CN103412697B - 一种触摸屏及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种触摸屏及其制作方法、显示装置，用以提高触摸屏在桥接层区域的无视化的程度。所述触摸屏包括：基板；位于所述基板上沿第一方向延伸的多条第一电极，以及沿第二方向延伸的与所述各第一电极交叉排列的多条第二透明电极；所述第一电极在所述交叉区域断开形成多个第一子电极，任意相邻的两个所述第一子电极通过金属或合金形成的桥接层电性连接；所述桥接层与所述第二电极通过绝缘层相绝缘；其中，所述触摸屏还包括，位于与所述桥接层相对应的区域的至少两层消隐层，各层所述消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层。

Description

一种触摸屏及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种触摸屏及其制作方法、显示装置。
背景技术
在显示技术领域，触摸屏作为一种新的输入装置已经在触控显示屏技术领域应用越来越广泛。
其中，电容式触摸屏具有反应时间快、可靠性高以及耐用等优点而备受关注。电容式触摸屏按照与显示屏的集成方式分类至少包括内嵌式(In Cell)和外挂式(Add on)两种。
从工作的原理分类，触摸屏包括表面电容式和投射电容式，投射电容式触摸屏包括自电容式和互电容式触摸屏。投射电容式触摸屏为目前应用比较广的触摸屏。
一般地，投射电容式触摸屏的结构为：在基板的触控区域(也称为像素区域)设置有实现触摸功能的多条第一电极和多条第二电极，各第一电极和各第二电极可以设置在同一层或者设置在不同层。设置在同一层的第一电极或第二电极在第一电极和第二电极交叉处断开，断开部分通过桥接层连接。
参见图1，为现有设置在同一层的第一电极和第二电极的触摸屏结构示意图，包括位于基板100上位于触摸区域沿第一方向分布的多条第一电极101，沿与所述第一方向交叉的第二方向设置的多条第二电极102；各第一电极101与任一第二电极102交叉的区域断开，断开部分通过桥接层103连接，桥接层103与第二电极102之间通过绝缘层104相绝缘。
一般地，桥接层为透明导电线或金属线。采用金属线作为桥接层具有成本低、制作工艺简单且电阻率低的特点，现有触摸屏多采用金属线作为桥接层实现触摸屏。金属线具有金属光泽，对由显示面板外界入射的光的反射率较高，使得肉眼能够看到桥接层而影响触摸屏的显示效果，即使使用反射率较低的金属层作为桥接层，其反射率也不会低于30％，无法使得桥接层达到无视化的目的。
发明内容
本发明实施例提供一种触摸屏及其制作方法、显示装置，用以降低触摸屏在桥接层区域的光反射率，提高触摸屏在桥接层区域的无视化的程度。
为实现上述目的，本发明实施例提供的触摸屏包括：
基板；
位于所述基板上沿第一方向延伸的多条第一电极，以及沿第二方向延伸的与所述各第一电极交叉排列的多条第二电极，所述第一电极和第二电极为透明电极；
所述第一电极在所述交叉区域断开形成多个第一子电极，任意相邻的两个所述第一子电极通过金属或合金形成的桥接层电性连接；
所述桥接层与所述第二电极通过绝缘层相绝缘；
其中，所述触摸屏还包括，位于与所述桥接层相对应的区域的至少两层消隐层，各层所述消隐层为致密度不同的具有降低外界光线反射作用的膜层；
所述各消隐层靠近所述外界光线的入射面，所述桥接层远离所述外界光线的入射面。
较佳地，所述任一消隐层为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物，或合金氮氧化物。
较佳地，所述任一消隐层为钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铝的氮氧化物、钼合金氧化物、钼合金氮化物、钼合金氮氧化物、铝合金氧化物、铝合金氮化物，或铝合金氮氧化物。
较佳地，所述桥接层为钼、铝、钼合金或铝合金。
较佳地，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述绝缘层位于所述第二电极之上，所述第一消隐层位于所述绝缘层之上，所述第二消隐层位于所述第一消隐层之上，所述桥接层位于所述第二消隐层之上。
较佳地，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述第一消隐层位于所述基板之上，所述第二消隐层位于所述第一消隐层之上，所述桥接层位于所述第二消隐层之上，所述绝缘层位于所述桥接层之上，所述第二电极位于所述绝缘层之上。
较佳地，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述第一消隐层位于所述基板之上与所述第一电极保持绝缘，所述第二消隐层位于所述第一消隐层之上与所述第一电极保持绝缘，所述第二电极位于所述第二消隐层之上，所述绝缘层位于所述第二电极之上，所述桥接层位于所述绝缘层之上。
较佳地，所述第一消隐层的面积等于第二消隐层的面积且二者相对设置，所述桥接层在所述基板上的投影位于所述第一消隐层在基板上的投影内。
较佳地，所述第一电极和所述第二电极分别由多个菱形状子电极串联而成；或者
所述第一电极和第二电极分别由多个矩形状子电极串联而成；或者
所述第二电极为条状电极。
本发明实施例提供一种显示装置，包括所述触摸屏。
本发明实施例提供一种触摸屏，包括：
基板；
位于所述基板上沿第一方向延伸的多条第一电极，以及沿第二方向延伸的与所述各第一电极交叉排列的多条第二电极；
所述第一电极与所述第二电极在所述交叉区域通过绝缘层相绝缘；
其中，所述第一电极和/或第二电极为至少两层叠层设置的消隐层，各消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层。
较佳地，所述触摸屏还包括，位于与所述第一电极和/或第二电极相对应的区域的导电层，所述各消隐层靠近外界光线的入射面，所述金属层或合金层远离所述外界光线的入射面；
其中所述导电层为金属层、合金层或由金属层和合金层叠层形成的膜层。
较佳地，所述任一消隐层为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物，或合金氮氧化物。
较佳地，所述任一消隐层为钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铝的氮氧化物、钼合金氧化物、钼合金氮化物、钼合金氮氧化物、铝合金氧化物、铝合金氮化物，或铝合金氮氧化物。
较佳地，所述金属层为钼或铝金属层，所述合金层为钼合金或铝合金。
较佳地，第一电极由两层消隐层组成，包括第一消隐层和第二消隐层，所述第二电极由两层消隐层组成包括第一消隐层和第二消隐层，分别位于与所述第一电极和第二电极相对应的区域的第一导电层和第二导电层；
所述第一电极的第一消隐层位于基板之上；
所述第一电极的第二消隐层位于所述第一电极的第一消隐层之上；
所述第一导电层位于所述第一电极的第二消隐层之上；
所述第二电极的第一消隐层位于第一导电层之上；
所述第二电极的第二消隐层位于所述第二电极的第一消隐层之上；
所述第二导电层位于所述第二电极的第二消隐层之上。
较佳地，所述第一电极和所述第二电极分别为条状电极。
较佳地，所述第一消隐层的面积等于第二消隐层的面积且二者相对设置，所述金属层或合金层在所述基板上的投影位于所述第一消隐层在基板上的投影内。
本发明实施例提供一种显示装置，包括上述触摸屏。
本发明实施例提供一种触摸屏的制作方法，包括：
在基板上形成多条交叉排列的第一电极和第二电极的过程；第一电极在与第二电极交叉的区域断开形成多个第一子电极；第一电极和第二电极为透明电极；
在基板上形成用于连接任意相邻两个第一子电极的桥接层的过程，所述第一子电极属于同一第一电极；
在基板上与所述桥接层对应的区域依次形成至少两层致密度不同的消隐层的过程。
较佳地，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述方法具体为：
在所述基板上同时形成第一电极和第二电极；
在形成有所述第一电极和第二电极的基板上形成所述绝缘层；
在形成有所述绝缘层的基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成所述桥接层；或者所述方法具体为：
在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成所述桥接层；
在形成有所述桥接层的基板上形成所述绝缘层；
在形成所述绝缘层的基板上形成第一电极和第二电极；或者所述方法具体为：
在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成第一电极和第二电极；
在形成有所述第一电极和第二电极的基板上形成所述绝缘层；
在形成所述绝缘层的基板上形成所述桥接层。
较佳地，依次形成所述第一消隐层和所述第二消隐层具体为：
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第一消隐层；
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第二消隐层；当用于形成所述第一消隐层和第二消隐层的靶材相同时，制作第一消隐层和第二消隐层时通入腔体中的气体类型不同，或气体类型相同但通气量不同。
本发明实施例提供一种触摸屏的制作方法，包括：
在基板上形成多条交叉排列的第一电极和第二电极的过程；第一电极包括至少两层叠层设置的消隐层，和/或第二电极包括至少两层叠层设置的消隐层，叠层设置的各消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层；
在基板上形成位于所述交叉区域用于绝缘第一电极和第二电极的绝缘层的过程。
较佳地，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层；所述方法具体为：
根据第一电极图形在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层作为第一电极；
在形成有所述第一电极的基板上形成绝缘层；
在形成有所述绝缘层的基板上形成所述第二电极。
较佳地，形成所述第二电极具体为，根据第二电极图形在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层作为第二电极。
较佳地，依次形成所述第一消隐层和所述第二消隐层具体为：
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第一消隐层；
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第二消隐层；当用于形成所述第一消隐层和第二消隐层的靶材相同时，制作第一消隐层和第二消隐层时通入腔体中的气体类型不同，或气体类型相同但通气量不同。
较佳地，当所述第一电极由至少两层消隐层组成时，该方法还包括：
在所述第一电极上形成与所述第一电极图像相对应的第一导电层。
较佳地，当所述第二电极由至少两层消隐层组成时，该方法还包括：
在所述第二电极上形成与所述第二电极图像相对应的第二导电层。
综上所述，本发明实施例提供的触摸屏，包括第一电极和第二电极，第一电极与第二电极为透明电极，以及金属或合金桥接层，位于与所述桥接层相对应的区域的至少两层消隐层，各消隐层为不同致密度的消隐层，各消隐层的致密度不同，不同致密度的膜层对光线的吸收程度不同，不同的吸收效果之间发生光学的相吸相消作用进一步使得桥接层所在区域整体反射率降低。
附图说明
图1为现有技术触摸屏俯视示意图；
图2为本发明实施例提供的触摸屏立体示意图；
图3为本发明实施例提供的触摸屏中光线经过消隐层的光路图；
图4为图2所示的触摸屏在A-A’向的截面图之一；
图5为图2所示的触摸屏在A-A’向的截面图之二；
图6为图2所示的触摸屏在A-A’向的截面图之三；
图7为本发明实施例提供的触摸屏中第一电极和第二电极的结构示意图之一；
图8为本发明实施例提供的触摸屏中第一电极和第二电极的结构示意图之二；
图9为本发明实施例提供的触摸屏中第一电极和第二电极的结构示意图之三；
图10为本发明实施例四提供的触摸屏俯视示意图；
图11为本发明实施例五提供的触摸屏截面示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种触摸屏及其制作方法、显示装置，用以降低触摸屏在桥接层区域的光反射率，提高触摸屏在桥接层区域的无视化的程度。
本发明实施例提供的触摸屏至少包括多条第一电极和多条第二电极，第一电极和第二电极分别可以为触摸驱动电极和触摸感应电极，或者为触摸感应电极和触摸驱动电极。
需要说明的是，本发明实施例提供的所有触摸屏或附图中的触摸屏结构仅是为了解释本发明并不用于限制本发明，即本发明所有附图提供的触摸屏结构仅是几种典型的触摸屏结构，用于说明本发明提供的桥接层或电极为金属或合金时，在桥接层或电极所在区域设置至少两层消隐层，任何包含这一特征的触摸屏均在本发明范围之内。
参见图2，为本发明实施例提供的触摸屏立体示意图，包括：
基板1；
位于基板1上的沿第一方向排列的多条第一电极11；
位于基板1上的沿第二方向排列的多条第二电极12(图2中仅示出一条第一电极11和一条第二电极12)；第一电极11和第二电极12为透明电极；
第一电极11和第二电极12交叉排列；
第一电极11在交叉区域断开为多个第一子电极111，相邻的两个第一子电极111通过金属或合金形成的桥接层13电性连接；
桥接层13与未断开的第二电极12通过绝缘层14相绝缘；
还包括，位于与桥接层13相对应的区域的至少两层消隐层，各消隐层为不同致密度的具有降低外界光线反射作用的膜层。图2中未示出各消隐层。
在具体实施过程中，消隐层可以为任何低反射率的膜层。
需要说明的是，本发明实施例提供的触摸屏，各膜层位于第一基板之上包含两种情况，以图1为例，第一电极11位于基板1上，可以理解为第一电极11与基板1相接触，或者第一电极11位于基板1上方，二者之间还包括其他功能膜层，例如二者之间还包括缓冲层以提高第一电极11在基板1上的附着力。
所述交叉排列为第一电极和第二电极之间具有一定夹角(对应三角形中的锐角)或相互垂直。
本发明实施例提供的触摸屏，在具体使用过程中，所述各消隐层靠近外界光线的入射面，所述桥接层远离外界光线的入射面。即外界光线先经过消隐层再经过桥接层，实现降低外界光线反射率的目的。所述外界光线为由显示面板外部入射的自然光，即区别于显示面板中的背光。
本发明实施例提供的所述触摸屏，首先各消隐层的致密度不同，不同致密度的膜层对外界光线的吸收程度不同，不同吸收效果之间发生光学的相吸相消作用进一步使得触摸屏在桥接层对应区域的反射率降低。
此外，光是电磁波，经过靠近基板的消隐层和远离基板的消隐层时，在二者表面发生反射，如果两束反射光之间的光程差满足半波长的奇数倍，则两束反射光发生相消干涉，使得反射光强进一步减小或无反射光的存在。例如光程差ΔS与入射光光线波长λ的关系满足如下公式(1-1)：
ΔS＝2nd＝(2m-1)λ/2 (1-1)
其中，n为光线经过的消隐层的折射率，m为任意正整数，d为所述消隐层的厚度。
如图3所示，以两层消隐层为例，外界光线的入射面位于第一消隐层靠近基板的一侧，图3中未示出基板。外界光线从所述入射面投射到所述第一消隐层15和第二消隐层16，在第一消隐层15和第二消隐层16的表面反射，反射回来的两束光，如果光程差ΔS满足公式(1-1)时，两列反射后的电磁波发生相消干涉，使得桥接层所在区域的触摸屏表面反射光强进一步减小，桥接层的无视化程度进一步提高。
公式(1-1)反应光线最大程度相消，只要能保证两列波在同一时刻叠加后的振幅不大于其中某一束反射波的振幅就可达到降低光线反射率的目的。
在具体实施过程中，当第一消隐层15的材料确定时，公式中的折射率n确定，入射波波长λ一定的前提下，通过控制第一消隐层15的厚度d来调节光程差ΔS，使其满足公式(1-1)。
当然第一消隐层15的厚度d越薄越好，即设置第一消隐层15的厚度满足ΔS＝λ/2时最佳。
较佳地，所述消隐层的材料选自下列集合：金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物等，即各消隐层为金属或合金的氧化物、金属或合金的氮化物，或金属或合金的氮氧化物，金属或合金的的氧化物、氮化物、氮氧化物本身颜色是非金属色，偏灰色和黑色，对光线的吸收作用较佳，使得反射到触摸屏出光侧的光线减少，降低光线的反射率，提高桥接层无视化的程度。
本发明在第一电极和第二电极交叉的区域设置有绝缘层、第一消隐层和第二消隐层以及桥接层，绝缘层用于避免第二电极与第一电极的接触或避免与桥接层的接触。第一消隐层和第二消隐层所在区域与桥接层所在区域对应，或面积不小于桥接层所在区域的面积，用于降低光线入射到桥接层所在区域时光的反射率。
为了更清楚地说明本发明实施例提供的桥接层与各消隐层的相对位置，以下以图4-图6所示的触摸屏为例说明。图4-图6所示的触摸屏各消隐层为两层且图4-图6所示的触摸屏为图2所示的立体图在A-A’向的截面图。
实施例一：
参见图4，触摸屏包括：
基板1；
位于基板1上同层设置的第一电极和第二电极12，第一电极和第二电极12交叉排列，第一电极在于第二电极12交叉的区域断开为多个第一子电极111；
位于第二电极12上的绝缘层14；
位于绝缘层14上的第一消隐层15和位于第一消隐层15上的第二消隐层16，以及位于第二消隐层16上的桥接层13；
其中，绝缘层14仅覆盖第二电极12上与桥接层13相对应的区域，长度和宽度保证桥接层13与第二电极12相绝缘；
第一消隐层15的面积等于第二消隐层16的面积，且相对设置；
优选的，第一消隐层15的面积不小于桥接层13覆盖的面积，且桥接层13在基板1上的投影位于第一消隐层15或第二消隐层16在基板1上的投影内；当然第一消隐层15的面积也可以小于桥接层13覆盖的面积，此时桥接层13在基板1上的投影会部分超出第一消隐层15或第二消隐层16在基板1上的投影。
需要说明的是本发明实施例提供的触摸屏，所述各消隐层靠近外界光线的入射面，所述桥接层远离外界光线的入射面。如图4所示，外界光线的入射面位于基板的背面，图4中带箭头的线段表示光线。图5和图6所示的触摸屏，外界光线的入射面位于基板的背面，图5和图6中未示出外界光入射面。
实施例二：
本实施例公开的触摸屏的结构与实施例一所述的触摸屏结构类似，不同之处在于：第一消隐层和第二消隐层位于第二电极下方。
参见图5，触摸屏包括：
基板1；
位于基板1上的第一电极，第一电极断开为多个第一子电极111，位于第一基板1上叠层设置的第一消隐层15和第二消隐层16，第二消隐层16位于第一消隐层15之上；
位于第二消隐层16之上的桥接层13；
位于桥接层13上的绝缘层14；
位于绝缘层14上的第二电极12。
第一消隐层15、第二消隐层16、桥接层13和绝缘层14的设置位置以及设置大小与实施例一所述的设置位置以及设置大小类似，这里不再赘述。
实施例三：
本实施例公开的触摸屏的结构与实施例一所述的触摸屏结构类似，不同之处在于：第二电极位于桥接层与第一消隐层和第二消隐层之间。
参见图6，触摸屏包括：
基板1；
位于基板1上的第一电极，第一电极断开为多个第一子电极111，位于基板1上叠层设置的第一消隐层15和第二消隐层16，第二消隐层16位于第一消隐层15之上；第一消隐层15和第二消隐层16与第一电极11保持绝缘；
位于第二消隐层16之上的第二电极12；
位于第二电极12之上的绝缘层14，绝缘层14保证第一消隐层15和第二消隐层16与第一电极11相绝缘；
位于绝缘层14之上的桥接层13，绝缘层14保证桥接层13与第二电极12相绝缘。
第一消隐层15、第二消隐层16、桥接层13和绝缘层14的设置位置以及设置大小与实施例一所述的设置位置以及设置大小类似，这里不再赘述。
由实施例一至实施例三公开的触摸屏可知，桥接层可以位于第二电极上方或下方，具体实施时可以视情况设置。
桥接层可以与第一消隐层和第二消隐层接触或不接触。
实施例一至实施例三提供了本发明较典型的触摸屏结构，各实施例中的触摸屏包括两层消隐层，其可以降低桥接层区域外界光反射率的原理与图2所示的触摸屏，桥接层区域可以降低外界光反射率的原理类似，这里不再赘述。
实施例一至实施例三公开的触摸屏以两层消隐层为例，且两层消隐层相接触，本发明实施例提供的触摸屏，可以设置多层消隐层，也可以设置多层金属层，消隐层与金属层间隔设置或多层消隐层与多层金属层间隔设置均能够实现降低桥接层区域外界光线的反射率。
本发明实施例一至实施例三提供的触摸屏，第一电极和第二电极为透明电极，具体可以为铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO等。
较佳地，本发明所有实施例提供的桥接层为金属或金属合金，例如可以为钼、铝、钼合金或铝合金；相比较其他金属，钼(Mo)或铝(Al)的稳定性较好，不容易被氧化或腐蚀。
较佳地，所述各消隐层分别为钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铝的氮氧化物、钼合金氧化物、钼合金氮化物、钼合金氮氧化物、铝合金氧化物、铝合金氮化物、铝合金氮氧化物等。
例如可以为：Mo、Al、MoNb、MoTa、MoTi、AlNd等的氧化物、氮化物或氮氧化物等。例如第一消隐层为MoNbOxNy,其中，Mo为钼金属，Nb为铌金属，x和y整数或小数；第二消隐层为MoNbOxNy，但是要保证第一消隐层和第二消隐层的致密度不同。
上述仅是列举了一些典型的金属化合物或合金化合物作为消隐层，在具体实施时，可以为任何具有不同致密度的膜层，例如，第一消隐层和第二消隐层的制作材料可以相同或者不同，只要保证第一消隐层和第二消隐层的致密度不同即可。
较佳地，当桥接层为某一种金属或合金时，各消隐层为包含桥接层中的至少一种金属的金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物，或者为合金氧化物、合金氮化物或合金氮氧化物。
较佳地，所有实施例中，所述第一电极为触摸驱动电极，所述第二电极为触摸感应电极；或者所述第一电极为触摸感应电极，所述第二电极为触摸驱动电极。
本发明实施例一至实施例三提供的触摸屏，第一电极和第二电极的图案可以为由多个菱形状子电极串联而成；或由多个矩形状子电极串联而成；或者第二电极为条状电极。
图7所示的第一电极11和第二电极12包括菱形状子电极，第二电极12被第一电极11断开，断开处设置有绝缘层14和位于绝缘层14上的桥接层13。
图8为第一电极11和第二电极12包括矩形状子电极，第二电极12被第一电极11断开，断开处设置有绝缘层14和位于绝缘层14上的桥接层13。
图9所示的第二电极12为条状电极，第一电极11被第二电极12断开，断开处设置有绝缘层14和位于绝缘层14上的桥接层13。每一条第一电极11可以设置一条桥接层13也可以设置多条桥接层。只要保证被断开的第一电极最终为一整条导电条即可。
上述提供触摸屏的所有实施例以第一电极和第二电极为透明电极为例说明。
实施例四：
参见图10，触摸屏包括：
基板1；
位于基板1上沿第一方向延伸的多条第一电极11，以及沿第二方向延伸的与各第一电极11交叉排列的多条第二电极12；
第一电极11与第二电极12在交叉区域通过绝缘层14相绝缘；
其中，第一电极11由两层叠层设置且致密度不同的具有降低光线反射作用的消隐层组成；和/或
第二电极12由两层叠层设置且致密度不同的具有降低光线反射作用的消隐层组成。
本发明实施例四提供的触摸屏，第一电极11和第二电极12至少之一由两层具有降低光线反射作用的消隐层组成时，触摸屏对外界光线的反射作用因两层致密度不同的消隐层的存在而降低，有利于实现无视效果的触摸屏。具体地，各消隐层的致密度不同，不同致密度的膜层对外界光线的吸收程度不同，不同吸收效果之间发生光学的相吸相消作用进一步使得触摸屏在桥接层对应区域的反射率降低。
实施例五：
参见图11，与图10所示的触摸屏结构类似，不同之处在于，图11所示的触摸屏还包括：
位于与第一电极11和/或第二电极12相对应的区域的导电层13，该导电层13为金属层或合金层，或者为由金属层和合金层的叠层组成的膜层，各消隐层靠近外界光线的入射面，金属层或合金层远离所述外界光线的入射面。
参见图11，较佳地，第一电极11和第二电极12分别由第一消隐层15和第二消隐层16叠层组成，且第一电极11上设置有第一导电层13，第二电极12上设置有第二导电层17；
第一电极11的第一消隐层15位于基板1之上；第一电极11的第二消隐层16位于第一电极11的第一消隐层15之上；第一导电层13位于第一电极11的第二消隐层16之上；
绝缘层14位于第一导电层13之上；
构成第二电极12的第一消隐层15位于绝缘层14之上；第二电极12的第二消隐层16位于第二电极12的第一消隐层15之上；第二导电层17位于第二电极12的第二消隐层16之上。
需要说明的是，图11所示的触摸屏，外界光的入射面位于基板的背面，如图11中的带箭头的线段表示光线的入射面。
较佳地，消隐层为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或者为合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物等。
较佳地，消隐层为钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铝的氮氧化物、钼合金氧化物、钼合金氮化物、钼合金氮氧化物、铝合金氧化物、铝合金氮化物、铝合金氮氧化物等。
较佳地，导电层可以为金属层，例如可以为钼或铝金属层等，导电层也可以为合金层，例如可以为钼合金或铝合金层等。
较佳地，构成第一电极的第一消隐层的面积等于第二消隐层的面积且二者相对设置；构成第二电极的第一消隐层的面积等于第二消隐层的面积且二者相对设置；
针对第一电极，第一导电层在基板上的投影位于第一消隐层或第二消隐层在基板上的投影内，或者第一导电层在基板上的投影与第一消隐层或第二消隐层在基板上的投影重叠。
针对第二电极，第二导电层在基板上的投影位于第一消隐层或第二消隐层在基板上的投影内，或者第二导电层在基板上的投影与第一消隐层或第二消隐层在基板上的投影重叠。
在具体实施过程中，各第一电极和各第二电极通过两次构图工艺完成，例如在基板上制作各第一电极，然后在第一电极与第二电极交叉的区域设置绝缘层，最后在基板上制作各第二电极，第二电极与第一电极相对的区域通过绝缘层相绝缘。
实施例四和实施例五提供的触摸屏，各消隐层的制作材料、致密度和结构与上述实施例一至实施例三提供的触摸屏中的各消隐层设置类似，这里不再赘述。
此外，实施例四和实施例五提供的第一电极和第二电极的设置图案还可以与本发明图7至图9任一所示的设置方式类似，第一电极和第二电极的图案可以为由多个菱形状子电极串联而成；或由多个矩形状子电极串联而成；或者分别为条状电极。不同之处在于，实施例四和实施例五提供的第一电极没有被第二电极断开，第一电极与第二电极之间仅包括绝缘层，无桥接层。
以下介绍本发明实施例提供的触摸屏的制作法。
针对不同的触摸屏其制作方法不同。
首先说明具有桥接层的触摸屏的制作方法，至少对应实施例一至实施例三的触摸屏结构，主要包括以下步骤：
在基板上形成多条交叉排列的第一电极和第二电极的过程；第一电极在与第二电极交叉的区域断开为多个第一子电极；第一电极和第二电极为透明电极；
在基板上形成用于连接任意相邻两个第一子电极的桥接层的过程，所述第一子电极属于同一第一电极；
在基板上与所述桥接层对应的区域依次形成至少两层致密度不同的消隐层的过程。
较佳地，所述触摸屏包括两层消隐层，分别为第一消隐层和第二消隐层；所述方法具体包括以下步骤：
在所述基板上同时形成第一电极和第二电极，简化工艺流程；
在形成有所述第一电极和第二电极的基板上形成所述绝缘层；
在形成有所述绝缘层的基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成所述桥接层；
或者所述方法具体包括：
在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成所述桥接层；
在形成有所述桥接层的基板上形成所述绝缘层；
在形成所述绝缘层的基板上形成第一电极和第二电极；
或者所述方法具体包括：
在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成第一电极和第二电极；
在形成有所述第一电极和第二电极的基板上形成所述绝缘层；
在形成所述绝缘层的基板上形成所述桥接层。
较佳地，依次形成所述第一消隐层和所述第二消隐层具体为：
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体作为反应气体，氩气作为冲击靶材的入射气体的腔体中以第一金属或第一合金为靶材制作所述第一消隐层；
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体作为反应气体，氩气作为冲击靶材的入射气体的腔体中以第二金属或第二合金为靶材制作所述第二消隐层；当用于形成所述第一消隐层和第二消隐层的靶材相同时，制作第一消隐层和第二消隐层时通入腔体中的气体类型不同，或气体类型相同且通气量不同。
例如，在磁控溅射腔体中通入至少包含反应性气体O2或N2或含O2或N2的混合气体，以及氩气Ar作为冲击靶材的入射气体，磁控溅射腔体中的靶材为某一金属或者金属合金，例如可以为钼铌合金，或铝钕合金或者为与桥接层中的至少一种金属相同的靶材。在等离子体Plasma的作用下形成金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的膜层，或者形成合金氧化物、氮化物或氮氧化物。
本发明实施例提供的另一种触摸屏的制作方法，至少对应实施例四所示的触摸屏结构，该方法包括：
在基板上形成多条交叉排列的第一电极和第二电极的过程；第一电极和/或第二电极为至少两层叠层设置的消隐层，各消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层；
在基板上形成位于所述交叉区域用于绝缘第一电极和第二电极的绝缘层的过程。
较佳地，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层；所述方法具体为：
根据第一电极图形在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层作为第一电极；
在形成有所述第一电极的基板上形成绝缘层；
在形成有所述绝缘层的基板上形成所述第二电极。
较佳地，形成所述第二电极具体为，根据第二电极图形在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层作为第二电极。
较佳地，依次形成所述第一消隐层和所述第二消隐层具体为：
通过磁控溅射法在至少含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第一消隐层；
通过磁控溅射法在至少含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第二消隐层。
较佳地，当用于形成所述第一消隐层和第二消隐层的靶材相同时，制作第一消隐层和第二消隐层时通入腔体中的气体类型不同，或气体类型相同且通气量不同；依次形成所述第一消隐层和所述第二消隐层的步骤与上述提到的制作第一消隐层和所述第二消隐层的步骤类似，即在磁控溅射腔体中通入反应性气体O2或N2或含O2或N2的混合气体以及冲击靶材的入射气体，磁控溅射腔体中的靶材为某一金属或者金属合金，例如可以为钼铌合金，或铝钕合金或者为与桥接层中的至少一种金属相同的靶材。在等离子体Plasma的作用下形成金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的膜层，或者形成合金氧化物、氮化物或氮氧化物。
本发明实施例提供的另一种触摸屏的制作方法，至少对应实施例五所示的触摸屏结构，该方法与上述对应实施例四所示的触摸屏制作方法完全相同，除此之外还包括在第一电极和/或第二电极上制作导电层的过程。
当所述第一电极由至少两层消隐层组成时，该方法还包括：
在所述第一电极上形成与所述第一电极图像相对应的第一导电层。
当所述第二电极由至少两层消隐层组成时，该方法还包括：
在所述第二电极上形成与所述第二电极图像相对应的第二导电层。
第一导电层和第二导电层的制作方法通过常规的镀膜工艺制作，制作材料与本发明上述提到的第一导电层和第二导电层的制作材料相同，这里不再赘述。
需要说明的是，本发明通过磁控溅射法制作消隐层的步骤与现有技术类似，不同之处在于，靶材为本发明上述说明的某一金属或者金属合金，反应气体为O2或N2或含O2或N2的混合气体。
如果两层消隐层相接触，则在同一次镀膜工艺制作两层不同致密度的消隐层，即制作两层消隐层，通过控制磁控溅射腔体中通入的反应气体形成不同致密度的消隐层。例如要形成第一消隐层为钼铌的氧化物，第二消隐层为钼铌的氮氧化合物，只需要在形成钼铌的氧化物之后在磁控溅射腔体中接着通入一定量的氧气和氮气即可。或者通过通入某一气体的量先少后多或先多后少形成不同致密度的消隐层。
用于消隐层的材料除一般为本发明中提到的通入气体反应后形成的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物或合金的氧化物、氮化物或氮氧化物，还可以为具有低反射特征的金属材料或具有金属特性的非金属材料，该材料的反射率需要在20％以下，且需要与何其接触的金属层材料具有良好的附着性，应力差异小，可刻蚀，且刻蚀速率与后面的金属层差异性小。两层金属的气体通入量的差异需要至少差5％，例如可以差5％或20％等。
本发明实施例提供的触摸屏可以是任何具有桥接层的触摸屏，触摸屏中设置有与桥接层相对应的区域的至少两层叠层设置的消隐层，实现降低触摸屏中桥接层的反射率，实现触摸屏无视化的目的。或者触摸屏为第一电极和第二电极为金属或合金的触摸屏，触摸屏中设置有与第一电极和第二电极相对应的区域的至少两层叠层设置的消隐层。
需要说明的是，本发明实施例提供两层消隐层的设置方式还可以适用于任何需要有消隐作用的金属引线。例如在显示技术领域，在显示区域不可避免地需要设置金属引线，则该金属引线上方或下方可以设置本发明所述的至少两层消隐层实现消隐的效果。例如，本发明实施例提供的桥接层和消隐层可以至少适用于金属网线结构需要具有消隐功能的产品中。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述触摸屏。
综上所述，本发明实施例提供的触摸屏，包括第一电极和第二电极，以及金属或合金桥接层，位于与所述桥接层相对应的区域的至少两层消隐层，各消隐层为不同致密度的消隐层，其中，所述消隐层为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。首先，各消隐层为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物，金属的氧化物、氮化物、氮氧化物本身颜色是非金属色，偏灰色和黑色，对光线的吸收作用较佳，使得反射到触摸屏出光侧的光线减少，降低光线的反射率。其次，各消隐层的致密度不同，不同致密度的膜层对光线的吸收程度不同，不同的吸收效果之间发生光学的相吸相消作用进一步使得整体反射率降低。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (28)

1.一种触摸屏，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上沿第一方向延伸的多条第一电极，以及沿第二方向延伸的与所述各第一电极交叉排列的多条第二电极，所述第一电极和第二电极为透明电极；
所述第一电极在所述交叉区域断开形成多个第一子电极，任意相邻的两个所述第一子电极通过金属或合金形成的桥接层电性连接；
所述桥接层与所述第二电极通过绝缘层相绝缘；
其中，所述触摸屏还包括，位于与所述桥接层相对应的区域的至少两层消隐层，各层所述消隐层为致密度不同的具有降低外界光线反射作用的膜层；
所述各消隐层靠近所述外界光线的入射面，所述桥接层远离所述外界光线的入射面。
2.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述任一消隐层为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物，或合金氮氧化物。
3.根据权利要求2所述的触摸屏，其特征在于，所述任一消隐层为钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铝的氮氧化物、钼合金氧化物、钼合金氮化物、钼合金氮氧化物、铝合金氧化物、铝合金氮化物，或铝合金氮氧化物。
4.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述桥接层为钼、铝、钼合金或铝合金。
5.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述绝缘层位于所述第二电极之上，所述第一消隐层位于所述绝缘层之上，所述第二消隐层位于所述第一消隐层之上，所述桥接层位于所述第二消隐层之上。
6.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述第一消隐层位于所述基板之上，所述第二消隐层位于所述第一消隐层之上，所述桥接层位于所述第二消隐层之上，所述绝缘层位于所述桥接层之上，所述第二电极位于所述绝缘层之上。
7.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述第一消隐层位于所述基板之上与所述第一电极保持绝缘，所述第二消隐层位于所述第一消隐层之上与所述第一电极保持绝缘，所述第二电极位于所述第二消隐层之上，所述绝缘层位于所述第二电极之上，所述桥接层位于所述绝缘层之上。
8.根据权利要求5、6或7所述的触摸屏，其特征在于，所述第一消隐层的面积等于第二消隐层的面积且二者相对设置，所述桥接层在所述基板上的投影位于所述第一消隐层在基板上的投影内。
9.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别由多个菱形状子电极串联而成；或者
所述第一电极和第二电极分别由多个矩形状子电极串联而成；或者
所述第二电极为条状电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的触摸屏。
11.一种触摸屏，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上沿第一方向延伸的多条第一电极，以及沿第二方向延伸的与所述各第一电极交叉排列的多条第二电极；
所述第一电极与所述第二电极在所述交叉区域通过绝缘层相绝缘；
其中，所述第一电极包括至少两层叠层设置的消隐层，和/或所述第二电极包括至少两层叠层设置的消隐层，所述第一电极中的消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层，所述第二电极中的消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层。
12.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括，位于与所述第一电极和/或第二电极相对应的区域的导电层，所述导电层为金属层、合金层或由金属层和合金层叠层形成的膜层；
所述各消隐层靠近外界光线的入射面，所述金属层或合金层远离所述外界光线的入射面。
13.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述任一消隐层为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物，或合金氮氧化物。
14.根据权利要求13所述的触摸屏，其特征在于，所述任一消隐层为钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铝的氮氧化物、钼合金氧化物、钼合金氮化物、钼合金氮氧化物、铝合金氧化物、铝合金氮化物，或铝合金氮氧化物。
15.根据权利要求12所述的触摸屏，其特征在于，所述金属层为钼或铝金属层，所述合金层为钼合金或铝合金。
16.根据权利要求12所述的触摸屏，其特征在于，第一电极由两层消隐层组成，包括第一消隐层和第二消隐层，所述第二电极由两层消隐层组成包括第一消隐层和第二消隐层，分别位于与所述第一电极和第二电极相对应的区域的第一导电层和第二导电层；
所述第一电极的第一消隐层位于基板之上；
所述第一电极的第二消隐层位于所述第一电极的第一消隐层之上；
所述第一导电层位于所述第一电极的第二消隐层之上；
所述第二电极的第一消隐层位于第一导电层之上；
所述第二电极的第二消隐层位于所述第二电极的第一消隐层之上；
所述第二导电层位于所述第二电极的第二消隐层之上。
17.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别为条状电极。
18.根据权利要求12所述的触摸屏，其特征在于，第一消隐层的面积等于第二消隐层的面积且二者相对设置，所述金属层或合金层在所述基板上的投影位于第一消隐层在基板上的投影内。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-18任一权项所述的触摸屏。
20.一种触摸屏的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成多条交叉排列的第一电极和第二电极的过程；第一电极在与第二电极交叉的区域断开形成多个第一子电极；第一电极和第二电极为透明电极；
在基板上形成用于连接任意相邻两个第一子电极的桥接层的过程，所述第一子电极属于同一第一电极；
在基板上与所述桥接层对应的区域依次形成至少两层致密度不同的消隐层的过程。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层，所述方法具体为：
在所述基板上同时形成第一电极和第二电极；
在形成有所述第一电极和第二电极的基板上形成绝缘层；
在形成有所述绝缘层的基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成所述桥接层；或者所述方法具体为：
在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成所述桥接层；
在形成有所述桥接层的基板上形成绝缘层；
在形成所述绝缘层的基板上形成第一电极和第二电极；或者所述方法具体为：
在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层；
在形成有所述第一消隐层和第二消隐层的基板上形成第一电极和第二电极；
在形成有所述第一电极和第二电极的基板上形成绝缘层；
在形成所述绝缘层的基板上形成所述桥接层。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，依次形成第一消隐层和第二消隐层具体为：
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第一消隐层；
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第二消隐层；
当用于形成所述第一消隐层和第二消隐层的靶材相同时，制作第一消隐层和第二消隐层时通入腔体中的气体类型不同，或气体类型相同但通气量不同。
23.一种触摸屏的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成多条交叉排列的第一电极和第二电极的过程；第一电极包括至少两层叠层设置的消隐层，和/或第二电极包括至少两层叠层设置的消隐层，叠层设置的各消隐层为致密度不同的具有降低光线反射作用的膜层；
在基板上形成位于所述交叉区域用于绝缘第一电极和第二电极的绝缘层的过程。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述触摸屏包括第一消隐层和第二消隐层；所述方法具体为：
根据第一电极图形在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层作为第一电极；
在形成有所述第一电极的基板上形成绝缘层；
在形成有所述绝缘层的基板上形成所述第二电极。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，形成所述第二电极具体为，根据第二电极图形在所述基板上依次形成第一消隐层和第二消隐层作为第二电极。
26.根据权利要求24或25所述的方法，其特征在于，依次形成所述第一消隐层和所述第二消隐层具体为：
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第一消隐层；
通过磁控溅射法在含有氧气、氮气或氮氧混合气体的腔体中以金属或合金为靶材制作所述第二消隐层；
当用于形成所述第一消隐层和第二消隐层的靶材相同时，制作第一消隐层和第二消隐层时通入腔体中的气体类型不同，或气体类型相同但通气量不同。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，当所述第一电极由至少两层消隐层组成时，该方法还包括：
在所述第一电极上形成与所述第一电极图像相对应的第一导电层。
28.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，当所述第二电极由至少两层消隐层组成时，该方法还包括：
在所述第二电极上形成与所述第二电极图像相对应的第二导电层。
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