CN107305917B - 发光二极管 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管，包括：基板；半导体层叠体，位于基板上，包括下部半导体层、上部半导体层及配置于下部半导体层和上部半导体层之间的活性层，并具有通过上部半导体层、活性层及下部半导体层而使基板露出的分离槽；第一电极板及上部延伸部，与上部半导体层电连接；第二电极板及下部延伸部，与下部半导体层电连接；连接部，横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，其宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，夹设于下部延伸部和下部半导体层之间；第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和下部半导体层之间，第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各个点的宽度大于下部延伸部的宽度,第二电流阻挡层的宽度比第二电极板的宽度窄。

Description

发光二极管

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更为具体地涉及一种高效发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED)是将电能转换为光的固态发光元件。发光二极管在背光单元、照明装置、信号机、大型显示器等中作为光源而广为利用。随着照明用LED市场扩大且照明用LED的应用范围向大电流密度、大功率输出领域方向扩大，要求改善在大电流驱动时的用于稳定的驱动的发光二极管的特性。

通常，如果增加施加到发光二极管的电流密度，则从发光二极管发射出的光量也会增加。然而，随着电流密度的增加，发生外部量子效率下降的下垂(droop)现象。下垂现象意味着光损耗比率随着电流密度的增加而增加，下垂现象阻碍提高由lm/W表示的发光效率(efficacy)。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供一种适合提供高效发光元件的发光二极管。

本发明所要解决的另一课题是提供一种下垂现象得到改善的发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种电连接两个以上的发光单元的连接部的断开故障得到改善的发光二极管。

根据本发明的一实施例，提供一种半导体二极管，其包括：基板；配置于所述基板上的第一至第四发光单元；第一电极板；以及第二电极板，各发光单元包括下部半导体层、上部半导体层以及夹设于所述下部半导体层和上部半导体层之间的活性层，所述下部半导体层包括相互隔开的第一下部半导体层以及第二下部半导体层，所述第一发光单元和第二发光单元共享第一下部半导体层，所述第三发光单元和所述第四发光单元共享第二下部半导体层，所述第一发光单元与所述第三发光单元串联连接，所述第二发光单元与所述第四发光单元串联连接，所述第一电极板电连接于所述第一发光单元和所述第二发光单元的上部半导体层，所述第二电极板电连接于所述第三发光单元和所述第四发光单元的下部半导体层。

根据本发明的另一实施例，提供一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体层叠体，位于所述基板上，包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层，具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽；第一电极板以及上部延伸部，与所述上部半导体层电连接；第二电极板以及下部延伸部，与所述下部半导体层电连接；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度；第一电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间；以及第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间，其中，所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽，所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄，从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的间隔距离大。

在基板上配置多个发光单元，从而可以串联或者并联连接发光单元而使用。通过串联连接发光单元，可以减少发光二极管的驱动电流，由此可以减少电流密度，因此能够改善发光效率。另外，通过并联连接发光单元，可以使输入到发光单元的电流均匀地分散到发光单元，因此可以改善下垂现象。另外，通过在下部半导体层和下部延伸部之间采用具有比下部延伸部的宽度更大的宽度的电流阻挡层，可以防止电流集中在特定的区域而使其均匀地分散到发光单元的宽广的区域，因此进一步能够改善下垂现象。

附图说明

图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的平面图；图2是沿着图1的截取线A-A截取的剖面图；图3是沿着图1的截取线B-B截取的剖面图；图4是沿着截取线C-C截取的剖面图。

图5是放大显示图1的第一电极板的平面图；图6是沿着图5的截取线D-D截取的剖面图。

图7是放大显示图1的第二电极板的平面图；图8是沿着图7的截取线E-E截取的剖面图。

图9是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图；图10是沿着图9的截取线F-F截取的剖面图；图11是沿着图9的截取线G-G截取的剖面图；图12是沿着图9的截取线H-H截取取的剖面图。

图13a是放大显示根据一实施例的图9的连接部的平面图；图13b是沿着截取线I-I截取的剖面图。

图14a是放大显示根据另一实施例的图9的连接部的平面图；图14b是沿着图14a的截取线I’-I’截取的剖面图。

图15至图17是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图。

图18是显示对根据本发明的发光二极管的侧面形状的各种实施例的剖面图。

图19示出根据本发明的各种实施例的发光二极管的部件封装形式。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施例。下文中说明的实施例是为了使本发明所属技术领域的一般技术人员能够充分理解本发明的宗旨而举例说明的实施例。因此，本发明并不限定于以下说明的实施例，也可以具体化为其他形式。并且，在附图中，为了便于说明组件的宽度、长度以及厚度等，有时会采用夸张的描述方式。另外，在记载为一个组件位于另一组件的“上部”或者“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“正上部”或者“正上方”的情况，而且还包括在各组件与其他组件之间还夹设有其他组件的情况。在整个说明书中，相同的符号表示相同的组件。

根据本发明的一实施例的发光二极管包括：基板；配置于所述基板上的第一至第四发光单元；第一电极板；以及第二电极板。在这里，各发光单元包括下部半导体层、上部半导体层以及夹设于所述下部半导体层和上部半导体层之间的活性层，所述下部半导体层包括相互隔开的第一下部半导体层以及第二下部半导体层，所述第一发光单元和第二发光单元共享第一下部半导体层，所述第三发光单元和所述第四发光单元共享第二下部半导体层，所述第一发光单元与所述第三发光单元串联连接，所述第二发光单元与所述第四发光单元串联连接，所述第一电极板电连接于所述第一发光单元和所述第二发光单元的上部半导体层，所述第二电极板电连接于所述第三发光单元和所述第四发光单元的下部半导体层。据此，提供具有串并联连接的发光单元的发光二极管，因此，可以降低用于驱动的电流密度，使电流均匀地分散到发光单元，因此可以改善发光效率。

此外，由于第一及第二发光单元和第三及第四发光单元共享第一下部半导体层以及第二下部半导体层，因此制造工序简单，且可以使因发光单元的分离而造成的发光面积的减少最小化。

具体地说，所述第一下部半导体层和所述第二下部半导体层可以通过露出所述基板的上面的分离槽而分离，所述第一发光单元和所述第二发光单元以及所述第三发光单元和所述第四发光单元，可以分别通过露出第一下部半导体层以及第二下部半导体层的台面分离槽而分离。

在部分实施例中，所述发光二极管还可以包括配置于所述各发光单元的上部半导体层上的透明电极层。

另外，所述第一电极板可以配置于所述台面(mesa)分离槽上，并且，可以经由所述第一发光单元和第二发光单元而配置。此时，所述透明电极层可以分别配置于所述第一及第二发光单元和所述第一电极板之间。

另外，所述发光二极管还可以包括配置于所述第一电极板下部的电流阻挡层。为使所述第一电极板只限于所述电流阻挡层的上部地配置，所述电流阻挡层可以具有比所述第一电极板大的横宽及竖宽，所述电流阻挡层的一部分可以配置于所述第一发光单元以及第二发光单元与所述透明电极层之间。

所述第一发光单元以及第二发光单元上的透明电极层可以分别具有露出所述电流阻挡层的开口部，所述第一电极板可以通过所述开口部而与所述电流阻挡层相接触。

所述发光二极管还可以包括：上部延伸部，配置于各发光单元上的透明电极层上，并电连接于所述透明电极层；以及电流阻挡层，在所述上部延伸部的下部配置于所述透明电极层和所述发光单元之间。所述电流阻挡层的宽度可以小于所述上部延伸部的宽度的三倍。所述电流阻挡层帮助电流能够均匀地分散到发光单元区域。另外，通过控制电流阻挡层的宽度，可以缩小电流阻挡层所造成的光损耗。

所述发光二极管还可以包括与各发光单元的下部半导体层连接的下部延伸部。每一个下部延伸部可以包括向相同方向延伸的直线区域，所述第一发光单元的下部延伸部的直线区域与所述第三发光单元的下部延伸部的直线区域对齐，所述第二发光单元的下部延伸部的直线区域可以与所述第四发光单元的下部延伸部的直线区域对齐。

在所述第一发光单元以及第二发光单元的透明电极层上配置的上部延伸部与第一电极板电连接，与所述第三发光单元以及第四发光单元的下部半导体层连接的下部延伸部电连接于所述第二电极板。因此，在第一电极板与第二电极板之间，发光单元串并联连接。

此外，每一个上部延伸部可以包括具有包围对应的下部延伸部的一部分的形状的主上部延伸部和从所述主上部延伸部突出的辅助上部延伸部。

所述第一发光单元以及第二发光单元上的辅助延伸部可以配置为将所述上部延伸部连接到所述第一电极板，所述第三发光单元以及第四发光单元上的辅助延伸部可以配置为将所述第三发光单元以及第四发光单元上的所述主上部延伸部分别连接到所述第一发光单元以及第二发光单元的下部延伸部。

所述第一发光单元以及第二发光单元上的辅助上部延伸部可以连接于比对应的下部延伸部更靠近所述台面分离槽的主上部延伸部。因此，可以缩短辅助上部延伸部的长度。

所述发光二极管还可以包括连接部，所述连接部将所述第一发光单元的下部延伸部与第三发光单元上的服务上部延伸部、所述第二发光单元的下部延伸部与所述第四发光单元上的辅助上部延伸部分别连接。此外，所述发光二极管还可以包括将所述连接部从所述第三发光单元及第四发光单元的第二下部半导体层绝缘的绝缘层。

另外，所述第三发光单元以及第四发光单元的下部延伸部还可以包括将所述直线区域的下部延伸部连接到所述第二电极板的曲线区域的下部延伸部。此外，所述第二电极板可以配置于通过露出所述台面分离槽的第二下部半导体层上。

所述发光二极管还可以包括覆盖所述第二电极板周围的上部半导体层以及活性层的侧面的绝缘层。通过该绝缘层可以防止在焊接工序中因焊材发生短路。

覆盖所述上部半导体层以及活性层的侧面的绝缘层可以从透明电极层隔开。

在部分实施例中，所述第一电极板和所述第二电极板可以相面对地配置，所述第一电极板配置于所述基板的一侧边缘附近，所述第二电极板可以配置于与所述基板的一侧边缘相面对的另一侧边缘附近。

另一方面，所述第三发光单元以及第四发光单元上的主上部延伸部，可以分别具有配置于第三发光单元的下部延伸部和第四发光单元的下部延伸部之间的内侧端部、配置于所述下部延伸部的外侧的外侧端部，所述下部延伸部的外侧端部可以配置成比所述内侧端部更靠近所述另一侧边缘。

另外，所述发光二极管可以具有相对于经由所述第一电极板以及所述第二电极板的线对称的结构。

根据本发明的另一实施例的发光二极管的特征在于，包括：基板；半导体层叠体，位于所述基板上，包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层，具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽；第一电极板以及上部延伸部，与所述上部半导体层电连接；第二电极板以及下部延伸部，与所述下部半导体层电连接；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度；第一电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间；以及第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间，其中，所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点(dot)，各点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽，所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄，从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的隔开的距离大。

在这里，所述连接部以及所述下部延伸部在所述分离槽和所述第一电流阻挡层之间的区域与所述下部半导体层相连接的连接区域的长度，可能会比所述下部延伸部与所述下部半导体层在相邻的两个点之间连接的连接区域的长度长。

所述上部延伸部从所述下部延伸部隔开配置，所述下部延伸部的端部可以与所述下部半导体层直接连接。所述上部延伸部可以配置为包下部延伸部的端部。

在这种情况下，从所述下部延伸部的端部到所述上部延伸部的倾斜距离比从所述下部延伸部的端部到所述上部延伸部的垂直距离更大，其中，所述垂直距离是从所述下部延伸部的端部到与所述下部延伸部垂直的方向上的所述上部延伸部的距离，所述倾斜距离指从所述下部延伸部的端部到相对于所述垂直方向倾斜的方向上的所述上部延伸部的距离。

所述第一电流阻挡层以及第二电流阻挡层可以包括SiO₂层或者分布式布拉格反射器层。

另外，发光二极管还包括配置于所述上部半导体层上的透明电极层，所述透明电极层的一部分可以配置于所述上部半导体层和所述第一电极板之间以及所述上部半导体层和所述上部延伸部之间。

另外，发光二极管还可以包括在所述第一电极板的下部配置于所述上部半导体层和所述透明电极层之间的第三电流阻挡层。

在这里，所述透明电极层具有露出所述第三电流阻挡层的开口部，所述第一电极板可以通过所述开口部而与所述第三电流阻挡层相接触。所述第三电流阻挡层的特征可在于，为使所述第一电极板限定地在所述第三电流阻挡层的上部配置，具有比所述第一电极板大的横宽及竖宽。

所述半导体层叠体包括根据所述分离槽或者所述台面分离槽定义的多个发光单元，多个发光单元分别可以包括所述下部延伸部以及所述上部延伸部。

所述连接部配置于所述分离槽上，并可以电连接相邻的两个发光单元的所述上部延伸部和下部延伸部。

所述多个发光单元包括第一至第四发光单元，所述下部半导体层包括通过所述分离槽而互相隔开的第一下部半导体层以及第二下部半导体层，所述第一发光单元和第二发光单元共享第一下部半导体层，所述第三发光单元和所述第四发光单元共享第二下部半导体层，所述第一发光单元通过所述连接部而与所述第三发光单元串联连接，所述第二发光单元可以通过所述连接部而与所述第四发光单元串联连接。

各发光单元的下部延伸部可以包括向相同方向延伸的直线区域，所述第一发光单元的下部延伸部的直线区域与所述第三发光单元的下部延伸部的直线区域位于同一轴上，所述第二发光单元的下部延伸部的直线区域与所述第四发光单元的下部延伸部的直线区域可以位于同一轴上。

所述第一电极板配置于所述台面分离槽上，且经由所述第一发光单元以及第二发光单元而配备，所述第二电极板配置于所述台面分离槽上，可以与所述第二下部半导体层电连接。

在所述第一发光单元以及第二发光单元的透明电极层上配置的上部延伸部可电连接于第一电极板，在所述第三发光单元以及第四发光单元的下部半导体层上配置的下部延伸部可电连接于所述第二电极板。

各发光单元的上部延伸部可以包括：具有包围对应的下部延伸部的一部分的形状的主上部延伸部和从所述主上部延伸部突出的辅助上部延伸部。

所述第一发光单元以及第二发光单元上的辅助延伸部配置为将所述主上部延伸部电连接在所述第一电极板，所述第三发光单元以及第四发光单元上的辅助延伸部可以配置为将所述第三发光单元以及第四发光单元上的所述主上部延伸部分别电连接在所述第一发光单元以及第二发光单元的下部延伸部。

所述第一发光单元与第三发光单元可以通过所述第一电极板以及第二电极板而并联连接于所述第二发光单元与第四发光单元。

各发光单元在所述基板的侧面可以包括阶梯，而且所述基板的侧面可被露出。

以下，参照附图详细说明本发明的实施例。

图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的平面图；图2是沿着图1的截取线A-A截取的剖面图；图3是沿着图1的截取线B-B截取的剖面图；图4是沿着截取线C-C截取的剖面图。另外，图5是放大显示图1的第一电极板的平面图；图6是沿着图5的截取线D-D截取的剖面图。另外，图7是放大显示图1的第二电极板的平面图；图8是沿着图7的截取线E-E截取的剖面图。

首先，参照图1，根据本实施例的发光二极管包括配置于基板21上的第一发光单元C1、第二发光单元C2、第三发光单元D1以及第四发光单元D2。另外，所述发光二极管包括第一电极板37以及第二电极板35，还包括：上部延伸部37a、37b、37c、37d和下部延伸部35a、35b；连接部35c；电流阻挡层31a、31d；绝缘层32a、32b；以及透明电极层33。另外，如图2至图4所示，各发光单元C1、C2、D1、D2包括下部半导体层23a或23b、活性层25、以及上部半导体层27。

如果基板21是适合于氮化镓系半导体层生长的基板，则不受特殊限定。例如，可以是蓝宝石基板、碳化矽基板、氮化镓基板、氮化铝基板、硅衬底等。特别是，在本实施例中，基板21可以是被图案化的蓝宝石基板(PSS：Pattern Sapphire Substrate)。

所述下部半导体层23a和23b、活性层25以及上部半导体层27可以是III-V系列，尤其可以是氮化镓化合物半导体层。这些半导体层例如可以包括(Al、Ga、In)N等氮化物系半导体。下部半导体层23a、23b可以包括n型杂质(例如，Si)，上部半导体层27可以包括p型杂质(例如，Mg)，但也可以与其相反。活性层25可以具有多量子阱(MQW：Multiple QuantumWell)结构，为了发射期望的峰值波长的光，可以调节其组成比。在基板21上依次使下部半导体层23a和23b、活性层25以及上部半导体层27生长后，将这些半导体层进行图案化，从而可以形成第一至第四发光单元C1、C2、D1、D2。所述半导体层可以利用例如金属有机化学气相沉积法、分子束外延法、氢化物气相外延法等生长。

另一方面，第一发光单元C1和第二发光单元C2通过分离槽30a而从第三发光单元D1以及第四发光单元D2分离，并且，第一发光单元C1和第三发光单元D1分别通过台面分离槽27a而从第二发光单元C2以及第四发光单元D2分离。即，第一及第二发光单元C1、C2通过形成露出基板21的分离槽30a的分离(Isolation)工序而互相分离。与此相反，第一发光单元C1和第二发光单元C2以及第三发光单元D1和第四发光单元D2通过形成露出下部半导体层23a、23b的台面分离槽27a的台面蚀刻工序而形成。因此，第一发光单元C1和第二发光单元C2共享第一下部半导体层23a，第三发光单元D1和第四发光单元D2共享第二下部半导体层23b。另外，第一下部半导体层23a和第二下部半导体层23b通过分离槽30a而相互分离。

参照图3，在台面分离槽27a内，可以不配置除第一电极板37以及第二电极板35以外的其他电极部分，而且下部半导体层23a、23b可以被露出。

第一发光单元C1和第二发光单元C2可以具有相同的形状，第三发光单元D1和第四发光单元D2也可以具有相同的形状。只不过，随着第二电极板35的配置，第三发光单元D1及第四发光单元D2的形状可与第一发光单元C1及第二发光单元C2略微不同。这些发光单元C1、C2、D1、D2可以具有大体较长的矩形形状。

另一方面，第一电极板37配置于基板21的一侧边缘21a附近，第二电极板35配置于与一侧边缘相面对的另一侧边缘21b附近。如图1所示，第一电极板37和第二电极板35可以相面对地配置。第一电极板37以及第二电极板35配置于台面分离槽27a上。此外，第一电极板37可以同时形成于第一发光单元C1以及第二发光单元C2。关于第一电极板37以及第二电极板35，参照图5及图7在后边重新说明。

透明电极层33配置于各发光单元上。透明电极层33与上部半导体层27 连接。透明电极层33由具有透光性和导电性的物质形成，例如，可以由ITO、ZnO、IZO等导电性氧化物或者Ni/Au等透光性金属层形成。透明电极层33的表面电阻比上部半导体层27低，所以使电流分散至宽广的区域。另外，所述透明电极层33与上部半导体层27欧姆接触(ohmiccontact)，从而向上部半导体层27输入电流。

下部半导体层23a或23b通过露出各发光单元的上部半导体层27以及活性层25，在露出的下部半导体层23a或23b上配置有下部延伸部35a或35b。下部延伸部35a、35b电连接于下部半导体层23a、23b。

配置于第一发光单元C1以及第二发光单元C2的下部延伸部35a包括直线区域，并且可以互相平行。此外，如图1及图4所示，第一发光单元C1的下部延伸部35a可以与第三发光单元D1的下部延伸部35b的直线区域位于同一轴上。

另一方面，配置于第三发光单元D1以及第四发光单元D2的下部延伸部35b与第二电极板35连接，可以包括直线区域和曲线区域。曲线区域可以连接直线区域和第二电极板35。第三发光单元D1以及第四发光单元D2上的直线区域的下部延伸部可以互相平行。另外，下部延伸部35b可以通过各发光单元D1、D2的中心。

另一方面，在所述透明电极层33上配置有上部延伸部37a、37b、37c、37d。在第一及第二发光单元C1、C2上配置有辅助上部延伸部37a和主上部延伸部37b，在第三及第四发光单元D1、D2上配置有辅助上部延伸部37c和主上部延伸部37d。

配置于第一发光单元C1以及第二发光单元C2的主上部延伸部37b配置成包围下部延伸部35a的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37b的一部分配置于下部延伸部35a的外侧，另一部分位于下部延伸部35a的内侧，又一部分配置于下部延伸部35a的端部和基板21的一侧边缘21a之间。另外，主上部延伸部37b具有两个端部，这两个端部分别位于下部延伸部35a的内侧以及外侧。在这里，下部延伸部35a的内侧是指相对于下部延伸部35a以及将下部延伸部35a延伸的虚拟的直线的台面分离槽27a一侧，外侧是指与所述内侧相面对的一侧。主上部延伸部37b可以相对于经过下部延伸部35a的直线而具有对称结构。

主上部延伸部37b从配置有第一电极板37的基板21的一侧的边缘21a 侧向配置有第二电极板35的另一侧的边缘21b侧延伸。如图1所示，主上部延伸部37b和下部延伸部35a之间的距离有可能不恒定，可以沿着主上部延伸部37b的延伸方向先疏远再靠近。从下部延伸部35a至主上部延伸部37b之间的距离大体可以比从主上部延伸部37b至第一导电型半导体层23的边缘或者台面分离槽27a的距离长。然而，从所述内侧端部或者外侧端部至下部延伸部35a的距离可以比从所述外侧端部至第一导电型半导体层23的边缘的距离或者从所述内侧端部至台面分离槽27a的距离短。据此，可以缓解电流集中到第一发光单元C1或者第二发光单元C2的边角，同时使电流均匀地分散。

另一方面，配置于第一发光单元C1以及第二发光单元C2的辅助上部延伸部37a连接第一电极板37和主上部延伸部37b。辅助上部延伸部37a可以是直线形状，其一端与第一电极板37连接，另一端与主上部延伸部37b连接。辅助上部延伸部37a的一端的连接点可以比第一电极板37的中心更加远离于基板21的一侧边缘21a。另外，所述另一端的连接点可位于下部延伸部35a的内侧，可以比所述下部延伸部35a的端部更靠近基板21的一侧边缘21a。

配置于第三发光单元D1以及第四发光单元D2的主上部延伸部37d配置成包围下部延伸部35b的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37d的一部分配置于下部延伸部35b的外侧，另一部分位于下部延伸部35b的内侧，又一部分配置于下部延伸部35b的端部和分离槽30a之间。另外，主上部延伸部37d具有两个端部，即内侧端部和外侧端部，这些端部分别位于下部延伸部35b的内侧以及外侧。在这里，下部延伸部35b的内侧是指相对于下部延伸部35b以及将其延伸的虚拟的直线的台面分离槽27a一侧，外侧是指与所述内侧相面对的一侧。

主上部延伸部37d从分离槽30a侧向配置有第二电极板35的基板21的另一侧的边缘21b侧延伸。如图1所示，主上部延伸部37d和下部延伸部35b之间的距离可以不恒定，也可以沿着主上部延伸部37d的延伸方向先疏远再靠近。

主上部延伸部37d可相对于下部延伸部35b的直线区域而具有大致对称的结构，但下部延伸部35b的外侧端部比内侧端部更靠近基板21的另一侧边缘21b。即，如图1所示，位于下部延伸部35b的外侧的主上部延伸部37d的区域比位于内侧的区域更长，可以沿着下部延伸部35b的曲线区域弯曲。

下部延伸部35a、35b的端部和包围其端部的主上部延伸部37b、37d之间的距离可以不恒定。即，包围下部延伸部35a、35b的端部的上部延伸部37b、37d有可能不是半径长度恒定的半圆形状。参照图1，下部延伸部35a、35b的端部和主上部延伸部37b、37d的倾斜距离d2可以大于垂直距离d2。其中，垂直距离d1是指在与所述下部延伸部35a、35b垂直的方向上的从下部延伸部35a、35b的端部到主上部延伸部37b、37d的距离。另外，倾斜距离d2是指在相对于所述垂直方向而倾斜的方向上的从下部延伸部35a、35b的端部到主上部延伸部37b、37d的距离。通过使倾斜距离d2大于垂直距离d1，可以在各发光单元的上部边角更加靠近地配置主上部延伸部37b、37d。由于主上部延伸部37b、37d形成为更加靠近发光单元的上部边角，因此至发光单元的上部角部能够很顺利地实现电流分散。

另一方面，配置于第三发光单元D1以及第四发光单元D2的辅助上部延伸部37c可以从主上部延伸部37d向第一发光单元C1上的下部延伸部35a延伸。辅助上部延伸部37c可以是直线形状，也可以与下部延伸部35a对齐。辅助上部延伸部37c的一端与主上部延伸部37c相连接，另一端与连接部35c连接。

参照图1及图4，连接部35c连接辅助上部延伸部37c和下部延伸部35a。即，第一发光单元C1上的下部延伸部35a通过连接部35c与第三发光单元D1上的辅助上部延伸部37c连接，第二发光单元C2上的下部延伸部35a可以通过另一个连接部35c与第四发光单元D2上的辅助上部延伸部37c连接。据此，第一发光单元C1可以串联连接于第三发光单元D1，第二发光单元C2可以串联连接于第四发光单元D2。另一方面，第一及第三发光单元C1、D1并联连接于第二及第四发光单元C2、D2。另一方面，连接部35c通过绝缘层32a而从第三及第四发光单元D1、D2隔开。

所述第一电极板37、第二电极板35、上部延伸部37a、上部延伸部37b、上部延伸部37c、上部延伸部37d、下部延伸部35a、下部延伸部35b以及连接部35c可以使用相同的材料在相同的工序中一同形成，例如，可以形成为Cr/Al/Cr/Ni/Au的多层结构。但是，本发明并不限定于此，各元件也可以使用相互不同的材料而在不同的工序中形成。

另一方面，上部延伸部37a、上部延伸部37b、上部延伸部37c、上部延伸部37d、下部延伸部35a、下部延伸部35b以及连接部35c可相对于经过第一电极板37和第二电极板35的虚拟的线而具有对称的结构。此外，根据本实施例的发光二极管可以具有相对于经由第一电极板37和第二电极板35的虚拟的线而对称的结构。据此，可以均匀地分配电流。

再次参照图1至图4，电流阻挡层31a可以配置于第一电极板37的下部，这可以被称为第三电流阻挡层31a。另外，电流阻挡层31d可以配置于所述上部延伸部37a、37b、37c、37d的下部，这可以称为第四电流阻挡层31d。第四电流阻挡层31d在上部延伸部37a、37b、37c、37d的下部配置于透明电极层33与发光单元C1、C2、D1、D4的上部半导体层27之间。此外，第四电流阻挡层31d可以与位于连接部35c下部的绝缘层32a连接。

第三及第四电流阻挡层31a、31d可以由绝缘物质形成，并且可以形成为单层或者多层。例如，电流阻挡层130可以包含SiOx或者SiNx，也可以包括折射率不同的绝缘性物质层层叠而成的分布布拉格反射器。第四电流阻挡层31d防止电流从所述上部延伸部37a、37b、37c、37d直接集中流向发光单元C1、C2、D1、D4，从而将电流分散至发光单元C1、C2、D1、D4的宽广的区域。第四电流阻挡层31d的线宽可以比上部延伸部37a、37b、37c、37d的线宽大，但如果过大，则会吸收从发光单元发射出的光而诱发光损耗。因此，优选地，第四电流阻挡层31d的线宽小于上部延伸部37a、37b、37c、37d的线宽的三倍。

另外，位于第一电极板37下部的第三电流阻挡层31a将第一电极板37从第一下部半导体层23a绝缘。此外，第三电流阻挡层31a还可以夹设于第一电极板37和第一发光单元C1及第二发光单元C2之间。在这种情况下，第三电流阻挡层31a夹设于透明电极层33和上部半导体层27之间。

图5是放大显示图1的第一电极板37的平面图；图6是沿着图5的截取线D-D截取的剖面图。

参照图5及图6，在第一电极板37的下部配置具有比第一电极板37大的横宽及竖宽的第三电流阻挡层31a。第一电极板37的位置限定地位于第三电流阻挡层31a的上部。第一电极板37位于台面分离槽27a上，并且经由第一发光单元C1以及第二发光单元C2而配置。据此，第三电流阻挡层31a在台面分离槽27a上使第一电极板37和第一下部半导体层23a绝缘，并且，在第一及第二发光单元C1、C2上夹设于透明电极层33和上部半导体层27之间。另一方面，透明电极层33的一部分位于第一电极板37的下部，并具有露出第三电流阻挡层31a的开口部33a。第一发光单元C1以及第二发光单元C2上的透明电极层33分别具有开口部33a，这些开口部33a可以将台面分离槽27a置于中间而相互对称地形成。

开口部33a可以具有如同环状线圈(doughnut)的一部分的形状。即，开口部33a可以包括凹陷的侧壁和凸出的侧壁，并可以包括连接凹陷的侧壁和凸出的侧壁的平坦的侧壁。在透明电极层33形成开口部33a，从而增加第一电极板37的粘结力。在本实施例中，针对在透明电极层33形成开口部33a的情形进行了说明，但也可以在第三电流阻挡层31a形成开口部，以露出上部半导体层27。

图7是放大显示图1的第二电极板35部分的平面图；图8是沿着图7的截取线E-E截取的剖面图。

参照图7及图8，第二电极板35如上所述地配置于台面分离槽27a内，并与第二下部半导体层23b电连接。另一方面，第三发光单元D1以及第四发光单元D2的位置与第二电极板35相邻。

绝缘层32b覆盖第三发光单元D1以及第四发光单元D2的侧面。如图所示，绝缘层32b可以覆盖第三以及第四发光单元D1、D2的侧面中的除了下部延伸部35b所经由的部分以外的部分。绝缘层32b在第二电极板35上焊接导线时，防止焊材与第三发光单元D1或者第四发光单元D2的上部半导体层27接触而发生短路。

绝缘层32b可以从透明电极层33隔开，因此，可以相对很小地形成绝缘层32b的面积。据此，可以减少绝缘层32b造成的光损耗。

根据本发明的一实施例的发光二极管可以利用串联连接的发光单元而在相对较高的电压下工作。因此，可以降低整体驱动电流。此外，在并联连接发光单元的同时，可以利用下部延伸部以及上部延伸部而使电流均匀地分散。另外，所述发光二极管可以通过传统的一般工序进行封装，在发光二极管上可以配置含有荧光体的波长转换层。据此，可以提供产生白色光的发光元件。

图9是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图；图10是沿着图9的截取线F-F截取的剖面图；图11是沿着图9的截取线G-G截取的剖面图；图12是沿着图9的截取线H-H截取的剖面图。另外，图13a是放大显示根据一实施例的图9的连接部的平面图；图13b是沿着截取线I-I截取的剖面图。另外，图14a是放大显示根据另一实施例的图9的连接部的平面图；图14b是沿着图14a的截取线I’-I’截取的剖面图。根据本实施例的发光二极管的大部分构成与图1至图8所示的发光二极管相同，只是，在还包括位于下部延伸部35a、35b下方的第一电流阻挡层31c以及位于第二电极板35的下方的第二电流阻挡层31b这一点上存在不同。以下，重点说明该不同点，省略对同一构成的详细说明。

参照图9、10以及图12，在下部延伸部35a、35b的下方可以配置第一电流阻挡层31c。配置于下部延伸部35a、35b各自的下方的第一电流阻挡层31c，如图所示，与其说是一个连续的线型，倒不如说是可以具有互相隔开的多个点。即，如图9所示，第一电流阻挡层31c可以包括互相隔开的多个点。每个点配置于下部延伸部35a、35b与下部半导体层23a、23b之间。在这里，其特征为，第一电流阻挡层31c，即，各点的宽度相比于下部延伸部35a、35b的宽度而更大。因此，在夹设有第一电流阻挡层31c的部分，下部延伸部35a、35b不与下部半导体层23a、23b直接连接，在各点之间的区域，下部延伸部35a、35b与下部半导体层23a、23b接触。另外，多个点可以以彼此相同的间距隔开而配置，或者可以以彼此不同的间距隔开而配置。

在下部延伸部35a、35b和下部半导体层23a、23b之间配置第一电流阻挡层31c，以防止电流集中到下部延伸部35a、35b附近，从而可以帮助电流的水平分散。电流在半导体叠层向水平方向分散得较宽，因此可以提高发光效率。尤其是，通过使第一电流阻挡层31c的线宽大于下部延伸部35a、35b的线宽，在夹设有第一电流阻挡层31c的部分，可以阻挡下部延伸部35a、35b和下部半导体层23a、23b的直接的电连接。相比于使第一电流阻挡层31c的线宽小于下部延伸部35a、35b的线宽的情形，使第一电流阻挡层31c的线宽比下部延伸部35a、35b更大，且配置成点的形状，从而能够使电流更加分散。

只不过，在下部延伸部35a、35b的端部，可以不配置有第一电流阻挡层31c。即，下部延伸部35a、35b的端部可以与下部半导体层23a、23b直接连接。在这里，直接连接是指在所述端部和所述下部半导体层23a、23b之间不存在其他物质(例如，电流阻挡层)而接触。参照图9，具有上部延伸部37b、37d包围下部延伸部35a、35b的端部的结构。此时，如果在下部延伸部35a、35b的端部配置第一电流阻挡层31c，则在端部，下部延伸部35a、35b无法与下部半导体层23a、23b直接电连接，由此在下部延伸部35a、35b的端部附近无法顺利实现电流分散。

第一电流阻挡层31c的点的数量可以根据下部延伸部35a、35b的相对长度而确定为多样的数量。例如，在图9中，在下部延伸部35a和第一下部半导体层23a之间以互相隔开的方式配置有五个第一电流阻挡层31c。另外，在下部延伸部35b和第二下部半导体层23b之间以互相隔开的方式配置有六个第一电流阻挡层31c。这是因为第三及第五发光单元D1、D2上的下部延伸部35b包括用于与第二电极板35连接的曲线区域，从而相对长度比第一及第二发光单元C1、C2上的下部延伸部35a长。多个第一电流阻挡层31c的隔开的距离也可以相同或者互相不同。只不过，图9所示的多个第一电流阻挡层31c的个数仅仅是为了便于说明而列举的实例，不能理解为对实施例的限定。

另外，在所述第二电极板35的下部可以配置有第二电流阻挡层31b。第二电流阻挡层31b配置于第二电极板35和第二下部半导体层23b之间，从而可以使注入第二下部半导体层23b的电流的水平分散顺利。第二电流阻挡层31b的宽度可以小于第二电极板35。即，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽小于第二电极板35的横宽及竖宽，因此，第二电流阻挡层31b的位置可以限定地位于第二电极板35的一部分区域的下方。例如，第二电流阻挡层31b的宽度可以被限定为第二电极板35的横宽及竖宽的90％以下。当第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽超过第二电极板35的横宽及竖宽的90％时，正向电压Vf可能会上升。因此，通过使第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽为第二电极板35的横宽及竖宽的90％以下，可以在正向电压Vf不上升的情况下实现较高的发光效率。第二电流阻挡层31b与所述第三及第四电流阻挡层31a、31d相同地由绝缘物质形成，并且可以形成为单层或者多层。例如，第二电流阻挡层31b可以包含SiOx或者SiNx，并且可以包括折射率互相不同的绝缘性物质层交替层叠的分布布拉格反射器(DBR)。

图13a是放大显示根据一实施例的图9的连接部的平面图；图13b是沿着截取线I-I截取的剖面图。

连接部35c用于电连接通过分离槽30a分离的两个发光单元C1、D1，如前所述，一端可以与第一发光单元C1上的下部延伸部35a连接，另一端可以与第三发光单元D1上的辅助上部延伸部37c连接。参照图13a，连接部35c的宽度w1可以大于所述下部延伸部35a的宽度w2。另外，在第一发光单元C1上，在连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a的下方可以不配置有第一电流阻挡层31c，由此，连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a可以不与下部半导体层23a直接连接。这样，通过具有比较厚的宽度w1的连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a直接连接的结构，可以在不形成主上部延伸部37b的第一发光单元C1的外廓部分有效地实现电流的水平分散。另外，通过较厚地形成连接部35c的宽度w1，减少连接部35c断开的风险，可以提高发光二极管的可靠性。

另外，参照图13a以及图13b，第一电流阻挡层31c可以以多个点的形式配置于下部延伸部35a和下部半导体层23a之间。第一电流阻挡层31c的宽度可以比下部延伸部35a的宽度大，由此，只有在各个点之间，下部延伸部35a才可以与下部半导体层23a直接连接。即，可以根据各个点之间的隔开的距离d1确定下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的距离。

在第一电流阻挡层31c与分离槽30a之间，即，在第一电流阻挡层31c的最后一个点和分离槽30a之间，连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的距离d2，可以比所述第一电流阻挡层31c的各个点之间的隔开的距离d1大。即，在第一电流阻挡层31c和分离槽30a之间，连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的面积可以大于下部延伸部35a在各点之间与下部半导体层23a连接的面积，由此可以减小电阻。据此，可以较顺利地实现第一发光单元C1至外廓的电流的分散。即，上部延伸部37b可以不形成至第一发光单元C1的外廓，由此，从上部延伸部37b的端部到连接部35c的距离d3可以较大。在这种情况下，电流有可能达不到第一发光单元C1的外廓，但通过增加隔开的距离d2而使连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的面积变大，从而可以缩小电阻值，由此，电流可以很顺利地分散至第一发光单元C1的外廓区域。

位于连接部35c下部的绝缘层32a可以从第一发光单元C1的下部半导体层23a的一部分侧面上延伸至第三发光单元D1的下部半导体层23b、活性层25、上部半导体层27的侧面和上部半导体层27的上面。

图14a是放大显示根据另一实施例的图9的连接部的平面图；图14b是沿着图14a的截取线I’-I’截取的剖面图。图14与图13相比，大部分的构成相同，在绝缘层32a以及上部延伸部37b的形状上有些区别。因此，连接部35c与下部半导体层23a连接的面积可能会不同。以下，省略对相同构成的说明，重点说明不同点。

参照图14a以及图14b，绝缘层32a与图13的实施例相比，朝向第一发光单元C1更加延伸，从而能够覆盖第一发光单元C1的下部半导体层23a的侧面和下部半导体层23a的上面的一部分。在这种情况下，在第一电流阻挡层31c和分离槽30a之间，连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的距离可以相比于图13的实施例而减小。即，与图13的实施例相比，在第一电流阻挡层31c和分离槽30a之间，连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的面积减小，从而电流密度可能会增加。然而，连接距离d4可以依然比第一电流阻挡层31c的多个点之间的隔开的距离d1大。或者，连接距离d4可以比第一电流阻挡层31c的多个点之间的隔开的距离d1小。

另外，参照图14a，上部延伸部37b的端部至连接部35c的距离d5与图13的实施例相比，可能会减小。即，上部延伸部37c更加向连接部35c方向延伸，从而上部延伸部37c的端部和连接部35c之间的距离d5可能相比于图13的实施例而较小。这是为了在图14的实施例中，在第一电流阻挡层31c和分离槽30a之间，与连接部35c以及与连接部35c连接的下部延伸部35a与下部半导体层23a连接的面积减小的情形对应地，减小所述延伸部37b的端部与具有较宽的宽度w2的连接部35c之间的距离d5，使电流的水平分散顺利地进行至第一发光单元C1的外廓。

图15至图17是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图。在图15至图17所示的发光二极管中，第一电极板37、第二电极板35、上部延伸部以及下部延伸部的形状和发光单元的数量与图9所示的发光二极管多少有些不同，其余大部分构成均相同。因此，省略对相同构成的说明，重点说明其不同点。

图15是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图。

参照图15，根据本实施例的发光二极管可以包括：配置于基板21上的第一至第三发光单元C1、C2、C3；第四至第六发光单元D1、D2、D3；以及第七至第九发光单元E1、E2、E3。另外，所述发光二极管包括第一电极板37以及第二电极板35，并可以包括上部延伸部37a、37b、37c、37d、37e、37f和下部延伸部35a、35b、35d、35e。

第一至第三发光单元C1、C2、C3可以通过分离槽30a从第四至第六发光单元D1、D2、D3分离。另外，第四至第六发光单元D1、D2、D3可以通过分离槽30b而从第七至第九发光单元E1、E2、E3分离。即，第一下部半导体层23a和第二下部半导体层23b可以通过分离槽30a互相分离，而第二下部半导体层23b和第三下部半导体层23c可以通过分离槽30b分离。因此，第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3可以共享第一下部半导体层23a，而且第四发光单元D1、第五发光单元D2和第六发光单元D3可以共享第二下部半导体层23b。另外，第七发光单元E1、第八发光单元E2和第九发光单元E3可以共享第三下部半导体层23c。分离槽30a、30b可以通过分离工序而形成，在分离槽30a、30b中基板21可以被露出。与此相反，第一发光单元C1和第二发光单元C2、第四发光单元D1和第五发光单元D2、第七发光单元E1和第八发光单元E2各自可以通过形成露出下部半导体层23a、23b、23c的台面分离槽27a的台面蚀刻工序而分别被分离。另外，第二发光单元C2和第三发光单元C3、第五发光单元D2和第六发光单元D3、第八发光单元E2和第九发光单元E3各自可以通过形成露出下部半导体层23a、23b、23c的台面分离槽27b的台面蚀刻工序而分别被分离。即，包括下部半导体层23a、23b、23c和活性层25以及上部半导体层27的半导体层叠体，可以通过台面分离槽27a以及分离槽30a、30b而分离为第一至第九发光单元C1、C2、C3、D1、D2、D3、E1、E2、E3。

第一发光单元C1和第三发光单元C3可以具有以连接第一电极板37和第二电极板35的虚拟的线为基准而对称的形状。第四至第六发光单元D1、D2、D3各自的形状可以相同。第四至第六发光单元D1、D2、D3的形状与第一发光单元C1的形状相比较，除辅助上部延伸部37a之外的剩余形状可以相同。另外，第七发光单元E1和第九发光单元E3可以具有以连接第一电极板37和第二电极板35的虚拟的线为基准而相互对称的形状。

在这里，对形成有第一电极板37的第二发光单元C2以及与第二电极板35的形成相关的第八发光单元E2而言，与其他发光单元相比，在形状上有较大的不同。第一电极板37配置于基板21的一侧边缘21a附近，第二电极板35可以配置于与一侧边缘相面对的另一侧边缘21b附近。如图15所示，第一电极板37和第二电极板35可以相面对地配置。

第一电极板37可以形成于第二发光单元C2上。第三电流阻挡层31a可以位于第一电极板37的下部。具体地说，第三电流阻挡层31a可以在第一电极板37的下部夹设于透明电极层33和上部半导体层27之间。第三电流阻挡层31a的宽度可以比第一电极板37的宽度更大，由此，第三电流阻挡层31a可以将第一电极板37从第一下部半导体层23a绝缘。透明电极层33的一部分位于第一电极板37的下部，并可以包括露出第三电流阻挡层31a的开口部33a。开口部33a可以具有圆形形状。在透明电极层33形成开口部33a，从而可以使第一电极板37的粘结力增加。然而，开口部33a的形状并不限于圆形，在可以增加第一电极板37的粘合强度的目的范围内，可以包括各种形状。

第二电极板35可以配置于台面槽27c上。即，为了形成第二电极板35，对另一侧边缘21b附近的第八发光单元E2的下端一部分进行台面蚀刻，从而可以形成台面槽27c。第二电极板35可以配置于台面分离槽27c内而与第三下部半导体层23c电连接。

在所述第二电极板35的下部可以配置有第二电流阻挡层31b。第二电流阻挡层31b配置于第二电极板35和第三下部半导体层23c之间，从而可以使注入第三下部半导体层23c的电流的水平分散顺利实现。第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽可以小于第二电极板35。即，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽可以小于第二电极板35的横宽及竖宽，从而可以位于第二电极板35的一部分区域。例如，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽可以限定在第二电极板35的横宽及竖宽的90％以下。

绝缘层32b可以覆盖配置有第二电极板35的台面槽27c的侧面。如图15所示，绝缘层32b覆盖台面槽27c的侧面，并且还形成于下部延伸部35b所经由的部分，因此可以具有整体连接的一个曲线形状。在下部延伸部35b所经由的部分，首先可以形成绝缘层32b，其次可以在其上面形成下部延伸部35b。据此，在形成有绝缘层32b的部分，下部延伸部35b的高度可以比其他部分更高。绝缘层32b在第二电极板35上焊接导线时，可以防止焊材与第八发光单元E2的上部半导体层27接触而发生短路。

配置于第一、第三、第四、第五以及第六发光单元C1、C3、D1、D2、D3的下部延伸部35d包括直线区域(即，纵向)，并且可以相互平行。下部延伸部35d的一端与连接部35c电连接，另一端与主上部延伸部37c隔开，从而可以被主上部延伸部37c包围。下部延伸部35e形成于第二发光单元C2上，且包括直线区域，由于第一电极板37，其长度与其他下部延伸部35d相比，有可能较短。另外，据此，所配置的第一电流阻挡层31c的数量可能会更少。在第二发光单元C2上形成的下部延伸部35d和在第八发光单元E2上形成的下部延伸部35b，可以位于连接第一电极板37和第二电极板35的虚拟的线上。

下部延伸部35a与第二电极板35连接，并且包括互相连接的两个直线区域。两个直线区域与基板21的横向和纵向平行，且可以相互正交。横向的直线区域连接纵向直线区域和第二电极板35。如图15所示，为了形成下部延伸部35a(特别是横向的直线区域)，可以对基板21的另一侧边缘21b附近的第七至第九发光单元E1、E2、E3的部分区域进行台面蚀刻。

下部延伸部35b可以形成于第八发光单元E2上。下部延伸部35b的一端可以与第二电极板35连接，另一端可以被主上部延伸部37e包围。下部延伸部35b的长度由于第二电极板35而可能比其他下部延伸部35d短，因此，所配置的第一电流阻挡层31c的数量可能会更少。

下部延伸部35a、35b、35d、35e可以相互平行，并且，可以经由各发光单元的中心。在各下部延伸部35a、35b、35d、35e的下方，可以配置有第一电流阻挡层31c。主上部延伸部37c、37e、37f具有包围下部延伸部35a、35b、35d、35e的端部的结构。因此，由于与图1的实施例中的说明相同的理由，在下部延伸部35a、35b、35d、35e的端部，可以不配置第一电流阻挡层31c。

另一方面，在透明电极层33上可以配置有上部延伸部37a、37b、37c、37d、37e、37f。辅助上部延伸部37a可以在第一至第三发光单元C1、C2、C3上，将主上部延伸部37b、37c之间电连接。具体地说，可以电连接与辅助上部延伸部37a左右相邻的两个发光单元的主上部延伸部37b、37c。辅助上部延伸部37a经由左右相邻的两个发光单元而形成，可以是曲线形状。例如，参照图15，辅助上部延伸部37a可以连接第一发光单元C1上的主上部延伸部37c和第二发光单元C2上的主上部延伸部37b。据此，第一发光单元C1和第二发光单元C2可以以并联方式电连接。

辅助上部延伸部37d可以将第四至第九发光单元D1、D2、D3、E1、E2、E3上的主上部延伸部37c、37e、37f连接至下部延伸部35d、35e。辅助上部延伸部37d可以是直线形状，也可以与下部延伸部35d、35e位于同一轴上。辅助上部延伸部37d的一端与主上部延伸部37c、37e、37f连接，另一端可以与连接部35c连接。

主上部延伸部37b在第二发光单元C2上可以从第一电极板37延伸。具体地说，主上部延伸部37b可以从基板的一侧边缘21a向配置有第二电极板35的另一侧边缘21b延伸。参照图15，两个主上部延伸部37b可以形成为以连接第一电极板37和第二电极板的虚拟的线为基准而互相对称。主上部延伸部37b可以具有曲线形状，因此，主上部延伸部37b和第一电极板35结合的形式可以具有包围下部延伸部35e的端部以及侧面的一部分的结构。

主上部延伸部37c可以在第一、第三、第四、第五以及第六发光单元C1、C3、D1、D2、D3上配置成包围下部延伸部35a的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37c的一部分可以配置于下部延伸部35d的一侧，另一部分可以配置于与下部延伸部35d的一侧相面对的另一侧。主上部延伸部37c相对于经由下部延伸部35d的直线，可以具有对称结构。

主上部延伸部37f在第七发光单元E1以及第九发光单元E2上形成，可以配置成包围下部延伸部35a的端部以及侧面的一部分。如前所述，下部延伸部35a具有横向及纵向的两个直线区域相结合的形状，在这里，主上部延伸部37f可以配置成包围下部延伸部35a的纵向直线区域的端部以及侧面的一部分。主上部延伸部37f的一部分可以配置于下部延伸部35a的外侧，而另一部分可以配置于下部延伸部35d的内侧。在这里，所述外侧是指以下部延伸部35a为基准位于离所述第二电极板35更远的位置的部分，所述内侧是指与所述外侧相面对且位于离所述第二电极板35更近的位置的部分。如图15所示，与配置于所述外侧的主上部延伸部37f的长度相比，配置于所述内侧的主上部延伸部37f的长度可以更短。这是为了通过使配置于内侧的主上部延伸部37f的端部和配置于其下方的下部延伸部35a互相隔开预定距离而防止电流集中流向下部延伸部35a。

主上部延伸部37e形成于第八发光单元E2上，可以具有包围下部延伸部35b的端部以及侧面的一部分的结构。主上部延伸部37e的形状与主上部延伸部37c的形状大致类似，但是由于第二电极板35位于第八发光单元E2的下端，所以可以具有其长度形成得比较短的特征。

在图15中，可以将第一、第四以及第七发光单元C1、D1、E1定义为第一组，将第二、第五以及第八发光单元C2、D2、E2定义为第二组，将第三、第六以及第九发光单元C3、D3、E3定义为第三组。在各组内每个发光单元可以通过辅助上部延伸部37d以及连接部35c电性串联连接。另外，第一组、第二组以及第三组可以通过辅助上部延伸部37a以及下部延伸部35a的纵向直线区域而以并联方式电连接。

图16是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图。

参照图16，根据本实施例的发光二极管可以包括配置于基板21上的第一至第八发光单元C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、F2。另外，所述发光二极管包括第一电极板37以及第二电极板35，并可以包括上部延伸部37a、37b、37c、37d和下部延伸部35a、35b、35d。

第一、第二发光单元C1、C2通过分离槽30a从第三、第四发光单元D1、D2分离，第三、第四发光单元D1、D2可以通过分离槽30b从第五、第六发光单元E1、E2分离。另外，第五、第六发光单元E1、E2通过分离槽30c而从第七、第八发光单元F1、F2分离。分离槽30a、30b、30c可以通过分离工序而形成，在分离槽30a、30b、30c中基板21可以被露出。与此相反，第一发光单元C1和第二发光单元C2、第三发光单元D1和第四发光单元D2、第五发光单元E1和第六发光单元E2、以及第七发光单元F1和第八发光单元F2，可以分别通过形成露出下部半导体层23a、23b、23c、23d的台面分离槽27a的台面蚀刻工序而分离。因此，第一发光单元C1和第二发光单元C2可以共享第一下部半导体层23a，第三发光单元D1和第四发光单元D2可以共享第二下部半导体层23b，第五发光单元E1和第六发光单元E2可以共享第三下部半导体层23c，并且第七发光单元F1和第八发光单元F2可以共享第四下部半导体层23d。即，包括下部半导体层23a、下部半导体层23b、下部半导体层23c、下部半导体层23d、活性层25以及上部半导体层27的半导体层叠体可以通过台面分离槽27a以及分离槽30a、30b、30c而分离为第一至第八发光单元C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、F2。

在台面分离槽27a内，不配置除第一电极板37以及第二电极板35以外的其他电极部分，而且下部半导体层23a、23b、23c、23d可以被露出。以连接台面分离槽27a或者第一电极板37以及第二电极板35的虚拟的线为基准，第一发光单元C1以及第二发光单元C2、第三发光单元D1以及第四发光单元D2、第五发光单元E1以及第六发光单元E2、并且第七发光单元F1以及第八发光单元F2分别可以具有对称的形状。因此，重点说明位于发光二极管的左侧的第一、第三、第五以及第七发光单元C1、D1、E1、F1。

第一、第三、第五以及第七发光单元C1、D1、E1、F1可以具有以串联方式电连接的结构。并且，第二、第四、第六以及第八发光单元C2、D2、E2、F2可以具有以串联方式电连接的结构。另外，第一、第三、第五以及第七发光单元C1、D1、E1、F1和第二、第四、第六以及第八发光单元C2、D2、E2、F2可以具有以并联方式电连接的结构。通过并联连接大多数发光单元，可以将输入的电流均匀地分散到各个发光单元，因此可以通过减少高电流驱动时的电压上升来改善下垂现象。

第一电极板37配置于基板21的一侧边缘21a附近，第二电极板35可以配置于与一侧边缘相面对的另一侧边缘21b附近。如图16所示，第一电极板37和第二电极板35可以相面对地配置。此外，第一电极板37可以经由第一发光单元C1以及第二发光单元C2而形成。

图16的第一电极板37的形状与图1的第一电极板类似。在第一电极板37的下部可以配置具有比第一电极板37大的横宽及竖宽的第三电流阻挡层31a。第一电极板37的位置可以限定地位于在第三电流阻挡层31a的上部。第一电极板37位于台面分离槽27a上，且可以经由第一发光单元C1以及第二发光单元C2而配置。据此，第三电流阻挡层31a在台面分离槽27a上可以使第一电极板37和第一下部半导体层23a绝缘。另外，第三电流阻挡层31a可以在第一以及第二发光单元C1、C2上夹设于透明电极层33和上部半导体层27之间。另一方面，透明电极层33的一部分位于第一电极板37的下部，可以包括露出第三电流阻挡层31a的开口部33a。第一发光单元C1以及第二发光单元C2上的透明电极层33分别包括开口部33a，这些开口部33a可以将台面分离槽27a置于中间而相互对称地形成。

开口部33a可以具有半圆形的形状。在透明电极层33形成开口部33a，从而可以使第一电极板37的粘结力增加。然而，开口部33a的形状并不限定于此，在能够增加第一电极板37的粘合强度的目的范围内，可以包括各种形状。另外，在本实施例中，针对在透明电极层33形成开口部33a的情形进行了说明，但也可以在第三电流阻挡层31a形成开口部，以露出上部半导体层27。

第二电极板35在基板21的另一侧边缘附近可以配置于台面分离槽27c内并与第四下部半导体层23d电连接。另一方面，第七发光单元F1以及第八发光单元F2的位置可以与第二电极板35相邻。在所述第二电极板35的下部可以配置有第二电流阻挡层31b。第二电流阻挡层31b配置于第二电极板35和第二下部半导体层23b之间，从而可以使注入第二下部半导体层23b的电流的水平分散顺利实现。第二电流阻挡层31b的宽度可以比第二电极板35小。即，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽小于第二电极板35的横宽及竖宽，因此，可以位于第二电极板35的一部分区域。例如，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽可以限定在第二电极板35的横宽及竖宽的90％以下。

绝缘层32b在第二电极板35的附近可以覆盖第七发光单元F1以及第八发光单元F2的侧面。参照图16，绝缘层32b覆盖第七发光单元F1以及第八发光单元F2的侧面，并且还形成于下部延伸部35a所经由的部分，因此可以具有整体连接的一个曲线形状。在下部延伸部35a所经由的部分，首先形成绝缘层32b，在其上面可以形成下部延伸部35a。据此，在结构上形成有绝缘层32b的部分中，下部延伸部35a的高度可以比其他部分更高。绝缘层32b，在第二电极板35上焊接导线时，可以防止焊材与第七发光单元F1或者第八发光单元F2的上部半导体层27接触而发生短路。绝缘层32b可以从透明电极层33隔开，因此，可以相对很小地形成绝缘层32b的面积。据此，可以减少绝缘层32b所造成的光损耗。

下部半导体层23a、23b、23c以及23d通过露出各发光单元的上部半导体层27以及活性层25，在露出的下部半导体层23a、23b、23c以及23d上可以配置有下部延伸部35a、35b、35d。下部延伸部35a、35b、35c可以与下部半导体层23a、23b、23c、23d电连接。

配置于第一至第六发光单元C1、C2、D1、D2、E1、E2的下部延伸部35b、35d可以包括两个直线区域(横向、纵向)以及连接它们的曲线区域。形成于第一及第五发光单元C1、E1上的下部延伸部35a和形成于第三发光单元D1上的下部延伸部35b可以实现镜像对称形状。下部延伸部35a、35b的一端与连接部35c连接之后与上下邻接的发光单元的主上部延伸部37c或37d电连接，另一端可能会被靠近主上部延伸部37c或37d的中心的曲线区域包围。例如，形成于第一发光单元C1的下部延伸部35a的一端通过连接部35c可以与第三发光单元D1的辅助上部延伸部37a连接。据此，第一发光单元C1和第三发光单元D1可以以串联方式电连接。

另外，参照图16，在第一发光单元C1中，下部延伸部35b可以从不是第一发光单元C1的中心的左侧下端垂直延伸并向右侧弯折，在第三发光单元D1中，下部延伸部35d可以从第三发光单元D1的右侧下端垂直延伸并向左侧弯折。另外，在第五发光单元E1中，下部延伸部35b可以从第五发光单元E1的左侧下端垂直延伸并向右侧折弯。即，根据本实施例的发光二极管与图9以及图15所示的发光二极管不同，下部延伸部35b、35d可以从不是发光单元下端的中心的左侧或者右侧延伸。

下部延伸部35a可以形成于第七发光单元F1上，可以与第二电极板35连接。下部延伸部35a可以包括直线区域和曲线区域。曲线区域可以连接直线区域和第二电极板35。直线区域与图9以及图15的实施例不同，可以在发光二极管的横向上形成。

在各下部延伸部35a、35b、35d的下方，可以配置第一电流阻挡层31c。第一电流阻挡层31c可以具有多个相互分离的形状。第一电流阻挡层31c通过配置于下部延伸部35a、35b、35d和下部半导体层23a、23b、23c、23d之间可以帮助注入下部半导体层23a、23b、23c、23d的电流在水平方向上的分散。在这里，由于与图9以及图15的实施例相同的理由，在下部延伸部35a、35b、35d的另一端，可以不配置第一电流阻挡层31c。

另一方面，在所述透明电极层33上可以配置上部延伸部37a、37b、37c、37d。主上部延伸部37b在第一发光单元C1上可以从第一电极板37朝向基板21的纵轴边缘21c在横向上延伸。参照图16，主上部延伸部37b可以包括与第一电极板37相接的圆形或者从此向横向较长地延伸的两个曲线。主上部延伸部37b包括两个端部，可以配置成包围下部延伸部35b的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37b的一部分配置于下部延伸部35b的上侧，另一部分可以配置于下部延伸部35b的下侧。在这里，以下部延伸部35b为基准，靠近基板21的一侧边缘21a的区域相当于所述上侧，与一侧边缘相面对的靠近另一侧边缘21b的区域相当于所述下侧。主上部延伸部37b相对于下部延伸部35b的直线区域可以大致地具有对称的结构，但主上部延伸部37b的上侧端部的位置可以比下侧端部更靠近基板21的纵轴边缘21c。即，如图16所示，位于下部延伸部35b的上侧的主上部延伸部37b的区域比位于下侧的区域更长，可以沿着下部延伸部35b的曲线区域弯曲。

辅助上部延伸部37a可以形成于第三、第五以及第七发光单元的左侧上端或者右侧上端。辅助上部延伸部37a可以具有上下垂直的直线形状。辅助上部延伸部37a的一端可以与连接部35c连接，另一端可以与主上部延伸部37c或37d连接。例如，形成于第三发光单元D1上的辅助上部延伸部37a形成于第三发光单元的右侧上端，一端与连接部35c连接之后可以与第一发光单元C1的辅助上部延伸部35b电连接。另外，辅助上部延伸部37b的另一端可以与第三发光单元D1的主上部延伸部37c的右侧上端连接。据此，第一发光单元C1与第三发光单元D1可以以串联方式电连接，同样，第三发光单元D1与第五发光单元E1可以以串联方式电连接。

主上部延伸部37c形成于第三以及第七发光单元D1、F1上，可以具有从基板21的纵轴边缘21c朝向台面分离槽27a横向延伸的形状。主上部延伸部37c大致类似于在第一发光单元C1上形成的主上部延伸部37b的形状，可以具有镜像对称结构。主上部延伸部37b与第一电极板37接触的区域和主上部延伸部37c与辅助上部延伸部37a接触的面积以及位置有所不同。参照图16可知，上部延伸部37b与第一电极板37接触的区域比主上部延伸部37c与辅助上部延伸部37a接触的区域更大，且靠近台面分离槽27a地配置。主上部延伸部37d形成于第五发光单元上，可以具有与主上部延伸部37c镜像对称的形状。

对第二、第四、第六以及第八发光单元C2、D2、E2、F2上的上部延伸部与下部延伸部的形状而言，所述形状可以以连接台面分离槽27a或者第一电极板37以及第二电极板35的假想线为基准而与第一、第三、第五以及第七发光单元C1、D1、E1、F1上的上部延伸部37a、37b、37c、37d、37e以及下部延伸部35a、35b、35d的形状相对称。

图17是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的平面图。

参照图17，根据本实施例的发光二极管可以包括配置于基板21上的第一至第八发光单元C1、C2、D1、D2、E1、E2。另外，所述发光二极管可以包括第一电极板37以及第二电极板35，并可以包括上部延伸部37a、37b、37c、37d、37e、37f、37g、37h和下部延伸部35a、35b、35d、35e、35f、35g。

发光单元C1、C2、D1、D2、E1、E2可以通过分离槽30a、30b、30c分离为各个发光单元。具体地说，第一、第二发光单元C1、C2通过分离槽30a而从第三、第四发光单元D1、D2分离，第三、第四发光单元D1、D2可以通过分离槽30b而从第五、第六发光单元E1、E2分离。另外，第一、第三以及第五发光单元C1、D1、E1可以通过分离槽30c而从第二、第四以及第六发光单元C2、D2、E2分离。即，包括下部半导体层23a、23b、23c、活性层25以及上部半导体层27的半导体层叠体可以通过分离槽30a、30b、30c而分离为第一至第八发光单元C1、C2、D1、D2、E1、E2。

分离槽30a、30b、30c可以通过分离工序而形成，在分离槽30a、30b、30c中基板21可以被露出。各发光单元可以具有横宽比竖宽大的矩形形状。第一至第六发光单元C1、C2、D1、E1、E2可以具有以串联方式电连接的结构。参照图17，第一电极板37形成于第二发光单元C2上的右侧上端，第二电极板35形成于在第五发光单元E1的左侧下端形成的台面槽27a上。即，在基板21，第一电极板37和第二电极板35可以形成于对角线上。另外，以分离槽30c为基准，第一发光单元C1和第四发光单元D2，以及第三发光单元D1和第六发光单元E2可以分别具有对称的形状。

具体地说，第一电极板37可以形成于第一发光单元C1的右侧上端区域。第一电流阻挡层31a可以位于第一电极板37的下部。具体地说，第三电流阻挡层31a可以在第一电极板37的下部夹设于透明电极层33和上部半导体层27之间。第三电流阻挡层31a的宽度可以比第一电极板37的宽度更大，由此，第三电流阻挡层31a可以将第一电极板37从第一下部半导体层23a绝缘。透明电极层33的一部分位于第一电极板37的下部，可以包括露出第三电流阻挡层31a的开口部33a。开口部33a可以具有圆形形状。在透明电极层33形成开口部33a，从而可以使第一电极板37的粘结力增加。在这里，开口部33a的形状并不限定于圆形，在可以增加第一电极板37的粘合强度的目的范围内，可以包括各种各样的形状。

第二电极板35可以配置于台面槽27b上。即，为了形成第二电极板35，对第五发光单元E1的左侧下端一部分区域进行台面蚀刻，从而可以形成台面槽27b。第二电极板35可以配置于台面分离槽27b内而与第三下部半导体层23c电连接。

在所述第二电极板35的下部可以配置有第二电流阻挡层31b。第二电流阻挡层31b配置于第二电极板35和第三下部半导体层23c之间，从而可以使注入到第三下部半导体层23c的电流的水平分散顺利实现。第二电流阻挡层31b的宽度比第二电极板35小。即，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽小于第二电极板35的横宽及竖宽，因此，可以位于第二电极板35的一部分区域。例如，第二电流阻挡层31b的横宽及竖宽可以限定在第二电极板35的横宽及竖宽的90％以下。

绝缘层32b可以覆盖台面槽27b的侧面。如图17所示，绝缘层32b覆盖台面槽27b的侧面，并且还形成于下部延伸部35a所经由的部分，因此可以具有整体连接的单一的线形状。在下部延伸部35a所经由的部分，可以具有首先形成绝缘层32b，并且在其上方形成下部延伸部35a的结构。据此，在形成有绝缘层32b的部分，下部延伸部35a的高度可以比其他部分更高。当在第二电极板35上焊接导线时，绝缘层32b可以防止焊材与第五发光单元E1的上部半导体层27接触而发生短路。

下部半导体层23a、23b、23c可以通过露出各发光单元的上部半导体层27以及活性层25，在露出的下部半导体层23a、23b、23c上可以配置有下部延伸部35a、35b、35d、35e、35f、35g。下部延伸部35a、35b、35d、35e、35f、35g可以与下部半导体层23a、23b、23c电连接。

下部延伸部35g可以形成于第二发光单元C2上，且具有直线形状。下部延伸部35g可以沿着第二发光单元E2的中心线形成。下部延伸部35g和第一发光单元C1的下部延伸部35f的直线区域(横向)可以位于一条直线上。下部延伸部35a的一端可以与连接部35c连接并与第一发光单元C1的辅助上部延伸部37h电连接。这样，第二发光单元C2和第一发光单元C1可以以串联方式电连接。下部延伸部35g的另一端可以被主上部延伸部37b包围。然而，由于在第二发光单元C2上形成有第一电极板37，所以下部延伸部35g的长度可以形成为比较短。

下部延伸部35f形成于第一发光单元C1上，可以包括两个直线区域(横向和纵向)以及连接它们的曲线区域。下部延伸部35f的纵向的直线区域形成于第一发光单元C1的左侧侧面下端，一端与连接部35c连接而与第三发光单元D1的辅助上部延伸部37a连接，另一端可以与曲线区域连接。据此，第一发光单元C1和第三发光单元D1可以以串联方式电连接。为了形成下部延伸部35f的纵向的直线区域，可以对第一发光单元C1的左侧侧面下端进行台面蚀刻。另外，横向直线区域沿着第一发光单元C1的中心线形成，一端连接于曲线区域，另一端可以被主上部延伸部37c包围。

下部延伸部35e可以形成于第三发光单元D1上，且具有直线形状。下部延伸部35e可以沿着第三发光单元D1的中心线形成。下部延伸部35e和第四发光单元D2的下部延伸部35d的直线区域(横向)可以位于一条直线上。下部延伸部35e的一端可以与连接部35c连接并与第四发光单元D2的辅助上部延伸部37h电连接。这样，第三发光单元D1和第四发光单元D2可以以串联方式电连接。下部延伸部35e的另一端可以被主上部延伸部37d包围。

下部延伸部35e形成于第四发光单元D2上，以分离槽30c为基准可以具有与下部延伸部35b对称的形状。

下部延伸部35a可以形成于第五发光单元E1上，且包括曲线区域和直线区域。曲线区域的一侧端部与第二电极板35连接，另一侧端部可以与直线区域的一侧端部连接。直线区域的另一侧端部可以被主上部延伸部37g包围。另外，直线区域可以形成于第五发光单元E1的中心。

下部延伸部35b形成于第六发光单元E2上，并且可以具有以分离槽30c为基准而与下部延伸部35e对称的形状。

在各下部延伸部35a、35b、35d、35e的下方可以配置有第一电流阻挡层31c。第一电流阻挡层31c可以具有多个相互隔开的形状。第一电流阻挡层31c可以通过配置于下部延伸部35a、35b、35d、35e、35f、35g和下部半导体层23a、23b、23c之间而帮助注入下部半导体层23a、23b、23c的电流在水平方向上的分散。然而，在下部延伸部35a、35b、35d、35e、35f、35g的端部，可以不配置第一电流阻挡层31c。

另一方面，在所述透明电极层33上可以配置有上部延伸部37a、37b、37c、37d、37e、37f、37g、37h。主上部延伸部37b在第二发光单元C2上可以从第一电极板37朝向分离槽30c延伸。主上部延伸部37b可以配置成包围下部延伸部35g的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37b的一部分可以配置于下部延伸部35g的上侧，另一部分可以位于下部延伸部35g的下侧，又一部分可以配置于下部延伸部35g的端部和基板21的边缘21d之间。另外，主上部延伸部37b具有两个端部，这些端部分别可以位于下部延伸部35g的上侧以及下侧。在这里，下部延伸部35g的上侧指相对于下部延伸部35g以及将其延伸的虚拟的直线而靠近基板的一侧边缘21a的区域，下侧指与所述上侧相面对的一侧。主上部延伸部37b和下部延伸部35g之间的距离可以不恒定，其可以沿着主上部延伸部37b的延伸方向先疏远再靠近。

主上部延伸部37c在第一发光单元C1上可以从分离槽30c朝向基板21的一侧面21c而横向延伸。主上部延伸部37c可以具有曲线形状。主上部延伸部37c，可以配置成包围下部延伸部35f的直线区域(横向)的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37c的一部分配置于下部延伸部35f的上侧，另一部分位于下部延伸部35f的下侧，又一部分可以配置于下部延伸部35f的端部和分离槽30c之间。另外，主上部延伸部37b具有两个端部，这两个端部分别可以位于下部延伸部35f的上侧以及下侧。主上部延伸部37c，相对于经过下部延伸部35f的直线区域的假想线，可以具有对称结构。

主上部延伸部37c形成于第一发光单元C1上，除与辅助上部延伸部37a、37h连接的区域以外的剩余大部分形状与第六发光单元的主上部延伸部37f类似。另外，主上部延伸部37d、37e形成于第三发光单元D1以及第四发光单元D2上，并且除与辅助上部延伸部37a、37h连接的区域以外的剩余大部分可以与主上部延伸部37c具有镜像对称形状。

主上部延伸部37g，在第五发光单元E1上，可以从分离槽30c朝向基板21的一侧面21c横向延伸。主上部延伸部37g可以配置成包围下部延伸部35a的端部以及侧面的一部分。因此，主上部延伸部37g的一部分可以配置于下部延伸部35a的上侧，另一部分可以位于下部延伸部35a的下侧，又一部分可以配置于下部延伸部35a的端部和分离槽30c之间。主上部延伸部37g和下部延伸部35a之间的距离可以不恒定，也可以沿着主上部延伸部37g的延伸方向先疏远再靠近。主上部延伸部37g可以大致具有相对于下部延伸部35a的直线区域而对称的结构，但下部延伸部35a的上侧端部的位置可以比下侧端部更靠近基板21的边缘21c。即，如图17所示，位于下部延伸部35a的上侧的主上部延伸部37g的区域比位于下侧的区域更长，且可以沿着下部延伸部35a的曲线区域而弯曲。

另一方面，在第三以及第六发光单元D1、E2上形成的辅助上部延伸部37a可以连接上下相邻的发光单元之间的下部延伸部和主上部延伸部。例如，形成于第三发光单元D1上的辅助上部延伸部37a的一端与连接部35c连接之后可以与在第一发光单元C1上形成的下部延伸部35b电连接。另外，在第三发光单元D1上形成的辅助上部延伸部37a的另一端可以连接于主上部延伸部37d。通过这样的结构，第一发光单元C1和第三发光单元D1可以以串联方式电连接。辅助上部延伸部37a在发光单元上端的一侧面上，向右侧或者左侧下端倾斜延伸，从而可以与主上部延伸部37d、37f连接。

并且，在第一、第四以及第五发光单元C1、D2、E1上形成的辅助上部延伸部37h，可以连接左右邻接的发光单元之间的下部延伸部和主上部延伸部。例如，形成于第一发光单元C1上的辅助上部延伸部37h的一端与连接部35c连接之后可以与在第二发光单元C2上形成的下部延伸部35a电连接。另外，在第一发光单元C1上形成的辅助上部延伸部37h的另一端可以连接于主上部延伸部37c的中心部。通过这样的结构，第一发光单元C1和第二发光单元C2可以以串联方式电连接。辅助上部延伸部37h具有直线形状，并可以与下部延伸部35b、35e、35f、35g配置于一条直线上。

图18是显示对本发明提供的发光二极管的侧面形状的各种实施例的剖面图。通过图18a至图18c提供的关于基板的侧面的实施例可适用于前述的图1、图9以及图15至图17所提出的发光二极管的侧面。

经具体的研究，在图18a所示的发光二极管的侧面，被图案化的基板21被露出，在半导体叠层上形成阶梯差。图案化的基板21通过分离工序而被露出，阶梯差通过台面蚀刻工序形成。即，首先通过分离工序而在发光二极管的侧面图案化的基板21露出，然后，通过台面蚀刻工序而在下部半导体层23形成阶梯。在半导体叠层上形成有阶梯的情况下，具有在连接金属蒸镀时可以提高结合力的优点。

在图18b所示的发光二极管的侧面露出图案化的基板21，但与18a不同，在半导体叠层上不形成阶梯。这与图18a不同，是因为首先进行台面蚀刻工序后才进行了分离工序。

在图18c所示的发光二极管的侧面与前述的图18a以及图18b不同，不露出基板21而在半导体叠层上形成阶梯。这是因为对发光二极管的侧面不实现分离工序而仅实现了台面蚀刻工序。在实施分离工序时，不得不去除半导体叠层，即发光面积，但通过图15c而提出的发光二极管的侧面由于省略了分离工序，所以有能够最大限度地确保发光面积的优点。

根据本发明的一实施例的发光二极管可以利用串联连接的发光单元而在相对较高的电压下工作。因此，可以使整体驱动电流降低。此外，在并联连接发光单元的同时，可以利用下部延伸部以及上部延伸部而使电流均匀地分散。另外，所述发光二极管可以通过传统的一般工序进行封装，在发光二极管上可以配置含有荧光体的波长转换层。据此，可以提供产生白色光的发光元件。

图19示出根据本发明的各种实施例的发光二极管的部件封装形式。图19示出将图9所示的发光二极管通过线焊而封装在引线框架上的状态。然而，替代图9所示的发光二极管，可以封装图1及图15至图17所示的发光二极管。

根据本发明的一实施例的发光二极管可以利用串联连接的发光单元而相对较高的电压下工作。因此，可以降低整体驱动电流。此外，在并联连接发光单元的同时，可以利用下部延伸部以及上部延伸部而使电流均匀地分散。另外，所述发光二极管可以通过传统的一般工序进行封装，在发光二极管上可以配置含有荧光体的波长转换层。据此，可以提供产生白色光的发光元件。

Claims (19)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

基板；

半导体层叠体，位于所述基板上，包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层，并具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽；

第一电极板及上部延伸部，与所述上部半导体层电连接；

第二电极板及下部延伸部，与所述下部半导体层电连接；

连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度；

第一电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间；以及

第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间，

所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各个点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽，

所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄，

从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的隔开的距离大。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述连接部以及所述下部延伸部在所述分离槽和所述第一电流阻挡层之间的区域内与所述下部半导体层连接的连接区域的长度，比所述下部延伸部在相邻的两个点之间与所述下部半导体层连接的连接区域的长度长。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述上部延伸部配置成包围所述下部延伸部的端部。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述下部延伸部的端部与所述下部半导体层直接连接。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，

从所述下部延伸部的端部到所述上部延伸部的倾斜距离大于从所述下部延伸部的端部到所述上部延伸部的垂直距离，

其中，所述垂直距离是与所述下部延伸部垂直的方向上的、从所述下部延伸部的端部至所述上部延伸部的距离，所述倾斜距离是相对于所述垂直方向而倾斜的方向上的、从所述下部延伸部的端部至所述上部延伸部的距离。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电流阻挡层以及第二电流阻挡层是SiO₂层或者分布式布拉格反射器层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

还包括配置于所述上部半导体层的透明电极层，

所述透明电极层的一部分配置于所述上部半导体层和所述第一电极板之间以及所述上部半导体层和所述上部延伸部之间。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，

还包括：第三电流阻挡层，在所述第一电极板的下部配置于所述上部半导体层和所述透明电极层之间。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，

所述透明电极层具有露出所述第三电流阻挡层的开口部，

所述第一电极板通过所述开口部而与所述第三电流阻挡层相接触。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，

所述第三电流阻挡层具有比所述第一电极板大的横宽及竖宽，以使所述第一电极板被限定配置在所述第三电流阻挡层的上部。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述半导体层叠体还包括露出所述下部半导体层的台面分离槽，

所述半导体层叠体包括由所述分离槽或者所述台面分离槽定义的多个发光单元，

所述多个发光单元各自包括所述下部延伸部以及所述上部延伸部。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述连接部电连接相邻的两个发光单元的所述上部延伸部和下部延伸部。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，

所述多个发光单元包括第一至第四发光单元，

所述下部半导体层包括通过所述分离槽而互相隔开的第一下部半导体层以及第二下部半导体层，

所述第一发光单元和第二发光单元共享第一下部半导体层，

第三发光单元和所述第四发光单元共享第二下部半导体层，

所述第一发光单元通过所述连接部而与所述第三发光单元串联连接，

所述第二发光单元通过所述连接部而与所述第四发光单元串联连接。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，

各发光单元的下部延伸部包括向相同方向延伸的直线区域，

所述第一发光单元的下部延伸部的直线区域与所述第三发光单元的下部延伸部的直线区域位于同一轴上，所述第二发光单元的下部延伸部的直线区域与所述第四发光单元的下部延伸部的直线区域位于同一轴上。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，

所述第一电极板配置于所述台面分离槽上，且经由所述第一发光单元以及第二发光单元而配置，

所述第二电极板配置于所述台面分离槽上，且与所述第二下部半导体层电连接。

16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，

配置于所述第一发光单元以及第二发光单元上的上部延伸部与第一电极板电连接，

配置于所述第三发光单元以及第四发光单元的下部半导体层上的下部延伸部与所述第二电极板电连接。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，

各发光单元的上部延伸部包括：主上部延伸部，具有包围对应的下部延伸部的一部分的形状；以及辅助上部延伸部，从所述主上部延伸部突出。

18.根据权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，

所述第一发光单元以及第二发光单元上的辅助延伸部配置成将所述主上部延伸部连接在所述第一电极板，

所述第三发光单元以及第四发光单元上的辅助延伸部配置成将所述第三发光单元以及第四发光单元上的所述主上部延伸部分别连接在所述第一发光单元以及第二发光单元的下部延伸部。

19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，

所述第一发光单元与第三发光单元通过所述第一电极板以及第二电极板而并联连接于所述第二发光单元与第四发光单元。