CN107290910B - 像素阵列 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列，包括第一共用线、第一导电线、第一连接线、第二共用线、第二导电线、第三共用线以及第一连接结构。第一共用线位于第一扫描线的第一侧。第一导电线包括第一延伸部以及第二延伸部。第一连接线跨越第一扫描线，以将第一延伸部和第二延伸部电性连接。第二共用线位于第二扫描线的第一侧。第二导电线包括第三延伸部以及第四延伸部。第一连接结构电性连接第二共用线与第三共用线。

Description

像素阵列
技术领域
本发明涉及一种像素阵列，且特别涉及一种具有连接线的像素阵列。
背景技术
液晶显示装置通常具有上下两片基板，上层基板上具有电极膜，下层基板上则有共通电极，而液晶介质位于电极膜以及共通电极之间。在现有技术中，电极膜与共通电极连接到同样的共通电压，因此当液晶显示装置中的像素结构故障时，令像素电极与共通电极短路，即能使故障的像素结构变成暗点。
然而，由于电极膜与共通电极都连接至相同的电压，无法对液晶介质提供足够的电压差，限制了液晶显示装置的穿透率。因此，目前亟需一种能解决上述问题的方法。
发明内容
本发明提供一种像素阵列，能有效提高液晶显示装置的穿透率。
本发明的一种像素阵列包括第一扫描线、第二扫描线、第一数据线、第二数据线、第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第四像素电极、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、第一共用线、第二共用线、第一导电线、第二导电线、第一连接线、第三共用线以及第一连接结构。第一数据线以及第二数据线分别与第一扫描线和第二扫描线交错设置。第一像素电极以及第二像素电极分别配置于第一扫描线的第一侧与第一扫描线的第二侧。第一开关元件和第一扫描线以及第一数据线以及第一像素电极电性连接。第二开关元件与第二像素电极电性连接。第一共用线位于第一扫描线的第一侧。第一导电线包括第一延伸部以及第二延伸部，其中第一延伸部位于第一扫描线的第一侧，第二延伸部位于第一扫描线的第二侧。第一连接线跨越第一扫描线，以将第一延伸部和第二延伸部电性连接。第三像素电极以及第四像素电极分别配置于第二扫描线的第一侧与第二扫描线的第二侧。第三开关元件和第二扫描线以及第二数据线以及第三像素电极电性连接。第四开关元件与第四像素电极电性连接。第二共用线位于第二扫描线的第一侧。第二导电线包括第三延伸部以及第四延伸部，其中第三延伸部位于第二扫描线的第一侧，第四延伸部位于第二扫描线的第二侧。第一连接结构电性连接第二共用线与第三共用线。第一共用线、第二共用线以及第三共用线电性连接到第一电压，且第一导电线与第二导电线电性连接到第二电压。
本发明的一种像素阵列包括扫描线、数据线、第一像素电极、第二像素电极、第一开关元件、第二开关元件、第一共用线、第一导电线、连接线以及第三共用线。数据线与扫描线交错设置。第一像素电极以及第二像素电极分别配置于扫描线的第一侧与扫描线的第二侧。第一开关元件和扫描线、数据线以及第一像素电极电性连接。第二开关元件与第二像素电极电性连接。第一共用线位于扫描线的第一侧。第一导电线包括第一延伸部以及第二延伸部，其中第一延伸部位于扫描线的第一侧，以及第二延伸部位于扫描线的第二侧。连接线跨越扫描线，以将第一延伸部与第二延伸部电性连接。第三共用线包括第三延伸部以及第四延伸部，其中第三延伸部沿着扫描线的延伸方向延伸，第四延伸部设置于数据线上，且第四延伸部与第三延伸部相连接。第一共用线以及第三共用线电性连接到第一电压，第一导电线电性连接到第二电压。
基于上述，由于第一导电线与第二导电线施加有与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线、第二共用线或第三共用线进行修补而暗点化。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种像素阵列中的一种像素单元的上视示意图。
图1B是沿图1A剖线AA’的剖面示意图。
图1C是沿图1A剖线BB’的剖面示意图。
图1D是依照本发明的一实施例的一种像素阵列中的另一种像素单元的上视示意图。
图1E是沿图1D剖线CC’的剖面示意图。
图2A是依照本发明的另一实施例的一种像素阵列中的一种像素单元的上视示意图。
图2B是依照本发明的另一实施例的一种像素阵列中的另一种像素单元的上视示意图。
图3是依照本发明的又一实施例的一种像素阵列的上视示意图。
图4是依照本发明的再一实施例的一种像素阵列的上视示意图。
图5是依照本发明的更一实施例的一种像素阵列中的一种像素单元的上视示意图。
附图标记说明：
10、20：像素阵列
100、200、300、400、500、600、700：像素单元
110、310：第一导电线
112、312：第一延伸部
114、314：第二延伸部
116、316：第一分支部
216、416：第二分支部
516、616：第三分支部
120、320：第一共用线
140、340：第一连接线
540：第二连接线
150：导电层
210、410：第二导电线
220、420：第二共用线
322、422：主干部
324A、324B、424A、424B：支干部
510、610：第三导电线
CL1、CL4：第三共用线
CL2：第五共用线
CL3：第六共用线
CL4A：第三延伸部
CL4B：第四延伸部
PE1、PE2、PE3、PE4、PE5、PE6：像素电极
TFT1、TFT2、TFT3、TFT4、TFT5、TFT6：开关元件
ST1、ST2：分享元件
S1、S2、S3、S4、SS1、SS2：源极
D1、D2、D3、D4、SD1、SD2：漏极
G1、G2、G3、G4、SG1、SG2：栅极
SM1、SM2、SM3、SM4、SSM1、SSM2：半导体层
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8：接触窗
CS1、CS2：第一连接结构
CS3：第二连接结构
OP1：凹槽
DR1、DR2、DR3、DR4：延伸方向
SL1、SL2、SL3：扫描线
DL1、DL2、DL3：数据线
PV1、PV2：绝缘层
BS：基板
W1、W3、W5：第一侧
W2、W4、W6：第二侧
具体实施方式
图1A是依照本发明的一实施例的一种像素阵列中的一种像素单元的上视示意图。图1B是沿图1A剖线AA’的剖面示意图。图1C是沿图1A剖线BB’的剖面示意图。图1D是依照本发明的一实施例的一种像素阵列中的另一种像素单元的上视示意图。图1E是沿图1D剖线CC’的剖面示意图。
请参考图1A～图1E，本实施例的像素阵列包括像素单元100以及像素单元200。在一实施例中，像素单元100以及像素单元200形成于基板BS上。
在像素单元100中，第一数据线DL1与第一扫描线SL1交错设置。第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2分别配置于第一扫描线SL1的第一侧W1与第二侧W2，在一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2分别配置于第一扫描线SL1的上侧与下侧。
请同时参考图1A、图1B与图1C，第一开关元件TFT1和第一扫描线SL1、第一数据线DL1以及第一像素电极PE1电性连接。第一开关元件TFT1包括栅极G1、半导体层SM1、源极S1以及漏极D1。栅极G1与第一扫描线SL1电性连接，源极S1与第一数据线DL1电性连接，第一像素电极PE1通过接触窗C1而与漏极D1电性连接。至少部分半导体层SM1位于栅极G1与源极S1以及漏极D1之间。第二开关元件TFT2与第二像素电极PE2电性连接。第二开关元件TFT2包括栅极G2、半导体层SM2、源极S2以及漏极D2。在一实施例中，栅极G2与第一扫描线SL1电性连接，源极S2与与第一数据线DL1电性连接，第二像素电极PE2通过接触窗C2而与漏极D2电性连接。至少部分半导体层SM2位于栅极G2与源极S2以及漏极D2之间。在一实施例中，第二开关元件TFT2的源极S2可以与源极S1电性连接；更详而言之，第二开关元件TFT2的栅极G2电性连接至第一扫描线SL1，且第二开关元件TFT2的源极S2通过第一开关元件TFT1而电性连接至第一数据线DL1。
在本实施例中，接触窗C1位于漏极D1以及第一共用线120上，漏极D1与第一共用线120之间夹有绝缘层PV1，第一像素电极PE1与漏极D1之间夹有绝缘层PV2，而接触窗C1位于绝缘层PV2中。部分第一像素电极PE1填入接触窗C1而与漏极D1电性连接。
第一分享元件ST1包括栅极SG1、半导体层SSM1、源极SS1以及漏极SD1。源极SS1通过接触窗C2而电性连接至第二像素电极PE2，第一分享元件ST1的源极SS1电性连接至第二开关元件TFT2的漏极D2。第一分享元件ST1的漏极SD1通过接触窗C3而与第一导电线110电性连接。第一分享元件ST1的栅极SG1电性连接至第一扫描线SL1。至少部分半导体层SSM1位于栅极SG1与源极SS1以及漏极SD1之间。
第一导电线110包括第一延伸部112以及第二延伸部114，其中第一延伸部112位于第一扫描线SL1的第一侧W1，第二延伸部114位于第一扫描线SL1的第二侧W2，且第一延伸部112与第二延伸部114在第一扫描线SL1的位置结构上分离。在一实施例中，第一延伸部112与第一扫描线SL1之间还夹有第一共用线120，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一共用线120可以位于第二延伸部114与第一扫描线SL1之间。
第一延伸部112与第二延伸部114沿着第一数据线DL1的延伸方向DR1延伸。在一实施例中，第一导电线110还包括沿着第一扫描线SL1的延伸方向DR2延伸的第一分支部116。在本实施例中，第一分支部116位于第一扫描线SL1的第二侧W2，并与第二延伸部114连接，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一分支部116位于第一扫描线SL1的第一侧W1，并与第一延伸部112连接。
第一连接线140跨越第一扫描线SL1，以将第一延伸部112和第二延伸部114电性连接。在一实施例中，第一连接线140跨越第一扫描线SL1以及第一共用线120而将第一延伸部112和第二延伸部114电性连接。在一实施例中，第一连接线140的其中一端通过接触窗C3而与第一导电线110的第二延伸部114电性连接，第一连接线140的另一端通过接触窗C4而与第一导电线110的第一延伸部112电性连接。在一实施例中，第一连接线140位于黑矩阵(未示出的)的下方。
接触窗C4位于第一延伸部112上，第一延伸部112与第一连接线140之间夹有绝缘层PV1，接触窗C4位于绝缘层PV1中。导电层150填入接触窗C4而将第一连接线140与第一导电线110的第一延伸部112电性连接。在一实施例中，导电层150与第一像素电极PE1属于同一膜层。
接触窗C3位于第二延伸部114上，第二延伸部114与第一连接线140之间夹有绝缘层PV1，接触窗C3位于绝缘层PV1中。导电层150填入接触窗C3而将第一连接线140与第一导电线110的第二延伸部114电性连接。在一实施例中，导电层150与第一像素电极PE2属于同一膜层。在一实施例中，填入接触窗C3的导电层150与填入接触窗C4的导电层150分离。
在一实施例中，第三共用线CL1的延伸方向与第一数据线DL1的延伸方向DR1相同。在本实施例中，第三共用线CL1位于第一数据线DL1上，且至少覆盖部分的第一数据线DL1，然而本发明不以此为限。
在一实施例中，第一共用线120位于第一扫描线SL1的第一侧W1。第一共用线120包括凹槽OP1，且至少部分的第一导电线110的第一延伸部112位于凹槽OP1内。换言之，在基板BS的一垂直投影方向上，至少部分的第一延伸部112与第一共用线120的凹槽OP1的容置空间重叠。
请同时参考图1D与图1E，在像素单元200中，第二数据线DL2与第二扫描线SL2交错设置。在一实施例中，像素单元200的第二扫描线SL2与像素单元100的第一扫描线SL1电性连接，换句话说，第二扫描线SL2与第一扫描线SL1位于像素阵列中的同一列，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第二扫描线SL2与第一扫描线SL1分离，且位于像素阵列中的不同列。第三像素电极PE3以及第四像素电极PE4分别配置于第二扫描线SL2的第一侧W3与第二侧W4，在一实施例中，第三像素电极PE3以及第四像素电极PE4分别配置于第二扫描线SL2的上侧与下侧。在一实施例中，第二数据线DL2的延伸方向DR3等于第一数据线DL1的延伸方向DR1，且第二扫描线SL2的延伸方向DR4等于第一扫描线SL1的延伸方向DR2。
第三开关元件TFT3和第二扫描线SL2、第二数据线DL2以及第三像素电极PE3电性连接。第三开关元件TFT3包括栅极G3、半导体层SM3、源极S3以及漏极D3。栅极G3与第二扫描线SL2电性连接，源极S3与第二数据线DL2电性连接，第三像素电极PE3通过接触窗C5而与漏极D3电性连接。至少部分半导体层SM3位于栅极G3与源极S3以及漏极D3之间。
第四开关元件TFT4与第四像素电极PE4电性连接。第四开关元件TFT4包括栅极G4、半导体层SM4、源极S4以及漏极D4。在一实施例中，栅极G4与第二扫描线SL2电性连接，源极S4与与第二数据线DL2电性连接，第四像素电极PE4通过接触窗C6而与漏极D4电性连接。至少部分半导体层SM4位于栅极G4与源极S4以及漏极D4之间。在一实施例中，第四开关元件TFT4的源极S4可以与源极S3电性连接；更详而言之，第四开关元件TFT4的栅极G4电性连接至第二扫描线SL2，且第四开关元件TFT4的源极S4通过第三开关元件TFT3而电性连接至第二数据线DL2。
第二分享元件ST2包括栅极SG2、半导体层SSM2、源极SS2以及漏极SD2。源极SS2通过接触窗C6而电性连接至第四像素电极PE4，第二分享元件ST2的源极SS2电性连接至第四开关元件TFT4的漏极D4。第二分享元件ST2的漏极SD2通过接触窗C7而与第二导电线210电性连接。第二分享元件ST2的栅极SG2电性连接至第二扫描线SL2。至少部分半导体层SSM2位于栅极SG2与源极SS2以及漏极SD2之间。
第二导电线210包括第三延伸部212以及第四延伸部214，其中第三延伸部212位于第二扫描线SL2的第一侧W3，第四延伸部214位于第二扫描线SL2的第二侧W4。第三延伸部212与第四延伸部214沿着第二数据线DL2的延伸方向DR3延伸。在一实施例中，第二导电线210还包括沿着第二扫描线SL2的延伸方向DR4延伸的第二分支部216。在一实施例中，像素单元200的第二分支部216与像素单元100的第一分支部116电性连接。在一实施例中，第一分支部116通过第二导电线210的第二分支部216而电性连接至第二导电线210的第四延伸部214。在一实施例中，第一导电线110与第二导电线210在扫描线的延伸方向以及数据线的延伸方向上共同组成网状结构，因此像素阵列可以有较为平均的电压分布。
第二共用线220位于第二扫描线SL2的第一侧W3。在一实施例中，像素单元200的第二共用线220与像素单元100的第一共用线120电性连接。
在一实施例中，第三共用线CL1与第二共用线220电性连接。在一实施例中，第三共用线CL1与第二共用线220交错设置，第三共用线CL1通过第一连接结构CS1而电性连接至第二共用线220。第三共用线CL1与第二共用线220施加有相同电压。在一实施例中，像素单元200相邻于像素单元100，第二数据线DL2相邻于第一数据线DL1，且第三共用线CL1位于第一数据线DL1上方。
接触窗C8位于第二共用线220上，绝缘层PV2与第二共用线220之间夹有绝缘层PV1，接触窗C8位于绝缘层PV2与绝缘层PV1中，至少部分第一连接结构CS1通过接触窗C8而与第二共用线220电性连接，且第一连接结构CS1会与第三共用线CL1电性连接。在本实施例中，第一连接结构CS1与第二共用线220之间夹有绝缘层PV1与绝缘层PV2，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一连接结构CS1与第二共用线220之间只夹有绝缘层PV1或绝缘层PV2。在一实施例中，第一连接结构CS1与第三共用线CL1属于同一膜层。在一实施例中，第一共用线120、第二共用线220与第三共用线CL1在扫描线的延伸方向以及数据线的延伸方向上共同组成网状结构，因此像素阵列可以有较为平均的电压分布。
在本实施例的像素阵列中，第一共用线120、第二共用线220以及第三共用线CL1电性连接到第一电压，且第一导电线110与第二导电线210电性连接到第二电压。在一实施例中，包括本发明像素阵列的液晶显示装置具有上下两片基板，上层基板上具有施加有第一电压的电极膜，第一导电线110与第二导电线120施加有与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外，当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线120、第二共用线220或第三共用线CL1进行修补而暗点化。
在一实施例中，第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第一共用线120、第二共用线220、第一导电线110以及第二导电线210属于同一膜层。在一实施例中，第一数据线DL1、第二数据线DL2以及第一连接线140属于同一膜层。在一实施例中，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4、第三共用线CL1以及第一连接结构CS1属于同一膜层。
基于上述，由于本实施例的像素阵列的第一共用线120、第二共用线220以及第三共用线CL1电性连接到第一电压，而第一导电线110与第二导电线210电性连接到第二电压，因此能提高施加于液晶显示装置中液晶介质的电压差，有效提高液晶显示装置的穿透率。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线120、第二共用线220或第三共用线CL1进行修补而暗点化。
图2A是依照本发明的另一实施例的一种像素阵列中的一种像素单元的上视示意图。图2B是依照本发明的另一实施例的一种像素阵列中的另一种像素单元的上视示意图。在此必须说明的是，图2A与图2B的实施例沿用图1A～图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A、图2B的实施例中的像素阵列包括像素单元300以及像素单元400。图2A、图2B的实施例与图1A～图1E的实施例的差异在于：在图2A、图2B的实施例中，第一导电线310、第二导电线410、第一共用线320与第二共用线420不同于图1A～图1E的第一导电线110、第二导电线210、第一共用线120与第二共用线220。
请参考图2A，在像素单元300中，第一导电线310包括第一延伸部312以及第二延伸部314，其中第一延伸部312位于第一扫描线SL1的第一侧W1，第二延伸部314位于第一扫描线SL1的第二侧W2。第一延伸部312以及第二延伸部314沿着第一数据线DL1的延伸方向DR1延伸。在一实施例中，第一导电线310还包括沿着第一扫描线SL1的延伸方向DR2延伸的第一分支部316。在本实施例中，第一分支部316与第二延伸部314连接，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一分支部316与第一延伸部312连接。
第一连接线340跨越第一扫描线SL1，以将第一延伸部312和第二延伸部314电性连接。在一实施例中，第一连接线340的其中一端通过接触窗C3而与第一导电线310的第二延伸部314电性连接，第一连接线340的另一端通过接触窗C4而与第一导电线310的第一延伸部312电性连接。
在一实施例中，第一导电线310的第一延伸部312大致上与第一像素电极PE1的中间的部分重叠，并能将第一像素电极PE1区分为左右两半。在一实施例中，第一像素电极PE1包括多个具有不同延伸方向的狭缝，第一延伸部312位于第一像素电极PE1不同延伸方向的狭缝的交界处。在一实施例中，第一导电线310的第二延伸部314大致上与第二像素电极PE2的中间的部分重叠，并能将第二像素电极PE2区分为左右两半。在一实施例中，第二像素电极PE2包括多个不同延伸方向的狭缝，第二延伸部314位于第一像素电极PE1不同延伸方向的狭缝的交界处。
第一共用线320包括主干部322、支干部324A以及支干部324B。主干部322沿着第一扫描线SL1的延伸方向DR2延伸。支干部324A以及支干部324B沿着第一数据线DL1的延伸方向DR1延伸，并与主干部322连接。在一实施例中，支干部324A以及支干部324B与第一像素电极PE1的边缘重叠。在一实施例中，支干部324A以及支干部324B位于第一像素电极PE1的两侧。第一导电线310的第一延伸部312位于支干部324A以及支干部324B之间。在本实施例中，第一共用线320可以遮蔽像素电极以及数据线的电场，使像素阵列的运行能够更稳定。
请参考图2B，在像素单元400中，第二导电线410包括第三延伸部412以及第四延伸部414，其中第三延伸部412位于第二扫描线SL2的第一侧W3，第四延伸部414位于第二扫描线SL2的第二侧W4。第三延伸部412与第四延伸部414沿着第二数据线DL2的延伸方向DR3延伸。在一实施例中，第二导电线410还包括沿着第二扫描线SL2的延伸方向DR4延伸的第二分支部416。在一实施例中，像素单元400的第二分支部416与像素单元300的第一分支部316电性连接。像素单元300的第一分支部316电性连接至第二导电线410。在一实施例中，第一导电线310与第二导电线410在扫描线的延伸方向以及数据线的延伸方向上共同组成网状结构，因此像素阵列可以有较为平均的电压分布。
在一实施例中，第二共用线420包括主干部422、支干部424A以及支干部424B。主干部422沿着第二扫描线SL2的延伸方向DR4延伸。支干部424A以及支干部424B沿着第二数据线DL2的延伸方向DR3延伸，并与主干部422连接。第二共用线420位于第二扫描线SL2的第一侧W3。在一实施例中，像素单元400的第二共用线420与像素单元300的第一共用线320电性连接。第一连接结构CS2通过接触窗C8电性连接第二共用线420与第三共用线CL1。在一实施例中，第一共用线320、第二共用线420与第三共用线CL1在扫描线的延伸方向以及数据线的延伸方向上共同组成网状结构，因此像素阵列可以有较为平均的电压分布。
在本实施例的像素阵列中，第一共用线320、第二共用线420以及第三共用线CL1电性连接到第一电压，且第一导电线310与第二导电线410电性连接到第二电压。基于上述，第一导电线310与第二导电线410施加与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线320、第二共用线420或第三共用线CL1进行修补而暗点化。
图3是依照本发明的又一实施例的一种像素阵列10的上视示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1A～图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请参考图3，像素阵列10包括像素单元100、像素单元200以及像素单元500，其中像素单元500与像素单元100类似。
在像素阵列10中，第一扫描线SL1电性连接第二扫描线SL2与第三扫描线SL3，并且第一数据线DL1位于第二数据线DL2以及第三数据线DL3之间。在一实施例中，第一数据线DL1、第二数据线DL2与第三数据线DL3的延伸方向相同，第一扫描线SL1、第二扫描线SL2与第三扫描线SL3的延伸方向相同。
第五像素电极PE5以及第六像素电极PE6，分别配置于第三扫描线SL3的第一侧W5与第三扫描线SL3的第二侧W6。第五开关元件TFT5和第三扫描线SL3、第三数据线DL3以及第五像素电极PE5电性连接。第六开关元件TFT6与第六像素电极PE6电性连接。
第四共用线520位于第三扫描线SL3的第一侧W5。第三导电线510包括第五延伸部512以及第六延伸部514，其中第五延伸部512位于第三扫描线SL3的第一侧W5，以及第六延伸部514位于第三扫描线SL3的第二侧W6。第二连接线540跨越第三扫描线SL3，以将第五延伸部512与第六延伸部514电性连接。在一实施例中，第五延伸部512以及第六延伸部514沿着第三数据线DL3的延伸方向延伸，且第三导电线510还包括沿着第三扫描线SL3的延伸方向延伸的第三分支部516。第一分支部116、第二分支部216以及第三分支部516彼此电性连接。在本实施例中，第一导电线110、第二导电线210以及第三导电线510电性连接到第二电压。
第三共用线CL1位于第一数据线DL1上方，第五共用线CL2位于第二数据线DL2上方，且第六共用线CL3位于第三数据线DL3上方。在一实施例中，第三共用线CL1、第五共用线CL2以及第六共用线CL3属于同一膜层。第一共用线120、第二共用线220、第三共用线CL1以及第四共用线520电性连接到第一电压。
在一实施例中，像素阵列中的连接线与连接结构的数量比为2比1，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，像素阵列中的连接线与连接结构的数量比可以依照实际需求而进行调整。
基于上述，由于像素阵列10的第一导电线110、第二导电线210以及第三导电线510施加与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线120、第二共用线220、第三共用线CL1、第四共用线520、第五共用线CL2或第六共用线CL3进行修补而暗点化。
图4是依照本发明的再一实施例的一种像素阵列20的上视示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1A～图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请参考图4，像素阵列20包括像素单元100、像素单元200以及像素单元600，其中像素单元600与像素单元200类似。
在像素阵列20中，第二扫描线SL2电性连接第一扫描线SL1与第三扫描线SL3，且第二数据线DL2位于第一数据线DL1以及第三数据线DL3之间。在一实施例中，第一数据线DL1、第二数据线DL2与第三数据线DL3的延伸方向相同，第一扫描线SL1、第二扫描线SL2与第三扫描线SL3的延伸方向相同。
第五像素电极PE5以及第六像素电极PE6分别配置于第三扫描线SL3的第一侧W5与第三扫描线SL3的第二侧W6。第五开关元件TFT5和第三扫描线SL3、第三数据线DL3以及第五像素电极PE5电性连接。第六开关元件TFT6与第六像素电极PE6电性连接。
第四共用线620位于第三扫描线SL3的第一侧W5。第五共用线CL2与第四共用线620电性连接。在本实施例中，第五共用线CL2与第四共用线620交错设置。第二连接结构CS3电性连接第四共用线620与第五共用线CL2。第一共用线120、第二共用线220、第三共用线CL1、第四共用线620以及第五共用线CL2电性连接到第一电压。
此外，在一实施例中，第三共用线CL1位于第一数据线DL1上方，第五共用线CL2位于第二数据线DL2上方，而第六共用线CL3位于第三数据线DL3上方，第一共用线120、第二共用线220、该第三共用线CL1、第四共用线620、第五共用线CL2以及第六共用线CL3电性连接到第一电压。
第三导电线610包括第五延伸部612以及第六延伸部614，第五延伸部612位于第三扫描线SL3的第一侧W5，第六延伸部614位于第三扫描线SL3的第二侧W6。在一实施例中，第五延伸部612以及第六延伸部614沿着第三数据线DL3的延伸方向延伸，且第三导电线610还包括沿着第三扫描线SL3的延伸方向延伸的第三分支部616。第一分支部116、第二分支部216以及第三分支部616彼此电性连接。在本实施例中，第一导电线110、第二导电线210以及第三导电线610电性连接到第二电压。
在一实施例中，像素阵列中的连接线与连接结构的数量比为1比2，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，像素阵列中的连接线与连接结构的数量比可以依照实际需求而进行调整。
基于上述，由于本实施例的像素阵列20的第一导电线110、第二导电线210以及第三导电线610施加与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线120、第二共用线220、第三共用线CL1、第四共用线620、第五共用线CL2或第六共用线CL3进行修补而暗点化。
图5是依照本发明的更一实施例的一种像素阵列中的一种像素单元的上视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
本实施例中的像素阵列包括像素单元700，图5的实施例与图2A的实施例类似，差异在于：图5的实施例的第三共用线CL4与图2A的实施例的第三共用线CL1不同。
在本实施例中，第三共用线CL4包括第三延伸部CL4A以及第四延伸部CL4B。至少部分第三延伸部CL4A沿着第一扫描线SL1的延伸方向DR2延伸，第四延伸部CL4B沿着第一数据线DL1的延伸方向DR1延伸，且第四延伸部CL4B与第三延伸部CL4A相连并设置于第一数据线DL1上。第一共用线320以及第三共用线CL4电性连接到第一电压，以及第一导电线310电性连接到第二电压。
在一实施例中，第一扫描线SL1、第一导电线310、第一共用线320属于同一膜层。在一实施例中，第一数据线DL1以及第一连接线340属于同一膜层。在一实施例中，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及第三共用线CL4属于同一膜层。
基于上述，由于本实施例的像素阵列的第一导电线310施加有与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线320或第三共用线CL4进行修补而暗点化。
综上所述，本发明的像素阵列的第一导电线与第二导电线施加有与第一电压不同的第二电压，利用第一电压与第二电压的电压差，使液晶显示装置的穿透率能大幅提高。此外当像素单元有损坏时，可以通过第一共用线、第二共用线或第三共用线进行修补而暗点化。在一实施例中，像素阵列中的一导电线与第二导电线在扫描线的延伸方向以及数据线的延伸方向上共同组成网状结构，因此像素阵列可以有较为平均的电压分布。在一实施例中，像素阵列中的第一共用线、第二共用线与第三共用线在扫描线的延伸方向以及数据线的延伸方向上共同组成网状结构，因此像素阵列可以有较为平均的电压分布。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (20)

1.一种像素阵列，包括：
一第一扫描线以及一第二扫描线；
一第一数据线以及一第二数据线，分别与该第一扫描线和该第二扫描线交错设置；
一第一像素电极以及一第二像素电极，分别配置于该第一扫描线的一第一侧与该第一扫描线的一第二侧；
一第一开关元件，和该第一扫描线以及该第一数据线以及该第一像素电极电性连接；
一第二开关元件，与该第二像素电极电性连接；
一第一共用线，位于该第一扫描线的该第一侧；
一第一导电线，包括一第一延伸部以及一第二延伸部，其中该第一延伸部位于该第一扫描线的该第一侧，该第二延伸部位于该第一扫描线的该第二侧；以及
一第一连接线，跨越该第一扫描线，以将该第一延伸部和该第二延伸部电性连接；
一第三像素电极以及一第四像素电极，分别配置于该第二扫描线的一第一侧与该第二扫描线的一第二侧；
一第三开关元件，和该第二扫描线以及该第二数据线以及该第三像素电极电性连接；
一第四开关元件，与该第四像素电极电性连接；
一第二共用线，位于该第二扫描线的该第一侧；
一第二导电线，包括一第三延伸部以及一第四延伸部，其中该第三延伸部位于该第二扫描线的该第一侧，该第四延伸部位于该第二扫描线的该第二侧；
一第三共用线；以及
一第一连接结构，电性连接该第二共用线与该第三共用线；
其中该第一共用线、该第二共用线以及该第三共用线电性连接到一第一电压，且该第一导电线与该第二导电线电性连接到一第二电压，
其中该第一电压不同于该第二电压。
2.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第三共用线位于该第一数据线上方。
3.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第一延伸部与该第二延伸部沿着该第一数据线的延伸方向延伸；并且该第一导电线还包括：
一第一分支部，沿着该第一扫描线的延伸方向延伸，其中该第一分支部电性连接至该第二导电线。
4.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第一共用线包括：
一主干部，沿着该第一扫描线延伸方向延伸；以及
两条支干部，沿着该第一数据线的延伸方向延伸，并与该主干部连接，该两条支干部与该第一像素电极的边缘重叠，且该第一导电线的该第一延伸部位于该两条支干部之间。
5.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第一扫描线、该第二扫描线、该第一共用线、该第二共用线、该第一导电线、以及该第二导电线属于同一膜层。
6.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第一数据线、该第二数据线以及该第一连接线属于同一膜层。
7.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第一像素电极、该第二像素电极、该第三像素电极、该第四像素电极、该第三共用线、以及该第一连接结构属于同一膜层。
8.如权利要求1所述的像素阵列，其中该第一共用线包括一凹槽，且至少部分该第一导电线的该第一延伸部位于该凹槽内。
9.如权利要求1所述的像素阵列，其中：
该第一扫描线与该第二扫描线电性连接；
该第一延伸部与该第二延伸部沿着该第一数据线的延伸方向延伸，并且该第一导电线包括一第一分支部，沿着该第一扫描线的延伸方向延伸；以及
该第三延伸部与该第四延伸部沿着该第二数据线的延伸方向延伸，并且该第二导电线包括一第二分支部，沿着该第二扫描线的延伸方向延伸，该第一分支部与该第二分支部电性连接。
10.如权利要求1所述的像素阵列，还包括：
一第三扫描线以及一第三数据线，其中该第一扫描线电性连接该第二扫描线与该第三扫描线，并且该第一数据线位于该第二数据线以及该第三数据线之间；
一第五像素电极以及一第六像素电极，分别配置于该第三扫描线的一第一侧与该第三扫描线的一第二侧：
一第五开关元件，和该第三扫描线、该第三数据线以及该第五像素电极电性连接；
一第六开关元件，与该第六像素电极电性连接；
一第四共用线，位于该第三扫描线的该第一侧；
一第三导电线，包括一第五延伸部以及一第六延伸部，其中该第五延伸部位于该第三扫描线的该第一侧，以及该第六延伸部位于该第三扫描线的该第二侧；以及
一第二连接线，跨越该第三扫描线，以将该第五延伸部与该第六延伸部电性连接；
其中该第一导电线、该第二导电线以及该第三导电线电性连接到该第二电压。
11.如权利要求10所述的像素阵列，其中该第三共用线位于该第一数据线上方，该第一共用线、该第二共用线、该第三共用线以及该第四共用线电性连接到该第一电压。
12.如权利要求1所述的像素阵列，还包括：
一第三扫描线以及一第三数据线，其中该第二扫描线电性连接该第一扫描线与该第三扫描线，且该第二数据线位于该第一数据线以及该第三数据线之间；
一第五像素电极以及一第六像素电极，分别配置于该第三扫描线的一第一侧与该第三扫描线的一第二侧；
一第五开关元件，和该第三扫描线、该第三数据线以及该第五像素电极电性连接；
一第六开关元件，与该第六像素电极电性连接；
一第四共用线，位于该第三扫描线的该第一侧；
一第三导电线，包括一第五延伸部以及一第六延伸部，其中该第五延伸部位于该第三扫描线的该第一侧，以及该第六延伸部位于该第三扫描线的该第二侧；
一第五共用线，与该第四共用线交错设置；以及
一第二连接结构，电性连接该第四共用线与该第五共用线；
其中该第一共用线、该第二共用线、该第三共用线、第四共用线以及第五共用线电性连接到该第一电压。
13.如权利要求12所述的像素阵列，其中该第三共用线位于该第一数据线上方，第五共用线位于该第二数据线上方，并且该第一导电线、该第二导电线以及该第三导电线电性连接到该第二电压。
14.如权利要求1所述的像素阵列，还包括一第一分享元件，其中该第二像素电极与该第二开关元件电性连接至该第一分享元件，该第二开关元件电性连接至该第一扫描线且通过该第一开关元件而电性连接至该第一数据线。
15.如权利要求1所述的像素阵列，还包括一第二分享元件，其中该第四像素电极与该第四开关元件电性连接至该第二分享元件，该第四开关元件电性连接至该第二扫描线且通过该第三开关元件而电性连接至该第二数据线。
16.一种像素阵列，包括：
一扫描线；
一数据线，与该扫描线交错设置；
一第一像素电极以及一第二像素电极，分别配置于该扫描线的一第一侧与该扫描线的一第二侧；
一第一开关元件，和该扫描线、该数据线以及该第一像素电极电性连接；
一第二开关元件，与该第二像素电极电性连接；
一第一共用线，位于该扫描线的该第一侧；
一第一导电线，包括一第一延伸部以及一第二延伸部，其中该第一延伸部位于该扫描线的该第一侧，以及该第二延伸部位于该扫描线的该第二侧；
一连接线，跨越该扫描线，以将该第一延伸部与该第二延伸部电性连接；以及
一第三共用线，该第三共用线包括一第三延伸部以及一第四延伸部，其中该第三延伸部沿着该扫描线的延伸方向延伸，该第四延伸部设置于该数据线上，且该第四延伸部与该第三延伸部相连；
其中该第一共用线以及该第三共用线电性连接到一第一电压，以及该第一导电线电性连接到一第二电压，
其中该第一电压不同于该第二电压。
17.如权利要求16所述的像素阵列，其中该第一延伸部与该第二延伸部沿着该数据线的延伸方向延伸；并且该第一导电线还包括：
一第一分支部，沿着该扫描线的延伸方向延伸，并与该第一延伸部或该第二延伸部连接。
18.如权利要求16所述的像素阵列，其中该第一共用线包括一凹槽，且至少部分该第一导电线的该第一延伸部位于该凹槽内。
19.如权利要求16所述的像素阵列，还包括一分享元件，其中该第二像素电极与该第二开关元件电性连接至该分享元件，该第二开关元件电性连接至该扫描线且通过该第一开关元件而电性连接至该数据线。
20.如权利要求16所述的像素阵列，其中该第一共用线包括：
一主干部，沿着该扫描线延伸方向延伸；以及
两条支干部，沿着该数据线的延伸方向延伸，并与该主干部连接，该两条支干部与该第一像素电极的边缘重叠，且该第一导电线的该第一延伸部位于该两条支干部之间。
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