KR20180094535A - 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180094535A KR20180094535A KR1020170020537A KR20170020537A KR20180094535A KR 20180094535 A KR20180094535 A KR 20180094535A KR 1020170020537 A KR1020170020537 A KR 1020170020537A KR 20170020537 A KR20170020537 A KR 20170020537A KR 20180094535 A KR20180094535 A KR 20180094535A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- injection layer
- layer
- hole injection
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 228
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 228
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 40
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 PtI 2 Proteins 0.000 claims description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 5
- 101001053401 Arabidopsis thaliana Acid beta-fructofuranosidase 3, vacuolar Proteins 0.000 claims description 4
- 101100275770 Caenorhabditis elegans cri-3 gene Proteins 0.000 claims description 4
- 101100189618 Caenorhabditis elegans pdi-2 gene Proteins 0.000 claims description 4
- 101100194326 Caenorhabditis elegans rei-2 gene Proteins 0.000 claims description 4
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015475 FeF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003771 Gold(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 claims description 4
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 101100351302 Caenorhabditis elegans pdf-2 gene Proteins 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 430
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 12
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 9
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 8
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 6
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002497 iodine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- RDBHQZLQCUALTF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 RDBHQZLQCUALTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M rubidium bromide Chemical compound [Br-].[Rb+] JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- PPYIVKOTTQCYIV-UHFFFAOYSA-L beryllium;selenate Chemical compound [Be+2].[O-][Se]([O-])(=O)=O PPYIVKOTTQCYIV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Abstract
본 개시의 일실시예에 따른 발광 소자는 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층, 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 제1 정공 주입층 및 제2 정공 주입층, 그리고 상기 제1 정공 주입층과 상기 제2 정공 주입층 사이에 위치하는 제1 정공 수송층을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함한다.
Description
본 개시는 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
발광 소자는, 양극(anode)으로부터 공급되는 정공(hole)과 음극(cathode)으로부터 공급되는 전자(electron)가 양극과 음극 사이에 형성된 발광층 내에서 결합하여 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 안정화되면서 광을 방출하는 소자이다.
발광 소자는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 텔레비전, 모니터, 휴대폰 등의 다양한 전기 및 전자 장치들에 널리 적용되고 있다.
하지만, 발광 소자는 낮은 발광효율 때문에 디스플레이나 조명에 요구되는 높은 휘도를 구현하기 위해 높은 구동 전압이 필요하며, 이로 인해 소자의 수명을 단축시킬 수 있다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
그러나, 본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제에 한정되지 않고 본 발명에 포함된 기술적 사상의 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 발광 소자는 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층, 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 제1 정공 주입층 및 제2 정공 주입층, 그리고 상기 제1 정공 주입층과 상기 제2 정공 주입층 사이에 위치하는 제1 정공 수송층을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함한다.
상기 제1 정공 주입층은 상기 제1 전극과 맞닿아 있고, 상기 제2 정공 주입층은 상기 제1 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치할 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 제2 정공 주입층과 상기 발광층 사이에 위치하는 제2 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.
상기 무기 쌍극자 물질은 CuI, AgI, AuI, ZnI2, NiI2, PdI2, PtI2, CoI2, RhI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, OsI2, MnI2, TcI2, ReI2, CrI3, MoI3, WI3, VI3, NbI3, TaI3, TiI4, ZrI4, HfI4, SnI2, SnI4, GeI2, GeI4, CuBr, AgBr, AuBr, ZnBr2, PdBr2, PtBr2, CoBr2, RhBr2, IrBr2, FeBr2, RuBr2, OsBr2, MnBr2, TcBr2, ReBr2, CrBr3, MoBr3, WBr3, VBr3, NbBr3, TaBr3, TiBr4, ZrBr4, HfBr4, CuCl, AgCl, AuCl, ZnCl2, PdCl2, PtCl2, CoCl2, RhCl2, IrCl2, FeCl2, RuCl2, OsCl2, MnCl2, TcCl2, ReCl2, CrCl3, MoCl3, WCl3, VCl3, NbCl3, TaCl3, TiCl4, ZrCl4, HfCl4, CuF, AgF, AuF, ZnF2, PdF2, PtF2, CoF2, RhF2, IrF2, FeF2, RuF2, OsF2, MnF2, TcF2, ReF2, CrF3, MoF3, WF3, VF3, NbF3, TaF3, TiF4, ZrF4, 그리고 HfF4 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 유기 물질 및 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층의 유기 물질과 상기 제2 정공 주입층의 유기 물질이 서로 다를 수 있다.
상기 발광층은 복수의 층이 조합되어 백색 발광할 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 복수의 층 사이에 위치하는 전하 생성층을 더 포함하고, 상기 전하 생성층은 무기 쌍극자 물질을 포함할 수 있다.
상기 전하 생성층에 포함된 무기 쌍극자 물질은 상기 제1 정공 주입층 또는 상기 제2 정공 주입층에 포함된 무기 쌍극자 물질과 동일할 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 주입층을 더 포함하고, 상기 전자 주입층은 란타넘족 원소, 알칼리 금속인 제1 원소 및 할로겐인 제2 원소를 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층은 a) 서로 극성이 다른 상기 란타넘족 원소와 상기 제2 원소를 갖는 쌍극자 물질, b) 상기 란타넘족 원소, 상기 제1 원소 및 상기 제2 원소로 이루어지고 페로브스카이트 구조를 갖는 제1 화합물, c) 상기 제1 원소를 갖는 양이온 및 d) 상기 란타넘족 원소를 갖는 단원자 분자 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 트랜지스터, 그리고 상기 복수의 트랜지스터와 각각 연결되는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 수송층을 포함하고, 상기 제1 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 제1 정공 주입층 및 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 제2 정공 주입층을 더 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함한다.
상기 기판은 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 청색 발광 영역을 포함하고, 상기 제1 발광 소자는 상기 녹색 발광 영역에 위치할 수 있다.
상기 제2 발광 소자는 상기 적색 발광 영역에 위치하고, 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 제3 정공 주입층 및 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 제4 정공 주입층을 더 포함하고, 상기 제3 정공 주입층 및 상기 제4 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제3 정공 주입층 및 상기 제4 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 정공 주입층은 상기 제1 정공 주입층과 연결되고, 상기 제4 정공 주입층은 상기 제2 정공 주입층과 분리될 수 있다.
상기 제3 발광 소자는 상기 청색 발광 영역에 위치하고, 상기 제3 발광 소자는 상기 발광 소자의 발광층 아래 위치하는 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 발광 소자의 발광층 아래 위치하는 녹색 공진 보조층 및 상기 제2 발광 소자의 발광층 아래 위치하는 적색 공진 보조층을 더 포함할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따르면, 무기 쌍극자 물질을 포함하는 정공 주입층을 형성함으로써 발광 효율을 개선하여 구동 전압을 낮추고 휘도가 향상된 발광 소자 및 표시 장치를 구현할 수 있다.
또, 전자 주입 장벽을 낮추고 전자의 이동도를 높일 수 있는 전자 주입층을 형성함으로써 발광 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 주입층이 자유 전자를 갖는 것을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 4는 도 1 의 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 텐덤 구조의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 주입층이 자유 전자를 갖는 것을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 4는 도 1 의 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 텐덤 구조의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에"있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향을 향하여 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 구조를 나타내는 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 발광 소자는 서로 중첩하는 제1 전극(120)과 제2 전극(190), 제1 전극(120)과 제2 전극(190) 사이에 위치하는 발광층(150), 제1 전극(120)과 발광층(150) 사이에 위치하는 제1 정공 주입층(130a), 제1 정공 주입층(130a) 위에 위치하는 제1 정공 수송층(140a), 제1 정공 수송층(140a)과 발광층(150) 사이에 위치하는 제2 정공 주입층(130b), 제2 정공 주입층(130b)과 발광층(150) 사이에 위치하는 제2 정공 수송층(140b), 발광층(150)과 제2 전극(190) 사이에 위치하는 전자 수송층(160a), 발광층(150)과 전자 수송층(160a) 사이에 위치하는 버퍼층(160b), 전자 수송층(160a)과 제2 전극(190) 사이에 위치하는 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190) 위에 위치하는 캡핑층(200)을 포함한다.
본 실시예에서 제1 전극(120)은 반사 전극일 수 있다.
본 개시에서 반사 전극이라고 함은 발광층(150)에서 발생한 광을 제2 전극(190)으로 보내기 위해 광을 반사하는 성질을 갖는 물질을 포함하는 전극으로 정의할 수 있다. 여기서, 반사하는 성질이란 입사광에 대한 반사율이 약 70% 이상 약 100% 이하이거나 약 80% 이상 약 100% 이하를 의미할 수 있다.
제1 전극(120)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 금(Au), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 은(Ag)/산화인듐주석(ITO)/은(Ag)의 삼중막 구조 또는 산화인듐주석(ITO)/은(Ag)/산화인듐주석(ITO)의 삼중막 구조 등을 가질 수 있다.
제1 전극(120)은 스퍼터링(sputtering)법, 기상 증착(vapor phase deposition)법, 이온 빔 증착(ion beam deposition)법, 또는 전자빔 증착(electron beam deposition)법 등을 이용해서 형성할 수 있다.
제1 정공 주입층(130a)은 제1 전극(120)으로부터 정공의 주입을 용이하게 하고, 제1 정공 수송층(140a)은 제1 정공 주입층(130a)으로부터 전달되는 정공을 원활하게 수송하는 기능을 수행한다. 제2 정공 주입층(130b)은 제1 정공 수송층(140a)으로부터 전달되는 정공이 제2 정공 수송층(140b)에 주입될 수 있도록 하고, 제2 정공 수송층(140b)은 제2 정공 주입층(130b)으로부터 주입된 정공을 발광층(150)에 전달하는 역할을 하면서 공진 거리를 조절하는 역할을 할 수 있다.
제1 정공 주입층(130a)은 제1 전극(120) 위에 제1 전극(120)과 인접하도록 위치하고 무기 쌍극자 물질을 포함한다. 여기서 무기 쌍극자 물질은 극성이 서로 다른 제1 성분과 제2 성분이 결합된 무기 이온 화합물일 수 있다. 제1 성분은 무기 이온 화합물이 이온화될 때 양이온이 되는 원소이고, 제2 성분은 음이온이 되는 원소일 수 있다. 제1 성분은 전이 금속일 수 있고, 제2 성분은 할로겐을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 무기 쌍극자 물질은 CuI, AgI, AuI, ZnI2, NiI2, PdI2, PtI2, CoI2, RhI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, OsI2, MnI2, TcI2, ReI2, CrI3, MoI3, WI3, VI3, NbI3, TaI3, TiI4, ZrI4, HfI4, SnI2, SnI4, GeI2, GeI4, CuBr, AgBr, AuBr, ZnBr2, PdBr2, PtBr2, CoBr2, RhBr2, IrBr2, FeBr2, RuBr2, OsBr2, MnBr2, TcBr2, ReBr2, CrBr3, MoBr3, WBr3, VBr3, NbBr3, TaBr3, TiBr4, ZrBr4, HfBr4, CuCl, AgCl, AuCl, ZnCl2, PdCl2, PtCl2, CoCl2, RhCl2, IrCl2, FeCl2, RuCl2, OsCl2, MnCl2, TcCl2, ReCl2, CrCl3, MoCl3, WCl3, VCl3, NbCl3, TaCl3, TiCl4, ZrCl4, HfCl4, CuF, AgF, AuF, ZnF2, PdF2, PtF2, CoF2, RhF2, IrF2, FeF2, RuF2, OsF2, MnF2, TcF2, ReF2, CrF3, MoF3, WF3, VF3, NbF3, TaF3, TiF4, ZrF4, 그리고 HfF4 중에서 적어도 하나를 포함한다.
본 실시예에서 제1 성분은 4.3eV 이상의 일함수를 가질 수 있다. 무기물인 제1 전극(120)과 유기물층인 제1 정공 수송층(140a)의 계면에 강한 쌍극자 특성을 갖는 제1 정공 주입층(130a)을 배치함으로써, 유기물층의 진공 레벨(vacuum level)이 시프트(shift)하여 정공 주입 장벽이 낮아진다. 이때, 계면에서 전계가 높아져 정공이 터널링할 수 있다. 특히, 4.3eV 이상의 일함수(고일함수)를 갖는 물질과 할로겐이 조합된 무기 쌍극자 물질이 계면에서 해리될 경우에는 고일함수 금속에 의해 정공을 포함하는 캐리어 주입 장벽이 낮아지고, 고일함수 금속이 산화되어 계면에서 전자를 포획하면 유기물층에 전자가 비워진 홀을 만들어 마치 p-도핑된 계면 영역 갖는 정공 주입층을 형성한다. 쌍극자 물질에서 해리된 할로겐 이온은 제1 전극(120)을 형성하는 ITO에 포함된 In 및 Sn 이온이 유기물층으로 이동하는 것을 방지하여 이들로 인한 유기물층의 결정화를 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, ITO 표면에 발생된 핀-홀(pin-hole)을 덮어 Ag와 대기 중의 S가 만나서 부풀게 되는 현상을 감소시킬 수 있다.
본 실시예에서 제1 정공 주입층(130a)은 후술하는 제1 정공 수송층(140a)이 포함하는 유기 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 정공 주입층(130a)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말해, 제1 정공 주입층(130a)은 유기 물질에 무기 쌍극자 물질이 도핑된 상태일 수 있다.
제1 정공 수송층(140a)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 정공 수송층(140a)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 정공 수송층(140a)의 두께는 제1 정공 주입층(130a)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
제1 정공 수송층(140a) 위에 제2 정공 주입층(130b)이 위치한다. 제2 정공 주입층(130b)은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상술한 제1 정공 주입층(130a)에 포함된 무기 쌍극자 물질에 관한 설명이 제2 정공 주입층(130b)에도 적용될 수 있다.
제2 정공 주입층(130b)은 유기 물질을 더 포함할 수 있고, 상술한 제1 정공 주입층(130a)에 더 포함될 수 있는 유기 물질에 관한 설명이 제2 정공 주입층(130b)에도 적용될 수 있다. 제2 정공 주입층(130b)은 제1 정공 주입층(130a)과 동일한 물질이거나 서로 다른 물질일 수 있다. 제2 정공 주입층(130b)과 제1 정공 주입층(130a)이 서로 다른 물질일 때, 제1 정공 주입층(130a)의 유기 물질과 제2 정공 주입층(130b)의 유기 물질이 서로 다를 수 있다.
제2 정공 주입층(130b) 위에 제2 정공 수송층(140b)이 위치하고, 제2 정공 수송층(140b)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 정공 수송층(140b)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 정공 수송층(140b)의 두께는 제2 정공 주입층(130b)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
제2 정공 수송층(140b) 위에 발광층(150)이 위치한다. 발광층(150)은 특정 색을 표시하는 발광 물질을 포함한다. 예를 들어, 발광층(150)은 청색, 녹색 또는 적색과 같은 기본색 또는 이들을 조합하는 색을 표시할 수 있다.
발광층(150)의 두께는 10nm 내지 50nm일 수 있다. 발광층(150)은 호스트와 도펀트를 포함한다. 발광층(150)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층(150)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 페릴렌(Perylene)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(150)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(150)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 안트라센기를 가지는 호스트 물질을 포함하고, 디아민기를 포함하는 도펀트를 포함하거나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또, 본 실시예에서 설명한 것처럼 발광층(150)이 반드시 유기 물질로만 형성될 필요는 없고, 발광층(150)은 양자점과 같은 무기 물질로 형성될 수도 있다.
발광층(150)과 제2 전극(190) 사이에 전자 수송층(160a) 및 전자 주입층(180)이 위치할 수 있다. 전자 수송층(160a)은 발광층(150)에 인접하도록 위치하고, 전자 주입층(180)은 제2 전극(190)에 인접하도록 위치한다. 발광층(150)과 전자 수송층(160a) 사이에 버퍼층(160b)이 위치할 수 있으나 버퍼층(160b)은 생략 가능하다.
전자 수송층(160a)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송층(160)은 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD(2-[4-biphenyl-5-[4-tert-butylphenyl]]-1,3,4-oxadiazole), TAZ(1,2,4-triazole), spiro-PBD(spiro-2-[4-biphenyl-5-[4-tert-butylphenyl]]-1,3,4-oxadiazole), 및 BAlq(8-hydroxyquinoline beryllium salt)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전자 수송층(160a)은 제2 전극(190)으로부터 발광층(150)으로 전자를 전달할 수 있다. 또한, 전자 수송층(160a)은 제1 전극(120)으로부터 주입된 정공이 발광층(150)을 통과하여 제2 전극(190)으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 전자 수송층(160a)은 정공 저지층의 역할을 하여, 발광층(150)에서 정공과 전자의 결합을 돕는다.
전자 주입층(180)은 제2 전극(190)으로부터 전자 수송층(160a)으로 전자 주입을 개선하는 역할을 한다. 본 실시예에서 전자 주입층(180)의 두께는 공정 마진을 고려하여 대략 2 옹스트롬 내지 25 옹스트롬일 수 있다.
본 실시예에서 전자 주입층(180)은 란타넘족 원소, 알칼리 금속인 제1 원소 및 할로겐인 제2 원소 중 적어도 하나를 포함한다. 이하에서는 전자 주입층(180)을 형성하는 방법에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
전자 주입층(180)은 금속으로 이루어진 제1 물질과 금속 할라이드로 이루어진 제2 물질을 공증착하여 형성할 수 있다. 이때, 제1 물질과 제2 물질은 서로 반응하여 치환 반응이 일어날 수 있는 물질들을 선택한다. 예를 들면, 란타넘족 원소인 Yb로 이루어진 제1 물질과 금속 할라이드인 KI로 이루어진 제2 물질을 공증착하면, 하기 반응식 1, 반응식 2 또는 반응식 3과 같이 치환 반응이 일어날 수 있다.
반응식 1
2KI + Yb → YbI2 + 2K+ + 2e- 또는 YbI2 + 2K
반응식 2
3KI + Yb → YbI3 + 3K+ + 3e- 또는 YbI3 + 3K
반응식 3
3KI + Yb → KYbI3 + 2K+ + 2e- 또는 KYbI3 + 2K
본 실시예에서 제1 물질과 제2 물질은 표준 전극 전위(Standard electrode potential)가 서로 비슷한 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 물질과 제2 물질이 각각 1족 원소, 2족 원소 및 란타넘족 원소 가운데 어느 하나를 포함하는 경우에, 강한 반응성에 따라 자발적 반응을 일으키는 것을 하기 실험예를 통해 확인하였다.
실험예
실험을 통해 Yb, Eu 또는 Sm와 같은 란타넘족으로 이루어진 제1 물질과, KI, RbI 또는 CsI와 같은 금속 아이오딘으로 이루어진 제2 물질을 조합하여 공증착하였고, 제1 물질과 제2 물질이 반응하여 층을 형성하였다.
이 때, 층이 투명해지면서 전도도가 상승하는 결과를 얻었다. 하지만, Ag로 이루어진 제1 물질과, KI, RbI 또는 CsI와 같은 금속 아이오딘으로 이루어진 제2 물질을 조합하여 공증착하여 층을 형성하면, 투명해지지도 않고 전도도가 상승하지도 않았다. 또한, Yb, Eu 또는 Sm와 같은 란타넘족으로 이루어진 제1 물질과, CuI로 이루어진 제2 물질을 공증착하여 층을 형성할 때, 투명해지지도 않고 전도도가 상승하지도 않았다. 따라서, 제1 물질과 제2 물질에 포함되는 금속은 반응성이 커서 자발적 반응을 유도할 수 있는 물질인 것이 바람직하다.
할라이드 화합물 가운데 아이오딘 화합물은 아이오딘 자체의 전자 친화도, 전기 음성도가 작기 때문에 아이오딘 화합물이 해리되어 아이오딘 공공(vacancy)을 형성하거나 다른 반응성 금속과 결합하여 신규 화합물을 생성하기 쉽다. 따라서, 금속으로 이루어진 제1 물질과 아이오딘을 포함한 금속 아이오딘의 치환 반응에 의해 생성된 화합물들에 의해 전자 주입 특성을 좋게 할 수 있다.
또, 아이오딘은 플루오린에 비해 유기 물질과의 굴절률 차이가 작아 광학 설계에 유리하다. 또, 아이오딘은 플루오린과 같은 물질에 비해 열증발 온도가 낮아 공정성이 유리하다. 또, 플루오린이 열분해되면 가스가 나와 진공도가 떨어지는 문제가 있으나, 아이오딘 열을 가하더라도 고체로 남으므로 진공도가 감소되는 문제가 없다.
상기 실험예에서 할라이드 화합물 가운데 아이오딘 화합물에 대해서 실험을 진행하였으나, 제2 물질로서 KCl, KBr, RbCl, RbBr, CsCl 또는 CsBr 같은 금속 할라이드를 사용한 경우에도 금속 아이오딘과 유사한 결과를 나타냈다.
이하 전도 메커니즘에 대해 설명하기로 한다.
본 실시예에서 제1 물질에 포함된 금속과 제2 물질에 포함된 금속이 서로 치환될 수 있다. 이 때, 제1 물질의 원자가 전자수는 제2 물질에 포함된 금속의 원자가 전자수와 같거나 클 수 있다. 제1 물질의 원자가 전자수가 제2 물질에 포함된 금속의 원자가 전자수보다 크면 추가 발생하는 자유 전자로 인해 전도도가 향상될 수 있다.
또한, 제2 물질에 포함된 할로겐 원소를 제1 물질이 가져가 신규한 물질을 형성하게 되면, 할로겐 공공(vacancy)에 따라 자유 전자가 형성되어 전도도가 향상될 수도 있다.
또한, 반응에 참여하고 남은 금속 이온에 의해 전도도가 향상될 수도 있다.
본 실시예에서 전자 주입층(180)은 상기 제1 물질의 금속과 상기 제2 물질에 포함된 할로겐로 이루어진 쌍극자 물질 및/또는 상기 제1 물질의 금속과 상기 제2 물질의 금속 할라이드로 이루어진 제1 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 쌍극자 물질은 란타넘족 원소를 2가 원소로 포함하는 화합물 및 란타넘족 원소를 3가 원소로 포함하는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 상기 제1 물질의 금속은 약 2.7eV 이하의 란타넘족 원소인 것이 바람직하다. 란타넘족 원소로서 일함수가 2.6eV인 이터븀(Yb), 일함수가 2.7eV인 사마륨(Sm) 또는 일함수가 2.5eV인 유로퓸(Eu)을 사용할 수 있다.
란타넘족 원소 가운데 이터븀(Yb), 사마륨(Sm) 및 유로퓸(Eu)은 이온화 에너지가 가장 낮고, 이온 반경이 작아 알칼리 할라이드 재료와 반응이 쉬우며, 알칼리 할라이드 재료 내부로 확산이 용이하다. 따라서, 이터븀(Yb), 사마륨(Sm) 및 유로퓸(Eu)이 KI, RbI 또는 CsI와 쉽게 반응하여 페로브스카이트 구조의 반응물과 알칼리 금속 또는 이온이 잔존하여 주입 장벽을 원활히 낮출 수 있다.
상기 제1 화합물은 페로브스카이트 구조를 가질 수 있다. 페로브스카이트 구조는, 란타넘족 원소, 알칼리 금속인 제1 원소 및 할로겐인 제2 원소로 이루어질 수 있다. 앞에서 설명한 반응식 1, 2, 3을 참고하면, 전자 주입층(180)은 상기 설명한 쌍극자 물질, 페로브스카이트 구조를 갖는 제1 화합물 외에도 상기 제1 원소를 갖는 양이온 및 자유 전자를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 란타넘족 금속으로 이루어진 제1 물질과 알칼리 금속 할라이드로 이루어진 제2 물질을 공증착하여 전자 주입층(180)을 형성할 수 있고, 제1 물질과 제2 물질을 포함하는 전체 함량에서 제2 물질의 함량은 약 1vol% 내지 약 20vol%의 범위를 가질 수 있다. 최종 생성물인 전자 주입층(180)을 기준으로 설명하면, 상기 란타넘족 원소, 상기 제1 원소 및 상기 제2 원소를 갖는 전체 물질 중에서, 상기 제1 원소를 갖는 물질과 상기 제2 원소를 갖는 물질의 합은 약 1vol% 내지 약 20vol%의 범위를 가질 수 있다.
란타넘족 원소를 갖는 제1 물질이 제2 물질보다 많으므로 전자 주입층(180)은 란타넘족 원소를 갖는 단원자 분자를 포함할 수도 있다.
바람직하게는 제1 물질이 Yb, Eu 또는 Sm이고, 제2 물질은 KI, RbI 또는 CsI일 수 있다. 예를 들어, RbI와 Yb를 공증착하면 화학 반응이 일어나 YbI2, YbI3, 및 RbYbI3 중에서 적어도 하나가 생성될 수 있다. 여기서, RbYbI3는 도 2에 도시한 바와 같이 페로브스카이트 구조를 가질 수 있다. 이처럼 화학 반응이 일어나더라도 RbI 및 Yb로 남아 있는 물질도 존재할 수 있다.
본 실시예에 따른 전자 주입층(180)은 제1 물질과 제2 물질이 공증착된 단층 구조일 수 있다. 전자 주입층(180)에서 제1 물질이 제2 물질 대비하여 많이 분포되어 있으면 그 반대인 경우보다 상대적으로 전도성이 증가하나 투과율이 감소할 수 있다.
따라서, 본 실시예에서 제1 물질과 제2 물질이 분포되는 정도(부피)는 발광 소자에서 요구하는 면저항 및 투과율을 고려하여 최적화할 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 주입층이 자유 전자를 갖는 것을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3을 참고하면, 제1 물질에 포함되는 이터븀(Yb)과 제2 물질에 포함되는 RbI를 사용하여 하나의 막을 형성할 수 있다. 이터븀(Yb)과 RbI가 반응하여 전도체를 형성할 수 있고, 구체적으로 Rb와 Yb가 서로 치환되어 결과적으로 반응물 어딘가에 자유 전자가 형성되고, YbI2 또는 YbI3 화합물을 형성함에 따라 발생하는 아이오딘 공공(vacancy)에 의해 자유 전자가 형성될 수 있다. 이처럼 금속 할라이드의 한 종류인 RbI에 의해 형성되는 자유 전자 및/또는 아이오딘 공공(vacancy)에 의해 형성되는 자유 전자 및 금속 이온 때문에 본 실시예에 따른 전자 주입층(180)이 전자 주입 속도를 빠르게 하는 특성을 가질 수 있다. 비록 도 3에서 금속 할라이드로서 RbI를 설명하였으나, KI 또는 CsI 등에도 동일하게 적용 가능하다.
이하에서는 하기 표 1을 참고하여, 란터넘족 원소를 갖는 제1 물질과 공증착되는 알칼리 금속 할라이드를 갖는 제2 물질의 함량이 1vol% 내지 20vol%일 때, 구동 전압 감소로 인한 수명 증가 효과에 대해 설명하기로 한다.
하기 표 1에서 실시예 1은, 이터븀(Yb)과 RbI를 9:1의 부피비로 공증착하여 전자 주입층을 형성하고, 실시예 2는, 이터븀(Yb)과 KI를 9:1의 부피비로 공증착하여 전자 주입층을 형성한 것을 나타낸다.
하기 표 1은, 실시예 1 및 실시예 2를 섭씨 85도에서 약 240시간 동안, 시간에 따른 화이트/레드/그린/블루 광효율을 평가한 결과이다.
하기 표 1을 참고하면, 실시예 1, 2에 따른 따른 구동 전압의 증가 폭은 크지 않고 오히려 감소하는 경우가 대부분이다. 이처럼, 본 개시에 따른 실시예에서는 구동 전압 저감으로 인해 전력 효율이 17% 내지 26% 개선되며, 이로 인해, 수명이 개선될 수 있다. 섭씨 85도에 해당하는 조건은, 실외에서 강한 빛에 노출되는 자동차와 유사한 환경일 수 있다. 따라서, 본 개시의 실시예에 따른 발광 소자를 자동차에 적용할 경우에 고온에서도 구동 전압이 유지되고 수명이 개선되는 효과가 있다.
| 레서피(시간) |
구동 전압(V) | |||
| W | R | G | B | |
| 실시예 1(0hr) | 2.66 | 2.5 | 1.67 | 1.56 |
| 실시예 1(120hr) | 2.65 | 2.01 | 1.48 | 1.47 |
| 실시예 1(240hr) | 2.52 | 2.27 | 1.68 | 1.5 |
| 실시예 2(0hr) | 2.46 | 2.26 | 1.71 | 1.64 |
| 실시예 2(120hr) | 2.29 | 2.06 | 1.45 | 1.42 |
| 실시예 2(240hr) | 2.55 | 2.05 | 1.63 | 1.46 |
이하에서는, 란터넘족 원소를 갖는 제1 물질과 알칼리 금속 할라이드를 갖는 제2 물질의 부피비에 따른 광효율 및 소자의 신뢰성에 대해 살펴보기로 한다.
하기 표 2는, Liq를 포함하는 전자 수송층과 AgMg를 포함하는 음극을 포함하는 발광 소자에서, 비교예 1-1은 이터븀(Yb)으로 전자 주입층을 형성하고, 실시예 1-1 내지 실시예 1-6은 이터븀(Yb)과 KI를 공증착하여 전자 주입층을 형성한 경우이다. 실시예 1-1 내지 실시예 1-6에서 전자 주입층에 포함된 KI의 함량은 각각 1vol%, 3vol%, 5vol%, 10vol%, 15vol%, 20vol%이다. 하기 표 2의 수치들은 조건 당 패널 30개의 효율의 평균에 해당하는 값들이다.
| R 효율 | G 효율 | B 효율 | W 효율 | |
| 비교예 1-1 | 37.4 | 53.8 | 4.973 | 29.9 |
| 실시예 1-1 | 38.3 | 56.3 | 5.131 | 31.2 |
| 실시예 1-2 | 38.6 | 56.8 | 5.179 | 31.2 |
| 실시예 1-3 | 39.1 | 57.1 | 5.218 | 31.2 |
| 실시예 1-4 | 38.9 | 59.0 | 5.360 | 31.7 |
| 실시예 1-5 | 39.6 | 59.0 | 5.467 | 31.9 |
| 실시예 1-6 | 38.3 | 59.1 | 5.492 | 32.0 |
하기 표 3은, Liq를 포함하는 전자 수송층과 AgYb로 형성된 음극을 포함하는 발광 소자에서, 비교예 1-1은 이터븀(Yb)으로 전자 주입층을 형성하고, 실시예 2-1 내지 실시예 2-6은 이터븀(Yb)과 KI를 공증착하여 전자 주입층을 형성한 경우이다. 실시예 2-1 내지 실시예 2-6에서 전자 주입층에 포함된 KI의 함량은 각각 1vol%, 3vol%, 5vol%, 10vol%, 15vol%, 20vol%이다.
| R 효율 | G 효율 | B 효율 | W 효율 | |
| 비교예 1-1 | 37.4 | 53.8 | 4.973 | 29.9 |
| 실시예 2-1 | 37.7 | 55.2 | 5.096 | 31.2 |
| 실시예 2-2 | 38.0 | 56.5 | 5.230 | 31.4 |
| 실시예 2-3 | 38.6 | 57.1 | 5.142 | 31.2 |
| 실시예 2-4 | 38.9 | 57.7 | 5.291 | 31.2 |
| 실시예 2-5 | 38.7 | 58.9 | 5.564 | 31.7 |
| 실시예 2-6 | 37.4 | 60.3 | 5.469 | 32.1 |
상기 표 2, 표 3을 참고하면, 비교예 1-1 대비하여 실시예 1-1 내지 실시예 1-6 및 실시예 2-1 내지 실시예 2-6의 경우에 화이트 광효율이 대략 4% 내지 7% 상승하는 효과가 있다.
하기 표 4는, 이터븀(Yb)과 RbI를 공증착하여 전자 주입층을 형성하고, 이터븀(Yb)과 KI를 공증착하여 전자 주입층을 형성할 때, 공증착되는 2가지 물질의 부피비에 따라 발광 소자를 포함하는 표시 패널의 신뢰성을 평가한 결과이다.
| 전자 주입층 | 부피비(vol%) | 신뢰성 | 전자 주입층 | 부피비(vol%) | 신뢰성 |
| Yb:RbI | 9:1 | 양품 | Yb:KI | 9:1 | 양품 |
| Yb:RbI | 8:2 | 양품 | Yb:KI | 8:2 | 양품 |
| Yb:RbI | 7:3 | 불량 | Yb:KI | 7:3 | 불량 |
| Yb:RbI | 5:5 | 불량 | Yb:KI | 5:5 | 불량 |
| Yb:RbI | 3:7 | 불량 | Yb:KI | 3:7 | 불량 |
| Yb:RbI | 1:9 | 불량 | Yb:KI | 1:9 | 불량 |
| RbI 단독 | - | 불량 | KI 단독 | - | 불량 |
상기 표 4를 참고할 때, 이터븀(Yb)과 RbI의 부피비가 9:1 및 8:2인 경우에 표시 패널이 정상적으로 동작하였고, RbI의 함량이 20vol%를 넘게 되면, 패턴 얼룩과 같은 현상이 발생하여 표시 패널의 불량률이 높아질 수 있다.
Yb와 KI의 비율에서, KI가 늘어남에 따라 반응물 가운데 페로브스카이트 구조를 많이 갖게 되며, 페로브스카이트의 경우, 개구부 얼라인 장치인 마그네틱 지그에서 발생하는 자장에 굉장히 민감하게 반응하여 증착 공정 시, 표면에서 마그네틱 지그와 같은 패턴의 얼룩이 발생하는 것이 확인된다. 페로브스카이트 구조의 경우, 이원계 화합물보다 약 10배 이상의 높은 유전율을 지니게 됨에 따라 자장 변화에 민감하게 반응할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 개시에 따른 발광 소자는, 신뢰성 및 광효율 관점에서 란터넘족 원소를 갖는 제1 물질과 공증착되는 알칼리 금속 할라이드를 갖는 제2 물질의 함량이 1vol% 내지 20vol%인 것이 바람직하다.
다시 도 1을 참고하면, 전자 주입층(180) 위에 제2 전극(190)이 위치한다. 제2 전극(190)은 반투과 전극일 수 있다.
본 개시에서 반투과 전극이라고 함은 제2 전극(190)으로 입사한 광의 일부를 투과시키고, 나머지 광을 제1 전극(120)으로 반사하는 반투과 성질을 갖는 물질을 포함하는 전극으로 정의할 수 있다. 여기서, 반투과 성질이란 입사광에 대한 반사율이 약 0.1% 이상 약 70% 미만이거나 약 30% 이상 50% 이하를 의미할 수 있다.
제2 전극(190)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 금(Au), 팔라듐(Pd), 이터븀(Yb) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 이상에서, 제2 전극(190)의 한 예로 공진 구조를 설명하기 위해 반투과 전극인 것으로 설명하였으나, 본 개시의 다른 일 실시예에 따르면 비공진 구조도 적용 가능하고, 이때 제2 전극(190)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전도성 전극일 수도 있다.
앞에서 언급한 제2 전극(190)을 합금으로 형성하는 경우에 합금 비율은 증착원의 온도, 분위기, 진공도 등에 의해 제어되고 적절한 비율로서 선택될 수 있다. 본 실시예에서 제2 전극(190)은 약 50 옹스트롬 내지 약 150 옹스트롬의 두께를 가질 수 있다. 제2 전극(190)의 두께가 50 옹스트롬보다 작으면 면저항을 확보하기 어려운 문제가 있고, 150 옹스트롬보다 크면 반사율이 높이지기 때문에 광각 특성(Wide Angle Distribution; WAD)이 나빠져 옆에서 보았을 때 색변화가 일어날 수 있다.
본 실시예에서 제2 전극(190)은 AgMg 또는 AgYb로 형성하는 것이 바람직하다.
AgMg 또는 AgYb 전극 적용 시, Mg 또는 Yb의 함량이 높을수록 전자 주입 장벽이 낮아지게 되고, 이에 따라 많은 전자가 주입되게 된다. 전체 소자에서 전자-정공 밸런스가 틀어지게 되면, 소자 내에 열화가 발생하게 되어 수명 및 효율이 급감할 수 있다. 이러한 전자-정공 밸런스를 고려하여 제2 전극(190)에 포함되는 Mg 또는 Yb의 함량은 약 10vol% 내지 약 30vol%인 것이 바람직하다.
AgMg 전극과 AgYb 전극을 비교할 때, Mg의 경우 발화성이 높으므로 환경 및 안전 이슈 측면에서 AgYb가 좀 더 바람직할 수 있다. 또, 전자 주입층에서 Yb를 포함하기 때문에, AgMg 전극 제조 대비하여 AgYb 전극 제조 시 필요한 재료 수가 적으므로 공정 및 제조 단가면에서 AgYb가 좀 더 바람직할 수 있다.
제2 전극(190) 위에 캡핑층(200)이 위치하고, 캡핑층(200)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있으며, 제2 전극(190)을 보호하거나 제2 전극(190)과 함께 공진 세기와 공진 위상의 변화를 유도하는 역할을 할 수도 있다.
도 4는 도 1 의 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 4에서, 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 청색 발광 영역에 각각 대응하는 발광 소자를 기판(23) 위에 도시한다.
도 4를 참고하면, 도 1의 발광층(150)이 적색 발광층(150R), 녹색 발광층(150G) 및 청색 발광층(150B)을 포함하고, 이들은 제1 전극(120)에 평행한 방향으로 수평 배치되어 있다. 제1 정공 주입층(130a) 및 정공 수송층(140)은 적색 발광층(150R)과 제1 전극(120) 사이, 녹색 발광층(150G)과 제1 전극(120) 사이 및 청색 발광층(150B)과 제1 전극(120) 사이에 공통적으로 위치하고, 공통적으로 위치하는 부분에서 제1 정공 주입층(130a)의 두께는 실질적으로 동일하고, 정공 수송층(140)의 두께는 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, 제1 정공 주입층(130a) 및 정공 수송층(140)에 포함되는 물질에 관한 설명은 도 1에서 설명한 내용이 적용될 수 있다.
적색 발광층(150R), 녹색 발광층(150G), 및 청색 발광층(150B) 중에서 서로 이웃하는 발광층 사이에는 화소 정의막(25)이 위치할 수 있다. 녹색 발광 영역에서, 정공 수송층(140) 위에 제2 정공 주입층(130b)이 위치한다. 제2 정공 주입층(130b)에 포함되는 물질에 관한 설명은 도 1에서 설명한 내용이 적용될 수 있다. 제2 정공 주입층(130b)은 이웃하는 화소 정의막(25) 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에서, 청색 발광층(150B) 하부에 청색 발광층(150B)의 효율을 높이기 위한 보조층(BIL)이 위치할 수 있고, 보조층(BIL)은 정공 전하 밸런스(hole Charge Balance)를 조절하여 청색 발광층(150B)의 효율을 높이는 역할을 할 수 있다. 보조층(BIL)은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
화학식 1
상기 화학식 1에서 A1, A2 및 A3는 각각 수소, 알킬기, 아릴기, 카르바졸, 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조퓨란(Dibenzofuran; DBF), 비페닐(biphenyl)일 수 있고, a, b, c는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 화합물들의 일례로 하기 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6을 포함할 수 있다.
화학식 1-1
화학식 1-2
화학식 1-3
화학식 1-4
화학식 1-5
화학식 1-6
변형 실시예로 보조층(BIL)은 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
화학식 2
상기 화학식 2에서 a, b, c는 각각 독립적으로 0 내지 3이고, X는 O, N 및 S 중에서 선택될 수 있으며, X는 서로 같거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 2를 나타내는 화합물의 일례로 하기 화학식 2-1 내지 2-5를 포함할 수 있다.
화학식 2-1
화학식 2-2
화학식 2-3
화학식 2-4
화학식 2-5
변형 실시예로 보조층(BIL)은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
화학식 3
화학식 3에서 A1은 수소, 알킬기, 아릴기, 카르바졸, 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조퓨란(Dibenzofuran; DBF)일 수 있고, L1과 L2는 각각 
(n은 0 내지 3의 정수)일 수 있으며, L1과 L2에 연결된 디벤조퓨란 은 카르바졸 또는 디벤조티오펜(dibenzothiophene)으로 대체될 수 있다.
본 실시예에 따른 발광 소자는 적색 발광층(150R) 하부에 적색 공진 보조층(150R')이 위치하고, 녹색 발광층(150G) 하부에 녹색 공진 보조층(150G')이 위치할 수 있다. 이들 적색 공진 보조층(150R')과 녹색 공진 보조층(150G')은 각 색상별 공진 거리를 맞추기 위하여 부가된 층이다. 이와 달리, 청색 발광층(150B) 및 보조층(BIL) 하부에는 이들과 정공 수송층(140) 사이에 위치하는 별도의 공진 보조층이 형성되지 않을 수 있다. 녹색 공진 보조층(150G')은 도 1에서 설명한 제2 정공 수송층(140b)에 대응할 수 있다.
전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)은 적색 발광층(150R)과 캡핑층(200) 사이, 녹색 발광층(150G)과 캡핑층(200) 사이 및 청색 발광층(150B)과 캡핑층(200) 사이에 공통적으로 위치하고, 공통적으로 위치하는 부분에서 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)의 두께는 실질적으로 동일할 수 있다. 도 1에서 도시한 전자 수송층(160a) 및 버퍼층(160b)는 도 4에서 도시하지 않았으나, 도 4의 실시예에 적용 가능하다.
여기서, 도 1에서 설명한 내용들을 중복 설명하지는 않는다. 다만, 도 4에 도시한 기판(23)과 제1 전극(120) 사이에 트랜지스터, 층간 절연막을 포함하는 소자와 절연막 등이 형성될 수 있으나, 도 4에는 생략하였고, 도 8을 참고하여 후술하기로 한다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 5의 실시예는 도 4에서 설명한 발광 소자와 대부분의 구성이 동일하다. 이하에서는 도 4의 실시예와 차이가 있는 부분에 대해서 설명하기로 하고, 도 4를 참고하여 설명한 내용은 도 5의 실시예에 모두 적용 가능하다.
도 5를 참고하면, 적색 발광 영역에 위치하는 발광 소자는, 녹색 발광 영역에 위치하는 제1 정공 주입층(130a)과 제2 정공 주입층(130b) 각각 연장되어 형성된 제3 정공 주입층(130c) 및 제4 정공 주입층(130d)을 더 포함한다. 제3 정공 주입층(130c) 및 제4 정공 주입층(130d)에 관한 설명은, 제1 정공 주입층(130a)과 제2 정공 주입층(130b)에 관한 설명이 그대로 적용될 수 있다.
이하에서는 하기 표 5를 참고하여, 청색 발광 소자에서의 구동 전압 및 광효율에 대해 설명하고, 하기 표 6을 참고하여, 녹색 발광 소자에서의 구동 전압 및 광효율에 대해 설명하기로 한다.
하기 표 5에서, 비교예 1은 ITO/Ag/ITO로 이루어지고 100 옹스트롬 두께의 제1 전극, 2종류의 유기 물질이 혼합된 100 옹스트롬 두께의 정공 주입층, 1종류의 유기 물질을 포함하는 1080 옹스트롬 두께의 정공 수송층, 190 옹스트롬 두께의 발광층, 2종류의 유기 물질이 혼합된 310 옹스트롬 두께의 전자 수송층, Yb로 이루어진 13 옹스트롬 두께의 전자 주입층, AgMg로 이루어진 90 옹스트롬 두께의 제2 전극 및 유기 물질을 포함하는 캡핑층으로 구성된 청색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 1은, 비교예 1과 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 정공 주입층을 포함하는 청색 발광 소자를 나타내고, 실험예 2는, 비교예 1과 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 4vol%의 CuI가 도핑된 정공 주입층 및 Yb에 3vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 청색 발광 소자를 나타내며, 실험예 3은, 비교예 1과 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 정공 주입층 및 Yb에 3vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 청색 발광 소자를 나타내고, 실험예 4는, 비교예 1과 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 정공 주입층 및 Yb에 6vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 청색 발광 소자를 나타낸다.
| 구동 전압(V) | B 효율(cd/A) | |
| 비교예1 | 4.0 | 180.5 |
| 실험예 1 | 3.7 | 183.3 |
| 실험예 2 | 3.6 | 187.9 |
| 실험예 3 | 3.6 | 185.7 |
| 실험예 4 | 3.5 | 198.6 |
하기 표 6에서, 비교예 2는 ITO/Ag/ITO로 이루어지고 100 옹스트롬 두께의 제1 전극, 2종류의 유기 물질이 혼합된 100 옹스트롬 두께의 제1 정공 주입층, 1종류의 유기 물질을 포함하는 1075 옹스트롬 두께의 제1 정공 수송층, 2종류의 유기 물질이 혼합된 100 옹스트롬 두께의 제2 정공 주입층, 1종류의 유기 물질을 포함하는 200 옹스트롬 두께의 제2 정공 수송층, 380 옹스트롬 두께의 발광층, 2종류의 유기 물질이 혼합된 310 옹스트롬 두께의 전자 수송층, Yb로 이루어진 13 옹스트롬 두께의 전자 주입층, AgMg로 이루어진 100 옹스트롬 두께의 제2 전극 및 유기 물질을 포함하는 캡핑층으로 구성된 녹색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 5는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 4vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 6은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내며, 실험예 7은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 8vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 8은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 2vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 9는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 4vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내며, 실험예 10은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 11은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 8vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 12는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 2vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 13은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 4vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내며, 실험예 14는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 15는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 8vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 16은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 2vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 17은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 4vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내며, 실험예 18은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 19는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 8vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 20은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, CuI로 이루어진 제1 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내고, 실험예 21은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, CuI로 이루어진 제2 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타내며, 실험예 22는, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, CuI로 이루어진 제1 정공 주입층, CuI로 이루어진 제2 정공 주입층 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타낸다.
실험예 23은, 비교예 2와 대부분의 구성이 동일하나, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 제1 정공 주입층, 유기 물질에 6vol%의 CuI가 도핑된 제2 정공 주입층, 및 Yb에 10vol%의 KI가 도핑된 전자 주입층을 포함하는 녹색 발광 소자를 나타낸다.
| 구동 전압(V) | G 효율(cd/A) | |
| 비교예2 | 4.2 | 133.4 |
| 실험예 5 | 3.8 | 145.7 |
| 실험예 6 | 3.8 | 142.5 |
| 실험예 7 | 3.8 | 142.2 |
| 실험예 8 | 3.8 | 142.4 |
| 실험예 9 | 3.7 | 143.1 |
| 실험예 10 | 3.7 | 146.2 |
| 실험예 11 | 3.7 | 146.7 |
| 실험예 12 | 3.9 | 147.1 |
| 실험예 13 | 3.9 | 148.8 |
| 실험예 14 | 3.9 | 149 |
| 실험예 15 | 3.8 | 149.5 |
| 실험예 16 | 3.7 | 145.7 |
| 실험예 17 | 3.6 | 145.9 |
| 실험예 18 | 3.6 | 150.8 |
| 실험예 19 | 3.6 | 149.5 |
| 실험예 20 | 3.9 | 148.9 |
| 실험예 21 | 3.6 | 146.8 |
| 실험예 22 | 3.7 | 147.8 |
| 실험예 23 | 3.7 | 149.8 |
상기 표 5 및 표 6을 참고하면, 비교예 1, 2 대비하여 실험예 1 내지 실험예 23의 경우에 구동 전압이 낮아지고, 청색 광효율 또는 녹색 광효율이 상승하는 효과가 있다. 적색 발광 소자에 대해서 실험 데이터를 첨부하지 않았지만, 녹색 발광 소자와 동일한 경향의 실험 결과를 얻을 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 텐덤 구조의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1에서 설명한 발광 소자와 대부분의 구성이 동일하다. 이하에서는 도 1의 실시예와 차이가 있는 부분에 대해서 설명하기로 하고, 도 1을 참고하여 설명한 내용은 도 6의 실시예에 모두 적용 가능하다.
도 6을 참고하면, 본 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극(120)과 제2 전극(190), 제1 전극(120)과 제2 전극(190) 사이에 서로 다른 색상을 나타내는 복수의 층(150Y, 150B, 250B)이 조합되어 백색 또는 청색 발광하는 발광층(150)을 포함한다. 복수의 층은 2층 또는 3층으로 적층된 구조일 수 있고, 도 6에서는 3층의 발광층(150)을 도시하고 있다. 도시하지 않았으나, 발광층(150)에서 발생한 광은, 제2 전극(190) 위에 위치하는 색변환층을 통과하면서 원하는 색상을 구현할 수 있다. 색변환층은 각 화소 영역에 대응하도록 복수개 형성될 수 있다. 복수의 색변환층은 염료 또는 안료를 포함하는 적색, 녹색 및 청색의 색필터이거나, 각기 크기가 다른 나노 입자, 예를 들어 양자점을 포함할 수도 있다. 발광층(150)이 청색을 발광하는 경우에는, 청색의 색필터가 생략되거나 청색 화소 영역에 대응하는 부분에 색변환층 대신 투과층이 형성되어 발광층(150)에서 발생된 청색 광을 그대로 투과시킬 수도 있다. 이때, 복수의 층(150Y, 150B, 250B)이 조합되어 청색 발광하는 경우뿐만 아니라, 단일층으로 청색 발광하는 발광층과 색변환층의 조합에 의한 발광 소자 구조를 형성하는 것도 가능하다.
3층의 발광층(150)은 각각 옐로우, 블루 및 블루를 나타내거나 적색, 녹색 및 청색을 나타낼 수 있고, 도시하지 않았으나, 2층의 발광층인 경우에는 각 층이 블루, 옐로우를 나타낼 수 있다. 도 6의 복수의 층(150Y, 150B, 250B) 중에서 서로 이웃하는 층 사이에 n 타입 전하 생성층(171a, 271a)과 p 타입 전하 생성층(171b, 271b)이 위치할 수 있다. n 타입 전하 생성층(171a, 271a)은 유기 물질에 란타넘족 원소가 도핑된 물질로 이루어질 수 있고, p 타입 전하 생성층(171b, 271b)은 무기 쌍극자 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 무기 쌍극자 물질은 도 1을 참고하여 설명한 제1 정공 주입층(130a) 또는 제2 정공 주입층(130b)에 포함되는 무기 쌍극자 물질에 관한 내용이 적용될 수 있다. p 타입 전하 생성층(171b, 271b)에 포함된 무기 쌍극자 물질은 제1 정공 주입층(130a) 또는 제2 정공 주입층(130b)에 포함된 무기 쌍극자 물질과 동일할 수 있다.
도 6을 참고하면, 제1 정공 수송층(141) 아래 및 위에 각각 제1 정공 주입층(130a) 및 제2 정공 주입층(130b)이 위치하고, 제2 정공 주입층(130b) 위에 제1 발광층(150Y)이 위치한다. 제1 발광층(150Y) 위에 제1 전자 수송층(161)이 위치하고, 제1 전자 수송층(161) 위에 전하 생성층(171a, 171b)이 위치하며, 전하 생성층(171a, 171b) 위에 제2 정공 수송층(142)이 위치한다. 제2 정공 수송층(142)과 제2 발광층(150B) 사이에 청색 발광 보조층(BIL)이 위치하고, 제2 발광층(150B) 위에 제2 전자 수송층(162)이 위치한다. 제2 전자 수송층(162) 위에 전하 생성층(271a, 271b)이 위치하며, 전하 생성층(271a, 271b) 위에 제3 정공 수송층(143)이 위치한다. 제3 정공 수송층(143)과 제3 발광층(250B) 사이에 청색 발광 보조층(BIL)이 위치하고, 제3 발광층(250B) 위에 제3 전자 수송층(163)이 위치한다. 제2 전극(190) 위에 캡핑층(200)이 위치한다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7을 참고하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(23), 구동 트랜지스터(30), 제1 전극(120), 발광 소자층(100) 및 제2 전극(190)을 포함한다. 제1 전극(120)은 애노드 전극, 제2 전극(190)은 캐소드 전극일 수 있으나, 제1 전극(120)이 캐소드 전극이고 제2 전극(190)이 애노드 전극일 수 있다.
기판(23) 위에는 기판 버퍼층(26)이 위치할 수 있다. 기판 버퍼층(26)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 하나, 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(23)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
기판 버퍼층(26) 위에는 구동 반도체층(37)이 형성된다. 구동 반도체층(37)은 다결정 규소를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 구동 반도체층(37)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(35), 채널 영역(35)의 양 옆에서 도핑되어 형성된 소스 영역(34) 및 드레인 영역(36)을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용될 수 있다. 여기서, 이러한 불순물은 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(37) 위에는 게이트 절연막(27)이 위치한다. 게이트 절연막(27) 위에는 구동 게이트 전극(33)을 포함하는 게이트 배선이 위치한다. 그리고, 구동 게이트 전극(33)은 구동 반도체층(37)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(35)과 중첩되도록 형성된다.
한편, 게이트 절연막(27) 상에는 구동 게이트 전극(33)을 덮는 층간 절연막(28)이 형성된다. 게이트 절연막(27)과 층간 절연막(28)에는 구동 반도체층(37)의 소스 영역(34) 및 드레인 영역(36)의 상부면을 드러내는 제1 접촉 구멍(22a) 및 제2 접촉 구멍(22b)이 형성되어 있다. 층간 절연막(28) 위에는 구동 소스 전극(73) 및 구동 드레인 전극(75)을 포함하는 데이터 배선이 위치할 수 있다. 또한, 구동 소스 전극(73) 및 구동 드레인 전극(75)은 각각 층간 절연막(28) 및 게이트 절연막(27)에 형성된 제1 접촉 구멍(22a) 및 제2 접촉 구멍(22b)을 통해 소스 영역(34) 및 드레인 영역(36)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(37), 구동 게이트 전극(33), 구동 소스 전극(73) 및 구동 드레인 전극(75)을 포함하는 구동 트랜지스터(30)가 형성된다. 구동 트랜지스터(30)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
그리고, 층간 절연막(28) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(24)이 형성된다. 평탄화막(24)은 그 위에 형성될 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(24)에는 제3 접촉 구멍(22c)이 형성되어 구동 드레인 전극(75)과 후술하는 제1 전극(120)을 전기적으로 연결할 수 있다.
여기에서, 본 개시의 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(24)과 층간 절연막(28) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
평탄화막(24) 위에는 발광 소자(LD)의 제1 전극(120)이 위치한다. 평탄화막(24)과 제1 전극(120) 위에 화소 정의막(25)이 위치한다. 화소 정의막(25)에는 제1 전극(120)의 일부와 중첩하여 개구부가 형성되어 있다. 이때, 화소 정의막(25)에 의해 형성된 개구부마다 발광 소자층(100)이 위치할 수 있다.
한편, 제1 전극(120) 위에는 발광 소자층(100)이 위치한다. 발광 소자층(100)은 도 1에서 설명한 발광 소자에서 제1 정공 주입층(130a), 제1 정공 수송층(140a), 제2 정공 주입층(130b), 제2 정공 수송층(140b), 발광층(150), 전자 수송층(160) 및 전자 주입층(180)에 대응한다. 뿐만 아니라, 도 4 내지 도 6에서 설명한 발광 소자에 관한 내용도 본 개시에 따른 표시 장치에 적용 가능하다.
도 7에서, 발광 소자층(100)이 화소 정의막(25)의 개구부 내에만 위치하는 것으로 도시하였으나, 도 4에서 설명한 것처럼 발광 소자층(100)을 구성하는 일부 층들은 제2 전극(190)처럼 화소 정의막(25) 상부면 위에도 위치할 수 있다.
발광 소자층(100) 위에는 제2 전극(190) 및 캡핑층(200)이 위치한다.
캡핑층(200) 위에는 박막 봉지층(300)이 위치한다. 박막 봉지층(300)은 기판(23) 위에 형성되어 있는 발광 소자(LD)와 구동 회로부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.
박막 봉지층(300)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 봉지 유기막(300a, 300c)과 봉지 무기막(300b, 300d)을 포함한다. 도 7에서는 일례로 2개의 봉지 유기막(300a, 300c)과 2개의 봉지 무기막(300b, 300d)이 하나씩 교대로 적층되어 박막 봉지층(300)을 구성하는 경우를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
120: 제1 전극
190: 제2 전극
130a: 제1 정공 주입층
130b: 제2 정공 주입층
140a: 제1 정공 수송층
140b: 제2 정공 수송층
180: 전자 주입층
190: 제2 전극
130a: 제1 정공 주입층
130b: 제2 정공 주입층
140a: 제1 정공 수송층
140b: 제2 정공 수송층
180: 전자 주입층
Claims (20)
- 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층,
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 제1 정공 주입층 및 제2 정공 주입층, 그리고
상기 제1 정공 주입층과 상기 제2 정공 주입층 사이에 위치하는 제1 정공 수송층을 포함하고,
상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함하는 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 정공 주입층은 상기 제1 전극과 인접하고, 상기 제2 정공 주입층은 상기 제1 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 발광 소자. - 제2항에서,
상기 제2 정공 주입층과 상기 발광층 사이에 위치하는 제2 정공 수송층을 더 포함하는 발광 소자. - 제1항에서,
상기 무기 쌍극자 물질은 CuI, AgI, AuI, ZnI2, NiI2, PdI2, PtI2, CoI2, RhI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, OsI2, MnI2, TcI2, ReI2, CrI3, MoI3, WI3, VI3, NbI3, TaI3, TiI4, ZrI4, HfI4, SnI2, SnI4, GeI2, GeI4, CuBr, AgBr, AuBr, ZnBr2, PdBr2, PtBr2, CoBr2, RhBr2, IrBr2, FeBr2, RuBr2, OsBr2, MnBr2, TcBr2, ReBr2, CrBr3, MoBr3, WBr3, VBr3, NbBr3, TaBr3, TiBr4, ZrBr4, HfBr4, CuCl, AgCl, AuCl, ZnCl2, PdCl2, PtCl2, CoCl2, RhCl2, IrCl2, FeCl2, RuCl2, OsCl2, MnCl2, TcCl2, ReCl2, CrCl3, MoCl3, WCl3, VCl3, NbCl3, TaCl3, TiCl4, ZrCl4, HfCl4, CuF, AgF, AuF, ZnF2, PdF2, PtF2, CoF2, RhF2, IrF2, FeF2, RuF2, OsF2, MnF2, TcF2, ReF2, CrF3, MoF3, WF3, VF3, NbF3, TaF3, TiF4, ZrF4, 그리고 HfF4 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 제1항에서,
상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 유기 물질 및 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층의 유기 물질과 상기 제2 정공 주입층의 유기 물질이 서로 다른 발광 소자. - 제1항에서,
상기 발광층은 복수의 층이 조합되어 백색 발광하는 발광 소자. - 제6항에서,
상기 복수의 층 사이에 위치하는 전하 생성층을 더 포함하고,
상기 전하 생성층은 무기 쌍극자 물질을 포함하는 발광 소자. - 제7항에서,
상기 전하 생성층에 포함된 무기 쌍극자 물질은 상기 제1 정공 주입층 또는 상기 제2 정공 주입층에 포함된 무기 쌍극자 물질과 동일한 발광 소자. - 제1항에서,
상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 주입층을 더 포함하고,
상기 전자 주입층은 란타넘족 원소, 알칼리 금속인 제1 원소 및 할로겐인 제2 원소 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 제9항에서,
상기 전자 주입층은 a) 서로 극성이 다른 상기 란타넘족 원소와 상기 제2 원소를 갖는 쌍극자 물질, b) 상기 란타넘족 원소, 상기 제1 원소 및 상기 제2 원소로 이루어지고 페로브스카이트 구조를 갖는 제1 화합물, c) 상기 제1 원소를 갖는 양이온 및 d) 상기 란타넘족 원소를 갖는 단원자 분자 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 기판,
상기 기판 위에 위치하는 복수의 트랜지스터, 그리고
상기 복수의 트랜지스터와 각각 연결되는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자를 포함하고,
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 수송층을 포함하고,
상기 제1 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 제1 정공 주입층 및 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 제2 정공 주입층을 더 포함하고,
상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 기판은 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 청색 발광 영역을 포함하고, 상기 제1 발광 소자는 상기 녹색 발광 영역에 위치하는 표시 장치. - 제12항에서,
상기 제2 발광 소자는 상기 적색 발광 영역에 위치하고,
상기 제2 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 제3 정공 주입층 및 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 제4 정공 주입층을 더 포함하고,
상기 제3 정공 주입층 및 상기 제4 정공 주입층 각각은 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제3 정공 주입층 및 상기 제4 정공 주입층 중 적어도 하나는 유기 물질을 더 포함하는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제3 정공 주입층은 상기 제1 정공 주입층과 연결되고, 상기 제4 정공 주입층은 상기 제2 정공 주입층과 분리되어 있는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제3 발광 소자는 상기 청색 발광 영역에 위치하고,
상기 제3 발광 소자는 상기 발광 소자의 발광층 아래 위치하는 보조층을 더 포함하는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제1 발광 소자의 발광층 아래 위치하는 녹색 공진 보조층 및 상기 제2 발광 소자의 발광층 아래 위치하는 적색 공진 보조층을 더 포함하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 무기 쌍극자 물질은 CuI, AgI, AuI, ZnI2, NiI2, PdI2, PtI2, CoI2, RhI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, FeI2, RuI2, IrI2, OsI2, MnI2, TcI2, ReI2, CrI3, MoI3, WI3, VI3, NbI3, TaI3, TiI4, ZrI4, HfI4, SnI2, SnI4, GeI2, GeI4, CuBr, AgBr, AuBr, ZnBr2, PdBr2, PtBr2, CoBr2, RhBr2, IrBr2, FeBr2, RuBr2, OsBr2, MnBr2, TcBr2, ReBr2, CrBr3, MoBr3, WBr3, VBr3, NbBr3, TaBr3, TiBr4, ZrBr4, HfBr4, CuCl, AgCl, AuCl, ZnCl2, PdCl2, PtCl2, CoCl2, RhCl2, IrCl2, FeCl2, RuCl2, OsCl2, MnCl2, TcCl2, ReCl2, CrCl3, MoCl3, WCl3, VCl3, NbCl3, TaCl3, TiCl4, ZrCl4, HfCl4, CuF, AgF, AuF, ZnF2, PdF2, PtF2, CoF2, RhF2, IrF2, FeF2, RuF2, OsF2, MnF2, TcF2, ReF2, CrF3, MoF3, WF3, VF3, NbF3, TaF3, TiF4, ZrF4, 그리고 HfF4 중에서 적어도 하나를 포함하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 제1 정공 주입층 및 상기 제2 정공 주입층 각각은 유기 물질 및 무기 쌍극자 물질을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층의 유기 물질과 상기 제2 정공 주입층의 유기 물질이 서로 다른 표시 장치. - 제11항에서,
상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 주입층을 더 포함하고,
상기 전자 주입층은 란타넘족 원소, 알칼리 금속인 제1 원소 및 할로겐인 제2 원소 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치. - 제19항에서,
상기 전자 주입층은 a) 서로 극성이 다른 상기 란타넘족 원소와 상기 제2 원소를 갖는 쌍극자 물질, b) 상기 란타넘족 원소, 상기 제1 원소 및 상기 제2 원소로 이루어지고 페로브스카이트 구조를 갖는 제1 화합물, c) 상기 제1 원소를 갖는 양이온 및 d) 상기 란타넘족 원소를 갖는 단원자 분자 중에서 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170020537A KR20180094535A (ko) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US15/806,665 US10158095B2 (en) | 2017-02-15 | 2017-11-08 | Light emitting diode and display device including the same |
| CN201810151726.3A CN108428800B (zh) | 2017-02-15 | 2018-02-14 | 发光二极管 |
| US16/217,309 US11050035B2 (en) | 2017-02-15 | 2018-12-12 | Light emitting diode and display device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170020537A KR20180094535A (ko) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180094535A true KR20180094535A (ko) | 2018-08-24 |
Family
ID=63105360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170020537A KR20180094535A (ko) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10158095B2 (ko) |
| KR (1) | KR20180094535A (ko) |
| CN (1) | CN108428800B (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020218798A1 (ko) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | 주식회사 페타룩스 | 반도체 발광 디바이스 |
| KR20210041160A (ko) * | 2019-10-04 | 2021-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
| KR20210109686A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
| US11825675B2 (en) | 2020-08-21 | 2023-11-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode including a hole injection layer, and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180094535A (ko) * | 2017-02-15 | 2018-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US10411213B2 (en) * | 2017-07-03 | 2019-09-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | White LED with two blue layers and a yellow layer and the display panel thereof |
| KR102254581B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2021-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US10431631B2 (en) * | 2017-12-04 | 2019-10-01 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Stacked OLED device and method of making the same |
| KR102333769B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2021-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN111312914B (zh) * | 2020-02-24 | 2022-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示装置 |
| KR20210118291A (ko) * | 2020-03-19 | 2021-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3529543B2 (ja) | 1995-04-27 | 2004-05-24 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE10214937A1 (de) * | 2002-04-04 | 2003-10-16 | Basf Ag | Cyclische Verbindungen und ihre Verwendung als Lichtabsorber, Lichtemitter oder Komplexliganden |
| EP1901363A4 (en) | 2005-05-27 | 2011-07-13 | Univ Gifu | LUMINESCENT DEVICE AND ELECTROLUMINESCENCE USING THE SAME |
| KR101407574B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2014-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
| KR100894066B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-04-24 | 삼성모바일디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR100906782B1 (ko) | 2008-04-11 | 2009-07-09 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 유기 발광 소자 |
| KR101182268B1 (ko) * | 2010-07-09 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR102036635B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2019-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101791937B1 (ko) | 2011-07-14 | 2017-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 광전자소자 |
| KR101923175B1 (ko) | 2013-01-04 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| US10236464B2 (en) * | 2014-08-21 | 2019-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
| KR101733151B1 (ko) | 2014-08-21 | 2017-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| EP3035400B1 (en) * | 2014-12-17 | 2019-10-23 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode comprising electron transport layers with different matrix compounds |
| KR101686715B1 (ko) | 2014-12-24 | 2016-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102343655B1 (ko) | 2014-12-24 | 2021-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102318419B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2021-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102447308B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2022-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180094535A (ko) * | 2017-02-15 | 2018-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
-
2017
- 2017-02-15 KR KR1020170020537A patent/KR20180094535A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-11-08 US US15/806,665 patent/US10158095B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-14 CN CN201810151726.3A patent/CN108428800B/zh active Active
- 2018-12-12 US US16/217,309 patent/US11050035B2/en active Active
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020218798A1 (ko) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | 주식회사 페타룩스 | 반도체 발광 디바이스 |
| KR20200123937A (ko) * | 2019-04-23 | 2020-11-02 | 주식회사 페타룩스 | 반도체 발광 디바이스 |
| KR20210041160A (ko) * | 2019-10-04 | 2021-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
| US11700737B2 (en) | 2019-10-04 | 2023-07-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device and apparatus including the same |
| KR20210109686A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
| US11856839B2 (en) | 2020-02-26 | 2023-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device and apparatus including the same |
| US11825675B2 (en) | 2020-08-21 | 2023-11-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode including a hole injection layer, and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108428800B (zh) | 2022-09-09 |
| US10158095B2 (en) | 2018-12-18 |
| US20190115557A1 (en) | 2019-04-18 |
| US20180233689A1 (en) | 2018-08-16 |
| CN108428800A (zh) | 2018-08-21 |
| US11050035B2 (en) | 2021-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108428800B (zh) | 发光二极管 | |
| KR102534578B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 표시 장치 | |
| KR102309894B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR100835725B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| US11088341B2 (en) | Organic light emitting diode | |
| EP2329544B1 (en) | White phosphorescent organic light emitting devices | |
| KR102528355B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 장치 | |
| EP3460859B1 (en) | Light emitting diode | |
| KR20180054329A (ko) | 발광 입자, 발광 필름, 이를 포함하는 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 및 표시장치 | |
| JP2021533562A (ja) | 複数の発光層を有するペロブスカイト発光デバイス | |
| KR20200110223A (ko) | Oled 구조에서 tamm 플라즈몬 스택을 통한 퍼셀 개선 | |
| US10714559B2 (en) | Organic light emitting diode, method of manufacturing the same, and organic light emitting display including the same | |
| CN107768538B (zh) | 有机发光二极管 | |
| US20220352478A1 (en) | Organic eletroluminescent materials and devices | |
| Ji et al. | Perovskite Light‐Emitting Diode Technologies | |
| KR20230132729A (ko) | 유기 전계발광 물질 및 디바이스 | |
| CN115298723A (zh) | 发光元件、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |