CN113097253A

CN113097253A - 发光装置、制造发光装置的方法及包括发光装置的设备

Info

Publication number: CN113097253A
Application number: CN202110006150.3A
Authority: CN
Inventors: 金东赞; 文智永; 尹熙敞; 李智慧; 李学忠; 李海明; 赵尹衡; 韩明锡; 尹智焕; 李锺赫
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-01-08
Filing date: 2021-01-05
Publication date: 2021-07-09
Also published as: US20210210711A1; US11653517B2; KR20210143710A; KR20210089818A; KR102576992B1; EP3848991B1; KR102331370B1; EP3848991A1

Abstract

本申请涉及发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；m个在所述第一电极与所述第二电极之间的发射单元；以及m‑1个在所述发射单元的相邻发射单元之间的电荷产生单元，其中m是2或大于2的自然数。所述发射单元各自包括发射层。所述电荷产生单元中的至少一个包括n‑型电荷产生层和p‑型电荷产生层；以及所述n‑型电荷产生层包含第一材料和第二材料。所述第一材料包括有机电子传输化合物；以及所述第二材料包括选自碱金属、碱金属合金、碱土金属、碱土金属合金、镧系金属和镧系金属合金中的至少一种。所述发光装置可以具有改善的空穴和电子平衡、降低的驱动电压和优异的效率和/或使用寿命特性。

Description

发光装置、制造发光装置的方法及包括发光装置的设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月8日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0002688号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。

技术领域

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及发光装置、制造所述发光装置的方法及包括所述发光装置的设备。

背景技术

发光装置将电能转换为光能。此类发光装置的实例包括使用有机材料用于发射层的有机发光装置、使用量子点用于发射层的量子点发光装置等。

在发光装置中，第一电极可以设置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极可以依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区向发射层移动。载流子(例如空穴和电子)可以在发射层中复合以产生激子。这些激子可以从激发态跃迁至基态，从而产生光。

发明内容

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及在电荷产生单元中含有无机掺杂剂的串联型发光装置以及包括所述串联型发光装置的设备。

其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

本公开内容的一个或多于一个的示例性实施方案提供了发光装置，包括：第一电极，面向所述第一电极的第二电极，m个在所述第一电极与所述第二电极之间的发射单元(其中m是变量)，以及m-1个在所述发射单元的相邻发射单元之间的电荷产生单元，

其中m是2或大于2的自然数，

所述发射单元各自包括发射层，

所述电荷产生单元中的至少一个包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层，

所述n-型电荷产生层包含第一材料和第二材料，

所述第一材料包括有机电子传输化合物，以及

所述第二材料包括选自碱金属、碱金属的合金、碱土金属、碱土金属的合金、镧系金属和镧系金属的合金中的至少一种。

本公开内容的一个或多于一个的示例性实施方案提供了制造发光装置的方法，所述发光装置包括：第一电极，面向所述第一电极的第二电极，m个在所述第一电极与所述第二电极之间的发射单元，以及m-1个在所述发射单元的相邻发射单元之间的电荷产生单元，

其中m是2或大于2的自然数，

所述发射单元各自包括发射层，以及

所述方法包括：形成包含第一材料和第二材料的n-型电荷产生层，其中所述第一材料包括有机电子传输化合物，以及

本公开内容的一个或多于一个的示例性实施方案提供了设备，包括：薄膜晶体管，其包括源电极、漏电极和有源层；和根据实施方案的发光装置，其中所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个。

附图说明

根据以下结合附图的描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：

图1是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；

图2是图1中的电荷产生单元的横截面视图；以及

图3是根据实施方案的发光设备的示意性横截面视图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”可以表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。

应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种组件，但这些组件不应受到这些术语限制。相反，这些术语仅用于区分一个组件与另一个。

如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。

应进一步理解，本文使用的术语“包含(includes)”、“包含(including)”、“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定规定的特征或组件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征或组件的存在或增添。

应理解，当层、区或组件被称为在另一个层、区或组件“上”或“之上”时，它可以直接地或间接地形成在其它层、区或组件上。例如，可以存在介于中间的层、区或组件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。

为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。换而言之，因为附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而被任意地例示，所以本公开内容的以下实施方案不限于此。

应理解，当层、区或组件被称为“连接至”另一个层、区或组件时，该层、区或组件可以直接地连接至另一个层、区或组件，或者由于存在介于中间的层、区或组件而间接地连接至另一个层、区或组件。例如，应理解，当层、区或组件被称为“电连接至”另一个层、区或组件时，该层、区或组件可以直接地电连接至另一个层、区或组件，或者由于存在介于中间的层、区或组件而间接地电连接至另一个层、区或组件。

如本文使用，诸如“......中的至少一个(种)”、“......中的一个(种)”和“选自”的表述当在一列要素之前时，修饰整列的要素并且不修饰该列的单个要素。

如本文使用的术语“中间层”可以是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或所有(例如，多个)层。包含在“中间层”中的材料可以是有机材料和/或无机材料。

如本文使用的表述“(中间层)包含至少一种由式X(X是本文公开的任何式编号)表示的化合物”可以包括其中“(中间层)包含相同(例如，单一)的由式X表示的化合物”的情况以及其中“(中间层)包含两种或多于两种的不同的由式X表示的化合物”的情况。

如本文使用的术语“族”是指如在IUPAC元素周期表的背景中的元素族。

如本文使用的术语“碱金属”是指第1族元素。例如，碱金属可以是锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或铯(Cs)。

如本文使用的术语“碱土金属”是指第2族元素。例如，碱土金属可以是镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)。

如本文使用的术语“镧系金属”是指镧(La)和属于元素周期表中的镧系的任何元素。例如，镧系金属可以是镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)或钌(Lu)。

如本文使用的术语“过渡金属”是指属于第4周期至第7周期并且并行地(例如，同时地)属于第3族至第12族的元素(例如，d-区金属)。例如，过渡金属可以是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)或镉(Cd)。

如本文使用的术语“后过渡金属”是指属于第4周期至第7周期并且并行地(例如，同时地)属于第13族至第17族的金属元素。例如，后过渡金属可以是铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、锡(Sn)、铅(Pb)、铋(Bi)或钋(Po)。

如本文使用的术语“卤素”是指第17族元素。例如，卤素可以是氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或碘(I)。

如本文使用的术语“有机半导体化合物”是指具有2.5eV或大于2.5eV的带间隙的任何有机化合物。在一些实施方案中，有机半导体化合物可以具有约-4.5eV至约-5.5eV的最低未占据分子轨道(LUMO)能级。

如本文使用的术语“无机半导体化合物”是指具有小于约4eV的带间隙的任何无机化合物。例如，无机半导体化合物可以包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。例如，无机半导体化合物可以包括EuI₂、YbI₂、SmI₂、TmI₂、AgI、CuI、NiI₂、CoI₂、BiI₃、BiCl₃、BiBr₃、BiF₃、PbI₂、SnI₂、Te、EuTe、YbTe、SmTe、TmTe、EuSe、YbSe、SmSe、TmSe、ZnTe、CoTe、ZnSe、CoSe、Bi₂Te₃、Bi₂Se₃或其任意组合。

如本文使用的术语“无机绝缘化合物”是指具有4eV或大于4eV的带间隙的任何无机化合物。例如，无机绝缘化合物可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。例如，无机绝缘化合物可以包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaF、KF、RbF、CsF、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、EuI₃、YbI₃、SmI₃、TmI₃、EuCl₃、YbCl₃、SmCl₃、TmCl₃、EuF₃、YbF₃、SmF₃、TmF₃或其任意组合。

如本文使用的术语“碱金属卤化物”是指其中碱金属和卤素离子地键合的化合物。例如，碱金属卤化物可以包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaF、KF、RbF、CsF或其任意组合。

如本文使用的术语“碱土金属卤化物”是指其中碱土金属和卤素离子地键合的化合物。例如，碱土金属卤化物可以包括MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂或其任意组合。

如本文使用的术语“镧系金属卤化物”是指其中镧系金属和卤素离子地键合和/或共价地键合的化合物。例如，镧系金属可以包括EuI₂、YbI₂、SmI₂、TmI₂、EuI₃、YbI₃、SmI₃、TmI₃、EuCl₃、YbCl₃、SmCl₃、TmCl₃、EuF₃、YbF₃、SmF₃、TmF₃或其任意组合。

如本文使用的术语“过渡金属卤化物”是指其中过渡金属和卤素离子地键合和/或共价地键合的化合物。例如，过渡金属卤化物可以包括AgI、CuI、NiI₂、CoI₂或其任意组合。

如本文使用的术语“后过渡金属卤化物”是指其中后过渡金属和卤素离子地键合和/或共价地键合的化合物。例如，后过渡金属卤化物可以包括BiI₃、BiCl₃、BiBr₃、BiF₃、PbI₂、SnI₂或其任意组合。

如本文使用的术语“镧系金属碲化物”是指其中镧系金属和碲(Te)离子地键合、共价地键合和/或金属地键合的化合物。例如，镧系金属的碲化物可以包括EuTe、YbTe、SmTe、TmTe或其任意组合。

如本文使用的术语“过渡金属碲化物”是指其中过渡金属和碲离子地键合、共价地键合和/或金属地键合的化合物。例如，过渡金属碲化物可以包括ZnTe、CoTe或其任意组合。

如本文使用的术语“后过渡金属碲化物”是指其中后过渡金属和碲离子地键合、共价地键合和/或金属地键合的化合物。例如，后过渡金属碲化物可以包括Bi₂Te₃。

如本文使用的术语“镧系金属硒化物”是指其中镧系金属和硒(Se)离子地键合、共价地键合和/或金属地键合的化合物。例如，镧系金属硒化物可以包括EuSe、YbSe、SmSe、TmSe或其任意组合。

如本文使用的术语“过渡金属硒化物”是指其中过渡金属和硒离子地键合、共价地键合和/或金属地键合的化合物。例如，过渡金属硒化物可以包括ZnSe、CoSe或其任意组合。

如本文使用的术语“后过渡金属硒化物”是指其中后过渡金属和硒离子地键合、共价地键合和/或金属地键合的化合物。例如，后过渡金属硒化物可以包括Bi₂Se₃。

[图1的描述]

图1是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图。

参考图1，根据本公开内容的实施方案的发光装置1包括：第一电极110；面向第一电极110的第二电极190；m个在第一电极110与第二电极190之间的发射单元；以及m-1个在发射单元中的相邻发射单元之间的电荷产生单元，其中m是2或大于2的自然数，发射单元各自包括发射层，并且电荷产生单元中的至少一个可以包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层。

在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置1的结构和制造发光装置1的方法。

[第一电极]

在图1中，衬底可以额外地设置在第一电极110下方或第二电极190上方。衬底可以是各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、处理便利性和/或耐水性的玻璃衬底和/或塑料衬底。

可以通过在衬底上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于第一电极110的材料可以选自具有高功函的材料以促进空穴注入。

第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)及其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)及其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。

第一电极110可以具有单层结构，或者包括两层或多于两层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但第一电极110的结构不限于此。

[发射单元]

m个发射单元(其中m是变量)位于第一电极110上。

在m个发射单元中，最靠近第一电极110的发射单元可以被称为第一发射单元，最远离第一电极110的发射单元可以被称为第m发射单元，并且依次设置第一发射单元直至第m发射单元。例如，第m-1发射单元可以位于第一电极110与第m发射单元之间。

在一些实施方案中，发射单元可以各自进一步包括电子传输区和/或空穴传输区。

多个空穴传输区可以各自包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合，并且多个电子传输区可以各自包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

根据实施方案，第一电极110可以是阳极，第二电极190可以是阴极，第m发射单元在第一电极110与第二电极190之间，第m-1发射单元在第一电极110与第m发射单元之间，并且第m-1电荷产生单元可以在第m发射单元与第m-1发射单元之间。第m发射单元可以包括第m发射层，第m-1发射单元可以包括第m-1发射层，第m-1空穴传输区可以进一步位于第一电极110与第m-1发射层之间，第m-1电子传输区可以进一步位于第m-1发射层与第m-1电荷产生单元之间，第m空穴传输区可以进一步位于第m-1电荷产生单元与第m发射层之间，并且第m电子传输区可以进一步位于第m发射层与第二电极190之间。m个空穴传输区可以各自包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合，并且m个电子传输区可以各自包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

[空穴传输区中的空穴注入层]

发光装置1可以包括直接接触第一电极110或第m-1电荷产生单元的空穴注入层。

空穴注入层可以包含第六材料和第七材料，并且第六材料和第七材料可以彼此不同。

例如，第六材料可以包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。

例如，第七材料可以包括有机空穴传输化合物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。

在一些实施方案中，在空穴注入层中，第七材料可以具有大于或等于第六材料的体积的体积。

更详细地，在空穴注入层中，第六材料可以具有50％或小于50％的体积。

例如，第七材料可以包括选自有机空穴传输化合物中的至少一种，并且第六材料与第七材料的体积比可以是约1:99至约20:80。

在一些实施方案中，第七材料可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合，并且第六材料与第七材料的体积比可以是约1:99至约50:50。

如本文使用的术语“有机空穴传输化合物”是指具有空穴传输性的任何有机材料。在一个实施方案中，有机空穴传输化合物可以包括选自m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：

式201

式202

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，

L₂₀₅可以选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、取代或未取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、取代或未取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，

xa1至xa4可以各自独立地是0至3的整数，

xa5可以是1至10的整数，以及

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。

例如，在式202中，R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、二甲基-亚甲基基团或二苯基-亚甲基基团彼此连接，以及R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、二甲基-亚甲基基团或二苯基-亚甲基基团彼此连接。

在一个实施方案中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₅可以各自独立地选自：

亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团和亚吡啶基基团；以及

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C₁-C₁₀烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一个取代的亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团和亚吡啶基基团，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地选自C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团。

在一个或多于一个的实施方案中，xa1至xa4可以各自独立地是0、1或2。

在一个或多于一个的实施方案中，xa5可以是1、2、3或4。

在一个或多于一个的实施方案中，R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地选自：苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团；以及

基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一个取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地与以上描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，选自式201中的R₂₀₁至R₂₀₃中的至少一个可以各自独立地选自：

芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团；以及

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C₁-C₁₀烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团中的至少一个取代的芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团，

但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，在式202中，i)R₂₀₁和R₂₀₂可以经由单键彼此连接，和/或ii)R₂₀₃和R₂₀₄可以经由单键彼此连接。

在一个或多于一个的实施方案中，式202中的R₂₀₁至R₂₀₄中的至少一个可以各自独立地选自：

咔唑基基团；以及

被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C₁-C₁₀烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团中的至少一个取代的咔唑基基团，

但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，由式201表示的化合物可以由式201A表示：

式201A

在一个或多于一个的实施方案中，由式201表示的化合物可以由式201A(1)表示，但本公开内容的实施方案不限于此：

式201A(1)

在一个或多于一个的实施方案中，由式201表示的化合物可以由式201A-1表示，但本公开内容的实施方案不限于此：

式201A-1

在一个或多于一个的实施方案中，由式202表示的化合物可以由式202A表示：

式202A

在一个或多于一个的实施方案中，由式202表示的化合物可以由式202A-1表示：

式202A-1

在式201A、式201A(1)、式201A-1、式202A和式202A-1中，

L₂₀₁至L₂₀₃、xa1至xa3、xa5和R₂₀₂至R₂₀₄可以各自独立地与以上描述的相同，

R₂₁₁和R₂₁₂可以各自独立地与关于R₂₀₃描述的相同，以及

R₂₁₃至R₂₁₇可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C₁-C₁₀烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团。

空穴传输区可以包含选自化合物HT1至化合物HT39中的至少一种化合物，但包含在空穴传输区中的化合物不限于此：

空穴注入层的厚度可以是约0.1nm至约20nm。当空穴注入层的厚度在该范围内时，可以获得令人满意的空穴注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

在一个实施方案中，空穴注入层可以包含与p-型电荷产生层(其将稍后描述)相同的材料。

[空穴传输区中的空穴传输层]

发光装置1可以包括直接接触发射层的空穴传输层。

空穴传输层可以包含第十材料，并且第十材料可以包括选自有机空穴传输化合物中的至少一种。

在一个实施方案中，空穴传输层可以进一步包含不同于第十材料的第十一材料，并且第十一材料可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。

在空穴传输层中，第十材料可以具有大于或等于第十一材料的体积的体积。例如，在空穴传输层中，第十材料与第十一材料的体积比可以是约99:1至约50:50。

空穴传输层的厚度可以是约0.1nm至约10nm。当空穴传输层的厚度在该范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

[空穴传输区中的电荷产生材料]

除了这些材料以外，空穴传输区可以进一步包含用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中。

电荷产生材料可以是，例如，p-掺杂剂。

在一个实施方案中，p-掺杂剂可以具有-3.5eV或低于-3.5eV的LUMO能级。

在一个实施方案中，p-掺杂剂可以选自有机p-掺杂剂和无机p-掺杂剂。例如，p-掺杂剂可以包括选自以下的至少一种：有机p-掺杂剂(例如醌衍生物和/或含氰基基团的化合物)；和无机p-掺杂剂(例如金属氧化物和/或无机半导体化合物)，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，p-掺杂剂可以包括选自以下的至少一种：醌衍生物(例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))；

1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯基-六甲腈(HAT-CN)；

由式221表示的化合物；

金属氧化物(例如氧化钨和/或氧化钼)；以及

无机半导体化合物(例如金属卤化物，例如CuI、BiI₃、BiCl₃、BiBr₃、BiF₃等)、准金属(例如，Te等)和含准金属的化合物(例如ZnTe等)，

但本公开内容的实施方案不限于此：

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及选自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以具有选自氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I、被-F取代的C₁-C₂₀烷基基团、被-Cl取代的C₁-C₂₀烷基基团、被-Br取代的C₁-C₂₀烷基基团和被-I取代的C₁-C₂₀烷基基团中的至少一个取代基。

[发射层]

发射单元各自包括发射层。例如，一个发射单元可以包括一个发射层。

发射层可以旨在发射彼此不同颜色的光，或者可以旨在发射相同颜色的光。例如，多个发射层中的每一个可以旨在发射蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。

发射层可以包含选自有机化合物和半导体化合物中的至少一种，但包含在发射层中的化合物不限于此。当发射层包含有机化合物时，发光装置1可以被称为有机发光装置。

在一些实施方案中，有机化合物可以包括主体和掺杂剂。

在一些实施方案中，半导体化合物可以是量子点，并且发光装置1可以是量子点发光装置。

在一些实施方案中，半导体化合物可以是有机钙钛矿和/或无机钙钛矿。

发射层的厚度可以是约0.1nm至约100nm。例如，发射层的厚度可以是约15nm至约50nm。在一些实施方案中，当发射层旨在发射蓝色光时，发射层的厚度可以是约15nm至约20nm；当发射层旨在发射绿色光时，发射层的厚度可以是约20nm至约40nm；以及当发射层旨在发射红色光时，发射层的厚度可以是约40nm至约50nm。当发射层的厚度在这些范围内时，发光装置1可以具有优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

有机发光装置的发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其任意组合。

基于约100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物。

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21。

在式301中，

Ar₃₀₁可以是取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基团或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可以是1、2或3，

L₃₀₁可以选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基基团、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基基团、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)和-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，以及

xb21可以是1至5的整数，

其中Q₃₀₁至Q₃₀₃可以各自独立地选自C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个实施方案中，式301中的Ar₃₀₁可以选自：

萘基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团和二苯并噻吩基团；以及

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一个取代的萘基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团和二苯并噻吩基团，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地选自C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团，但本公开内容的实施方案不限于此。

当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₃₀₁可以经由单键连接。

在一个或多于一个的实施方案中，由式301表示的化合物可以由式301-1或式301-2表示：

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

A₃₀₁至A₃₀₄可以各自独立地选自苯基团、萘基团、菲基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、吡啶基团、嘧啶基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、呋喃基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、萘并呋喃基团、苯并萘并呋喃基团、二萘并呋喃基团、噻吩基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、萘并噻吩基团、苯并萘并噻吩基团和二萘并噻吩基团，

X₃₀₁可以是O、S或N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]，

R₃₁₁至R₃₁₄可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1、R₃₀₁和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地与以上描述的相同，L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及

R₃₀₂至R₃₀₄可以各自独立地与关于R₃₀₁描述的相同。

例如，式301、式301-1和式301-2中的L₃₀₁至L₃₀₄可以各自独立地选自：

亚苯基基团、亚萘基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚吡啶基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚噻二唑基基团、亚噁二唑基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚三嗪基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚异苯并噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚异苯并噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团、亚咪唑并嘧啶基基团和亚氮杂咔唑基基团；以及

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一个取代的亚苯基基团、亚萘基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚吡啶基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚噻二唑基基团、亚噁二唑基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚三嗪基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚异苯并噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚异苯并噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团、亚咪唑并嘧啶基基团和亚氮杂咔唑基基团；

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地与以上描述的相同。

在一个实施方案中，式301、式301-1和式301-2中的R₃₀₁至R₃₀₄可以各自独立地选自：

苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团；以及

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一个取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团，以及

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地与以上描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。例如，主体可以选自Be络合物(例如，化合物H55)和Mg络合物。在一些实施方案中，主体可以包括Zn络合物。

主体可以包括选自9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)和选自化合物H1至化合物H55中的至少一种中的至少一种，但本公开内容的实施方案不限于此：

在一个实施方案中，主体可以包括选自含硅的化合物(例如，BCPDS等)和含氧化膦的化合物(例如，POPCPA等)中的至少一种。

主体可以仅包括一种化合物或可以包括两种或多于两种的彼此不同的化合物(例如，主体包括BCPDS和POPCPA)。在一个或多于一个的实施方案中，主体可以反而具有各种其它适合的修改。

磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属络合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2。

式402

在式401和式402中，

M可以选自铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0至4的整数，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁至X₄₀₄可以各自独立地是氮或碳，

X₄₀₁和X₄₀₃可以经由单键或双键连接，并且X₄₀₂和X₄₀₄可以经由单键或双键连接，

A₄₀₁和A₄₀₂可以各自独立地是C₅-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

X₄₀₅可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，其中Q₄₁₁和Q₄₁₂可以是氢、氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团，

X₄₀₆可以是单键、O或S，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基基团、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，并且Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自独立地选自C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、C₆-C₂₀芳基基团和C₁-C₂₀杂芳基基团，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'可以各自表示与式401中的M的结合位点。

在一个实施方案中，式402中的A₄₀₁和A₄₀₂可以各自独立地选自苯基团、萘基团、芴基团、螺-二芴基团、茚基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、咔唑基团、苯并咪唑基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、异苯并噻吩基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、二苯并呋喃基团和二苯并噻吩基团。

在一个或多于一个的实施方案中，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂均可以是氮。

在一个或多于一个的实施方案中，式402中的R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地选自：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团和C₁-C₂₀烷氧基基团；

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、苯基基团、萘基基团、环戊基基团、环己基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团和降冰片烯基基团中的至少一个取代的C₁-C₂₀烷基基团和C₁-C₂₀烷氧基基团；

环戊基基团、环己基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团；

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团中的至少一个取代的环戊基基团、环己基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团；以及

-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

其中Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自独立地选自C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团和萘基基团，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个A₄₀₁可以任选地经由作为连接基团的X₄₀₇彼此连接，和/或两个A₄₀₂可以任选地经由作为连接基团的X₄₀₈彼此连接(参见例如，化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。X₄₀₇和X₄₀₈可以各自独立地是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₃)-*'、*-C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)-*'或*-C(Q₄₁₃)＝C(Q₄₁₄)-*'(其中Q₄₁₃和Q₄₁₄可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团)，但本公开内容的实施方案不限于此。

式401中的L₄₀₂可以是单价、二价或三价的有机配体。例如，L₄₀₂可以选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮酸酯(盐))、羧酸(例如，吡啶甲酸酯(盐))、-C(＝O)、异腈、-CN和磷化合物(例如，膦或亚磷酸酯(盐))，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，有机金属磷光掺杂剂可以选自例如化合物PD1至化合物PD25，但本公开内容的实施方案不限于此：

荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。

荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁可以是取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基团或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，

xd1至xd3可以各自独立地是0至3的整数，

R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及

xd4可以是1至6的整数。

在一个实施方案中，式501中的Ar₅₀₁可以选自：

萘基团、庚搭烯基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团和茚并菲基团；以及

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团中的至少一个取代的萘基团、庚搭烯基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团和茚并菲基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地选自：

基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团和亚吡啶基基团；以及

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团中的至少一个取代的亚苯基基团、亚萘基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团和亚吡啶基基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地选自：

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团；以及

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)中的至少一个取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团，

其中Q₃₁至Q₃₃可以选自C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，荧光掺杂剂可以选自化合物FD1至化合物FD23：

在一个或多于一个的实施方案中，荧光掺杂剂可以选自以下化合物，但本公开内容的实施方案不限于此。

延迟荧光掺杂剂可以包括由式502表示的化合物：

式502

在式502中，

A₅₀₁至A₅₀₃可以各自独立地是C₅-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，L₅₀₁至L₅₀₅可以各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，

a501至a505可以各自独立地是0至3的整数，

R₅₀₃至R₅₀₇可以各自独立地选自取代或未取代的C₁-C₁₀烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及

c11至c13可以各自独立地是0至6的整数。

在一个实施方案中，式502中的A₅₀₁至A₅₀₃可以各自独立地选自苯基团、萘基团、庚搭烯基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、茚并菲基团和由式503表示的基团：

式503

在式503中，

A₅₀₄至A₅₀₆可以各自独立地与关于式502中的A₅₀₁描述的相同，

L₅₀₄至L₅₀₈可以各自独立地与关于式502中的L₅₀₁描述的相同，

a504至a508可以各自独立地与关于式502中的a501描述的相同，

R₅₀₆至R₅₁₀可以各自独立地与关于式502中的R₅₀₃描述的相同，以及

c14至c16可以各自独立地与关于式502中的c11描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，式502中的L₅₀₁至L₅₀₅可以各自独立地与以上描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，式502中的R₅₀₃至R₅₀₇可以各自独立地选自：

甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基团、腙基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)中的至少一个取代的甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

在一个实施方案中，式502中的c11至c13可以是0或1，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，延迟荧光掺杂剂可以选自化合物FD31至化合物FD33：

量子点发光装置的发射层可以包含量子点。例如，量子点发光装置可以包括量子点发射层。量子点发射层可以包含布置在单个层或多个层中的多个量子点(无机纳米颗粒)。

在本说明书中，术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可以包括具有可以根据晶体的尺寸调节的发射波长的任何材料。构成量子点的化合物没有特别限制，只要量子点满足以上标准即可。

在一些实施方案中，量子点可以包括选自III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；及其任意混合物中的半导体化合物材料。

例如，III-VI族半导体化合物可以选自：二元化合物，例如In₂S₃；三元化合物，所述三元化合物选自AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂，及其任意混合物，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，II-VI族半导体化合物可以选自：二元化合物，所述二元化合物选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其任意混合物；三元化合物，所述三元化合物选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其任意混合物；以及四元化合物，所述四元化合物选自CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其任意混合物，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，III-V族半导体化合物可以选自：二元化合物，所述二元化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其任意混合物；三元化合物，所述三元化合物选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其任意混合物；以及四元化合物，所述四元化合物选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其任意混合物，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，IV-VI族半导体化合物可以选自：二元化合物，所述二元化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其任意混合物；三元化合物，所述三元化合物选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其任意混合物；以及四元化合物，所述四元化合物选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其任意混合物，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，IV族元素或化合物可以选自：单一元素化合物，所述单一元素化合物选自Si、Ge及其任意混合物；以及二元化合物，所述二元化合物选自SiC、SiGe及其任意混合物，但本公开内容的实施方案不限于此。

二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以各自以基本上均匀的浓度以颗粒形式存在，或者可以存在于具有非均匀的浓度分布(例如，浓度梯度)的同一颗粒中。

量子点可以具有基本上均匀的单一结构(例如，仅有实心核的结构)或者包括一个核和一个或多于一个的壳的核-壳结构。例如，核-壳结构可以包含不同的材料。例如，构成核和壳中的每一个的材料可以包括不同的半导体化合物。

量子点的壳可以通过防止或减少核的化学退化而用作用于保持半导体特性的保护层，和/或可以用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单个层(例如，单个壳)或多层(例如，多个壳)。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的原子的浓度朝向中心降低。

量子点的壳的非限制性实例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其任意组合。例如，金属或非金属的氧化物可以包括二元化合物(例如，SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO)、或三元化合物(例如，MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄)，但本公开内容的实施方案不限于此。在一些实施方案中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本公开内容的实施方案不限于此。

量子点的直径(尺寸)没有特别限制，但可以是，例如，约1nm至约10nm。当选择或调整量子点的尺寸时，也可以调整能带间隙，从而从量子点发射层产生各种波长的光。因此，通过使用或包含不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的显示器。

例如，可以选择各种量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和蓝色光，以便构成彩色显示器。在一些实施方案中，可以选择量子点的尺寸，使得不同的量子点发射不同颜色的光，其可以被组合以发射白色光。

每个量子点可以是球形、金字塔形、多臂或立方形纳米颗粒，或者纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒，但本公开内容的实施方案不限于此。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm。当量子点的发射波长光谱的FWHM在该范围内时，可以改善颜色纯度和/或颜色再现性。此外，通过此类量子点发射的光可以全向照射，从而提供广视角。

可以经由湿法化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任意适合的或类似的工艺合成量子点。

在湿法化学工艺中，将前体材料添加至有机溶剂中以生长颗粒晶体。随着晶体生长，有机溶剂用作分散剂，其自然地配位至量子点晶体的表面并且控制晶体的生长。在这点上，与气相沉积工艺(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))相比，可以容易地进行湿法化学工艺，并且可以通过利用这种低成本工艺来控制无机纳米颗粒的生长。

[电子传输区中的电子传输层]

发光装置1可以包括直接接触发射层的电子传输层。

电子传输层可以包含第十二材料，并且第十二材料可以包括选自有机电子传输化合物中的至少一种。

在一个实施方案中，电子传输层可以进一步包含不同于第十二材料的第十三材料，并且第十三材料可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。

如本文使用的术语“有机电子传输化合物”是指包含至少一个含缺π电子的氮的环的无金属化合物。

如本文使用的术语“含缺π电子的氮的环”是指具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C₁-C₆₀杂环基团。

例如，“含缺π电子的氮的环”可以是：i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元的杂单环基团，ii)其中各自具有至少一个*-N＝*'部分的两个或多于两个的5元至7元的杂单环基团彼此稠合的杂多环基团，或者iii)其中各自具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元的杂单环基团中的至少一个与至少一个C₅-C₆₀碳环基团稠合的杂多环基团。

含缺π电子的氮的环的非限制性实例包括咪唑环、吡唑环、噻唑环、异噻唑环、噁唑环、异噁唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、吲唑环、嘌呤环、喹啉环、异喹啉环、苯并喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、菲啶环、吖啶环、菲咯啉环、吩嗪环、苯并咪唑环、异苯并噻唑环、苯并噁唑环、异苯并噁唑环、三唑环、四唑环、噁二唑环、三嗪环、噻二唑环、咪唑并吡啶环、咪唑并嘧啶环和氮杂咔唑环。

在一些实施方案中，如本文使用的术语“有机电子传输化合物”可以包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21。

在式601中，

Ar₆₀₁可以是取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基团或者取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

L₆₀₁可以选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，

xe1可以是0至5的整数，

R₆₀₁可以选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自独立地是C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团，以及

xe21可以是1至5的整数。

在一个实施方案中，xe11个Ar₆₀₁和xe21个R₆₀₁中的至少一个可以包含含缺π电子的氮的环。

在一个实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以选自：

苯基团、萘基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异苯并噻唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团和氮杂咔唑基团；以及

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一个取代的苯基团、萘基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异苯并噻唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团和氮杂咔唑基团，

当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在一个或多于一个的实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是蒽基团。

在一个或多于一个的实施方案中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：

式601-1

在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自独立地与关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可以各自独立地与关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自独立地与关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团。

在一个实施方案中，式601和式601-1中的L₆₀₁和L₆₁₁至L₆₁₃可以各自独立地选自：

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团中的至少一个取代的亚苯基基团、亚萘基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚吡啶基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚噻二唑基基团、亚噁二唑基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚三嗪基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚异苯并噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚异苯并噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团、亚咪唑并嘧啶基基团和亚氮杂咔唑基基团，

但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

在一个或多于一个的实施方案中，式601和式601-1中的R₆₀₁和R₆₁₁至R₆₁₃可以各自独立地选自：

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团；

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团中的至少一个取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

其中Q₆₀₁和Q₆₀₂可以各自独立地与以上描述的相同。

电子传输区可以包含选自化合物ET1至化合物ET36中的至少一种化合物，但本公开内容的实施方案不限于此：

在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包含选自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和NTAZ中的至少一种化合物。

在电子传输层中，第十二材料可以具有大于或等于第十三材料的体积的体积。详细地，在电子传输层中，第十二材料与第十三材料的体积比可以是约99:1至约50:50。

电子传输层的厚度可以是约0.1nm至约10nm。当电子传输层的厚度在以上范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

[电子传输区中的电子注入层]

发光装置1可以包括直接接触第二电极190或第m-1电荷产生单元的电子注入层。

电子注入层可以包含第八材料，并且第八材料可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。

在一个实施方案中，电子注入层可以由第八材料组成。在一些实施方案中，例如，电子注入层可以不包含除了第八材料以外的任何材料。

在一个实施方案中，电子注入层可以进一步包含不同于第八材料的第九材料，并且第九材料可以包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合。

在一些实施方案中，第八材料可以是具有约7eV或大于7eV的宽带间隙的化合物。因此，第八材料可以基本上不吸收光。

在一些实施方案中，第九材料可以是具有约2.6eV或小于2.6eV的低功函的化合物。

在一些实施方案中，第八材料可以由式X表示，并且第九材料可以由式Y表示：

式X

A_nB_m

式Y

C。

在式X和式Y中，

A和C可以各自独立地是碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合，

B可以是卤素，

n和m可以各自独立地是1或大于1的整数，其使得第八材料为中性，以及

A和C可以彼此不同。

当A和C彼此不同时，可以根据第九材料的窄带间隙选择第九材料以补充光吸收。

例如，在式X和式Y中，A可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合，B可以包括F、Cl、Br、I或其任意组合，n和m中的每一个可以是1，并且C可以包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或其任意组合。

在一些实施方案中，第八材料可以包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaF、KF、RbF、CsF或其任意组合，并且第九材料可以包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或其任意组合。

在电子注入层中，第八材料可以具有大于或等于第九材料的体积的体积。例如，在电子注入层中，相对于材料的总体积，第九材料可以具有大于0％且小于或等于50％的体积。在一些实施方案中，在电子注入层中，第九材料可以具有5％以上至10％以下的体积，但本公开内容的实施方案不限于此。当第九材料的体积在以上范围内时，根据第九材料的窄带间隙，第九材料可以充分地补充光吸收。

电子注入层的厚度可以是约0.1nm至约5nm。当电子注入层的厚度在以上范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

[电子传输区中的含金属的材料]

除了以上描述的材料以外，电子传输区可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。

与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开内容的实施方案不限于此。

例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括，例如，化合物ET-D1(喹啉锂，LiQ)或化合物ET-D2：

[电荷产生单元]

发光装置1包括m-1个在发射单元中的相邻发射单元之间的电荷产生单元。

例如，在第m发射单元与第m-1发射单元之间包括第m-1电荷产生单元。例如，当m是2时，依次设置第一电极、第一发射单元、第一电荷产生单元和第二发射单元。作为另一个实例，当m是3时，依次设置第一电极、第一发射单元、第一电荷产生单元、第二发射单元、第二电荷产生单元和第三发射单元。

在一个实施方案中，电荷产生单元中的至少一个包括：n-型电荷产生层；p-型电荷产生层；以及在n-型电荷产生层与p-型电荷产生层之间的中间层pIL。

参考图2，在第m发射单元ELU(m)与第m-1发射单元ELU(m-1)之间的第m-1电荷产生单元CGU(m-1)包括：第m-1n-型电荷产生层nCGL(m-1)；第m-1p-型电荷产生层pCGL(m-1)；以及在第m-1n-型电荷产生层与第m-1p-型电荷产生层之间的第m-1中间层pIL(m-1)。

n-型电荷产生层可以包含第一材料和第二材料。

第一材料可以包括选自有机电子传输化合物中的至少一种。有机电子传输化合物与以上描述的相同。

在一个实施方案中，有机电子传输化合物可以是基于菲咯啉的化合物或基于氧化膦的化合物。

在一个实施方案中，有机电子传输化合物可以选自化合物N1、化合物N2和任何类似的基于菲咯啉的化合物：

第二材料可以包括选自碱金属、碱金属合金、碱土金属、碱土金属合金、镧系金属和镧系金属合金中的至少一种。

第一材料可以包括有机电子传输化合物，并且第一材料与第二材料的体积比可以是约99.9:0.1至约80:20。例如，第一材料与第二材料的体积比可以是约99:1至约80:20。

在一个实施方案中，第一材料与第二材料之间的结合能可以是约1.2eV或大于1.2eV，例如约1.25eV或大于1.25eV。例如，第一材料与第二材料之间的结合能可以是约1.25eV以上至约5eV以下。

可以通过使用例如高斯09的模拟来计算结合能。

在n-型电荷产生层中，第一材料与第二材料之间的结合能被配置为高的，并且因此发光装置1中的电荷流动可以是流畅的，这可以防止或减少驱动电压随时间而增加的现象。

在一个实施方案中，第二材料可以是碱金属或碱金属合金，并且n-型电荷产生层可以进一步包含铋(Bi)。

在一个或多于一个的实施方案中，第二材料可以是碱金属和铋(Bi)的合金。

例如，第二材料可以是锂(Li)、钠(Na)、Bi-Li合金或Bi-Na合金。

当n-型电荷产生层包含碱金属时，碱金属在加工期间可能容易被氧化并且具有增加的熔点，并且因此加工温度可能增加。在这点上，当如以上描述将碱金属和铋的合金用作第二材料时，可以稳定地配置n-型电荷产生层，并且可以降低熔点，这在加工期间是有利的。

在一个或多于一个的实施方案中，第二材料可以是铽(Tb)、钬(Ho)或镝(Dy)。

n-型电荷产生层的厚度可以是约0.1nm至约20nm。

在一些实施方案中，n-型电荷产生层可以与p-型中间层直接接触。

在一些实施方案中，n-型电荷产生层可以与电子注入层或电子传输层直接接触。例如，包含在第m-1电荷产生单元中的n-型电荷产生层可以与包含在第m-1发射单元中的电子注入层或电子传输层直接接触。

p-型中间层pIL包含第三材料和第四材料。

第三材料可以包括有机空穴传输化合物、无机绝缘化合物或其任意组合。有机空穴传输化合物与以上描述的相同。

第四材料可以包括选自有机半导体化合物、无机半导体化合物和无机绝缘化合物中的至少一种化合物。

在一个实施方案中，在p-型中间层中，第三材料可以包括有机空穴传输化合物，并且第三材料与第四材料的体积比可以是约99:1至约80:20，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，在p-型中间层中，第三材料可以包括无机绝缘化合物，并且第三材料与第四材料的体积比可以是约99:1至约50:50，但本公开内容的实施方案不限于此。

p-型中间层的厚度可以是约0.1nm至约20nm，例如，约0.1nm至约10nm。

p-型中间层可以与n-型电荷产生层直接接触。

在一个实施方案中，第四材料可以是有机半导体化合物(例如NDP-9)。在一个或多于一个的实施方案中，第四材料可以是无机半导体化合物(例如CuI、BiI₃、BiCl₃、BiBr₃、BiF₃、Bi₂Te₃、Te和/或ZnTe)。在一个或多于一个的实施方案中，第四材料可以包括诸如NDP-9的有机半导体化合物和诸如CuI、BiI₃、Bi₂Te₃、Te和/或ZnTe的无机半导体化合物。

在一个实施方案中，第四材料可以不包括有机半导体化合物。例如，第四材料可以包括至少一种无机半导体化合物(例如，由至少一种无机半导体化合物组成)。

当向发光装置施加电压时，包含在n-型电荷产生层中的第二材料可以扩散至p-型电荷产生层。然而，由于n-型电荷产生层与p-型电荷产生层之间的p-型中间层，发光装置1可以防止或减少第二材料扩散。因此，可以防止或减少各层之间的界面的退化，并且可以防止或减少驱动电压的增加，并且因此发光装置1可以提供改善的使用寿命和/或改善的亮度。

p-型电荷产生层包含第三材料和第五材料。

如以上描述，第三材料可以包括有机空穴传输化合物、无机绝缘化合物或其任意组合。有机空穴传输化合物可以与以上描述的相同。

在一个实施方案中，包含在p-型中间层中的第三材料和包含在p-型电荷产生层中的第三材料可以彼此相同(例如，同一材料)。在一个或多于一个的实施方案中，包含在p-型中间层中的第三材料和包含在p-型电荷产生层中的第三材料可以彼此不同。

第五材料可以包括选自无机半导体化合物中的至少一种。

第三材料可以具有大于或等于第五材料的体积的体积。

在一个实施方案中，在p-型电荷产生层中，第三材料可以包括有机空穴传输化合物，并且第三材料与第五材料的体积比可以是约99:1至约80:20，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，第三材料可以包括无机绝缘化合物，并且第三材料与第五材料的体积比可以是约99:1至约50:50，但本公开内容的实施方案不限于此。

p-型电荷产生层的厚度可以是约0.1nm至约20nm。

p-型电荷产生层可以与p-型中间层直接接触。

在一些实施方案中，p-型电荷产生层可以与空穴注入层或空穴传输层直接接触。例如，包括在第m-1电荷产生单元中的p-型电荷产生层可以与包括在第m发射单元中的空穴注入层或空穴传输层直接接触。

在一个实施方案中，电荷产生单元包括p-型电荷产生单元，所述p-型电荷产生单元包括以下(例如，由以下组成)：p-型中间层和p-型电荷产生层，p-型电荷产生单元可以仅掺杂有无机掺杂剂，并且无机掺杂剂可以包括至少两种不同的无机半导体化合物。例如，包含在p-型中间层中的第四材料可以是无机半导体化合物，包含在p-型电荷产生层中的第五材料可以是无机半导体化合物，并且第四材料和第五材料可以彼此不同。

在一些实施方案中，在电荷产生单元中，n-型电荷产生层、p-型中间层和p-型电荷产生层中的每一个可以掺杂有无机掺杂剂。例如，n-型电荷产生层可以掺杂有包括选自碱金属、碱金属合金、碱土金属、碱土金属合金、镧系金属和镧系金属合金中的至少一种的第二材料，p-型中间层可以掺杂有包括无机半导体化合物的第四材料，并且p-型电荷产生层可以掺杂有包括无机半导体化合物的第五材料。在一些实施方案中，第四材料和第五材料可以彼此不同。

[第二电极190]

第二电极190位于第m发射单元上。第二电极190可以是作为电子注入电极的阴极，并且用于形成第二电极190的材料可以选自各自具有相对低的功函的金属、合金、导电化合物及其组合。

第二电极190可以包含选自锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、银-镁(Ag-Mg)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO和IZO中的至少一种，但本公开内容的实施方案不限于此。第二电极190可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极190可以具有单层结构、或者包括两层或多于两层的多层结构。

第二电极190的厚度可以是约5nm至约20nm。当第二电极190的厚度在该范围内时，可以最小化或减少第二电极190中的光吸收，并且可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

[设备]

发光装置可以被包括在任何适合的设备中。

本公开内容的另一方面提供了包括发光装置的设备。

例如，设备可以是发光设备、验证设备或电子设备，但本公开内容的实施方案不限于此。

[发光设备]

参考图3，将更详细地描述根据实施方案的发光设备3。

在发光设备3中，滤色器340可以定位成与从发光装置1发射的光的至少一个行进方向相交。

发光装置1可以包括第一电极321、第一发射单元322、第一电荷产生单元、第二发射单元323和第二电极324。例如，第一发射单元322和第二发射单元323可以各自发射蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。

发光设备3的第一衬底310可以包括多个子像素区域，并且滤色器340可以包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域(341、342和343)。可以在多个子像素区域之间形成像素限定膜330以限定每个子像素区域。滤色器340可以包括在多个滤色器区域(341、342和343)之间的光阻挡图案344。

多个滤色器区域(341、342和343)可以包括用以发射第一颜色光的第一滤色器区域，用以发射第二颜色光的第二滤色器区域，以及用以发射第三颜色光的第三滤色器区域，并且第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一些实施方案中，多个滤色器区域(341、342和343)可以各自包含量子点，但本公开内容的实施方案不限于此。在一些实施方案中，第一滤色器区域可以包含红色量子点，第二滤色器区域可以包含绿色量子点，并且第三滤色器区域可以不包含量子点。

量子点可以各自独立地与以上描述的相同。

第一滤色器区域、第二滤色器区域和第三滤色器区域可以各自包括散射物，但本公开内容的实施方案不限于此。

在一个实施方案中，发光装置1可以旨在发射第一光，第一滤色器区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二滤色器区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三滤色器区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。

除了如以上描述的发光装置1以外，发光设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可以电连接至发光装置1的第一电极321和第二电极324中的任一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘层等。

有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等，但本公开内容的实施方案不限于此。

发光设备3可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于滤色器与有机发光装置1之间。密封部可以允许实现来自发光装置1的图像，并且可以阻挡或减少外部空气和湿气渗透进入发光装置1。密封部可以是包括透明玻璃和/或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括多个有机层和/或多个无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，整个平板显示设备可以是柔性的。

发光设备3可以用作各种显示器、光源等。

[验证设备]

验证设备可以是，例如，用于使用生物测量体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测量信息来验证个体的生物测量验证设备。

除了发光装置以外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

[电子设备]

电子设备可以应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ECG)显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等，但本公开内容的实施方案不限于此。

[制备方法]

根据一方面，制备发光装置(所述发光装置包括：第一电极，面向第一电极的第二电极，m个在第一电极与第二电极之间的发射单元，以及m-1个在发射单元中的相邻发射单元之间的电荷产生单元(其中m是2或大于2的自然数，发射单元各自包括发射层，并且电荷产生单元中的至少一个包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层))的方法包括：

形成包含第一材料和第二材料的n-型电荷产生层，

第一材料包括有机电子传输化合物，以及

第二材料包括选自碱金属、碱金属合金、碱土金属、碱土金属合金、镧系金属和镧系金属合金中的至少一种。

在一个实施方案中，n-型电荷产生层的形成包括由用于n-型电荷产生层的材料形成n-型电荷产生层，所述用于形成n-型电荷产生层的材料包括第一材料和第二材料或者第一材料和第二材料的前体，以及

用于n-型电荷产生层的材料可以包括选自Bi-Li合金、Bi-Na合金、Tb、Ho和Dy中的至少一种。

在一个实施方案中，第二材料的前体可以与第二材料相同，或者在包括第二材料时可以与第二材料不同。

在一个或多于一个的实施方案中，在n-型电荷产生层的形成中，n-型电荷产生层可以由包括第一材料和Bi-Li合金或Bi-Na合金的用于n-型电荷产生层的材料形成，其中形成的n-型电荷产生层可以包含第一材料和Li或Na。

在一个或多于一个的实施方案中，在n-型电荷产生层的形成中，n-型电荷产生层可以由包括第一材料和Bi-Li合金或Bi-Na合金的用于n-型电荷产生层的材料形成，其中形成的n-型电荷产生层可以包含第一材料和Bi-Li合金或Bi-Na合金。

当n-型电荷产生层被配置成包含碱金属时，碱金属在加工期间可能容易被氧化并且具有增加的熔点，并且因此加工温度可能增加。在这点上，当如以上描述将碱金属和铋的合金用作第二材料或第二材料的前体时，可以稳定地配置n-型电荷产生层，并且可以降低熔点，这在加工期间是有利的。

包括在发射单元中的层和包括在电荷产生单元中的层可以各自使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法而形成在设定或预定区域中。

当通过真空沉积形成包括在发射单元中的层和包括在电荷产生单元中的层时，取决于待包含的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

至约

的沉积速度进行沉积。

当通过旋涂形成包括在发射单元中的层和包括在电荷产生单元中的层时，取决于待包含材料以及待形成的层的结构，可以以约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速率和在约80℃至200℃的热处理温度进行旋涂。

[取代基的一般定义]

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，并且其非限制性实例包括甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、异戊基基团和己基基团。在一些实施方案中，C₁-C₆₀烷基基团可以是C₁-C₃₀烷基基团、C₁-C₂₀烷基基团或C₁-C₁₀烷基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的烃基团，并且其非限制性实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。在一些实施方案中，C₂-C₆₀烯基基团可以是C₂-C₃₀烯基基团、C₂-C₂₀烯基基团或C₂-C₁₀烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的烃基团，并且其非限制性实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。在一些实施方案中，C₂-C₆₀炔基基团可以是C₂-C₃₀炔基基团、C₂-C₂₀炔基基团或C₂-C₁₀炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其非限制性实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，并且其非限制性实例包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团和环庚基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指具有作为成环原子的选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子(例如1至5或1至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)以及1个至10个碳原子的单价单环基团，并且其非限制性实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子、至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价单环基团，并且其非限制性实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指在其环中具有作为成环原子的选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子(例如1至5或1至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价单环基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的非限制性实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的非限制性实例包括苯基基团、萘基基团、蒽基基团、菲基基团、芘基基团和

基基团。在一些实施方案中，C₆-C₆₀芳基基团可以是C₆-C₃₀芳基基团、C₆-C₂₄芳基基团或C₆-C₁₈芳基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，该两个或多于两个的环可以彼此接合(fused)。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指具有除了1个至60个碳原子以外还具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子(例如1至5或1至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指具有除了1个至60个碳原子以外还具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子(例如1至5或1至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的非限制性实例包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团和异喹啉基基团。在一些实施方案中，C₁-C₆₀杂芳基基团可以是C₁-C₃₀杂芳基基团、C₁-C₂₄杂芳基基团或C₁-C₁₈杂芳基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，该两个或多于两个的环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”是指-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”是指-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳氧基基团”是指-OA₁₀₄(其中A₁₀₄是C₁-C₆₀杂芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳硫基基团”是指-SA₁₀₅(其中A₁₀₅是C₁-C₆₀杂芳基基团)。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8个至30个或8个至24个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅具有碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中具有非芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的非限制性实例是芴基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1个至30个或1个至24个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子(例如1至5或1至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子，并且在其整个分子结构中具有非芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的非限制性实例是咔唑基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₅-C₆₀碳环基团”是指仅包含碳原子作为成环原子并且由5个至60个碳原子组成的单环基团或多环基团。C₅-C₆₀碳环基团可以是芳香族碳环基团或非芳香族碳环基团。C₅-C₆₀碳环基团可以是环(例如苯)、单价基团(例如苯基基团)、或二价基团(例如亚苯基基团)。在一个或多于一个的实施方案中，取决于连接至C₅-C₆₀碳环基团的取代基的数量，C₅-C₆₀碳环基团可以是三价基团或四价基团。在一些实施方案中，C₅-C₆₀碳环基团可以是C₅-C₃₀碳环基团、C₅-C₂₄碳环基团或C₅-C₁₈碳环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有与C₅-C₆₀碳环基团基本上相同的结构的基团，但除了碳(碳原子数可以为1至60，例如1个至30个或1个至24个碳原子)以外，还使用选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子(例如1至5或1至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)。

选自取代的C₅-C₆₀碳环基团、取代的C₁-C₆₀杂环基团、取代的C₃-C₁₀亚环烷基基团、取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、取代的C₃-C₁₀亚环烯基基团、取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、取代的C₁-C₆₀亚杂芳基基团、取代的二价非芳香族稠合多环基团、取代的二价非芳香族稠合杂多环基团、取代的C₁-C₆₀烷基基团、取代的C₂-C₆₀烯基基团、取代的C₂-C₆₀炔基基团、取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、取代的C₃-C₁₀环烷基基团、取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、取代的C₃-C₁₀环烯基基团、取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、取代的C₆-C₆₀芳基基团、取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、取代的C₁-C₆₀杂芳氧基基团、取代的C₁-C₆₀杂芳硫基基团、取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代的单价非芳香族稠合杂多环基团中的至少一个取代基可以选自：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团和C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、C₁-C₆₀杂芳氧基基团、C₁-C₆₀杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)和-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)中的至少一个取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团和C₁-C₆₀烷氧基基团；

C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、C₁-C₆₀杂芳氧基基团、C₁-C₆₀杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团；

各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、C₁-C₆₀杂芳氧基基团、C₁-C₆₀杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)和-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)中的至少一个取代的C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、C₁-C₆₀杂芳氧基基团、C₁-C₆₀杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团；以及

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地选自氢，氘，-F，-Cl，-Br，-I，羟基基团，氰基基团，硝基基团，脒基基团，肼基基团，腙基基团，C₁-C₆₀烷基基团，C₂-C₆₀烯基基团，C₂-C₆₀炔基基团，C₁-C₆₀烷氧基基团，C₃-C₁₀环烷基基团，C₁-C₁₀杂环烷基基团，C₃-C₁₀环烯基基团，C₁-C₁₀杂环烯基基团，C₆-C₆₀芳基基团，C₁-C₆₀杂芳基基团，C₁-C₆₀杂芳氧基基团，C₁-C₆₀杂芳硫基基团，单价非芳香族稠合多环基团，单价非芳香族稠合杂多环基团，被选自氘、-F和氰基基团中的至少一个取代的C₁-C₆₀烷基基团，被选自氘、-F和氰基基团中的至少一个取代的C₆-C₆₀芳基基团，联苯基基团和三联苯基基团。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”可以是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”可以是具有C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。

在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方案的发光装置。

[实施例]

评估例1：结合能的测量

通过分子模拟计算表1中描述的无机材料与化合物N1之间的结合能，并且结果显示于表1中。

[表1]

无机材料	结合能(eV)
		Bi-Li	2.24
Li	2.24
		Na	1.27
K	1.24
		Tb	2.55
Dy	1.28
		Ho	1.75
Yb	0.42
		Sm	0.44
Eu	0.75
		La	1.24
Ce	1.22

实施例1

将15Ω/cm²

的ITO/Ag/ITO玻璃衬底(康宁公司(Corning Inc.)的产品)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。将得到的玻璃衬底装载到真空沉积设备上。

将HT3沉积到玻璃衬底的ITO/Ag/ITO阳极上至1.7nm的厚度，将HT3和CuI以97:3的体积比共沉积在其上以形成具有10nm的厚度的空穴注入层，将HT3沉积在空穴注入层上以形成具有24nm的厚度的第一空穴传输层，将TCTA沉积在第一空穴传输层上以形成具有5nm的厚度的第二空穴传输层，将H18和FD23以98:2的体积比共沉积在第二空穴传输层上以形成具有17nm的厚度的发射层，将T2T沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层，以及将TPM-TAZ和LiQ以1:1的体积比共沉积在第一电子传输层上以形成具有25nm的厚度的第二电子传输层，由此完成第一发射单元的形成。

将化合物N1和Bi-Li以98:2的体积比共沉积在第一发射单元上以形成具有10nm的厚度的n-型电荷产生层，将HT3和NDP-9以90:10的体积比共沉积在n-型电荷产生层上以形成具有10nm的厚度的p-型中间层，以及将HT3和CuI以90:10的体积比共沉积在p-型中间层上以形成具有10nm的厚度的p-型电荷产生层，从而完成第一电荷产生单元的形成。

将HT3沉积在第一电荷产生单元上以形成具有54nm的厚度的第一空穴传输层，将TCTA沉积在第一空穴传输层上以形成具有5nm的厚度的第二空穴传输层，将H18和FD23以98:2的体积比共沉积在第二空穴传输层上以形成具有17nm的厚度的发射层，将T2T沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层，以及将TPM-TAZ和LiQ以1:1的体积比共沉积在第一电子传输层上以形成具有25nm的厚度的第二电子传输层，从而完成第二发射单元的形成。

将化合物N1和Bi-Li以98:2的体积比共沉积在第二发射单元上以形成具有10nm的厚度的n-型电荷产生层，将HT3和NDP-9以90:10的体积比共沉积在n-型电荷产生层上以形成具有10nm的厚度的p-型中间层，以及将HT3和CuI以90:10的体积比共沉积在p-型中间层上以形成具有10nm的厚度的p-型电荷产生层，从而完成第二电荷产生单元的形成。

将HT3沉积在第二电荷产生单元上以形成具有44.5nm的厚度的第一空穴传输层，将TCTA沉积在第一空穴传输层上以形成具有5nm的厚度的第二空穴传输层，将H18和FD23以98:2的体积比共沉积在第二空穴传输层上以形成具有17nm的厚度的发射层，将T2T沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层，将TPM-TAZ和LiQ以1:1的体积比共沉积在第一电子传输层上以形成具有35nm的厚度的第二电子传输层，以及将KI和Yb以95:5的体积比共沉积在第二电子传输层上以形成具有1.1nm的厚度的电子注入层，从而完成第三发射单元的形成。

将Ag和Mg以9:1的体积比共沉积在第三发射单元上以形成具有14nm的厚度的阴极，从而完成串联发光装置的制造。

实施例2

使用与实施例1基本上相同的方法制造发光装置，但使用BiI₃替代NPD-9以形成p-型中间层。

实施例3

使用与实施例1基本上相同的方法制造发光装置，但使用Bi₂Te₃替代NPD-9以形成p-型中间层。

比较例1

使用与实施例1基本上相同的方法制造发光装置，但使用Yb替代Li以形成n-型电荷产生层。

评估例2

使用吉时利(Keithley)SMU 236和亮度计PR650测量了根据实施例1至实施例3和比较例1制造的发光装置的驱动电压、驱动电压的变化、电流效率、使用寿命和CIE颜色坐标，并且结果显示于表2中。使用寿命(T₉₇)是在发光装置被驱动之后亮度(@400nit)被降低至初始亮度(设定为100％)的97％所花费的时间段。驱动电压的变化是初始驱动电压与驱动发光装置1000小时之后测量的驱动电压之间的差。

[表2]

参考表2，与根据比较例1制造的发光装置相比，根据实施例1至实施例3制造的发光装置中的每一个具有更低的驱动电压和更低的驱动电压的增加率，并且可以具有显著改善的使用寿命。

发光装置具有优化的或改善的空穴和电子平衡，使得其驱动电压是低的，并且其效率和使用寿命特性可以是优异的。

如本文使用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。

本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于1.0或大于1.0的最小值和等于10.0或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本说明书中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。

应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性意义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为是可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。

尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求及其等同物限定的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节的各种改变。

Claims

1.发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

m个在所述第一电极与所述第二电极之间的发射单元；以及

m-1个在所述发射单元中的相邻发射单元之间的电荷产生单元，

其中m是2或大于2的自然数；

所述发射单元各自包括发射层；

所述电荷产生单元中的至少一个包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层；

所述n-型电荷产生层包含第一材料和第二材料；

所述第一材料包括有机电子传输化合物；以及

所述第二材料包括选自碱金属、碱金属合金、碱土金属、碱土金属合金、镧系金属和镧系金属合金中的至少一种。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料具有大于或等于所述第二材料的体积的体积。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料与所述第二材料的体积比是99.9:0.1至80:20。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料与所述第二材料之间的结合能是1.2eV或大于1.2eV。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料包括含菲咯啉的化合物。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二材料是碱金属或碱金属合金，以及

所述n-型电荷产生层进一步包含铋。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二材料是铽、钬或镝。

8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述n-型电荷产生层与所述p-型电荷产生层之间的p-型中间层，

其中所述p-型中间层包含第三材料和第四材料，

所述第三材料包括有机空穴传输化合物、无机绝缘化合物或其任意组合；以及

所述第四材料包括选自有机半导体化合物、无机半导体化合物和无机绝缘化合物中的至少一种化合物。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第四材料包括无机半导体化合物。

10.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第四材料包括选自CuI、BiI₃、BiCl₃、BiBr₃、BiF₃、Bi₂Te₃、Te和ZnTe中的至少一种化合物。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述p-型电荷产生层包含第三材料和第五材料，

所述第三材料包括有机空穴传输化合物、无机绝缘化合物或其任意组合，以及

所述第五材料包括选自无机半导体化合物中的至少一种化合物。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第一电极是阳极；

所述第二电极是阴极；以及

第m发射单元在所述第一电极与所述第二电极之间；

第m-1发射单元在所述第一电极与所述第m发射单元之间；以及

第m-1电荷产生单元在所述第m发射单元与所述第m-1发射单元之间，

其中所述第m发射单元包括第m发射层；

所述第m-1发射单元包括第m-1发射层；

第m-1空穴传输区进一步位于所述第一电极与所述第m-1发射层之间；

第m-1电子传输区进一步位于所述第m-1发射层与所述第m-1电荷产生单元之间；

第m空穴传输区进一步位于所述第m-1电荷产生单元与所述第m发射层之间；

第m电子传输区进一步位于所述第m发射层与所述第二电极之间；

所述第m空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合；以及

所述第m电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

13.如权利要求12所述的发光装置，其中所述空穴注入层包含第六材料和第七材料；

所述第六材料和所述第七材料彼此不同；

所述第六材料包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合；以及

所述第七材料包括有机空穴传输化合物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。

14.如权利要求12所述的发光装置，其中所述电子注入层包含第八材料；以及

所述第八材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。

15.如权利要求14所述的发光装置，其中所述电子注入层进一步包含第九材料；

所述第八材料和所述第九材料彼此不同；以及

所述第九材料包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合。

16.如权利要求12所述的发光装置，其中所述空穴传输层与所述发射层直接接触；

所述空穴传输层包含第十材料；以及

所述第十材料包括选自有机空穴传输化合物中的至少一种。

17.如权利要求12所述的发光装置，其中所述电子传输层与所述发射层直接接触；

所述电子传输层进一步包含第十二材料；以及

所述第十二材料包括选自有机电子传输化合物中的至少一种。

18.制造权利要求1所述的发光装置的方法，所述方法包括：

形成包含第一材料和第二材料的n-型电荷产生层，

其中所述第一材料包括有机电子传输化合物；以及

19.如权利要求18所述的方法，其中所述形成所述n-型电荷产生层包括由用于所述n-型电荷产生层的材料形成所述n-型电荷产生层，所述用于形成所述n-型电荷产生层的材料包括所述第一材料和所述第二材料或所述第一材料和所述第二材料的前体，

其中所述用于所述n-型电荷产生层的材料包括选自Bi-Li合金、Bi-Na合金、Tb、Ho和Dy中的至少一种。

20.设备，包括：

薄膜晶体管，其包括源电极、漏电极和有源层；以及权利要求1至19中任一项所述的发光装置，

其中所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个。

21.如权利要求20所述的设备，进一步包括滤色器，

其中所述滤色器定位成与来自所述发光装置的光发射的路径相交。