是本公开的实施方式不限于此。
制备方法
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用选自以下的一个或多个合适的方法在某一区域中形成：真空沉积、旋转涂布、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导的热成像(LITI)。
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层中的任一个通过真空沉积形成时，通过考虑到待形成的层中待包括的材料以及待形成的层的结构，该沉积可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
Figure BDA0002830164120000581
至约
Figure BDA0002830164120000582
的沉积速度下进行。
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层中的任一个通过旋转涂布形成时，通过考虑到待形成的层中待包括的材料以及待形成的层的结构，旋转涂布可以在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的热处理温度下进行。
如本文使用的术语“C1-C60烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族饱和烃单价基团，优选C1-C20烷基，且其非限制性实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基”指具有与C1-C60烷基的结构相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基”指在C2-C60烷基的主链(例如，在中间)处或末端(例如，终端)处具有至少一个碳-碳双键的烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。
如本文使用的术语“C2-C60炔基”指在C2-C60烷基的主链(例如，在中间)处或末端(例如，终端)处具有至少一个碳-碳三键的烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基”指由-OA101(其中A101为C1-C60烷基)表示的单价基团，优选“C1-C20烷氧基”，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和的烃单环基团，并且其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基”指具有与C3-C10环烷基的结构基本上相同结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基”指具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子和1至10个碳原子的单价单环基团，并且其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基”指具有与C1-C10杂环烷基的结构基本上相同结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且没有芳香性(例如，其不是芳族的)的单价单环基团，并且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基”指具有与C3-C10环烯基的结构基本上相同结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基”指在其环中具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子以及至少一个双键的单价单环基团。C1-C10杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烯基”指具有与C1-C10杂环烯基的结构基本上相同结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基”指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团。C6-C60芳基的非限制性实例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和1,2-苯并菲基。本文使用的术语“C6-C60亚芳基”指具有与C6-C60芳基的结构相同的结构的二价基团。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各自的两个或更多个环可以彼此稠接。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基”指具有杂环芳族体系(除了1至60个碳原子之外，具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子)的单价基团。C1-C60杂芳基的非限制性实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基”指具有与C1-C60杂芳基的结构相同的结构的二价基团。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各自的两个或更多个环可以彼此稠合(稠接)。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基”指-OA102(其中A102为C6-C60芳基)，并且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基”指-SA103(其中A103为C6-C60芳基)。
如本文使用的术语“单价的非芳族稠合多环基团”指这样的单价基团，其具有彼此稠合的两个或更多个环，仅碳原子作为成环原子(例如，具有8至60个碳原子)，并且其整个分子结构没有芳香性(例如，分子结构作为一个整体是非芳族的)。单价的非芳族稠合多环基团的非限制性实例为芴基。如本文使用的术语“二价的非芳族稠合多环基团”指具有与单价的非芳族稠合多环基团的结构相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价的非芳族稠合杂多环基团”指这样的单价基团，其具有彼此稠合的两个或更多个环，除了碳原子(例如，1至60个碳原子)以外，还具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子，并且其整个分子结构没有芳香性(例如，分子结构作为一个整体是非芳族的)。单价的非芳族稠合杂多环基团的非限制性实例为咔唑基。如本文使用的术语“二价的非芳族稠合杂多环基团”指具有与单价的非芳族稠合杂多环基团的结构相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C5-C60碳环基团”指仅包括碳原子作为成环原子并且由5至60个碳原子组成的单环或多环基团。C5-C60碳环基团可为芳族碳环基团或非芳族碳环基团。C5-C60碳环基团可以为环(比如苯)、单价基团(比如苯基)或二价基团(比如亚苯基)。在一个或多个实施方式中，根据连接到C5-C60碳环基团的取代基的数量，C5-C60碳环基团可以为三价基团或四价基团。
如本文使用的术语“C1-C60杂环基团”指与C5-C60碳环基团具有相同结构的基团，只是除了碳原子(碳原子的数量可以在1至60的范围内)之外，使用选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子。
取代的C5-C60碳环基团、取代的C1-C60杂环基团、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的C1-C60烷基、取代的C1-C60亚烷基、取代的C6-C60芳基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
如本文所使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”可为具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如本文所使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”可为具有被C6-C60芳基取代的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应式中相邻原子的结合位点。
实施例
参考实施例和比较例，分别用于空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层、第一公共层和第二公共层中的材料为满足结合每层本文呈现的其各自描述的化合物。然而，提供这些实施例仅用于说明目的，并不旨在限制本公开的实施方式。
实施例1
作为阳极，将来自康宁公司的15Ω/cm2
Figure BDA0002830164120000611
的ITO玻璃基板切割成50mm×50mm×0.7mm的大小，并用异丙醇和纯水各自超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洁。将所得玻璃基板装载在真空沉积设备上。
将化合物HT3和HAT-CN以99:1的比率共沉积在玻璃基板上至
Figure BDA0002830164120000612
的厚度，并且将化合物HT3沉积在其上至
Figure BDA0002830164120000613
的厚度，从而形成具有
Figure BDA0002830164120000614
的总厚度的空穴注入层，并且然后将化合物A1真空-沉积在空穴注入层上以形成具有
Figure BDA0002830164120000615
的厚度的第二公共层。
Figure BDA0002830164120000616
随后，将CBP真空-沉积在第二公共层上以形成具有
Figure BDA0002830164120000617
的厚度的第一公共层。
随后，在蓝色子像素区中，将作为主体的CBP和作为蓝色掺杂剂的本实施方式的芳胺化合物(化合物FD14)以97:3的重量比共沉积在第一公共层上，从而形成具有
Figure BDA0002830164120000618
的厚度的蓝色有机发射层。
随后，在红色子像素区中，将作为主体的CBP和作为红色掺杂剂的Ir(btp)2(acac)以97:3的重量比共沉积在第一公共层上，从而形成具有
Figure BDA0002830164120000619
的厚度的红色有机发射层。
随后，在绿色子像素区中，将作为主体的CBP和作为绿色掺杂剂的Ir(ppy)3以94:6的重量比共沉积在第一公共层上，从而形成具有
Figure BDA0002830164120000621
的厚度的绿色有机发射层。
此时，第一公共层、红色有机发射层、绿色有机发射层和空穴注入层的HOMO能级的值以及第二公共层的功函的值如下：
第一公共层：HOMO＝-5.99eV；
红色有机发射层：HOMO＝-5.37eV；
绿色有机发射层：HOMO＝-5.57eV；
第二公共层的功函：-5.2eV。
空穴注入层：HOMO＝-5.54eV。
将BAlq沉积在蓝色、红色和绿色有机发射层上以形成具有
Figure BDA0002830164120000622
的厚度的用于空穴阻挡的缓冲层，并且将Alq3和LiQ以1:1的比率共沉积在其上，以形成具有
Figure BDA0002830164120000623
的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有
Figure BDA0002830164120000624
的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9:1的比率共沉积在其上以形成具有
Figure BDA0002830164120000625
的厚度的Yb/Ag:Mg电极作为阴极，从而完成发光装置的制造。
比较例1
以与实施例1中使用的基本上相同的方式制造发光装置，除了发光装置不包括第一公共层和第二公共层之外。
比较例2
以与实施例1中使用的基本上相同的方式制造发光装置，除了发光装置不包括第二公共层之外。
比较例3
以与实施例1中使用的基本上相同的方式制造发光装置，除了发光装置不包括第一公共层之外。
评估例1
测量根据实施例1和比较例1制造的发光装置的绿色发光光谱并示出在图2中。
参考图2，在实施例1的发光装置的情况下，在红色光发射区域的范围内没有峰，因此没有发生颜色混合，然而，在比较例1的发光装置的情况下，在约625nm处存在峰，其为红色光发射区域，因此发生颜色混合。
评估例2
测量根据实施例1和比较例2制造的发光装置的红色光发射区域中的电流-电压-亮度(IVL)特性并阐释在图3中。
参考图3，当发光装置不包括第二公共层时，红色发射光谱向左移动。因此，发生绿色颜色混合，红色发射的驱动电压增加3V或更多，并且效率减少大于30％。
由于红色发射装置的驱动电压的滑移现象，漏电流从红色移动至绿色，并因此发生颜色混合。
评估例3
针对根据实施例1以及比较例1和3制造的发光装置，测量效率、漏电流比率和功率消耗并阐释在表1和图4中。
基于根据比较例1制造的发光装置的值作为100％，测量效率和功率消耗。漏电流比率被设定为当测量绿色发射光谱时，绿色发射峰(波长的峰值：约522nm)与红色发射峰(波长的峰值：约627nm)的高度比。换句话说，漏电流比率越大，红色颜色混合发生的更多。
表1
效率(％) 漏电流比率(％) 功率消耗(％)
比较例1 100％ 47.0％ 100％
实施例1 105.2％ 3.9％ 99.9％
比较例3 100％ 28.3％ 97.3％
参考表1和图4，与比较例1和3的效率相比，实施例1的发光装置具有更好的效率，并且与比较例1的功率消耗的值相比，实施例1的发光装置具有更低的功率消耗的值。此外，实施例1的发光装置的漏电流比率是显著低的(并且低于比较例1和3的漏电流比率)，因此颜色混合很难发生。
相反，比较例1的发光装置不包括第一公共层和第二公共层。因此，比较例1的发光装置在效率、漏电流比率和功率消耗方面具有差的特性。特别地，漏电流比率是显著高的。
比较例3的发光装置包括第二公共层但不包括第一公共层。因此，功率消耗轻微减少。然而，因为漏电流比率仍是相对高的，所以颜色混合的问题可能在比较例3中得不到解决。
如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
另外，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识的测量值或计算值的固有偏差。
而且，本文列举的任何数值范围旨在包括纳入所列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文列举的任何最大数值限制旨在包括被纳入其中的所有较低的数值限制，并且在本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括被纳入其中的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确列举被纳入本文明确列举的范围内的任何子范围。
根据如本文描述的本公开的一个或多个实施方式，可实施具有改善的颜色纯度、改善的颜色准确度和没有(或基本上没有)由漏电流导致的颜色混合的发光装置。然而，本公开的范围不限于这些效果。
应理解，本文描述的实施方式应仅在描述性的意义上考虑且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。尽管已经参照图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求书及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，其中可做出形式和细节的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
基板，包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
多个第一电极，分别布置在所述基板的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中；
面向所述多个第一电极的第二电极；
所述第二电极和所述多个第一电极之间的发射层，所述发射层包括在所述第一子像素中的发射第一颜色光的第一发射层、在所述第二子像素中的发射第二颜色光的第二发射层和在所述第三子像素中的发射第三颜色光的第三发射层；
所述发射层和所述多个第一电极之间的空穴注入层；
所述空穴注入层和所述发射层之间的第一公共层，所述第一公共层相对于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素整体形成；以及
所述空穴注入层和所述第一公共层之间的第二公共层，所述第二公共层相对于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素整体形成，
其中所述第一颜色光为红光，所述第二颜色光为绿光，所述第三颜色光为蓝光，
所述第一公共层由蓝色主体组成，并且
所述蓝色主体满足方程式1和方程式2：
方程式1
|EHOMO_BH|>|EHOMO_REML|
方程式2
|EHOMO_BH|>|EHOMO_GEML|，
其中，在方程式1和方程式2中，|EHOMO_BH|为所述蓝色主体的最高占据分子轨道能级的绝对值，且|EHOMO_REML|和|EHOMO_GEML|分别为所述第一发射层和所述第二发射层的最高占据分子轨道能级的绝对值。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一公共层不发射光。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述蓝色主体的所述最高占据分子轨道能级和所述蓝色主体的最低未占分子轨道能级之间的间隙为2.8eV或更大。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第三发射层的阈值电压大于所述第一发射层的阈值电压和所述第二发射层的阈值电压中的每个。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层包括第一主体，所述第二发射层包括第二主体，且所述第三发射层包括第三主体。
6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述第三主体和所述蓝色主体彼此相同或不同。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一公共层直接接触所述发射层。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二公共层直接接触所述第一公共层。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二公共层直接接触所述空穴注入层。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二公共层不同于所述空穴注入层。
11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二公共层包括空穴注入材料。
12.如权利要求11所述的发光装置，其中所述空穴注入材料包括选自由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：
式201
Figure FDA0002830164110000021
式202
Figure FDA0002830164110000022
其中，在式201和式202中，
L201至L204各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
L205选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4各自独立地为选自0至3的整数，
xa5为选自1至10的整数，
R201至R204和Q201各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
所述取代的C3-C10亚环烷基、所述取代的C1-C10亚杂环烷基、所述取代的C3-C10亚环烯基、所述取代的C1-C10亚杂环烯基、所述取代的C6-C60亚芳基、所述取代的C1-C60亚杂芳基、所述取代的二价非芳族稠合多环基团、所述取代的二价非芳族稠合杂多环基团、所述取代的C1-C20亚烷基、所述取代的C2-C20亚烯基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基，
*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。
13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一公共层的厚度为
Figure FDA0002830164110000043
至
Figure FDA0002830164110000044
14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二公共层的厚度为
Figure FDA0002830164110000041
至
Figure FDA0002830164110000042
15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴注入层进一步包括p-掺杂剂。
16.如权利要求15所述的发光装置，其中所述p-掺杂剂包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的至少一种。
17.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述空穴注入层和所述发射层之间的空穴传输层。
18.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区。
19.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多个第一电极为阳极，且所述第二电极为阴极。
20.一种平板显示设备，包括：
薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层；以及
如权利要求1至19任一项所述的发光装置，
其中所述发光装置的所述多个第一电极中的一个或多个电连接至选自所述源电极和所述漏电极中的一个。
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