CN109301051B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109301051B CN109301051B CN201811018646.7A CN201811018646A CN109301051B CN 109301051 B CN109301051 B CN 109301051B CN 201811018646 A CN201811018646 A CN 201811018646A CN 109301051 B CN109301051 B CN 109301051B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- light emitting
- emitting diode
- electrode
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 as an example Polymers 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提出了一种显示面板及其制作方法,所述制作方法包括:提供一阵列基板;在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,所述像素定义层包括至少一第一开口;利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元形成于所述第一开口内;在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;在所述第二电极层上形成封装层。本申请利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入阵列基板上,完成所述微发光二极管单元从母板到阵列基板的转移,降低了所述微发光二极管的转移难度,提高了微发光二极管显示面板的良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。作为新兴显示技术,微发光二极管显示相较于LCD、OLED显示有较多优势,如较低的功耗,较高的色域,较快的相应速率等,但其技术难度大于LCD或OLED。
在制造微发光二极管的过程中,首先在施主晶圆上形成微发光二极管,接着将微发光二极管转移到接受衬底上,接受衬底例如是显示屏;而由于需要把巨量的微发光二极管从母版转移到目标显示基板,因此,此项精确转移被认为是目前微发光二极管主要的制作瓶颈之一,导致使用这种方法转移微发光二极管的效率和良率均有较大的问题,大大降低微发光二极管显示面板的良率。
本申请基于此技术问题,提出了下列技术方案。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有制作微发光二极管显示面板良率较低的技术问题。
为实现上述目的,本申请提供的技术方案如下:
本申请提出了一种显示面板的制作方法,其包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,
所述像素定义层包括至少一第一开口;
在所述第一开口内设置微发光二极管单元;
在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;
在所述第二电极层上形成薄膜封装层。
在本申请的制作方法中,在所述第一开口内设置微发光二极管单元的步骤包括:
在所述第一开口内填充第一溶液;
在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上;
利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接。
在本申请的制作方法中,在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上的步骤,包括:
在母板上制作所述微发光二极管单元;
将所述微发光二极管单元均匀地分散在第二溶液中;
利用喷墨打印机中的特定喷头,将所述第二溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上。
在本申请的制作方法中,所述微发光二极管单元包括二极管单元、第一介质及第二介质;
所述第一介质设置于所述二极管单元的表面;
所述第二介质设置于靠近所述阵列基板一侧的所述第一介质的表面;
其中,所述第一介质与所述第一溶液互相排斥,所述第二介质与所述第一溶液互相吸引。
在本申请的制作方法中,所述二极管单元包括第一电极、设置于所述第一电极上的发光单元、及设置于所述发光单元上的第二电极;
所述第二介质靠近所述第一电极设置。
在本申请的制作方法中,所述二极管单元还包括第二开口和第三开口,所述第二开口使部分所述第一电极裸露,所述第三开口使部分所述第二电极裸露;
其中,所述第一电极层通过所述第二开口与所述第一电极电连接,所述第二电极层通过所述第三开口与所述第二电极电连接。
在本申请的制作方法中,在所述第一开口内填充第一溶液之前,还包括步骤:
在所述第一电极层上形成第一金属层;
所述第一金属层包括铟、锡、镓、铅、铟锡合金、铟镓合金中的至少一种。
在本申请的制作方法中,利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接的步骤包括:
利用第一烘烤工艺,去除所述第一开口内的第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一金属层接触;
利用第二烘烤工艺,去除所述第二介质及使所述第一金属层呈熔融状态,使所述第一金属层通过所述第二开口与所述第一电极连接。
在本申请的制作方法中,在所述微发光二极管单元上形成第二电极层之前,还包括步骤:
在所述第一开口内形成平坦层,
所述平坦层的厚度不大于所述微发光二极管单元的厚度;
利用灰化工艺去除所述微发光二极管单元上所述平坦层。
本申请还提出了一种显示面板,其中,所述显示面板采用上述的制作方法制成。
有益效果:本申请利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入阵列基板上,完成所述微发光二极管单元从母板到阵列基板的转移,降低了所述微发光二极管的转移难度,提高了微发光二极管显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板制作方法的步骤图;
图2A~2J为本申请显示面板制作方法的工艺流程图;
图3为本申请显示面板制作方法的另一步骤图;
图4为本申请显示面板中微发光二极管单元的结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
图1所示为本申请一种显示面板的制作方法,其包括步骤:
S10、提供一阵列基板;
如图2A所示,在本步骤中,所述阵列基板包括基板10及位于所述基板10上的薄膜晶体管层20;
所述基板10的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种;进一步的,所述基板10可以为但限定于柔性基板,可选地可以为有机聚合物,作为示例,有机聚合物可以是聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃共聚物(COC)中的一种;
所述薄膜晶体管层20包括ESL(蚀刻阻挡层型)、BCE(背沟道蚀刻型)或Top-gate(顶栅薄膜晶体管型)结构,具体没有限制;例如,如图2A所示,顶栅薄膜晶体管型包括:缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、间绝缘层、源漏极层以及平坦层。
S20、在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层;
在本步骤中,首先在所述平坦层上形成过孔,使部分所述源漏极层裸露;其次,在所述平坦层上沉积一金属层,经光阻层涂覆,采用掩模板(未画出)曝光,经显影以及蚀刻的构图工艺处理后,形成如图2B所示的第一电极层30;
可以理解的,当所述显示面板为底发射型发光器件时,所述第一电极层30为透明的金属层;选为铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种;
最后,在所述第一电极层30涂覆一层所述像素定义层40,所述像素定义层40包括至少一第一开口401;可以理解的,每一所述第一开口401内用于设置微发光二极管单元,即通过所述像素定义层40将不同颜色的所述微发光二极管单元隔开,防止颜色的串扰。
S30、在所述第一开口内设置微发光二极管单元;
本步骤主要为将所述微发光二极管单元从母板上转移到目标基板中,即转移到图2B所示的图案中,如图3所示,包括步骤:
S301、在所述第一电极层上形成第一金属层;
如图2C所示,本步骤首先在所述第一电极层30上形成第一金属层50,所述第一金属层50位于所述第一开口401内,将所述第一电极层30覆盖;优选的,所述第一金属层50包括铟、锡、镓、铅、铟锡合金、铟镓合金中的至少一种。
S302、在所述第一开口内填充第一溶液;
如图2D所示,本步骤主要在所述第一开口401内填充第一溶液402,但所述第一溶液402的厚度不高于所述像素定义层40的厚度。
S303、在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上;
在本步骤中,具体包括:
S3031、在母板上制作所述微发光二极管单元;
S3032、将所述微发光二极管单元均匀地分散在第二溶液中;
S3033、利用喷墨打印机中的特定喷头,将所述第二溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元悬浮在第一溶液上;
可以理解的,所述第二溶液优选为墨水;将混有所述微发光二极管单元的墨水填充在所述喷墨打印机中,使用特定的喷头将墨水滴入所述第一开口401中,并确保滴入所述第一开口401中的墨水中包括一个所述微发光二极管单元;
图4所示为本申请微发光二极管单元的结构图,所述微发光二极管单元60包括二极管单元、第一介质601及第二介质602;
进一步的,所述第一介质601设置于所述二极管单元的表面,所述第二介质602设置于靠近所述阵列基板一侧的所述第一介质601的表面;其中,所述第一介质601与所述第一溶液402互相排斥,所述第二介质602与所述第一溶液402互相吸引;
进一步的,所述二极管单元包括第一电极603、设置于所述第一电极603上的发光单元604、及设置于所述发光单元上的第二电极605;即当所述第一电极603与所述第二电极605分别施加正负电荷时,形成完整的回路使得是发光单元604发光;
如图4所示,所述第二介质602靠近所述第一电极603设置,即设置于所述微发光二极管单元60的底端,使得所述二极管单元与所述第一电极层30形成一定的间距;
进一步的,所述二极管单元还包括第二开口606和第三开口607,所述第二开口606使部分所述第一电极603裸露,所述第三开口607使部分所述第二电极605裸露;其中,所述第二开口606用于所述第一电极层30与所述第一电极603连接,所述第三开口607用于所述第二电极层与所述第二电极605连接;
可以理解的,在母板上进行所述微发光二极管单元60的制作时,需要在二极管单元表面设置所述第一介质601和所述第二介质602;此处所述第一介质601和所述第二介质602没有具体的限制,保证所述第一介质601与所述第一溶液402互相排斥、及所述第二介质602与所述第一溶液402互相吸引即可,即图2E所示;
可以理解的,当所述微发光二极管单元60进入所述第一开口401时,由于所述第一介质601与所述第一溶液402互相排斥使得所述微发光二极管单元60不溶于所述第一溶液402中,而所述第二介质602与所述第一溶液402互相吸引使得所述微发光二极管单元60定位于所述第一开口401的某一位置;因此利用所述第一介质601、所述第二介质602与所述第一溶液402之间的特性,所述微发光二极管单元60在所述第一开口401内进行自动对位。
S304、利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接;
本步骤中,具体包括:
S3041、利用第一烘烤工艺,去除所述第一开口内的第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一金属层接触;
如图2F所示,本步骤主要为采取第一烘烤工艺,即初步加热,去除所述第一开口401内的第一溶液402,使所述微发光二极管单元60与所述第一金属层50接触;
S3042、利用第二烘烤工艺,去除所述第二介质及使所述第一金属层呈熔融状态,使所述第一金属层通过所述第二开口与所述第一电极连接;
如图2G所示,本步骤主要为采取第二烘烤工艺,即持续加热,去除所述第二介质602及使所述第一金属层50呈熔融状态,使所述第一金属层50通过所述第二开口606与所述第一电极603连接;可以理解的,所述第二烘烤工艺的加热温度高于所述第一烘烤工艺的加热温度。
S305、在所述第一开口内形成平坦层;
如图2H所示,在所述第一开口401内沉积一层平坦层70,本步骤中的平坦层70与薄膜晶体管层20中的平坦层材料相同;覆盖所述第一电极层30,其中所述平坦层70的厚度不大于所述微发光二极管单元60的厚度;其中,所述平坦层70包括绝缘材料;
进一步的,由于形成所述平坦层70时,所述微发光二极管单元60上可能被所述平坦层70覆盖,影响所述微发光二极管单元60与第二电极层的连接;因此,利用灰化工艺去除所述微发光二极管单元60上所述平坦层70。
S40、在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;
在本步骤中,如图2I所示,在所述微发光二极管单元60上形成第二电极层80;当所述显示面板为底发射型发光器件时,所述第二电极层80为非透明材料,使发光层产生的光线经过所述第二电极层80向所述基板10方向投射;
优选的,所述第二电极层80的的材料可选为银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、金(Au)、钯(Pd)中的一种或一种以上的组合物。
S50、在所述第二电极层上形成薄膜封装层。
在本步骤中,如图2J所示,在所述第二电极层上形成一薄膜封装层90,所述薄膜封装层90主要起阻水阻氧的作用,防止外部水汽对有机发光层的侵蚀,所述薄膜封装层90主要由至少一有机层与至少一无机层交错层叠而成;通常有机层位于所述薄膜封装层90的中间,无机层位于所述薄膜封装层90的两侧,将有机层包裹在中间。
本申请还提出了一种显示面板,所述显示面板采用上述显示面板的制作方法制成。
本申请还提出了一种电子装置,所述电子装置包括所述显示面板,所述电子装置的工作原理、所述电子装置的工作原理与所述显示面板的工作原理相似,所述电子装置的工作原理以及所述电子装置的工作原理具体可以参考所述显示面板的工作原理,这里不做赘述。可以理解的,所述电子装置包括但不限定于手机、平板电脑、计算机显示器、游戏机、电视机、显示屏幕、可穿戴设备及其他具有显示功能的生活电器或家用电器等。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法,所述制作方法包括:提供一阵列基板;在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,所述像素定义层包括至少一第一开口;利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元形成于所述第一开口内;在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;在所述第二电极层上形成封装层。本申请利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入阵列基板上,完成所述微发光二极管单元从母板到阵列基板的转移,降低了所述微发光二极管的转移难度,提高了微发光二极管显示面板的良率。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,
所述像素定义层包括至少一第一开口;
在所述第一开口内设置微发光二极管单元;
在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;
在所述第二电极层上形成薄膜封装层;
其中,在所述第一开口内设置微发光二极管单元的步骤包括:
在所述第一开口内填充第一溶液;
在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上;
利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上的步骤,包括:
在母板上制作所述微发光二极管单元;
将所述微发光二极管单元均匀地分散在第二溶液中;
利用喷墨打印机中的特定喷头,将所述第二溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述微发光二极管单元包括二极管单元、第一介质及第二介质;
所述第一介质设置于所述二极管单元的表面;
所述第二介质设置于靠近所述阵列基板一侧的所述第一介质的表面;
其中,所述第一介质与所述第一溶液互相排斥,所述第二介质与所述第一溶液互相吸引。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述二极管单元包括第一电极、设置于所述第一电极上的发光单元、及设置于所述发光单元上的第二电极;
所述第二介质靠近所述第一电极设置。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述二极管单元还包括第二开口和第三开口,所述第二开口使部分所述第一电极裸露,所述第三开口使部分所述第二电极裸露;
其中,所述第一电极层通过所述第二开口与所述第一电极电连接,所述第二电极层通过所述第三开口与所述第二电极电连接。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述第一开口内填充第一溶液之前,还包括步骤:
在所述第一电极层上形成第一金属层;
所述第一金属层包括铟、锡、镓、铅、铟锡合金、铟镓合金中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接的步骤包括:
利用第一烘烤工艺,去除所述第一开口内的第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一金属层接触;
利用第二烘烤工艺,去除所述第二介质及使所述第一金属层呈熔融状态,使所述第一金属层通过所述第二开口与所述第一电极连接。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述微发光二极管单元上形成第二电极层之前,还包括步骤:
在所述第一开口内形成平坦层,
所述平坦层的厚度不大于所述微发光二极管单元的厚度;
利用灰化工艺去除所述微发光二极管单元上所述平坦层。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用权利要求1~8任一项所述的制作方法制成。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811018646.7A CN109301051B (zh) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 显示面板及其制作方法 |
PCT/CN2018/105222 WO2020047888A1 (zh) | 2018-09-03 | 2018-09-12 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811018646.7A CN109301051B (zh) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109301051A CN109301051A (zh) | 2019-02-01 |
CN109301051B true CN109301051B (zh) | 2019-11-22 |
Family
ID=65166146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811018646.7A Active CN109301051B (zh) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109301051B (zh) |
WO (1) | WO2020047888A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110047866B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法 |
KR20210130889A (ko) * | 2020-04-22 | 2021-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 잉크 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN111584579B (zh) * | 2020-05-14 | 2022-08-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及拼接屏 |
KR20210154295A (ko) * | 2020-06-11 | 2021-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 잉크, 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2022016417A1 (zh) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 微发光二极管的巨量转移方法、巨量转移装置及显示装置 |
CN112133210B (zh) * | 2020-09-27 | 2022-06-17 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种Micro LED喷墨打印装置、转运方法、显示面板及显示装置 |
CN115410996B (zh) * | 2022-07-28 | 2024-04-19 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101997571B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2019-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR101970539B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
CN105870265A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管基板及其制备方法、显示装置 |
US20180190672A1 (en) * | 2017-01-03 | 2018-07-05 | Innolux Corporation | Display device |
CN107331670A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示设备 |
CN107623076B (zh) * | 2017-09-29 | 2019-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 全溶液oled器件及其制作方法 |
-
2018
- 2018-09-03 CN CN201811018646.7A patent/CN109301051B/zh active Active
- 2018-09-12 WO PCT/CN2018/105222 patent/WO2020047888A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109301051A (zh) | 2019-02-01 |
WO2020047888A1 (zh) | 2020-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109301051B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
CN107808895B (zh) | 透明oled显示器及其制作方法 | |
CN104916252B (zh) | 圆形显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN105355646B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN105138163B (zh) | 一种有机电致发光触控显示面板、其制备方法及显示装置 | |
WO2020173060A1 (zh) | 显示基板、显示面板及显示装置 | |
CN104851892A (zh) | 窄边框柔性显示装置及其制作方法 | |
WO2020259030A1 (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
CN104953044A (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
CN106229297B (zh) | Amoled像素驱动电路的制作方法 | |
US20200113051A1 (en) | Power line structure, array substrate and display panel | |
WO2020220588A1 (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN105047609A (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置 | |
CN107785392A (zh) | 显示装置 | |
CN201936883U (zh) | 一种有机电致发光显示器 | |
CN104851893A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN106019751A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
CN102723445A (zh) | Oled显示单元及带该显示单元的oled拼接显示屏 | |
CN105097883A (zh) | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 | |
CN108550616A (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN105489611A (zh) | 一种印刷型发光显示器及其制作方法 | |
CN110416257A (zh) | 显示面板背板结构、其制备方法及顶发射型显示面板 | |
CN110459505A (zh) | 过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板 | |
CN107833904A (zh) | 双面oled显示面板及其制造方法 | |
CN109935618A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |