CN107078083A - 基板液处理装置及基板液处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于蚀刻及清洗半导体用基板的基板液处理装置。基板液处理装置，包括：基板支撑部，在平台部上部隔离并支撑基板，以使处理面向下；旋转驱动部，驱动用于旋转平台部的旋转轴；处理液供给部，向平台部和基板间的处理空间供给混合气体的薄雾状态的处理液或者蒸汽状态的处理液。据此，使基板和平台部间的处理空间气氛变均匀，能够向处理面均匀喷射处理液。

Description

基板液处理装置及基板液处理方法
技术领域
本发明涉及基板蚀刻及清洗半导体用基板的基板液处理装置，更详细点说，既能使向基板处理面供给的处理液最小化，也是用于平均液处理的基板液处理装置及方法。
背景技术
为了制造半导体元件，在基板上形成多层薄膜时，蚀刻及清洗工艺是必需的。
一般地说，湿式蚀刻及清洗装置是通过旋转设有支撑基板的卡盘销的平台部，并向基板供给处理液或清洗液而执行蚀刻工艺及清洗工艺，利用平台部周围具有杯状结构的处理液回收部而回收处理液和清洗液。
另外，现有的基板液处理装置，为了实现均匀喷射处理液，处理面朝上，在支持的基板上部，基于基板中心使喷嘴旋转，将处理液均匀供给于处理面。但若在基板上部供给处理液，使用高温液处理时或使用挥发性较强的药液时，随着药液的蒸发或挥发，药液的消耗量增大，处理腔室内部有产生烟气的问题。
现有其他基板液处理装置，处理面朝下而支持基板的状态下，从平台部上部，向处理面的一点以上的位置喷射处理液。
但只向一点以上的位置喷射，均匀地控制基板和平台部之间的氛围十分困难。因此，处理面的均匀液处理有较大问题。
另外，为了提高去除基板上蒸镀的薄膜或光刻胶等的效率，将接近常温的处理液供给于处理面后，将基板加热，在基板和处理液用200℃～240℃的高温状态下加热状态下进行液处理。
但是，将常温的处理液供给于处理面的状态下加热电热器，进行液处理时，基板图案形状发生不良，基板的液处理过程中经常发生不良的情形。
并且，在高温下基板液处理完成后，供给温度相对较低的去离子水，由于加热的处理液和去离子水巨大的温度差异，导致形状变形后基板卡盘销处脱离，或者随着处理液的温度急剧降低，导致处理液粘度增加，有产生颗粒化的问题。
发明内容
(要解决的技术问题)
为了解决上述背景技术的问题点，本发明的目的在于，提供一种基板液处理装置，既能将处理液的使用量最小化，也能使基板和平台部之间的处理空间气氛均匀，提升基板的液处理效率。
并且，本发明的目的在于，提供一种基板液处理的方法，在处理液供给于处理面状态下，加热电热器进行液处理时，能防止基板图案形状发生不良。
并且，本发明的目的在于，提供一种基板液处理的方法，处理液供给于基板，用高温进行液处理后，供给温度相对较低的清洗液之前，通过降低基板的温度，防止颗粒化问题或基板的破损。
(解决问题的手段)
用于解决上述技术问题的本发明的基板液处理装置，包括：基板支撑部，位于供给处理液于基板处理面而进行液处理的基板液处理装置中，在平台部上部隔离并支撑基板，使处理面向下；旋转驱动部，用于驱动所述旋转平台部的旋转轴；及处理液供给部，将气体混合薄雾状态的处理液或蒸汽状态的处理液，供给于所述平台部与所述基板之间处理空间。
优选地，所述处理液供给部，从所述平台部上部，向所述处理面喷射处理液。
优选地，所述处理液供给部，将液体状态的处理液与惰性气体混合喷射。
优选地，所述处理液由至少两种药液组成，所述处理液供给部，将所述药液混合后，喷射前与所述惰性气体混合喷射。
优选地，包括：加热部，将所述基板或者所述处理液中至少某一个进行加热。
优选地，所述加热部，由具备于所述基板上部的加热器构成。
优选地，所述处理液供给部，包括：从处理液储藏部接收供给的处理液供给管，及将从处理液供给管接收供给的处理液喷射的至少一个喷嘴部。
优选地，所述处理液供给管，具备于所述旋转轴内部的中空部内。
优选地，所述喷嘴部，是沿着所述基板的半径方向，处理液的喷射量逐渐增加而构成。
优选地，所述喷嘴部，包括：连接于所述处理液供给管上端的主体部；及具备朝向所述主体部处理面喷射处理液的至少一个喷射口的喷射部。
优选地，所述喷嘴部中至少某一个，在所述主体部的中心轴向所述平台部的旋转轴线处脱离。
优选地，所述喷射口中至少某一个，设置为朝向所述处理面的旋转中心，用于将处理液倾斜喷射。
优选地，所述喷射口中至少某两个喷射口，设置为以所述主体部的中心轴为基准，向相互不同的半径方向，喷射处理液。
优选地，除了向所述旋转中心喷射处理液的喷射口，剩下至少两个的喷射口，设置为向所述处理面的同一半圆，使处理液倾斜喷射。
优选地，所述喷射口中至少两个喷射口，各自直径大小相异而形成。
优选地，所述喷射口中至少两个喷射口，各自中心轴和所述主体部的中心轴间的倾斜角相异。
优选地，所述倾斜角大的喷射口的直径，比倾斜角小的其他喷射口大。
优选地，所述喷嘴部具有多个，所述多个喷嘴部向处理面喷射处理液的各打击面相互不同。
优选地，所述多个喷嘴部中一个，向所述处理面外廓部喷射液。另一个则向内廓部喷射处理液。
优选地，所述多个喷嘴部各个的流量和压力中，控制其中至少某一个的控制部。
优选地，所述喷嘴部，包含连接于所述处理液供给管上端的主体部及在所述主体部上沿基板的半径方向形成缝隙的喷射部。
优选地，所述主体部，从所述平台部上部向基板半径方向延长而形成。
优选地，所述主体部，从所述平台部上部的中央部，以弯曲的悬臂形态构成。
优选地，所述主体部，具有以所述平台部上部的中央部为中心的扇形形态。
优选地，所述缝隙，是沿所述基板半径方向，间隔越来越宽而形成。
优选地，所述主体部，是由从所述平台部上部的中央部向基板的半径方向分支的至少两个的分支管而形成。
优选地，所述主体部，是由向直径方向分支的第一、第二分支管构成。
优选地，所述第一、第二分支管的长度是相同的。
优选地，所述第一、第二分支管的长度是相互不同的。
用于解决上述其他课题的本发明的基板液处理方法，包括：将基板旋转并供给处理液，在进行对处理面进行液处理的基板液处理方法时，使基在平台部上部将基板隔离并支撑，使处理面向下的步骤；所述基板或者向基板供给的处理液中至少加热一个的加热步骤；以及将气体混合薄雾状态的处理液或蒸汽状态的处理液，供给于所述平台部与所述基板之间处理空间，对所述处理面进行液处理的液处理步骤。
优选地，还包括：所述基板支持步骤之后，将气体混合薄雾状态的处理液或蒸汽状态的处理液，供给于所述平台部与所述基板间的处理空间的处理液预备供给步骤。
优选地，所述处理液预备供给步骤，供给处理液1至15秒。
优选地，所述处理液预备供给步骤，用30至200℃供给处理液。
优选地，所述处理液为SPM(Sulfuric acid peroxide mixture，硫酸和双氧水的混合物)，在所述处理液预备供给步骤，使硫酸和双氧水反应，供给反应受热的高温处理液。
优选地，所述液处理步骤，在所述基板的旋转的同时或者所述基板旋转之后，开始。
优选地，还包括：所述液处理步骤之后，供给第一温度的清洗液，对所述处理面清洗的第一清洗步骤；供给比所述第一温度低的第二温度的洗涤液，对所述处理面清洗的第二清洗步骤。
优选地，还包括：所述液处理步骤之后，使设置于所述基板上部的加热器运转并供给清洗液于所述处理面后，从所述加热器的运转结束状态至供给所述清洗液于所述处理面的清洗步骤。
优选地，所述处理液是基板处理面的蚀刻工艺或者PR脱除工艺中所使用的药液，所述清洗液是去离子水。
(发明的效果)
根据本发明的基板液处理装置，将气体混合的薄雾状态的处理液或蒸汽状态的处理液，供给于所述平台部与所述基板之间处理空间，能够使处理空间的气氛均匀。
并且，本发明通过具有拥有多种多样的倾斜角、半径方向、直径的喷射口，能均匀供给处理液至处理面。
并且，本发明具备多个喷嘴部，能够控制各喷嘴部的流量和压力。
并且，本发明具备缝隙形态的喷射口，能够均匀向基板和平台部间的处理空间喷射处理液。
并且，本发明在将高温处理液供给于处理面状态下，通过将加热器加热，在基板进行液处理的过程中，能防止基板图案形状不良的发生。
并且，本发明在第一温度的清洗液供给之后，供给比第一温度低的第二温度清洗液，通过清洗处理面，能够抑制由于急剧温度差异的颗粒化的发生。
并且，本发明在供给清洗液的过程中，通过中止加热器的运转，使被供给的清洗液温度逐渐地降低，能够抑制由于急剧温度差异的颗粒化的发生。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例的构成图。
图2是图示根据本发明第一实施例的喷嘴部的横截面图。
图3是图示根据本发明第一实施例的喷嘴部的截面图。
图4是沿图3的A-A轴的截面图。
图5是沿图3的B-B轴的截面图。
图6是沿图3的C-C轴的截面图。
图7是图示根据本发明第一实施例的喷射口打击面的平面图。
图8是根据本发明的第二实施例的构成图。
图9是图示根据本发明第二实施例的喷射口打击面的平面图。
图10是根据本发明的第三实施例的构成图。
图11是图示根据本发明第三实施例的喷嘴部的横截面图。
图12是图示根据本发明第四实施例的喷嘴部的横截面图。
图13是根据本发明的第五实施例的构成图。
图14是图示根据本发明第五实施例的喷嘴部的横截面图。
图15是根据本发明的第六实施例的构成图。
图16是图示根据本发明第六实施例的喷嘴部的横截面图。
图17是根据本发明实施例的基板液处理方法的流程图。
图18是根据本发明其他实施例的基板液处理方法的流程图。
图19是根据本发明另一实施例的基板液处理方法的流程图。
符号的说明
10：基板支撑部
11：平台部
12：卡盘销
20：旋转驱动部
21：旋转轴
22：中空部
30：处理液供给部
31：喷嘴部
32：处理液供给管
33：处理液储藏部
34：气体储藏部
35：主体部
36：喷射部
37：打击面
40：清洗液供给部
41：清洗液喷嘴
42：清洗液供给管
43：清洗液储藏部
50：处理液回收部
51，52：杯
60：加热部
具体实施方式
下面，参照附图而具体说明本发明的实施例。本发明的基板液处理装置可区分为第一至第六实施例，各实施例的构成要素基本上相同，但部分构成存在区别。并且，对于在发明的多个实施例中起到相同的功能及作用的构成要素，使用了相同的附图符号。
根据本发明第一实施例的本发明，是向基板处理面供给处理液进行液处理的基板液处理装置，如图1、图2中图示内容所示，大致由基板支撑部10、旋转驱动部20、处理液供给部30、清洗液供给部40、处理液回收部50及加热部60组成。
基板支撑部10在平台部11上部使基板W隔离地进行支撑。平台部11上部的外廓设有多个卡盘销12而向内侧支撑基板W，使基板W的处理面向下而进行支撑基板。
旋转驱动部20驱动平台部11下部的旋转轴21而使得平台部11旋转。因此，也使得由卡盘销12销支撑的基板W也旋转。旋转轴21的内部形成有中空部22。这中空部22是供给用于使基板W液处理的处理液或清洗液、惰性气体等的通路作用。
处理液供给部30从平台部11上部向处理面喷射处理液。具体而言，将混合有气体的薄雾状态的处理液或蒸汽状态的处理液，供给于所述平台部与所述基板之间处理空间，用于处理液和气体的混合喷射，可以使用二流体喷嘴。如上所述，通过向限定的处理空间供给处理液，高温液处理情形或者使用挥发性强的处理液的情形下，可以使处理液的蒸发或挥发最小化，抑制烟雾的形成。
这里的“薄雾状态”是指处理液与气体混合，以液体状态被喷射至处理空间状态的意义。“蒸汽状态”是指处理液在比临界温度低的温度下，气化状态的意义。
清洗液供给部40朝向处理面基板而将清洗液喷射至基板W和平台部11之间的处理空间，将处理面清洗。
向平台部11和基板W间的处理空间供给的处理液，由于平台部11和基板W的旋转而产生离心力及从腔室下部运转的排气压力，可以均匀地供给于处理空间整个领域。
这时，如果将平台部11和基板W间的间隔设置地较小，处理液被喷射，由于滞留的处理空间窄小，可以将处理液的供给量最小化。特别是处理液高温供给或者即使处理液挥发性大，通过处理空间而从侧方会被排出，处理液和处理面的接触量变大，可以使相应的处理液使用量减小。
处理液回收部50具备上部向内侧突出的至少一个杯51、52，被设置在平台部11周围，以回收从基板W排出的处理液。
加热部60，为了提高基板W的液处理效率，可在基板W的上部设置来加热基板W。加热部60除了可设置在基板W的上部，也可设置在基板W的下部或者可以由直接加热处理液的加热器构成。
以下，根据构成本发明基板液处理装置的处理液供给部和清洗液供给部的结构和特征，区分第一至第五实施例来进行详细说明。
根据本发明的第一实施例的基板液处理装置，如图1至图6图示所示构成。
处理液供给部30由处理液储藏部33、处理液供给管32、喷嘴部31及气体储藏部34组成。
处理液储藏部33是储藏用于对基板液处理的处理液。这时，处理液可以是基板W处理面的蚀刻工艺或PR脱除工艺中使用的药液。
在旋转轴21内部的中空部22内具备处理液供给管32，从处理液储藏部33接受供给的处理液。
喷嘴部31将从处理液供给管32接受供给的处理液均匀地供给至处理面，并喷射至基板W和平台部11间的处理空间。这时，沿基板W的半径方向，基板W的面积越来愈大，因此优选为处理液的喷射量增加。喷嘴部31包括主体部35及喷射部36而构成，具有至少一个。
主体部35连接于处理液供给管32上端，如图2图示内容所示，设置于平台部11上部，主体部的中心轴A1从平台部11的旋转轴线处隔离而设置。将喷射至处理面的处理液的入射角增大，处理液被喷射至处理面后，不落在平台部上，根据基板W的离心力，沿着处理面可以均匀地供给。这里，主体部中心轴A1是如图4至图6图示的主体部35的竖直方向中心轴线的意义。
在这主体部35内部，处理液与惰性气体和气体混合变成薄雾状态或蒸汽状态。将液体和气体混合喷射的二流体喷嘴构造属于公知的技术，因此省略具体的说明。
喷射部36形成于主体部35，由朝向处理面喷射处理液的至少一个喷射口组成。
喷射口中至少某一个，设置为朝向处理面的旋转中心使处理液均匀喷射。由此，被喷射至处理面中心的处理液基于基板W旋转而沿着处理面均匀供给。
喷射口中至少两个喷射口，设置为以主体部中心轴A1为基准，沿相互不同半径方向喷射处理液。由此，相比于设置喷射口于同一方向，主体部35的大小可小些，连接基板W的处理面全体而供给一定量的处理液。
喷射口中至少两个喷射口各自的直径大小相异。由此，可以对各喷射口处理液的喷射量进行调节。
喷射口中至少两个喷射口与各个中心轴C1、C2、C3、C4和主体部中心轴A1间的倾斜角θ1、θ2、θ3、θ4相异。由此，可以向处理面的中央部和外廓部均匀供给处理液。这里的中心轴C1、C2、C3、C4是延长各喷射口中心的线的意思。
这时，倾斜角大的喷射口直径比倾斜角小的其他喷射口直径可以大些。由此，沿着处理面半径方向，可以使处理液的喷射量越来越多。
参考图3至图6，如果具体说明第一实施例的喷嘴部。主体部35由杯子形态的喷嘴形成，喷射部36由第一至第四喷射口36a,36b,36c,36d而组成。
向处理面的旋转中心均匀喷射处理液，中心轴C1具有主体部的中心轴A1和第一倾斜角θ1，第一喷射口36a向处理面的旋转中心而设置。
第四喷射口36d设置为，中心轴C4具有主体部中心轴A1和第四倾斜角θ4，且第四喷射口朝向第一喷射口36a的相反方向喷射处理液。
第二、第三喷射口36b、36c设置为，各自的中心轴C2、C3具有主体部中心轴A1和第二、第三倾斜角θ2、θ3，并与第四喷射口36d侧接近，即图5图6图面上各第一第二四分面。除了向处理面的旋转中心喷射处理液的第一喷射口的其余喷射口，向处理面同一半圆喷射处理液。由此，使被喷射至处理面的处理液偏重，能有效去除在处理面发生的颗粒化。
各个喷射口向相互不同的半径方向喷射，并拥有相互不同的倾斜角，倾斜地喷射。所以，根据旋转的基板W的离心力，处理液被均匀供给与处理面，能均一地进行液处理工艺。
四个喷射口中第一喷射口36a设置为，向旋转中心喷射处理液，比较其余的喷射口，喷射口的倾斜角按照第四、第三、第二(θ4、θ3、θ2)倾斜角的顺序设置得较大，第四喷射口36d向处理面最边缘靠近地喷射处理液。
喷射口的直径按第四、第三、第二喷射口(36d、36c、36b)顺序形成较大，倾斜角越大直径越大。即，由于沿着处理面半径的方向面积越来越宽，虽然倾斜角越大，直径越大变为优选。但根据情况，即使有其他的倾斜角，也可以有相同的直径。
喷射口的打击面37，如图7内容所示，沿着处理面的半径方向，向处理面喷射的入射角越来越大，并拥有大直径，第四、第三、第二喷射口(63d、63c、63b)宽大。
另一方面，所述的第一实施例只不过是实施例，只要能处理液能均匀供给至处理面，喷射口的个数、方向、倾斜角及直径都能调整，这是当然的。
气体储藏部34为了处理液变成薄雾状态而被喷射而储藏和处理液混合的气体。这时，气体可能是和氮气相似的惰性气体。
处理液供给部30将液体状态的处理液和惰性其和混合，将其通过第一至第四喷射口36a、36b、36c、36d喷射，可以均匀地喷射至基板W和平台部间的处理空间。因此，可均匀地供给至旋转的处理面。这时处理液为至少两种药液时，将其至于其他混合装置，在混合状态喷射之前，与惰性气体混合而喷射。比如，液处理装置为SPM(Sulfuric acid peroxide mixture硫酸与双氧水的混合物)处理装置时，将硫酸和双氧水在其他混合装置中混合后，喷射之前和氮气混合以薄雾状态喷射。这时，硫酸和双氧水喷射之前混合，由于发热反应的高温能以薄雾状态喷射。
清洗液供给部40由清洗液储藏部43，清洗液供给管42及清洗液喷嘴41组成。
清洗液储藏部43是在基板液处理后用于基板的清洗而储藏清洗液。这时清洗液可以是去离子水。在旋转轴21内部的中空部22内具备清洗液供给管42，从清洗液储藏部43接受供给清洗液。清洗液喷嘴41将从清洗液供给管42接受供给的清洗液喷射至基板W和平台部11间的处理空间。
这样的清洗液供给部40设置为，不妨碍处理液供给部30的经路。
本发明的第二实施例对比第一实施例，有具备多个喷嘴部的差异。以下内容，以拥有和第一实施例差异的构成要素为中心，并参考图8、图9进行说明。
喷嘴部31a、31b具备多个，在第二实施例中具备两个喷嘴部31a、31b。
各个喷嘴部31a、31b将处理液喷射至处理面，被喷射处理液的各打击面相互不同。这时，一个喷嘴部31a向处理面的外廓部喷射处理液，另一喷嘴部31b处理面的内廓部喷射处理液。
具体而言，如附图9内容所示，一个喷嘴部31a具备朝向位于处理面的外廓部的打击面37c、37d而喷射处理液的喷射口，另一个喷嘴部31b具备朝向位于处理面的内廓部的打击面37a、37b而喷射处理液的喷射口。
由此，相比内廓部，能向处理面的外廓部供给更多量的处理液。
喷嘴控制部所述喷嘴部31a、31b在各自流量和压力中至少控制某一个。
据此，可以个别地调节多个喷嘴部31a、31b各个流量和压力，使处理液均匀供给至处理面的全体，打击面37a、37b、37c、37d的位置别可以调节处理液的供给流量或压力。如果，具备一个喷嘴部的情形，为了变更向特定打击面的位置供给处理液的流量或压力，将某个喷射口的大小变更的话，从其他喷射口喷射的处理液流量和压力变化，个别地调节喷射口的喷射量很难。
多个喷嘴部31a、31b各连接于处理液供给管32a、32b，处理液供给管32a、32b与各个处理液储藏部33a、33b及气体储藏部34a、34b相连接。
在附图中虽然没有图示，多个喷嘴部可以从一个处理液储藏部和气体储藏部接受处理液和气体的供给。
另一方面，喷嘴部具备至少两个的多个。这样的喷嘴部的位置，在平台部上部任意位置也无关，但至少一个喷嘴部优选设置为，向处理面的中心倾斜地喷射处理液而与处理面旋转轴线脱离。并且，形成于各喷嘴部的喷射口向处理面均匀地供给处理液的话，那个个数和配置可以适当地变更。
本发明的第三实施例，与第一实施例对比，喷嘴部及清洗液喷嘴的构造稍有差异。以下，以和第一实施例拥有差异的构成要素为中心，参考图10、图11进行说明。
喷嘴部131的主体部135连接于处理液供给管132上端，从平台部11上部沿基板W的半径方向延长而形成，由从平台部11上部的中央部弯曲的悬臂形态组成。
喷射部136在主体部135基板W的半径方向以缝隙形态形成，从主体部135将混合有气体的薄雾状态的处理液或蒸汽状态的处理液均匀地喷射。这时为了混合处理液和气体，可以使用二流体喷嘴。并且，缝隙间隔的构成是一定的，或者沿基板W半径方向，处理液的喷射量越来越多地构成喷射部136。例如，通过使缝隙间隔设置为沿半径方向越来越宽，向处理空间中占据较大体积的外廓领域供给相对大量供给处理液，可以使向基板W的处理面均匀地供给处理液。
处理液供给部130将液体状态的处理液和惰性气体混合，通过缝隙形态的喷射部136，将薄雾状态或是蒸汽状态的处理液喷射，可以向基板W和平台部11间处理空间均匀地喷射。
本发明的第四实施例与第三实施对比，在喷嘴部及清洗液喷嘴的构造有差异。以下，以和第三实施例拥有差异的构成要素为中心，参考图12进行说明。
喷嘴部231的主体部235在平台部11上部的中心部拥有扇形形态。对比平台部11中央部，位于平台部11外廓部的主体部的宽度更宽，可以比中央部供给更多量的处理液。因此，可以将薄雾状态或是蒸汽状态的处理液均匀供给至基板处理面。
本发明的第五实施例与第三实施对比，在喷嘴部及清洗液喷嘴的构造有差异。以下，以和第三实施例拥有差异的构成要素为中心，参考图13、图14进行说明。
喷嘴部331的主体部335从平台部11上部的中央部分支的第一、第二分支管335a、335b组成。
第一、第二分支管335a、335b沿各自平台部11的半径方向，拥有相同长度而分支形成。因此，主体部335从平台部11一侧的外廓部开始，至另一侧外廓部，以直线形态形成，向基板W和平台部11间的处理空间均匀地供给处理液。
这时，在第一、第二分支管335a、335b处形成的缝隙间隔是相同的，或是如所述实施例所示，可以沿着半径方向缝隙的间隔越来越大。
主体部如果是从平台部上部的中央部向半径方向分支的，由至少两个分支管形成的话，如所述实施例所示，即使不是直线形态也无妨。例如，各分支管也可设置有一定的角度。
清洗液喷嘴341不干涉处理液供给部的经路，并具备于喷嘴部331的中央部侧面，使清洗液被喷射至基板处理面中央部。即使清洗液被喷射至处理面的中央部，但由于基板W的离心力，清洗液也能供给至处理面的外廓部。因此清洗液喷嘴341的位置，只要是能使清洗液均匀地供给至基板处理面的位置，在哪里都无妨。
本发明的第六实施例与第五实施对比，在喷嘴部及清洗液喷嘴的构造有差异。以下，以和第五实施例拥有差异的构成要素为中心，参考图15、图16进行说明。
喷嘴部431的主体部435由平台部上部中央部分支的第一、第二分支管435a、435b组成的。
第一、第二分支管335a、335b沿各自基板W的直径方向，拥有不同的长度而分支形成。具体而言，主体部435的一端从平台部11的外廓部开始，那另一端经过平台部11的中央部，位于外廓部间可以以直线形态形成。因此，通过向基板W处理面的中央部补充处理液，可以均匀地供给处理液至处理面的全体。
就有关本发明的其他侧面的基板液处理方法，用使基板旋转并供给处理液使处理面进行液处理的方法，可以利用所述基板液处理装置。
基于本发明的实施例的基板液处理方法，如图17图示内容所示，包括：基板支撑步骤S10，处理液预备供给步骤S20，加热步骤S30，液处理步骤S40，及清洗步骤S50。
基板支撑步骤S10，在平台部上部依靠卡盘销将基板隔离并支撑，使处理面向下。通过使处理面向下，可以使处理液的供给量最小化。
处理液预备供给步骤S20，向平台部和基板间的处理空间，供给混合有气体的薄雾状态的处理液或者蒸汽状态的处理液。这时处理液可被均匀地供给至处理面。
加热步骤S30，对基板或者向基板供给的处理液中至少某一个，进行加热。
液处理步骤S40，向处理空间供给薄雾状态或者蒸汽状态的处理液而进行液处理。
清洗步骤S50，向处理面供给清洗液，清洗处理面。
与此相同的基板液处理方法，在处理液预备供给步骤S20，可以供给30℃～200℃的高温处理液，适当地供给60℃～150℃的处理液。使用SPM(Sulfuric acid peroxidemixture硫酸与双氧水的混合物)作为处理液时，纯硫酸的沸点是337℃，双氧水的沸点为150.2℃，因此用现在双氧水的沸点作为基准，决定处理液的供给温度。但根据包含在处理液中酸的种类，在更高的温度下，供给液处理也可进行的30℃～200℃的处理液为优选。
如要供给高温的处理液，加热步骤S30及液处理步骤S40中，因为防止基板图案形状的不良发生，可以在基板液处理步骤S40，使不良发生降至最小化。
并且，使用SPM(Sulfuric acid peroxide mixture硫酸与双氧水的混合物)作为处理液时，使用用于供给高温处理液的方法，在供给处理液之前，使硫酸和双氧水反应，可以供给基于反应热的高温处理液。
基于本发明其他实施例的基板液处理方法，如图18内容所示，包括：基板支撑步骤S11，加热步骤S21，液处理步骤S31，第一清洗步骤S41，以及第二清洗步骤S51。
基板支撑步骤S11，在平台部上部依靠卡盘销隔离并支撑基板，使处理面向下。
加热步骤S21，对基板或者向基板供给的处理液中至少某一个，进行加热。
液处理步骤S31，向平台部和基板间处理空间供给混合有气体的薄雾状态处理液或者蒸汽状态的处理液而进行处理面液处理。液处理步骤S31，在和基板的旋转同时或者基板旋转之后开始，处理液被均匀地供给至处理面。
第一清洗步骤S41，供给第一温度的清洗液清洗处理面。
第二清洗步骤S51，供给比第一温度低的第二温度的清洗液清洗处理面。
如上所述，按次序供给第一、第二温度的清洗液而清洗，在基板的清洗过程中，可以减少剧烈的温度差异带来的热冲击，除此之外能抑制颗粒化的发生。
基于本发明其他实施例的基板液处理方法，如图18内容所示，包括：基板支撑步骤S12，加热步骤S22，液处理步骤S32，及清洗步骤S42。
基板支撑步骤S12，加热步骤S22，及液处理步骤S32，与所述实施例的基板支撑步骤S11，加热步骤S21及液处理步骤S31相同，在清洗步骤稍有差异。
清洗步骤S42，使设置于基板上部的加热器运转，并向处理面供给清洗液后，在中止加热器运转状态下，向处理面供给清洗液。由此，供给的清洗液温度会逐渐降低，可以抑制由于剧烈的温度差异带来的颗粒化的发生。
以上，以附图为中心对本发明的具体实施例进行了说明，但本发明的权利范围，是以专利请求范围里记载的技术思想为中心，涉及到其变形物或均等物。
工业上的利用可能行
本发明将供给基板处理面的处理液使用量最小化，并提供用于均匀处理液的基板液处理装置及方法。

Claims (38)

1.一种基板液处理装置，其向基板的处理面供给处理液，其特征在于，包括：
基板支撑部，在平台部上部将基板隔离并支撑，以使处理面向下；
旋转驱动部，驱动用于旋转所述平台部的旋转轴；
处理液供给部，向所述平台部和所述基板间的处理空间供给混合有气体的薄雾状态的处理液或者蒸汽状态的处理液。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部在所述平台部上部向处理面喷射处理液。
3.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部将液体状态的处理液和惰性气体混合喷射。
4.根据权利要求3所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液由至少两种药液组成，
所述处理液供给部将所述药液混合后，在喷射之前与所述惰性气体混合喷射。
5.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，还包括：
加热部，加热所述基板或所述处理液中的至少一个。
6.根据权利要求5所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述加热部，由具备于所述基板上部的加热器构成。
7.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部包括：从处理液储藏部接受处理液供给的处理液供给管，及将从所述处理液供给管接受供给的处理液喷射的至少一个喷嘴部。
8.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液供给管具备于所述旋转轴内部的中空部内。
9.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部沿所述基板半径方向，处理液的喷射量逐渐增加。
10.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部包含连接于所述处理液供给管上端的主体部及向所述主体部处理面喷射处理液的具备至少一个喷射口的喷射部。
11.根据权利要求10所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部中至少某一个的设置，使所述主体部的中心轴从所述平台部旋转轴线脱离。
12.根据权利要求10所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部中至少某一个向所述处理面的旋转中心倾斜地喷射处理液。
13.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部中至少两个喷射口以所述主体部的中心轴为基准，沿相互不同的半径方向喷射处理液。
14.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
除向所述旋转中心喷射处理液的喷射口之外的至少两个喷射口中剩下喷射口，向所述处理面的同一半圆倾斜地喷射处理液。
15.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷射口中至少两个喷射口各自的直径大小相互不同。
16.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷射口中至少两个喷射口各自的中心轴和所述主体部的中心轴之间的倾斜角相异。
17.根据权利要求16所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述倾斜角大的喷射口的直径比倾斜角小的其他喷射口的直径大。
18.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部具备有多个，
多个喷嘴部向所述处理面喷射处理液的各打击面相互不同。
19.根据权利要求18所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述多个喷嘴部中的一个向所述处理面的外廓部喷射处理液，另一个向内廓部喷射处理液。
20.根据权利要求18所述的基板液处理装置，其特征在于，包括：
控制部，控制所述多个喷嘴部的各自流量和压力中的至少某一项。
21.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷嘴部包含连接于所述处理液供给管上端的主体部及在所述主体部上沿基板的半径方向形成缝隙的喷射部。
22.根据权利要求21所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体部在所述平台部上部沿基板的半径方向延长形成。
23.根据权利要求22所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体部在所述平台部上部的中央部，以弯曲的悬臂形态构成。
24.根据权利要求21所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体部具有以所述平台部上部的中央部为中心的扇形形态。
25.根据权利要求21所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述缝隙的间隔沿所述基板半径方向越来越宽。
26.根据权利要求21所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体部由从所述平台部上部的中央部向基板的半径方向分支的至少两个分支管形成。
27.根据权利要求26所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体部由沿直径方向分支的第一分支管、第二分支管构成。
28.根据权利要求27所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述第一分支管和所述第二分支管的长度相同。
29.根据权利要求27所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述第一分支管和所述第二分支管的长度相互不同。
30.一种基板液处理方法，在旋转基板的同时供给处理液，从而对处理面进行液处理，其特征在于，包括：
基板支撑步骤，在平台部上部将基板隔离并支撑，以使处理面向下；
加热步骤，对所述基板或者向基板提供的处理液中的至少某一个进行加热；以及
液处理步骤，向所述平台部和所述基板间的处理空间供给混合有气体的薄雾状态处理液或者蒸汽状态的处理液，进行所述处理面的液处理。
31.根据权利要求30所述的基板液处理方法，其特征在于，
在所述基板支撑步骤之后还包括：
处理液预备供给步骤，向所述平台部和所述基板间的处理空间供给混合有气体的薄雾状态处理液或者蒸汽状态的处理液。
32.根据权利要求31所述的基板液处理方法，其特征在于，
在所述处理液预备供给步骤，供给1～15秒的处理液。
33.根据权利要求31所述的基板液处理方法，其特征在于，
在所述处理液预备供给步骤，供给30℃～200℃的处理液。
34.根据权利要求31所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述处理液为硫酸和双氧水的混合物，
在所述处理液预备供给步骤，使硫酸和双氧水反应，供给基于反应热的高温处理液。
35.根据权利要求30所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述液处理步骤是与所述基板旋转的同时或者在基板旋转之后开始。
36.根据权利要求30所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述液处理步骤之后，还包括：
第一清洗步骤，供给第一温度的清洗液，清洗所述处理面。
第二清洗步骤，供给比第一温度低的第二温度清洗液，清洗所述处理面。
37.根据权利要求30所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述处理液步骤之后，还包括：
清洗步骤，在使设置于所述基板上部的加热器运转的同时向所述处理面供给清洗液之后，在中止所述加热器运转的状态下向处理面供给所述清洗液。
38.根据权利要求36或37所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述处理液是基板处理面蚀刻工艺或PR脱除工艺中所使用的药液，所述清洗液是去离子水。
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