KR101617227B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층;을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부; 복수의 반도체층을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 반사층; 제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 그리고 제3 발광부를 덮는 반사층 위에 형성된 보조 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 금속에 의한 광흡수 손실을 줄이고 방열 효율을 향상한 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(10; 예; 사파이어 기판), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(30), n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(50), p형 3족 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 전류확산 전도막(60), 전류확산 전도막(60) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(70), p형 3족 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(80), 그리고 보호막(90)을 포함한다.
버퍼층(20)은 기판(10)과 n형 3족 질화물 반도체층(30) 사이의 격자상수 및 열팽창계수의 차이를 극복하기 위한 것이며, 미국특허 제5,122,845호에는 사파이어 기판 위에 380℃에서 800℃의 온도에서 100Å에서 500Å의 두께를 가지는 AlN 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,290,393호에는 사파이어 기판 위에 200℃에서 900℃의 온도에서 10Å에서 5000Å의 두께를 가지는 Al(x)Ga(1-x)N (0≤x<1) 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/154454호에는 600℃에서 990℃의 온도에서 SiC 버퍼층(씨앗층)을 성장시킨 다음 그 위에 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1) 층을 성장시키는 기술이 기재되어 있다. 바람직하게는 n형 3족 질화물 반도체층(30)의 성장에 앞서 도핑되지 않는 GaN층이 성장되며, 이는 버퍼층(20)의 일부로 보아도 좋고, n형 3족 질화물 반도체층(30)의 일부로 보아도 좋다.
전류확산 전도막(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비된다. 전류확산 전도막(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50)의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며, 예를 들어, ITO, ZnO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 전도막으로 형성되거나, Ag를 사용하여 반사형 전도막으로 형성될 수 있다.
p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80)는 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 메탈 전극으로서, 예를 들어, 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다.
보호막(90)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.
도 2는 미국 등록특허공보 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED(A,B)의 일 예를 나타내는 도면이다. 여러 가지 장점 때문에 도 2에 도시된 것과 같이 복수의 LED(A,B)가 직렬연결되어 사용된다. 예를 들어, 복수의 LED(A,B)를 직렬연결하면 외부 회로와 와이어 연결의 개수가 감소하며, 와이어로 인한 광흡수 손실이 감소된다. 또한, 직렬연결된 LED(A,B) 전체의 동작전압이 상승하기 때문에 전원 공급 회로가 보다 단순화될 수 있다. 단일 기판 위에 복수의 LED(A,B)가 직렬로 연결되는 경우, 개별적인 반도체 발광소자를 직렬로 연결하는 것과 비교했을 때, 점유하는 면적이 작아 설치 밀도를 향상시킬 수 있고, 따라서, 반도체 발광소자를 포함하는 조명 장치 등을 구성할 때 소형화가 가능하다.
한편, 복수의 LED(A,B)를 직렬연결하기 위해서 인터커넥터(34)를 증착하여 이웃한 LED(A,B)의 p측 전극(32)과 n측 전극(32)을 연결한다. 그러나 복수의 LED (A,B)를 전기적으로 절연하는 분리(isolation) 공정에서 사파이어 기판(20)이 노출되도록 복수의 반도체층을 식각해야 하는데, 그 식각 깊이가 깊어서 시간이 오래 걸리고 단차가 크기 때문에 인터커넥터(34)를 형성하기가 어렵다. 절연체(30)를 사용하여 도 2에 도시된 것과 같이 인터커넥터(34)를 완만한 경사를 이루도록 형성하는 경우 LED(A,B)들 사이 간격이 증가하여 집적도 향상에 문제가 있다.
도 3은 미국 등록특허공보 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED의 다른 예를 나타내는 도면이다. 복수의 LED(A,B)를 절연(isolation)하는 다른 방법으로 복수의 LED(A,B) 사이의 하부 반도체층(22; 예를 들어, n형 질화물 반도체층)을 식각하지 않고 이온 주입(ion implantation)을 하여 복수의 LED(A,B) 사이를 절연하면 인터커넥터(34)의 단차가 감소된다. 그러나 하부 반도체층(22)에 깊게 이온 주입하는 것이 어렵고 공정 시간이 길어서 문제가 된다.
도 4는 미국 등록특허공보 제7,417,259호에 개시된 엘이디 어레이의 일 예를 나타내는 도면으로서, 고전압(high drive voltage), 저전류 구동을 위해 절연기판 위에 2차원 배열된 엘이디 어레이가 형성되어 있다. 절연기판은 사파이어 모노리식(monolithically) 기판이 사용되었고, 기판 위에 2개의 엘이디 어레이가 역방향으로 병렬연결되어 있다. 따라서, AC 전원이 직접 구동전원으로 사용될 수 있다.
도 5는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.
이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층;을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부; 복수의 반도체층을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 반사층; 제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 그리고 제3 발광부를 덮는 반사층 위에 형성된 보조 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 특허 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 특허 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED의 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제7,417,259호에 개시된 엘이디 어레이의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 7은 도 6의 A-A 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 9는 연결 전극의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 14는 도 13의 B-B 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 17은 도 16의 D-D 선을 따라 취한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 21은 도 20의 C-C 선을 따라 취한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면.
도 2는 미국 특허 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 특허 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED의 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제7,417,259호에 개시된 엘이디 어레이의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 7은 도 6의 A-A 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 9는 연결 전극의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 14는 도 13의 B-B 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 17은 도 16의 D-D 선을 따라 취한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 21은 도 20의 C-C 선을 따라 취한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 도 6의 A-A 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하는 도면이다.
반도체 발광소자는 기판, 제1 발광부(101), 제2 발광부(102), 제3 발광부(103), 반사층(R), 제1 전극(80), 제2 전극(70), 및 보조 패드(75)를 포함한다. 제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부는 각각 제1 반도체층(30), 활성층(40), 및 제2 반도체층(50)이 순차로 적층된 복수의 반도체층을 포함한다. 반사층은 복수의 반도체층을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 기판 측으로 반사한다. 제1 전극은 제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급한다. 제2 전극은 제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급한다. 보조 패드는 제3 발광부를 덮는 반사층 위에 형성되며, 방열 및/또는 반도체 발광소자를 지지한다. 이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다.
기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다.
복수의 반도체층은 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다.
본 예에서, 반사층(R)은 절연성을 가지며, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70) 중 적어도 하나는 반사층(R)을 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에 구비되며, 반사층(R)을 관통하는 전기적 연결(an electrical connection)에 의해 복수의 반도체층과 전기적으로 연통되는 플립칩(flip chip)이다.
반도체 발광소자는 복수의 발광부를 포함할 수 있다. 본 예에서, 반도체 발광소자는 제1, 제2, 및 제3 발광부(101,102,103)를 포함하며, 연결 전극(92a,92b), 및 전기적 연결(71,81)을 포함한다. 제1, 제2, 및 제3 발광부(101,102,103)는 서로 마주하도록, 본 예에서는 일렬로 배열되어 있다. 연결 전극(92a,92b)은 서로 마주하는 발광부들을 전기적으로 연결한다. 연결 전극(92a,92b)의 일 측 끝은 제2 반도체층(50)과 반사층(R) 사이에서 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통되며, 연결 전극(92a,92b)의 타 측 끝은 제2 반도체층(50) 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통된다. 따라서, 제1, 제2, 및 제3 발광부(101,102,103)는 직렬연결되며, 하나의 발광부보다 High-voltage로 구동된다.
반사층(R)은 제1, 제2, 및 제3 발광부(101,102,103) 및 연결 전극(92a,92b)을 덮는다. 제1 전극(80), 제2 전극(70), 및 보조 패드(75)는 각각 제1 발광부(101), 제2 발광부(102), 및 제3 발광부(103)에 대응하여 반사층(R) 위에 형성되어 있다. 제1 전기적 연결(81)은 반사층(R)을 관통하여 제1 전극(80)과 제1 반도체층(30)을 전기적으로 연결한다. 제1 전기적 연결(81)과 제1 반도체층(30) 사이에는 접촉저항 감소와 안정적 전기적 연결을 위해 제1 오믹 전극(82)이 개재될 수 있다. 바람직하게는 전류 확산 전극(60; 예: ITO,Ni/Au)가 제2 반도체층(50)과 반사층(R) 사이에 형성된다. 제2 전기적 연결(71)은 반사층(R)을 관통하여 제2 전극(70)과 전류 확산 전극(60)을 전기적으로 연결한다. 제2 전기적 연결(71)과 전류 확산 전극(60) 사이의 접촉저항 감소와 안정적 전기적 연결을 위해 제2 오믹 전극(72)이 개재될 수 있다.
본 예에서 반사층(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 다층 구조의 일 예로, 유전체막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a) 및 클래드막(91c)을 포함한다. 유전체막(91b)은 높이차를 완화하여 분포 브래그 리플렉터(91a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. 유전체막(91b)의 재질은 SiO2가 적당하다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는 유전체막(91b) 위에 형성된다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는 반사율이 다른 물질의 반복 적층, 예를 들어, SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO의 반복 적층으로 이루어질 수 있으며, Blue 빛에 대해서는 SiO2/TiO2가 반사효율이 좋고, UV 빛에 대해서는 SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO가 반사효율이 좋을 것이다. 클래드막(91c)은 Al2O3와 같은 금속 산화물, SiO2, SiON와 같은 유전체막(91b), MgF, CaF, 등의 물질로 이루어질 수 있다.
분포 브래그 리플렉터(91a)는 수직 방향에 가까운 빛일수록 반사율이 높아서, 대략 99% 이상 반사한다. 반사층(R)이 잘 기능 하기 위해서는 다층 구조의 각 물질층이 특별히 설계된 두께로 잘 형성되어야 한다. 반사층(R)은 아래의 구조물들(예: 오믹 전극, 발광부들 사이 트렌치 등)로 인해 반사층(R)에는 높이차가 발생하는 부분들이 있다. 이러한 높이차로 인해 반사층(R)의 각 물질층이 설계된 두께로 형성되기 어려운 영역이 있고, 이 영역에서는 반사효율이 저하될 수 있다. 발광부들 사이에서 상대적으로 다른 부분보다 반사효율이 떨어질 수 있다. 따라서 가능한 한 발광부들 사이에 금속층이 적게 형성되는 것이 금속에 의한 광흡수 손실을 감소하는 데에 좋다. 본 예에서는 발광부들 사이에는 연결 전극 이외의 금속층이 없어서 금속에 의한 광흡수 손실을 줄이는 데에 유리하다.
제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 외부 전극과의 전기적 연결용 전극으로서, 외부 전극과 유테틱 본딩되거나, 솔더링되거나 또는 와이어 본딩도 가능하다. 외부 전극은 서브마운트에 구비된 도통부, 패키지의 리드 프레임, PCB에 형성된 전기 패턴 등일 수 있으며, 반도체 발광소자와 독립적으로 구비된 도선이라면 그 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 어느 정도 면적을 가지도록 형성되어 있어서 방열 통로가 된다. 보조 패드(75)는 제3 발광부(103)의 방열 통로가 되며, 외부 전극과의 본딩시 반도체 발광소자를 지지하는 기능도 한다. 본 예에서, 보조 패드(75)는 전극(70,80)과 떨어져 있고, 전기적으로 중성(neutral)이어서, 보조 패드(75)와 외부의 금속으로된 방열부가 접촉되어도 전기적 동작에 영향이 없고, 발광부로부터 직접적으로 방열되어 방열효율 향상에 좋은 구조가 된다. 또한, 서브마운트와의 접합에 있어서, 보조 패드(75,85)는 접합 면적을 증가시켜 본딩 강도를 향상할 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 연결 전극의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 본 예에서 반도체 발광소자는 제1, 제2, 제3, 및 제4 발광부를 포함한다. 위에서 바라볼 때, 각 발광부는 장변 및 단변을 가지는 사각(예: 직사각) 형상을 가진다. 각 발광부는 장변 측이 서로 마주보도록 일렬로 배열되어 있다, 따라서, 반도체 발광소자는 전체적으로 가로와 세로가 거의 비슷한 형상을 가진다. 제1 발광부와 제2 발광부는 2개의 연결 전극(92a,92a)에 의해 서로 전기적으로 연결되며, 제3 발광부와 제4 발광부는 2개의 연결 전극(92b,92b)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다. 이와 같이, 장변 측이 마주하므로 복수의 연결 전극을 사용하여 전류를 더욱 균일하게 공급하는 것을 고려할 수 있다. 한편, 연결 전극(92a,92b)의 일 측 끝은 각각 제2 반도체층(50) 위에서 뻗으며, 복수의 가지(92f)로 분기 되어 전류 확산을 더욱 균일하게 할 수 있다. 연결 전극(92a,92b)의 타 측 끝은 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에서 장변 방향으로 뻗어 있다. 연결 전극(92a,92b,92c)에 대응하여 제2 반도체층(50)과 전류 확산 전극(60) 사이, 발광부들 사이에 광흡수 방지막(41)이 형성될 수 있다. 복수의 제1 전기적 연결(81)은 제1 발광부의 장변 방향으로 배열되어 있고, 복수의 제2 전기적 연결(71)은 제4 발광부의 장변 방향으로 배열되어 있다. 이와 같이, 발광부의 개수가 증가하는 경우, 본 예와 같이 발광부들 사이에 금속층을 억제한 구조는 광흡수 손실을 줄이는 데 특히 효과적이다.
본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 도 6 내지 9를 참조하면, 먼저, 기판(10) 상에 제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 전류 확산 전극(60; 예: ITO)을 형성하고, 메사식각하여 제1 전기적 연결(81)에 대응하는 제1 반도체층(30)의 일부를 노출한다. 메사식각은 전류 확산 전극(60) 형성 전 또는 이후에 수행될 수도 있다. 전류 확산 전극(60)은 생략될 수 있다. 메사식각 공정과 함께 또는 별개로 복수의 발광부를 서로 전기적으로 절연시키는 공정이 수행되어 각 발광부는 성장 기판(10)을 노출하는 트렌치에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
이후, 광흡수 방지막(41)을 형성하고, 전류 확산 전극(60) 및 노출된 제1 반도체층(30)에 각각 오믹 전극(72,82)을 형성한다. 오믹 전극(72,82)은 생략될 수 있지만 동작전압 상승을 억제하고 안정적인 전기적 접촉을 위해 구비되는 것이 바람직하다. 도 9에 제시된 바와 같이, 오믹 전극(72,82) 형성과 함께 또는 별개로 연결 전극(92a,92b,92c)이 형성된다.
이후, 전류 확산 전극(60) 위에 반사층(R)을 형성한다. 이후, 반사층(R)에 개구를 형성하고, 제1 전기적 연결(81) 및 제2 전기적 연결(71)이 개구를 관통하여 각각 제1 오믹 전극(82) 및 제2 오믹 전극(72)에 접촉하게 형성된다. 다음으로 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 각각 제1 전기적 연결(81) 및 제2 전기적 연결(71)과 연결되도록 형성된다. 전기적 연결(71,81)과 전극(70,80)은 별개로 형성될 수도 있지만, 하나의 과정에서 일체로 형성될 수도 있다. 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)과 함께, 제3 발광부의 반사층 위에 보조 패드(75)가 형성될 수 있다.
이와 같이, 웨이퍼 상에서 복수의 발광부를 포함하는 개별 반도체 발광소자별로 절단함으로써, 복수의 발광부를 포함하는 반도체 발광소자가 제조된다. 절단에 있어서, 스크라이빙 및/또는 브레이킹 공정이 진행될 수 있으며, 화학적 식각공정이 추가될 수도 있다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 본 예에서 반도체 발광소자는 제1, 제2, 제3, 및 제4 발광부를 포함하며, 도전부(94)를 포함한다. 제3 발광부 및 제4 발광부의 반사층 위에는 각각 보조 패드(75,85)가 제1 전극 (80) 및 제2 전극(70)과 떨어져 형성되어 있다. 도전부(94)는 제2 발광부와 제3 발광부 사이의 반사층(R) 위에서 뻗으며, 보조 패드(85)와 보조 패드(75)를 연결한다. 따라서 열이 한 곳에 집중되지 않고 잘 퍼질 수 있다. 또한, 광흡수 손실을 줄이는 측면에서, 도전부(94)는 연결 전극(92b)과 중첩되며, 연결 전극(92b)보다 작거나 같은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 본 예에서 반도체 발광소자는 제1, 제2, 제3, 및 제4 발광부를 포함하며, 도전부(94a,94b)를 포함한다. 제3 발광부 및 제4 발광부의 반사층 위에는 각각 보조 패드(75,85)가 형성되어 있다. 도전부(94a)는 연결 전극(92a)보다 작거나 같은 폭을 가지며, 반사층(R) 위에서 뻗으며, 보조 패드(85)와 제1 전극(80)을 연결한다. 도전부(94b)는 연결 전극(92c)보다 작거나 같은 폭을 가지며, 반사층(R) 위에서 뻗으며, 보조 패드(75)와 제2 전극(70)을 연결한다.
보조 패드는 방열, 지지, 접합력 강화 등의 기능을 한다. 도전부가 보조 패드와 전극을 연결하므로 열이 더 잘 퍼지며, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 외부 전극과의 본딩에 문제가 있어도 외부 전극과 보조 패드(85) 또는 보조 패드(75)와 전기적으로 연결되어도 도전부(94a) 및 도전부(94b)를 통해 각각 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 발광부(101,102,103,104,105)를 포함한다. 제1 발광부(101) 위에 제1 전극(80), 제2 발광부(102) 위에 제2 전극(70), 제3 발광부(103) 위에 보조 패드(85), 제4 발광부(104) 위에 보조 패드(75), 및 제5 발광부(105) 위에 보조 패드(77)이 형성되어 있다. 보조 패드(75,85)는 도전부(94a,94b)에 의해 전극(70,80)과 연결되어 있다, 제5 발광부의 반사층 위의 보조 패드(77)는 전기적으로 중성을 유지한다.
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 14는 도 13의 B-B 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 제3 발광부(103)와 제4 발광부(104) 사이에 제5 발광부(105)를 더 포함한다. 제5 발광부(105)의 반사층(R) 위에는 전극이나 도전성 패드와 같은 금속층이 없다.
DBR과 같은 반사층(R) 위에 전극(70,80)이나 보조 패드(75,85)와 같은 금속층이 형성된 경우에, 금속층에 의해 빛이 흡수되지만, 금속층을 Ag, Al과 같이 반사율이 높은 금속으로 구성하는 경우에 반사율을 높일 수 있는 것으로 알려져 왔다. 또한, 금속층은 본딩 패드 또는 반도체 발광소자의 방열을 위해서도 기능을 해야하므로, 이러한 요소를 고려하여 그 크기를 결정해야 한다. 그러나 본 발명자들은 DBR과 같은 절연성 반사층(R)이 이용되는 경우에 그 위에 놓이는 금속층의 크기를 줄일수록 반사층(R)에 의한 광 반사율이 높아진다는 것을 확인하였으며, 이러한 실험 결과는 본 개시에서 금속층의 크기를 종래에 생략할 수 없었던 범위로 줄일 수 있는 계기를 제공하였다. 이에 더 나아가 도 14와 같이, 복수의 발광부 중 하나 이상의 발광부에서 반사층(R) 위에 금속층을 형성하지 않음으로써, 광흡수 손실을 줄이고 결과적으로 휘도가 향상될 수 있다.
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 복수의 발광부가 3*3 형태로 연결 전극에 의해 직렬연결되어 있다. 제1 전극(80)은 직렬 연결의 일 측 끝의 제1 발광부의 반사층(R) 위에 형성되고, 제2 전극(70)은 직렬 연결의 타 측 끝의 제2 발광부의 반사층(R) 위에 형성된다. 보조 패드(75,85)는 제1 발광부와 마주하는 발광부, 제2 발광부와 마주하는 발광부에 각각 형성되며, 도전부(94a,94b)에 의해 각각 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)과 연결되어 있다. 추가의 보조 패드(77)가 가운데 발광부에 형성될 수 있으며, 전기적으로 중성을 유지하도록 형성된다. 나머지 발광부의 반사층(R) 위에는 금속층을 형성하지 않아서 금속층에 의한 광흡수 손실을 줄였다.
이와 같이, 전극과 보조 패드를 도전부(94a)에 의해 서로 연결함으로써 얻는 전술된 장점과, 전기적으로 중립인 보조 패드를 구비하는 장점과, 반사층(R) 위에 금속층이 없는 장점을 모두 가지거나 일부의 특징만을 가지는 조합된 형태의 발광소자를 고려할 수 있다.
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 17은 도 16의 D-D 선을 따라 취한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 본 예에서, 각 발광부에는 복수의 제1 전기적 연결(81) 및 복수의 제2 전기적 연결(71)이 형성된다. 제1 전기적 연결(81)은 반사층(R)을 관통하며, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통된다. 제2 전기적 연결(71)은 반사층(R)을 관통하며, 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통된다. 연결 전극(94a)은 반사층(R) 위에서 뻗으며, 제1 발광부(101)의 제2 전기적 연결(71)과 제3 발광부(103)의 제1 전기적 연결(81)을 연결한다. 연결 전극(94b)은 반사층(R)위에서 뻗으며, 제3 발광부(103)의 제2 전기적 연결(71)과 제2 발광부(102)의 제1 전기적 연결(81)을 연결한다. 보조 패드(75)는 제3 발광부(103)의 반사층(R) 위에서 연결 전극(94a,94b)과 떨어지게 형성된다.
연결 전극(94a,94b)이 반사층(R) 위에 형성되므로 연결 전극이 반사층(R)에 의해 덮이는 경우에 비하여 연결 전극에 의한 광흡수가 감소한다. 또한, 발광부들 사이에서 광흡수 감소를 위해 연결 전극(94a,94b)은 도 16에 제시된 바와 같이, 발광부들 사이의 일부만 덮도록 형성된다. 전극(70,80), 연결 전극(94a,94b), 보조 패드(75)를 함께 형성할 수 있는 이점이 있다.
도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 연결 전극(94b)과 보조 패드(75)가 일체로 형성된 것을 제외하고는 도 16에 제시된 반도체 발광소자와 동일하다.
도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 본 예에서, 제1, 제2, 제3, 및 제4 발광부(101,102,103,104)는 연결 전극(94a,94b)에 의해 병렬연결되어 있다. 각 발광부의 제1 전기적 연결(81)은 일측 가장자리에 구비되며, 연결 전극(94a)은 이들을 연결한다. 제1 전극(80)은 제1 발광부(101)의 반사층(R) 위에 구비되며 연결 전극(94a)과 연결된다. 각 발광부의 제2 전기적 연결(71)은 타측 가장자리에 구비되며, 연결 전극(94b)은 이들을 연결한다. 제2 전극(70)은 제2 발광부(102)의 반사층(R) 위에 구비되며 연결 전극(94b)과 연결된다. 제3 발광부(103) 및 제4 발광부(104)의 반사층(R) 위에는 각각 중성의 보조 패드(75,85)가 구비되어 있다. 연결 전극(94a,94b)이 제1 내지 제4 발광부(101,102,103,104) 위로 뻗어 있으므로 열이 한 곳에 집중되지 않고 잘 퍼질 수 있다. 발광부들 사이의 연결 전극(94a,94b)의 폭은 발광부들 위에서보다 작게 되어 광흡수 손실을 줄인다.
도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 21은 도 20의 C-C 선을 따라 취한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 본 예에서, 제1, 제2, 제3, 및 제4 발광부(101,102,103,104)는 상부 연결 전극(94b) 및 하부 연결 전극(94a)에 의해 병렬연결되어 있다. 제1 발광부(101)에 제1 전극(80)이 구비되며, 제1 전기적 연결(81)에 의해 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통된다. 제2 전극(70)은 제2 발광부(102)의 반사층 위에 구비되며, 제2 전기적 연결(71)에 의해 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통된다. 제3 발광부(103), 및 제4 발광부(104)의 반사층(R) 위에는 보조 패드(75,85)가 구비되어 있다. 상부 연결 전극(94b)은 반사층(R)에 의해 덮이며, 이웃한 발광부의 제2 반도체층(50)을 서로 전기적으로 연결한다. 하부 연결 전극(94a)은 반사층(R)에 의해 덮이며, 이웃한 발광부의 제1 반도체층(30)을 서로 전기적으로 연결한다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층;을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부; 복수의 반도체층을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 반사층; 제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 그리고 제3 발광부를 덮는 반사층 위에 형성된 보조 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(2) 반사층은 절연성을 가지며, 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 반사층을 기준으로 복수의 반도체층의 반대측에 구비되며, 반사층을 관통하는 전기적 연결(an electrical connection)에 의해 복수의 반도체층과 전기적으로 연통되는 플립칩(flip chip)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 보조 패드는 제1 전극 및 제2 전극으로부터 떨어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 제4 발광부; 제4 발광부를 덮는 반사층 위에 형성된 추가의 보조 패드; 그리고 반사층 위에서 뻗으며, 보조 패드와 추가의 보조 패드를 연결하는 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 제4 발광부; 제4 발광부를 덮는 반사층 위에 형성된 추가의 보조 패드; 반사층 위에서 뻗으며, 보조 패드와 제1 전극을 연결하는 도전부; 그리고 반사층 위에서 뻗으며, 추가의 보조 패드와 제2 전극을 연결하는 추가의 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 제4 발광부;를 포함하며, 제4 발광부를 덮는 반사층 위에는 금속층이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(7) 제1 내지 제4 발광부 중 서로 마주하는 발광부들을 전기적으로 연결하는 연결 전극;으로서, 연결 전극의 일 측 끝은 제2 반도체층과 반사층 사이에서 제2 반도체층과 전기적으로 연통되며, 연결 전극의 타 측 끝은 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층과 전기적으로 연통되는 연결 전극;을 포함하며, 도전부 및 추가의 도전부는 연결 전극보다 작거나 같은 폭을 가지며, 연결 전극과 중첩된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 제5 발광부; 그리고 제5 발광부를 덮는 반사층 위에 보조 패드, 추가의 보조 패드, 제1 전극 및 제2 전극과 떨어진 중성의(neutral) 보조 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(9) 연결 전극의 일 측 끝은 제2 반도체층과 반사층 사이에서 제2 반도체층과 전기적으로 연통되며, 연결 전극의 타 측 끝은 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층과 전기적으로 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(10) 제6 발광부;를 포함하며, 제6 발광부를 덮는 반사층 위에는 금속층이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(11) 반사층을 관통하며, 제1 반도체층과 전기적으로 연통된 제1 전기적 연결; 그리고 반사층을 관통하며, 제2 반도체층과 전기적으로 연통된 제2 전기적 연결; 그리고 반도체층 위에서 뻗으며, 제1 발광부의 제2 전기적 연결과 제3 발광부의 제1 전기적 연결을 연결하는 연결 전극; 그리고 반도체층 위에서 뻗으며, 제3 발광부의 제2 전기적 연결과 제2 발광부의 제1 전기적 연결을 연결하는 추가의 연결 전극;을 포함하며, 보조 패드는 연결 전극 및 추가의 연결 전극과 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(12) 제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부 중 이웃한 발광부들을 전기적으로 연결하는 연결 전극;으로서, 이웃한 발광부들의 동일한 도전성을 가지는 반도체층을 서로 연통하는 연결 전극;을 연통하는 전기적 연결을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 반사층 위에 구비된 보조 패드 또는 보조 패드에 의해 방열효율이 향상된다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 발광부 사이에서 광흡수 손실을 줄여서 결과적으로 휘도가 향상된다.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 전극과 연결된 보조 패드로 인해 외부 전극과의 본딩시 전기적 연결이 쉬워 진다.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 절연성 반사층을 사용하여 금속 반사막에 의한 광흡수 손실이 감소한다.
제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 반사층(R)
제1 전극(80), 제2 전극(70), 보조 패드(75,85),
연결 전극(92a,92b,92c,92d), 도전부(94a,94b)
제1 전극(80), 제2 전극(70), 보조 패드(75,85),
연결 전극(92a,92b,92c,92d), 도전부(94a,94b)
Claims (12)
- 반도체 발광소자에 있어서,
제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층;을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부;
이웃한 발광부들을 전기적으로 연결하는 연결 전극;
복수의 반도체층 및 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 절연성 반사층;
제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극;
제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;
제3 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에 형성된 보조 패드; 그리고,
절연성 반사층 위에 형성되며 보조 패드와 연결된 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 절연성 반사층을 기준으로 복수의 반도체층의 반대측에 구비되며, 절연성 반사층을 관통하는 전기적 연결(an electrical connection)에 의해 복수의 반도체층과 전기적으로 연통되는 플립칩(flip chip)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
보조 패드는 제1 전극 및 제2 전극으로부터 떨어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 반도체 발광소자에 있어서,
제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층;을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부;
이웃한 발광부들을 전기적으로 연결하는 연결 전극;
복수의 반도체층 및 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 절연성 반사층;
제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극;
제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;
제3 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에 형성된 보조 패드;
제4 발광부;
제4 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에 형성된 추가의 보조 패드; 그리고
절연성 반사층 위에서 뻗으며, 보조 패드와 추가의 보조 패드를 연결하는 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 반도체 발광소자에 있어서,
제1 발광부, 제2 발광부, 및 제3 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층;을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부;
이웃한 발광부들을 전기적으로 연결하는 연결 전극;
복수의 반도체층 및 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 절연성 반사층;
제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극;
제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 구비되며, 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;
제3 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에 형성된 보조 패드;
제4 발광부;
제4 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에 형성된 추가의 보조 패드;
절연성 반사층 위에서 뻗으며, 보조 패드와 제1 전극을 연결하는 도전부; 그리고
절연성 반사층 위에서 뻗으며, 추가의 보조 패드와 제2 전극을 연결하는 추가의 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
제4 발광부;를 포함하며,
제4 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에는 금속층이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
도전부 및 추가의 도전부는 연결 전극보다 작거나 같은 폭을 가지며, 연결 전극과 중첩된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
제5 발광부; 그리고
제5 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에 보조 패드, 추가의 보조 패드, 제1 전극 및 제2 전극과 떨어진 중성의(neutral) 보조 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 7에 있어서,
연결 전극의 일 측 끝은 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에서 제2 반도체층과 전기적으로 연통되며, 연결 전극의 타 측 끝은 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층과 전기적으로 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 8에 있어서,
제6 발광부;를 포함하며,
제6 발광부를 덮는 절연성 반사층 위에는 금속층이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 삭제
- 삭제
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