TWI642089B - 基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種基板處理裝置，其藉由處理液供給部將處理液供給至噴出部(41)，且從噴出部(41)之噴出口(411)朝向基板噴出處理液。在噴出部(41)中，其接液面(45)係由不含金屬之材料所形成，接液面(45)當中之位於具有噴出口(411)之前端部(42)中的前端接液面(451)係具有導電性。前端接液面(451)係藉由接地部(5)而電性接地。藉此，可以將處理液更確實地進行靜電去除，並且防止基板之金屬污染。
Description
本發明係關於一種基板處理裝置。
在朝向基板噴出處理液的基板處理裝置中係利用由具有耐藥品性之材料、例如氟樹脂所形成的配管。因如此的配管之表面，例如是帶有負的電荷，故流動於該配管的處理液之電子會藉由感應帶電而游離。包含已游離之電荷的處理液、即帶電的處理液係往噴出口(ejection port)移動，並朝向基板噴出。結果，藉由處理液與基板之電位差所引起的放電，就會發生基板上之膜或電路圖案等的破壞。處理液之帶電亦會因處理液本身、或處理液與配管之摩擦而產生。因如此之靜電破壞的發生，將使製品裝置之良率降低，故而會造成較大的問題。於是，在日本特開2006-269677號公報(文獻1)中，已提出以下之手法：在液槽(tank)、濾箱(filter box)、歧管(manifold)等中，設置與處理液接觸的碳電極，且將碳電極予以接地，藉此防止處理液之帶電。又，在日本特開2007-234814號公報(文獻2)中，已提出以下之手法：將能夠供處理液流通的石英管予以接地，藉此在處理液與石英管接觸時去除處理液所帶的電荷。
另外，在日本特開2003-278972號公報中，係藉由將導電性配管連接於接地，來防止因聚合物(polymer)去除液流通於導電性配管內時之摩擦帶電所引起的起火。又，在日本特開平10-270407號公報中，係藉由將形成細孔用以噴射洗淨水之噴灑頭(spray tip)的材質設為燒結鑽石，來防止靜電之產生及噴射口之擴大。
可是，在發泡性之處理液或已混入氣泡的處理液，例如流動於噴出部(ejection part)之附近之較細的流路時，有時液體之連續性會因氣泡而消失。在此情況下，在利用設置於遠離噴出口之位置的構件進行靜電去除(remove static electricity)的上述文獻1及2之手法中，將變得難以進行被噴出的處理液之靜電去除。
另一方面，在基板之處理中，要防止基板之金屬污染是極為重要的。即便是在利用包含導電性樹脂等之配管的情況下，因導電性樹脂等仍包含微量的金屬，故而金屬污染會因基板之種類而造成問題。通常，燒結鑽石亦包含微量之金屬作為黏結劑(binder)等。
本發明之目的係在於提供一種基板處理裝置，其可將處理液更確實地進行靜電去除，並且防止基板之金屬污
染。
本發明之基板處理裝置係具備：噴出部，其接液面(liquid contact surface)係由不含金屬之材料所形成，前述接液面當中之位於具有噴出口之前端部中的前端接液面係具有導電性，且從前述噴出口將處理液朝向基板噴出；處理液供給部，用以將前述處理液供給至前述噴出部；以及接地部，用以將前述前端接液面電性接地。
依據本發明，可以將處理液更確實地進行靜電去除，並且防止基板之金屬污染。
較佳為，前述前端接液面係由玻璃狀碳所形成。
在本發明之一較佳的形態中，在前述噴出部中包含前述前端部的部位係藉由導電性材料形成作為一連結的構件；前述接地部所具有的接地線係直接連接於前述構件。在此情況下，更佳為，基板處理裝置係更具備：臂部，用以支承前述噴出部；以及保護管，其支承於前述臂部，並且由不含金屬之材料所形成；前述接地線係配置於前述保護管內。
在本發明之另一較佳的形態中，前述噴出部係具備：連接管，其在外周面之至少一部分具有連續於長邊方向的
導電部；藉由前述連接管之一端連接於前述前端部，而使前述導電部電性連接於前述前端接液面；藉由前述處理液供給部將前述處理液供給至前述連接管之另一端；前述接地部係在遠離前述前端部之位置，將前述連接管之前述導電部電性接地。在此情況下，更佳為藉由前述連接管插入筒狀之前述前端部內，而使前述導電部電性連接於前述前端接液面。
前述噴出部亦可由不含金屬之材料所形成，且在至少前述前端部之附近更具備用以覆蓋前述連接管之前述外周面的保護管。較佳為，在前述連接管之前述外周面與前述保護管之內周面之間設置有環狀間隙。
在本發明之一態樣中，基板處理裝置係更具備：供給管路，用以連接前述噴出部和前述處理液供給部；回收管路，其一端連接於前述供給管路中的回收位置；以及處理液回收部，其具有設置於前述回收管路的射出器，且回收存在於前述供給管路之前述回收位置與前述噴出部之間的處理液。
在本發明之另一態樣中，前述噴出部之前述噴出口係在前述基板之一主面的上方與前述主面對向；前述噴出口之周緣為前述噴出口附近的前述噴出部之最下點。
上述之目的及其他目的、特徵、態樣及優點係能參照所附圖式並利用以下所進行之本發明的詳細說明而獲得明白。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理部
3‧‧‧處理液供給單元
4‧‧‧噴出單元
5‧‧‧接地部
9‧‧‧基板
21‧‧‧保持部
22‧‧‧保持部旋轉機構
23‧‧‧杯形單元
31‧‧‧本體箱
32‧‧‧供給管路
33‧‧‧處理液供給部
34‧‧‧回收管路
35‧‧‧處理液回收部
39‧‧‧連接部
40a、40b‧‧‧輔助噴出部
41、41a、41b、91‧‧‧噴出部
42、46‧‧‧前端部
43‧‧‧蓋體部
44、47‧‧‧連接管
45‧‧‧接液面
48、52‧‧‧保護管
49‧‧‧間隔件
51‧‧‧接地線
61a至61c、62‧‧‧連結部
90‧‧‧處理液
330‧‧‧處理液槽
331‧‧‧加熱器
332‧‧‧泵浦
333‧‧‧過濾器
351‧‧‧射出器
391‧‧‧第一閥
392‧‧‧第二閥
393‧‧‧第三閥
410‧‧‧噴嘴部
411、911‧‧‧噴出口
412‧‧‧內部流路
420‧‧‧本體部
431‧‧‧管安裝部
432‧‧‧固定構件
433‧‧‧環狀突出部
451‧‧‧前端接液面
461‧‧‧小徑部
462‧‧‧大徑部
471‧‧‧導電部
472‧‧‧O環
481‧‧‧環狀間隙
491‧‧‧凸緣部
圖1係顯示基板處理裝置之構成的示意圖。
圖2係顯示噴出單元的前視圖。
圖3係顯示噴出部的剖視圖。
圖4係顯示噴出單元的俯視圖。
圖5A係用以說明比較例之基板處理裝置中的處理液之帶電的示意圖。
圖5B係用以說明比較例之基板處理裝置中的處理液之帶電的示意圖。
圖5C係用以說明比較例之基板處理裝置中的處理液之帶電的示意圖。
圖5D係用以說明比較例之基板處理裝置中的處理液之帶電的示意圖。
圖6係顯示噴出部之另一例的剖視圖。
圖7係顯示噴出部之更另一例的剖視圖。
圖8係顯示噴出部之更另一例的剖視圖。
圖1係顯示本發明之一實施形態的基板處理裝置1之構成的示意圖。基板處理裝置1為將處理液供給至大致圓
板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)並逐片處理基板9的單片式之裝置。
基板處理裝置1係具備處理部2及處理液供給單元3。處理部2係具備保持部21、保持部旋轉機構22、噴出單元4及杯形單元(cup unit)23。保持部21係保持作為基板9之一主面的下表面。保持部旋轉機構22係以與基板9之主面垂直的旋轉軸為中心而旋轉保持部21。噴出單元4係朝向作為基板9之另一主面的上表面噴出處理液。杯形單元23係承接從旋轉的基板9之上表面飛散的處理液，並回收處理液。本實施形態之處理液為酸性或鹼性的藥液，且具有導電性。如後面所述般，處理液亦可為(幾乎)不具有導電性者。有關噴出單元4之構造的詳細內容將於後述。
處理液供給單元3係具備本體箱31、供給管路32、處理液供給部33、回收管路34及處理液回收部35。處理液供給部33係具備用以貯留處理液的處理液槽330。供給管路32係用以連接處理液槽330和處理部2的噴出單元4。處理液供給部33係更具備加熱器331、泵浦332及過濾器333。加熱器331、泵浦332及過濾器333，係從處理液槽330朝向噴出單元4依此順序設置於供給管路32。加熱器331、泵浦332及過濾器333係配置於本體箱31內。加熱器331係將流動於供給管路32之處理液加熱至指定之溫度。泵浦332係將處理液槽330內之處理液經由供給管路32
而送至噴出單元4。過濾器333係去除流動於供給管路32的處理液中之非必要物。
在處理部2之附近，在供給管路32係設置有作為混合閥(mixing valve)的連接部39。回收管路34之一端係連接於連接部39，另一端係連接於處理液槽330。處理液回收部35係具備射出器(ejector)351及過濾器352。射出器351及過濾器352係從連接部39朝向處理液槽330依此順序設置於回收管路34。連接部39係在供給管路32之與處理液槽330側之部位連接的連接位置具有第一閥391，在供給管路32之與噴出單元4側之部位連接的連接位置具有第二閥392，在與回收管路34連接的連接位置具有第三閥393。在圖1中係以黑點顯示第一閥391至第三閥393。
在閉塞第一閥391且開放第二及第三閥392、393之狀態下，藉由驅動射出器351，存在於連接部39與噴出單元4之間的處理液，就能經由回收管路34而回收至處理液槽330。藉由如此的射出器351之抽吸而致使的處理液之回收亦被稱為回吸(suck back)。連接部39係成為供給管路32中的處理液之回收位置。在過濾器352中，流動於回收管路34的處理液中之非必要物會被去除。另外，與回收管路34之連接部39為相反側的端部亦可連接於與處理液槽330不同的回收槽。
圖2係顯示噴出單元4的前視圖。噴出單元4係具備在處理部2中被配置於基板9之上方的噴出部41。噴出部41係具備噴嘴部410及連接管44。噴嘴部410係具有在基板9之上表面的上方朝向該上表面開口的噴出口411。連接管44係由不含金屬之材料、例如PFA(四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer))或PTFE(聚四氟乙烯)等之具有耐藥品性的氟樹脂所形成。較佳為，連接管44係僅由該材料所構成。連接管44之一端係連接於噴嘴部410，另一端係連接於供給管路32之噴出單元4側的端部(參照圖1)。藉由供給管路32，能連結噴出部41和處理液供給部33，且對噴出部41供給處理液。在處理基板9時，處理液係從噴出口411朝向基板9之上表面連續地噴出。在本實施形態中，處理液係被噴出成從噴出口411連續至基板9之上表面的柱狀。
圖3係顯示藉由包含噴出口411之中心軸的面所形成的噴出部41之剖面的示意圖。在圖3中係僅顯示噴嘴部410之附近。噴嘴部410係具備：具有內部流路412的本體部420；形成有噴出口411的前端部42；以及覆蓋本體部420之周圍的蓋體部43。蓋體部43係具有：可供連接管44之端部安裝的管安裝部431。來自連接管44之處理液係經由內部流路412而導向噴出口411。前端部42為比蓋體部43之下部更朝向下方突出的環狀部位。在前端部
42之周圍並未配置噴出部41之其他的構件。從而，噴出口411之周緣為噴出口411附近中的噴出部41之最下點。
在噴嘴部410中，本體部420及前端部42係藉由導電性材料形成作為一連結的構件。較佳為，該構件係僅由導電性材料所構成。該導電性材料係不含金屬，在本實施形態中，該導電性材料為玻璃狀碳。又，蓋體部43係由不含金屬之材料、例如氟樹脂所形成。較佳為，蓋體部43係僅由該材料所構成。在噴出部41中作為與處理液接觸之面的接液面45係由不含金屬之材料所形成(在此，接液面45之整體係僅由不含金屬之材料所構成)。接液面45為連接管44之內周面、蓋體部43之內面的一部分、本體部420以及前端部42之內面的集合。在以下之說明中係將接液面45當中之位於前端部42的部分、即形成噴出口411的部分稱為「前端接液面」，在圖3中係對前端接液面附記符號451。如已述般，前端接液面451係由玻璃狀碳所形成。
如圖2所示，在本體部420之上部係連接有保護管52之一端。保護管52係由不含金屬之材料、例如氟樹脂所形成。較佳為，保護管52係僅由該材料所構成。保護管52係藉由連結部61a至61c來與連接管44捆紮成束，保護管52之另一端係配置於遠離噴嘴部410之位置、例如杯形單元23(參照圖1)之外側。在保護管52內係配置有接地部5之接地線51。接地線51之一端係直接連接於本體部420
之上部。接地線51係由金屬所形成。接地線51之另一端係在保護管52之另一端的外側電性接地。藉此，噴嘴部410之本體部420及前端部42係被電性接地。換言之，包含圖3之前端接液面451的接液面45之一部分被接地。
圖4係顯示噴出單元4之俯視圖。如圖4所示，噴出單元4係更具備二個輔助噴出部40a、40b。各輔助噴出部40a、40b係具有噴出管401。噴出管401之不鏽鋼等金屬管的內周面例如係由氟樹脂等所塗覆，外周面係由氟樹脂之管所覆蓋。噴出管401係可以作為剛性較高的棒狀構件。噴出管401係在噴嘴部410之附近朝向下方(與圖4之紙面呈垂直的方向)彎曲，且其前端朝向基板9開口。噴出管401係連接於純水或IPA(異丙醇(isopropyl alcohol))等輔助處理液之供給源。輔助噴出部40a、40b係將輔助處理液朝向基板9噴出。另外，在圖2之噴出單元4的前視圖中係省略了輔助噴出部40a、40b之圖示。
保護管52、以及位於保護管52之下方的連接管44(參照圖2)係藉由連結部61a至61c而固定於二個輔助噴出部40a、40b。噴嘴部410及保護管52係藉由連結部62而固定於二個輔助噴出部40a、40b。如此，二個輔助噴出部40a、40b係作為用以支承噴出部41(噴嘴部410及連接管44)及保護管52的臂部。在處理部2係設置有省略圖示的轉動機構，該轉動機構係在噴出來自噴出部41之處理液時、以及
噴出來自輔助噴出部40a、40b之輔助處理液時，擺動輔助噴出部40a、40b。
在圖1之基板處理裝置1中，藉由處理液來處理基板9時，第一及第二閥391、392被開放，可藉由處理液供給部33將處理液供給至噴出部41。藉此，可從噴出口411將處理液噴出至基板9上。在噴出處理液之後閉塞第一閥391，且開放第二閥392及第三閥393之狀態下驅動射出器351。藉此，殘存於連接部39與噴出部41之間的處理液可回送到處理液槽330。因而，能防止在連接管44及噴嘴部410內溫度已降低的處理液，於下次噴出時被噴出至基板9上，並且能夠效率佳地回收處理液。
在此，針對在從處理液供給部至噴出部之流路中，將處理液進行靜電去除的比較例之基板處理裝置加以敘述。如圖5A所示，在比較例之基板處理裝置中係能藉由在配管中設置接地用的電極，在遠離噴出部91之噴出口911的位置將處理液90(在圖5A中附記平行斜線來顯示。圖5B及圖5C中同樣)進行靜電去除。與圖1之基板處理裝置1同樣，在回收噴出部91內之處理液90(進行回吸作業)時，有時會在噴出部91內零散殘存處理液90，發生所謂的液體中斷。在此情況下，因無法確保處理液90之連續性，故而如圖5B所示，會成為因藉由噴出部91之帶電所引起的感應帶電使處理液90中之離子游離的狀態。然後，在處
理下一個基板9時，如圖5C所示，包含游離後之電荷的處理液90會移動至噴出部91內，並如圖5D所示，從噴出口911朝向基板9噴出。結果，因藉由處理液90與基板9之電位差所引起的放電，會使基板9上之膜等被破壞。又，因即便是未進行回吸作業的裝置，仍會在處理液具有發泡性的情況、或處理液中已混入氣泡的情況下，同樣地失去噴出部91內的處理液之連續性，故而無法將處理液進行靜電去除。
相對於此，在圖3之具有噴出部41的基板處理裝置1中，噴出部41之前端部42中的前端接液面451係具有導電性，且藉由接地部5，能使前端接液面451電性接地。藉此，即便是在因回吸作業而發生液體中斷的情況、或是處理液具有發泡性的情況、或處理液中已混入氣泡的情況等，仍可以將被噴出至基板9上的處理液更確實地進行靜電去除。結果，可以防止基板9上之膜等的破壞發生。又，在噴出部41，因接液面45係由不含金屬之材料所形成，故而可以更確實地防止基板9之金屬污染。再者，在基板處理裝置1中，因僅將前端接液面451接地，故而比起在處理液之流路中的複數個位置配置接地用之電極的情況等，還可以削減基板處理裝置之製造成本。
又，在噴出部31中包含前端部42的部位係藉由導電性材料形成作為一連結的構件，接地部5所具有的接地線
51係直接連接於該構件。藉此，可以降低前端接液面451與接地線51之間的電阻，且可以提高前端接液面451中的除電能力。再者，藉由在噴嘴部410之附近使接地線51配置於由不含金屬之材料所形成的保護管52內，就可以更確實地防止因接地線51所引起的基板9之金屬污染。藉由輔助噴出部40a、40b兼作為支承噴出部41及保護管52的臂部，就可以簡化噴出單元4之構造。
可是，當在噴出口之附近設置有噴出部之其他的部位時，從噴出口噴出的處理液之液滴就會附著於該部位，有時會形成液滴的集塊。在此情況下，例如，當集塊掉落在處理後之基板9上時，基板9之處理的均一性就會降低。相對於此，在基板處理裝置1中，與基板9之上表面對向的噴出口411之周緣係成為噴出口411附近中的噴出部41之最下點。藉此，可以防止處理液之集塊在噴出口411之周圍形成(在後述的圖6至圖8之噴出部41a、41b中同樣)。
圖6係顯示噴出部之另一例的剖視圖。圖6之噴出部41a係具備筒狀之前端部46、連接管47及保護管48。前端部46係具備小徑部461及大徑部462。小徑部461係包含噴出口411。小徑部461之內周面的直徑係比大徑部462之內周面的直徑更小。前端部46係由導電性材料所形成。較佳為，前端部46係僅由導電性材料所構成。該導電材料係不含金屬，在本實施形態中，該導電性材料為玻璃狀碳。
連接管47之本體係由不含金屬之材料、例如具有耐藥品性的氟樹脂所形成。在連接管47之外周面係設置有連續於連接管47之長邊方向的導電部471(在圖6中係以粗實線所示。在後述之圖7及圖8中同樣)。導電部471係設置於周方向中的全體或一部分。亦即，導電部471係在連接管47之外周面的至少一部分連續於長邊方向。導電部471係由導電性材料、例如導電性PFA等的導電性氟樹脂所形成。另外，導電性PFA係包含微量的金屬。
連接管47之外周面的直徑係與前端部46中的大徑部462之內周面的直徑大致相等，且比小徑部461之內周面的直徑更大。連接管47之前端係插入大徑部462內，且連接管47連接於前端部46。連接管47之外周面係與大徑部462之內周面接觸，且導電部471係與前端部46連接。藉此，導電部471係電性連接於作為小徑部461之內周面的前端接液面451。又，在遠離前端部46之位置、例如杯形單元23之外側，能藉由接地部5使導電部471電性接地。
在基板處理裝置1中係藉由處理供給部33將處理液供給至連接管47中之與前端部46為相反側的端部，處理液係經由連接管47而導引至前端部46。作為在噴出部41a中與處理液接觸之面的接液面45係由不含金屬之材料所形成(僅由不含金屬之材料所構成)。接液面45為連接管47
之內周面、以及前端部46中的小徑部461之內周面的集合。
保護管48係由不含金屬之材料、例如氟樹脂所形成。較佳為，保護管48係僅由該材料所構成。在保護管48內係插入有連接管47。保護管48之內周面係與連接管47之外周面接近或接觸。如此，導電部471就能在前端部46之附近藉由保護管48所覆蓋。連接管47及保護管48，例如是由輔助噴出部40a、40b(參照圖4)所支承。保護管48，較佳是至少在前端部46之附近覆蓋連接管47之外周面。例如，保護管48係在上下方向與基板9重疊的範圍之全體上覆蓋連接管47。
保護管48之外周面的直徑係與前端部46中的大徑部462之外周面的直徑大致相等。保護管48之端部及前端部46係嵌入並固定於筒狀之固定構件432。固定構件432係由不含金屬之材料、例如氟樹脂所形成。較佳為，固定構件432係僅由該材料所構成。
在圖6之具有噴出部41a的基板處理裝置1中，前端部46中的前端接液面451係具有導電性，前端接液面451能藉由接地部5而電性接地。藉此，即便是在因回吸作業而發生液體中斷的情況、或是處理液具有發泡性的情況或處理液中已混入氣泡的情況等，仍可以將被噴出至基板9
上的處理液更確實地進行靜電去除。又，在噴出部41a中，因接液面45係由不含金屬之材料所形成，故而可以更確實地防止基板9之金屬污染。
在噴出部41a中，藉由具有導電部471的連接管47之一端連接於前端部46，就能使導電部471電性連接於前端接液面451。然後，在遠離前端部46之位置，導電部471能藉由接地部5而電性接地。藉此，可以使前端接液面451輕易地接地。又，連接管47係插入筒狀之前端部46內，連接管47之外周面與前端部46之內周面係進行面接觸。藉此，可以一邊降低兩者間的接觸電阻一邊將導電部471電性連接於前端接液面451，且可以將前端接液面451更確實地接地。再者，藉由連接管47之外周面在前端部46之附近由保護管48所覆蓋，就可以防止因連接管47之導電部471所引起的基板9之金屬污染。
圖7係顯示噴出部之更另一例的剖視圖。在圖7之噴出部41b中，與圖6之噴出部41a作比較，其差異點係在於：追加有在保護管48之內周面與連接管47之外周面之間形成環狀間隙481的間隔件49。其他構成係與圖6之噴出部41a同樣，且在相同之構成附記相同的符號。
間隔件49為筒狀構件，且在一方之端部具有凸緣部491。在間隔件49中，凸緣部491中的外周面之直徑係比
其他部位中的外周面之直徑更大。間隔件49係由不含金屬之材料、例如氟樹脂所形成。較佳為，間隔件49係僅由該材料所構成。
在筒狀的固定構件432之一端係形成有朝向其中心軸側突出的環狀突出部433。在噴出部41b中，前端部46被插入固定構件432，且在小徑部461之周圍配置有環狀突出部433。小徑部461之前端係比環狀突出部433更朝向下側突出。間隔件49係固定於插入有前端部46的固定構件432。例如，能藉由間隔件49之外周面的下端與固定構件432之外周面的上端之熔接，進行兩構件之固定。熔接，較佳是施加及於周方向之全周。固定構件432之內周面的直徑、以及前端部46中的大徑部462之外周面的直徑係大致相等。連接管47係插入間隔件49及大徑部462。連接管47之外周面係與大徑部462之內周面接觸。例如，連接管47之外周面係與間隔件49之上端面熔接。
在前端部46之小徑部461的上端面、即用以連接小徑部461之內周面與大徑部462之內周面的環狀面係設置有O環472。連接管47之前端面係透過O環472來與前端部46抵接。O環472係由不含金屬之材料、例如氟樹脂所形成。較佳為，O環472係僅由該材料所構成。藉由O環472，就能防止流動於噴出部41b內的處理液侵入連接管47之外周面與大徑部462之內周面之間。
保護管48係嵌入比間隔件49之凸緣部491更靠上側的部位。藉此，在連接管47之外周面與保護管48之內周面之間形成有環狀間隙481。環狀間隙481係朝向連接管47及保護管48之長邊方向延伸。例如，能藉由保護管48之外周面的下端與凸緣部491之外周面的上端之熔接，進行兩構件之固定。藉此，就能在保護管48與間隔件49之連接部，防止氣體或液體之通過。
如以上，在圖7之噴出部41b中係對圖6之噴出部41a附加有間隔件49，且在連接管47之外周面與保護管48之內周面之間設置有環狀間隙481。在具有噴出部41b的基板處理裝置1中係可以藉由環狀間隙481之存在而降低因流動於連接管47內的處理液之外部空氣所引起的溫度變化。在基板處理裝置1中亦可對環狀間隙481供給溫度調整用之流體，藉此進行處理液之溫度調整。
如圖8所示，O環472亦可設置於固定構件432之環狀突出部433的內周面。在圖8之例中，即便處理液侵入連接管47之外周面與大徑部462之內周面之間，仍能防止處理液通過小徑部461之外周面與環狀突出部433之內周面之間而從噴出口411外落下。
在上述基板處理裝置1中係能夠進行各種的變化。
在基板處理裝置1中，除了具有導電性之藥液以外，具有導電性之其他的處理液亦可從噴出部41、41a、41b噴出。又，不具有導電性的處理液亦可從噴出部41、41a、41b噴出。當如此之處理液在已帶電的狀態下被噴出至基板9上時，亦會發生基板9上之膜等的破壞，故而較佳是在即將從噴出口411噴出之前，透過被接地的前端接液面451進行靜電去除。作為處理液，除了各種藥液以外，可例示純水、碳酸水或有機溶劑等。
在噴出部41、41a、41b中亦可僅有接液面45是由不含金屬之材料所形成，而其他部位是由含金屬之材料所形成。亦即，至少接液面45係由不含金屬之材料所形成。又，具有導電性的前端接液面451係除了玻璃狀碳以外，亦可由CVDSiC(藉由化學氣相蒸鍍法所成膜的碳化矽)等之不含金屬的導電性材料所形成。
噴出部41、41a、41b係能夠在藉由處理液來處理基板9之各種的基板處理裝置中利用。如已述般，因處理液容易藉由回吸動作而發生液體中斷，故將處理液更確實地進行靜電去除之上述手法，可謂特別適於具有將存在於供給管路32之回收位置與噴出部41、41a、41b之間的處理液予以回收的處理液回收部35之基板處理裝置1。
基板處理裝置1所處理的基板並未被限定於半導體基板，亦可為玻璃基板或其他的基板。
上述實施形態及各變化例之構成，只要不相互地矛盾亦可適當地組合。
雖然已詳細描寫並說明發明，但是已述的說明係例示而非限定。從而，可謂只要在未脫離本發明之範圍內仍能夠進行多數的變化或態樣。
Claims (10)
- 一種基板處理裝置，具備：噴出部，其作為與處理液接觸之面的接液面係由不含金屬之材料所形成，前述接液面當中之位於具有噴出口之前端部中的前端接液面係具有導電性，且從前述噴出口將處理液朝向基板噴出；處理液供給部，用以將前述處理液供給至前述噴出部；以及接地部，用以將前述前端接液面電性接地。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述前端接液面係由玻璃狀碳所形成。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中在前述噴出部中包含前述前端部的部位係藉由導電性材料形成作為一連結的構件；前述接地部所具有的接地線係直接連接於前述構件。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中更具備：臂部，用以支承前述噴出部；以及保護管，其支承於前述臂部，並且由不含金屬之材料所形成；前述接地線係配置於前述保護管內。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述噴出部係具備：連接管，其在外周面之至少一部分具有連續於長邊方向的導電部；藉由前述連接管之一端連接於前述前端部，而使前述導電部電性連接於前述前端接液面；藉由前述處理液供給部將前述處理液供給至前述連接管之另一端；前述接地部係在遠離前述前端部之位置，將前述連接管之前述導電部電性接地。
- 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中藉由前述連接管插入筒狀之前述前端部內，而使前述導電部電性連接於前述前端接液面。
- 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述噴出部係由不含金屬之材料所形成，且在至少前述前端部之附近更具備用以覆蓋前述連接管之前述外周面的保護管。
- 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中在前述連接管之前述外周面與前述保護管之內周面之間設置有環狀間隙。
- 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置，其中更具備：供給管路，用以連接前述噴出部和前述處理液供給部；回收管路，其一端連接於前述供給管路中的回收位置；以及 處理液回收部，其具有設置於前述回收管路的射出器，且回收存在於前述供給管路之前述回收位置與前述噴出部之間的處理液。
- 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述噴出部之前述噴出口係在前述基板之一主面的上方與前述主面對向；前述噴出口之周緣為前述噴出口附近的前述噴出部之最下點。
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