KR102036635B1 - 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102036635B1 KR102036635B1 KR1020110027703A KR20110027703A KR102036635B1 KR 102036635 B1 KR102036635 B1 KR 102036635B1 KR 1020110027703 A KR1020110027703 A KR 1020110027703A KR 20110027703 A KR20110027703 A KR 20110027703A KR 102036635 B1 KR102036635 B1 KR 102036635B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- organic
- forming
- capping
- cathode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 189
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 32
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 46
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000245032 Trillium Species 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WECOUKMONWFOGF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[3,5-bis[2-(9h-carbazol-1-yl)-5-methoxyphenyl]phenyl]-4-methoxyphenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC=C(OC)C=C1C1=CC(C=2C(=CC=C(OC)C=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C=2C(=CC=C(OC)C=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=C1 WECOUKMONWFOGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRUCJKSKYARXJB-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[3,5-bis[2-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]phenyl]phenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C(=CC=CC=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C=2C(=CC=CC=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=C1 PRUCJKSKYARXJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHBDIQVWSLNELJ-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-bis(9h-carbazol-1-yl)phenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C2=C3NC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=C1 AHBDIQVWSLNELJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBDOZRBRAYSLFX-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[4-(9h-carbazol-1-yl)-2-methylphenyl]-3-methylphenyl]-9h-carbazole Chemical group N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C=1C=C(C(=CC=1)C=1C(=CC(=CC=1)C=1C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C=CC=1)C)C)=CC=C2 DBDOZRBRAYSLFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[4-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]phenyl]-9h-carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C1=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC=C1 IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMRHXVOHLPIMNN-UHFFFAOYSA-N 1-n-(3-methylphenyl)-2-n,2-n-diphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 YMRHXVOHLPIMNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N Cs2O Inorganic materials [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013178 LiBO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YAPIJPOCONTNDY-UHFFFAOYSA-N N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C1=CC=C(C=C1)[SiH2]C=1C=CC(=CC=1)C=1C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C=CC=1)=CC=C2 Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C1=CC=C(C=C1)[SiH2]C=1C=CC(=CC=1)C=1C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C=CC=1)=CC=C2 YAPIJPOCONTNDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QRRWWGNBSQSBAM-UHFFFAOYSA-N alumane;chromium Chemical compound [AlH3].[Cr] QRRWWGNBSQSBAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNAUJKZXPLKYLD-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo].[Mo] DNAUJKZXPLKYLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- AKUNKIJLSDQFLS-UHFFFAOYSA-M dicesium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+].[Cs+] AKUNKIJLSDQFLS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IIDFEIDMIKSJSV-UHFFFAOYSA-N dipropoxyphosphinothioyloxy-dipropoxy-sulfanylidene-$l^{5}-phosphane Chemical class CCCOP(=S)(OCCC)OP(=S)(OCCC)OCCC IIDFEIDMIKSJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNDQILQPPKQROV-UHFFFAOYSA-N dizinc Chemical compound [Zn]=[Zn] QNDQILQPPKQROV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K iron(iii) fluoride Chemical compound F[Fe](F)F SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N p-aminodiphenylamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002382 photo conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N potassium monoxide Inorganic materials [K]O[K] NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 유기발광표시장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극 상에 형성된 유기층과, 상기 유기층 상에 형성된 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극 상에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극 보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 포함한다.
Description
본 발명은 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속전극의 산화를 방지하는 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
정보통신 산업이 급격히 발달됨에 따라 표시 장치의 사용이 급증하고 있으며, 최근들어 저전력, 경량, 박형, 고해상도의 조건을 만족할 수 있는 표시 장치가 요구되고 있다. 이러한 요구에 발맞추어 다수의 금속배선과 발광 소자를 갖춘 액정표시장치(Liquid Crystal Display)나 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display)들이 개발되고 있다.
금속배선을 포함하는 다양한 디바이스, 예를 들어 반도체 장치, 디스플레이 장치 및 각종 휴대형 디바이스에서, 금속배선이 산화 및 부식에 의해 손상될 경우 장치의 성능이 저하되는 원인이 될 수 있다.
일예로, 유기발광표시장치는 금속 배선으로 캐소드 전극을 구비한다. 그런데, 광투과율을 향상시키기 위해 캐소드 전극의 두께를 얇게 형성할 필요가 있다. 그러나, 캐소드 전극의 두께를 얇게 형성할 경우 그에 따른 저항값이 증가하게 되어 휘도가 저하되거나 불균일해질 수 있다.
휘도 개선을 위해 저흡수 고반사율의 금속 예를 들어 은(Ag)과 같은 금속을 캐소드 전극에 채용하는 것이 고려될 수 있지만, 반응성이 높은 산소 또는 수증기 등에 의해 쉽게 산화되어 불량화소를 발생시킬 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 금속배선의 산화를 방지하는 구성을 가지는 금속배선 구조체를 제공하고자 하는 것이다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 캐소드 전극의 높은 광투과율 및 낮은 저항값을 동시에 달성할 수 있는 유기발광표시장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 캐소드 전극의 산화를 방지하여 불량화소 발생을 억제하는 유기발광표시장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 금속배선 구조체는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 금속배선과, 상기 금속배선 상에 형성되되, 상기 금속배선 보다 산화력이 큰 물질이 첨가된 캡핑층을 포함하며, 상기 금속배선은 은을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극 상에 형성된 유기층과, 상기 유기층 상에 형성된 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극 상에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극 보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은, 하부 기판을 제공하는 단계와, 상기 하부 기판에 애노드 전극을 형성하는 단계와, 상기 애노드 전극 상에 유기층을 형성하는 단계와, 상기 유기층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계와, 상기 캐소드 전극 상에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극 보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 형성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 투과력 및 전도도가 높으나 외기에 의해 쉽게 산화되는 금속배선의 산화를 방지할 수 있는 금속배선 구조체를 제공할 수 있다.
또한, 캐소드 전극의 산화를 방지할 수 있도록 산화력이 큰 물질을 캐소드 전극에 첨가하거나 캐소드 전극 상부의 캡핑층에 추가함으로써, 캐소드 전극의 산화를 방지할 수 있으며, 캐소드 전극의 높은 광투과율 및 낮은 저항값을 동시에 달성할 수 있다.
또한, 캐소드 전극의 산화를 방지하여 불량화소 발생을 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속배선 구조체의 단면도이다.
도 2는 도 1의 금속배선 구조체의 캡핑층에 희토류 물질을 추가한 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도로서, 도 3b는 도 3a의 A 영역을 부분 확대한 단면도이다.
도 4는 도 3b의 캐소드 전극에 희토류 물질을 추가한 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 6a 내지 도 6f는 도 5의 유기발광표시장치의 제조방법 중 유기층의 제조과정을 순차적으로 나타내는 공정 단면도이다.
도 7은 도 5의 유기발광표시장치의 제조방법 중 유기캡핑층을 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 금속배선 구조체의 캡핑층에 희토류 물질을 추가한 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도로서, 도 3b는 도 3a의 A 영역을 부분 확대한 단면도이다.
도 4는 도 3b의 캐소드 전극에 희토류 물질을 추가한 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 6a 내지 도 6f는 도 5의 유기발광표시장치의 제조방법 중 유기층의 제조과정을 순차적으로 나타내는 공정 단면도이다.
도 7은 도 5의 유기발광표시장치의 제조방법 중 유기캡핑층을 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 금속배선 구조체에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속배선 구조체의 단면도이고, 도 2는 도 1의 금속배선 구조체의 캡핑층에 희토류 물질을 추가한 구성을 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속배선 구조체는 금속배선(22), 및 금속배선(22) 상에 형성되되, 상기 금속배선(22) 보다 산화력이 큰 물질로 구성된 캡핑층(23)을 포함한다.
금속배선(22)은 기판(21) 상에 형성될 수 있다. 기판(21)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있으며, 그 외에도 투명한 플라스틱 재질 예를 들어, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
금속배선(22)은 기판(21)의 일면 또는 양면에 형성될 수 있다. 금속배선(22)이 반드시 기판(21) 상에 직접 형성되어야 하는 것은 아니며, 기판(21)과 금속배선(22) 사이에 다른 층이 개재되거나, 기판(21) 자체가 생략될 수도 있다.
금속배선 구조체는 적용되는 장치에 따라 다양한 형태의 기능을 수행하는 회로를 형성할 수 있다. 예를 들어, 금속배선(22)이 액정표시장치(LCD)에 사용될 경우, 구동전압 및/또는 공통전압이 인가되어 액정의 구동방향을 결정할 수 있으며, 유기발광표시장치(OLED)의 경우 금속배선(22)에 의해 유기층에 전계를 형성함으로써 유기층이 발광하도록 할 수 있다. 금속배선(22)의 기능은 이에 한정되는 것이 아니며, 본 실시예에 따른 금속배선 구조체가 적용되는 장치에 따라 다를 수 있다.
금속배선(22)은 전도성이 높은 금속 및/또는 광투과도가 높은 금속으로 구성될 수 있다. 구체적인 예로서, 금속배선(22)은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
금속배선(22) 상에는 캡핑층(23)이 형성된다. 캡핑층(23)은 금속배선(22)에 비해 산화력이 높은 물질을 포함할 수 있다. 특히, 금속배선(22)이 은(Ag)을 포함할 경우, 외기의 산소 또는 수분과 반응하여 산화될 수 있으며, 산화된 은으로 인해 광투과도가 저하될 우려가 있는데, 이러한 금속배선(22) 상에 캡핑층(23)이 형성됨으로써 하부의 금속배선(22)이 산화되지 않도록 보호할 수 있다. 보다 완전한 금속배선(22)의 보호를 위하여 캡핑층(23)은 금속배선(22)의 상면뿐만 아니라, 노출되는 측면까지 덮도록 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 캡핑층(23)은 빛을 투과시키는 투명 물질을 포함하여 구성될 수 있다.
도 2는 캡핑층의 산화방지기능을 보강하기 위해 캡핑층의 2 이상의 물질로 이루어진 경우를 예시한다. 도 2를 참조하면, 캡핑층(23)은 투명한 유기물 및 그에 결합하거나 분산 배치된 희토류 물질(24)을 포함할 수 있다. 이중 적어도 희토류 물질(24)은 금속배선(22)을 구성하는 물질보다 산화력이 클 수 있다.
적용가능한 희토류 물질(24)의 예로는 스캔듐(Se), 이리듐(Y), 란타늄(La), 세륨(Ce), 플라세오듐(Pr), 네오슘(Nd), 프로메듐(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(En), 가돌리늄(Gd), 텔븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에븀(Er), 트릴륨(Tm), 이테르븀(Yb) 및 루테튬(Lu) 등을 들 수 있다. 몇몇 실시예에서, 금속배선(22)으로 은(Ag)을 적용한 경우, 캡핑층(23)은 이테르븀(Yb)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 캡핑층(23)의 상면은 외부에 노출될 수 있다. 즉, 캡핑층(23)의 상에는 다른 층이 적층되지 않아, 캡핑층(23)의 상면은 공기나 기타 기체 또는 진공 상태에 직접 노출될 수 있다.
이처럼 캡핑층(23)의 상면이 외부에 노출될 경우 캡핑층의 상면은 외기의 산소 또는 수분 등에 노출될 수 있다. 다만, 이러한 산소 또는 수분은 캡핑층(23)을 침투하면서 캡핑층(23)을 구성하는 산화력이 큰 물질, 예컨대 희토류 물질과 반응하기 때문에, 하부에 위치하는 금속배선(22), 예컨대 은(Ag)과의 반응이 억제된다. 따라서, 금속배선(22)의 산화가 방지될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 금속배선 구조체는 반도체 장치, 디스플레이 장치 등 다양한 장치에 적용될 수 있다. 이하에서는 본 실시예에 따른 금속배선 구조체가 적용된 유기발광표시장치에 대해 설명하되, 금속배선 구조체의 용도를 한정하는 것은 아니다.
이하, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치에 대해 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도로서, 도 3b는 도 3a의 A 영역을 부분 확대한 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 기판(11), 기판(11) 상에 형성된 애노드 전극(13), 애노드 전극(13) 상에 형성된 유기층(14), 유기층(14) 상에 형성된 캐소드 전극(15), 및 캐소드 전극(15) 상의 유기캡핑층(18)을 포함한다.
기판(11)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(11)은 투명한 플라스틱으로 형성될 수 있다. 기판(11)을 형성하는 플라스틱은 절연성 유기물을 포함할 수 있다. 상기 절연성 유기물의 예로는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 수 있다.
화상이 기판(11) 방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(11)은 투명한 재질로 형성해야 하나, 화상이 기판(11)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(11)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 예를 들어, 전면 발광형의 경우 기판(11)은 불투명한 금속으로 형성될 수 있다. 금속으로 기판(11)을 형성할 경우 기판(11)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴 및 스테인레스 스틸(SUS)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(11)은 금속 포일로 형성할 수 있다.
기판(11) 상에는 도 3a에 도시된 바와 같이, 버퍼층(102), 액티브층(104), 게이트 절연막(106), 게이트 전극(108), 층간절연막(110), 소스/드레인 전극(112), 화소정의막(114)이 형성될 수 있다. 상기 구성요소들은 기판(11)의 전면(whole surface) 또는 일부에만 형성되어 박막 트랜지스터나 캐패시터를 형성할 수 있다.
버퍼층(102)은 기판(11)의 평활성과 불순물의 침투를 차단하기 위해 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산질화막(SiO2Nx)의 단일층 또는 이들의 복층일 수 있다.
버퍼층(102) 상에는 액티브층(104)이 형성될 수 있다. 액티브층(104)은 반도체로 이루어진 층일 수 있다. 예를 들어, 액티브층(104)은 실리콘(Si)을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적으로, 액티브층(104)은 비정질 실리콘(a-Si)층 또는 폴리 실리콘(p-Si)층으로 이루어질 수 있다. 그 외에도 액티브층(104)은 게르마늄(Ge), 갈륨인(GaP), 갈륨비소(GaAs), 알루미늄비소(AlAs) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 액티브층(104)은 반도체층의 일부를 P형 또는 N형 불순물로 도핑한 형태일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 박막 트랜지스터를 구성하는 액티브층(104)은 반도체 특성을 나타낼 수 있도록 불순물이 부분적으로 도핑되고, 캐패시터를 구성하는 액티브층(104)은 전극을 구성하도록 전체가 도핑될 수 있다.
게이트 절연막(106)은 액티브층(104) 상에 형성되어 액티브층(104)을 커버하며, 액티브층(104)과 게이트 전극(108)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(106)은 버퍼층(102)과 마찬가지로 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 게이트 절연막(106)은 버퍼층(102)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 다른 재질로 형성될 수도 있다.
게이트 전극(108)은 게이트 절연막(106) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(108)은 게이트 신호를 인가하여 각 화소 별로 발광을 제어할 수 있다. 게이트 전극(108)은 알루미늄(Al), 크롬-알루미늄(Cr-Al), 몰리브덴-알루미늄(Mo-Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층일 수 있으며, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층일 수도 있다. 또한, 게이트 전극(108)은 ITO, 몰리브덴 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하여 형성될수 있다.
게이트 전극(108) 상에는 층간절연막(110)이 형성될 수 있다. 층간절연막(110)은 게이트 전극(108)과 소스/드레인 전극(112)을 전기적으로 절연시키는 역할을 수행한다. 층간절연막(110)은 버퍼층(102)과 마찬가지로 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다. 층간절연막(110)에는 소스/드레인 전극(112)을 형성하기 위한 콘택홀이 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(112)은 층간절연막(110) 상에 형성되며, 액티브층(104)과 콘택홀에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 소스/드레인 전극(112)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴텅스텐(MoW), 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 구리(Cu), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 알루미늄 합금(Al alloy), 및 구리 합금(Cu alloy) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴(Mo-Al-Mo)의 3중층으로 형성될 수도 있다.
화소정의막(114)은 소스/드레인 전극(112) 상에 형성될 수 있다. 화소정의막(114)은 기판(10) 전체에 형성되어 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 커버한다. 화소정의막(114)은 애노드 전극(13)의 일부 또는 전체를 외부로 노출시켜 화소부를 정의할 수 있다. 화소정의막(114)은 무기 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 유기층(14)이 유기캡핑층(18)을 통해 전면으로 발광하는 전면발광 형태일 경우, 기판(11)과 애노드 전극(13)의 사이에는 반사막(12)이 더 형성될 수 있다.
반사막(12)은 발광층(14c)에서 배면으로 조사되는 광을 반사시켜 이를 전면으로 향하게 하여 광효율을 높일 수 있다.
또한 반사막(12)은 캐소드 전극(15)과의 사이에서 광학적 공진 효과를 발생시켜, 보다 많은 빛이 캐소드 전극(15) 방향으로 출사될 수 있도록 할 수 있다.
반사막(12)의 재질에는 제한이 없으며, 금속과 같이 광반사율이 높은 물질로 형성하는 것이 바람직하며, 그 두께도 광반사가 충분히 이뤄질 수 있도록 적절히 조절될 수 있다. 이러한 반사막(12)은 Al, Ag, Cr 또는 Mo 등으로 형성할 수 있으며, 대략 1,000Å의 두께로 형성될 수 있다.
반사막(12) 상에는 애노드 전극(13)이 형성될 수 있다. 배면발광 방식의 유기발광표시장치의 경우, 애노드 전극(13)은 ITO (Indium Tin Oxide) 또는 IZO (Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 물질일 수 있으나, 전면발광형 유기발광표시장치의 경우에는 이와 같은 투명 도전성 물질일 필요는 없다.
본 실시예에 따른 유기발광표시장치의 경우, 애노드 전극(13)은, 반사막(12) 상에 일함수가 높은 금속산화물 예를 들어 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 아연 산화물(ZnO) 등과 같은 금속산화물로 형성될 수 있다.
애노드 전극(13) 상에는 유기층(14)이 형성된다. 본 실시예에 따른 유기층(14)은 정공주입층(14a)(HIL; Hole Injecting Layer), 정공수송층(14b)(HTL; Hole Transporting Layer), 발광층(14c)(EML; Emitting Layer), 전자수송층(14d)(ETL; Electron Transporting Layer) 및 전자주입층(14e)(EIL; Electron Injecting Layer)이 순서대로 적층되어 형성될 수 있다.
정공주입층(14a)에서 주입된 정공(hole)과 전자주입층(14e)에서 주입된 전자(electron)가 발광층(14c)에서 결합하여 빛을 발생시키며, 전면발광형 유기발광표시장치의 경우, 발생된 빛은 도 3b의 상향으로 발광되며, 상부의 캐소드 전극(15) 및 유기캡핑층(18)을 통과하여 외부로 향할 수 있다.
유기층(14)은 정공이 발광층(14c)에 용이하게 도달할 수 있도록 보조 정공수송층을 더 포함할 수 있다.
정공주입층(14a)은 정공수송층(14b)과 동일한 물질로 구성될 수 있으며, 정공주입층(14a)의 효율성을 높이기 위해, 정공주입층(14a)에 제한적으로 p형 불순물을 도핑할 수 있다.
캐소드 전극(15)은 하부의 애노드 전극(13)과 함께 전계를 형성하여 발광층(14c)에서 광이 출사되도록 한다. 본 실시예에 따른 유기발광표시장치를 구성하는 캐소드 전극(15)은 광을 투과시키는 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로 일함수가 낮은 금속으로 형성되되, 두께를 얇게 형성함으로써 반투과 반사가 가능하도록 형성할 수 있다. 예를 들면, Mg, Ag, Al, Au 또는 Cr 등 일함수가 낮은 금속 등이 적용될 수 있다.
특히, 은(Ag)의 경우, 광투과율이 높고 고반사율의 특성을 가지기 때문에, 캐소드 전극(15)으로 사용될 경우 광효율이 높다. 다만, 은(Ag)과 같은 금속은 반응성이 높기 때문에, 외기의 산소 또는 수분 입자에 의해 산화되기 쉽다.
따라서, 유기캡핑층(18)에는 캐소드 전극(15) 상에 캡핑용 유기물(16) 및 캐소드 전극(15) 보다 산화력이 큰 희토류 물질(17)이 포함될 수 있다.
상기 희토류 물질에는 스캔듐(Se), 이리듐(Y), 란타늄(La), 세륨(Ce), 플라세오듐(Pr), 네오슘(Nd), 프로메듐(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(En), 가돌리늄(Gd), 텔븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에븀(Er), 트릴륨(Tm), 이테르븀(Yb) 및 루테튬(Lu)이 포함될 수 있다. 유기캡핑층(18)에는 이테르븀(Yb)이 포함될 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 유기캡핑층(18)은 광을 투과시키는 특성을 가질 수 있다. 캡핑용 유기물(16)에는 제한이 없으며, 광을 투과시킬 수 있는 재질이면 제한없이 사용될 수 있다.
다만, 희토류 물질(17)은 유기캡핑층(18)에 과량 증착되면, 광을 흡수하여 전체 휘도 감소에 따른 광특성 저하가 발생할 수 있다. 충분한 휘도 확보를 위해 희토류 물질(17)의 함량은 전체 유기캡핑층(18)의 15 wt% 이하일 수 있다.
또한, 캡핑용 유기물(16)과 희토류 물질(17)이 혼합되어 형성된 유기캡핑층(18) 전체의 굴절율은 소정의 광특성을 나타낼 수 있도록 1.5 이상으로 유지될 수 있다.
상술한 것럼 유기캡핑층(18)은 산화력이 큰 희토류 물질(17)을 포함하므로, 유기캡핑층(18)의 상면이 외기의 산소 또는 수분 등에 노출되더라도, 이러한 산소 또는 수분이 유기캡핑층(18)을 침투하면서 희토류 물질과 반응하기 때문에, 하부에 위치하는 하부의 캐소드 전극(15)과의 반응이 억제된다. 따라서, 캐소드 전극(15)의 산화가 방지되므로, 전극 산화에 따른 불량화소의 발생이 방지될 수 있다.
나아가, 본 발명의 몇몇 다른 실시예에서는 도 4에 도시된 바와 같이 유기캡핑층(18) 뿐만 아니라 캐소드 전극(15) 내에도 희토류 물질(17)이 더 포함될 수 있다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 캐소드 전극(15)은 은(Ag)과 같은 도전성 물질 외에 희토류 물질(17)을 포함할 수 있다. 적용 가능한 희토류 물질에는 스캔듐(Se), 이리듐(Y), 란타늄(La), 세륨(Ce), 플라세오듐(Pr), 네오슘(Nd), 프로메듐(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(En), 가돌리늄(Gd), 텔븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에븀(Er), 트릴륨(Tm), 이테르븀(Yb) 및 루테튬(Lu) 등이 포함될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 캐소드 전극(15)은 은(Ag) 및 희토류 물질로서 이테르븀(Yb)을 포함할 수 있다.
캐노드 전극(15) 내에 포함된 희토류 물질(17)은 유기캡핑층(18)의 제조과정에서 캐소드 전극(15)으로 도핑되거나, 확산된 것일 수 있다. 캐소드 전극(15) 내에 포함된 희토류 물질(17)은 외기의 수분이나 산소가 부분적으로 유기캡핑층(18)을 통과하여 캐소드 전극(15) 내에 도달하더라도, 은(Ag)보다 이들과 우선적으로 반응함으로써, 은(Ag)의 산화를 더욱 방지할 수 있다.
계속해서, 상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은 기판을 제공하는 단계(S11)와, 상기 기판에 애노드 전극을 형성하는 단계(S12)와, 상기 애노드 전극 상에 유기층을 형성하는 단계(S13)와, 상기 유기층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계(S14)와, 상기 캐소드 전극 상에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극 보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 형성하는 단계(S15)를 포함한다.
도 5를 참조하면, 먼저, 기판을 제공한다(S11). 앞서 설명한 바와 같이, 기판은 투명한 유리 재질 또는 플라스틱 재질로 형성될 수 있으나, 전면 발광형인 경우에 기판은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 금속으로 기판을 형성할 경우 기판은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴 및 스테인레스 스틸로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
기판 상에는 박막 트랜지스터 영역, 캐패시터 영역 및 화소 영역이 구획될 수 있다.
이어서, 하부 기판에 애노드 전극을 형성한다(S12). 애노드 전극은 박막 트랜지스터에 의해 제어될 수 있으며, 일함수가 높은 금속산화물 예를 들어 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 아연 산화물(ZnO) 등과 같은 금속산화물로 형성될 수 있다.
이어서, 애노드 전극 상에 유기층을 형성한다(S13). 유기층을 형성하는 단계는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 유기층 형성 방법에 관한 더욱 구체적인 설명을 위해 도 6a 내지 도 6f가 참조된다. 도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 유기층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 애노드 전극 상에 정공주입층(14a)을 형성한다. 정공주입층(14a)을 구성하는 물질로는 예를 들어, 트리페닐린, 페릴린, 피렌, 테트라센, 안트라센 계열 중에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 구체적으로 구리프탈로시아닌, 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민 (TCTA), 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠, 비스(4-카바졸릴페닐)실란, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘 (α-NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (NPB), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민) (TFB) 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민 (PFB)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
정공수송층(14b) 물질은 트리페닐린, 페릴린, 피렌, 테트라센, 안트라센 계열, NPD 계열, TPD 계열 및 광전도성 고분자 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 정공주입층(14a)에 p형 불순물을 도핑한다. 정공주입층(14a)의 불순물 도핑에 사용되는 p형-불순물는 F4-TCNQ, TCNQ등의 유기 화합물, 요오드, FeCl3, FeF3, SbCl5, 금속 클로라이드, 금속 플로라이드와 같은 무기 산화제 등을 들 수 있다.
이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, p형 불순물로 도핑된 정공주입층(14a) 상에 정공수송층(14b)을 형성한다. 정공수송층(14b)은 정공주입층(14a)과 동일한 물질로 구성될 수 있으며, 정공주입층(14a)과 달리 불순물 도핑되지 않은 상태일 수 있다.
이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 정공주입층(14a)과 정공수송층(14b) 상에 다시 정공주입층(14a)을 형성할 수 있다. 즉, 정공주입층(14a)과 정공수송층(14b)은 복수의 층을 구성하도록 교호적층시킬 수 있다. 다만, 도 6d의 단계는 생략가능하다.
이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 복수의 정공주입층(14a) 및 정공수송층(14b) 상에 발광층(14c)을 형성한다.
이어서, 도 6f에 도시된 바와 같이, 전자수송층(14d) 및 전자주입층(14e)을 적층한다. 본 실시예에서는 전자수송층(14d) 및 전자주입층(14e)이 함께 적층한 경우를 예시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자주입층(14e)이 생략될 수도 있다.
전자수송층(14d)은 Alq3, BeBq2, Zn2, PBD, TAZ, Liq, Mgq2 또는 Znq2 등의 유기물, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, MgF, CaF 등의 할라이드 화합물 및 Li2O, Na2O, K2O, Cs2O, LiBO2, LiNbO3, Al2O3, B2O5 등의 산화물을 포함하는 무기물 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
이어서, 다시 도 5를 참조하면, 유기층 상에 캐소드 전극을 형성한다(S14). 캐소드 전극은 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 이테르븀(Yb)을 추가로 포함함으로써 은(Ag)의 산화를 방지할 수 있음은 앞서 살핀 바와 같다.
이어서, 캐소드 전극 상에 유기캡핑층을 형성한다(S15). 유기캡핑층은 캡핑용 유기물과 희토류 물질을 포함할 수 있다. 유기캡핑층의 형성 방법에 관한 더욱 구체적인 설명을 위해 도 7이 참조된다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 유기캡핑층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7을 참조하면, 유기캡핑층(18)은 캡핑용 유기물(16)과, 희토류 물질(17)이 동시에 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 소스(D1, D2)로부터 캡핑용 유기물(16) 입자와, 희토류 물질(17) 입자를 동시에 증착시켜, 유기캡핑층(18)을 형성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
11: 기판 12: 반사막
13: 애노드 전극 14: 유기층
15: 캐소드 전극 16: 캡핑용 유기물
17: 희토류 물질 18: 유기캡핑층
13: 애노드 전극 14: 유기층
15: 캐소드 전극 16: 캡핑용 유기물
17: 희토류 물질 18: 유기캡핑층
Claims (23)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 형성된 유기층;
상기 유기층 상에 형성된 캐소드 전극; 및
상기 캐소드 전극 상에, 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극보다 산화력이 큰 희토류 물질을 포함하는 유기캡핑층을 포함하고,
상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하되,
상기 정공주입층은 상기 정공수송층과 동일한 물질로 구성되고, 상기 정공주입층은 p형 불순물 도핑되는 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 희토류 물질은 이테르븀(Yb)인 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 희토류 물질은 상기 유기캡핑층의 15 wt% 이하인 유기발광표시장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 정공주입층과 정공수송층은 복수의 층을 구성하도록 교호적층되는 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 은을 포함하는 유기발광표시장치. - 제6항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 이테르븀(Yb)을 더 포함하는 유기발광표시장치. - 기판;
상기 기판 상에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 형성된 유기층;
상기 유기층 상에 형성된 캐소드 전극; 및
상기 캐소드 전극 상에, 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극보다 산화력이 큰 희토류 물질을 포함하는 유기캡핑층을 포함하고,
상기 유기캡핑층은 굴절율 1.5 이상인 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 유기층은 유기캡핑층을 통해 전면으로 발광하는 전면발광 형태인 유기발광표시장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 하부 기판을 제공하는 단계;
상기 하부 기판에 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 상부에 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상부에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 및
상기 캐소드 전극 상부에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기층을 형성하는 단계는,
정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 정공주입층은 상기 정공수송층과 동일한 물질로 구성되되 p형 불순물 도핑된 유기발광표시장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 희토류 물질은 이테르븀(Yb)인 유기발광표시장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 유기캡핑층을 형성하는 단계는,
상기 캡핑용 유기물과, 상기 희토류 물질을 동시에 증착하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 유기캡핑층을 형성하는 단계는,
상기 희토류 물질이 상기 유기캡핑층의 15 wt% 이하가 되도록 증착하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 삭제
- 제13항에 있어서,
상기 유기층을 형성하는 단계는,
정공주입층과 정공수송층이 복수의 층을 구성하도록 교호적층하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 하부 기판을 제공하는 단계;
상기 하부 기판에 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 상부에 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상부에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 및
상기 캐소드 전극 상부에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기층을 형성하는 단계는,
정공수송층 물질을 증착하는 단계; 및
상기 정공수송층 물질의 일부 층에 p형 불순물을 도핑하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제19항에 있어서,
상기 유기층을 형성하는 단계는,
p형 불순물로 도핑된 층의 상부에 다시 정공수송층 물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 은을 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 이테르븀(Yb)을 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 하부 기판을 제공하는 단계;
상기 하부 기판에 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 상부에 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상부에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 및
상기 캐소드 전극 상부에 캡핑용 유기물 및 상기 캐소드 전극보다 산화력이 큰 희토류 물질로 구성된 유기캡핑층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기캡핑층은 굴절율 1.5 이상인 유기발광표시장치의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110027703A KR102036635B1 (ko) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US13/427,607 US8664670B2 (en) | 2011-03-28 | 2012-03-22 | Metal wiring structure, organic light-emitting display device and method of manufacturing the organic light-emitting display device |
| US14/153,508 US8796810B2 (en) | 2011-03-28 | 2014-01-13 | Metal wiring structure, organic light-emitting display device |
| US14/311,001 US9136503B2 (en) | 2011-03-28 | 2014-06-20 | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the organic light-emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110027703A KR102036635B1 (ko) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120109894A KR20120109894A (ko) | 2012-10-09 |
| KR102036635B1 true KR102036635B1 (ko) | 2019-10-28 |
Family
ID=46926046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110027703A KR102036635B1 (ko) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8664670B2 (ko) |
| KR (1) | KR102036635B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150060058A (ko) * | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR102620085B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2024-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
| KR102639784B1 (ko) * | 2016-10-25 | 2024-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 모노아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| KR102633055B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN106953020B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-02-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示器件和有机发光显示装置 |
| KR20180094535A (ko) * | 2017-02-15 | 2018-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102125250B1 (ko) * | 2018-11-05 | 2020-06-23 | 한밭대학교 산학협력단 | 수분 투과율 측정 장치 및 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5059861A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
| JP2006173619A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Au Optronics Corp | 有機発光ダイオード及びその製造方法 |
| US20070178396A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Xerox Corporation | Imaging members and method of treating an imaging member |
| JP2007299453A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置 |
| US7476453B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-01-13 | General Electric Company | Low thermal conductivity thermal barrier coating system and method therefor |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6190780B1 (en) * | 1996-02-05 | 2001-02-20 | Nippon Steel Corporation | Surface treated metal material and surface treating agent |
| US6664732B2 (en) * | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6703180B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Forming an improved stability emissive layer from a donor element in an OLED device |
| KR20050031659A (ko) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 주식회사 엘리아테크 | 적층 보호막을 갖는 유기 이엘 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20050034126A (ko) | 2003-10-08 | 2005-04-14 | 주식회사 엘리아테크 | 적층 보호막을 갖는 유기 이엘 소자 |
| WO2005096326A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Tdk Corporation | 希土類磁石及びその製造方法 |
| KR100700013B1 (ko) * | 2004-11-26 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100686075B1 (ko) | 2005-02-22 | 2007-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 톱 에미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 디스플레이 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100745759B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 투명 캐소드를 가진 유기발광 디스플레이 |
| DE102008004559B4 (de) * | 2007-01-23 | 2017-03-16 | General Electric Technology Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines thermisch belasteten Bauteils |
| US8216697B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-07-10 | Global Oled Technology Llc | OLED with fluoranthene-macrocyclic materials |
-
2011
- 2011-03-28 KR KR1020110027703A patent/KR102036635B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-03-22 US US13/427,607 patent/US8664670B2/en active Active
-
2014
- 2014-01-13 US US14/153,508 patent/US8796810B2/en active Active
- 2014-06-20 US US14/311,001 patent/US9136503B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5059861A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
| US7476453B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-01-13 | General Electric Company | Low thermal conductivity thermal barrier coating system and method therefor |
| JP2006173619A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Au Optronics Corp | 有機発光ダイオード及びその製造方法 |
| US20070178396A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Xerox Corporation | Imaging members and method of treating an imaging member |
| JP2007299453A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120109894A (ko) | 2012-10-09 |
| US9136503B2 (en) | 2015-09-15 |
| US8796810B2 (en) | 2014-08-05 |
| US20120248468A1 (en) | 2012-10-04 |
| US20140117346A1 (en) | 2014-05-01 |
| US20140326973A1 (en) | 2014-11-06 |
| US8664670B2 (en) | 2014-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102036635B1 (ko) | 금속배선 구조체, 이를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101363960B1 (ko) | 표시장치 | |
| US8237354B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR100472502B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| EP3151300B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR100838066B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
| KR102021027B1 (ko) | 유기발광표시장치 | |
| US10355235B2 (en) | Organic light emitting display device and apparatus | |
| US7985113B2 (en) | Retardation layer and organic light-emitting device including the same | |
| US20100200845A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US8729533B2 (en) | Organic electroluminescent display device | |
| US10431152B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| KR100964231B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20140031002A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101948695B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20180035954A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 | |
| KR101686808B1 (ko) | 퀀텀 도트 발광소자 | |
| CN106057121B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
| KR100927585B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101587822B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| EP2876701B1 (en) | Method for manufacturing an organic light emitting diode display device | |
| KR101888157B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 | |
| KR20120042435A (ko) | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US10714559B2 (en) | Organic light emitting diode, method of manufacturing the same, and organic light emitting display including the same | |
| KR102410031B1 (ko) | 유기 발광 소자, 그의 제조방법, 및 유기 발광 소자를 구비한 유기 발광 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |