CN107423802A - 芯片卡和用于制造芯片卡的方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提供一种芯片卡。芯片卡能够具有：芯片卡体部，所述芯片卡体部具有用于容纳芯片载体的第一凹部和处于第一凹部中的、用于容纳芯片的第二凹部，所述芯片设置在芯片载体上；和增益天线结构，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域能够具有多个耦合绕组，其中芯片耦合区域能够嵌入芯片卡体部中，其中第二凹部的底部与耦合绕组的面向第二凹部的最高区域相比更浅地设置在芯片卡体部中。

Description

芯片卡和用于制造芯片卡的方法
技术领域
本发明涉及一种芯片卡和一种用于制造芯片卡的方法。
背景技术
芯片卡通常用作为非接触式芯片卡，或者用作为如下芯片卡：所述芯片卡能够实现与芯片卡外部的基站的非接触的和基于接触的数据交换。
在这两种情况下，所谓的半导体模块(也称作为芯片卡模块)能够结合芯片卡体部一起使用，所述半导体模块能够具有芯片载体、例如芯片载体基底，在所述芯片载体上能够安装有芯片，在所述芯片卡体部中能够设置有天线(也称作为增益天线)。
在图1中示出典型的芯片卡模块100。
芯片卡模块100能够具有用于基于接触的运行的接触侧102，所述接触侧也能够称作为ISO侧，因为多个设置在接触侧102上的接触部112典型地根据ISO 7816-2的规范构成。
此外，芯片卡模块100能够具有芯片载体116，所述芯片载体通常具有聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亚胺(PI)或层压材料。
芯片模块100还能够具有芯片110。芯片110能够作为所谓的“倒装芯片”(即被翻转，使得芯片110的接触部朝向芯片载体116)安装(与之相应地，该工艺也称作为“板上倒装芯片”)。芯片110能够安装在芯片卡模块100的第二侧104上。与之相应地，第二侧104也能够称作为芯片侧104。
芯片卡模块100能够形成为所谓的COM模块。这表示：在芯片载体116上设置有与芯片110连接的天线106(也称作为模块天线106)，以借助于与所谓的增益天线的电感耦合来发送和接收电信号。这种芯片卡模块100也称作为“Coil-on-Module(线圈模块)”模块或COM模块(表示“线圈模块”模块)。
在图2中示出增益天线222，其作为嵌入到芯片卡体部220中的增益天线222。
在芯片卡模块100中，能够借助于通孔、例如借助于具有导电覆层的开口、即所谓的“电镀穿孔”(PHT)建立芯片侧上的端子和ISO侧上的端子之间的连接。
在图2中的具有增益天线222的芯片卡体部220中能够设置有芯片卡模块(COM模块)100，进而形成用于基于接触的和非接触的数据交换的芯片卡(基于英文术语“DualInterface，双界面”，这种芯片卡相应地也称作为DIF芯片卡)。
这种DIF芯片卡例如用于在公共短途交通、身份验证或银行业的领域中应用。
为了将芯片卡模块100作为芯片卡的一部分安装，例如为了将芯片卡模块100在区域226中嵌入到芯片卡体部220中，能够在芯片卡体部220中例如借助于铣削提供或提供有两级凹部。
如在图3中(下部)示出，在第一凹部330中能够设置有整个芯片卡模块100。
在更深的第二凹部226中能够设置有芯片110(例如作为倒装芯片安装的芯片110)。
增益天线222通常能够大致居中地设置在大致760μm厚的芯片卡(或者同样厚的芯片卡体部220)中，以便避免芯片卡的机械失衡和弯曲。
在此，在使用DIF模块100时，典型地，第二凹部226比嵌入的增益天线222的竖直位置更深。在图3中，这通过如下事实可见：第二凹部226从芯片卡体部220的第一表面220s1起测量的深度226t大于如下平面和表面220s1之间的间距224h：所述平面连接增益天线222的芯片耦合区域224的朝向第一表面220s1的表面。
因为第二凹部226从表面220s1伸出增益天线222的平面或其芯片耦合区域224的平面，所以必须将芯片耦合区域224设置成，使得其在形成、例如铣削第二凹部226时不被损坏。除了第二凹部226的对于将芯片110设置在第二凹部226中所需的宽度之外，必须设有安全区域，以便考虑生产公差(例如增益天线222的定位公差或其芯片耦合区域224的定位公差和/或铣削公差)。
这表示：增益天线222的耦合区域224能够以距芯片卡模块100的横向中部相对大的横向间距设置，进而在芯片耦合区域224和芯片卡模块100或设置在其上的天线106之间仅存在小的横向叠加。
换言之，增益天线(或芯片耦合区域224)的内径224i大于第二凹部226的尺寸(例如直径)226b。
由于增益天线几何形状(或芯片耦合区域224)的这种限制，有损增益天线222(或其芯片耦合区域224)和模块天线106之间的电感耦合的质量。
因为对于良好的或最佳的电感耦合会需要增益天线222(或其芯片耦合区域224)和模块天线106的良好叠加，但是由于限制无法实现，使得会限制该设计的电效能，例如在最小场强Hmin方面和/或在数据传输率VHBR方面(表示“Very High Bit Rate(超高比特率)”，德语“sehrhohe Bitrate”)。
对此，存在对于如下芯片卡的需求：在所述芯片卡中，消除(或至少减少)上面描述的装置的上述几何形状限制和(从中产生的)电学限制。
发明内容
在不同的实施例中，提供具有FCOS-COM模块的芯片卡，所述FCOS-COM模块具有极其薄的半导体芯片，即厚度在大约30μm至大约80μm的范围中的半导体芯片，所述半导体芯片是芯片卡的一部分，所述芯片卡具有嵌入的天线、例如线天线，用于与COM模块电感耦合。根据经验，厚度在该范围中的薄的芯片是足够柔性的，以便在机械负荷下抵抗折断。薄的倒装芯片的可行性或可用性已经结合非接触式COM模块示出。
在不同的实施例中，为了将芯片卡模块嵌入到芯片卡中，第二凹部的深度能够小于增益天线的上侧(或增益天线的芯片耦合区域)和芯片卡体部的第一表面之间的间距。由此，能够实现增益天线的芯片耦合区域和第二凹部之间的(横向)叠加。
在不同的实施例中，能够使用极其薄的(例如大致30μm至大至80μm厚的)倒装芯片，所述倒装芯片能够实现极其扁平的第二凹部，所述第二凹部能够与增益天线的芯片耦合区域(例如横向地)叠加。对此的条件能够是：第二凹部的深度能够小于增益天线的芯片耦合区域的上侧和芯片卡的上侧之间的间距，使得在形成(例如铣削)第二凹部期间，天线、例如天线线缆不会受到损坏的危险。
因此，在不同的实施例中，能够提供或提供有芯片耦合区域的下述几何形状：所述几何形状提供与模块天线的区域的良好的叠加，这引起高质量的电感耦合。
与常规的布置相反，根据不同的实施例能够实现：选择芯片耦合区域的与第二凹部的几何形状无关的电学优化的设计。
在不同的实施例中，提供芯片卡。芯片卡能够具有：芯片卡体部，所述芯片卡体部具有用于容纳芯片载体的第一凹部和处于第一凹部中的、用于容纳芯片的第二凹部，所述芯片设置在芯片载体上；和增益天线结构，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域能够具有多个耦合绕组，其中芯片耦合区域能够嵌入芯片卡体部中，其中第二凹部的底部与耦合绕组的面向第二凹部的最高区域相比更浅地设置在芯片卡体部中。
在不同的实施例中，芯片卡还能够具有芯片载体与设置在所述芯片载体上的芯片，其中芯片载体能够容纳在第一凹部中；和其中芯片容纳在第二凹部中。
在不同的实施例中，第二凹部的底部能够以距芯片卡体部的表面最大450μm的深度设置在芯片卡体部中，第一凹部能够从所述表面起设置在芯片卡体部中。
在不同的实施例中，增益天线结构能够施加在载体薄膜上，其中耦合绕组的最高区域能够是增益天线结构的芯片耦合区域的最高点。
在不同的实施例中，第二凹部的底部和耦合绕组的面向第二凹部的最高区域之间的间距能够为至少50μm。
在不同的实施例中，多个耦合绕组中的至少五个耦合绕组横向地与第一凹部叠加。
在不同的实施例中，提供芯片卡。芯片卡能够具有：芯片卡体部，所述芯片卡体部具有用于容纳芯片载体的第一凹部和处于第一凹部中的、用于容纳芯片的第二凹部，所述芯片设置在芯片载体上，其中第一凹部横向地对芯片载体区域限界；和增益天线结构，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域能够具有多个耦合绕组，其中芯片耦合区域能够嵌入芯片卡体部中，其中多个耦合绕组中的至少五个耦合绕组横向地设置在芯片载体区域之内。
在不同的实施例中，芯片能够具有80μm或更小的厚度。
在不同的实施例中，芯片耦合区域的至少一部分能够设置在第二凹部的底部和芯片卡体部的第二侧之间，所述第二侧与芯片卡体部的第一侧相对置，所述第一侧具有第一凹部和第二凹部。
在不同的实施例中，提供用于制造芯片卡的方法。该方法能够具有：将增益天线结构嵌入到芯片卡体部中，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域能够具有多个耦合绕组；将用于容纳芯片载体的第一凹部设置在芯片卡体部中；和将用于容纳芯片的第二凹部设置在第一凹部中，所述芯片能够设置在芯片载体上，其中第二凹部的底部与耦合绕组的面向第二凹部的最高区域相比能够更浅地设置在芯片卡体部中。
在不同的实施例中，提供用于制造芯片卡的方法。该方法能够具有：将增益天线结构嵌入到芯片卡体部中，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域能够具有多个耦合绕组；将用于容纳芯片载体的第一凹部设置在芯片卡体部中，其中第一凹部横向地对芯片载体区域限界；和将用于容纳芯片的第二凹部设置在第一凹部中，所述芯片能够设置在芯片载体上，其中多个耦合绕组中的至少五个耦合绕组能够横向地设置在芯片载体区域之内。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
附图示出：
图1示出具有芯片和芯片天线的常规的芯片载体的上侧和下侧的示意图；
图2示出具有增益天线和用于嵌入芯片载体的凹部的常规的芯片卡的示意图；
图3示出具有用于嵌入芯片载体的凹部的芯片卡体部的示意横截面图，其中未示出芯片载体和芯片(上方)或示出芯片载体和芯片(下方)；
图4示出根据不同实施例的具有用于嵌入芯片载体的凹部的芯片卡体部的示意横截面图，其中未示出芯片载体和芯片(上方)或示出芯片载体和芯片(下方)；
图5示出根据不同实施例的具有芯片和芯片天线的芯片载体的示意图(左侧)和增益天线的芯片耦合区域的示意图(右侧)，其中示出天线的叠加区域；
图6示出根据不同实施例的用于制造芯片卡的方法的流程图；和
图7示出根据不同实施例的用于制造芯片卡的方法的流程图。
具体实施方式
在下面详细的描述中，参考所附的附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中为了说明示出具体的实施方式，在所述实施方式中能够实施本发明。就此而言，方向术语例如“上方”、“下方”、“前方”、“后方”、“前”、“后”等参考所描述的(多个)附图的取向使用。因为实施方式的部件能够以多种不同的取向定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是：能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不会偏离本发明的保护范围。要理解的是：只要没有特别地另作说明，在此描述的不同的示例性的实施方式的特征就能够彼此组合。因此，下面详细的描述不能够理解为是限制性意义的，并且本发明的保护范围通过下面的描述限定。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，相同的或类似的元件设有相同的附图标记，只要这是适当的。
图4示出芯片卡401的示意横截面图，所述芯片卡具有芯片卡体部220，所述芯片卡体部具有用于嵌入芯片载体116的凹部226、330：根据不同的实施例，未示出芯片载体116和芯片110(上方)，或者示出芯片载体116和芯片110(下方)。
图5根据不同的实施例示出芯片卡模块400、即具有芯片110和模块天线106的芯片载体116的示意图(左侧)和增益天线222的芯片耦合区域224的示意图(右侧)，其中示出天线106、224的叠加区域。
在不同的实施例中，设备的或设备的一部分的结合图4和图5描述的组件、材料、作用、尺寸、间距等对应于结合图1至3描述的组件、材料、作用、尺寸、间距等。因此，能够不进行重复，并且组件、材料、作用、尺寸、间距等能够设有相同的附图标记。
如在图4中示出的，根据不同的实施例，能够在芯片卡体部220中从芯片卡体部220的第一表面220s1起设置有具有宽度330b的第一凹部330。
第一凹部330能够例如借助于铣削设置在芯片卡体部220中。当然，也能够将其他已知的方法用于在芯片卡体部220中形成开口。
芯片卡体部220如上描述那样在不同的实施例中能够具有聚合物材料了，例如PET和/或PI。例如，芯片卡体部220能够多层地形成，例如具有层压材料。芯片卡体部220的厚度能够是下述典型厚度：所述厚度例如能够大致为760μm。芯片卡体部220能够具有与其不同的适当的厚度。
在不同的实施例中，在第一凹部330之内能够设置有第二凹部226。第二凹部226例如能够从第一凹部330的底部起远离第一凹部330延伸。第二凹部226能够具有宽度226b和深度226t，其中能够自芯片卡体部220的第一表面220s1起测量第二凹部226的深度226t。第二凹部226能够例如借助于铣削设置在芯片卡体部220中。当然，也能够将其他已知的方法用于在芯片卡体部220中形成开口。
在不同的实施例中，第一凹部330能够用于容纳芯片载体116，并且第二凹部226能够用于容纳设置在芯片载体116上的芯片110。芯片110能够作为倒装芯片安装在芯片载体116上。
第二凹部226例如能够在第一凹部330之内设置在横向中央。当然，第二凹部226能够在第一凹部330之内设置成，使得在将芯片载体116设置在第一凹部330中时，安装在芯片载体116上的芯片110大致居中地设置在第二凹部226中。
在不同的实施例中，芯片卡401能够具有增益天线222(也称作为增益天线结构222)。增益天线222例如能够设置、例如嵌入在芯片卡体部220中。
在不同的实施例中，增益天线结构能够施加在载体薄膜上。
增益天线222在不同的实施例中能够具有由金属、例如铜、铜镍合金或铝构成的、设置在一个平面中的增益天线绕组。增益天线222能够形成为，使得其具有芯片耦合区域224，所述芯片耦合区域形成为，使得其能够与横向地设置在芯片耦合区域224之内的芯片110电感耦合或与导电地与芯片110连接的模块天线106电感耦合，所述模块天线同样能够设置在芯片耦合区域224之内。芯片耦合区域224能够具有多个绕组，也称作为耦合绕组。芯片耦合区域224的多个绕组能够形成一个平面，所述平面例如能够与由增益天线绕组形成的平面一致。
芯片耦合区域224(或者整个增益天线222)在不同的实施例中能够在芯片卡体部220中设置成，使得芯片耦合区域224的多个绕组的朝向芯片卡体部220的第一表面220s1以距芯片卡体部220的第一表面220s1的间距224h设置。在不同的实施例中，耦合绕组的最高区域能够是增益天线结构222的芯片耦合区域的最高点。
在不同的实施例中，耦合绕组224的面向第二凹部226的最高区域和第二凹部226的底部之间的间距能够为至少50μm。换言之，芯片耦合区域224的多个绕组的上侧距芯片卡体部220的第一表面220s1的间距224h和第二凹部226的深度226t之间的差能够大于大约50μm，例如大约60μm，例如大约70μm，例如大约80μm。
在不同的实施例中，耦合绕组224的面向第二凹部226的最高区域和第二凹部226的底部之间的间距能够形成安全间距，以便确保在形成第二凹部226时、例如在铣削时不损坏耦合绕组224。
在不同的实施例中，第二凹部226能够具有深度226t，所述深度小于芯片卡体部220的第一表面和芯片耦合区域224的多个绕组的上侧之间的间距224h。
在不同的实施例中，这能够通过使用极其薄的芯片110来实现，所述芯片例如具有在大约30μm至大约80μm范围中的、例如在大约50μm至大约70μm的范围中的芯片厚度。结合芯片载体116和粘附剂336、例如热压粘胶，能够为要设置在第一凹部和第二凹部中的芯片卡模块400得到大约250μm的总厚度(在芯片110所处的位置处)，其中所述芯片载体和粘附剂能够共同例如具有大约100μm至大约160μm的厚度。
在不同的实施例中，第二凹部226能够具有最大为大约450μm、例如最大为大约350μm、例如最大为大约300μm、例如最大为大约250μm的深度226t。
在最大深度例如大于大约350μm的情况下，第二凹部226的深度226t在不同的实施例中当然也能够始终还小于芯片卡体部220的第一表面220s1和芯片耦合区域224的多个绕组的朝向芯片卡体部220的第一表面220s1的上侧之间的间距224h。在该情况下，例如增益天线222和芯片耦合区域224与芯片卡体部220中的竖直中央相比更远离芯片卡体部220的第一表面220s1设置。在这种情况下例如也可行的是：使用如下芯片110：所述芯片比极其薄的芯片110更厚，例如使用具有常规厚度、例如具有不超过大约300μm或甚至不超过大约330μm的厚度的芯片110。
因为第二凹部226具有比芯片卡体部220的第一表面220s1和芯片耦合区域224的多个绕组的朝向芯片卡体部220的第一表面220s1的上侧之间的间距224h更小的深度226t，所以在不同的实施例中能够实现：能够放弃耦合绕组224的内径224i和第二凹部226的宽度226b之间的横向安全间距，即耦合绕组224能够独立于第二凹部226设置。
在不同的实施例中，能够通过第一凹部330限定横向的芯片载体区域。由于不通过第二凹部226来限制芯片耦合区域224的构型，能够将芯片耦合区域224的多个耦合绕组、例如至少五个绕组(例如至少六个、七个、八个、九个、十个、十一个、十二个或更多个绕组)横向地设置在芯片载体区域中。
在不同的实施例中，能够在芯片载体116上设置有模块天线106，所述芯片载体能够设置在第一凹部330之内。模块天线106能够具有多个模块天线绕组。
由于在芯片载体区域中设置例如至少五个耦合绕组，与常规设计所允许的最多三至四个绕组叠加相比，能够得到耦合绕组和模块天线绕组的高的叠加。这在考虑其他规范的同时例如能够实现高的数据传输率和/或应用更小的响应场强。在此，尤其将八个或更多个耦合绕组设置在芯片载体区域中能够随之带来效能的显著改进(例如在数据传输率和/或响应场强方面)。
为了进行对比，在图5中以相同的大小比例根据不同实施例示出芯片卡模块400(左侧，作为芯片载体116的第二侧104的示意俯视图，在所述第二侧上设置有芯片110和模块天线106)和示出增益天线222的芯片耦合区域224的示意俯视图(右侧)。
在该比较中可见：如果芯片卡模块400在第一凹部330中设置成，使得芯片110容纳在第二凹部226中(对此也参见图4)，那么将芯片卡模块400以在不同的实施例中执行的那样竖直地设置在芯片耦合区域224之上能够引起由增益天线222的芯片耦合区域224或由模块天线106覆盖的面的更大的覆盖，换言之，能够引起模块天线106与增益天线的芯片耦合区域224的更大的横向叠加，这能够随之带来上面提出的优点，例如在数据传输率和/或响应场强方面的优点。
在常规的芯片卡中，不仅第二凹部的在右边的示意图中用226标记的区域必须保持不具有芯片耦合区域224的绕组，而且还必须保持安全间距，使得仅能够构成芯片耦合区域224的大致三个最外部的绕组。
在不同的实施例中，芯片耦合区域224的至少一部分、例如耦合绕组中的至少一个绕组能够设置在第二凹部226的底部(所述第二凹部能够处于距第一表面220s1的间距226t处)和芯片卡体部220的第二侧之间，所述第二侧与芯片卡体部220的第一侧相对置，所述第一侧具有第一凹部330和第二凹部226(并且例如还有第一表面220s1)。这能够引起耦合绕组与模块天线绕组的上述覆盖与从中产生的上述优点。
图6示出根据不同实施例的用于制造芯片卡的方法的流程图600。
在不同的实施例中，该方法能够具有：将增益天线结构嵌入到芯片卡体部中，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域具有多个耦合绕组(在610中)；将用于容纳芯片载体的第一凹部设置在芯片卡体部中(在620中)；和将用于容纳芯片的第二凹部设置在第一凹部中，所述芯片设置在芯片载体上，其中第二凹部的底部与耦合绕组的面向第二凹部的最高区域相比更浅地设置在芯片卡体部中(在630中)。
图7示出根据不同实施例的用于制造芯片卡的方法的流程图700。
在不同的实施例中，该方法能够具有：将增益天线结构嵌入到芯片卡体部中，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中芯片耦合区域具有多个耦合绕组(在710中)；将用于容纳芯片载体的第一凹部设置在芯片卡体部中(在720中)；并且将用于容纳芯片的第二凹部设置在第一凹部中，所述芯片设置在芯片载体上，其中多个耦合绕组中的至少五个耦合绕组横向地设置在芯片载体区域之内(在730中)。
方法的其他有利的设计方案从对设备的描述中得出并且反之亦然。

Claims (11)

1.一种芯片卡，所述芯片卡具有：
·芯片卡体部，所述芯片卡体部具有用于容纳芯片载体的第一凹部和处于所述第一凹部中的、用于容纳芯片的第二凹部，所述芯片设置在所述芯片载体上；和
·增益天线结构，所述增益天线结构具有用于与所述芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中所述芯片耦合区域具有多个耦合绕组，其中所述芯片耦合区域嵌入所述芯片卡体部中，
·其中所述第二凹部的底部与所述耦合绕组的面向所述第二凹部的最高区域相比更浅地设置在所述芯片卡体部中。
2.根据权利要求1所述的芯片卡，所述芯片卡还具有：
所述芯片载体与设置在所述芯片载体上的芯片；
其中所述芯片载体容纳在所述第一凹部中；和
其中所述芯片容纳在所述第二凹部中。
3.根据权利要求1或2所述的芯片卡，
其中所述第二凹部的底部以距所述芯片卡体部的表面最大450μm的深度设置在所述芯片卡体部中，所述第一凹部从所述表面起设置在所述芯片卡体部中。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片卡，
·其中所述增益天线结构施加在载体薄膜上；
·其中所述耦合绕组的所述最高区域是所述增益天线结构的所述芯片耦合区域的最高点。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片卡，
其中所述第二凹部的底部和所述耦合绕组的面向所述第二凹部的所述最高区域之间的间距为至少50μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片卡，
其中多个所述耦合绕组中的至少五个耦合绕组横向地与所述第一凹部叠加。
7.一种芯片卡，所述芯片卡具有：
·芯片卡体部，所述芯片卡体部具有用于容纳芯片载体的第一凹部和处于所述第一凹部中的、用于容纳芯片的第二凹部，所述芯片设置在所述芯片载体上，其中所述第一凹部横向地对芯片载体区域限界；和
·增益天线结构，所述增益天线结构具有用于与所述芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中所述芯片耦合区域具有多个耦合绕组，其中所述芯片耦合区域嵌入所述芯片卡体部中，其中多个所述耦合绕组中的至少五个耦合绕组横向地设置在所述芯片载体区域之内。
8.根据上述权利要求中任一项所述的芯片卡，
其中所述芯片具有80μm或更小的厚度。
9.根据上述权利要求中任一项所述的芯片卡，
其中所述芯片耦合区域的至少一部分设置在所述第二凹部的底部和所述芯片卡体部的第二侧之间，所述第二侧与所述芯片卡体部的第一侧相对置，所述第一侧具有所述第一凹部和所述第二凹部。
10.一种用于制造芯片卡的方法，所述方法具有：
·将增益天线结构嵌入到芯片卡体部中，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中所述芯片耦合区域具有多个耦合绕组；
·将用于容纳芯片载体的第一凹部设置在所述芯片卡体部中；和
·将用于容纳芯片的第二凹部设置在所述第一凹部中，所述芯片设置在所述芯片载体上；
·其中所述第二凹部的底部与所述耦合绕组的面向所述第二凹部的最高区域相比更浅地设置在所述芯片卡体部中。
11.一种用于制造芯片卡的方法，所述方法具有：
·将增益天线结构嵌入到芯片卡体部中，所述增益天线结构具有用于与芯片进行电感耦合的芯片耦合区域，其中所述芯片耦合区域具有多个耦合绕组；
·将用于容纳芯片载体的第一凹部设置在所述芯片卡体部中，其中所述第一凹部横向地对芯片载体区域限界；和
·将用于容纳芯片的第二凹部设置在所述第一凹部中，所述芯片设置在所述芯片载体上；
·其中多个所述耦合绕组中的至少五个耦合绕组横向地设置在所述芯片载体区域之内。
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