CN107450764A - 电子装置 - Google Patents

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丁汉荣
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Abstract

提供了包括触摸面板的电子装置。该触摸面板通过下列方法制造：在改善发射光的可见性的同时，减少外部光的不期望的反射。所述触摸面板包括：基体层，包括响应于外部触摸而产生电信号的有效区以及与有效区相邻的外围区；第一导电图案，设置在有效区上；第二导电图案，设置在外围区上，第一导电图案和第二导电图案中的每个包括具有外部光反射率的导电层和设置在导电层上方的暗化层。第一导电图案和第二导电图案中的每个的外部光反射率比导电层的外部光反射率低。

Description

电子装置
本申请要求于2016年6月1日提交的第10-2016-0068366号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，通过引用将该申请包含于此，如在此充分地阐述一样。
技术领域
采用发明构思的示例性实施例通常涉及触摸面板、包括其的电子装置及制造触摸面板的方法，更具体地，涉及具有降低图案可见性的触摸面板、包括该触摸面板的电子装置以及制造该触摸面板的方法。
背景技术
电子装置被施加的电信号激活。电子装置可以包括用于感测从电子装置外部施加的触摸的触摸屏以及用于显示图像的显示设备，其中，显示设备也能够感测从电子装置外部施加的触摸。
电子装置可以包括各种电极图案以被电信号激活。激活电极图案的区域显示信息或响应用户从外部施加的触摸。
触摸屏包括感测何时从外部施加触摸的内部触摸传感器。外部光被触摸屏反射，使得触摸传感器由于被反射的外部光而可见。触摸传感器的可见性是不被期望的。例如，当触摸传感器可见地反射外部光时，该光与显示在触摸屏上的内容的可见性发生干扰。
包括触摸屏的电子装置具有厚度。因为例如厚度使装置的重量和费用增加并使携带、使用和操作装置的不便性增加，所以厚度是不被期望的。
寻求限制触摸屏的反射率的结构也会减小触摸屏的像素的开口率。换句话讲，通过减小可发射光的发射角(viewing angle)，尝试减少外部光的反射也会抑制由触摸屏产生的期望光的可见性。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此其可以包含不形成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
根据发明的原理构造的触摸面板和包括该触摸面板的电子装置能够通过减小外部光反射率(例如，通过暗化层)来防止包含在该装置中的触摸传感器由于外部光的反射而被观察到。与常规装置相比，发明的各种示例性实施例也可以减小具有触摸屏的电子装置的厚度和/或增加触摸屏的像素的开口率。在一些实施例中可以同时实现前述益处。
发明的示例性实施例也提供一种制造触摸面板的方法，该方法能够稳定地形成具有减小的外部光反射率的导电图案。
另外的方面将在随后的详细描述中进行阐述，并且部分地，将通过公开变得明显，或者可通过发明构思的实践而获知。
根据发明的一个方面，根据发明原理构造的触摸面板包括：基体层，包括响应于外部触摸而产生电信号的有效区以及与有效区相邻的外围区；第一导电图案，设置在有效区上；第二导电图案，设置在外围区上，第一导电图案和第二导电图案中的每个包括具有外部光反射率的导电层和设置在导电层上方的暗化层，其中，第一导电图案和第二导电图案中的每个可以具有比导电层的外部光反射率低的外部光反射率。
第一导电图案和第二导电图案中的每个的外部光反射率可以为约4％或更小。
暗化层可以包括：下层，直接设置在导电层上并包括具有约2.5或更小的消光系数的第一导电材料；上层，设置在下层上并包括具有约2.5或更小的消光系数的第二导电材料；中间层，设置在上层和下层之间并与上层和下层中的每个接触，并且包括具有约2.3或更小的折射率的第三导电材料。
暗化层的厚度可以在约和约之间，包括端值。
第一导电材料和第二导电材料可以是相同的材料。
第一导电材料可以包括金属。
第三导电材料可以是透明导电氧化物。
第三导电材料可以具有约10-2μΩcm或更小的电阻率。
触摸面板还可以包括设置在第一导电图案与基体层之间的绝缘层，其中第一导电图案可以包括设置在绝缘层上并在第一方向上延伸的多个第一电极，所述多个第一电极布置在横向于所述第一方向的第二方向上，第二导电图案可以包括设置在绝缘层上并且分别连接到所述多个第一电极中的一个的多个第一焊盘。
第一导电图案还可以包括设置在绝缘层上并与所述多个第一电极绝缘的多个第一虚设图案，第二导电图案还可以包括分别连接到所述多个第一虚设图案中的一个的多个第二焊盘。
触摸面板还可以包括设置在基体构件上方的第三导电图案，其中，第三导电图案可以包括在第二方向上延伸并在第一方向上布置的多个第二电极以及设置在第二电极之间并与所述多个第二电极绝缘的多个第二虚设图案，所述多个第二电极穿过所述绝缘层并连接到所述多个第一虚设图案。
第三导电图案可以是单层。
第一导电图案可以包括彼此交叉的多条网格线。
根据采用发明构思的另一个方面，电子装置包括：显示构件，显示图像；触摸构件，包括设置在显示构件的一部分上并检测外部触摸输入的有效区以及与有效区相邻的外围区，其中，触摸构件可以包括：第一导电图案，包括设置在有效区上并包括金属的导电层以及直接设置在导电层上的暗化层；第二导电图案，设置在外围区上，其中，暗化层可以包括：多层结构，所述多层结构包括厚度不同的至少两种材料，所述至少两种材料产生相消干涉并且相继地反射入射光，所述被反射的入射光比入射光的强度低。
多层结构可以包括下层、中间层和上层。下层可以直接设置在导电层上并可以包含具有约2.5或更小的消光系数的第一导电材料，上层可以设置在下层上并可以包含具有约2.5或更小的消光系数的第二导电材料，中间层可以设置在上层和下层之间、与上层和下层中的每个层接触并可以包含具有约2.5或更小的折射率的第三导电材料，第一导电图案可以具有小于约4％的外部光反射率。
第二导电材料可以是与第一导电材料相同的材料。
第三导电材料可以包括透明导电氧化物。
第三导电材料可以具有约10-2μΩcm或更小的电阻率。
第一导电图案可以包括彼此交叉的多条网格线。
显示构件可以包括第一电极、具有暴露第一电极的至少一部分的开口的像素限定层、设置在第一电极上并与开口叠置的发光层、设置在发光层上的第二电极以及覆盖第二电极的包封层，其中，第一导电图案可以与像素限定层叠置并且可以不与发光层叠置。
第一导电图案可以包括彼此交叉的多条网格线，所述多条网格线中的每条可以不与发光层叠置。
第一导电图案可以直接设置在包封层上。
电子装置还可以包括设置在包封层和第一导电图案之间的黑色导电图案以及设置在包封层和第一导电图案之间以覆盖黑色导电图案的覆盖层。黑色导电图案可以具有与第一导电图案相同的层叠结构。
黑色导电图案可以接地。
根据发明的又一方面，一种制造触摸面板的示例性方法包括：在基体构件上顺序地形成包括金属的基体导电层、包括第一导电材料的下基体层、包括第二导电材料的中基体层以及包括第三导电材料的上基体层，对上基体层进行蚀刻以形成上层，对中基体层进行蚀刻以形成中间层，对下基体层和基体导电层进行蚀刻以形成下层和导电层。上层、中间层、下层和导电层可以限定第一导电图案。第一导电材料可以具有约2.5或更小的消光系数。第二导电材料可以具有约2.5或更小的折射率，第三导电材料可以具有约2.5或更小的消光系数。
可以通过干蚀刻工艺来执行对上基体层蚀刻的步骤。
可以通过使用蚀刻溶液的湿蚀刻工艺来执行对中基体层蚀刻的步骤。
第三导电材料可以不被蚀刻溶液蚀刻。
可以通过单个干蚀刻工艺来执行下基体层和基体导电层的蚀刻，使得下基体层和基体导电层均可以通过所述单个干蚀刻工艺被蚀刻。
前面的总体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，并且意图提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对发明构思的进一步理解，附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是根据采用发明构思的示例性实施例构造的电子装置的透视图；
图2A和图2B是示出根据发明构思构造的可折叠电子装置的透视图；
图3A是图1的电子装置的剖视图；
图3B是示出图3A的电子装置的一部分的放大局部剖视图；
图4是根据发明的另一示例性实施例构造的电子装置的平面图；
图5A至图5C是分别示出图4的电子装置的选定部分的平面图；
图6是沿图5A至图5C的线I-I'和线II-II'截取的剖视图；
图7是示出根据又一示例性实施例构造的电子装置的剖视图；
图8A是示出根据采用发明构思的又一实施例构造的电子装置的一部分的平面图；
图8B是沿图8A的线III-III'截取的剖视图；
图9A是示出根据又一示例性实施例构造的电子装置的局部示意性剖视图；
图9B是示出根据对比实施例构造的电子装置的局部示意性剖视图；
图10A是示出根据采用发明构思的另一实施例构造的电子装置的一部分的局部示意性剖视图；
图10B是示出根据采用发明构思的实施例构造的电子装置的某些部件之间的电连接的局部示意图；
图11A至图11G是示出在根据发明构思的用于制造电子装置的方法的示例性实施例中的各个阶段的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，明显的是，各个示例性实施例可以在没有这些具体细节或在一个或更多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，公知的结构和装置以框图形式示出以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。
在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该原件或层可以直接在其他元件或层上、直接连接到或者直接结合到其他元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终指示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项的一个或更多个的任意和所有组合。
尽管这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述的目的，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语，并由此来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了附图中绘出的方位之外，空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定位成“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方的两种方位。此外，设备可以另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，并不意图进行限制。如这里使用的，除非上下文清楚地另有指示，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包含……的”、“包括”和/或“包括……的”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构示意图的剖视图来描述了各种示例性实施例。因此，将预期由于例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示为矩形的注入区将通常在其边缘处具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区会导致在掩埋区和发生注入的表面之间的区域的某些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解相同的含义。除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与在相关领域的上下文中的它们的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于正式的含义来解释它们。
图1示出根据发明的原理构造的电子装置100的示例性实施例。图2A和图2B示出通过折叠而使图1的电子装置100的形状变形的示例。在下文中，将参照图1至图2B来详细描述根据发明构思的实施例的电子装置。
在各种示例性实施例中，电子装置100感测从外部施加的触摸。如图1中所示，当在由第一方向DR1和横向于第一方向DR1的第二方向DR2限定的平面中观察时，电子装置100可以被划分为有效区(active region)AA和外围区NAA。
在各种示例性实施例中，有效区AA被电信号激活以感测从外部施加的触摸。如图1中所示，有效区AA可以被限定为集中在电子装置100的中央。然而，这被作为示例示出。根据另一实施例的有效区AA可以限定在电子装置100的外围上或者也可以部分地限定在任意一侧上，各种示例性实施例不限于这里描述的任何一个实施例。
在各种示例性实施例中，外围区NAA与有效区AA相邻。在各种示例性实施例中，电子装置100不感测施加到外围区NAA的触摸。图1示出外围区NAA具有围绕有效区AA的框架形状的示例性实施例。
在各种示例性实施例中，电子装置100包括基体构件10、第一导电图案PT1和第二导电图案PT2。基体构件10可以是在其上可以设置第一导电图案PT1和第二导电图案PT2的基体层。
基体构件10可以是电绝缘的。例如，基体构件10可以是诸如玻璃基底或塑料基底的绝缘基底。可选择地，基体构件10可以是柔性绝缘膜。可选择地，基体构件10可以是有机层和/或无机层交替地层叠的薄膜层。基体构件10也可以采用各种其他的示例性实施例。因此，基体构件的实施例不限于这里所描述的任何一个示例。
在各种示例性实施例中，第一导电图案PT1设置在有效区AA上。第一导电图案PT1可以是感测电极。施加到有效区AA的触摸实际上可以被第一导电图案PT1感测。
在各种示例性实施例中，第二导电图案PT2设置在外围区NAA上。图1示出第二导电图案PT2与第一导电图案PT1分隔开并且与第一导电图案PT1绝缘的示例性实施例。然而，根据可选实施例的第二导电图案PT2可以直接或间接地连接到第一导电图案PT1，从而第一导电图案PT1和第二导电图案PT2可以彼此电连接。如前所述，导电图案的方位和结构不限于这里所描述的任何一个实施例。
第二导电图案PT2可以是焊盘。电子装置100可以通过第二导电图案PT2被提供电源，或者可以通过第二导电图案PT2将被第一导电图案PT1感测的触摸信号提供到外部装置。
如图2A和图2B中所示，电子装置100可以绕着沿第一方向DR1延伸的折叠轴FX折叠。这里，电子装置100的元件被描绘为叠置。为了实现这样的方位，折叠轴FX可以具有高柔性。
因此，至少基体构件10和第一导电图案PT1可以被设计为具有高柔性。例如，基体构件10和第一导电图案PT1均可以由柔性材料形成，或者可以具有本领域已知的高柔性结构。
如图2A中所示，电子装置100可以绕着折叠轴FX折叠，使得有效区AA和第一导电图案PT1可以暴露于外部。因此，即使在折叠状态下，电子装置100也可以感测从外部施加的触摸。
如图2B中所示，电子装置100也可以或选择地绕着折叠轴FX折叠，使得有效区AA和第一导电图案PT1可以被基体构件10覆盖。因此，电子装置100可以保护处于这样的折叠状态的有效区AA。
图3A是图1中示出的电子装置的剖视图。图3B示出第一导电图案PT1的示例。在下文中，将参照图3A和图3B详细描述第一导电图案PT1和第二导电图案PT2。同样的附图标记表示与图1至图2B中示出的构造相同的构造中的同样的元件，将不提供其重复的描述。
如图3A中所示，在各种示例性实施例中，第一导电图案PT1和第二导电图案PT2设置在基体构件10上。第一导电图案PT1可以设置在有效区AA上，第二导电图案PT2可以设置在外围区NAA上。
在各种示例性实施例中，第一导电图案PT1包括在向上方向(在下文中，称为第三方向)上顺序地层叠的导电层MTL和暗化层OPL。导电层MTL可以包括高导电性材料。
例如，导电层MTL可以包括诸如铝、铜、钼、金、钛、铬、镍、铁、锌、铟、镓、镁或锰的金属。
暗化层OPL可以设置在导电层MTL上以覆盖导电层MTL。在各种示例性实施例中，暗化层OPL在光学上减小了第一导电图案PT1的外部光反射率。通过进一步包括暗化层OPL，第一导电图案PT1的外部光反射率可以低于导电层MTL的外部光反射率。
参照图3B，入射在第一导电图案PT1的上侧上的外部光OL首先入射在暗化层OPL上而不是入射在导电层MTL上。暗化层OPL可以补偿导电层MTL的反射率相对高的光学特性，使得暗化层OPL可以因此控制第一导电图案PT1的反射率。
在各种示例性实施例中，暗化层OPL包括在第三方向DR3上顺序地层叠的下层TL1、中间层TL2和上层TL3。因此，可以通过相继地经由各构成材料的组合以及通过下层TL1、中间层TL2和上层TL3中的每层的厚度来控制外部光OL在第一导电图案PT1上的反射率。
下层TL1可以直接设置在导电层MTL上。下层TL1可以包括第一导电材料。第一导电材料可以是具有约2.5或更小的消光系数(extinction coefficient)的材料，该术语在光吸收领域中是已知的，并且在这里较多地讨论。例如，第一导电材料可以为金属。
下层TL1可以具有第一厚度D1。可以根据光学特性考虑构成下层TL1的材料和与下层TL1接触的另一层之间的关系来设计第一厚度D1。例如，第一厚度D1可以为大约至大约包括端值。
预定材料可以根据实部和虚部的组合具有复折射率。复折射率可以由下面的等式定义。
[等式]
N＝n+ki
(其中，N：复折射率，n：折射率，k：消光系数，i：虚数单位)
在上述等式中，消光系数是与复折射率的虚部对应的因子并且表示光吸收的程度。折射率可以被定义为与复折射率的实部对应的因子。
在各种示例性实施例中，中间层TL2直接设置在下层TL1上。因此，可以在中间层TL2和下层TL1之间形成界面。
中间层TL2可以包括第二导电材料。第二导电材料可以是具有约2.5或更小的折射率的材料。此外，中间层TL2可以是光学透明的。例如，第二导电材料可以是透明导电氧化物。
中间层TL2具有第二厚度D2。与第一厚度D1类似，也可以考虑第二导电材料的光学常数和与中间层TL2接触的层之间的关系来设计第二厚度D2。例如，第二厚度D2可以为大约至大约包括端值。因此，第二厚度D2可以不同于第一厚度D1。
在各种示例性实施例中，上层TL3直接设置在中间层TL2上。因此，在上层TL3和中间层TL2之间形成界面。
上层TL3可以包括第三导电材料。第三导电材料可以是具有约2.5或更小的消光系数的材料。此外，第三导电材料可以因此与第一导电材料相同。
上层TL3具有第三厚度D3。与第一厚度D1类似，也可以考虑第三导电材料的光学常数和与上层TL3接触的层之间的关系来设计第三厚度D3。例如，第三厚度D3可以为大约至大约包括端值。因此，第三厚度D3可以不同于第二厚度D2。第三厚度可以与第一厚度D1相同；或者第三厚度D3可以不同于第一厚度D1。此外，包括具有上面指定的示例性厚度的下层TL1、中间层TL2和上层TL3的整个暗化层OPL的厚度可以为大约至大约包括端值。
更具体地，入射在第一导电图案PT1的上侧上的外部光OL从构成暗化层OPL的层(即，图3B中示出的实施例中的TL1、TL2和TL3)中的每个层反射，以连续产生多个反射光。外部光OL的一部分可以从上层TL3反射以形成第一反射光RL1，并且一部分可以穿过具有第三厚度D3的上层TL3并从中间层TL2的上表面反射以形成第二反射光RL2。此外，一部分可以穿过具有第二厚度D2的中间层TL2并且从下层TL1的上表面反射以形成第三反射光RL3，并且另一部分可以穿过具有第一厚度D1的下层TL1并从导电层MTL的上表面反射以形成第四反射光RL4。
在各种示例性实施例中，第一反射光至第四反射光RL1、RL2、RL3和RL4具有的彼此不同的相位，它们彼此混合以产生相消干涉。因此，由第一反射光至第四反射光RL1、RL2、RL3和RL4产生的反射光的光强度与外部光OL的光强度相比，以及与不存在暗化层OPL的情况下的反射光RL4的光强度相比，大大降低。
在各种示例性实施例中，第一导电图案PT1可以通过进一步包括暗化层OPL而具有小于约4％的外部光反射率。因此，第一导电图案PT1可以基本上呈现黑色或与黑色类似的暗色。第一导电图案PT1可以通过进一步包括暗化层OPL来吸收大部分外部入射光。因此，用户不会由于外部光的反射而容易观察到第一导电图案PT1。
此外，暗化层OPL电气地防止第一导电图案PT1的导电性劣化。暗化层OPL的中间层TL2可以由具有约10-2μΩcm或更小的电阻率的材料构成。
在各种示例性实施例中，暗化层OPL具有预定的导电性。因此，可以将暗化层OPL和导电层MTL之间的接触电阻保持为基本上接近零。
第一导电图案PT1可以通过进一步包括暗化层OPL而在具有使外部光反射率减小的光学效应的同时，防止电特性劣化。因此，根据发明构思构造的电子装置100在减小下层导电图案的可见性的同时，保持触摸灵敏度。
此外，第二导电图案PT2可以具有与第一导电图案PT1相同的结构。由于层叠有导电层MTL和暗化层OPL的结构的接触电阻低，所以该结构可以容易地用于需要改善电特性的焊盘中。此外，由于在各种示例性实施例中第一导电图案PT1和第二导电图案PT2具有相同的结构，所以可以同时形成第一导电图案PT1和第二导电图案PT2，从而简化工艺。
在下文中，将参照图4，描述示例性电子装置100-1。同样的附图标记表示与图1至图3中示出的构造相同的构造中的同样的元件，将不提供其重复的描述。
如图4中所示，电子装置100-1可以包括基体构件10、绝缘层ILD、第一电极TE1、第二电极TE2、第一线WP1、第二线WP2、第一焊盘PD1和第二焊盘PD2。基体构件10可以对应于图1中示出的基体构件10。
在各种示例性实施例中，第一电极TE1和第二电极TE2设置在有效区AA上。图1中示出的第一导电图案PT1(参见图1)可以包括第一电极TE1和第二电极TE2。因此，第一电极TE1和第二电极TE2可以分别包括导电层MTL(参见图3A)和暗化层OPL(参见图3A)。然而，这被作为示例示出。在各种示例性可选实施例中，第一电极TE1和第二电极TE2中仅一个对应于第一导电图案PT1。
在各种示例性实施例中，第一电极TE1在第一方向DR1上延伸。第一电极TE1可以包括在第一方向DR1上布置的多个第一传感器部SP1，并且可以包括分别将彼此相邻的第一传感器部连接到所述多个第一传感器部SP1的多个第一连接部CP1。可以设置多个第一电极TE1，并且在各种示例性实施例中，可以在第二方向DR2上布置所述多个第一电极TE1。
在各种示例性实施例中，第二电极TE2在第二方向DR2上延伸。第二电极TE2可以包括在第二方向DR2上布置的多个第二传感器部SP2和分别将彼此相邻的第二传感器部连接到所述多个第二传感器部SP2的多个第二连接部CP2。当在平面中观察时，第二连接部CP2的一部分可以与多个第一连接部CP1的一部分交叉地延伸。
第二电极TE2可以设置为多个以布置在第一方向DR1上。多个第二电极可以在与多个第一电极保持绝缘的同时与多个第一电极交叉地延伸。
当在有效区AA上施加触摸时，可以改变第一电极TE1和第二电极TE2之间的静电电容。在各种示例性实施例中，电子装置100-1通过第一电极TE1和第二电极TE2之间的静电电容的改变来感测触摸。
这被作为示例示出。在各种示例性可选实施例中，电子装置100-1可以通过各种方法感测从外部施加的触摸。例如，电子装置100-1可以通过诸如电阻膜方法、光学方法、超声波方法或坐标识别方法的方法感测触摸，并且可以具有与所述方法相对应的各电极结构。
此外，在各种示例性实施例中，第一电极TE1和第二电极TE2中的每个可以包括彼此交叉的多条网格线MSL。因此，第一电极TE1和第二电极TE2可以具有改善的柔性，因此可以改善电子装置100-1的折叠特性。
在各种示例性实施例中，第一焊盘PD1和第二焊盘PD2设置在外围区NAA上。第二导电图案PT2(参见图1)可以包括第一焊盘PD1和第二焊盘PD2。因此，第一焊盘PD1和第二焊盘PD2中的每个可以包括导电层MTL和暗化层OPL。然而，这被作为示例示出。在各种示例性可选实施例中，第一焊盘PD1和第二焊盘PD2中仅一个对应于第二导电图案PT2。
在各种示例性实施例中，第一焊盘PD1连接到第一电极TE1，从而向第一电极TE1提供电信号或将从第一电极TE1接收的电信号传输到外部。第二焊盘PD2可以连接到第二电极TE2，从而向第二电极TE2提供电信号或者将从第二电极TE2接收的电信号传输到外部。
在各种示例性实施例中，第一线WP1和第二线WP2设置在外围区NAA上。第一线WP1和第二线WP2也可以对应于第二导电图案PT2。在各种示例性实施例中，可以同时形成设置在有效区AA和外围区NAA上的所有导电图案，从而简化制造工艺并节省制造成本。
第一线WP1连接第一电极TE1和第一焊盘PD1，第二线WP2可以连接第二电极TE2和第二焊盘PD2。即使当通过第二导电图案PT2来形成第一线WP1和第二线WP2时，电特性也不会劣化。因此，第一线WP1和第二线WP2可以容易地用作信号传输线。
图5A示出了基体构件10和设置在基体构件10上的元件，图5B示出了设置在基体构件10上的绝缘层ILD，图5C示出了设置在绝缘层ILD上的元件。在下文中，将参照图5A、图5B、图5C和图6，描述示例性电子装置100-1。
如图5A中所示，多条第一网格线MSL1可以设置在基体构件10上。多条第一网格线MSL1可以设置在有效区AA上。
多条第一网格线MSL1可以被分类为多个第一传感器部SP1和多个第一连接部CP1以及多个第一虚设图案DP1。多个第一传感器部SP1和多个第一连接部CP1可以彼此连接以构成第一电极TE1。
在各种示例性实施例中，多个第一虚设图案DP1与多个第一传感器部SP1和多个第一连接部CP1分隔开地并电绝缘地设置。多个第一虚设图案DP1可以与多个第一传感器部SP1交替地设置。
如图5B中所示，绝缘层ILD可以设置在基体构件10上以覆盖多个第一传感器部SP1、多个第一连接部CP1和多个第一虚设图案DP1。绝缘层ILD可以包括透明绝缘材料。
例如，绝缘层ILD可以是有机膜。因此，可以改善电子装置100-1的柔性。可选择地，绝缘层ILD可以是无机膜。因此，在各种示例性实施例中，绝缘层ILD可以以小厚度形成，从而可以使电子装置100-1成为纤薄装置。
绝缘层ILD可以具有与有效区AA和外围区NAA叠置的一体的形状。可以在绝缘层ILD中限定预定的接触孔CH。
在各种示例性实施例中，接触孔CH被布置为分别与多个第一虚设图案DP1和多个第一传感器部SP1对应。然而，这被作为示例示出。在可选实施例中，多个接触孔也可以分别与多个第一虚设图案DP1中的一个或多个第一传感器部SP1中的一个对应。
如图5C中所示，多条第二网格线MSL2、多条第一线WP1、多条第二线WP2、第一焊盘PD1和第二焊盘PD2可以设置在绝缘层ILD上。在各种示例性实施例中，多条第二网格线MSL2设置在有效区AA上。
多条第二网格线MSL2的各个部分可以被分类为多个第二传感器部SP2、多个第二连接部CP2和多个第二虚设图案DP2。在各种示例性实施例中，多个第二传感器部SP2和多个第二连接部CP2彼此连接以构成第二电极TE2。
在各种示例性实施例中，当在平面中观察时，多个第二传感器部SP2与多个第一虚设图案DP1叠置。多个第二传感器部SP2可以具有与多个第一虚设图案DP1基本相同的形状。多个第二虚设图案DP2可以与多个第二传感器部SP2和多个第二连接部CP2分隔开地并且电绝缘地设置。
多个第二虚设图案DP2可以与多个第二传感器部SP2交替地设置。当在平面中观察时，多个第二虚设图案DP2可以与多个第一传感器部SP1叠置。
多个第一传感器部SP1可以与多个第二虚设图案DP2完全叠置。多个第一传感器部SP1可以具有与多个第二虚设图案DP2基本相同的形状。
此外，多个第二虚设图案DP2可以与多个接触孔CH叠置。多个第二虚设图案DP2可以通过一部分的接触孔CH分别连接到多个第一传感器部SP1。因此，第一电极TE1可以包括多个第一传感器部SP1、多个第一连接部CP1和多个第二虚设图案DP2。
同样，多个第一虚设图案DP1可以与多个接触孔CH叠置。多个第一虚设图案DP1可以通过另一部分的接触孔CH分别连接到多个第二传感器部SP2。因此，第二电极TE2可以包括多个第二传感器部SP2、多个第二连接部CP2和多个第一虚设图案DP1。
多条第一线WP1、多条第二线WP2、多个第一焊盘PD1和多个第二焊盘PD2可以设置在绝缘层ILD上。由于多个第二虚设图案DP2可以连接到设置在绝缘层ILD下面的第一传感器部SP1，所以多条第一线WP1可以连接到多个第二虚设图案DP2，从而可以电连接到第一传感器部SP1。因此，所有多条第一线WP1、多条第二线WP2、第一焊盘PD1和第二焊盘PD2可以设置在同一层上。此外，将不提供对多条第一线WP1、多条第二线WP2、第一焊盘PD1和第二焊盘PD2的重复描述。
如图6中所示，在各种示例性实施例中，多条第一网格线MSL1和多条第二网格线MSL2彼此分隔开，并具有绝缘层ILD位于多条第一网格线MSL1和多条第二网格线MSL2之间。多条第一网格线MSL1的一部分和多条第二网格线MSL2的一部分可以通过接触孔CH彼此连接。
在各种示例性实施例中，多条第一网格线MSL1和多条第二网格线MSL2之中设置在相对上侧上的多条第二网格线MSL2可以对应于上述第一导电图案PT1(参见图1)。因此，每条第二网格线MSL2可以包括在第三方向DR3上顺序层叠的导电层MTL和暗化层OPL。
在各种示例性实施例中，设置在外围区NAA上的第一焊盘PD1在从外部可以看见的位置处设置在绝缘层ILD上。第一焊盘PD1可以对应于上述第二导电图案PT2(参见图1)。因此，第一焊盘PD1可以包括可以在第三方向DR3上顺序层叠的导电层MTL和暗化层OPL。此外，尽管未示出，但是第二焊盘PD2可以另外包括与第一焊盘PD1对应的结构。
如图6中所示，在不设置用于覆盖第二网格线MSL2、第一焊盘PD1和第二焊盘PD2的附加导电图案的各种实施例中，第二网格线MSL2、第一焊盘PD1和第二焊盘PD2可以是设置在最上层上的从外部看得见的导电图案。
在各种示例性实施例中，第一导电图案PT1仅被应用于影响电子装置100-1的外部光反射率的第二网格线MSL2，因此具有减小外部光反射率的效果，并且可以简化工艺。
此外，在各种示例性实施例中，第二导电图案PT2被应用于第一焊盘PD1和第二焊盘PD2，因此可以保持电特性，并且可以与第一导电图案PT1通过同一工艺来设置。
在下文中，将参照图7，描述根据发明构思的实施例的电子装置100-2。同样的附图标记表示与图1至图6中示出的构造相同的构造中的同样的元件，将不提供其重复的描述。
如图7中所示，电子装置100-2可以包括：基体层BSL、显示元件DEM、像素限定层PDL、中间层EC、多条第一网格线MSL1、绝缘层ILD、多条第二网格线MSL2和覆盖层PVL。在各种示例性实施例中，电子装置100-2可以是用于显示图像的触摸屏面板。
基体层BSL可以是绝缘基底或绝缘膜。基体层BSL可以是其上设置有构成电子装置100-2的元件的底层。基体层BSL可以对应于图1的基体构件10。
尽管未示出，但基体层BSL可包括多个绝缘层和多个导电层。多个绝缘层和多个导电层可以构成连接到显示元件DEM的薄膜晶体管和电容器。
在各种示例性实施例中，显示元件DEM设置在基体层BSL上。显示元件DEM通过响应于经由薄膜晶体管和电容器传输的电信号而显示光来实现图像。
显示元件DEM可以以各种不同的方式来表示。例如，显示元件DEM可以是电泳元件、液晶电容器、电润湿元件或有机发光元件。在各种示例性实施例中，显示元件DEM是如下面将进一步描述的有机发光元件。
像素限定层PDL可以设置在基体层BSL上。可以在像素限定层PDL中限定预定的开口OP。每个开口OP可以限定一个区域，一个显示元件DEM被分配至该区域中。
在各种示例性实施例中，显示元件DEM包括第一电极EL1、发光层EML和第二电极EL2。显示元件DEM可以根据第一电极EL1和第二电极EL2之间的电位差通过激活发光层EML来产生光。
中间层EC可以设置在第二电极EL2上。中间层EC可以覆盖显示元件DEM。中间层EC可以使显示元件DEM与设置在中间层EC上的元件电绝缘。
中间层EC可以包括有机膜和/或无机膜。这里，中间层EC可以是防止水渗入显示元件DEM并保护显示元件DEM的包封层。
在各种示例性实施例中，第一网格线MSL1设置在包封层上。尽管未示出，但是电子装置100-2还可以包括设置在包封层和第一网格线MSL1之间的滤色器层。滤色器层可以包括与开口OP叠置的多个色图案和与像素限定层PDL叠置的矩阵图案。滤色器层减小了显示基底的外部光反射率。
在各种示例性实施例中，第一网格线MSL1和第二网格线MSL2与像素限定层PDL叠置而不与其中设置有发光层EML的开口OP叠置。因此，可以减少由第一网格线MSL1和第二网格线MSL2引起的对电子装置100-2产生的负面影响，并且由于第一网格线MSL1和第二网格线MSL2可以由不透明材料制造，因此可以增加选择用于第一网格线MSL1和第二网格线MSL2的材料的自由度。
此外，电子装置100-2还可以包括用于覆盖第二网格线MSL2的覆盖层PVL。在各种示例性实施例中，覆盖层PVL保护第二网格线MSL2。
参照图8A至图9B中示出的各种实施例，同样的附图标记表示与图1至图7中示出的构造相同的构造中的同样的元件，因此，不必提供这些同样的元件的单独描述。为了便于描述，图9B从对比例示出与图9A中示出的电子装置100-E的一些区域对应的区域。
如图8A和图8B中所示，电子装置100-3还可以包括黑色导电图案BCP。黑色导电图案BCP可以与像素限定层PDL叠置，并且在各种示例性实施例中，黑色导电图案BCP不与发光层EML叠置。黑色导电图案BCP可以设置在中间层EC和第一网格线MSL1之间。
黑色导电图案BCP可以对应于第一导电图案PT1。因此，黑色导电图案BCP可以包括在第三方向DR3上顺序层叠的导电层MTL-B和暗化层OPL-B。
电子装置100-3还可以包括覆盖黑色导电图案BCP的中间绝缘层ISL。在各种示例性实施例中，中间绝缘层ISL设置在中间层EC和绝缘层ILD之间。中间绝缘层ISL可以覆盖黑色导电图案BCP，从而为第一网格线MSL1提供平坦表面。
在各种示例性实施例中，黑色导电图案BCP通过包括暗化层OPL-B而具有低的外部光反射率。因此，黑色导电图案BCP可以被视为具有基本上接近黑色的暗色。
参照图8A，用于感测触摸的导电图案可以形成为包括暗化层OPL的第二网格线MSL2，因此可以防止或减少从外部可看得见触摸电极的问题。此外，在各种示例性实施例中，对应于像素限定层PDL的区域被包括暗化层OPL-B的黑色导电图案BCP覆盖，因此可以防止或减少第二网格线MSL2与其外围区域之间的边界会被看见的问题。
参照图9A中示出的发明实施例，黑色导电图案BCP具有第一厚度TH-E。如上所述，构成黑色导电图案BCP的导电层MTL-B可以包括诸如金属的无机材料，暗化层OPL-B可以包括诸如金属层和/或导电氧化物的无机材料。
即，黑色导电图案BCP可以基于无机材料形成，并且可以通过诸如气相沉积工艺的薄膜工艺形成，因此第一厚度TH-E可以相对小。
参照图9B，对比例100-C可以包括常规的黑色矩阵BMP。通常，黑色矩阵BMP包括有机材料。因此，黑色矩阵BMP具有大于第一厚度TH-E的第二厚度TH-C。
参照图9A和图9B，在示例100-E的发明实施例和对比例100-C中，从发光层EML产生的光的发射区域可以是不同的。尽管中间层EC的厚度彼此相同，但光的发射区域可以根据第一厚度TH-E和第二厚度TH-C不同。
例如，根据发明示例100-E的光发散范围RG-E大于根据对比例100-C的光发散范围RG-C。光发散范围RG-E和RG-C可以带来增大的有效发光面积。这可以与实质上改善显示装置的开口率具有相同的效果。因此，在各种示例性实施例中，根据示例100-E的电子装置用黑色导电图案层BCP替代黑色矩阵BMP，从而通过增大可发射光的角度来改善像素的开口率。
在下文中，将参照图10A和图10B中示出的实施例，详细描述黑色导电图案BCP。同样的附图标记表示与图1至图9B中示出的构造相同的构造中的同样的元件，将不提供其重复的描述。
图10A示出了显示元件DEM(参见图7)中的第二电极EL2、中间层EC、黑色导电图案BCP、中间绝缘层ISL和多个网格线MSL。因此，在各种示例性实施例中，中间层EC具有预定的厚度H-EC。
参照图10B，可以通过可设置在黑色导电图案BCP下面的第一电极EL1和第二电极EL2来控制图像的显示。第一电极EL1和第二电极EL2形成其间具有发光层(未示出)的电容器。即，彼此不同的电信号可以被传输到第一电极EL1和第二电极EL2中的每个，并且据此来控制来自显示元件DEM的光的发射。
可以根据设置在黑色导电图案BCP上方的第一传感器部SP1和第二传感器部SP2之间的电容的改变来感测从外部施加的触摸。即，在各种示例性实施例中，彼此不同的电信号被传输到第一传感器部SP1和第二传感器部SP2中的每个，并且据此来感测触摸。
在各种示例性实施例中，黑色导电图案BCP可以具有导电性并可以具有接地电压。因此，黑色导电图案BCP可以用作屏蔽电极，该屏蔽电极对设置在黑色导电图案BCP下面的显示元件DEM和可以设置在黑色导电图案BCP上方的第一传感器部SP1、第二传感器部SP2进行独立操作。
由于黑色导电图案BCP接地，所以可以减少或解决在第一传感器部SP1和第二传感器部SP2与第二电极EL2之间产生噪音的问题。此外，在各种示例性实施例中，中间层EC的厚度H-EC减小，因而即使当第一网格线MSL1和第二电极EL2之间的距离减小时，也可以防止在第一网格线MSL1和第二电极EL2之间产生寄生电容。再者，各种示例性实施例还包括黑色导电图案BCP，因此可以减小中间层EC的厚度，并可以实现纤薄的电子装置。
下文中，将参照图11A至图11G，描述用于制造电子装置的方法的示例性实施例。
如图11A中所示，在各种示例性实施例中，可以在基体构件10上形成可顺序层叠在第三方向DR3上的基体导电层P-MTL、下基体层P-TL1、中基体层P-TL2和上基体层P-TL3。可以通过气相沉积或涂覆工艺来形成基体导电层P-MTL、下基体层P-TL1、中基体层P-TL2和上基体层P-TL3。
在基体构件10上由导电材料形成基体导电层P-MTL，可以在基体导电层P-MTL上由具有约2.5或更小的消光系数的材料形成下基体层P-TL1。可以在下基体层P-TL1上由具有约2.5或更小的折射率的材料形成中基体层P-TL2，可以在中基体层P-TL2上由具有约2.5或更小的消光系数的材料形成上基体层P-TL3。
然后，如图11B和图11C中所示，在上基体层P-TL3上设置第一掩模MSK11和第二掩模MSK21，并且可以对上基体层P-TL3进行蚀刻以形成第一图案PP1。这里，可以通过干蚀刻工艺来形成第一图案PP1。因此，可以以气态提供第一蚀刻剂ET1。
当上基体层TL3暴露于第一蚀刻剂ET1时，可以通过第一蚀刻剂ET1来去除上基体层P-TL3中未设置第一掩模MSK11和第二掩模MSK21的区域以形成包括上层TL3的第一图案PP1。
然后，如图11D和图11E中所示，可以对中基体层P-TL2进行蚀刻以形成第二图案PP2。第二图案PP2可以包括上层TL3和中间层TL2。
可以通过湿蚀刻工艺来形成第二图案。因此，可以以溶液状态提供第二蚀刻剂ET2。
在各种示例性实施例中，通过将中基体层P-TL2暴露于第二蚀刻剂ET2来蚀刻中基体层P-TL2。与此相关，第一图案PP1可以用作掩模。因此，可以由相对于第二蚀刻剂ET2具有大的蚀刻选择性的材料来形成中基体层P-TL2和上基体层P-TL3。
此外，在形成第二图案PP2的同时，下基体层P-TL1可以保护基体导电层P-MTL免受第二蚀刻剂ET2的影响。因此，可以将下基体层P-TL1和中基体层P-TL2选择为由相对于第二蚀刻剂ET2具有大的蚀刻选择性的材料形成。
然后，如图11F和图11G中所示，对下基体层P-TL1和基体导电层P-MTL进行蚀刻以形成下层TL1和导电层MTL。因此，形成均包括导电层MTL和暗化层OPL的第一导电图案PT1和第二导电图案PT2。
可以通过干蚀刻工艺来形成下基体层P-TL1和基体导电层P-MTL。可以在第二图案PP2上设置第三掩模MSK12和第四掩模MSK22，并且可以提供处于气态的第三蚀刻剂。
第三掩模MSK12和第四掩模MSK22覆盖第二图案PP2。当在平面中观察时，第三掩模MSK12和第四掩模MSK22可以具有与第二图案PP2的形状基本相同的形状。
在下基体层P-TL1和基体导电层P-MTL中，可以通过第三蚀刻剂ET3来全部地去除其上未设置有第三掩模MSK12和第四掩模MSK22的区域。因此，在各种示例性实施例中，可以通过同一工艺来同时形成下层TL1和导电层MTL。
暗化层OPL还可以包括相对于第二蚀刻剂ET2具有良好耐蚀刻性的下基体层P-TL1，因此可以防止或者减少基体导电层P-MTL被第二蚀刻剂ET2蚀刻的问题。抑制了具有各向同性蚀刻模式的第二蚀刻剂ET2穿过下基体层P-TL1与基体导电层P-MTL的接触，因此可以防止或减少基体导电层P-MTL的一部分被底切(undercut)的问题。
根据发明的上述原理和示例性实施例，可以解决或减少下列问题：外部光相对于导电图案的反射率导致用户看见导电图案。此外，在各种示例性实施例中，抑制了显示图像和触摸电极之间的噪音的产生，从而可以提供更稳定的电子装置。
此外，即使当使用多个蚀刻步骤来形成导电图案时，在各种示例性实施例中，也可以稳定地形成导电图案的结构，从而可以改善工艺良率。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其他实施例和修改通过该描述将是明了的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是由所附权利要求的更广泛的范围以及各种明显的修改和等同布置来限定。

Claims (10)

1.一种电子装置，所述电子装置包括：
显示构件，显示图像；以及
触摸构件，划分为设置在所述显示构件的一部分上并检测外部触摸输入的有效区以及与所述有效区相邻的外围区，
其中，所述触摸构件包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案包括设置在所述有效区上并包括金属的导电层和直接设置在所述导电层上的暗化层，所述第二导电图案设置在所述外围区上，
其中，所述暗化层包括下层、中间层和上层，所述下层直接设置在所述导电层上并包含具有2.5或更小的消光系数的第一导电材料；所述上层设置在所述下层上并包含具有2.5或更小的消光系数的第二导电材料；所述中间层设置在所述上层与所述下层之间、与所述上层和所述下层中的每个接触并且包含具有2.3或更小的折射率的第三导电材料。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一导电图案具有小于4％的外部光反射率。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二导电材料与所述第一导电材料相同。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第三导电材料包括透明导电氧化物。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第三导电材料具有10-2μΩcm或更小的电阻率。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述显示构件包括：
第一电极；
像素限定层，限定暴露所述第一电极的至少一部分的开口；
发光层，设置在所述第一电极上并与所述开口叠置；
第二电极，设置在所述发光层上；以及
包封层，覆盖所述第二电极，
其中，所述第一导电图案与所述像素限定层叠置并且不与所述发光层叠置。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，所述第一导电图案包括彼此交叉的多条网格线，所述多条网格线中的每条网格线不与所述发光层叠置。
8.根据权利要求6所述的电子装置，其中，所述第一导电图案直接设置在所述包封层上。
9.根据权利要求6所述的电子装置，所述电子装置还包括：
黑色导电图案，设置在所述包封层与所述第一导电图案之间，以及
覆盖层，设置在所述包封层与所述第一导电图案之间，所述覆盖层覆盖所述黑色导电图案，
其中，所述黑色导电图案具有与所述第一导电图案相同的层叠结构。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述黑色导电图案接地。
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