CN113314676A - 发光装置和包括发光装置的设备 - Google Patents

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Abstract

提供了发光装置和包括该发光装置的设备。发光装置可包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的夹层。夹层可包括发射层，其包括第一材料、第二材料和第三材料。第一材料可包括无机半导体化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合。第二材料可包括镧系金属。第三材料可包括有机化合物。

Description

发光装置和包括发光装置的设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0023838号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
实施方式涉及发光装置和包括该发光装置的设备。
背景技术
发光装置是将电能转化为光能的装置。这种发光装置的示例包括使用有机材料用于发射层的有机发光装置和使用量子点用于发射层的量子点发光装置等。
在发光装置中，第一电极设置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
发明内容
提供了在发射层中包括无机材料和有机材料的发光装置，和包括该发光装置的设备。
本发明的各方面将在随后的描述中部分地陈述，并且将从描述中部分地显而易见，或可通过实践本公开的实施方式来了解。
在实施方式中，发光装置可包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的夹层。夹层可包括发射层，发射层可包括第一材料、第二材料和第三材料。第一材料可包括无机半导体化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合。第二材料可包括镧系金属。第三材料可包括有机化合物。
在实施方式中，第一材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。第二材料可包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)或其任意组合。第三材料可包括有机荧光掺杂剂化合物、有机金属磷光掺杂剂化合物、有机延迟荧光掺杂剂化合物或其任意组合。
在实施方式中，第一材料可包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、EuI3、YbI3、SmI3、TmI3、EuI2、YbI2、SmI2、TmI2、EuCl3、YbCl3、SmCl3、TmCl3、EuBr3、YbBr3、SmBr3、TmBr3、AgI、CuI、NiI2、CoI2、BiI3、PbI2、SnI2、Te、EuTe、YbTe、SmTe、TmTe、EuSe、YbSe、SmSe、TmSe、ZnTe、CoTe、ZnSe、CoSe、Bi2Te3、Bi2Se3或其任意组合。
在实施方式中，第一材料可包括KI、RbI、CsI、CuI或其任意组合。
在实施方式中，第二材料可包括Yb、Tm、Sm、Eu、Er或其任意组合。
在实施方式中，第一材料的体积可大于或等于第二材料的体积。
在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括位于第一电极和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区中的至少一个。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在实施方式中，空穴注入层可包括第四材料和第五材料，并且第四材料和第五材料可彼此不同。第四材料可包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。第五材料可包括空穴传输有机化合物、后过渡金属卤化物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
在实施方式中，第五材料可包括空穴传输有机化合物，并且第四材料与第五材料的体积比可在约1:99至约20:80的范围内。
在实施方式中，第五材料可包括后过渡金属卤化物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合，并且第四材料与第五材料的体积比可在约0:100至约50:50的范围内。
在实施方式中，电子注入层可包括第六材料，并且第六材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
在实施方式中，电子注入层可由第六材料组成。
在实施方式中，电子注入层可进一步包括第七材料，并且第六材料和第七材料可彼此不同。第七材料可包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合。
在实施方式中，第六材料可由式X表示，并且第七材料可由式Y表示：
<式X>
AnBm
<式Y>
C
在式X和式Y中，
A和C可各自独立地包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合，
B可为卤素，
n和m可各自独立地为1或更大的整数，使得第六材料为中性的，并且
A和C可彼此不同。
在实施方式中，空穴传输层可直接接触发射层，并且空穴传输层可包括第八材料和第九材料。第八材料和第九材料可彼此不同，第八材料可包括至少一种空穴传输有机化合物，并且第九材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
在实施方式中，电子传输层可直接接触发射层，并且电子传输层可包括第十材料和第十一材料。第十材料和第十一材料可彼此不同，第十材料可包括至少一种电子传输有机化合物，并且第十一材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
在实施方式中，发光装置可包括第一电极，面对第一电极的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的发光单元，和各自位于多个发光单元中相邻的发光单元之间的电荷产生单元。发光单元中的每一个可包括发射层，并且发射层中的至少一个可包括第一材料、第二材料和第三材料。第一材料可包括无机半导体化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合。第二材料可包括镧系金属。第三材料可包括有机化合物。
在实施方式中，电荷产生单元中的每一个可包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。
在实施方式中，n型电荷产生层可包括第十二材料和第十三材料。第十二材料可包括碱金属、碱土金属、镧系金属、过渡金属、后过渡金属或其任意组合。第十三材料可包括电子传输有机化合物。p型电荷产生层可包括第十四材料和第十五材料。第十四材料可包括空穴传输有机化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合。第十五材料可包括无机半导体化合物。
在实施方式中，设备可包括薄膜晶体管和发光装置。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层。发光装置的第一电极可与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
在实施方式中，设备可进一步包括滤色器，并且滤色器可位于从发光装置发射光所通过的路径上。
附图说明
从结合所附附图的下述描述中，本公开的实施方式的上面和其他方面、特征和优势将更显而易见，在附图中：
图1至图4显示根据实施方式的发光装置的示意性截面视图；并且
图5显示根据实施方式的串联发光装置的示意性截面视图。
具体实施方式
现将详细地参考实施方式，其示例阐释在所附附图中，其中相同的附图标记全文指相同的元件。就此而言，实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，下面仅通过参照各图描述实施方式，来解释描述的各方面。
如本文所使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。例如，"A和/或B"可理解为意指"A、B或A和B"。术语"和"以及"或"可用于连接或分隔的意义并且可理解为等同于"和/或"。贯穿本公开，表述"A、B和C中的至少一个"可表明仅A，仅B，仅C，A和B两者，A和C两者，B和C两者，所有的A、B和C，或其变体。
为了其含义和解释的目的，术语"至少一个"旨在包括"选自由以下组成的组中的至少一个"的含义。例如，"A和B中的至少一个"可理解为意指"A、B或A和B"。当在元件的列表的前面时，术语"至少一个"修饰了整个列表的元件，但不修饰列表的单个元件。
由于本公开可以应用各种变换，并且可以具有各种示例，因此将在附图中阐释具体示例，并且在详细的描述中详细描述具体示例。通过参照稍后参考附图详细描述的实施例，将阐明本公开的效果和特征以及实现该效果和特征的方法。然而，本公开不限于下面公开的示例，并且可以以各种形式实现。
在下文，将参考所附附图详细描述实施方式。相同或相应的组件将由相同的附图标记指示，因此将省略其冗余描述。
应当理解，尽管术语"第一"、"第二"等可在本文用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一个组件。
如本文所使用的，单数形式"一个(a)"、"一种(an)"和"该(the)"也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地表明。
应进一步理解，本文所使用的术语"包含(comprise)"、"包含(comprising)"、"包括(include)"、"包括(including)"、"含有(contain)"和/或"含有(containing)"指定存在叙述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。
应当理解，当层、区域或组件被称为"在"另一层、区域或组件"上"或"到"另一层、区域或组件"上"时，其可直接或间接形成在另一层、区域或组件上。例如，可存在中间层、区域或组件。
为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，由于为了方便解释而任意地阐释附图中组件的尺寸和厚度，因此下述实施方式不限于此。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文所使用的术语"约"或"大约"包括叙述值并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，"约"可意指在一个或多个标准偏差内，或在叙述值的±20％、±10％或±5％内。
应当理解，当层、区域或组件被称为"连接至"另一层、区域或组件时，层、区域或组件可直接连接至另一层、区域或组件，或者由于存在中间层、区域或组件而间接连接至另一层、区域或组件。例如，应当理解，当层、区域或组件被称为"物理连接至"另一层、区域或组件时，层、区域或组件可直接地物理连接至另一层、区域或组件，或者由于存在中间层、区域或组件而间接地物理连接至另一层、区域或组件。例如，应当理解，当层、区域或组件被称为"电连接至"另一层、区域或组件时，层、区域或组件可直接电连接至另一层、区域或组件，或者由于存在中间层、区域或组件而间接电连接至另一层、区域或组件。
如本文所使用的术语"夹层"指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有层。"夹层"中包括的材料可为有机材料和/或无机材料。
如本文所使用的表述"(夹层)包括至少一种由式1表示的化合物"可包括其中"(夹层)包括相同的由式1表示的化合物"的情况和其中"(夹层)包括两种或更多种不同的由式1表示的化合物"的情况。
在说明书中，术语"族"指IUPAC元素周期表中的族。
如本文所使用的术语"无机半导体化合物"指作为无机材料且具有小于4eV的带隙的任何化合物。在实施方式中，无机半导体化合物可包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。在实施方式中，无机半导体化合物可包括EuI2、YbI2、SmI2、TmI2、AgI、CuI、NiI2、CoI2、BiI3、PbI2、SnI2、Te、EuTe、YbTe、SmTe、TmTe、EuSe、YbSe、SmSe、TmSe、ZnTe、CoTe、ZnSe、CoSe、Bi2Te3、Bi2Se3或其任意组合。
如本文所使用的术语"无机绝缘体化合物"指作为无机材料且具有4eV或更大的带隙的任何化合物。在实施方式中，无机绝缘体化合物可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。无机绝缘体化合物可包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、EuI3、YbI3、SmI3、TmI3、EuI2、YbI2、SmI2、TmI2、EuCl3、YbCl3、SmCl3、TmCl3、EuBr3、YbBr3、SmBr3、TmBr3、或其任意组合。
如本文所使用的术语"碱金属卤化物"指其中碱金属和卤素离子键合的化合物。在实施方式中、碱金属卤化物可包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaBr、KBr、RbBr、CsBr或其任意组合。
如本文所使用的术语"碱土金属卤化物"指其中碱土金属和卤素离子键合的化合物。在实施方式中，碱土金属卤化物可包括MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2或其任意组合。
如本文所使用的术语"镧系金属卤化物"指其中镧系金属和卤素离子键合和/或共价键合的化合物。在实施方式中，镧系金属卤化物可包括EuI2、YbI2、SmI2、TmI2、EuI3、YbI3、SmI3、TmI3、EuCl3、YbCl3、SmCl3、TmCl3、EuBr3、YbBr3、SmBr3、TmBr3或其任意组合。
如本文所使用的术语"过渡金属卤化物"指其中过渡金属和卤素离子键合和/或共价键合的化合物。在实施方式中，过渡金属卤化物可包括AgI、CuI、NiI2、CoI2或其任意组合。
如本文所使用的术语"后过渡金属卤化物"指其中后过渡金属和卤素离子键合和/或共价键合的化合物。在实施方式中，后过渡金属卤化物可包括BiI3、PbI2、SnI2或其任意组合。
如本文所使用的术语"镧系金属碲化物"指其中镧系金属和碲(Te)离子键合、共价键合和/或金属键合的化合物。在实施方式中，镧系金属碲化物可包括EuTe、YbTe、SmTe、TmTe或其任意组合。
如本文所使用的术语"过渡金属碲化物"指其中过渡金属和碲离子键合、共价键合和/或金属键合的化合物。在实施方式中，过渡金属碲化物可包括ZnTe、CoTe或其任意组合。
如本文所使用的术语"后过渡金属碲化物"指其中后过渡金属和碲离子键合、共价键合和/或金属键合的化合物。在实施方式中，后过渡金属碲化物可包括Bi2Te3。
如本文所使用的术语"镧系金属硒化物"指其中镧系金属和硒(Se)离子键合、共价键合和/或金属键合的化合物。在实施方式中，镧系金属硒化物可包括EuSe、YbSe、SmSe、TmSe或其任意组合。
如本文所使用的术语"过渡金属硒化物"指其中过渡金属和硒离子键合、共价键合和/或金属键合的化合物。在实施方式中，过渡金属硒化物可包括ZnSe、CoSe或其任意组合。
如本文所使用的术语"后过渡金属硒化物"指其中后过渡金属和硒离子键合、共价键合和/或金属键合的化合物。在实施方式中，后过渡金属硒化物可包括Bi2Se3。
如本文所使用的术语"碱金属"指第1族元素。在实施方式中，碱金属可为锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或铯(Cs)。
如本文所使用的术语"碱土金属"指第2族元素。在实施方式中，碱土金属可为镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)。
如本文所使用的术语"镧系金属"指元素周期表中的镧和镧系元素。在实施方式中，镧系金属可为镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)或镥(Lu)。
如本文所使用的术语"过渡金属"指属于元素周期表的第四行至第七行并且属于元素周期表的第3族至第12族的金属元素。在实施方式中，过渡金属可为钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)或镉(Cd)。
如本文所使用的术语"后过渡金属"指属于元素周期表的第三行至第七行并且属于元素周期表的第13族至第17族的金属元素。在实施方式中，后过渡金属可为铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、锡(Sn)、铅(Pb)、铋(Bi)或钋(Po)。
如本文所使用的术语"卤素"指第17族元素。在实施方式中，卤素可为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或碘(I)。
[图1的描述]
图1为根据实施方式的发光装置1的示意性截面视图。
参见图1，根据实施方式的发光装置1包括：第一电极110；第二电极190；和夹层150，其包括位于第一电极110和第二电极190之间的发射层。
结合图1将描述根据本公开的实施方式的发光装置1的结构和制造发光装置1的方法。
[第一电极110]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极190上方。基板可为玻璃基板或塑料基板，各自具有卓越的机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易操作性和防水性。
第一电极110可通过例如在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可选自具有高功函的材料，以利于空穴注入。
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)和其任意组合，但是实施方式不限于此。在实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和其任意组合，但是实施方式不限于此。
第一电极110可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是第一电极110的结构不限于此。
[夹层150]
夹层150位于第一电极110上。夹层150可包括发射层。
夹层150可进一步包括位于第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极190之间的电子传输区中的至少一个。
在实施方式中，第一电极110可为阳极，第二电极190可为阴极。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[夹层150中的空穴传输区]
空穴传输区可具有i)包括单个层的单层结构，单个层包括单种材料，ii)包括单个层的单层结构，单个层包括不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，多个层包括不同材料。
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。
[空穴传输区中的空穴注入层]
发光装置1可包括接触(例如，直接接触)第一电极110的空穴注入层。
空穴注入层可包括第四材料和第五材料，并且第四材料和第五材料可彼此不同。
在实施方式中，第四材料可包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。
在实施方式中，空穴注入层中第五材料的体积可大于或等于空穴注入层中第四材料的体积。
在实施方式中，空穴注入层中第四材料的体积百分数可为50％或更小。
在实施方式中，第五材料可包括空穴传输有机化合物、后过渡金属卤化物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
第五材料可包括至少一种空穴传输有机化合物，并且第四材料与第五材料的体积比可在约1:99至约20:80的范围内。
在实施方式中，第五材料可包括后过渡金属卤化物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合，并且第四材料与第五材料的体积比可在约0:100至约50:50的范围内。在实施方式中，第四材料与第五材料的体积比可在约0.01:99.99至约50:50的范围内。在实施方式中，第四材料与第五材料的体积比可在约0.1:99.9至约50:50的范围内。在实施方式中，第四材料与第五材料的体积比可在约1:99至约50:50的范围内。然而，实施方式不限于此。
如本文所使用的术语"空穴传输有机化合物"指具有空穴传输性质的任何有机材料。
在实施方式中，空穴传输有机化合物可包括选自以下的至少一种：m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、由下面式201表示的化合物和由下面式202表示的化合物：
Figure BDA0002896011480000101
<式201>
Figure BDA0002896011480000102
<式202>
Figure BDA0002896011480000103
在式201和式202中，
L201至L204可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
L205可选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
xa5可为选自1至10的整数，并且
R201至R204和Q201可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。
例如，在式202中，R201和R202可任选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接，并且R203和R204可任选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接。
在实施方式中，在式201和式202中，
L201至L205可各自独立地选自：
亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；和
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在实施方式中，xa1至xa4可各自独立地为0、1或2。
在实施方式中，xa5可为1、2、3或4。
在实施方式中，R201至R204和Q201可各自独立地选自：苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；和
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33与如上所述的相同。
在实施方式中，选自式201中的R201至R203中的至少一个可各自独立地选自：
芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；和
各自被选自以下的至少一个取代的芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，但是实施方式不限于此。
在实施方式中，在式202中，i)R201和R202可经单键彼此连接，和/或ii)R203和R204可经单键彼此连接。
在实施方式中，式202中的R201至R204可各自独立地选自：
咔唑基；和
被选自以下的至少一个取代的咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，
但是实施方式不限于此。
在实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201A表示：
<式201A>
Figure BDA0002896011480000131
在实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201A(1)表示，但是实施方式不限于此：
<式201A(1)>
Figure BDA0002896011480000141
在实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201A-1表示，但是实施方式不限于此：
<式201A-1>
Figure BDA0002896011480000142
在实施方式中，由式202表示的化合物可由下面式202A表示：
<式202A>
Figure BDA0002896011480000143
在实施方式中，由式202表示的化合物可由下面式202A-1表示：
<式202A-1>
Figure BDA0002896011480000151
在式201A、201A(1)、201A-1、202A和202A-1中，
L201至L203、xa1至xa3、xa5和R202至R204与如上所述的相同，
R211和R212与结合R203描述的相同，并且
R213至R217可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
空穴传输区可包括选自化合物HT1至HT39的至少一种化合物，但是空穴传输区中要包括的化合物不限于此：
Figure BDA0002896011480000161
Figure BDA0002896011480000171
Figure BDA0002896011480000181
空穴注入层的厚度可在约0.1nm至约20nm的范围内。当空穴注入层的厚度在该范围内时，可在未显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴注入特性。
[空穴传输区中的空穴传输层]
发光装置1可包括接触(例如，直接接触)发射层的空穴传输层。
空穴传输层可包括第八材料和第九材料。第八材料和第九材料可彼此不同。第八材料可包括至少一种空穴传输有机化合物，并且第九材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
空穴传输层中第八材料的体积可大于或等于空穴传输层中第九材料的体积。在实施方式中，空穴传输层中第八材料与第九材料的体积比可在约99:1至约50:50的范围内。
空穴传输层的厚度可在约0.1nm至约500nm的范围内。当空穴传输层的厚度在该范围内时，可在未显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[空穴传输区中的电荷产生材料]
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于提高导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均质地或非均质地分散于空穴传输区中。
电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。
在实施方式中，p-掺杂剂可具有-3.5eV或更小的最低未占分子轨道(LUMO)能级。
p-掺杂剂可包括醌衍生物、金属氧化物、过渡金属卤化物、过渡金属碲化物和含氰基的化合物中的至少一种，但是实施方式不限于此。
例如，p-掺杂剂可包括选自以下的至少一种：醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)；
金属氧化物，比如氧化钨或氧化钼；
过渡金属卤化物，比如CuI；
过渡金属碲化物，比如ZnTe；
1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯基-六甲腈(HAT-CN)；和
由下面式221表示的化合物，
但是实施方式不限于此：
Figure BDA0002896011480000191
Figure BDA0002896011480000201
<式221>
Figure BDA0002896011480000202
在式221中，
R221至R223可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且选自R221至R223中的至少一个可具有选自以下的至少一种取代基：氰基、-F、-Cl、-Br、-I、被-F取代的C1-C20烷基、被-Cl取代的C1-C20烷基、被-Br取代的C1-C20烷基和被-I取代的C1-C20烷基。
[夹层150中的发射层]
当发光装置1为全色发光装置时，可根据子像素将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在实施方式中，发射层可包括选自红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
发射层可包括第一材料、第二材料和第三材料。
第一材料可以在发射层中充当无机主体。在实施方式中，第一材料本身不发射光，但是第一材料可基本上将激子转移到第三材料，以帮助第三材料发射光。
第二材料可以在发射层中充当敏化剂。在实施方式中，第二材料可以使从三重态激子到单重态激子的快速反向转变成为可能，并将单重态激子转移到第三材料。相应地，基本上所有的三重态激子和单重态激子都可被递送到第三材料。例如，由于第二材料，发光装置1的效率和/或寿命可以提高。
第三材料可以充当发光掺杂剂。
第一材料可包括无机半导体化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合。
例如，第一材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合。
在实施方式中，第一材料可包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、EuI3、YbI3、SmI3、TmI3、EuI2、YbI2、SmI2、TmI2、EuCl3、YbCl3、SmCl3、TmCl3、EuBr3、YbBr3、SmBr3、TmBr3、AgI、CuI、NiI2、CoI2、BiI3、PbI2、SnI2、Te、EuTe、YbTe、SmTe、TmTe、EuSe、YbSe、SmSe、TmSe、ZnTe、CoTe、ZnSe、CoSe、Bi2Te3、Bi2Se3或其任意组合。
在实施方式中，第一材料可包括KI、RbI、CsI、CuI或其任意组合，但是实施方式不限于此。
例如，第二材料可包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)或其任意组合。
在实施方式中，第二材料可包括Yb、Tm、Sm、Eu、Er或其任意组合，但是实施方式不限于此。
例如，第三材料可包括有机荧光掺杂剂化合物、有机金属磷光掺杂剂化合物、有机延迟荧光掺杂剂化合物或其任意组合。
有机荧光掺杂剂化合物可为可发射荧光的有机化合物，并且可包括芳胺化合物或苯乙烯胺化合物。
在实施方式中，有机荧光掺杂剂化合物可包括由式501表示的化合物：
<式501>
Figure BDA0002896011480000211
在式501中，
Ar501可为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或者取代的或未取代的C1-C60杂环基团，
L501至L503可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xd1至xd3可各自独立地为选自0至3的整数，
R501和R502可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
xd4可为选自1至6的整数。
在实施方式中，式501中的Ar501可选自：
萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在实施方式中，式501中的L501至L503可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
在实施方式中，式501中的R501和R502可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
其中Q31至Q33可选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在实施方式中，式501中的xd4可以为2，但是实施方式不限于此。
例如，有机荧光掺杂剂化合物可选自化合物FD1至FD22：
Figure BDA0002896011480000241
Figure BDA0002896011480000251
Figure BDA0002896011480000261
在实施方式中，有机荧光掺杂剂化合物可选自下述化合物，但是实施方式不限于此。
Figure BDA0002896011480000262
有机延迟荧光掺杂剂化合物指能够仅发射延迟荧光或同时发射延迟荧光和荧光的有机化合物。
在实施方式中，有机延迟荧光掺杂剂化合物可包括由式502表示的化合物：
<式502>
Figure BDA0002896011480000271
其中，在式502中，
A501至A503可各自独立地为C5-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
L501至L505可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
a501至a505可各自独立地为选自1至3的整数，
R503至R507可各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10烷基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
c11至c13可各自独立地为选自0至6的整数。
在实施方式中，式502中的A501至A503可各自独立地选自苯基、萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、茚并菲基和由式503表示的基团：
<式503>
Figure BDA0002896011480000281
其中，在式503中，
A504至A506与结合式502中的A501所描述的相同，
L504至L508与结合式502中的L501所描述的相同，
a504至a508与结合式502中的a501所描述的相同，
R506至R510与结合式502中的R503所描述的相同，并且
c14至c16与结合式502中的c11所描述的相同。
在实施方式中，式502中的L501至L505与如上所述的相同。
在实施方式中，式502中的R503至R507可各自独立地选自：
甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
其中Q31至Q33可选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在实施方式中，式502中的c11至c13可以为0或1，但是实施方式不限于此。
例如，有机延迟荧光掺杂剂化合物可选自下面化合物FD23至FD25：
Figure BDA0002896011480000291
有机金属磷光掺杂剂化合物指可发射磷光的有机化合物。
在实施方式中，有机金属磷光掺杂剂化合物可由式401表示：
<式401>
M(L401)xc1(L402)xc2
在式401中，
M可选自铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，
L401可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个L401可彼此相同或不同，
L402可为有机配体，并且xc2可为选自0至4的整数，其中当xc2可为2或更大时，两个或更多个L402可彼此相同或不同，
<式402>
Figure BDA0002896011480000301
在式402中，X401至X404可各自独立地为氮或碳，
X401和X403可经单键或双键连接，并且X402和X404可经单键或双键连接，
A401和A402可各自独立地为C5-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
X405可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'、或*＝C(Q411)-*'，其中Q411和Q412可为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
X406可为单键、O或S，
R401和R402可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，并且Q401至Q403可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C20芳基和C1-C20杂芳基，
xc11和xc12可各自独立地为选自0至3的整数，以及
式402中的*和*'各自表明式401中与M的结合位点。
在实施方式中，式402中的A401和A402可各自独立地选自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并[c]噻吩基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
在实施方式中，在式402中，i)X401可为氮且X402可为碳，或ii)X401和X402可同时各自为氮。
在实施方式中，式402中的R401和R402可各自独立地选自：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基；
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
各自被选自以下的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，
其中Q401至Q403可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但是实施方式不限于此。
在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L401中的两个A401可任选地经X407(其为连接基团)彼此连接，两个A402可任选地经X408(其为连接基团)彼此连接(见下面化合物PD1至PD4和PD7)。X407和X408可各自独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q413)-*'、*-C(Q413)(Q414)-*'或*-C(Q413)＝C(Q414)-*'(其中Q413和Q414可各自独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但是实施方式不限于此。
式401中的L402可为单价、二价或三价有机配体。例如，L402可选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸盐)、-C(＝O)、异腈、-CN和含磷配体(例如，膦或亚磷酸盐)，但是实施方式不限于此。
在实施方式中，有机金属磷光掺杂剂可选自，例如，下面化合物PD1至PD25，但是实施方式不限于此：
Figure BDA0002896011480000321
第一材料的体积可大于或等于第二材料的体积。在实施方式中，第一材料与第二材料的体积比可在约99:1至约50:50的范围内，但是实施方式不限于此。在上述范围内，第二材料可形成相对于第一材料具有选择性的能级，因此可足够充当敏化剂。
发射层中第三材料的体积可在约1％至约15％的范围内，但是实施方式不限于此。在上面提到的范围内，第三材料可足够充当发光掺杂剂。
发射层的厚度可在约0.1nm至约100nm的范围内。例如，发射层的厚度可在约15nm至约50nm的范围内。例如，当发射层发射蓝光时，蓝色发射层的厚度可在约15nm至约20nm的范围内。例如，当发射层发射绿光时，绿色发射层的厚度可在约20nm至约40nm的范围内。例如，当发射层发射红光时，红色发射层的厚度可在约40nm至约50nm的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，发光装置1可在未显著增加驱动电压的情况下具有卓越的发光特性。
[夹层150中的电子传输区]
电子传输区可具有i)包括单个层的单层结构，单个层包括单种材料，ii)包括单个层的单层结构，单个层包括不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，多个层包括不同材料。
电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合，但是实施方式不限于此。
[电子传输区中的电子注入层]
发光装置1可包括接触(例如，直接接触)第二电极190的电子注入层。
电子注入层可包括第六材料，并且第六材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
在实施方式中，电子注入层可由第六材料组成。例如，电子注入层可不包括除第六材料之外的任何材料。
在实施方式中，电子注入层可进一步包括第七材料，并且第六材料和第七材料可彼此不同。第七材料可包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合。
在实施方式中，第六材料可为具有约7eV或更大的宽带隙的化合物。相应地，第六材料可基本上不吸收光。
在实施方式中，第七材料可为具有约2.6eV或更小的低功函的化合物。
在实施方式中，第六材料可由式X表示，并且第七材料可由式Y表示：
<式X>
AnBm
<式Y>
C。
在式X和式Y中，
A和C可各自独立地包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合，
B可为卤素，
n和m可各自独立地为1或更大的整数，使得第六材料为中性的，并且
A和C可彼此不同。
当A和C彼此不同时，第七材料可根据第六材料的窄带隙补充光吸收。
例如，在式X和式Y中，A可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合，B可包括F、Cl、Br、I或其任意组合，n和m中的每一个为1，并且C可包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或其任意组合。
在实施方式中，第六材料可包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaF、KF、RbF、CsF或其任意组合，并且第七材料可包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或其任意组合。
在电子注入层中，第六材料的体积可大于或等于第七材料的体积。在实施方式中，在电子注入层中，第七材料的体积百分数可大于0％且小于或等于50％。在实施方式中，在电子注入层中，第七材料的体积百分数可在约5％至约10％的范围内，但是实施方式不限于此。当第七材料的体积在上面范围内时，第七材料可足以根据第六材料的窄带隙补充光吸收。
电子注入层的厚度可在约0.1nm至约5nm的范围内。当电子注入层的厚度在上面范围内时，可在未显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[电子传输区中的电子传输层]
发光装置1可包括接触(例如，直接接触)发射层的电子传输层。
电子传输层可包括第十材料和第十一材料，并且第十材料和第十一材料可彼此不同。第十材料可包括至少一种电子传输有机化合物，并且第十一材料可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
如本文所使用的术语"电子传输有机化合物"指无金属化合物，其包括至少一个含π电子耗尽的氮的环。
"含π电子耗尽的氮的环"表明具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基团。
例如，"含π电子耗尽的氮的环"可以为i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团，ii)其中各自具有至少一个*-N＝*'部分的两个或更多个5元至7元杂单环基团彼此稠合的杂多环基团，或iii)其中各自具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团中的至少一个与至少一个C5-C60碳环基团稠合的杂多环基团。
含π电子耗尽的氮的环的示例包括咪唑环、吡唑环、噻唑环、异噻唑环、噁唑环、异噁唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、吲唑环、嘌呤环、喹啉环、异喹啉环、苯并喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、菲啶环、吖啶环、菲咯啉环、吩嗪环、苯并咪唑环、苯并异噻唑环、苯并噁唑环、苯并异噁唑环、三唑环、四唑环、噁二唑环、三嗪环、噻二唑环、咪唑并吡啶环、咪唑并嘧啶环和氮杂咔唑环，但不限于此。
如本文所使用的术语"电子传输有机化合物"可包括由式601表示的化合物：
<式601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或者取代的或未取代的C1-C60杂环基团，
xe11可为1、2或3，
L601可选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
xe1可为选自0至5的整数，
R601可选自取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可各自独立地为C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
xe21可为选自1至5的整数。
在实施方式中，数量为xe11的Ar601和数量为xe21的R601中的至少一个可包括含π电子耗尽的氮的环。
在实施方式中，式601中的Ar601可选自：
苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar601可经单键彼此连接。
在实施方式中，式601中的Ar601可为蒽基。
在实施方式中，由式601表示的化合物可由下面式601-1表示：
<式601-1>
Figure BDA0002896011480000361
其中，在式601-1中，
X614可为N或C(R614)，X615可为N或C(R615)，X616可为N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可为N，
L611至L613可各自独立地与结合L601所描述的相同，
xe611至xe613可各自独立地与结合xe1所描述的相同，
R611至R613可各自独立地与结合R601所描述的相同，并且
R614至R616可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在实施方式中，式601和式601-1中的L601和L611至L613可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，
但是实施方式不限于此。
在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
在实施方式中，式601和式601-1中的R601和R611至R613可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
其中Q601和Q602与如上所述的相同。
电子传输区可包括选自化合物ET1至ET36中的至少一种化合物，但是实施方式不限于此：
Figure BDA0002896011480000391
Figure BDA0002896011480000401
Figure BDA0002896011480000411
Figure BDA0002896011480000421
在实施方式中，电子传输区可包括选自以下的至少一种：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和NTAZ：
Figure BDA0002896011480000422
在电子传输层中，第十材料的体积可大于或等于第十一材料的体积。在实施方式中，在电子传输层中，第十材料与第十一材料的体积比可在约99:1至约50:50的范围内。
电子传输层的厚度可在约0.1nm至约100nm的范围内。当电子传输层的厚度在上面范围内时，可在未显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[电子传输区中的含金属材料]
除了上述材料之外，电子传输区可进一步包括含金属材料。
含金属材料可包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。
与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是实施方式不限于此。
例如，含金属材料可包括Li络合物。Li络合物可包括，例如，化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，LiQ)或ET-D2：
Figure BDA0002896011480000431
[第二电极190]
第二电极190可位于具有上述结构的夹层150上。第二电极190可为阴极，其为电子注入电极，并且就此而言，用于形成第二电极190的材料可选自金属、合金、电导化合物及其组合，它们具有相对低的功函。
第二电极190可包括选自以下的至少一种：锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO和IZO，但是实施方式不限于此。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极190可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
第二电极190的厚度可在约5nm至约20nm的范围内。在该范围内，在第二电极190处的光吸收可被最小化。
[图2至图4的描述]
发光装置可进一步包括第一封盖层和/或第二封盖层。在实施方式中，第一封盖层210、阳极110、夹层150和阴极190可以按叙述的顺序依次堆叠(见图2)，阳极110、夹层150、阴极190和第二封盖层220可以按叙述的顺序依次堆叠(见图3)，或者第一封盖层210、阳极110、夹层150、阴极190和第二封盖层220可以按叙述的顺序依次堆叠(见图4)。
发光装置1的夹层150的发射层中产生的光可通过作为半透射电极或透射电极的阳极110和第一封盖层210发射，或者发光装置1的夹层150的发射层中产生的光可通过作为半透射电极或透射电极的阴极190和第二封盖层220发射。
第一封盖层210和第二封盖层220可根据相长干涉的原理增加外部发光效率。
第一封盖层210和第二封盖层220可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
选自第一封盖层210和第二封盖层220中的至少一个可各自独立地包括选自以下的至少一种材料：碳环化合物、杂环化合物、胺类化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物和碱土金属络合物。碳环化合物、杂环化合物和胺类化合物可任选地被含有选自O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br和I中的至少一种元素的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层210和第二封盖层220中的至少一个可各自独立地包括胺类化合物。
在实施方式中，第一封盖层210和第二封盖层220中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物或由式202表示的化合物。
在实施方式中，第一封盖层210和第二封盖层220中的至少一个可各自独立地包括选自化合物HT28至HT33和化合物CP1至CP5中的化合物，但是实施方式不限于此。
Figure BDA0002896011480000441
[串联发光装置]
图5为根据实施方式的发光装置5的示意性截面视图。
参见图5，根据实施方式的发光装置5可包括：第一电极510；面对第一电极510的第二电极590；位于第一电极510和第二电极590之间的n个发光单元ELU1至ELU(n)；和位于相邻发光单元之间的n-1个电荷产生单元CGU(n-1)，其中n为2或更大的自然数，并且发光单元中的每一个可包括发射层。
n个发光单元可发射不同颜色的光或相同颜色的光。
在实施方式中，n个发光单元可都发射蓝光，但是实施方式不限于此。
在实施方式中，电荷产生单元可各自包括n型电荷产生层。
n型电荷产生层可包括第十二材料和第十三材料。
第十二材料可包括碱金属、碱土金属、镧系金属、过渡金属、后过渡金属或其任意组合。
第十三材料可包括一种或多种电子传输有机化合物。
第十三材料与第十二材料的体积比可在约99:1至约80:20的范围内。
n型电荷产生层的厚度可在约0.1nm至约20nm的范围内。
在实施方式中，电荷产生单元中的每一个可进一步包括p型电荷产生层。
p型电荷产生层可包括第十四材料和第十五材料。
第十四材料可包括空穴传输有机化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合。
第十五材料可包括一种或多种无机半导体化合物。
例如，第十四材料可包括空穴传输有机化合物，并且第十四材料与第十五材料的体积比可在约99:1至约80:20的范围内。
在实施方式中，第十四材料可包括无机绝缘体化合物，并且第十四材料与第十五材料的体积比可在约99:1至约50:50的范围内。
p型电荷产生层的厚度可在约0.1nm至约20nm的范围内。
在实施方式中，第一电极510可为阳极，第二电极590可为阴极，第n发光单元可位于第一电极510和第二电极590之间，第n-1发光单元位于第一电极510和第n发光单元之间，第n-1电荷产生单元位于第n发光单元和第n-1发光单元之间，第n发光单元可包括第n发射层，第n-1发光单元可包括第n-1发射层，第n-1空穴传输区可进一步位于第一电极510和第n-1发射层之间，第n-1电子传输区可进一步位于第n发射层和第n-1电荷产生单元之间，第n空穴传输区可进一步位于第n-1电荷产生单元和第n发射层之间，并且第n电子传输区可进一步位于第n发射层和第二590电极之间。
空穴传输区可各自包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合，并且电子传输区可各自包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
由于各组件与根据上述图1的实施方式的相应组件具有相同或类似的功能，所以将省略其详细描述。
[设备]
发光装置可包括在各种设备中。例如，可提供包括发光装置的发光设备、认证设备或电子设备。
[发光设备]
在发光设备中，滤色器可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光，但是实施方式不限于此。
发光设备的第一基板可包括子像素区，并且滤色器可包括分别对应于子像素区的滤色器区。像素限定膜可形成在子像素区之间以限定子像素区中的每一个。滤色器可包括在滤色器区之间的遮光图案。
滤色器区可包括发射第一颜色光的第一滤色器区，发射第二颜色光的第二滤色器区和发射第三颜色光的第三滤色器区，并且第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光，但是实施方式不限于此。
例如，滤色器区可各自包括量子点，或仅一些滤色器区可包括量子点。
在实施方式中，第一滤色器区可包括红色量子点，第二滤色器区可包括绿色量子点，并且第三滤色器区可不包括量子点。就此而言，发光装置可发射第一光，第一滤色器区可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二滤色器区可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三滤色器区可允许第一光穿过该区。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第一光可具有彼此不同的最大发射波长。第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，但是实施方式不限于此。
在实施方式中，第一滤色器区可包括红色量子点，第二滤色器区可包括绿色量子点，并且第三滤色器区可包括蓝色量子点。发光装置可发射第一光，第一滤色器区可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二滤色器区可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三滤色器区可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光，但是实施方式不限于此。
量子点指半导体化合物的晶体并且可包括根据晶体尺寸发射不同长度的发射波长的任何材料。相应地，构成量子点的化合物的类型没有特别限制。
在实施方式中，量子点可包括选自以下的半导体化合物材料：第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素或化合物；及其组合。
例如，第III-VI族半导体化合物可选自：二元化合物比如In2S3；例如，第I-III-VI族半导体化合物可选自：选自AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2及其任意混合物的三元化合物，但是实施方式不限于此。
例如，第II-VI族半导体化合物可选自：选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其任意混合物的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其任意混合物的三元化合物；和选自CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其任意混合物的四元化合物，但是实施方式不限于此。
例如，第III-V族半导体化合物可选自：选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其任意混合物的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其任意混合物的三元化合物；和选自GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP及其任意混合物的四元化合物，但是实施方式不限于此。
例如，第IV-VI族半导体化合物可选自：选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其任意混合物的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其任意混合物的三元化合物；和选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其任意混合物的四元化合物，但是实施方式不限于此。
例如，第IV族元素或化合物可选自：选自Si、Ge及其任意混合物的单个元素；和选自SiC、SiGe及其任意混合物的二元化合物，但是实施方式不限于此。
二元化合物，三元化合物或四元化合物可以均匀浓度存在于颗粒中，或可以浓度分布不同的状态存在于同一颗粒中。
量子点可具有均匀的单个结构或双重核壳结构。例如，核壳可包括不同的材料。例如，构成核和壳中的每一个的材料可包括不同的半导体化合物。
量子点的壳可用作保护层，通过防止核的化学变性用于保持半导体特性，和/或可用作充电层，用于将电泳特性赋予量子点。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向中心降低。
量子点的壳的示例可包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其任意组合。例如，金属或非金属氧化物可包括二元化合物，比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO，或者三元化合物，比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4，但是实施方式不限于此。半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb等，但是实施方式不限于此。
量子点的直径没有特别限制，但是可在例如约1nm至约10nm的范围内。通过调节量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的显示。
可以选择量子点的尺寸以发射红色、绿色和蓝色的光，以便构成彩色显示。量子点的尺寸可通过组合各种颜色的光来配置，以便发射白光。
量子点可为球形、锥体、多臂或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米片颗粒，但是实施方式不限于此。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小。例如，量子点的发射波长光谱的半峰全宽可为约40nm或更小。例如，量子点的发射波长光谱的半峰全宽可为约30nm或更小。当量子点的发射波长光谱的FWHM在该范围内时，可提高颜色纯度或颜色再现。通过这种量子点发射的光全方位辐射，从而提供宽视角。
量子点可通过湿法化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似工艺来合成。
根据湿法化学工艺，将前体材料添加至有机溶剂中以生长颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂用作与量子点晶体的表面天然配位的分散剂并控制晶体的生长。就此而言，与气相淀积工艺比如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)相比，湿法化学工艺可以容易地进行，并且通过低成本工艺可以控制无机纳米颗粒的生长。
第一滤色器区、第二滤色器区和第三滤色器区可各自包括散射组件，但是实施方式不限于此。
除了如上所述的发光装置1之外，发光设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置1的第一电极110和第二电极190中的任一个。
薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘层等。
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等，但是实施方式不限于此。
发光设备可进一步包括用于密封发光装置的密封件。密封件可位于滤色器和发光装置之间。密封件可允许实现来自发光装置的图像并且可阻挡外部空气和湿气渗透到发光装置中。密封件可为包括透明玻璃或塑料基板的密封基板。密封件可为包括有机层和/或无机层的薄膜封装层。在密封件为薄膜封装层的情况下，整个显示设备可为柔性的。
发光设备可用作各种显示器和光源等。
[认证设备]
认证设备可为，例如，通过使用生物测定体(例如指纹或瞳孔等)的生物测定信息用于认证个体的生物测定认证设备。
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[电子设备]
电子设备可应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ECG)显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和投影仪等，但是实施方式不限于此。
[制备方法]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用一种或多种适当的方法来形成，该方法选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导的热成像。
在通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层的情况下，通过考虑要形成的层中要包含的材料和要形成的层的结构，可在约100℃至约500℃范围内的沉积温度、约10-8托至约10-3托范围内的真空度和约
Figure BDA0002896011480000491
至约
Figure BDA0002896011480000492
范围内的沉积速度下进行沉积。
在通过旋涂形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层的情况下，通过考虑要形成的层中要包含的材料和要形成的层的结构，可在约2,000rpm至约5,000rpm范围内的涂布速度和约80℃至200℃范围内的热处理温度下进行旋涂。
[取代基的定义]
如本文所使用的术语"C1-C60烷基"指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族饱和烃单价基团，并且其示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如本文所使用的术语"C1-C60亚烷基"指与C1-C60烷基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C2-C60烯基"指在C2-C60烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用的术语"C2-C60亚烯基"指与C2-C60烯基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C2-C60炔基"指在C2-C60烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用的术语"C2-C60亚炔基"指与C2-C60炔基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C1-C60烷氧基"指由-OA101表示的单价基团(其中A101为C1-C60烷基)，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如本文所使用的术语"C3-C10环烷基"指具有3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，并且其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如本文所使用的术语"C3-C10亚环烷基"指与C3-C10环烷基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C1-C10杂环烷基"指具有至少一个选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子和1至10个碳原子的单价单环基团，并且其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文所使用的术语"C1-C10亚杂环烷基"指与C1-C10杂环烷基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C3-C10环烯基"指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价单环基团，并且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文所使用的术语"C3-C10亚环烯基"指与C3-C10环烯基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C1-C10杂环烯基"指在其环中具有至少一个选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子，1至10个碳原子和至少一个双键的单价单环基团。C1-C10杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文所使用的术语"C1-C10亚杂环烯基"指与C1-C10杂环烯基具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C6-C60芳基"指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且本文所使用的术语"C6-C60亚芳基"指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C6-C60芳基的示例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和1,2-苯并菲基。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
如本文所使用的术语"C1-C60杂芳基"指具有杂环芳族系统的单价基团，杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子。如本文所使用的术语"C1-C60亚杂芳基"指具有杂环芳族系统的二价基团，杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子。C1-C60杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
如本文所使用的术语"C6-C60芳氧基"指-OA102(其中A102为C6-C60芳基)，并且本文所使用的术语"C6-C60芳硫基"指-SA103(其中A103为C6-C60芳基)。
如本文所使用的术语"C1-C60杂芳氧基"指-OA104(其中A104为C1-C60杂芳基)，并且如本文所使用的术语"C1-C60杂芳硫基"指-SA105(其中A105为C1-C60杂芳基)。
如本文所使用的术语"单价非芳族稠合多环基团"指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅具有碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的详细示例为芴基。如本文所使用的术语"二价非芳族稠合多环基团"指与单价非芳族稠合多环基团具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"单价非芳族稠合杂多环基团"指具有两个或更多个彼此稠合的环，除了碳原子之外还具有至少一个选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的示例为咔唑基。如本文所使用的术语"二价非芳族稠合杂多环基团"指与单价非芳族稠合杂多环基团具有相同结构的二价基团。
如本文所使用的术语"C5-C60碳环基团"指仅包括碳作为成环原子且由5至60个碳原子组成的单环或多环基团。C5-C60碳环基团可为芳族碳环基团或非芳族碳环基团。C5-C60碳环基团可为环比如苯，单价基团比如苯基，或二价基团比如亚苯基。在实施方式中，取决于连接至C5-C60碳环基团的取代基的数量，C5-C60碳环基团可为三价基团或四价基团。
如本文所使用的术语"C1-C60杂环基团"指与C5-C60碳环基团具有相同结构的基团，不同的是除了碳(碳原子的数量可在1至60的范围内)之外，还使用至少一个选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子。
选自取代的C5-C60碳环基团、取代的C1-C60杂环基团、取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团，取代的二价非芳族稠合杂多环基团，取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的C1-C60杂芳氧基、取代的C1-C60杂芳硫基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团，单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、被选自氘、-F和氰基中的至少一个取代的C1-C60烷基、被选自氘、-F和氰基中的至少一个取代的C6-C60芳基、联苯基和三联苯基。
如本文所使用的术语"Ph"指苯基，如本文所使用的术语"Me"指甲基，如本文所使用的术语"Et"指乙基，如本文所使用的术语"tert-Bu"或"But"指叔丁基，且如本文所使用的术语"OMe"指甲氧基。
如本文所使用的术语"联苯基"指"被苯基取代的苯基"。换句话说，"联苯基"为具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如本文所使用的术语"三联苯基"指"被联苯基取代的苯基"。换句话说，"三联苯基"为具有被C6-C60芳基取代的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指相应式中与相邻原子的结合位点。
在下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成例中使用的短语"使用B代替A"指使用相同摩尔当量的B代替A。
[实施例]
实施例1
将15Ω/cm2
Figure BDA0002896011480000531
ITO玻璃基板(康宁公司的产品)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并通过暴露于紫外射线和臭氧30分钟进行清洁，以形成阳极。将所得到的玻璃基板装载到真空沉积设备上。
在玻璃基板的ITO阳极上以97:3的体积比共沉积HAT-CN和CuI以形成具有厚度为10nm的空穴注入层，并且将NPB沉积在空穴注入层上以形成厚度为240nm的第一空穴传输层，并且将TCTA沉积在第一空穴传输层上以形成厚度为5nm的第二空穴传输层。在第二空穴传输层上以90:5:3:2的体积比共沉积KI、CuI、Er和FD23以形成厚度为19nm的发射层。
将2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪(T2T)沉积在发射层上以形成厚度为5nm的第一电子传输层，并且将2,4,6-三(3-(嘧啶-5-基)苯基)-1,3,5-三嗪(TPM-TAZ)和Liq以1:1的体积比共沉积在第一电子传输层上以形成厚度为25nm的第二电子传输层。将KI和Yb以95:5至90:10的体积比共沉积在第二电子传输层上以形成厚度为1nm至2nm的电子注入层。
将Ag和Mg以9:1的体积比共沉积在电子注入层上以形成厚度为14nm的阴极，从而完成发光装置的制造。
比较例1
以与实施例1相同的方式制造发光装置，不同之处在于，在形成发射层中，将H18和FD23以97:3的体积比共沉积。
Figure BDA0002896011480000541
评估例1
通过使用Keithley SMU 236和亮度计PR650测量根据实施例1和比较例1制造的发光装置的驱动电压、驱动电压的变化、电流效率、寿命(T97)和CIE色坐标，并且其结果示于表1中。寿命(T97)是发光装置被驱动之后直到亮度(@400nit)降低至初始亮度(100％)的97％所用的一段时间。驱动电压的变化是初始驱动电压和驱动发光装置500小时后测量的驱动电压之间的差。
[表1]
Figure BDA0002896011480000542
根据表1，可见，与比较例1相比，实施例1的发光装置可具有提高的效率和寿命，特别是显著提高的效率。
发光装置具有高效率，并且用于其的制造成本可相对较低。
应理解，本文所述的实施方式应该仅被认为是描述性的，而不是限制性目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照各图描述了实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
第一电极；
第二电极；以及
位于所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括发射层，所述发射层包括：
第一材料，包括无机半导体化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合；
第二材料，包括镧系金属；和
第三材料，包括有机化合物。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合，
所述第二材料包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或其任意组合，并且
所述第三材料包括有机荧光掺杂剂化合物、有机金属磷光掺杂剂化合物、有机延迟荧光掺杂剂化合物或其任意组合。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料包括NaI、KI、RbI、CsI、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、EuI3、YbI3、SmI3、TmI3、EuI2、YbI2、SmI2、TmI2、EuCl3、YbCl3、SmCl3、TmCl3、EuBr3、YbBr3、SmBr3、TmBr3、AgI、CuI、NiI2、CoI2、BiI3、PbI2、SnI2、Te、EuTe、YbTe、SmTe、TmTe、EuSe、YbSe、SmSe、TmSe、ZnTe、CoTe、ZnSe、CoSe、Bi2Te3、Bi2Se3或其任意组合。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料包括KI、RbI、CsI、CuI或其任意组合。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二材料包括Yb、Tm、Sm、Eu、Er或其任意组合。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料的体积大于或等于所述第二材料的体积。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一电极为阳极，
所述第二电极为阴极，
所述夹层进一步包括以下的至少一个：
位于所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合；以及
位于所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中
所述空穴注入层包括：
第四材料；和
第五材料，
所述第四材料和所述第五材料彼此不同，
所述第四材料包括镧系金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、碲、镧系金属碲化物、过渡金属碲化物、后过渡金属碲化物、镧系金属硒化物、过渡金属硒化物、后过渡金属硒化物或其任意组合，并且
所述第五材料包括空穴传输有机化合物、后过渡金属卤化物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
9.如权利要求8所述的发光装置，其中
所述第五材料包括所述空穴传输有机化合物，并且
所述第四材料与所述第五材料的体积比在1:99至20:80的范围内，或者
所述第五材料包括所述后过渡金属卤化物、所述碱金属卤化物、所述碱土金属卤化物、所述镧系金属卤化物或其任意组合，并且
所述第四材料与所述第五材料的体积比在0:100至50:50的范围内。
10.如权利要求7所述的发光装置，其中所述电子注入层包括第六材料，并且
所述第六材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述电子注入层由所述第六材料组成。
12.如权利要求10所述的发光装置，其中
所述电子注入层进一步包括第七材料，
所述第六材料和所述第七材料彼此不同，并且
所述第七材料包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合。
13.如权利要求12所述的发光装置，其中所述第六材料由式X表示，并且所述第七材料由式Y表示：
<式X>
AnBm
<式Y>
C
其中在式X和式Y中，
A和C中的每一个独立地包括碱金属、碱土金属、镧系金属或其任意组合，
B为卤素，
n和m各自独立地为1或更大的整数，使得所述第六材料为中性，并且
A和C彼此不同。
14.如权利要求7所述的发光装置，其中
所述空穴传输层直接接触所述发射层，
所述空穴传输层包括：
第八材料；和
第九材料，
所述第八材料和所述第九材料彼此不同，
所述第八材料包括空穴传输有机化合物，并且
所述第九材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
15.如权利要求7所述的发光装置，其中所述电子传输层直接接触所述发射层，
所述电子传输层包括：
第十材料；和
第十一材料，
所述第十材料和所述第十一材料彼此不同，
所述第十材料包括电子传输有机化合物，并且
所述第十一材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
16.一种发光装置，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光单元；和
各自位于多个所述发光单元中相邻的发光单元之间的电荷产生单元，其中
所述发光单元中的每一个包括发射层，并且
所述发射层中的至少一个包括：
第一材料，包括无机半导体化合物、无机绝缘体化合物或其任意组合；
第二材料，包括镧系金属；以及
第三材料，包括有机化合物。
17.如权利要求16所述的发光装置，其中所述电荷产生单元中的每一个包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。
18.如权利要求17所述的发光装置，其中
所述n型电荷产生层包括：
第十二材料，包括碱金属、碱土金属、镧系金属、过渡金属、后过渡金属或其任意组合；和
第十三材料，包括电子传输有机化合物，
并且
所述p型电荷产生层包括：
第十四材料，包括空穴传输有机化合物，无机绝缘体化合物或其任意组合；和
第十五材料，包括无机半导体化合物。
19.一种设备，包括：
薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层；以及
如权利要求1至18中任一项所述的发光装置，
其中所述发光装置的所述第一电极与所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个电连接。
20.如权利要求19所述的设备，进一步包括滤色器，所述滤色器位于从所述发光装置发射光所通过的路径上。
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