JP6901631B2 - 全溶液oledデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
ベース基板と、前記ベース基板上に設けられるTFTアレイ層と、間隔をあけて前記TFTアレイ層上に設けられる複数の陽極と、前記TFTアレイ層及び前記複数の陽極上に設けられるものであって、複数の開口がそれぞれ複数の前記陽極の上方に対応して設けられる画素定義層と、を含むTFTバックプレーンを提供するステップと、
正孔注入層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の陽極上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔注入層を形成するステップと、
正孔輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔注入層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔輸送層を形成するステップと、
発光層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔輸送層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の発光層を形成するステップと、
イオン共役高分子電解質である電子輸送層材料及びアルコール系溶剤である溶剤を含む電子輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の発光層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の電子輸送層を形成するステップと、
金属粒子、接着剤、溶剤及び補助剤を含む金属ペースト材料を提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記画素定義層及び前記複数の開口における前記複数の電子輸送層上に溶液成膜をそれぞれ全面的に行い、乾燥によって溶剤を除去した後に途切れないように連続される陰極を形成するステップと、を含む全溶液OLEDデバイスの製造方法が提供される。
前記複数の開口は、複数の画素領域にそれぞれ対応し、
前記複数の陽極の材料は、酸化インジウムスズであり、
前記複数の陽極は、マグネトロンスパッタリング成膜によって製造され、
前記複数の陽極の膜厚は、20nm〜200nmであり、
前記正孔注入層インクは、PEDOT:PSS水溶液であり、
前記複数の正孔注入層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔注入層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔注入層の膜厚は、1nm〜100nmである。
前記正孔輸送層材料は、ポリ(N、N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N、N’−ビス(フェニル)ベンジジン)であり、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の正孔輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔輸送層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記発光層インクは、発光層材料及び溶剤を含み、
前記発光層材料は、青色発光材料であり、
前記青色発光材料は、ポリ9、9−ジオクチルフルオレンを含み、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の発光層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の発光層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の発光層の膜厚は、1nm〜100nmである。
前記陽イオン共役高分子電解質の構造式は、
前記アルコール系溶剤は、メタノールであり、
前記複数の電子輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の電子輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の電子輸送層の膜厚は、0.5nm〜10nmである。
前記陰極の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記陰極の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記陰極の膜厚は、10nm〜200nmであり、
前記画素定義層の頂部は、粗面である。
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられるTFTアレイ層と、
間隔をあけて前記TFTアレイ層上に設けられる複数の陽極と、
前記TFTアレイ層及び前記複数の陽極上に設けられる画素定義層と、
前記複数の陽極の上方にそれぞれ対応するように前記画素定義層上に設けられる複数の開口と、
前記複数の陽極上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の正孔注入層と、
前記複数の正孔注入層上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の正孔輸送層と、
前記複数の正孔輸送層上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の発光層と、
前記複数の発光層上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の電子輸送層と、
途切れなく連続して分布されるように前記画素定義層及び前記複数の電子輸送層上を全面的に被覆する陰極と、を含み、
前記複数の正孔注入層、前記複数の正孔輸送層、前記複数の発光層、前記複数の電子輸送層及び前記陰極は、いずれも溶液成膜法によって製造され、
前記複数の電子輸送層の材料は、イオン共役高分子電解質を含み、
前記陰極の材料は、金属粒子及び接着剤を含む全溶液OLEDデバイスがさらに提供される。
前記複数の開口は、複数の画素領域にそれぞれ対応し、
前記複数の陽極の材料は、酸化インジウムスズであり、
前記複数の陽極は、マグネトロンスパッタリング成膜によって製造され、
前記複数の陽極の膜厚は、20nm〜200nmであり、
前記正孔注入層の材料は、PEDOT:PSSを含み、
前記複数の正孔注入層の膜厚は、1nm〜100nmである。
前記複数の正孔輸送層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記発光層は、青色発光層であり、
前記青色発光層の材料は、ポリ9、9−ジオクチルフルオレンを含み、
前記複数の発光層の膜厚は、1nm〜100nmである。
前記陰極の膜厚は、10nm〜200nmであり、
前記画素定義層の頂部は、粗面である。
ベース基板と、前記ベース基板上に設けられるTFTアレイ層と、間隔をあけて前記TFTアレイ層上に設けられる複数の陽極と、前記TFTアレイ層及び前記複数の陽極上に設けられるものであって、複数の開口がそれぞれ前記複数の陽極の上方に対応して設けられる画素定義層と、を含むTFTバックプレーンを提供するステップと、
正孔注入層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の陽極上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔注入層を形成するステップと、
正孔輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔注入層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔輸送層を形成するステップと、
発光層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔輸送層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の発光層を形成するステップと、
イオン共役高分子電解質である電子輸送層材料及びアルコール系溶剤である溶剤を含む電子輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の発光層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の電子輸送層を形成するステップと、
金属粒子、接着剤、溶剤及び補助剤を含む金属ペースト材料を提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記画素定義層及び前記複数の開口における複数の電子輸送層上に溶液成膜をそれぞれ全面的に行い、乾燥によって溶剤を除去した後に途切れないように連続される陰極を形成するステップと、を含み、
前記複数の開口の面積は、それぞれ前記複数の陽極の面積よりも小さく、
前記複数の開口は、複数の画素領域にそれぞれ対応し、
前記複数の陽極の材料は、酸化インジウムスズであり、
前記複数の陽極は、マグネトロンスパッタリング成膜によって製造され、
前記複数の陽極の膜厚は、20nm〜200nmであり、
前記正孔注入層インクは、PEDOT:PSS水溶液であり、
前記複数の正孔注入層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔注入層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔注入層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記正孔輸送層インクは、正孔輸送層材料及び溶剤を含み、
前記正孔輸送層材料は、ポリ(N、N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N、N’−ビス(フェニル)ベンジジン)であり、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の正孔輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔輸送層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記発光層インクは、発光層材料及び溶剤を含み、
前記発光層材料は、青色発光材料であり、
前記青色発光材料は、ポリ9、9−ジオクチルフルオレンを含み、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の発光層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の発光層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の発光層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記イオン共役高分子電解質は、陽イオン共役高分子電解質であり、
前記陽イオン共役高分子電解質の構造式は、
前記アルコール系溶剤は、メタノールであり、
前記複数の電子輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の電子輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の電子輸送層の膜厚は、0.5nm〜10nmであり、
前記金属粒子の材料は、銀であり、
前記陰極の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記陰極の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記陰極の膜厚は、10nm〜200nmであり、
前記画素定義層の頂部は、粗面である全溶液OLEDデバイスの製造方法がさらに提供される。
Claims (9)
- 全溶液OLEDデバイスの製造方法であって、
ベース基板と、前記ベース基板上に設けられるTFTアレイ層と、間隔をあけて前記TFTアレイ層上に設けられる複数の陽極と、前記TFTアレイ層及び前記複数の陽極上に設けられるものであって、複数の開口がそれぞれ複数の前記陽極の上方に対応して設けられる画素定義層と、を含むTFTバックプレーンを提供するステップと、
正孔注入層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の陽極上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔注入層を形成するステップと、
正孔輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔注入層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔輸送層を形成するステップと、
発光層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔輸送層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の発光層を形成するステップと、
イオン共役高分子電解質である電子輸送層材料及びアルコール系溶剤である溶剤を含む電子輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の発光層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の電子輸送層を形成するステップと、
金属粒子、接着剤、溶剤及び補助剤を含む金属ペースト材料を提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記画素定義層及び前記複数の開口における前記複数の電子輸送層上に溶液成膜をそれぞれ全面的に行い、乾燥によって溶剤を除去した後に途切れないように連続される陰極を形成するステップと、を含み、
前記イオン共役高分子電解質は、陽イオン共役高分子電解質であり、
前記陽イオン共役高分子電解質の構造式は、
前記アルコール系溶剤は、メタノールであり、
前記複数の電子輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の電子輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の電子輸送層の膜厚は、0.5nm〜10nmである、
全溶液OLEDデバイスの製造方法。 - 前記複数の開口の面積は、それぞれ前記複数の陽極の面積よりも小さく、
前記複数の開口は、複数の画素領域にそれぞれ対応し、
前記複数の陽極の材料は、酸化インジウムスズであり、
前記複数の陽極は、マグネトロンスパッタリング成膜によって製造され、
前記複数の陽極の膜厚は、20nm〜200nmであり、
前記正孔注入層インクは、PEDOT:PSS水溶液であり、
前記複数の正孔注入層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔注入層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔注入層の膜厚は、1nm〜100nmである、
請求項1に記載の全溶液OLEDデバイスの製造方法。 - 前記正孔輸送層インクは、正孔輸送層材料及び溶剤を含み、
前記正孔輸送層材料は、ポリ(N、N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N、N’−ビス(フェニル)ベンジジン)であり、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の正孔輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔輸送層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記発光層インクは、発光層材料及び溶剤を含み、
前記発光層材料は、青色発光材料であり、
前記青色発光材料は、ポリ9、9−ジオクチルフルオレンを含み、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の発光層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の発光層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の発光層の膜厚は、1nm〜100nmである、
請求項1に記載の全溶液OLEDデバイスの製造方法。 - 前記金属粒子の材料は、銀であり、
前記陰極の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記陰極の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記陰極の膜厚は、10nm〜200nmであり、
前記画素定義層の頂部は、粗面である、
請求項1に記載の全溶液OLEDデバイスの製造方法。 - 全溶液OLEDデバイスであって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられるTFTアレイ層と、
間隔をあけて前記TFTアレイ層上に設けられる複数の陽極と、
前記TFTアレイ層及び前記複数の陽極上に設けられる画素定義層と、
前記複数の陽極の上方にそれぞれ対応するように前記画素定義層上に設けられる複数の開口と、
前記複数の陽極上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の正孔注入層と、
前記複数の正孔注入層上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の正孔輸送層と、
前記複数の正孔輸送層上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の発光層と、
前記複数の発光層上に位置するように前記複数の開口内にそれぞれ設けられる複数の電子輸送層と、
途切れなく連続して分布されるように前記画素定義層及び前記複数の電子輸送層上を全面的に被覆する陰極と、を含み、
前記複数の電子輸送層の材料は、イオン共役高分子電解質を含み、
前記陰極の材料は、金属粒子及び接着剤を含み、
前記イオン共役高分子電解質は、陽イオン共役高分子電解質であり、
前記陽イオン共役高分子電解質の構造式は、
前記複数の電子輸送層の膜厚は、0.5nm〜10nmである、
全溶液OLEDデバイス。 - 前記複数の開口の面積は、それぞれ前記複数の陽極の面積よりも小さく、
前記複数の開口は、複数の画素領域にそれぞれ対応し、
前記複数の陽極の材料は、酸化インジウムスズであり、
前記複数の陽極の膜厚は、20nm〜200nmであり、
前記正孔注入層の材料は、PEDOT:PSSを含み、
前記複数の正孔注入層の膜厚は、1nm〜100nmである、
請求項5に記載の全溶液OLEDデバイス。 - 前記正孔輸送層の材料は、ポリ(N、N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N、N’−ビス(フェニル)ベンジジン)を含み、
前記複数の正孔輸送層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記発光層は、青色発光層であり、
前記青色発光層の材料は、ポリ9、9−ジオクチルフルオレンを含み、
前記複数の発光層の膜厚は、1nm〜100nmである、
請求項5に記載の全溶液OLEDデバイス。 - 前記金属粒子の材料は、銀であり、
前記陰極の膜厚は、10nm〜200nmであり、
前記画素定義層の頂部は、粗面である、
請求項5に記載の全溶液OLEDデバイス。 - 全溶液OLEDデバイスの製造方法であって、
ベース基板と、前記ベース基板上に設けられるTFTアレイ層と、間隔をあけて前記TFTアレイ層上に設けられる複数の陽極と、前記TFTアレイ層及び前記複数の陽極上に設けられるものであって、複数の開口がそれぞれ前記複数の陽極の上方に対応して設けられる画素定義層と、を含むTFTバックプレーンを提供するステップと、
正孔注入層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の陽極上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔注入層を形成するステップと、
正孔輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔注入層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の正孔輸送層を形成するステップと、
発光層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の正孔輸送層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の発光層を形成するステップと、
イオン共役高分子電解質である電子輸送層材料及びアルコール系溶剤である溶剤を含む電子輸送層インクを提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記複数の開口における前記複数の発光層上に溶液成膜をそれぞれ行い、乾燥によって溶剤を除去した後に複数の電子輸送層を形成するステップと、
金属粒子、接着剤、溶剤及び補助剤を含む金属ペースト材料を提供し、インクジェット印刷又はコーティングによって前記画素定義層及び前記複数の開口における複数の電子輸送層上に溶液成膜をそれぞれ全面的に行い、乾燥によって溶剤を除去した後に途切れないように連続される陰極を形成するステップと、を含み、
前記複数の開口の面積は、それぞれ前記複数の陽極の面積よりも小さく、
前記複数の開口は、複数の画素領域にそれぞれ対応し、
前記複数の陽極の材料は、酸化インジウムスズであり、
前記複数の陽極は、マグネトロンスパッタリング成膜によって製造され、
前記複数の陽極の膜厚は、20nm〜200nmであり、
前記正孔注入層インクは、PEDOT:PSS水溶液であり、
前記複数の正孔注入層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔注入層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔注入層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記正孔輸送層インクは、正孔輸送層材料及び溶剤を含み、
前記正孔輸送層材料は、ポリ(N、N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N、N’−ビス(フェニル)ベンジジン)であり、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の正孔輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の正孔輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の正孔輸送層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記発光層インクは、発光層材料及び溶剤を含み、
前記発光層材料は、青色発光材料であり、
前記青色発光材料は、ポリ9、9−ジオクチルフルオレンを含み、
前記溶剤は、有機溶剤であり、
前記複数の発光層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の発光層の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の発光層の膜厚は、1nm〜100nmであり、
前記イオン共役高分子電解質は、陽イオン共役高分子電解質であり、
前記陽イオン共役高分子電解質の構造式は、
前記アルコール系溶剤は、メタノールであり、
前記複数の電子輸送層の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記複数の電子輸送層の乾燥方法は、真空乾燥及び熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記複数の電子輸送層の膜厚は、0.5nm〜10nmであり、
前記金属粒子の材料は、銀であり、
前記陰極の溶液成膜方法は、インクジェット印刷であり、
前記陰極の乾燥方法は、真空乾燥及び加熱乾燥のうちの一つ又は二つを含み、
前記陰極の膜厚は、10nm〜200nmであり、
前記画素定義層の頂部は、粗面である、
全溶液OLEDデバイスの製造方法。
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