CN107210379A - 用于有机发光器件的光提取基底以及包括其的有机发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用于有机发光器件的光提取基底，其包括：基体基底；散射层，形成在基体基底上并由TiO₂制成；多个第一光散射体，形成在散射层内部并具有多孔形式；平坦的层，形成在散射层上，其中，散射层被组成平坦的层的材料的一部分内部地渗透。

Description

用于有机发光器件的光提取基底以及包括其的有机发光器件

技术领域

本公开涉及一种用于有机发光二极管(OLED)器件的光提取基底以及包括其的OLED器件。更具体地，本公开涉及一种用于OLED器件的光提取基底以及包括其的OLED器件，其中，光提取基底可改善光提取效率并可有助于OLED中可靠性的实现。

背景技术

通常，发光器件可以被划分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)器件和具有由无机材料形成的发光层的无机发光器件。在OLED器件中，OLED是基于经电子注入电极(阴极)注入的电子和经空穴注入电极(阳极)注入的空穴的复合在有机发光层中产生的激子的辐射衰减的自发光光源。OLED具有一系列的优点，诸如低电压驱动、光的自发射、宽视角、高分辨率、自然色彩再现性和快速响应速率。

近来，已经对OLED应用于便携式信息装置、照相机、时钟、手表、办公设备、用于车辆等的信息显示装置、电视(TV)、显示装置和照明系统等积极地进行了研究。

为了改善这种上述OLED器件的发光效率，有必要改善形成发光层的材料的发光效率或者光提取效率(即，由发光层产生的光被提取的效率)。

OLED器件的光提取效率取决于OLED层的折射率。在典型的OLED器件中，当由发光层产生的光束以大于临界角的角度发射时，该光束会在诸如用作阳极的透明电极层的折射率较高的层与诸如玻璃基底的折射率较低的层之间的界面处被全反射。这会因此降低光提取效率，从而降低了OLED器件的整体发光效率，这是有问题的。

更详细地进行描述，由OLED产生的光中的仅大约20％是从OLED器件发射的而产生的光中的大约80％由于波导效应和全内反射而损失，其中，波导效应源自于玻璃基底、阳极和有机发光层(由空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层组成)的不同的折射率，全内反射源自于玻璃基底和环境大气之间的折射率的差异。这里，内部有机发光层的折射率在从1.7至1.8的范围，而通常用在阳极中的氧化铟锡(ITO)的折射率为大约1.9。由于这两个层具有范围为200nm到400nm的显著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率为大约1.5，从而在OLED器件内部形成平面波导。计算出由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为大约45％。另外，由于玻璃基底的折射率为大约1.5以及环境大气的折射率为1.0，所以当光从玻璃基底的内部出射时，入射角大于临界角的光束会被全反射并被俘获在玻璃基底内部。被俘获的光的比率为大约35％。因此，仅可以从OLED器件发射所产生的光的大约20％。

为了克服这样的问题，已经积极研究了光提取层，通过光提取层可以提取否则将在内部波导模式中损失的光的80％。光提取层通常被分类为内部光提取层和外部光提取层。在外部光提取层的情况下，能够通过在基底的外表面上设置包括微透镜的膜来改善光提取效率，微透镜的形状是从各种形状之中选择的。光提取效率的这种改善不明显依赖于微透镜的形状。另一方面，内部光提取层直接提取否则将在光波导模式中损失的光。因此，内部光提取层改善光提取效率的能力可以高于外部光提取层改善光提取效率的能力。

然而，使用内部光提取层来改善光提取效率的效果相对于向外发射的光的量仍然是不明显的。因此，需要积极研究进一步改善光提取效率的方法或技术。

发明内容

技术问题

因此，考虑到现有技术中出现的上述问题而提出了本公开，本公开提出一种用于有机发光二极管(OLED)的光提取基底以及包括其的OLED器件，其中，光提取基底可改善光提取效率并可有助于OLED中可靠性的实现。

技术方案

根据本公开的方面，用于有机发光器件的光提取基底可包括：基体基底；散射层，设置在基体基底上，散射层由TiO₂形成，多个空隙作为第一光散射元件形成在散射层内；平坦化层，设置在散射层上。散射层被与形成平坦化层的平坦化形成材料相同的材料渗透。

散射层可包括尺寸为从30nm至50nm的范围的结晶固体TiO₂。

散射层可包括聚集体，结晶固体中的多个结晶固体被聚集以形成尺寸可以为从0.3μm至630μm的范围或者可以为从0.035μm至53μm的范围的各个聚集体。

散射层可包括结晶固体TiO₂，结晶固体被聚集以形成不规则形状的聚集体。

聚集体中的每个可具有树枝状形状或棒状形状。

第一光散射元件可具有不规则的形状。

渗透散射材料的渗透材料可填充第一光散射元件的一部分。

散射层可包括设置在散射层内的作为第二光散射元件的多个颗粒。

第一光散射元件的面积与散射层和平坦化层的总面积的比值可以在从1.6％至13.2％的范围。

第一光散射元件的面积与散射层的总面积的比值可以在从6％至20％的范围。

散射层可包括顶半部和底半部，第一光散射元件在底半部中占据的面积的比率比第一光散射元件在顶半部中占据的面积的比率高。

第一光散射元件在底半部中占据的面积的比率可以是第一光散射元件在顶半部中占据的面积的比率的两倍至六倍。

第一光散射元件在底半部中占据的面积与底半部的总面积的比值可以在从14％至18％的范围。

第一光散射元件在顶半部中占据的面积与顶半部的总面积的比值可以在从3％至8％的范围。

第二光散射元件可设置在底半部内。

第二光散射元件可以由从由SiO₂、TiO₂、ZnO和SnO₂组成的候选组中选择的一种金属氧化物或者至少两种金属氧化物的组合形成。

第二光散射元件中的每个可包括仅具有单一折射率的单一部或者具有不同折射率的多重部。

多重部可包括核以及围绕该核的壳，壳具有与核的折射率不同的折射率。

核可以是中空的空间。

平坦化层可由有机/无机混合聚合物形成。

基体基底可以是柔性基底。

基体基底可以是具有1.5mm或更小的厚度的薄玻璃片。

根据本公开的方面，一种有机发光器件可包括：有机发光二极管；如权利要求1至权利要求23中的任意一项权利要求所述的光提取基底，设置在由有机发光二极管发射的光出射的路径上。

有益效果

根据本公开，由于用于所述多个光散射元件的散射层由TiO₂形成，因此可在散射层内形成具有可使光散射的尺寸的多个不规则形状的空隙。

另外，根据本公开，由于由有机/无机混合聚合物形成的平坦化层设置在散射层上，因此当光散射基底用在OLED器件中时，可防止OLED器件的电特性的劣化。另外，由于有机/无机混合聚合物的一部分可渗透到散射层中以占据具有由散射层的多孔结构诱导的开口结构的多个空隙的部分，空隙的不设置有有机/无机混合聚合物的剩余部分，即，空隙的被散射层和有机/无机混合聚合物围绕的部分具有封闭的结构。因此，空隙的具有封闭结构的部分可用作折射率为1的光散射元件。

另外，根据本公开，空隙形状的光散射元件分别具有多折射率的核-壳结构。具体地，核是中空的空间。这些特征可进一步改善OLED器件的光提取效率。

根据本公开，因此能够改善OLED器件的光提取效率并有助于OLED器件中可靠性的实现。

附图说明

图1是示意性地示出根据示例性实施例的用于OLED器件的光提取基底以及具有光提取基底位于光出射的路径上的OLED器件的剖视图。

图2和图3是形成有根据示例性实施例的散射层的TiO₂的电子显微镜图像。

图4是示出对树枝状结晶固体执行颗粒尺寸分析的结果的曲线图。

图5是示出对棒状结晶固体执行颗粒尺寸分析的结果的曲线图。

图6是用于根据示例性实施例的OLED器件的光提取基底的剖面的电子显微镜图像。

图7是示出当对样品#1、样品#2和样品#5执行FIB分析时的分析点的概念图。

图8示出样品#1的点9的分析图像。

图9示出样品#2的点9的分析图像。

图10示出样品#5的点9的分析图像。

图11示出位于样品#1的十字线上的点的分析图像。

图12示出位于样品#2的十字线上的点的分析图像。

图13示出位于样品#5的十字线上的点的分析图像。

图14是空隙(通过如上所述的图像分析来计算其面积)被转换成具有相同面积的圆的情况的柱状图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地描述根据示例性实施例的用于有机发光二极管(OLED)器件的光提取基底以及包括其的OLED器件。

在下面的公开中，在本公开的主题会由于其中的内含物而不清楚的情况下，将省略包括在本公开中的已知功能和组件的详细描述。

如图1中所示，根据示例性实施例的用于OLED器件的光提取基底(在下文中，称作“光提取基底”)100是设置在由OLED 10产生的光出射的路径上的基底，用以改善OLED 10的光提取效率。另外，光提取基底100是保护OLED 10免受外部环境影响的基底。OLED 10可被用作照明装置的光源。

虽然未具体示出，但是OLED具有由阳极、有机发光层和阴极组成的多层结构，该多层结构夹在用于包封OLED 10的根据示例性实施例的光提取基底100与面对光提取基底100的另一基底之间。阳极可由诸如Au、In、Sn或氧化铟锡(ITO)的具有较高逸出功的金属或金属氧化物形成，以促进空穴注入。阴极可以是由具有较低逸出功的Al、Al:Li或Mg:Ag形成的金属薄膜，以促进电子注入。有机发光层可包括顺序堆叠在阳极上的空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。当OLED是用于照明的白色OLED时，发光层可具有由例如发射蓝色光的高分子发光层和发射橙红色光的低分子发光层组成的多层结构。另外，可使用发射白光的各种其它结构。OLED也可具有其中多个有机发光层与相互连接的层(未示出)交替的串列式结构。

在该结构中，当在阳极与阴极之间感生正向电压时，电子从阴极穿过电子注入层和电子传输层被传输到发射层，同时空穴从阳极穿过空穴注入层和空穴传输层被传输发射层。已经迁移到发射层中的电子和空穴彼此复合，从而产生激子。当这些激子从激发态转变到基态时，发射光。发射的光的亮度与在阳极与阴极之间流动的电流量成比例。

用于改善OLED 10的光提取效率的光提取基底100包括基体基底110、散射层120、多个第一光散射元件130和平坦化层150。根据示例性实施例的光提取基底100还包括多个第二光散射元件140。

基体基底110支撑设置在其一个表面上的散射层120、多个第一光散射元件130、多个第二光散射元件140和平坦化层150。基体基底110设置在OLED 10的前部上，即，设置在由OLED 10发射的光出射的路径上，以允许发射的光出射，同时用作用于保护OLED 10免受外部环境影响的包封基底。

基体基底110可以是由具有优异的透光率和优异的机械性质的任意透明材料形成的透明基底。例如，基体基底110可以由诸如可热固化或可紫外(UV)固化的有机膜的聚合材料形成。可选择地，基体基底110可以由诸如钠钙玻璃(SiO₂-CaO-Na₂O)或铝硅酸盐玻璃(SiO₂-Al₂O₃-Na₂O)的化学增强玻璃形成。当包括根据示例性实施例的光提取基底100的OLED器件用于照明时，基体基底110可以由钠钙玻璃形成。基体基底110也可以是由金属氧化物或金属氮化物形成的基底。根据示例性实施例，基体基底110可以是柔性基底，更具体地，可以是厚度为1.5mm或更小的薄玻璃片。可以使用熔融工艺或浮法工艺来制造所述薄玻璃片。

散射层120是提供定位有多个第一光散射元件130的空间同时将多个第二光散射元件140固定到基体基底110的基质层。根据示例性实施例，散射层120由TiO₂形成。虽然散射层120已经被描述为由金红石TiO₂形成，但是根据示例性实施例的散射层120不具体限于金红石TiO₂。相反，根据示例性实施例的散射层120可由锐钛矿TiO₂形成。

金红石TiO₂形成多孔结构。当散射层120由多孔金红石TiO₂形成时，具有可以使多个空隙散射光的尺寸的多个空隙，即，折射率为零的多个第一光散射元件130在形成散射层120的工艺期间形成在散射层120内。即，金红石TiO₂是诱导多个第一光散射元件130以空隙的形式形成的多孔材料。形成散射层120的TiO₂是折射率为2.5至2.7的高折射率(HRI)金属氧化物。当具有1的低折射率的多个第一光散射元件130和具有不同折射率的多个第二光散射元件140形成在散射层120中时，形成诸如高-低折射率结构或者高-低-高折射率结构的复杂化的折射率结构。当如上所述的复杂化的多折射率结构设置在由OLED 10发射的光出射的路径上时，可使OLED 10的光提取效率最大化。

根据示例性实施例，散射层120的TiO₂结晶固体可具有不规则的形状。例如，如图2的电子显微镜图像中所示，散射层120的TiO₂结晶固体可具有树枝状形状，其中，30nm至50nm尺寸的多面体各向异性地连接。另外，如图3的电子显微镜图像中所示，散射层120的TiO₂结晶固体可以是宽度为20nm至30nm且长度为80nm至120nm的棒状结晶固体。参照图4的颗粒尺寸分析的结果，测得分别由预定数量的树枝状结晶固体组成的聚集体的尺寸为0.3μm至630μm。另外，参照图5的颗粒尺寸分析的结果，测得分别由预定数量的棒状结晶固体组成的聚集体的尺寸为0.035μm至53μm。TiO₂结晶固体的形状可由分散有金红石TiO₂的有机溶剂确定。

当TiO₂结晶固体具有如上所述的树枝状形状或棒状形状时，由TiO₂诱导的多个第一光散射元件130也可具有能够使光散射最大化的各种形状和尺寸。

多个第一光散射元件130形成在散射层120中。多个第一光散射元件130是在烧制散射层120的金红石TiO₂的工艺期间形成的空隙。因此，根据TiO₂结晶固体的形状，多个第一光散射元件130被形成为具有各种形状和尺寸的空隙。根据示例性实施例，TiO₂结晶固体具有诸如树枝状形状或棒状形状的不规则的形状，从而将不规则形状赋予到多个第一光散射元件130。

当如上所述的所述多个第一光散射元件130形成在散射层120内时，所述多个空隙形状的第一光散射元件130用于使平均折射率降低，而不是用作具有折射率为1的光散射元件，从而降低有效的折射率。具体地，由于由金红石TiO₂形成的散射层120具有多孔结构，因此具有开口结构的所述多个第一光散射元件130形成在散射层120内。因此，所述多个第一光散射元件130用作散射层120的多孔结构的部分，而不是用作折射率为1的单独的光散射元件。在这种情况下，由于具有开口结构的所述多个第一光散射元件130的折射率和金红石TiO₂的复杂影响，使得散射层120的平均有效折射率降低。这对光提取效率的改善而言不是显著的贡献。根据示例性实施例，散射层120被与平坦化形成材料(平坦化层150由之形成)相同的材料渗透。渗透材料位于散射层120中，以占据所述多个第一光散射元件130的部分，从而将所述多个第一光散射元件130的开口结构转化成闭合结构。因此，所述多个第一光散射元件130的不设置有渗透材料的剩余部分，即，所述多个第一光散射元件130的被散射层120和渗透材料围绕的部分可用作折射率为1的光散射元件，从而引起与散射层120显著不同的折射率。所述多个第一光散射元件130与所述多个第二光散射元件140一起引起与散射层120折射率的不同，同时提供了复杂化的散射结构，从而使OLED 10的光提取效率的改善最大化。

根据示例性实施例，所述多个第一光散射元件130的面积与散射层120和平坦化层150的总面积的比可以在从1.6％至13.2％的范围。所述多个第一光散射元件130的面积的比率可在散射层120的面积的从6％至20％的范围。在以上提及的范围中，所述多个第一光散射元件130的面积越宽，可实现OLED 10的越大的光提取效率。这可因此减少相对昂贵的第二光散射元件140的需求量，从而降低制造成本。由散射层120的金红石TiO₂诱导的所述多个第一光散射元件130根据在散射层120中的位置占据不同的面积。散射层120可由顶半层121和底半层122组成。所述多个第一光散射元件130在底半层122中占据的面积的比率高于所述多个第一光散射元件130在顶半层121中占据的面积的比率。具体地，所述多个第一光散射元件130在底半层122中占据的面积的比率可以是所述多个第一光散射元件130在顶半层121中占据的面积的比率的两倍至六倍。例如，所述多个第一光散射元件130在底半层122中占据的面积的比率可在底半层122的面积的14％至18％的范围，而所述多个第一光散射元件130在顶半层121中占据的面积的比率可以在顶半层121的面积的3％至8％的范围。如上所述，所述多个第一光散射元件130在底半层122中所占据的面积的比率是所述多个第一光散射元件130在顶半层121中所占据的面积的比率的两倍至六倍。

所述多个第二光散射元件140设置在散射层120内，更具体地，设置在散射层120的底半层122内。颗粒形式的所述多个第二光散射元件140与空隙形式的所述多个第一光散射元件130一起提供复杂化的光散射结构。所述多个第二光散射元件140可在与散射层120的材料一起被施用到基体基底110之前通过溶胶-凝胶方法与散射层120的材料混合。以这种方式，可在基体基底110上设置或形成所述多个第二光散射元件140。可选择地，先于散射层120的形成，可通过与形成散射层120的工艺独立的工艺在基体基底110上设置所述多个第二光散射元件140，然后可用散射层120覆盖所述多个第二光散射元件140。

根据示例性实施例，所述多个第二光散射元件140可由从由SiO₂、TiO₂、ZnO和SnO₂组成的候选组中选择的一种金属氧化物或者至少两种金属氧化物的组合形成。颗粒形式的所述多个第二光散射元件140可具有多折射率结构。例如，颗粒形式的所述多个第二光散射元件140中的每个可具有由具有不同折射率的核141和壳142组成的核-壳结构。核141可以是中空的空间。基于核141与壳142之间的折射率差异，具有核-壳结构的所述多个第二光散射元件140可进一步改善提取由OLED 10发射的光的效率。

设置在散射层120内的所述多个第二光散射元件140全部可以是具有核-壳结构的颗粒或者具有单一折射率的颗粒。所述多个第二光散射元件140可以是分别具有诸如核-壳结构的多折射率结构的颗粒与具有单一折射率的颗粒的混合物。

如上所述，设置在散射层120内的所述多个第二光散射元件140与散射层120、所述多个第一光散射元件130和平坦化层150一起提供OLED的内部光提取层(ILEL)。即，所述多个第二光散射元件140提供与散射层120不同的折射率，同时与所述多个第一光散射元件130一起使由OLED 10发射的光出射的路径多样化，从而改善OLED 10的光提取效率。

平坦化层150设置在散射层120上。如上所述，当大量的多个第一光散射元件130设置在散射层120内时，所述多个第一光散射元件130不用作折射率为1的光散射颗粒。就这一点而言，根据示例性实施例，平坦化层150由有机/无机混合聚合物形成，使得所述多个第一光散射元件130用作光散射颗粒。当有机/无机混合聚合物被施用到散射层120的顶表面以形成平坦化层150时，有机/无机混合聚合物的一部分渗透到由多孔金红石TiO₂形成的散射层120中，如图6的电子显微镜图像中所示。在此工艺期间，渗透材料以空隙的形式占据所述多个第一光散射元件130的部分。结果，所述多个第一光散射元件130的不设置有混合聚合物151的剩余部分可用作折射率为1的光散射元件。

平坦化层150不仅如上所述的对所述多个第一光散射元件130给予特性光散射功能，而且使散射层120的表面平坦化。由于平坦化层150的表面紧靠阳极，因此平坦化层150的表面形成为高度平坦的表面，以防止OLED 10的电特性的劣化。

如上所述，根据示例性实施例的光提取基底100包括由多孔金红石TiO₂形成的散射层120、以空隙形式设置在散射层120内的所述多个第一光散射元件130、颗粒形式的所述多个第二光散射元件140以及由有机/无机混合聚合物形成的平坦化层150。因此，根据示例性实施例的光提取基底100可改善OLED 10的光提取效率，同时有助于实现OLED 10的可靠性。

在根据示例性实施例的光提取基底100中，测量光提取效率根据所述多个第二光散射元件140的结构的改变。当所述多个第二光散射元件140仅由具有单一折射率的SiO₂形成时，测得出射光的强度为69.0lm/W。这是不具有光提取层的OLED的出射光的强度(为35.1lm/W)的1.97倍。当由SiO₂形成的所述多个第二光散射元件140为具有中空核的核-壳结构时，测得出射光的强度为70.3lm/W。这是不具有光提取层的OLED的出射光的强度的两倍。当不使用颗粒形式的所述多个第二光散射元件140时，即，当仅使用所述多个第一光散射元件130时，测得出射光的强度为63.3lm/W，其是不具有光提取层的OLED的出射光的强度的1.8倍。可理解的是，当所述多个第一光散射元件130与具有核-壳结构的所述多个第二光散射元件140结合时，获得最高的光提取效率。

在下文中，将讨论第一光散射元件占据的面积的比率对光提取效率的影响。第一光散射元件是使用金红石TiO₂诱导的空隙，并使被混合聚合物填充的空隙的部分。

为了确定第一光散射元件的面积的比率对光提取效率的影响，使用聚焦离子束(FIB)来分析样品#1至样品#5的结构。样品#1至样品#5的光提取效率分别为不具有光提取层的OLED的光提取效率的1.82倍、2.07倍、1.84倍、2.00倍和2.08倍。通过检查尺寸为2×2mm²的发光部分上的二十等分点的剖面形状来分析每个样品。

在下文中，将比较由于大部分相似设计结构而属于雾度60％组的样品#1、样品#2和样品#5。

图8示出样品#1的点9的分析图像。点9被划分为两个部分，检查所述部分的剖面形状，在表1中示出结果。

[表1]

图9示出样品#2的点9的分析图像。点9被划分为两个部分，检查所述部分的剖面形状，在表2中示出结果。

[表2]

	厚度/尺寸(nm)
		Al电极	96至102
有机发光层	475至485
		ITO	54至60
HRI+平坦化层	1192至1266
		散射颗粒(直径)中空(直径)	最大值378最大值238
散射空隙	76至123
		HRI层厚度(平均)	710
平坦化层厚度(平均)	519

图10示出样品#5的点9的分析图像。点9被划分为两个部分，检查所述部分的剖面形状，在表3中示出结果。

[表3]

	厚度/尺寸(nm)
		Al电极	96至102
有机发光层	475至485
		ITO	54至60
HRI+平坦化层	1430至1541
		散射颗粒(直径)	-
散射空隙	107至402
		HRI层厚度(平均)	1110
平坦化层厚度(平均)	375

为了计算样品#1、样品#2和样品#5中的每个样品的散射空隙(即，第一光散射元件)的面积的平均比率，以与点9相同的方式测量位于每个样品的十字线上的点的剖面形状。

图11示出位于样品#1的十字线上的点的分析图像。在表4中示出结果。

[表4]

表5示出表4中的测量结果的平均值。

[表5]

	平均
		平坦化层+HRI厚度(nm)	1338±85
空隙面积，比率(μm2，％)	0.30±0.16，5.0±2.5
		散射颗粒面积(μm2)	0.10±0.10

图12示出位于样品#2的十字线上的点的分析图像。在表6中示出结果。

[表6]

表7示出表6中的测量结果的平均值。

[表7]

	平均
		平坦化层+HRI厚度(nm)	1283±97
空隙面积，比率(μm2，％)	0.50±0.29，8.4±4.7
		散射颗粒面积(μm2)	0.23±0.22

图13示出位于样品#5的十字线上的点的分析图像。在表8中示出结果。

[表8]

表9示出表8中的测量结果的平均值。

[表9]

	平均
		平坦化层+HRI厚度(nm)	1301±85
空隙面积，比率(μm2，％)	0.43±0.21，7.2±3.6
		散射颗粒面积(μm2)	0.23±0.12

表10示出在省略了表2中的平坦化层的情况下，HRI厚度和各个点相对于HRI面积的空隙比率(即，空隙占据的面积的比率)。

[表10]

比较在图11至图13中示出且在表4至表9中示出的样品#1、样品#2和样品#5的测量结果和平均值，可理解的是，在具有较高光提取效率的样品#2和样品#5中空隙占据的面积的比率比在样品#1中空隙占据的面积的比率大。这意味着根据示例性实施例的空隙形式的多个第一光散射元件有助于OLED的光提取效率的改善。

图14是空隙(通过如上所述的图像分析来计算其面积)被转换成具有相同面积的圆的情况的柱状图，其中，空隙的半径以0nm至10nm为单位列出。参照柱状图，空隙的平均半径为60，标准偏差为44.4nm。

本公开的具体示例性实施例的上述描述已经参照附图给出，并且不意图穷举或将本公开限制于所公开的精确形式，明显地，根据以上教导，本领域普通技术人员能够进行许多修改和改变。

因此，本公开的范围不意图受限于上述实施例，而是意图受所附权利要求及其等同物的限制。

Claims (24)

1.一种用于有机发光器件的光提取基底，所述光提取基底包括：

基体基底；

散射层，设置在基体基底上，散射层由TiO₂形成，多个空隙作为第一光散射元件形成在散射层内；以及

平坦化层，设置在散射层上，

其中，散射层被与形成平坦化层的平坦化形成材料相同的材料渗透。

2.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，散射层包括尺寸为30nm至50nm的范围的结晶固体TiO₂。

3.根据权利要求2所述的光提取基底，其中，散射层包括聚集体，结晶固体中的多个结晶固体被聚集以形成尺寸为0.3μm至630μm的范围的各个聚集体。

4.根据权利要求2所述的光提取基底，其中，散射层包括聚集体，结晶固体中的多个结晶固体被聚集以形成尺寸为0.035μm至53μm的范围的各个聚集体。

5.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，散射层包括结晶固体TiO₂，结晶固体被聚集为形成不规则形状的聚集体。

6.根据权利要求5所述的光提取基底，其中，聚集体中的每个具有树枝状形状或棒状形状。

7.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，第一光散射元件具有不规则的形状。

8.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，渗透散射材料的渗透材料填充第一光散射元件的一部分。

9.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，散射层包括设置在散射层内的作为第二光散射元件的多个颗粒。

10.根据权利要求1或权利要求9所述的光提取基底，其中，第一光散射元件的面积与散射层和平坦化层的总面积的比值在1.6％至13.2％的范围。

11.根据权利要求1或权利要求9所述的光提取基底，其中，第一光散射元件的面积与散射层的总面积的比值在6％至20％的范围。

12.根据权利要求1或权利要求9所述的光提取基底，其中，散射层包括顶半部和底半部，第一光散射元件在底半部中占据的面积的比率比第一光散射元件在顶半部中占据的面积的比率高。

13.根据权利要求12所述的光提取基底，其中，第一光散射元件在底半部中占据的面积的比率是第一光散射元件在顶半部中占据的面积的比率的两倍至六倍。

14.根据权利要求13所述的光提取基底，其中，第一光散射元件在底半部中占据的面积与底半部的总面积的比值在14％至18％的范围。

15.根据权利要求14所述的光提取基底，其中，第一光散射元件在顶半部中占据的面积与顶半部的总面积的比值在3％至8％的范围。

16.根据权利要求9所述的光提取基底，其中，散射层包括顶半部和底半部，第二光散射元件设置在底半部内。

17.根据权利要求9所述的光提取基底，其中，第二光散射元件由从由SiO₂、TiO₂、ZnO和SnO₂组成的候选组中选择的一种金属氧化物或者至少两种金属氧化物的组合形成。

18.根据权利要求17所述的光提取基底，其中，第二光散射元件中的每个包括仅具有单一折射率的单一部或者具有不同折射率的多重部。

19.根据权利要求18所述的光提取基底，其中，多重部包括核以及围绕该核的壳，壳具有与核的折射率不同的折射率。

20.根据权利要求19所述的光提取基底，其中，核包括中空的空间。

21.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，平坦化层由有机/无机混合聚合物形成。

22.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，基体基底包括柔性基底。

23.根据权利要求22所述的光提取基底，其中，基体基底包括厚度为1.5mm或更小的薄玻璃片。

24.一种有机发光器件，所述有机发光器件包括：

有机发光二极管；以及

如权利要求1至权利要求23中的任意一项权利要求所述的光提取基底，设置在由有机发光二极管发射的光出射的路径上。