CN107393847A - 具有不同加热器迹线材料的层压加热器 - Google Patents

具有不同加热器迹线材料的层压加热器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有不同加热器迹线材料的层压加热器。用于衬底处理系统的衬底支撑件包括多个加热区域、基板、布置在基板上的加热层和陶瓷层中的至少一个、以及设置在加热层和陶瓷层中的至少一个内的多个加热元件。多个加热元件包括具有第一电阻的第一材料。在多个加热区域的第一区域中通过基板提供接线。电连接从第一区域中的接线布线到多个加热元件的第一加热元件。第一加热元件布置在多个加热区域的第二区域中，并且电连接包括具有小于第一电阻的第二电阻的第二材料。

Description

具有不同加热器迹线材料的层压加热器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年5月10日提交的美国临时申请No.62/334,097和于2016年5月10日提交的美国临时申请No.62/334,084的权益。
本申请涉及在同一天提交的美国专利申请No.[xx/xxx,xxx](USPTO参考号4023-2US)。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及衬底处理系统，更具体地涉及用于控制衬底支撑件温度的系统和方法。
背景技术
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所命名的发明人的工作，在该背景技术部分以及本说明书的在申请时不会以其他方式被认为是现有技术的方面中描述的程度上，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。
衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上进行的示例性工艺包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻和/或其它蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件(例如基座，静电卡盘(ESC)等)上。在蚀刻期间，包括一种或多种前体的气体混合物可以被引入到处理室中，并且可以使用等离子体来引发化学反应。
诸如ESC之类的衬底支撑件可以包括配置成支撑晶片的陶瓷层。例如，在处理期间，晶片可以被夹持到陶瓷层。加热层可以布置在陶瓷层和衬底支撑件的基板之间。例如，加热层可以是包括加热元件、接线等的陶瓷加热板。通过控制加热板的温度，可以在处理期间控制衬底的温度。
发明内容
一种用于衬底处理系统的衬底支撑件包括多个加热区域、基板、布置在基板上的加热层和陶瓷层中的至少一个、以及设置在加热层和陶瓷层中的至少一个内的多个加热元件。多个加热元件包括具有第一电阻的第一材料。在多个加热区域的第一区域中通过基板提供接线。电连接从第一区域中的接线布线到多个加热元件中的第一加热元件。第一加热元件布置在多个加热区域的第二区域中，并且电连接包括具有小于第一电阻的第二电阻的第二材料。
在其他特征中，对于相同电压输入，所述电连接的热输出小于所述第一加热元件的热输出。多个加热元件中的每一个对应于具有第一电阻的第一电迹线(electricaltrace)，并且电连接对应于具有第二电阻的第二电迹线。电气连接对应于总线迹线(bustrace)。电连接的宽度大致等于第一加热元件的宽度。电连接的高度大致等于第一加热元件的高度。第二区域位于第一区域的径向外侧。
在其他特征中，衬底支撑件还包括通过所述基板提供的并且进入在所述第一区域的所述加热层和所述陶瓷层中的至少一个的通孔。多个加热元件设置在陶瓷层中，电连接通过陶瓷层布线。多个加热元件设置在加热层中，电连接通过加热层布线。
在另外的其它特征中，电连接和第一加热元件是共面的。衬底支撑件还包括布置在基板上的导体层，并且电连接通过导体层布线。导体层包含聚合物，电连接嵌入聚合物内。第一材料包括康铜、镍合金、铁合金和钨合金中的至少一种，第二材料包括铜、钨、银和钯中的至少一种。
本公开的其它适用范围将从详细说明书、权利要求书和附图中变得显而易见。详细描述和具体实施例仅仅是为了说明的目的，并不意图限制本公开的范围。
本发明的一些方面可以描述如下：
1.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
多个加热区域；
基板；
布置在所述基板上的加热层和陶瓷层中的至少一个；
设置在所述加热层和所述陶瓷层中的至少一个内的多个加热元件，其中所述多个加热元件包括具有第一电阻的第一材料；
在所述多个加热区域的第一区域中通过所述基板提供的接线；和
从所述第一区域中的所述接线布线到所述多个加热元件中的第一加热元件的电连接，其中所述第一加热元件布置在所述多个加热区域的第二区域中，并且其中所述电连接包括具有小于所述第一电阻的第二电阻的第二材料。
2.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，对于相同电压输入，所述电连接的热输出小于所述第一加热元件的热输出。
3.根据条款1所述的衬底支撑件，其中(i)所述多个加热元件中的每一个对应于具有所述第一电阻的第一电迹线，以及(ii)所述电连接对应于具有所述第二电阻的第二电迹线。
4.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述电连接对应于总线迹线。
5.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述电连接的宽度大致等于所述第一加热元件的宽度。
6.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述电连接的高度大致等于所述第一加热元件的高度。
7.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述第二区域位于所述第一区域的径向外侧。
8.根据条款1所述的衬底支撑件，还包括通过所述基板提供的并且进入在所述第一区域的所述加热层和所述陶瓷层中的所述至少一个的通孔，其中所述接线通过所述通孔布线。
9.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述多个加热元件设置在所述陶瓷层中，并且所述电连接通过所述陶瓷层布线。
10.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述多个加热元件设置在所述加热层中，并且所述电连接通过所述加热层布线。
11.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述电连接和所述第一加热元件是共面的。
12.根据条款1所述的衬底支撑件，还包括布置在所述基板上的导体层，其中所述电连接通过所述导体层布线。
13.根据条款12所述的衬底支撑件，其中所述导体层包括聚合物，并且所述电连接被嵌入所述聚合物内。
14.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述第一材料包括康铜、镍合金、铁合金和钨合金中的至少一种，并且所述第二材料包括铜、钨、银和钯中的至少一种。
附图说明
从详细描述和附图将更全面地理解本公开，其中：
图1是根据本公开的原理的包括衬底支撑件的示例性衬底处理系统的功能框图；
图2A是根据本公开的原理的示例性静电卡盘；
图2B示出了根据本公开的原理的示例性静电卡盘的区域和热控制元件；
图3A和3B示出了根据本公开的原理的第一示例性静电卡盘，其包括由第一材料形成的加热元件迹线和由第二材料形成的总线迹线；
图4A和4B示出了根据本公开的原理的第二示例性静电卡盘，其包括由第一材料形成的加热元件迹线和由第二材料形成的总线迹线；和
图5A和5B示出了根据本公开的原理的第三示例性静电卡盘，其包括由第一材料形成的加热元件迹线和由第二材料形成的总线迹线。
在附图中，附图标记可以重复使用以标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
诸如静电卡盘(ESC)之类的衬底支撑件可以包括一个或多个加热区域(例如，多区域ESC)。ESC可以包括用于加热层的每个区域的各个加热元件。加热元件被控制以在相应区域中的每一个中大致实现期望的设定点温度(setpoint temperature)。
加热层可以包括布置在衬底支撑件的上陶瓷层和基板之间的层压加热板。加热板包括布置在ESC的整个区域中的多个加热元件。加热元件包括电迹线或其他接线，该电迹线或其他接线接收从ESC下方的电压源通过基板提供的电压输入。例如，基板可以包括与加热板中的加热元件的连接点对准的一个或多个通孔(例如，孔或入口)。接线通过基板中的通孔连接在电压源和加热元件的连接点之间。
通常，期望通孔和通过通孔布线的接线尽可能靠近加热元件的对应连接点，以避开加热器排除区域(即，加热元件不能定位的区域)和降低温度不均匀性。例如，通孔可以位于连接点的正下方。然而，在一些ESC中，各种结构特征可能干扰在最理想位置提供通孔、接线和其它加热元件部件。因此，通孔和对应的接线可以进一步分开和/或可以位于ESC的目标区域的外部。例如，在具有中心区域、中间内部区域、中间外部区域和外部区域(例如，ESC的径向最外侧区域)的ESC中，用于外部区域的通孔和接线可以位于中间外部区域下面。
可能需要额外的布线来提供从通孔到ESC的各个区域的连接点的电压输入。在一些示例中，导体层布置在加热板下面，用于将接线布线到加热层的加热板中的连接点。导体层中的电迹线/接线可以称为总线迹线/接线。相反，对应于加热层的电迹线/接线可以称为加热元件接线/迹线。例如，导体层可以包括嵌入聚合物(例如，聚酰亚胺)内的接线。然而，导体层中的电迹线可能与加热层中的电迹线重叠，从而增加相应区域中的热输出。因此，导体层中的提供到某一区域(例如，到外部区域)的电压输入的电迹线影响在另一区域(例如，由电迹线穿过的区域，诸如中间外部区域)的温度。
在一些示例中，可以修改导体层中的电迹线的物理尺寸以使导体层中的电迹线对相应区域的温度的影响最小化。例如，可以调整电迹线的长度、宽度、厚度等和/或电迹线之间的间距，以使对于给定电压输入的电阻和热输出最小化。然而，以这种方式最小化热输出的能力是有限的。此外，电迹线的物理尺寸的变化导致干扰导体层的平坦度并且增多加热器排除区域。
根据本公开的原理的系统和方法使用用于总线迹线和加热元件迹线的不同材料，并且在一些示例中，提供加热器层内的总线迹线并消除导体层。例如，加热元件迹线可以包括第一材料，而总线迹线包括具有电阻比第一材料低的第二材料。因此，对于相同的电压输入，总线迹线比加热元件迹线输出的热量少。以这种方式，对于总线迹线和加热元件迹线使用不同的材料可改善设计灵活性(例如，通孔的位置)、减少加热器排除区域，并提高整个ESC的温度均匀性，同时保持总线迹线和加热元件迹线的相同物理尺寸并保持平坦度。
现在参考图1，示出了示例性衬底处理系统100。例如，衬底处理系统100可以用于使用RF等离子体和/或其它合适的衬底处理进行蚀刻。衬底处理系统100包括处理室102，其包围衬底处理室100的其它部件并且包含RF等离子体。衬底处理室100包括上电极104和衬底支撑件106(例如静电卡盘(ESC))。在操作期间，衬底108布置在衬底支撑件106上。尽管示出了特定衬底处理系统100和室102作为示例，但是本公开的原理可以应用于其他类型的衬底处理系统和室，例如原位产生等离子体的衬底处理系统、实现远程等离子体产生和传输(例如使用微波管)的衬底处理系统等。
仅作为示例，上电极104可以包括引入和分配工艺气体的喷头109。喷头109可以包括杆部，该杆部包括连接到处理室的顶表面的一端。基部大致为圆柱形，并且在与处理室的顶表面间隔开的位置处从杆部的相对端径向向外延伸。喷头的基部的面向衬底的表面或面板包括多个孔，工艺气体或净化气体通过这些孔流过。或者，上电极104可以包括导电板，并且可以以另一种方式引入工艺气体。
衬底支撑件106包括用作下电极的导电基板110。基板110支撑陶瓷层111，并且加热板112设置在基板110和陶瓷层111之间。例如，加热板112可以对应于层叠的多区域加热板。热阻层114(例如，接合层)可以布置在加热板112和基板110之间。基板110可以包括用于使冷却剂流过基板110的一个或多个冷却剂通道116。
RF发生系统120产生RF电压并将RF电压输出到上电极104和下电极(例如，衬底支架106的基板110)中的一者。上电极104和基板110中的另一者可以是直流接地、交流接地或浮动。仅作为示例，RF发生系统120可以包括RF电压发生器122，其产生由匹配和分配网络124馈送到上电极104或基板110的RF电压。在其他示例中，可以感应地或远程地产生等离子体。尽管如示例所示，RF发生系统120对应于电容耦合等离子体(CCP)系统，但是本公开的原理也可以在其他合适的系统中实现，其他合适的系统仅举例而言，例如，变压器耦合等离子体(TCP)系统、CCP阴极系统、远程微波等离子体发生和传送系统等。
气体输送系统130包括一个或多个气体源132-1,132-2，...和132-N(统称为气体源132)，其中N是大于零的整数。气体源提供一种或多种前体及其混合物。气体源也可以供应净化气体。也可以使用汽化前体。气体源132通过阀134-1,134-2，...和134-N(统称为阀134)和质量流量控制器136-1,136-2，...和136-N(统称为质量流量控制器)连接到歧管140。歧管140的输出被馈送到处理室102。仅作为示例，歧管140的输出被馈送到喷头109。
温度控制器142可以向多个加热元件(例如布置在加热板112中的加热元件144)提供电压输入。例如，加热元件144可以包括但不限于：对应于跨越多区域加热板中的相应区域的大型加热元件；和/或跨越多区域加热板的多个区域布置的微型加热元件阵列。温度控制器142可以用于控制多个加热元件144以控制衬底支撑件106和衬底108的温度。尽管如图所示，加热板112布置在陶瓷层111和基板110(和接合层114)之间，但在其它实例中，加热元件144可以设置在陶瓷层111内，并且可以省略加热板112。在其他示例中，加热元件144可以设置在加热板112和陶瓷层111中。
温度控制器142可与冷却剂组件146连通以控制通过通道116的冷却剂流。例如，冷却剂组件146可包括冷却剂泵和储存器。温度控制器142操作冷却剂组件146以选择性地使冷却剂流过通道116以冷却衬底支撑件106。
阀150和泵152可用于从处理室102排出反应物。系统控制器160可用于控制衬底处理系统100的部件。机器人170可用于将衬底输送到衬底支撑件106上，可以从衬底支撑件106移除衬底。例如，机器人170可以在衬底支撑件106和负载锁172之间传送衬底。尽管示出为单独的控制器，但温度控制器142可以在系统控制器160内实现。
现在参考图2A和2B，示出了示例性ESC 200。温度控制器204经由一个或多个电连接208与ESC 200通信。例如，电连接208可以包括但不限于用于选择性地控制加热元件212-1,212-2,212-3和212-4(统称为加热元件212)的连接和用于接收来自一个或多个区域温度传感器220的温度反馈的连接。
如图所示，ESC 200是多区域ESC，其包括区域224-1,224-2,224-3和224-4(统称为区域224)，这些区域分别可被称为外部区域、中间外部区域、中间内部区域和内部区域。虽然用四个同心区224示出，但是在一个实施例中，ESC 200可以包括一个、两个、三个或多于四个区域224。区域224的相对尺寸、形状、取向等可以变化。例如，区域224可以被提供为扇形或另一格栅状布置。仅举例而言，每个区域224包括区域温度传感器220中的相应一个和加热元件212中的相应一个。在多个实施例中，每个区域224可以有多于一个温度传感器220。
ESC 200包括：基板228，其包括冷却剂通道232；形成在基板228上的热阻层236；形成在热阻层236上的多区域陶瓷加热板240；和形成在加热板240上的上陶瓷层242。使用通过基板228和陶瓷层242布线的接线从温度控制器204向加热元件212提供电压输入。在一些示例中，加热元件212可以设置在陶瓷层242内。例如，可以省略专用加热板240。在图2A中，为了简化起见，示意性地示出了电连接208穿过热阻层236布线。在下面更详细描述的其它示例中，电连接208可以通过专用导体层、通过加热板240、通过陶瓷层242等被布线。
温度控制器204根据期望的设定点温度来控制加热元件212。例如，温度控制器204可以接收(例如，如图1所示的系统控制器160)一个或多个区域224的设定点温度。例如，温度控制器204可以接收针对区域224中的全部或一些的相同设定点温度和/或针对区域224中的每一个的不同的相应设定点温度。每个区域224的设定点温度可以在不同工艺之间以及在每个工艺的不同步骤之间变化。
温度控制器204基于由传感器220提供的相应设定点温度和温度反馈来控制每个区域224的加热元件212。例如，温度控制器204单独地调节提供给每个加热元件212的功率(例如，电流)来实现在每个传感器220处的设定点温度。加热元件212可各自包括单个电阻线圈或由图2B的虚线示意性表示的其它结构。因此，调节加热元件212中的一个影响整个相应区域224的温度，并且还可影响区域224中的其它区域。传感器220可仅为每个区域224的局部部分提供温度反馈。仅作为示例，传感器220可以位于每个区域224的预先确定为与该区域224的平均温度最相关的部分。
如图所示，相应的通孔246、250和254以及相应的电压输入设置在中间外部区域224-2、中间内部区域224-3和内部区域224-4中。如本文所用，“通孔”通常是指通过诸如基板228之类的某一结构的开口、端口等，而“接线”是指通孔内的导电材料。虽然仅作为示例，通孔在特定位置成对地示出，但是可以实施任何合适的位置和/或通孔的数量。例如，通孔246、250和254通过基板228提供，接线通过通孔246、250和254提供到相应的连接点。然而，对应于外部区域224-1的通孔258可以位于比通孔246、250和254更远的位置，并且可以位于中间外部区域224-2中。换句话说，外部区域224-1的加热元件的接线不直接设置在外部区域224-1的正下方。因此，需要额外的电连接以向外部区域224-1的加热元件提供电压输入。
现在参考图3A，3B，4A，4B，5A和5B，示出了包括由第一材料形成的加热元件迹线404和由第二材料形成的总线迹线408的示例ESC400。图3B是包括图3A的加热元件迹线404的ESC400的一部分的特写视图。图4B是包括图4A的加热元件迹线404的ESC400的一部分的特写视图。图5B是包括图5A的加热元件迹线404的ESC 400的一部分的特写视图。ESC 400具有多个区域，包括例如外部区域410-1、中间外部区域410-2、中间内部区域410-3和内部区域410-4，这些区域可统称为区域410。
第二材料具有比第一材料低的电阻。因此，总线迹线408比加热元件迹线404输出的热量更少。以这种方式，总线迹线408向加热元件迹线404提供电压输入，而不显著增加ESC 400的区域中的温度，其中总线迹线408与加热元件迹线404重叠。例如，总线迹线408可以跨越ESC 400的中部外部区域410-2以向ESC 400的外部区域410-1中的加热元件迹线404提供电压输入。然而，由于总线迹线408相对于加热元件迹线404的电阻较低，所以总线迹线408不会显著影响在其中中间外部区域410-2的加热元件迹线412与总线迹线408重叠的区域中的温度，也不会显著影响在其中外部区域410-1的加热元件迹线404与总线迹线408重叠的区域中的温度。因此，在不增加总线迹线408和加热元件迹线404的热输出重叠区域的情况下，总线迹线408的宽度和/或高度可以近似等于加热元件迹线404的宽度和/或高度。例如，总线迹线408的宽度和/或高度位于加热元件迹线404的宽度和/或高度的10％内。在另一示例中，总线迹线408的宽度和/或高度位于加热元件迹线404的宽度和/或高度的5％内。
如图3A和3B所示，ESC 400包括：加热层416，其包括加热元件迹线404；陶瓷层418；和包括总线迹线408的单独的导体层420。加热层416、陶瓷层418和导体层420形成在基板422上。为了简单起见，在图3A、3B、4A、4B、5A和5B中未示出接合层(例如，对应于接合层114)。相反，在图4A和4B中，ESC 400包括组合的加热/导体层424，其包括加热元件迹线404和总线迹线408两者。换句话说，加热元件迹线404和总线迹线408是共面的。因此，图3B所示的ESC400消除导体层420并且仅需要单层424。在仅具有单层424的一些示例中，可以提供包括第一材料的加热元件迹线404和包括第二材料的总线迹线408的单个导体片。例如，第一材料可以包括具有较高电阻的材料(例如康铜，镍合金，铁合金，钨合金等)，而第二材料可包括具有较低电阻的材料(例如，铜，钨，银，钯，它们的合金等)。在图5A和5B中，ESC 400不包括专用加热层416。在该示例中，加热元件迹线404、412等设置在陶瓷层418中。因此，总线迹线408通过陶瓷层418布线。
为了示例的目的，总线迹线408仅被示出为从中间外部区域410-2中的通孔428布线到外部区域410-1。然而，在其他示例中，通孔428和总线迹线408中的相应的那些可以设置在区域410中的任何一个或多个中。在一些示例中，总线迹线408跨越区域410中的多个区域(例如，从位于中间内部区域410-3中的通孔到外部区域410-1)布线。此外，尽管如图所示，总线迹线408从径向向内区域中的通孔布线到径向向外区域，但是在其它示例中，总线迹线408从径向向外区域中的通孔到径向向内区域(例如，从位于外部区域410-1中的通孔到中间内部区域410-3)布线。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，尽管本公开包括特定示例，但本公开的真实范围不应当如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个可以在任何其它实施方式中实现和/或与任何其它实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述也如此。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的交换保持在本公开的范围内。
元件之间(例如，模块，电路元件，半导体层等之间)的空间和功能关系使用包括“连接”、“接合”、“联接”、“相邻”、“邻近”、“在...上”、“上方”、“下方”和“设置”之类的各种术语进行描述。当在上述公开中描述第一和第二元件之间的关系时，除非明确地描述为“直接”，否则这种关系可以是其中没有其他中间元件存在于所述第一和第二元件之间的直接的关系，但也可以是其中一个或多个中间元件(或者在空间上或功能上)存在于所述第一和第二元件之间的间接的关系。如本文所使用的，短语A、B和C中的至少一个应该被解释为指使用非排他性的逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，且不应该被解释为指“A中的至少一个，B中的至少一个，和C中的至少一个”。
在一些实施方案中，控制器是系统的一部分，该系统的一部分可以是上述实施例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个加工工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定的处理部件(晶片基座、气体流动系统等)。这些系统可与电子器件集成，以便在半导体晶片或衬底的处理之前、期间或之后控制这些系统的操作。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种组件或子部分。根据处理要求和/或系统的类型，控制器可以被编程，以控制本发明所公开的工艺中的任何一些，包括控制处理气体的输送、温度的设置(例如，加热和/或冷却)、压力的设置、真空的设置、功率的设置、射频(RF)产生器的设置、RF匹配电路的设置、频率的设置，流率的设置、流体输送的设置、位置和操作的设置、晶片的进出工具和其他输送工具和/或连接到特定系统的或与特定系统接口的装载锁的传送。
从广义上讲，控制器可以被定义为接收指令、发出指令、控制操作、使能清洁操作、使能终点测量等的具有各种集成电路、逻辑、存储器、和/或软件的电子器件。这些集成电路可以包括固件形式的存储程序指令的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单个的设置(或程序文件)形式传输到控制器或系统的指令，所述设置(或程序文件)定义在半导体晶片上或针对半导体晶片进行特定处理的操作参数。在一些实施方式中，所述操作参数可以是由工艺工程师定义的以完成晶片的一个或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或管芯的制造过程中的一个或多个处理步骤的配方的一部分。
在一些实施方案中，控制器可以是与系统集成、耦接或者说是通过网络连接系统或它们的组合的计算机的一部分或者与该计算机耦接。例如，控制器可以在“云端”或者是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，它们可以允许远程访问晶片处理。计算机可以启用对系统的远程访问以监测制造操作的当前处理，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数，设置处理步骤以跟随当前的处理或者开始新的工艺。在一些实例中，远程计算机(例如，服务器)可以通过网络给系统提供工艺配方，网络可以包括本地网络或互联网。远程计算机可以包括允许输入或编程参数和/或设置的用户界面，这些输入或编程的参数和/或设置然后从远程计算机传送到系统。在一些实例中，控制器接收数据形式的指令，这些指令指明在一个或多个操作期间将要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，这些参数可以针对将要执行的工艺类型以及工具类型，控制器被配置成连接或控制该工具类型。因此，如上所述，控制器可以例如通过包括一个或多个分立的控制器而分布，这些分立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标(例如，本发明所述的工艺和控制)工作。用于这些目的的分布式控制器的实例可以是与一个或多个远程集成电路(例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分)通信的室内的一个或多个集成电路，它们结合以控制室内工艺。
示例的系统可以包括但不限于，等离子体蚀刻室或模块(使用感应或电容耦合等离子体)、沉积室或模块、旋转冲洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及在半导体晶片的制备和/或制造中可以关联上或使用的任何其他的半导体处理系统。
如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，控制器可以与一个或多个其他的工具电路或模块、其他工具组件、组合工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者在将晶片的容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口搬运的材料搬运中使用的工具通信。

Claims (10)

1.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
多个加热区域；
基板；
布置在所述基板上的加热层和陶瓷层中的至少一个；
设置在所述加热层和所述陶瓷层中的至少一个内的多个加热元件，其中所述多个加热元件包括具有第一电阻的第一材料；
在所述多个加热区域的第一区域中通过所述基板提供的接线；和
从所述第一区域中的所述接线布线到所述多个加热元件中的第一加热元件的电连接，其中所述第一加热元件布置在所述多个加热区域的第二区域中，并且其中所述电连接包括具有小于所述第一电阻的第二电阻的第二材料。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，对于相同电压输入，所述电连接的热输出小于所述第一加热元件的热输出。
3.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中(i)所述多个加热元件中的每一个对应于具有所述第一电阻的第一电迹线，以及(ii)所述电连接对应于具有所述第二电阻的第二电迹线。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述电连接对应于总线迹线。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述电连接的宽度大致等于所述第一加热元件的宽度。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述电连接的高度大致等于所述第一加热元件的高度。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述第二区域位于所述第一区域的径向外侧。
8.根据权利要求1所述的衬底支撑件，还包括通过所述基板提供的并且进入在所述第一区域的所述加热层和所述陶瓷层中的所述至少一个的通孔，其中所述接线通过所述通孔布线。
9.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述多个加热元件设置在所述陶瓷层中，并且所述电连接通过所述陶瓷层布线。
10.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述多个加热元件设置在所述加热层中，并且所述电连接通过所述加热层布线。
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