CN107431008B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理装置中，由处理液供应部向喷出部(41)供应处理液，从喷出部(41)的喷出口(411)向基板喷出处理液。喷出部(41)中，液体接触面(45)由不含金属的材料形成，液体接触面(45)中的位于具有喷出口(411)的顶端部(42)的顶端液体接触面(451)具有导电性。顶端液体接触面(451)通过接地部(5)电接地。由此，能够更可靠地使处理液放电，并且防止基板的金属污染。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
在向基板喷出处理液的基板处理装置中，使用具有耐化学腐蚀性的材料，例如氟树脂形成的管道。由于像这样的管道的表面带有例如负电荷，感应带电使流经该管道的处理液的电子游离。含有游离电荷的处理液，即，带电的处理液向喷出口移動，并向基板喷出。结果，由于因处理液和基板的电位差引起的放电，发生基板上的膜、电路图案等的破坏。处理液的带电是通过处理液本身的摩擦和处理液与管道的摩擦产生。这样的静电破坏的发生，降低了产品器件的良率，因此成为了严重的问题。因此，日本特开2006-269677号公报(文献1)中，提出在罐、过滤箱、歧管等中设置与处理液接触的碳电极，将碳电极接地，来防止处理液带电的方法。另外，日本特开2007-234814号公报(文献2)中，提出将处理液可流通的石英管接地，由此在处理液与石英管接触时，去除处理液中带有的电荷的方法。
此外，日本特开2003-278972号公报中，通过将导电性管道与地线连接，防止因聚合物去除液在导电性管道内流通时的摩擦带电而发生的起火。此外，日本特开平10-270407号公报中，将以烧结金刚石作为形成有喷射清洗水的细孔的喷射嘴的材质，由此防止发生静电以及喷射口扩大。
可是，当发泡性的处理液或者混入气泡的处理液流经例如喷出部的附近的细流路时，有时因气泡使液体失去连续性。在这种情况下，通过设在远离喷出口的位置的构件进行放电的上述文献1和2的方法难以使被喷出的处理液放电。
另一方面，在基板的处理中，防止基板的金属污染极其重要。即使是使用含有导电性树脂等的管道的情况，由于导电性树脂等含有微量的金属，依据基板的种类，金属污染可能会成为问题。烧结金刚石通常也会含有作为粘合剂等的微量的金属。
发明内容
本发明的目的在于，面向基板处理装置，更可靠地使处理液放电，同时防止基板的金属污染。
本发明的基板处理装置，具有：喷出部，液体接触面由不含金属的材料形成，所述液体接触面中的位于具有喷出口的顶端部的顶端液体接触面具有导电性，从所述喷出口向基板喷出处理液，处理液供应部，向所述喷出部供应所述处理液，接地部，将所述顶端液体接触面电接地。
根据本发明，能更可靠地使处理液放电，并且防止基板的金属污染。
优选，所述顶端液体接触面由玻璃状碳形成。
本发明的一个优选方式中，在所述喷出部中，包含所述顶端部在内的部位由导电性材料形成为一体的构件，所述接地部所具有的接地线与所述构件直接连接。在这种情况下，更优选，还具有：臂，支承所述喷出部，保护管，被所述臂支承，并且由不含金属的材料形成；所述接地线配置在所述保护管内。
本发明的其他优选形态中，所述喷出部具有连接管，在所述连接管的外周面的至少一部分具有在长度方向上连续的导电部，所述连接管的一端与所述顶端部连接，由此所述导电部与所述顶端液体接触面电连接，由所述处理液供应部向所述连接管的另一端供应所述处理液，所述接地部在离开所述顶端部的位置，将所述连接管的所述导电部电接地。在这种情况下，更优选，所述连接管插入筒状的所述顶端部内，由此所述导电部与所述顶端液体接触面电连接。
所述喷出部也可以还具有保护管，所述保护管由不含金属的材料形成,至少在所述顶端部的附近覆盖所述连接管的所述外周面。优选在所述连接管的所述外周面和所述保护管的内周面之间设有环状间隙。
本发明的一个形态中，基板处理装置还具有：供应管线，连接所述喷出部和所述处理液供应部，回收管线，一端与所述供应管线上的回收位置连接，处理液回收部，具有设在所述回收管线上的喷射器，回收在所述供应管线的所述回收位置和所述喷出部之间存在的处理液。
本发明的其他形态中，所述喷出部的所述喷出口在所述基板的一个主面的上方与所述主面相向，所述喷出口的周缘是所述喷出部的在所述喷出口附近的最低点。
上述的目的和其他的目的、特征、形态和优点在参照附图而在以下进行的本发明的详细说明中阐明。
附图说明
图1是示出基板处理装置的构成的图。
图2是示出喷出单元的主视图。
图3是示出喷出部的剖视图。
图4是示出喷出单元的俯视图。
图5A是用于说明比较例的基板处理装置中处理液的带电的图。
图5B是用于说明比较例的基板处理装置中处理液的带电的图。
图5C是用于说明比较例的基板处理装置中处理液的带电的图。
图5D是用于说明比较例的基板处理装置中处理液的带电的图。
图6是示出喷出部的其他示例的剖视图。
图7是示出喷出部的又一示例的剖视图。
图8是示出喷出部的又一示例的剖视图。
具体实施方式
图1是示出本发明的一个实施方式的基板处理装置1的构成的图。基板处理装置1是向近似圆板状的半导体基板9(以下简称“基板9”)供应处理液且一张一张地处理基板9的单张式装置。
基板处理装置1具有处理部2和处理液供应单元3。处理部2具有保持部21、保持部旋转机构22、喷出单元4和罩单元23。保持部21保持作为基板9的一个主面的下表面。保持部旋转机构22以垂直于基板9的主面的旋转轴为中心旋转保持部21。喷出单元4向基板9的作为另一个主面的上表面喷出处理液。罩单元23接收从旋转的基板9的上表面飞溅的处理液，并回收处理液。本实施方式的处理液是酸性或碱性的药液，具有导电性。如后文所述，处理液也可以是(几乎)不具有导电性的物质。有关喷出单元4的结构的详情将在后文进行叙述。
处理液供应单元3具有本体区31、供应管线32、处理液供应部33、回收管线34和处理液回收部35。处理液供应部33具有储存处理液的处理液罐330。供应管线32连接处理液罐330和处理部2的喷出单元4。处理液供应部33还具有加热器331、泵332和过滤器333。加热器331、泵332以及过滤器333按照该顺序设在从处理液罐330到喷出单元4的供应管线32上。加热器331、泵332以及过滤器333被配置在本体区31内。加热器331将流经供应管线32的处理液加热到规定的温度。泵332将处理液罐330内的处理液经由供应管线32送到喷出单元4。过滤器333去除流经供应管线32的处理液中的不想要的物质。
在处理部2的附近，供应管线32上设有作为混合阀的连接部39。回收管线34的一端与连接部39连接，另一端与处理液罐330连接。处理液回收部35具有喷射器(ejector)351和过滤器352。喷射器351和过滤器352按照该顺序设在从连接部39到处理液罐330的回收管线34上。连接部39在与供应管线32的处理液罐330一侧的部位的连接位置上具有第一阀391，在与供应管线32的喷出单元4一侧的部位的连接位置上具有第二阀392，在与回收管线34的连接位置上具有第三阀393。图1中，用黑点表示第一至第三阀391～393。
在关闭第一阀391，并且打开第二和第三阀392、393的状态下，驱动喷射器351，由此经由回收管线34将在连接部39和喷出单元4之间存在的处理液回收至被处理液罐330。如这样通过喷射器351的吸引而实现的处理液的回收也可称为回吸。连接部39是供应管线32中的处理液的回收位置。过滤器352将流经回收管线34的处理液中的不想要的物质去除。此外，回收管线34上与连接部39相反一侧的端部也可连接到与处理液罐330不同的回收罐。
图2是示出喷出单元4的主视图。喷出单元4具有被配置在处理部2中的基板9上方的喷出部41。喷出部41具有喷嘴部410和连接管44。喷嘴部410具有位于基板9的上表面的上方且向该上表面开口的喷出口411。连接管44由不含金属的材料，例如PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、PTFE(聚四氟乙烯)等具有耐化学腐蚀性的氟系树脂形成。优选，连接管44仅由该材料构成。连接管44的一端与喷嘴部410连接，另一端与供应管线32的喷出单元4一侧的端部连接(参照图1)。用供应管线32连接喷出部41和处理液供应部33，并向喷出部41供应处理液。在进行基板9的处理时，处理液从喷出口411向基板9的上表面连续喷出。在本实施方式中，处理液从喷出口411到基板9的上表面连续柱状地喷出。
图3是示出包含喷出口411的中心轴的面的喷出部41的截面的图。图3只示出喷嘴部410附近。喷嘴部410具有：本体部420，具有内部流路412；顶端部42，形成有喷出口411；以及壳部43，覆盖本体部420周围。壳部43具有用于安装连接管44的端部的管安装部431。来自连接管44的处理液经内部流路412被导出至喷出口411。顶端部42是突出到壳部43的下部的下方的环状部位。顶端部42的周围没有配置喷出部41的其他构件。因此，喷出口411的周缘是喷出口411附近的喷出部41的最下点。
喷嘴部410中，本体部420和顶端部42由导电性材料形成为一体的构件。优选，该构件仅由导电性材料构成。该导电性材料不含金属，本实施方式中，该导电性材料是玻璃状碳。另外，壳部43由不含金属的材料，例如氟系树脂形成。优选，壳部43仅由该材料构成。作为在喷出部41中与处理液接触的面的液体接触面45由不含金属的材料形成(这里，液体接触面45整体仅由不含金属的材料构成)。液体接触面45是连接管44的内周面、壳部43的内表面的一部分、本体部420以及顶端部42的内表面的集合。以下的说明中，液体接触面45中的位于顶端部42的部分，即，形成喷出口411的部分被称作“顶端液体接触面”，图3中，顶端液体接触面附有附图标记451。如前所述，顶端液体接触面451由玻璃状碳形成。
如图2所示，本体部420的上部连接保护管52的一端。保护管52由不含金属的材料，例如氟系树脂形成。优选，保护管52仅由该材料构成。保护管52通过连接部61a～61c同连接管44绑在一起，保护管52的另一端配置在离开喷嘴部410的位置，例如配置在罩单元23(参照图1)的外侧。在保护管52内配置接地部5的接地线51。接地线51的一端与本体部420的上部直接连接。接地线51由金属形成。接地线51的另一端在保护管52的另一端的外侧电接地。由此，喷嘴部410的本体部420和顶端部42电接地。换言之，包含图3的顶端液体接触面451的液体接触面45的一部分接地。
图4是示出喷出单元4的俯视图。如图4所示，喷出单元4还具有两个辅助喷出部40a、40b。各辅助喷出部40a、40b含有喷出管401。喷出管401是例如在不锈钢等的金属管的内周面涂有氟系树脂等且外周面被氟系树脂的管覆盖的管。喷出管401可以视其为高刚性的棒状构件。喷出管401在喷嘴部410的附近向下方弯曲(与图4的纸面垂直的方向)，其顶端向基板9开口。喷出管401与纯水、IPA(异丙醇)等辅助处理液的供应源连接。辅助喷出部40a、40b向基板9喷出辅助处理液。另外，图2的喷出单元4的主视图中省略了辅助喷出部40a、40b的图示。
保护管52以及位于保护管52下方的连接管44(参照图2)由连接部61a～61c固定于两个辅助喷出部40a、40b。喷嘴部410和保护管52由连接部62固定于两个辅助喷出部40a、40b。由此，两个辅助喷出部40a、40b可被视为支承喷出部41(喷嘴部410和连接管44)以及保护管52的臂。在处理部2中设有当从喷出部41喷出处理液时以及从辅助喷出部40a、40b喷出辅助处理液时摇动辅助喷出部40a、40b的未图示的转动机构。
在图1的基板处理装置1中，当用处理液处理基板9时，打开第一和第二阀391、392，由处理液供应部33向喷出部41供应处理液。由此，从喷出口411向基板9上方喷出处理液。喷出处理液后，在关闭第一阀391并打开第二和第三阀392、393的状态下，驱动喷射器351。由此，连接部39和喷出部41之间残存的处理液被送回处理液罐330。因此，可以防止在下一次喷出时将在连接管44和喷嘴部410内温度下降了的处理液喷到基板9上方，并且能够高效地回收处理液。
这里，针对在从处理液供应部至喷出部的流路中使处理液放电的比较例的基板处理装置进行阐述。如图5A所示，在比较例的基板处理装置中，在管道中设置接地用的电极，由此在喷出部91的离开喷出口911的位置处使处理液90(图5A中用平行斜线表示。图5B和图5C同样。)放电。与图1的基板处理装置1相同，当回收喷出部91内的处理液90(进行回吸)时，有时会产生处理液90分散地残留在喷出部91内形成的所谓的断液。在这种情况下，由于没有确保处理液90的连续性，如图5B所示，所以因喷出部91带电而导致的感应带电使处理液90中的电子变为游离状态。并且，在下一次进行基板9的处理时，如图5C所示，包含游离电荷的处理液90在喷出部91内移动，如图5D所示，并从喷出口911向基板9喷出。结果，因处理液90和基板9间的电位差导致的放电破坏了基板9上的膜等。另外，即使是不进行回吸的装置，在处理液具有发泡性或者处理液中混入气泡的情况下，同样地，由于喷出部91内的处理液失去连续性，处理液也不能放电。
与此相对，在含有图3的喷出部41的基板处理装置1中，喷出部41的顶端部42中的顶端液体接触面451具有导电性，顶端液体接触面451通过接地部5电接地。由此，即使是在因回吸导致产生断液的情况下或者处理液具有发泡性的情况或处理液中混入气泡的情况下，也能更加可靠地使被喷到基板9上方的处理液放电。结果，能够防止发生基板9上方的膜等的破坏。另外，喷出部41中，液体接触面45由不含金属的材料形成，因此能更可靠地防止基板9的金属污染。进一步地，基板处理装置1中，由于只有顶端液体接触面451接地，与在处理液的流路中多个位置上配置接地用电极的情况相比，可以削减基板处理装置的制造成本。
另外，在喷出部41中，包含顶端部42在内的部位由导电性材料形成为一体的构件，接地部5所具有的接地线51与该构件直接连接。由此，能够降低顶端液体接触面451和接地线51之间的电阻，提高顶端液体接触面451的放电能力。进一步地，在喷嘴部410附近，将接地线51配置在由不含金属的材料形成的保护管52内，由此能更可靠地防止因接地线51导致的基板9的金属污染。辅助喷出部40a、40b兼有支承喷出部41和保护管52的臂，由此能简化喷出单元4的结构。
顺带一提，若在喷出口的附近设置喷出部的其他部位，则有时从喷出口喷出的处理液的液滴会附着在该部位，形成液滴的集团。在这种情况下，例如，集团落到处理后的基板9上方，基板9的处理的均一性降低。与此相对，基板处理装置1中，与基板9的上表面相向的喷出口411的周缘位于喷出口411附近的喷出部41的最低点。由此，能防止在喷出口411的周围形成处理液的集块(后述的图6至图8的喷出部41a、41b同样)。
图6是示出喷出部的其他示例的剖视图。图6的喷出部41a具有筒状的顶端部46、连接管47和保护管48。顶端部46具有小径部461和大径部462。小径部461具有喷出口411。小径部461的内周面的直径比大径部462的内周面的直径小。顶端部46由导电性材料形成。优选，顶端部46仅由导电性材料构成。该导电性材料不含金属，本实施方式中，该导电性材料是玻璃状碳。
连接管47的本体由不含金属的材料，例如具有耐化学腐蚀性的氟系树脂形成。在连接管47的外周面设有在连接管47的长度方向上连续的导电部471(图6中用粗实线表示。后述的图7和图8同样。)。导电部471设在周向的整体或者一部分。即，导电部471在连接管47的外周面的至少一部分中在长度方向上连续。导电部471由导电性材料，例如导电性PFA等导电性氟系树脂形成。另外，导电性PFA含有微量的金属。
连接管47的外周面的直径与顶端部46的大径部462的内周面的直径大致相等，比小径部461的内周面的直径大。连接管47的顶端插入大径部462内，连接管47与顶端部46连接。连接管47的外周面与大径部462的内周面接触，导电部471与顶端部46连接。由此，导电部471与作为小径部461的内周面的顶端液体接触面451电连接。另外，在离开顶端部46的位置，例如罩单元23的外侧，导电部471通过接地部5电接地。
基板处理装置1中，用处理液供应部33向连接管47的与顶端部46相反一侧的端部供应处理液，处理液经连接管47被导出至顶端部46。作为在喷出部41a中与处理液接触的面的液体接触面45由不含金属的材料形成(仅由不含金属的材料构成)。液体接触面45是连接管47的内周面和顶端部46的小径部461的内周面的集合。
保护管48由不含金属的材料，例如氟系树脂形成。优选，保护管48仅由该材料构成。连接管47插入保护管48内。保护管48的内周面接近或接触连接管47。由此，在顶端部46的附近，导电部471被保护管48覆盖。连接管47和保护管48由例如辅助喷出部40a、40b(参照图4)支承。优选，保护管48至少在顶端部46附近覆盖连接管47的外周面。例如，保护管48在上下方向上与基板9重叠的整个范围覆盖连接管47。
保护管48的外周面的直径与顶端部46的大径部462的外周面的直径大致相等。保护管48的端部和顶端部46被嵌入并固定在筒状的固定构件432中。固定构件432由不含金属的材料，例如氟系树脂形成。优选，固定构件432仅由该材料构成。
在具有图6的喷出部41a的基板处理装置1中，顶端部46的顶端液体接触面451具有导电性，顶端液体接触面451通过接地部5电接地。由此，即使在因回吸产生断液的情况下或者在处理液具有发泡性的情况或处理液混入气泡等情况下，也能够更可靠地使喷在基板9上的处理液放电。另外，在喷出部41a中，由于液体接触面45由不含金属的材料形成，能更可靠地防止基板9的金属污染。
喷出部41a中，通过将具有导电部471的连接管47的一端与顶端部46连接，导电部471与顶端液体接触面451电连接。而且，导电部471在离开顶端部46的位置通过接地部5电接地。由此，能容易地将顶端液体接触面451接地。另外，连接管47插入筒状的顶端部46内，连接管47的外周面和顶端部46的内周面面接触。由此，能降低两者间的接触电阻并且能将导电部471与顶端液体接触面451电连接，能更可靠地使顶端液体接触面451接地。进一步地，在顶端部46附近，用保护管48覆盖连接管47的外周面，由此能防止因连接管47的导电部471导致的基板9的金属污染。
图7是示出喷出部的又一示例的剖视图。图7的喷出部41b中，与图6的喷出部41a相比，不同点是追加了在保护管48的内周面和连接管47的外周面之间形成环状间隙481的间隔物49。其他的构成与图6的喷出部41a相同，在相同的构成上附有相同的附图标记。
间隔物49是筒状构件，一端具有凸缘部491。间隔物49中，凸缘部491的外周面的直径比其他部位的外周面的直径大。间隔物49由不含金属的材料，例如氟系树脂形成。优选，间隔物49仅由该材料构成。
在筒状的固定构件432的一端,形成向该固定构件432的中心轴一侧突出的环状突出部433。喷出部41b中,顶端部46插入固定构件432，环状突出部433配置在小径部461的周围。小径部461的顶端突出到环状突出部433的下侧。间隔物49被固定在插入了顶端部46的固定构件432。例如，通过焊接间隔物49的外周面的下端和固定构件432的外周面的上端，将两构件固定。优选，在周向的整周上进行焊接。固定构件432的内周面的直径与顶端部46的大径部462的外周面的直径大致相等。连接管47插入间隔物49和大径部462中。连接管47的外周面与大径部462的内周面接触。例如，连接管47的外周面与间隔物49的上端面焊接。
在顶端部46的小径部461的上端面，即，在连接小径部461的内周面和大径部462的内周面的环状面设有O型环472。连接管47的顶端面通过O型环472与顶端部46抵接。O型环472由不含金属的材料，例如氟系树脂形成。优选，O型环472仅由该材料构成。利用O型环472能防止流经喷出部41b内的处理液渗入连接管47的外周面和大径部462的内周面之间。
保护管48套入间隔物49的比凸缘部491偏上侧的部位。由此，连接管47的外周面和保护管48的内周面之间形成环状间隙481。环状间隙481在连接管47和保护管48的长度方向上延伸。例如，通过焊接保护管48的外周面的下端和凸缘部491的外周面的上端，将两构件固定。由此，保护管48和间隔物49的连接部可以防止气体、液体通过。
如上所述，图7的喷出部41b是向图6的喷出部41a添加了间隔物49，并在连接管47的外周面和保护管48的内周面之间设置环状间隙481而得到的。在具有喷出部41b的基板处理装置1中，因环状间隙481的存在，能减小流经连接管47内部的处理液因外部空气而产生的温度変化。基板处理装置1中，也可通过向环状间隙481供应用于调整温度的流体，来进行处理液的温度调整。
如图8所示，O型环472，也可设在固定构件432的环状突出部433的内周面。图8的例子中，假定处理液渗入连接管47的外周面和大径部462的内周面之间，也能防止处理液流经小径部461的外周面和环状突出部433的内周面之间而从喷出口411外落下。
所述基板处理装置1可以有多种变形。
基板处理装置1中，除具有导电性的药液以外，也可以是从喷出部41、41a、41b喷出其他的具有导电性的处理液。另外，也可以是从喷出部41、41a、41b喷出不具有导电性的处理液。这样的处理液若以带电的状态被喷出到基板9上方，则也会发生基板9上方的膜等的破坏，因此优选当即将从喷出口411喷出前，通过接地的顶端液体接触面451放电。作为处理液，除各种药液以外，也有纯水、碳酸水或有机溶剂等示例。
喷出部41、41a、41b中，只有液体接触面45由不含金属的材料形成，其他的部位可由含金属的材料形成。即，至少液体接触面45由不含金属的材料形成。另外，具有导电性的顶端液体接触面451，除玻璃状碳以外，也可以由CVDSiC(通过化学气相蒸镀法成膜的碳化硅)等不含金属的导电性材料形成。
喷出部41、41a、41b，可用于各种用处理液处理基板9的基板处理装置。如上所述，由于易发生因回吸导致的处理液的断液，因此可以说更可靠地使处理液放电的所述方法特别适合具有回收在供应管线32的回收位置和喷出部41、41a、41b之间存在的处理液的处理液回收部35的基板处理装置1。
由基板处理装置1处理的基板不限于半导体基板，也可以是玻璃基板或其他基板。
所述实施方式和各变形例的构成，只要不互相矛盾就可以随意组合。
虽然详细地描写说明了本发明，但上述的说明是示例说明而不是限定的。因此，只要不脱离本发明的范围，可以有多种变形或方式。
附图标记说明
1 基板处理装置
5 接地部
9 基板
32 供应管线
33 处理液供应部
34 回收管线
35 处理液回收部
39 连接部
40a、40b 辅助喷出部
41、41a、41b 喷出部
42、46 顶端部
44、47 连接管
45 液体接触面
48、52 保护管
51 接地线
351 喷射器
411 喷出口
451 顶端液体接触面
471 导电部
481 环状间隙

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
喷出部，液体接触面由不含金属的材料形成，所述液体接触面中的位于具有喷出口的顶端部的顶端液体接触面具有导电性，从所述喷出口向基板喷出处理液，
处理液供应部，向所述喷出部供应所述处理液，
接地部，将所述顶端液体接触面电接地，
所述顶端部是所述喷出部所包含的喷嘴部的顶端部，
所述喷嘴部具有：
本体部，具有内部流路，
所述顶端部，形成有所述喷出口，
壳部，覆盖所述本体部的周围，
所述处理液经所述内部流路被导出至所述喷出口，
所述本体部和所述顶端部由导电性材料形成为一体的构件，
所述接地部所具有的接地线与所述本体部直接连接，
所述喷出部的所述喷出口在所述基板的一个主面的上方与所述主面相向，
所述喷出口的周缘是所述喷出部的在所述喷出口附近的最低点。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述顶端液体接触面由玻璃状碳形成。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有：
臂，支承所述喷出部，
保护管，被所述臂支承，并且由不含金属的材料形成；
所述接地线配置在所述保护管内。
4.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
喷出部，液体接触面由不含金属的材料形成，所述液体接触面中的位于具有喷出口的顶端部的顶端液体接触面具有导电性，从所述喷出口向基板喷出处理液，
处理液供应部，向所述喷出部供应所述处理液，
接地部，将所述顶端液体接触面电接地，
所述喷出部具有连接管，在所述连接管的外周面的至少一部分具有在长度方向上连续的导电部，
所述连接管的一端与所述顶端部连接，由此所述导电部与所述顶端液体接触面电连接，
由所述处理液供应部向所述连接管的另一端供应所述处理液，
所述接地部在离开所述顶端部的位置，将所述连接管的所述导电部电接地。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述连接管插入筒状的所述顶端部内，由此所述导电部与所述顶端液体接触面电连接。
6.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷出部还具有保护管，所述保护管由不含金属的材料形成，至少在所述顶端部的附近覆盖所述连接管的所述外周面。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述连接管的所述外周面和所述保护管的内周面之间设有环状间隙。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有：
供应管线，连接所述喷出部和所述处理液供应部，
回收管线，一端与所述供应管线上的回收位置连接，
处理液回收部，具有设在所述回收管线上的喷射器，回收在所述供应管线的所述回收位置和所述喷出部之间存在的处理液。
9.如权利要求4至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷出部的所述喷出口在所述基板的一个主面的上方与所述主面相向，
所述喷出口的周缘是所述喷出部的在所述喷出口附近的最低点。
10.如权利要求3至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述顶端液体接触面由玻璃状碳形成。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6876570B2 (ja) * 2017-07-28 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
US11056358B2 (en) * 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
JP2019160958A (ja) * 2018-03-12 2019-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6971949B2 (ja) * 2018-10-05 2021-11-24 三菱電機株式会社 液体吐出ノズルおよび半導体製造装置
JP2021064729A (ja) * 2019-10-16 2021-04-22 旭サナック株式会社 液体噴射装置、および液体噴射方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070130716A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Kunio Yamada Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007317821A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN101161355A (zh) * 2006-10-13 2008-04-16 大日本网目版制造株式会社 喷嘴及具有该喷嘴的基板处理装置
CN101207015A (zh) * 2006-12-15 2008-06-25 大日本网目版制造株式会社 双流体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法
JP2008166346A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115873A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体の製造装置および半導体の製造方法
JP4989370B2 (ja) * 2006-10-13 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 ノズルおよびそれを備える基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070130716A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Kunio Yamada Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007317821A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN101161355A (zh) * 2006-10-13 2008-04-16 大日本网目版制造株式会社 喷嘴及具有该喷嘴的基板处理装置
CN101207015A (zh) * 2006-12-15 2008-06-25 大日本网目版制造株式会社 双流体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法
JP2008166346A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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