CN107768538B - 有机发光二极管 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的有机发光二极管包括第一电极、交叠于所述第一电极的第二电极，以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。所述第二电极包括底部区和顶部区。所述底部区包括MgAg合金，所述MgAg合金包括的Mg多于Ag。所述顶部区包括AgMg合金，所述AgMg合金包括的Ag多于Mg。

Description

有机发光二极管
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年8月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0105109的优先权，该申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及有机发光二极管，更具体地涉及包括该有机发光二极管的有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管是一种如下的元件，在该元件中从阳极供给的空穴和从阴极供给的电子可以在有机发光层中复合以形成激子。当激子稳定时，可以发射光。
有机发光二极管显示器可以具有相对宽的视角、相对快的响应速度、相对薄的厚度和相对较低的功率消耗。
在有机发光二极管显示器中，发光效率可能由于根据由电极和/或内层反射的光的内反射或相消干涉导致的透光量降低而被破坏，或者如果改变有机发光二极管的结构以增加发光效率，可能产生颜色随视角的变化。
发明内容
本发明的一个或多个示例性实施方式提供具有增加的视角和增加的可靠性而不降低发光效率的有机发光二极管以及包括该有机发光二极管的有机发光二极管显示器。
根据本公开的示例性实施方式的有机发光二极管包括第一电极、交叠于第一电极的第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的发光层。第二电极包括底部区和顶部区。底部区包括MgAg合金，所述MgAg合金包括的Mg多于Ag。顶部区包括AgMg合金，所述AgMg合金包括的Ag多于Mg。
有机发光二极管可以包括设置在发光层和第二电极之间的电子传输层。电子传输层可以包括有机材料以及有机材料与无机材料的络合物。
电子传输层可以与底部区直接接触。
在底部区中，Mg:Ag的体积比的范围可以为约10:2至约10:0.5。
顶部区的厚度可以为约30埃至约70埃。
第一电极可以包括反射电极。
发光层可以包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层可以在与第一电极的顶表面平行的方向上水平设置。
有机发光二极管可以包括设置在蓝色发光层下的辅助层。
有机发光二极管可以包括设置在红色发光层下面的红色共振辅助层和设置在绿色发光层下面的绿色共振辅助层。
发光层可以通过组合表示不同颜色的多个层来发射白光。
多个层可以包括两个层或三个层。
根据本公开的示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括基板、设置在基板上方的薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。有机发光二极管包括第一电极、交叠于第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发光层。第二电极包括底部区和顶部区。底部区包括MgAg合金，所述MgAg合金包括的Mg多于Ag。顶部区包括AgMg合金，所述AgMg合金包括的Ag多于Mg。
有机发光二极管显示器可以包括设置在发光层和第二电极之间的电子传输层。电子传输层可以包括有机材料或有机材料和无机材料的络合物。电子传输层可以与底部区直接接触。
在底部区中，Mg:Ag的体积比的范围可以为10:2至10:0.5。
顶部区的厚度可以为约30埃至约70埃。
第一电极可以包括反射电极。
发光层可以包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层可以在与第一电极的顶表面平行的方向上水平设置。
有机发光二极管显示器可以包括设置在蓝色发光层下面的辅助层。
有机发光二极管显示器还可以包括设置在红色发光层下面的红色共振辅助层和设置在绿色发光层下面的绿色共振辅助层。
发光层可以通过组合表示不同颜色的多个层来发射白色光。
在根据本发明的示例性实施方式的发光二极管中，可以在不同的视角保持发光效率，可以降低或消除颜色随视角的变化，并且可以形成具有相对高的抗氧化性的电极结构，从而增加发光二极管和包括该发光二极管的显示器的可靠性。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管的示意性横截面图。
图2是根据本发明的示例性实施方式的透过率随电极厚度变化的示意图。
图3是根据本发明的示例性实施方式的反射率随电极厚度变化的示意图。
图4是在使用包括具有单层结构的电极的有机发光二极管的装置中，颜色随视角的变化的示意图。
图5至图12是在根据本发明的示例性实施方式的使用有机发光二极管的装置中，颜色随视角的变化的示意图。
图13是根据本发明的示例性实施方式的包括由多个层制成的发光层的有机发光二极管的横截面图。
图14是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的横截面图。
具体实施方式
下面将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施方式，其中示出了本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将了解的，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，所描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改。
在附图中，为了清楚起见，可以放大层、膜、板或区的厚度。在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。将理解，当比如层、膜、区或基底的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。
图1是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管的示意性横截面图。在图1中，在基板23上示出分别对应于红色像素、绿色像素和蓝色像素的有机发光二极管。
参考图1，根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管包括彼此交叠的第一电极120和第二电极190。发光层150包括红色发光层150R、绿色发光层150G和蓝色发光层150B，并且它们可以在平行于第一电极120的方向上水平设置。空穴传输层130通常可以设置在红色发光层150R和第一电极120之间，绿色发光层150G和第一电极120之间，以及蓝色发光层150B和第一电极120之间，并且空穴传输层130的厚度可以基本上相同(例如，可以是均匀的)。电子传输层170设置在发光层150和第二电极190之间。覆盖层200设置在第二电极190上。
在本发明的示例性实施方式中，第一电极120可以是反射电极，并且第二电极190可以是透反射电极。
在本发明的示例性实施方式中，反射电极可以是包括具有将从发光层150产生的光反射到第二电极190的特性的材料的电极。该反射特性可以使得入射光在反射电极上的反射率为约70％至约100％。例如，入射光在反射电极上的反射率可以为约80％至约100％。
第一电极120可以包括银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、金(Au)、钯(Pd)或其合金，其可以用作反射层，同时具有阳极功能。作为实例，第一电极120可以具有银(Ag)/氧化铟锡(ITO)/银(Ag)或者氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构。
在本发明的示例性实施方式中，透反射电极可以是包括这样的材料的电极：所述材料具有将部分入射到第二电极190的光透射并且将其余部分的光反射到第一电极120的透反射特性。该透反射特征可以使得入射光在透反射电极上的反射率为约0.1％至约70％。例如，入射光在透反射电极上的反射率可以为约30％至约50％。
在本发明的示例性实施方式中，第二电极190可以包括底部区190a和顶部区190b，并且底部区190a和顶部区190b中的每个可以包括银(Ag)和镁(Mg)的合金。
底部区190a可以包括MgAg合金，所述MgAg合金包括的Mg多于Ag，并且顶部区190b可以包括AgMg合金，所述AgMg合金包括的Ag多于Mg。
如果第二电极190具有包括MgAg合金(具有Mg多于Ag)的单层结构，与第二电极190具有包括AgMg合金(具有Ag多于Mg)的单层结构相比，元件的电阻效应可能有增加的趋势。如果共振效应增加，可能增加在基于第二电极190的上表面的垂直方向上出射的光量，使得元件的前发光效率增加。然而，可能减少在几个方向上出射的光量，使得颜色随视角的变化可能增加。如果第二电极190具有包括MgAg合金的单层结构，由于Mg的离子化倾向可能相对大，所以第二电极190可能相对容易氧化，使得第二电极190的可靠性可能降低。
在本发明的示例性实施方式中，第二电极190可以包括形成在底部区190a上的顶部区190b，所述顶部区190b包括AgMg合金，所述底部区190a包括MgAg合金，因此第二电极190的发光效率可以通过增加相对短波长光的透过率的Ag的特性来增加。如果顶部区190b的厚度改变，可能导致顶部区190b的反射率的相应变化。例如，与具有包括MgAg合金的单层结构的第二电极190相比，当顶部区190b的厚度减小时，可以降低反射率。当反射率降低时，通过弱化共振结构可以增加视角。当包括AgMg合金的顶部区190b形成在包括MgAg合金的底部区190a上时，可以形成这样的结构，在该结构中在顶部区190b中的Ag被设置在底部区190a中具有相对大的离子化倾向的Mg上。因此，可以降低或防止包括相对大量Mg的底部区190a中的Mg氧化成MgO。因此，可以增加第二电极190的可靠性。
在根据本发明的示例性实施方式的底部区190a中，Mg:Ag的体积比(体积％)可以为约10:2至约10:0.5。在顶部区190b中，Ag:Mg的体积比可以为约10:2至约10:0.5。作为实例，顶部区190b的厚度可以为约30埃至约70埃。
在底部区190a中，如果Ag含量在约10:2的Mg:Ag的体积比的基础上增加，与10:1的体积比相比，发光效率可能减少约10％或以上，并且如果Ag含量在约10:0.5的Mg:Ag的体积比的基础上减少，Ag的掺杂量可能相对小，使得电流注入可能减少。在顶部区190b中，如果Mg含量在约10:2的Ag:Mg的体积比的基础上增加，具有相对大离子化倾向的Mg的含量可能相对大，使得Mg可能被氧化。因此，第二电极190的寿命和可靠性可能降低。如果Mg含量在约10:0.5的Ag:Mg的体积比的基础上减少，Ag比率可能相对高，使得发光效率可能降低。
上述Ag含量与Mg含量之间的关系用体积比表示；然而，本发明的示例性实施方式不限于此。例如，体积比可以转换成重量比。
空穴传输层130可以在对应于设置在第一电极120和发光层150之间的空穴传输区的位置上。作为实例，空穴传输层130可以设置在红色发光层150R和第一电极120之间、绿色发光层150G和第一电极120之间以及蓝色发光层150B和第一电极120之间。空穴传输层130的厚度可以与红色发光层150R和第一电极120之间的空隙、绿色发光层150G和第一电极120之间的空隙以及蓝色发光层150B和第一电极120之间的空隙基本上相同。
空穴传输层130可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。空穴注入层可以有助于空穴从第一电极120注入。空穴传输层可以执行将从空穴注入层传送的空穴传输到发光层150的功能。空穴传输层130可以具有双层结构，在该双层结构中空穴传输层设置在空穴注入层上。可替换地，空穴传输层130可以具有单层结构，在该单层结构中包括在空穴注入层中的材料和包括在空穴传输层中的材料混合。
设置在空穴传输层130上的发光层150可以包括红色发光层150R、绿色发光层150G和蓝色发光层150B，其可以在平行于第一电极120的上表面的方向上水平布置。像素限定层25可以设置在红色发光层150R、绿色发光层150G和蓝色发光层150B中彼此相邻的发光层之间。
在本发明的示例性实施方式中，辅助层BIL可以设置在蓝色发光层150B的下面，这可以增加蓝色发光层150B的效率。辅助层BIL可以通过控制蓝色发光层150B的空穴电荷平衡来增加蓝色发光层150B的效率。辅助层BIL可以包括由化学式1表示的化合物。
化学式1
Figure BDA0001367920810000061
在化学式1中，A1、A2和A3可以各自为烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃(DBF)基或联苯基；并且a、b和c可以各自为0至4的正数。
作为由化学式1表示的化合物的实例，可以包括以下化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5和1-6。
化学式1-1
Figure BDA0001367920810000062
化学式1-2
Figure BDA0001367920810000071
化学式1-3
Figure BDA0001367920810000072
化学式1-4
Figure BDA0001367920810000073
化学式1-5
Figure BDA0001367920810000081
化学式1-6
Figure BDA0001367920810000082
在本发明的示例性实施方式中，辅助层BIL可以包括由化学式2表示的化合物。
化学式2
Figure BDA0001367920810000083
在化学式2中，a、b和c可以各自为0至3的整数；X可以选自O、N和S；并且每个X可以彼此相同或不同。
作为由化学式2表示的化合物的实例，可以包括化学式2-1、2-2、2-3、2-4和2-5。
化学式2-1
Figure BDA0001367920810000091
化学式2-2
Figure BDA0001367920810000092
化学式2-3
Figure BDA0001367920810000093
化学式2-4
Figure BDA0001367920810000101
化学式2-5
Figure BDA0001367920810000102
在本发明的示例性实施方式中，辅助层BIL可以包括由化学式3表示的化合物。
化学式3
Figure BDA0001367920810000103
在化学式3中，A1可以是烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基(DBF)；L1和L2可以是
Figure BDA0001367920810000104
(其中n是0至3)，并且连接到L1和L2的DBF可以替换为咔唑基或二苯并噻吩基。
在根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管中，红色共振辅助层150R'可以设置在红色发光层150R下面，并且绿色共振辅助层150G'可以设置在绿色发光层150G下面。红色共振辅助层150R'和绿色共振辅助层150G'可以控制每种颜色的共振距离。备选地，在蓝色发光层150B和辅助层BIL下面不需要形成设置在蓝色发光层150B和辅助层BIL之间的共振辅助层和空穴传输层130。
发光层150可以包括主体和掺杂剂。然而，发光层150不限于包括特定材料。
作为实例，红色发光层150R可以包括包含CBP(咔唑联苯基)或mCP(1,3-二(咔唑-9-基))的主体材料，并且可以包括包含以下中的至少一种的磷光材料：PIQIr(acac)(二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱)、PQIr(acac)(二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮合铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)合铱)或PtOEP(八乙基卟啉铂)，或者包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝的荧光材料。
作为实例，绿色发光层150G可以包括包含CBP或mCP的主体材料，并且可以包括包含掺杂剂材料的磷光材料，该掺杂剂材料包括Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)合铱)，或者包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料。
作为实例，蓝色发光层150B可以包括包含CBP或mCP的主体材料，并且可以包括包含掺杂剂的磷光材料，该掺杂剂包括(4,6-F2ppy)2Irpic。可替换地，蓝色发光层150B可以包括包含选自以下中的至少一种的荧光材料：螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、联苯乙烯(DSA)、PFO类聚合物和PPV类聚合物。
电子传输层170可以设置在发光层150上。电子传输层170可以增加来自第二电极190的电子注入。
电子传输层170可以包括有机材料或有机材料和包括金属的无机材料的络合物。例如，电子传输层170可以包括以下中的至少一种：Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD(2-[4-联苯基-5-[4-叔丁基苯基]]-1,3,4-噁二唑)、TAZ(1,2,4-三唑)、螺-PBD(螺-2-[4-联苯基-5-[4-叔丁基苯基]]-1,3,4-噁二唑)或BAlq(8-羟基喹啉铝盐；例如，8-羟基喹啉铝盐可以是双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-二苯基-4-羟基)-铝)，但其不限于此。
包括在无机材料中的金属可以是功函为约4.0eV或以下的金属，或者还可以包括选自以下中的至少一个：Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、La、Nd、Tb、Lu、Yb和Mg。包括金属的无机材料可以是偶极材料，比如LiF、RbI、RbCl和CsI。
电子传输层170可以在对应于设置在第二电极190和发光层150之间的电子传输区的位置上。
电子传输层170可以包括电子注入层和电子传输层中的至少一个。电子注入层可以促进第二电极190中的电子注入。电子传输层可以将从电子注入层传送的电子传输到发光层150。电子传输层170可以具有双层结构或者可以具有单层结构，在该双层结构中电子注入层设置在电子传输层上，在该单层结构中在电子传输层中包括的材料和在电子注入层中包括的材料混合。
在本发明的示例性实施方式中，电子传输层170的上表面可以与第二电极190的底部区190a直接接触。电子传输层170可以包括有机材料或有机材料和无机材料的络合物。由于根据本发明的示例性实施方式的第二电极190的底部区190a可以包括MgAg合金(包括的Mg多于Ag)，所以可以省略电子传输层170和第二电极190之间的阻挡层。如果第二电极190的底部区190a包括AgMg合金(包括的Ag多于Mg)，或者第二电极190具有包括AgMg合金的单层结构，则可以在电子传输层170和第二电极190之间形成包括比如Yb的金属的阻挡层，以防止Ag团聚的现象。
根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管可以具有在第一电极120和第二电极190之间的共振结构，因此可以增加发光效率。
根据本发明的示例性实施方式，设置在第二电极190上的覆盖层200可以连同第二电极190一起引导共振强度和共振相位的变化。覆盖层200可以包括折射率为约1.80至约1.90的无机材料或有机材料。覆盖层200可以包括Alq3。
图2是根据本发明的示例性实施方式的透过率随电极厚度变化的示意图。
下面更详细描述的参考例1是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约10埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的参考例2是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约110埃厚度的AgMg合金)的情况。
下面更详细描述的对比例1是其中第二电极190具有包括约90埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。下面更详细描述的对比例2是其中第二电极190具有包括约100埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。下面更详细描述的对比例3是其中第二电极190具有包括约110埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。下面更详细描述的对比例4是其中第二电极190具有包括约120埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。下面更详细描述的对比例5是其中第二电极190具有包括约130埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。下面更详细描述的对比例6是其中第二电极190具有包括约140埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。下面更详细描述的对比例7是其中第二电极190具有包括约150埃厚度的MgAg合金的单层结构的情况。
下面更详细描述的示例性实施方式1是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约30埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式2是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约40埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式3是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约50埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式4是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约60埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式5是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约70埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式6是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约80埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式7是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约90埃厚度的AgMg合金)的情况。下面更详细描述的示例性实施方式8是其中第二电极190包括底部区190a(其包括具有约50埃厚度的MgAg合金)和顶部区190b(其包括具有约100埃厚度的AgMg合金)的情况。
参考图2，在具有包括MgAg合金的单层结构的第二电极190中，随着包括MgAg合金的层的厚度增加，第二电极190的透过率可减小。在具有包括MgAg合金的底部区和包括AgMg合金的顶部区的第二电极190中，随着包括AgMg合金的顶部区的厚度增加，第二电极190的透过率可减小。
参考图2，在大部分可见射线波段中，示例性实施方式1、示例性实施方式2、示例性实施方式3和示例性实施方式4可以比对比例1、对比例2、对比例3、对比例4、对比例5、对比例6和对比例7具有更高的透过率。在大部分蓝色波段中示例性实施方式5可以比对比例1、对比例2、对比例3、对比例4、对比例5、对比例6和对比例7具有更高的透过率。在大部分蓝色波段中，示例性实施方式6、示例性实施方式7和示例性实施方式8可以比对比例2、对比例3、对比例4、对比例5、对比例6和对比例7具有更高的透过率。
在示例性实施方式1、示例性实施方式2、示例性实施方式3、示例性实施方式4、示例性实施方式5、示例性实施方式6、示例性实施方式7和示例性实施方式8中，当包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度具有约30埃至约100埃的范围时，与包括MgAg合金的单层结构相比，第二电极190的至少一部分可以具有增加的透过率，使得第二电极190的发光效率可以增加。作为实例，在示例性实施方式1、示例性实施方式2、示例性实施方式3、示例性实施方式4和示例性实施方式5中，包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度在约30埃至约70埃的范围内可以增加透过率。
参考表1，与对比例5相比，在示例性实施方式1、示例性实施方式2、示例性实施方式3、示例性实施方式4、示例性实施方式5、示例性实施方式6、示例性实施方式7和示例性实施方式8中，发光效率可以增加。
(表1)
Figure BDA0001367920810000141
图3是根据本发明的示例性实施方式的反射率随电极厚度变化的示意图。
参考图3，在包括MgAg合金的单层结构中，随着包括MgAg合金的层的厚度增加，第二电极190的反射率可以增加。在具有包括MgAg合金的底部区和包括AgMg合金的顶部区的第二电极190中，随着包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度增加，反射率增加。
在大部分可见射线波段中，参考例1、示例性实施方式1和示例性实施方式3可以比对比例5、对比例6和对比例7具有更小的反射率。在大部分蓝色波段中示例性实施方式4和示例性实施方式5可以比对比例5、对比例6和对比例7具有更小的反射率。在大部分可见射线波段中，参考例2可以比对比例5、对比例6和对比例7具有更高的反射率。
在示例性实施方式1、示例性实施方式3、示例性实施方式4、示例性实施方式5和示例性实施方式7中，当包括AgMg合金的顶部区的厚度在约30埃至约90埃的范围内时，与包括MgAg合金的单层结构相比，由于第二电极190的至少一部分具有减小的反射率，所以共振结构可以相对弱，使得视角可以增加。作为实例，在示例性实施方式1、示例性实施方式3、示例性实施方式4和示例性实施方式5中，当包括AgMg合金的顶部区的厚度在约30埃至约70埃的范围内时，视角可以增加。
图4是在使用包括具有单层结构的电极的有机发光二极管的装置中，颜色随视角的变化的示意图。
参考图4，在X轴上表示视角，并且在Y轴上表示颜色变化。参照图4至图11描述的视角表示在平行于观察屏幕前方的观察方向的线与用户的实际视角之间的角度。例如，从观察屏幕的中心的左侧或右侧来观察观察屏幕前方的用户将具有不为0的视角。颜色变化是表示基于表示肤色的颜色坐标的颜色坐标的移动程度的值。显示装置可以根据所呈现的屏幕的位置被划分为上部区域、中部区域和下部区域，并且将根据每个位置产生色散的程度表示为色坐标的移动程度。在Y轴上表示的颜色变化值是将颜色坐标值乘以10,000倍而得到的值。
在图4至图11中，在上部区域、中部区域和下部区域中的每个中可能出现彼此不同的均匀度。上部区域和中部区域之间的均匀度的相对小的差异可以表明基本上均匀的显示。
参考图4，在对比例5中，中部区域的色坐标转换值的最大值为357，上部区域的色坐标转换值的最大值为-286，其差为643。
图5至图12是在使用根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管的装置中颜色随视角变化的示意图。
参考图5至图12，根据上部区域、中部区域和下部区域的各颜色坐标转换值的最大值，随着包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度增加，中部区域的颜色坐标转换值的最大值与上部区域的颜色坐标转换值的最大值之间的差(例如，第一范围)逐渐增加。
在图4至图12中表示的值总结在下表2中。
(表2)
Figure BDA0001367920810000151
Figure BDA0001367920810000161
参考图4至图12和表2，在示例性实施方式1、示例性实施方式2、示例性实施方式3、示例性实施方式4和示例性实施方式5中，当包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度在约30埃至约70埃的范围内时，与对比例5相比，可以提高视角特性(例如，图像均匀性)。
作为实例，当包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度在约30埃至约70埃的范围内时，并且包括MgAg合金的底部区190a的厚度为约50埃时，可以提高视角特性(例如，在增加的视角下的图像均匀性)，并且可以增加透光率。然而，本发明的示例性实施方式不限于此。例如，包括MgAg合金的底部区190a的厚度可以在约10埃至约50埃的范围内，并且在这种情况下，包括AgMg合金的顶部区(例如，顶部区190b)的厚度可以在约20埃至约100埃的范围内获得上述视角特性和透光率。
图13是根据本发明的示例性实施方式的包括由多个层制成的发光层的有机发光二极管的截面图。
参照图13描述的有机发光二极管与参照图1描述的有机发光二极管基本上相同，因此可以省略重复的描述。因此，下面将参照图13更详细地描述与参照图1描述的有机发光二极管的不同之处。
参考图13，根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管可以包括通过组合多个层150a、150b和150c而发射白光的发光层150。多个层150a、150b和150c中的每个可以是发射特定颜色光(例如，红色光、绿色光和蓝色光)的发光层。多个层可以具有例如其中形成两个层或三个层的结构；然而，本发明的示例性实施方式不限于此。例如，发光层150可以包括三个层。
作为实例，发光层150的三个层可以分别表示蓝色、黄色和蓝色。可替换地，发光层的两个层可以分别表示蓝色和黄色。至少一个电荷产生层可以设置在多个层150a、150b和150c中的相邻层之间。
关于参照图1描述的第二电极190的描述可以应用于参照图13描述的有机发光二极管。
图14是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的截面图。
参考图14，根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器可以包括基板23、驱动薄膜晶体管30、第一电极120、发光元件层100和第二电极190。第一电极120可以是阳极，第二电极190可以是阴极，然而，第一电极120可以是阴极，第二电极190可以是阳极。
基板缓冲层26可以设置在基板23上。基板缓冲层26可以降低或防止杂质元素的渗透，并且可以使基板的上表面平坦化。然而，可以省略基板缓冲层26。例如，可以根据基板23的类型和工艺条件省略基板缓冲层26。
驱动半导体层37可以设置在基板缓冲层26上。驱动半导体层37可以包括包含多晶硅的材料。驱动半导体层37可以包括未掺杂杂质的沟道区35以及在沟道区35的各侧的掺杂有杂质的源区34和漏区36。掺杂的离子材料可以是P型杂质，如例如硼(B)或乙硼烷(B2H6)。可以基于薄膜晶体管的类型来选择杂质。
栅绝缘层27可以设置在驱动半导体层37上。包括驱动栅极33的栅线可以设置在栅绝缘层27上。驱动栅极33可以交叠于驱动半导体层37的至少一部分。例如，驱动栅极33可以交叠于沟道区35。
覆盖驱动栅极33的层间绝缘层28可以设置在栅绝缘层27上。在栅绝缘层27和层间绝缘层28中可以形成暴露驱动半导体层37的源区34和漏区36的第一接触孔22a和第二接触孔22b。包括驱动源极73和驱动漏极75的数据线可以设置在层间绝缘层28上。驱动源极73和驱动漏极75可以分别通过形成在层间绝缘层28和栅绝缘层27中的第一接触孔22a和第二接触孔22b连接到驱动半导体层37的源区34和漏区36。
驱动薄膜晶体管30可以包括驱动半导体层37、驱动栅极33、驱动源极73和驱动漏极75。驱动薄膜晶体管30的配置不限于上述实例，且本领域技术人员可以进行已知的各种修改。
基本上覆盖数据线的平坦化层24可以设置在层间绝缘层28上。平坦化层24可以去除步骤并平坦化层，这可以增加设置在其上的有机发光二极管的发光效率。平坦化层24可以包括可以电连接驱动漏极75和第一电极120的第三接触孔22c。
本发明的示例性实施方式不限于特定配置。例如，可以省略平坦化层24和/或层间绝缘层28。
有机发光二极管LD的第一电极120可以设置在平坦化层24上。像素限定层25可以设置在平坦化层24和第一电极120上。像素限定层25可以包括交叠于第一电极120的一部分的开口。发光元件层100可以设置在形成在像素限定层25中的每个开口上和/或每个开口中。
根据本发明的示例性实施方式，发光元件层100可以设置在第一电极120上。在有机发光二极管(例如，参照图1描述的有机发光二极管)中，发光元件层100可以在相应于第一电极120和第二电极190之间的形成共振结构的层的位置上。参照图14描述的发光元件层100可以设置在相邻的像素限定层25之间；然而，包括在发光元件层100中的空穴传输层和电子传输层可以分别连接到相邻的子像素以交叠于像素限定层25。
包括底部区190a和顶部区190b的第二电极190以及覆盖层200可以设置在发光元件层100上。
参照图1描述的有机发光二极管的描述可以应用于参照图14描述的第二电极190的底部区190a和顶部区190b。
薄膜封装层300可以设置在覆盖层200上。薄膜封装层300可以设置在有机发光二极管LD和设置在基板23上的驱动电路单元上且可以围绕它们，这可以保护发有机发光二极管LD和驱动电路单元免受外界侵害。
薄膜封装层300可以包括交替重复形成的有机封装层300a和300c以及无机封装层300b和300d。参考图14，薄膜封装层300可以包括交替重复形成的两个有机封装层300a和300c以及两个无机封装层300b和300d；然而，本发明的示例性实施方式不限于特定数量的层。
虽然已经参照本发明的示例性实施方式示出和描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员来说明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其形式和细节做出各种改变。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
交叠于所述第一电极的第二电极；以及
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，
其中所述第二电极包括底部区和顶部区，其中所述底部区包括MgAg合金，所述MgAg合金包括的Mg多于Ag，其中所述顶部区包括AgMg合金，所述AgMg合金包括的Ag多于Mg，并且在所述底部区中Mg:Ag的体积比在10:2至10:0.5的范围内。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，进一步包括：
设置在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层，
其中所述电子传输层包括有机材料和所述有机材料与无机材料的络合物。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中：
所述电子传输层与所述底部区直接接触。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述顶部区的厚度为30埃至70埃。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述第一电极包括反射电极。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述发光层包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且
所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层在平行于所述第一电极的顶表面的方向上水平设置。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管，进一步包括：
设置在所述蓝色发光层下面的辅助层。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管，进一步包括：
设置在所述红色发光层下面的红色共振辅助层和设置在所述绿色发光层下面的绿色共振辅助层。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述发光层通过组合呈现不同颜色的多个层来发射白光。
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