JP3172327U

JP3172327U - 半導体製造装置用部材

Info

Publication number: JP3172327U
Application number: JP2011005732U
Authority: JP
Inventors: 暢之近藤; 秀明高崎
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2010-10-07
Filing date: 2011-09-30
Publication date: 2011-12-15
Anticipated expiration: 2021-09-30

Abstract

【課題】ウエハをほぼ均質にプラズマ処理可能な半導体製造装置用部材を提供する。【解決手段】ウエハ処理部品１０は、プラズマＣＶＤ装置に組み込まれるものであり、円盤状のセラミックスサセプター２０と、このセラミックスサセプター２０のウエハ載置面Ｓの外周部分に配置されたガイドリング３０と、ウエハ載置面Ｓとは反対側の面（裏面）に接合された中空状のシャフト４０とを備えている。ガイドリング３０は、ウエハＷと同様、導電性を有するため、ウエハＷとこのウエハＷの外周に配置されたガイドリング３０とがほぼ同じ電位になる。そのため、上部電極と下部電極２４との間のプラズマ密度がウエハ面上で一定になり、ウエハＷをほぼ均質にプラズマ処理することができる。【選択図】図１

Description

本考案は、半導体製造装置用部材に関する。

従来より、半導体製造用のプラズマＣＶＤ装置においては、ウエハをサセプタに対しセンタリングするために、ウエハの外側にセラミックス製のガイドリングを置くものが知られている（例えば特許文献１参照）。こうしたプラズマＣＶＤ装置では、ウエハー載置面に載置されたウエハーの面内の膜厚分布を一定にするために、ウエハ上面の空間すなわち高周波上部電極と高周波下部電極との間の空間にプラズマを均一に立てることが重要である。

特開２０００−１１４３５３号公報

しかしながら、ウエハの外周部では、プラズマ密度の均一性が崩れ、成膜分布が悪くなる。そこで、高周波下部電極の外径をウエハの外径よりも２〜５０ｍｍ大きくすることで、ウエハの外周部までプラズマ密度が均一になるようにしているが、それでもウエハのエッジ部（外周縁）まで均一にすることは難しかった。その原因は、高周波上部電極と高周波下部電極との間のインピーダンスがウエハ載置面直上とその外側とで異なるためと考えられる。

本考案はこのような課題を解決するためになされたものであり、ウエハをほぼ均質にプラズマ処理可能な半導体製造装置用部材を提供することを主目的とする。

本考案の半導体製造装置用部材は、
上方に高周波上部電極を配置して使用する半導体製造装置用部材であって、
高周波下部電極を埋設したセラミックスサセプターと、
前記セラミックスサセプターのウエハ載置面の外周部に載置された導電性のガイドリングと、
を備えたものである。

この半導体製造装置用部材では、ガイドリングは、ウエハと同様、導電性を有するため、ウエハとその外周に配置されたガイドリングとがほぼ同じ電位になる。そのため、高周波上部電極と高周波下部電極との間のプラズマ密度がウエハ面上で一定になり、ウエハはほぼ均質にプラズマ処理される。

本考案の半導体製造装置用部材において、前記セラミックスサセプターには、さらに抵抗発熱体が埋設されていてもよい。こうすれば、抵抗発熱体に電力を供給することにより容易にウエハを加熱することができる。

本考案の半導体製造装置用部材において、前記ガイドリングは、厚みが前記ウエハ載置面に載置されるウエハの厚みの９３〜１０７％であり、前記ウエハと同じく前記ウエハ載置面上に載置されていることが好ましい。こうすれば、ウエハはより高いレベルで均質にプラズマ処理される。

本考案の半導体製造装置用部材において、前記ガイドリングは、シリコン、アルミニウム又はアルミニウム合金からなることが好ましい。こうすれば、プラズマ処理を行ったとき、ガイドリングに起因するコンタミを防止することができる。なお、アルミニウム又はアルミニウム合金は、耐食性の観点から、表面がアノーダイズされていることが好ましい。

本考案の半導体製造装置用部材において、前記ガイドリングの内径は、前記ウエハの外径より大きくその差が４ｍｍ以下（ウエハの外径の１０１．３％以内）であることが好ましく、３ｍｍ以下（ウエハの外径の１０１．０％以内）であることがより好ましい。こうすれば、ウエハはより高いレベルで均質にプラズマ処理される。

本考案の半導体製造装置用部材において、前記ガイドリングの外径は、前記下部電極の外径の１０１％以上であることが好ましい。こうすれば、ウエハはより高いレベルで均質にプラズマ処理される。

本考案の半導体製造装置用部材において、前記ガイドリングは、前記セラミックサセプターに向かって突出した突起を有し、前記セラミックスサセプターは、前記突起を挿入可能な位置決め穴を有していてもよい。あるいは、前記ガイドリングは、外周の少なくとも１箇所に切欠を有し、前記セラミックスサセプターは、前記ガイドリングをはめ込むことが可能な凹部を有していてもよい。いずれも、ガイドリングをセラミックスサセプターに簡単に位置決めすることができる。

ウエハ処理部品１０の縦断面図である。ウエハ処理部品１０の使用状態を表す説明図である。上部電極５２と下部電極２４との間にプラズマが発生したときの模式図である。図３の模式図の等価回路を表す説明図である。ガイドリング１３０及びセラミックスサセプター１２０の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。ガイドリング２３０及びセラミックスサセプター２２０の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。

次に、本考案を実施するための形態を図面を用いて説明する。図１は、本考案の半導体製造装置用部材の一例であるウエハ処理部品１０を中心軸を通りその中心軸と平行な面で切断したときの断面図である。なお、説明中、上下左右を用いることがあるが、これは相対的な位置関係を表すのに用いているだけであるから、例えば上を下に、左を右に置き換えても構わない。

ウエハ処理部品１０は、プラズマＣＶＤ装置に組み込まれるものであり、円盤状のセラミックスサセプター２０と、このセラミックスサセプター２０のウエハ載置面Ｓの外周部分に配置されたガイドリング３０と、ウエハ載置面Ｓとは反対側の面（裏面）に接合された中空状のシャフト４０とを備えている。

セラミックスサセプター２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。このセラミックスサセプター２０には、抵抗発熱体２２と下部電極２４とが埋設されている。抵抗発熱体２２は、例えばタングステンや炭化タングステンを主成分とするコイルで構成されている。また、抵抗発熱体２２は、セラミックスサセプター２０の中央付近に配設された正極端子２２ａから端を発し、一筆書きの要領でセラミックスサセプター２０のほぼ全域に配線されたあと正極端子２２ａの隣に設けられた負極端子２２ｂに至るように形成されている。この抵抗発熱体２２は、セラミックスサセプター２０の裏面に近い側に形成されている。なお、各端子２２ａ，２２ｂは、セラミックスサセプター２０の裏面から開けられた穿孔を介して外部に露出している。下部電極２４は、高周波放電プラズマを発生させる際に使用する電極であり、例えばモリブデンやモリブデン合金を主成分とする円形の板材、メッシュ又はパンチングメタルで構成されている。この下部電極２４は、中央にアース端子２４ａが設けられている。端子２４ａは、セラミックスサセプター２０の裏面から開けられた穿孔を介して外部に露出している。また、下部電極２４は、外径がウエハ載置面Ｓに載置されるシリコン製のウエハＷの外径よりも大きいものであり、セラミックスサセプター２０のウエハ載置面Ｓに近い側に形成されている。

ガイドリング３０は、導電性材料、例えばシリコン、アルミニウム又はアルミニウム合金で作製され、ウエハ載置面Ｓの外周部分に置かれている。アルミニウム又はアルミニウム合金で作製する場合には、耐食性の観点から、表面がアノーダイズされていることが好ましい。このガイドリング３０は、厚みがウエハＷの厚みと略同等であり、ウエハＷと同じくウエハ載置面Ｓ上に載置されている。ガイドリング３０の厚みは、ウエハＷの厚みの９３〜１０７％であることが好ましい。また、ガイドリング３０の内径は、ウエハＷの外径より大きく、ウエハＷの外径の１０１．３％以内であることが好ましい。更に、ガイドリング３０の外径は、下部電極２４の外径の１０１％以上であることが好ましい。

シャフト４０は、セラミックスサセプター２０と同じ材料で形成されている。このシャフト４０は、一端がセラミックスサセプター２０に接合され、他端が金属製の支持台４６にＯリング４８を介して気密に接続されている。シャフト４０の内部には、抵抗発熱体２２の正極端子２２ａ及び負極端子２２ｂのそれぞれに接続される給電棒４２ａ，４２ｂや下部電極２４のアース端子２４ａに接続されるアース棒４４ａが配置されている。給電棒４２ａ，４２ｂは、支持台４６と導通しないように支持台４６を上下方向に貫通している。アース棒４４ａは、支持台４６と導通するように支持台４６の非貫通穴に挿入されている。

次に、ウエハ処理部品１０の一製造例について説明する。まず、セラミックスサセプター２０の原料となるセラミック原料粉を用意し、抵抗発熱体２２、正極端子２２ａ、負極端子２２ｂ、下部電極２４、アース端子２４ａをセラミック原料粉に埋設し、そのセラミック原料粉を加圧してセラミック成形体とする。続いて、そのセラミック成形体をホットプレス焼成し、セラミックスサセプター２０とする。セラミックスサセプター２０は、直径はセラミック成形体と同じだが、厚さはセラミック成形体の半分程度になる。続いて、セラミックスサセプター２０の裏面から各端子２２ａ，２２ｂ，２４ａに向けて穴を開けて各端子２２ａ，２２ｂ，２４ａを穴内に露出させる。続いて、セラミックスサセプター２０の中央にシャフト４０を接合する。接合は、ロウ接合でもよいし固相接合でもよいし固液接合でもよい。その後、シャフト４０の内部において、各給電棒４２ａ，４２ｂを各端子２２ａ，２２ｂに接続すると共にアース棒４４ａをアース端子２４ａに接続する。続いて、各給電棒４２ａ，４２ｂを支持台４６と導通しないように支持台４６に貫通させると共にアース棒４４ａを支持台４６と導通するように支持台４６の非貫通穴に挿入し、シャフト４０の下端をＯリングを介して支持台４６に取り付ける。なお、ウエハ処理部品１０の製法は、これに限定されるものではなく、その他の製法を採用しても構わない。

次に、ウエハ処理部品１０の使用例について説明する。図２は、ウエハ処理部品１０の使用状態を表す説明図である。まず、チャンバー５０の内部にウエハ処理部品１０を入れ、固定する。そして、給電棒４２ａ，４２ｂをチャンバー５０と導通しないようにしてチャンバー５０の外部へ引き出し、ヒーター電源６０に接続する。また、アース棒４４ａを支持台４６及びチャンバー５０を介して接地する。ウエハ処理部品１０のウエハ載置面Ｓの中央にウエハＷを載置し、その周りにガイドリング３０を載置する。チャンバー５０の天井面には、ウエハＷから上方に離間した位置に上部電極５２が設けられている。上部電極５２は、高周波放電プラズマを発生させる際に使用する電極であり、チャンバー５０の外部に設けられたインピーダンス整合装置５４を介して高周波電源５６に接続されている。このようにしてチャンバー５０にウエハ処理部品１０をセットした後、ウエハＷが所望の温度になるように抵抗発熱体２２にヒーター電源６０から電力を供給する。それと共に、チャンバー５０の内部をガス排出口５０ａを介して真空ポンプで所望の真空度になるまで減圧にする。その後、所望の薄膜を作製するための原料ガスをガス供給口５０ｂを介してチャンバー５０の内部に供給し、チャンバー５０の内部圧力が所望の圧力となるように調整する。そして、上部電極５２に高周波電源５６から高周波電圧を付与すると、上部電極５２と下部電極２４との間にプラズマが発生し、ウエハＷの上に所望の薄膜が生成する。

ここで、上部電極５２と下部電極２４との間にプラズマが発生したとき、各電極５２，２４の近傍にはシースと呼ばれる暗部が生成する。このときの模式図を図３に示す。また、図３の模式図の等価回路を図４に示す。ウエハ内には、上部電極５２とプラズマとの間にシースが挟まれた構造の内側第１キャパシタＣｉｎ１と、プラズマとウエハＷとの間にシースが挟まれた構造の内側第２キャパシタＣｉｎ２と、ウエハＷと下部電極２４との間にセラミックスサセプター２０のセラミックスが挟まれた構造の内側第３キャパシタＣｉｎ３とが直列に接続されているとみなすことができる。また、ウエハ外には、上部電極５２とプラズマとの間にシースが挟まれた構造の外側第１キャパシタＣｏｕｔ１と、プラズマとガイドリング３０との間にシースが挟まれた構造の外側第２キャパシタＣｏｕｔ２と、ガイドリング３０と下部電極２４との間にセラミックスサセプター２０のセラミックスが挟まれた構造の外側第３キャパシタＣｏｕｔ３とが直列に接続されているとみなすことができる。発生したプラズマの密度を上部電極５２と下部電極２４との間で均一にするためには、ウエハＷの内側と外側とでインピーダンスが一致していることが望ましい。このため、内側第１キャパシタＣｉｎ１のキャパシタンスと外側第１キャパシタＣｏｕｔ１のキャパシタンスが同等で、内側第２キャパシタＣｉｎ２のキャパシタンスと外側第２キャパシタＣｏｕｔ２のキャパシタンスとが同等で、内側第３キャパシタＣｉｎ３のキャパシタンスと外側第３キャパシタＣｏｕｔ３のキャパシタンスとが同等であるという条件を満たすことが望ましい。本実施形態では、ガイドリング３０の材料や厚み、内径、外径を上述のように設定したため、こうした条件をほぼ満たしていると推測している。

以上詳述した本実施形態のウエハ処理部品１０によれば、ガイドリング３０は、ウエハＷと同様、導電性を有するため、ウエハＷとこのウエハＷの外周に配置されたガイドリング３０とがほぼ同じ電位になる。そのため、上部電極５２と下部電極２４との間のプラズマ密度がウエハ面上で一定になり、ウエハＷをほぼ均質にプラズマ処理することができる。

また、セラミックスサセプター２０には、抵抗発熱体２２が埋設されているため、抵抗発熱体２２に電力を供給することにより容易にウエハＷを加熱することができる。

更に、ガイドリング３０は、ウエハ載置面Ｓに載置されるウエハＷと略同じ厚みであり、ウエハＷと同じくウエハ載置面Ｓ上に載置されているため、ウエハＷとガイドリング３０との電位差がより僅少になる。

更にまた、ガイドリング３０は、シリコン、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるため、プラズマ処理を行ったとき、ガイドリング３０に起因するコンタミを防止することができる。

そしてまた、ガイドリング３０の内周面とウエハＷの外周面とのクリアランスは、僅少に設定されているため、ウエハＷに対するプラズマ処理の均質性が一層高まる。

なお、本考案は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本考案の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

例えば、上述した実施形態では、セラミックスサセプター２０のウエハ載置面Ｓの外周部分にガイドリング３０をただ載せただけだったが、図５に示すように、ガイドリング１３０は互いに対向する２箇所に下向きに突出した突起１３２，１３４を有し、セラミックスサセプター１２０は各突起１３２，１３４を挿入可能な位置決め穴１２２，１２４を有していてもよい。この場合、突起１３２，１３４を位置決め穴１２２，１２４に挿入すれば、ガイドリング１３０をセラミックスサセプター１２０に簡単に位置決めすることができる。

あるいは、図６に示すように、ガイドリング２３０はオリエンテーションフラット（オリフラ）と呼ばれる切欠２３２を有し、セラミックスサセプター２２０はガイドリング２３０を嵌め込むことが可能な凹部２２２を有していてもよい。この場合、ガイドリング２３０を凹部２２２に挿入すれば、ガイドリング２３０をセラミックスサセプター２２０に簡単に位置決めすることができる。

上述した実施形態では、ガイドリング３０の厚みは一様としたが、外周領域の高さと内周領域の高さが異なる段付きリングとしてもよい。例えば、表面は面一（つらいち）で、裏面は外周領域の方が内周領域に比べて表面からの高さが高く形成されていてもよい。

図１のウエハ処理部品１０として、表１に示す寸法のものを作製し、ＣＶＤプロセスにおけるウエハＷの外周部の成膜レンジを測定した。ウエハＷの外周部の成膜レンジとは、外径３００ｍｍの円盤状のＳｉウエハのうち半径１４０ｍｍの円の外側で且つ半径１４７ｍｍの円の内側の領域における、成膜厚みの最大値と最小値との差である。結果を表１にまとめた。

実験例２５〜２９は、比較例であり、ウエハＷとして外径３００ｍｍ、厚み０．７５ｍｍのＳｉウエハを用い、下部電極２４として外径３１６ｍｍの円板電極を用い、ガイドリング３０としてＡｌＮセラミック製で厚み０．６５〜０．８５ｍｍ、内径３０２ｍｍ、外径３３０ｍｍのリングを用いて、ウエハ処理部品１０を作製した。そして、各ウエハ処理部品１０の成膜レンジを測定した。その結果、ウエハＷの外周部の成膜レンジは２２０Å以上であった。このことから、ガイドリング３０としてセラミック製のリングを用いると、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が不均一になることがわかった。

実験例１〜５は、実施例であり、ウエハＷとして外径３００ｍｍ、厚み０．７５ｍｍのＳｉウエハを用い、下部電極２４として外径３１６ｍｍの円板電極を用い、ガイドリング３０としてＳｉ製で厚み０．６５〜０．８５ｍｍ、内径３０２ｍｍ、外径３３０ｍｍのリングを用いて、ウエハ処理部品１０を作製した。そして、各ウエハ処理部品１０の成膜レンジを測定した。その結果、ウエハＷの外周部の成膜レンジは５０〜１２０Åであった。このことから、ガイドリング３０としてＳｉ製のリングを用いると、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が比較例と比べて均一になることがわかった。特に、厚みが０．７０〜０．８０ｍｍのとき、つまり、ウエハＷの厚みの±０．０５ｍｍ（ウエハＷの厚みの９３〜１０７％）のとき、成膜レンジは５０〜５５Åだったことから、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が高いレベルで均一になることがわかった。

実験例６〜１０は、実施例であり、ウエハＷとして外径３００ｍｍ、厚み０．７０ｍｍのＳｉウエハを用い、下部電極２４として外径３１６ｍｍの円板電極を用い、ガイドリング３０としてＳｉ製で厚み０．６０〜０．８０ｍｍ、内径３０２ｍｍ、外径３３０ｍｍのリングを用いて、ウエハ処理部品１０を作製した。そして、各ウエハ処理部品１０の成膜レンジを測定した。その結果、ウエハＷの外周部の成膜レンジは５０〜１２０Åであった。このことから、ガイドリング３０としてＳｉ製のリングを用いると、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が比較例と比べて均一になることがわかった。特に、厚みが０．６５〜０．７５ｍｍのとき、つまり、ウエハＷの厚みの±０．０５ｍｍ（ウエハＷの厚みの９３〜１０７％）のとき、成膜レンジは５０〜５５Åだったことから、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が高いレベルで均一になることがわかった。

実験例１１〜１５は、実施例であり、ウエハＷとして外径３００ｍｍ、厚み０．７５ｍｍのＳｉウエハを用い、下部電極２４として外径３１６ｍｍの円板電極を用い、ガイドリング３０としてＳｉ製で厚み０．７５ｍｍ、内径３０１〜３０６ｍｍ、外径３３０ｍｍのリングを用いて、ウエハ処理部品１０を作製した。そして、各ウエハ処理部品１０の成膜レンジを測定した。その結果、ウエハＷの外周部の成膜レンジは５０〜１５０Åであった。このことから、ガイドリング３０としてＳｉ製のリングを用いると、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が比較例と比べて均一になることがわかった。特に、ガイドリング３０の内径とウエハＷの外径との差が４ｍｍ以下（ガイドリング３０の内径がウエハＷの外径の１０１．３％以内）のとき、成膜レンジは５０〜８０Åだったことから、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が高いレベルで均一になることがわかった。更に、ガイドリング３０の内径とウエハＷの外径との差が３ｍｍ以下（ガイドリング３０の内径がウエハＷの外径の１０１．０％以内）のとき、成膜レンジは５０〜５５Åだったことから、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が一層高いレベルで均一になることがわかった。

実験例１６〜１９は、実施例であり、ウエハＷとして外径３００ｍｍ、厚み０．７５ｍｍのＳｉウエハを用い、下部電極２４として外径３１６ｍｍの円板電極を用い、ガイドリング３０としてＳｉ製で厚み０．７５ｍｍ、内径３０２ｍｍ、外径３１２〜３４０ｍｍのリングを用いて、ウエハ処理部品１０を作製した。そして、各ウエハ処理部品１０の成膜レンジを測定した。その結果、ウエハＷの外周部の成膜レンジは５０〜１７０Åであった。このことから、ガイドリング３０としてＳｉ製のリングを用いると、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が比較例と比べて均一になることがわかった。特に、ガイドリング３０の外径から下部電極２４の外径を差し引いた値が４ｍｍ以上（ガイドリング３０の外径が下部電極２４の外径の１０１％以上）のとき、成膜レンジは５０Åだったことから、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が高いレベルで均一になることがわかった。

実験例２０〜２４は、実施例であり、ウエハＷとして外径３００ｍｍ、厚み０．７５ｍｍのＳｉウエハを用い、下部電極２４として外径３１６ｍｍの円板電極を用い、ガイドリング３０としてＡｌ合金製で厚み０．６５〜０．８５ｍｍ、内径３０２ｍｍ、外径３３０ｍｍのリングを用いて、ウエハ処理部品１０を作製した。そして、各ウエハ処理部品１０の成膜レンジを測定した。その結果、ウエハＷの外周部の成膜レンジは５５〜１１５Åであった。このことから、ガイドリング３０としてＡｌＮ合金製のリングを用いても、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が比較例と比べて均一になることがわかった。特に、厚みが０．７０〜０．８０ｍｍのとき、つまり、ウエハＷの厚みの±０．０５ｍｍ（ウエハＷの厚みの９３〜１０７％）のとき、成膜レンジは５５〜６０Åだったことから、ウエハＷの外周部におけるプラズマ密度が高いレベルで均一になることがわかった。

１０ウエハ処理部品、２０セラミックスサセプター、２２抵抗発熱体、２２ａ正極端子、２２ｂ負極端子、２４下部電極、２４ａアース端子、３０ガイドリング、４０シャフト、４２ａ，４２ｂ給電棒、４４ａアース棒、４６支持台、４８ Oリング、５０チャンバー、５０ａガス排出口、５０ｂガス供給口、５２上部電極、５４インピーダンス整合装置、５６高周波電源、６０ヒーター電源、１２０セラミックスサセプター、１２２，１２４位置決め穴、１３０ガイドリング、１３２，１３４突起、２２０セラミックスサセプター、２２２凹部、２３０ガイドリング、２３２切欠、Ｓウエハ載置面、Ｗウエハ

Claims

上方に高周波上部電極を配置して使用する半導体製造装置用部材であって、
高周波下部電極を埋設したセラミックスサセプターと、
前記セラミックスサセプターのウエハ載置面の外周部に載置された導電性のガイドリングと、
を備えた半導体製造装置用部材。
前記セラミックスサセプターには、さらに抵抗発熱体が埋設されている、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
前記ガイドリングは、厚みが前記ウエハ載置面に載置されるウエハの厚みの９３〜１０７％であり、前記ウエハと同じく前記ウエハ載置面上に載置されている、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
前記ガイドリングは、シリコン、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
前記ガイドリングの内径は、前記ウエハ載置面に載置されるウエハの外径より大きく、前記ウエハの外径の１０１．３％以内である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
前記ガイドリングの外径は、前記下部電極の外径の１０１％以上である、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
前記ガイドリングは、前記セラミックサセプターに向かって突出した突起を有し、
前記セラミックスサセプターは、前記突起を挿入可能な位置決め穴を有する、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
前記ガイドリングは、外周の少なくとも１箇所に切欠を有し、
前記セラミックスサセプターは、前記ガイドリングをはめ込むことが可能な凹部を有する、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。