CN107267137B - 一种水相量子点的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种水相量子点的制备方法,以所述纳米簇中间体作为种子,利用种子生长法在所述纳米簇中间体上包裹壳层材料,制备量子点,可以有效地控制晶体生长过程,首次将种子生长法引入量子点制备,实现了大浓度的水相量子点的快速制备,大大提升了水相量子点的原料利用率,原料利用率>50%,也提高了量子产率,量子产率可以达到40‑60%;减少了Ostwald熟化过程,减少了量子点制备时间,提高了生产效率;该方法制备得到的量子点的半峰宽窄,红色量子点的半峰宽≤50nm;采用该方法制备量子点成本较低,1g量子点成本不足100元,适于批量生产。
Description
技术领域
本发明照明技术领域,具体涉及一种水相量子点的制备方法。
背景技术
半导体照明技术是一种基于高效白光发光二极管(White Light EmittingDiode,WLED)的新型照明技术,被公认为21世纪最具发展前景的高技术领域 之一。国内LED产业方面,2016年我国半导体照明产业整体产值首次突破五千 亿元,产业规模达到5216亿元,但大部分集中在下游组装工艺,高新技术方面 产能较低,主要竞争性技术仍掌握在国外专利。2016年九大国家重点研发计划 再提纳米、量子概念,迫切需求量子点纳米技术的发展,以掌握LED显示与照 明产业核心竞争力。
现有的白光LED技术主要为GaN基蓝光LED芯片激发YAG:Ce3+黄色稀土荧光粉复合形成白光。虽然其光效较高,但发射峰半峰宽较宽(FWHM>80nm),色域范围较小(NTSC 标准70%左右),特别是对于彩色滤光片吸收损耗很大(>50%)。高光效、宽色域、高显指 白光LED技术是LED显示与照明领域所面临的共性关键技术,胶体半导体量子点(ColloidalQuantum Dots,QDs)其半峰宽较窄(25-50nm),色纯度高,可大幅提高色域范围(>110%NTSC),易实现高显指(Ra>90,R9>90),且量子产率高(>90%)。根据IHS预测,量子 点显示市场从2014年到2020年其年均增长率有望达110%。因此,新型量子点白光LED (QD-WLED)将是下一代半导体照明与显示的重要发展趋势,也是当今研究热点,市场前 景广阔。
从1983年Bell实验室的Brus首次报道了CdS纳米晶具有尺寸效应开始,在量子点制 备方面人们已经开展了大量的研究工作。有机相体系制备高性能的胶体量子点材料的制备已 有深入的研究,如厚壳层红色发光CdSe/CdS核壳量子点、厚壳层绿色发光合金量子点等。
针对目前WLED显示领域对宽色域、高稳定性等的迫切需求,波长可控、半峰宽小、高稳定性量子点制备已迫在眉睫。目前开展工业应用的量子点多采用油相合成,但油相大批 量制备成本高,需要开展一种低成本高质量的量子点制备方法。2002年德国的Weller课题 组在JPCB上报道了水相合成CdTe量子点,首次实现了量子点的低成本水相制备。而目前常规的水相量子点,特别是红色量子点,发光性能较差,半峰宽大、量子产率较低;同时制备时间长、稳定性差,无法直接用于高效LED,尤其是显示背光领域。
但是水相体系得到的量子点晶体质量、发光强度、稳定性等方面较差,同时较难可控的 制备核壳结构,对提高稳定性比较困难。现有的水相量子点的应用主要还集中在生物荧光探 针领域,同时传统制备工艺得到的水相量子点晶体质量较差,应用于WLED的研究工作相 对较少,特别是关于宽色域(>110%NTSC)、高显指(Ra>90,R9>90)显示照明领域仍 是空白。
常规的水相量子点由于低温制备(<100℃),量子点稳定性较差、半峰宽较大(>60nm), 特别是红色、近红外发光量子点。同时其母体原料利用率很低(<10%,Cd:Te=10:1),且 制备高量子产率需要保持在很低浓度合成(CCd2+=1.25mM),无法实现大批量制备,成为 制约水相量子点白光LED背光推广应用的主要瓶颈。
一般制备多色水相量子点(特别是红色、近红外),通过延长作用时间,利用Ostwald 熟化过程增大量子点粒径,得到不同发射波长的量子点。该方法制备时间长(如:近红外发 光>18h)、耗能多、母体原料利用率低,制备得到的晶体质量较差、粒径均一性差,同时量 子点半峰宽大、无法得到大浓度量子点,不适宜批量生产。
为了使量子点在下一代基于QD-WLED的显示与照明技术中得到广泛应用,首先需实现 量子点的低成本、高效大批量生产,得到发光性能好的产品。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种具有高量子产率、制备成本低的水相量子点的制 备方法。
本发明所采取的技术方案是:
一种水相量子点的制备方法,包括以下步骤:
(1)在水相体系中制备纳米簇中间体;
(2)在水相体系中,以所述纳米簇中间体作为种子,利用种子生长法在所述纳米簇中 间体上包裹壳层材料,制备量子点。
在一些优选的实施例中,所述纳米簇中间体为量子点的纳米簇。
在一些优选的实施例中,所述纳米簇中间体为CdTe、CdSe、CdS、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、PbS中任一种的纳米簇。
在一些优选的实施例中,所述步骤(1)具体包括:取母体一和配体溶于水中,调节溶 液pH至7-14,调整混合溶液温度为0-50℃,搅拌,注入母体二水溶液,逐渐升温至40-100℃, 反应10min-4h,得到纳米簇中间体溶液。
在一些进一步优选的实施例中,所述步骤(2)具体包括:取壳层生长母体一、壳层生 长母体二和配体溶于水中,调节溶液pH至7-14,注入所述纳米簇中间体溶液,加热,搅拌, 反应10min-4h,得到量子点溶液。
在一些优选的实施例中,所述壳层材料为CdTe、CdSe、CdS、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、 PbS中任一种,壳层材料与纳米簇材料可以是相同的,也可以是不同的。
在一些优选的实施例中,所述纳米簇中间体的粒径为0.5-3nm。
在一些优选的实施例中,还包括以下步骤:用离子液体与制备得到的所述量子点进行配 体交换,得到修饰后量子点。
在一些优选的实施例中,所述离子液体为季铵类、季膦类、吡啶类、吡咯烷类、哌啶类 或咪唑类离子液体,所述离子液体具有巯基、氨基、羧基、烯烃、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、苄基功能化、胍类中的至少一种官能团。
在一些进一步优选的实施例中,还包括以下步骤:将所述修饰后量子点与无机盐饱和溶 液混合,得到量子点-无机盐混晶,即固态量子点,所述无机盐为氯化钠、溴化钠、氯化钾、 溴化钾、氯化锂、溴化锂、四硼酸钠、蔗糖中的一种或多种。
本发明的有益效果是:
如图1所示,图1为种子生长法和传统方法制备水相量子点的示意图,传统的水相量子 点制备一般是通过延长反应时间,利用长时间的Ostwald熟化过程增大量子点粒径,得到不 同粒径的量子点,即得到不同反射波长的量子点,但是这种方法得到的量子点的浓度很低, 而且产量低,原料利用率<10%,尤其是红光、近红外量子点植被时间很长,超过20小时, 而且产率更低,而且传统的水相量子点存在半峰宽较宽的问题,如红色量子点的半峰宽> 70nm。针对此情况,本发明提供了一种水相量子点的制备方法,以所述纳米簇中间体作为 种子,利用种子生长法在所述纳米簇中间体上包裹壳层材料,制备量子点,可以有效地控制 晶体生长过程,首次将种子生长法引入量子点制备,实现了大浓度的水相量子点的快速制备, 大大提升了水相量子点的原料利用率,原料利用率>50%,也提高了量子产率,量子产率可 以达到40-60%;减少了Ostwald熟化过程,减少了量子点制备时间,提高了生产效率;该方 法制备得到的量子点的半峰宽窄,红色量子点的半峰宽≤50nm;采用该方法制备量子点成 本较低,1g量子点成本不足100元,适于批量生产。
附图说明
图1为种子生长法和传统方法制备水相量子点的示意图。
图2为CdTe纳米簇的透射电镜图。
图3为CdTe红色量子点的透射电镜图。
图4为实施例1制备得到的红色、绿色CdTe量子点荧光及紫光光谱。
图5为实施例1制备得到的CdTe量子点与传统方法制备得到CdTe量子点的荧光及紫 光光谱对比图。
图6为多层结构的量子点复合薄膜的制备流程示意图。
具体实施方式
实施例1:
本实施例提供了一种水相量子点的制备方法,具体包括以下步骤:
(1)在水相体系中制备纳米簇中间体:
取Cd母体(CdCl2·2.5H2O)和配体(巯基丙酸,MPA)溶于水中,CdCl2·2.5H2O与巯基丙酸的摩尔比为1:0.5-1:5,优选地,CdCl2·2.5H2O与巯基丙酸的摩尔比为1:1.6,所得量子点发光性能较好,调节溶液pH至7-14,优选pH为8.5,pH小于8时,溶液为浑浊态, 量子点反应不均匀,所得粒径分布较差;随着pH的升高,量子点生长速率大大提高,使得 可控性降低,故选择溶液最佳pH为8.5。冰浴中搅拌,将新鲜制备的Te母体(NaHTe)水 溶液迅速注入,在冰浴中进行反应,即可以控制纳米簇的生长速度,又可以保证均匀的反应 体系,使得到的纳米簇粒径均一,CdCl2·2.5H2O与NaHTe的摩尔比为1.5-10:1,优选地为 2.5:1,逐渐升温至90℃,控制升温速度为0.1-2℃/min,反应10min-4h,溶液从无色逐渐 变为亮黄色,得到CdTe纳米簇溶液,对所得CdTe纳米簇进行透射电镜分析,得到结果如 图2所示,从图中可以看到CdTe纳米簇粒径均一、表面缺陷少、半峰宽窄,粒径为1.8-2.2nm。 反应结束后,得到的纳米簇量子点溶液,用异丙醇沉淀,而后重新溶解在pH为8.5的MPA 分散的水溶液中,作为纳米簇种子,用于下一步反应。
(2)种子生长法在所述纳米簇中间体上包裹壳层材料,制备量子点
取壳层生长母体一(CdCl2·2.5H2O)、壳层生长母体二(Na2TeO3)和配体(巯基丙酸, MPA)溶于水中,控制Cd:Te的物质的量为0.5-10:1,优选地为1:1,调节溶液pH至 7-14,优选pH为12,壳层生长过程pH越大,则生长速度越快,pH 12时反应速率较高,且 同时可以较好的控制粒径分布;pH14时,生长过快,所得核壳量子点半峰宽较大。混合液 内注入制备得到的CdTe纳米簇中间体溶液,加热,迅速搅拌,反应10min-4h,得到CdTe 量子点溶液。壳层生长母体二应选用低活性的母体,可以有效防止壳层生长过程中母体自成 核,能够提高成壳效率,常用的低活性的母体为Na2TeO3。对制备得到的CdTe红色量子点 进行透射电镜分析,得到CdTe红色量子点的透射电镜图如图3所示。
在壳层均匀生长过程中,通过定量的控制壳层生长母体一、壳层生长母体二的反应量, 可控的得到特定波长的量子点,即各种颜色的量子点,绿色CdTe量子点波长为510-530nm, 黄色CdTe量子点的波长为580nm,红色CdTe量子点的波长为630-650nm,近红外CdTe量 子点的波长为680-780nm。母体计算量如公式1-5所示,根据公式1-5可以计算出量子点的 粒径、纳米簇的浓度、壳层母体的浓度。
n单个颗粒所需CdTe单体数量=ρCdTe·ΔV单个颗粒壳层体积·10-27/MCdTe (4)
n壳层母体物质的量=C核浓度·V核体积·n单个颗粒所需CdTe单体数量 (5)
式中:D粒径代表量子点纳米簇的直径;
λ吸收波长代表量子点纳米簇的第一激子吸收峰;
C核浓度代表量子点纳米簇溶液的浓度;
A紫外吸收值代表量子点纳米簇溶液的紫外吸收值;
ε摩尔吸光系数代表量子点纳米簇溶液的溶剂的摩尔吸光系数;
l光程代表测定紫外吸收比色皿光程;
ΔV单个颗粒壳层体积代表单个核壳量子点壳层的体积;
R2代表核壳量子点的半径;
r核代表量子点纳米簇的半径;
D2代表核壳量子点的直径;
d核代表量子点纳米簇的直径;
n单个颗粒所需CdTe单体数量代表单个核壳量子点生长壳层所需的CdTe单体的摩尔量;
ρCdTe代表CdTe的块体密度;
MCdTe代表CdTe的物质的量;
n壳层母体的物质的量代表制备一定浓度的核壳量子点所需的CdTe壳层母体的物质的量;
C核浓度代表量子点纳米簇的浓度;
V核体积代表量子点纳米簇的溶液体积;
通过控制定量的控制壳层生长母体一、壳层生长母体二的反应量,制备得到绿色CdTe 量子点(粒径为1.7-3.2nm)和红色CdTe量子点(粒径为3.6-4.4nm),进行光谱分析得到图 4,可以看到绿色CdTe量子点的半峰宽为37nm,红色CdTe量子点的半峰宽为50nm,半峰宽均较传统水相量子点更窄,将得到的红色CdTe量子点与传统Ostwakd熟化得到的水相红色CdTe量子点进行比较,得到图5,可以看到传统Ostwakd熟化得到的水相红色CdTe量子 点的半峰宽为70nm,而本发明采用种子生长法制备得到的量子点半峰宽为50nm,本发明得 到的量子点半峰宽比传统的水相量子点更窄,色纯度更高。
实施例2:
本实施例提供了一种水相量子点的制备方法,具体包括以下步骤:
(1)在水相体系中制备纳米簇中间体:
取Cd母体(CdCl2·2.5H2O)和配体(巯基丙酸,MPA)溶于水中,CdCl2·2.5H2O与巯基丙酸的摩尔比为1:0.5-1:5,优选地,CdCl2·2.5H2O与巯基丙酸的摩尔比为1:1.6,所得量子点发光性能较好,调节溶液pH至7-14,优选pH为8.5,pH小于8时,溶液为浑浊态, 量子点反应不均匀,所得粒径分布较差;随着pH的升高,量子点生长速率大大提高,使得 可控性降低,故选择溶液最佳pH为8.5。冰浴中搅拌,将新鲜制备的Se母体(NaHSe)水 溶液迅速注入,在冰浴中进行反应,即可以控制纳米簇的生长速度,又可以保证均匀的反应 体系,使得到的纳米簇粒径均一,CdCl2·2.5H2O与NaHSe的摩尔比为1.5-10:1,优选地为 2.5:1,逐渐升温至90℃,控制升温速度为0.1-2℃/min,反应10min-4h。反应结束后,得 到的纳米簇量子点溶液,用异丙醇沉淀,而后重新溶解在pH为8.5的MPA分散的水溶液中, 作为纳米簇种子,用于下一步反应。
(2)种子生长法在所述纳米簇中间体上包裹壳层材料,制备量子点
取壳层生长母体一(CdCl2·2.5H2O)、壳层生长母体二(Na2SeO3)和配体(巯基丙酸, MPA)溶于水中,控制Cd:Se的物质的量为0.5-10:1,优选地为1:1,调节溶液pH至 7-14,优选pH为12,壳层生长过程pH越大,则生长速度越快,pH 12时反应速率较高,且 同时可以较好的控制粒径分布;pH 14时,生长过快,所得核壳量子点半峰宽较大。混合液 内注入制备得到的CdSe纳米簇中间体溶液,加热,迅速搅拌,反应10min-4h,得到CdSe 量子点溶液。壳层生长母体二应选用低活性的母体,可以有效防止壳层生长过程中母体自成 核,能够提高成壳效率,常用的低活性的母体为Na2SeO3。
实施例3:
本实施例提供了一种水相量子点的制备方法,具体包括以下步骤:
(1)在水相体系中制备纳米簇中间体:
取Cd母体(CdCl2·2.5H2O)和配体(巯基丙酸,MPA)溶于水中,CdCl2·2.5H2O与巯基丙酸的摩尔比为1:0.5-1:5,优选地,CdCl2·2.5H2O与巯基丙酸的摩尔比为1:1.6,所得量子点发光性能较好,调节溶液pH至7-14,优选pH为8.5,pH小于8时,溶液为浑浊态, 量子点反应不均匀,所得粒径分布较差;随着pH的升高,量子点生长速率大大提高,使得 可控性降低,故选择溶液最佳pH为8.5。冰浴中搅拌,将新鲜制备的Te母体(NaHTe)水 溶液迅速注入,在冰浴中进行反应,即可以控制纳米簇的生长速度,又可以保证均匀的反应 体系,使得到的纳米簇粒径均一,CdCl2·2.5H2O与NaHTe的摩尔比为1.5-10:1,优选地为 2.5:1,逐渐升温至90℃,控制升温速度为0.1-2℃/min,反应10min-4h,溶液从无色逐渐 变为亮黄色,得到CdTe纳米簇溶液,对所得CdTe纳米簇进行透射电镜分析,得到结果如 图1所示,从图中可以看到CdTe纳米簇粒径均一、表面缺陷少、半峰宽窄,粒径为1.8-2.2nm。 反应结束后,得到的纳米簇量子点溶液,用异丙醇沉淀,而后重新溶解在pH为8.5的MPA 分散的水溶液中,作为纳米簇种子,用于下一步反应。
(2)种子生长法在所述纳米簇中间体上包裹壳层材料,制备量子点
取壳层生长母体一(CdCl2·2.5H2O)、壳层生长母体二(Na2SeO3)和配体(巯基丙酸, MPA)溶于水中,控制Cd:Se的物质的量为0.5-10:1,优选地为1:1,调节溶液pH至 7-14,优选pH为12,壳层生长过程pH越大,则生长速度越快,pH 12时反应速率较高,且 同时可以较好的控制粒径分布;pH 14时,生长过快,所得核壳量子点半峰宽较大。混合液 内注入制备得到的CdSe纳米簇中间体溶液,加热,迅速搅拌,反应10min-4h,得到CdSe 量子点溶液。壳层生长母体二应选用低活性的母体,可以有效防止壳层生长过程中母体自成 核,能够提高成壳效率,常用的低活性的母体为Na2SeO3。
实施例4:
为了进一步提高量子点的稳定性,使其可以用于长寿命的LED器件,取实施例1制备 得到的CdTe量子点与离子液体进行配体交换,得到修饰后量子点。所述离子液体为季铵类、 季膦类、吡啶类、吡咯烷类、哌啶类或咪唑类离子液体,所述离子液体具有巯基、氨基、羧 基、烯烃、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、苄基功能化、胍类中的至少一种官能团。离子液体沸点很高,一般都超过200℃,稳定性要高于常规的水相量子点制备所用的小分子配体, 如巯基乙酸、巯基丙酸、谷胱甘肽等;离子液体可以选用具有各种功能团的离子液体,可以 优选结合力强的功能基团,如巯基、氨基、羧基、烯烃、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、苄基功能化、胍类中的至少一种;离子液体为离子晶体,无机盐晶体同样为离子晶体,离子液体修饰后的量子点可以更好的匹配无机盐晶体生长过程,得到量子点均匀分散的晶体。利 用离子液体能够提升制备得到的量子点的稳定性,修饰后量子点能够更好地满足长寿命的 QD-WLED器件的使用要求。
实施例5:
为了更方便量子点的使用,可以将实施例4中得到的修饰后量子点与无机盐饱和溶液混 合,得到量子点-无机盐混晶,即固态量子点,可以实现量子点由液态转化为固态。所述无 机盐为氯化钠、溴化钠、氯化钾、溴化钾、氯化锂、溴化锂、四硼酸钠、蔗糖中的一种或多 种。水溶性量子点本身是分散在水溶液中的胶体,其存在形态为液态。LED封装器件所需用 的为固态粉末或者薄膜的光转换层,无法直接利用液态溶液中的量子点,故需得到量子点的 固态形态。量子点与无机盐晶体的混合水溶液,可以通过无机盐晶体的生长,实现量子点均 匀嵌入无机盐晶体内,得到固态的量子点-无机盐混晶,从而实现量子点的液态向固态转变。 固态量子点粉末可以与硅胶混合后涂覆在LED芯片上,用于LED封装器件。
还可参照图6所示的多层结构的量子点复合薄膜的制备流程示意图,制备多层结构的量 子点复合薄膜。将量子点-无机盐混晶分散于聚合物溶液(如PMMA、PS、PC、硅树脂等) 中,通过自流涂覆、保形涂覆和远离涂覆三种涂覆工艺涂覆,固化,可以得到量子点复合材 料薄膜,制成量子点复合薄膜,可以防止量子点团聚,使得量子点具有高稳定性。采用不同 的量子点-无机盐混晶即可得到不同的量子点复合薄膜。将不同的量子点复合薄膜复合,在 外层包覆聚合物薄膜,即可得到多层结构的量子点复合薄膜。
Claims (10)
1.一种水相量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在水相体系中制备纳米簇中间体;
(2)在水相体系中,以所述纳米簇中间体作为种子,利用种子生长法在所述纳米簇中间体上包裹壳层材料,制备量子点,所述步骤(2)具体包括:取壳层生长母体一、壳层生长母体二和配体溶于水中,调节溶液pH至7-14,注入所述纳米簇中间体溶液,加热,搅拌,反应10min-4h,得到量子点溶液。
2.根据权利要求1所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,所述纳米簇中间体为量子点的纳米簇。
3.根据权利要求1所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,所述纳米簇中间体为CdTe、CdSe、CdS、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、PbS中任一种的纳米簇。
4.根据权利要求1所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)具体包括:取母体一和配体溶于水中,调节溶液pH至7-14,调整混合溶液温度为0-50℃,搅拌,注入母体二水溶液,逐渐升温至40-100℃,反应10min-4h,得到纳米簇中间体溶液。
5.根据权利要求1-4任一项所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,所述壳层材料为CdTe、CdSe、CdS、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、PbS中任一种。
6.根据权利要求1-4任一项所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,所述纳米簇中间体的粒径为0.5-3nm。
7.根据权利要求1-4任一项所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:用离子液体与制备得到的所述量子点进行配体交换,得到修饰后量子点。
8.根据权利要求7所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,所述离子液体为季铵类、季膦类、吡啶类、吡咯烷类、哌啶类或咪唑类离子液体,所述离子液体具有巯基、氨基、羧基、烯烃、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、苄基功能化、胍类中的至少一种官能团。
9.根据权利要求7所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:将所述修饰后量子点与无机盐饱和溶液混合,得到量子点-无机盐混晶,即固态量子点,所述无机盐为氯化钠、溴化钠、氯化钾、溴化钾、氯化锂、溴化锂、四硼酸钠、蔗糖中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的水相量子点的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:将所述修饰后量子点与无机盐饱和溶液混合,得到量子点-无机盐混晶,即固态量子点,所述无机盐为氯化钠 、溴化钠 、氯化钾、溴化钾、氯化锂、溴化锂、四硼酸钠、蔗糖中的一种或多种。
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---|---|---|---|---|
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US20220389308A1 (en) * | 2019-07-19 | 2022-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Wavelength conversion film, wavelength conversion film forming composition, and cluster-containing quantum dot production method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103936056A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-07-23 | 吉林大学 | 一种磷化镉量子点的制备方法 |
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CN103936056A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-07-23 | 吉林大学 | 一种磷化镉量子点的制备方法 |
CN103936058A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-07-23 | 吉林大学 | 一种硫化镉量子点的制备方法 |
CN103936069A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-07-23 | 吉林大学 | 一种砷化镉量子点的制备方法 |
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