JP2009170739A - 基板温度制御装置用ステージ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
【解決手段】この基板温度制御装置用ステージは、基板の温度を制御する基板温度制御装置において所定の直径を有する基板を所定の位置に載置するために用いられるステージであって、基板に対向する第1の面において、基板の端縁に対応する位置を含む領域に中心部よりも低い段差部が形成されたプレートと、プレートの第1の面と反対側の第2の面に配置された温調部とを具備する。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板温度制御装置用ステージを示す平面図であり、図2は、図1に示す一点鎖線II−IIにおける断面図である。基板温度制御装置は、半導体ウエハや液晶パネル等の基板の処理工程において基板の温度を制御する装置であり、基板を載置するために用いられるステージ1を有している。以下においては、直径300mmの半導体ウエハがステージ1上に載置される場合について説明する。
プレート10は、薄いアルミニウム材(A5052)で作製されており、厚さが6mm、長い直径が340mm、短い直径が330mmの円錐台の形状を有している。熱変形を防止するために、ヒータ20が接着される部分を除いてプレート10にアルマイト処理を施すことにより、15μm〜30μmのアルマイト層を形成しても良い。
λEQ(i)=λAIR/Gap(i) (i=1、2、・・・、11)
ここで、λAIRは空気の熱伝導率であり、Gap(i)はプレート10とウエハ70との間の対向する部分領域におけるギャップ長であり、時間的に変化する。なお、プレート10の下面に設けられているヒータは、フィードバック制御なしの一定出力であるものとする。
(1)ウエハの平均温度が120℃に到達するまでの時間について、プレートに溝が形成されていない場合における時間と比較して、その時間差が0.5秒よりも小さいこと。
(2)ウエハの位置ずれが±2mmである場合に、面内温度レンジの最大値の増加が1℃よりも小さいこと。
(3)上記の条件(1)及び(2)を満足する範囲内で、同じ形状及び同じ平坦度で溝が形成されていないプレートに対して、面内温度レンジの最大値の低減効果を2℃以上にすること。
Claims (7)
- 基板の温度を制御する基板温度制御装置において所定の直径を有する基板を所定の位置に載置するために用いられるステージであって、
前記基板に対向する第1の面において、前記基板の端縁に対応する位置を含む領域に中心部よりも低い段差部が形成されたプレートと、
前記プレートの第1の面と反対側の第2の面に配置された温調部と、
を具備する基板温度制御装置用ステージ。 - 前記段差部が、前記プレートの第1の面において、前記基板の端縁に対応する位置から測って前記プレートの中心方向に4mm〜30mmの距離まで延在する、請求項1記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 基板の温度を制御する基板温度制御装置において所定の直径を有する基板を所定の位置に載置するために用いられるステージであって、
前記基板に対向する第1の面において、前記基板の下面を支持する複数の突起と、前記基板の端縁の位置を規制する複数のガイド部材とが設けられたプレートであって、前記複数の突起よりも外周側で前記複数のガイド部材よりも内周側に段差部が形成されている前記プレートと、
前記プレートの第1の面と反対側の第2の面に配置された温調部と、
を具備する基板温度制御装置用ステージ。 - 基板の温度を制御する基板温度制御装置において所定の直径を有する基板を所定の位置に載置するために用いられるステージであって、
前記基板に対向する第1の面において、前記基板の下面を支持する複数の突起と、前記基板の端縁の位置を規制する複数のガイド部材とが設けられたプレートであって、前記複数のガイド部材よりも内周側に段差部が形成され、前記段差部が形成された範囲に少なくとも1つの突起がかかるように前記複数の突起が配置されている前記プレートと、
前記プレートの第1の面と反対側の第2の面に配置された温調部と、
を具備する基板温度制御装置用ステージ。 - 前記段差部が、前記プレートの第1の面において、前記基板の端縁に対応する位置を含む領域に深さ20μm〜200μmで形成されている、請求項1〜4のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 前記プレートの第1の面が、室温で凹型の形状を有する、請求項1〜5のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 前記温調部が、面状のヒータを含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の基板温度制御装置用ステージ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008008656A JP5368708B2 (ja) | 2008-01-18 | 2008-01-18 | 基板温度制御装置用ステージ |
US12/747,291 US20100271603A1 (en) | 2008-01-18 | 2008-12-15 | Stage for substrate temperature control apparatus |
PCT/JP2008/072775 WO2009090816A1 (ja) | 2008-01-18 | 2008-12-15 | 基板温度制御装置用ステージ |
CN2008801242937A CN101911248B (zh) | 2008-01-18 | 2008-12-15 | 基板温度控制装置用载置台 |
KR1020107005011A KR101117534B1 (ko) | 2008-01-18 | 2008-12-15 | 기판 온도 제어 장치용 스테이지 |
TW098101022A TW200949974A (en) | 2008-01-18 | 2009-01-13 | Stage for substrate temperature control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008008656A JP5368708B2 (ja) | 2008-01-18 | 2008-01-18 | 基板温度制御装置用ステージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009170739A true JP2009170739A (ja) | 2009-07-30 |
JP5368708B2 JP5368708B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=40885216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008008656A Expired - Fee Related JP5368708B2 (ja) | 2008-01-18 | 2008-01-18 | 基板温度制御装置用ステージ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100271603A1 (ja) |
JP (1) | JP5368708B2 (ja) |
KR (1) | KR101117534B1 (ja) |
CN (1) | CN101911248B (ja) |
TW (1) | TW200949974A (ja) |
WO (1) | WO2009090816A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011081932A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 加熱ヒータおよびそれを搭載した装置 |
JP2011096817A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Toppan Printing Co Ltd | 基板加熱装置 |
JP2011100065A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル膜の製造方法および装置 |
JP2011158814A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル膜の製造方法および装置 |
JP2018509764A (ja) * | 2015-03-13 | 2018-04-05 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | ワークピースの温度均一性を改善する装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9099514B2 (en) | 2012-03-21 | 2015-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer holder with tapered region |
US8519450B1 (en) * | 2012-08-17 | 2013-08-27 | International Business Machines Corporation | Graphene-based non-volatile memory |
JP6555922B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2019-08-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
CN106319483A (zh) * | 2015-06-17 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 加热装置 |
US10499461B2 (en) * | 2015-12-21 | 2019-12-03 | Intel Corporation | Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing |
KR102360248B1 (ko) * | 2016-05-10 | 2022-02-07 | 램 리써치 코포레이션 | 상이한 히터 트레이스 재료를 사용한 적층된 히터 |
US10619793B2 (en) * | 2018-04-06 | 2020-04-14 | John Ostgaard | Oil conditioner for removing fluid impurities |
JP7030006B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-03-04 | 株式会社ディスコ | 拡張方法及び拡張装置 |
CN110484897B (zh) * | 2018-05-14 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶片用调温装置及半导体设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002184683A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
JP2002319527A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
JP2002319526A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
JP2004152914A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
JP2006049270A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Kyocera Corp | ヒータ及びそれを用いたウェハ加熱用ヒータならびにウェハ加熱装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4945031B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2012-06-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板加熱装置および半導体製造装置 |
JP4749688B2 (ja) | 2004-08-12 | 2011-08-17 | 株式会社小松製作所 | 温度測定用半導体ウェハ |
-
2008
- 2008-01-18 JP JP2008008656A patent/JP5368708B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-15 US US12/747,291 patent/US20100271603A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-15 WO PCT/JP2008/072775 patent/WO2009090816A1/ja active Application Filing
- 2008-12-15 CN CN2008801242937A patent/CN101911248B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-15 KR KR1020107005011A patent/KR101117534B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-01-13 TW TW098101022A patent/TW200949974A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002184683A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
JP2002319527A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
JP2002319526A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
JP2004152914A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
JP2006049270A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Kyocera Corp | ヒータ及びそれを用いたウェハ加熱用ヒータならびにウェハ加熱装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011081932A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 加熱ヒータおよびそれを搭載した装置 |
JP2011096817A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Toppan Printing Co Ltd | 基板加熱装置 |
JP2011100065A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル膜の製造方法および装置 |
JP2011158814A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル膜の製造方法および装置 |
JP2018509764A (ja) * | 2015-03-13 | 2018-04-05 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | ワークピースの温度均一性を改善する装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5368708B2 (ja) | 2013-12-18 |
CN101911248A (zh) | 2010-12-08 |
KR20100053614A (ko) | 2010-05-20 |
WO2009090816A1 (ja) | 2009-07-23 |
CN101911248B (zh) | 2012-06-27 |
US20100271603A1 (en) | 2010-10-28 |
KR101117534B1 (ko) | 2012-03-07 |
TW200949974A (en) | 2009-12-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130116 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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