JP5368708B2 - 基板温度制御装置用ステージ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板温度制御装置用ステージを示す平面図であり、図2は、図1に示す一点鎖線II−IIにおける断面図である。基板温度制御装置は、半導体ウエハや液晶パネル等の基板の処理工程において基板の温度を制御する装置であり、基板を載置するために用いられるステージ1を有している。以下においては、直径300mmの半導体ウエハがステージ1上に載置される場合について説明する。
プレート10は、薄いアルミニウム材(A5052)で作製されており、厚さが6mm、長い直径が340mm、短い直径が330mmの円錐台の形状を有している。熱変形を防止するために、ヒータ20が接着される部分を除いてプレート10にアルマイト処理を施すことにより、15μm〜30μmのアルマイト層を形成しても良い。
λEQ(i)=λAIR/Gap(i) (i=1、2、・・・、11)
ここで、λAIRは空気の熱伝導率であり、Gap(i)はプレート10とウエハ70との間の対向する部分領域におけるギャップ長であり、時間的に変化する。なお、プレート10の下面に設けられているヒータは、フィードバック制御なしの一定出力であるものとする。
(1)ウエハの平均温度が120℃に到達するまでの時間について、プレートに溝が形成されていない場合における時間と比較して、その時間差が0.5秒よりも小さいこと。
(2)ウエハの位置ずれが±2mmである場合に、面内温度レンジの最大値の増加が1℃よりも小さいこと。
(3)上記の条件(1)及び(2)を満足する範囲内で、同じ形状及び同じ平坦度で溝が形成されていないプレートに対して、面内温度レンジの最大値の低減効果を2℃以上にすること。
Claims (7)
- 基板の温度を制御する基板温度制御装置において用いられるステージであって、
所定の直径を有する基板を支持するプレートと、
前記プレートの前記基板に対向する第1の面に設けられ、前記基板を所定の位置に載置して、前記基板の端縁の位置を規制する複数のガイド部材と、
前記プレートの第1の面と反対側の第2の面に配置された温調部と、
を具備し、前記プレートの第1の面において、前記複数のガイド部材によって位置が規制された前記基板の端縁に対応する位置を含む領域に、中心部よりも低い1つの段差部が形成されている基板温度制御装置用ステージ。 - 前記段差部が、前記基板の端縁に対応する位置から測って前記プレートの中心方向に4mm〜30mmの距離まで延在する、請求項1記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 前記段差部が、前記複数のガイド部材に対して少なくとも内周側に形成されている、請求項1又は2記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 前記プレートの第1の面において、前記基板の下面を支持する複数の突起が設けられており、
前記複数の突起の内の少なくとも1つが、前記段差部が形成された範囲にかかるように配置されている、
請求項1〜3のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。 - 前記段差部が、深さ20μm〜200μmで形成されている、請求項1〜4のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 前記プレートの第1の面が、室温で凹型の形状を有する、請求項1〜5のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 前記基板が、300mmの直径を有する、請求項1〜6のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。
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