KR100743185B1 - 반도체 소자 제조용 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
기판의 저면에 케미컬 제공의 균일성을 향상시키는 반도체 소자 제조용 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자 제조용 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 배치되고, 기판이 안착되어 기판을 회전시키는 척; 및 척 상에 안착된 기판의 저면에 케미컬을 사선 방향으로 분사하는 사선홀을 구비하는 노즐을 포함한다.
사선홀, 균일 기체, 균일성
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 개략 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 노즐의 사시도, 도 3a의 IIIb-IIIb'선을 따라 절단한 단면도 및 도 3a의 IIIc-IIIc'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 사선홀과 직선홀의 배치 및 개수에 따른 노즐들을 도시한 단면도이다.
도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치에서 도 6a 내지 도 6d에서 도시한 노즐들을 이용하여 기판을 식각하고 난 후, 기판의 직경에 따른 산화막의 잔존 두께를 도시한 그래프이다.
(도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명)
1: 반도체 소자 제조용 장치 110: 외벽
120: 비산 방지벽 130: 배출구
200: 척 210: 회전 테이블
220: 클램프 300: 구동부
310: 회전축 320: 모터
400: 노즐 410: 본체
420: 케미컬부 422: 좌사선홀
424: 직선홀 426: 우사선홀
430: 기체부 440: 린스액부
500: 공급관부 600: 약액/기체 공급부
700: 상면 노즐부
본 발명은 반도체 소자 제조용 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판의 저면에 케미컬 공급의 균일성을 향상시키는 반도체 소자 제조용 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 그 막을 일정한 패턴으로 형성함으로써 제조된다. 패턴은 화학 기상 증착 공정, 사진 공정, 확 산 공정, 식각 공정, 세정 공정등 여러 가지 공정이 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다.
식각 공정은 기판의 상부 표면에 형성된 포토레지스트(photoresist) 패턴에 따라 막의 일부분을 제거하는 공정이다. 식각 공정은 건식 식각과 습식 식각으로 나뉜다. 건식 식각은 플라즈마를 이용하거나 이온 빔 및 반응성 이온 등을 이용하고, 습식 식각은 필요한 농도를 가진 케미컬 등을 이용한다. 그 중, 습식 식각은 가장 경제적이고 생산성이 뛰어난 식각 방법으로 생산 공정에서 널리 사용되고 있다.
여기서, 습식 식각은 회전하는 척에 안착된 기판 표면 상에 케미컬 등을 제공하는 하는 과정으로 진행된다. 주로 습식 식각은 주로 척에 안착된 기판의 상면에 대하여 진행되나, 기판이 대형화 됨에 따라 제조 공정의 수율을 높이기 위해 기판의 저면에도 진행된다.
기판의 저면에 분사하는 노즐은 회전하는 기판의 저면에 수직되게 케미컬 등을 분사한다. 이렇게 하여 회전하는 저면의 중심 부근은 저면의 외측 부근보다 원심력이 작아서, 중심 부근의 케미컬은 외측 부근보다 잔류하는 시간이 길어진다. 따라서, 저면의 중심 부근이 저면의 외측 부근보다 식각이 더 진행되어, 기판 저면의 식각이 각 부분에서 균일하게 진행되지 않는다. 또한, 저면에 분사하는 노즐은 기판의 중심에서 건조 기체를 분사하고 있어서 기판의 중심에는 케미컬이 미량으로 분사되어 식각이 제대로 진행되지 않아 식각의 균일성을 저하시킨다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판의 저면에 케미컬 공급의 균일성을 향상시키는 반도체 소자 제조용 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 기판의 저면에 케미컬 공급의 균일성을 향상시키는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 배치되고, 기판이 안착되어 상기 기판을 회전시키는 척 및 상기 척 상에 안착된 상기 기판의 저면에 케미컬을 사선 방향으로 분사하는 사선홀을 구비하는 노즐을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은 척에 기판을 로딩하고, 상기 기판의 저면에 케미컬을 제공함과 동시에 상기 케미컬을 상기 기판의 저면에 전부분에 균일하게 제공하게 하는 균일 기체를 제공하고, 상기 기판의 저면에 린스액 및 건조 기체를 제공하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자제조용 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다
먼저, 도 1 내지 도 3c를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 사시도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 개략 단면도이고, 도 3a 내지 도 3c는 노즐의 사시도, 도 3a의 IIIb- IIIb'선을 따라 절단한 단면도 및 도 3a의 IIIc-IIIc'선을 따라 절단한 단면도이다.
반도체 소자 제조용 장치(1)는 기판(W)의 상, 저면을 식각하는 장치로서 공정 챔버(100), 척(200), 구동부(300), 노즐(400), 공급관부(500), 약액/기체 공급부(600) 및 상면 노즐부(700)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 기판(W)에 대한 식각 공정이 진행되는 공간이고, 공정 챔버(100)는 상부가 개방된 형태로 된 외벽(110), 외벽(110) 내측에 식각 공정 진행시에 케미컬이 외부로 비산되는 것을 방지하기 위하여 배치된 비산 방지벽(120) 및 외벽(110)의 하부에 식각 공정이 완료된 케미컬이 배출되도록 배치된 배출구(130)를 포함한다. 여기서 기판(W)은 그 상면에 소정의 막이 증착되고, 그 막 상에 포토레지스트 패턴이 형성될 수 있고, 그 저면에는 상면의 증착 공정 진행 중에 과증착된 막이 형성된다.
공정 챔버(100)의 내부 중앙에는 기판(W)이 안착되는 척(200)이 배치된다. 척(200)은 식각 공정 진행시에 기판(W)을 고속으로 회전시키는 회전 테이블(210) 및 회전 테이블(210)의 외주연에 소정 간격으로 이격되어 배치되고, 기판(W)의 측면을 고정시키는 클램프(220)를 포함한다. 도 2에서는 기판(W)의 고정 수단을 클램프로 도시하고 있으나, 기판을 진공 또는 다른 기구적인 방법으로 고정시킬 수 있는 수단을 사용할 수 있다.
척(200)의 아래에는 도 2에 도시된 바와 같이, 척(200)의 회전력을 제공하는 구동부(300)가 배치된다. 구동부(300)는 회전력을 발생하는 모터(320) 및 이러한 회전력을 척(200)으로 전달하는 회전축(310)을 포함한다.
회전축(310)은 챔버(100)를 관통하여 배치되고, 회전축(310)은 그 내부가 중공 형태로 형성되어, 공급관부(500)가 배치될 수 있는 공간을 마련한다. 여기서, 회전축(310)의 회전력은 공급관부(500)에 전달되지 않으므로, 공급관부(500)와 연결된 노즐(400)은 식각 공정 진행시 고정된 형태로 케미컬, 린스액 또는 건조 기체를 기판(W)의 저면으로 분사한다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 노즐(400)은 기판(W)의 저면에 케미컬, 린스액 또는 건조 기체를 분사하는 부재로서 본체(410), 케미컬부(420), 기체부(430) 및 린스액부(440)를 포함한다.
본체(410)는 도 3c에 도시된 바와 같이, 케미컬부(420) 또는 린스액부(440)에서 케미컬 또는 초순수가 노즐(400) 내부의 밑면에 잔류하지 않도록 원형으로 형성될 수 있다. 그리고, 도 3a에 도시된 바와 같이, 본체(410)의 외직경(t1)은 3 내지 7mm을 가질 수 있다. 또한, 본체(410)의 상부에 배치된 홀(412)은 원형 및 다각형으로 형성될 수 있으며 홀(412)의 직경은 0.1 내지 2.0mm를 가질 수 있고, 홀(412)간의 간격은 0.1 내지 30mm로 이루어질 수 있다.
한편, 본체(410)는 기판(W)의 직경 방향으로 길게 뻗어 형성되며, 그 중심에는 기체부(430), 양측에 케미컬부(420)와 린스액부(440)가 배치된다. 기체부(430), 케미컬부(420) 및 린스액부(440)는 각각 다른 공급관(530, 520, 540)과 연결되어 기체, 케미컬 및 초순수를 제공받는다. 노즐(400)에서 기체, 케미컬 및 초순수가 통과되는 부분을 달리함으로써 공급관에서 각 유체가 혼합되는 것을 방지하여 식각 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
기체부(430)는 케미컬부(420)에서 기판(W)의 저면에 케미컬을 제공할 경우, 케미컬이 기판(W)의 모든 부분에 균일하게 제공되게 하는 균일 기체를 제공한다. 또한, 기체부(430)는 린스 공정이 완료된 후, 기판(W)의 저면에 잔존한 초순수를 건조시키는 건조 기체를 제공한다. 여기서, 균일 기체 및 건조 기체는 동일할 수 있으며, 질소 기체일 수 있다.
케미컬부(420)는 기판(W)의 저면에 잔존한 막, 예를 들면 산화막, 질화막 등의 제거를 위하여 케미컬을 제공한다. 여기서, 케미컬은 질산, 불산 또는 이들의 혼합액 등을 포함한다.
린스액부(440)는 케미컬을 제공하는 공정이 완료된 후, 기판(W)의 저면에 린스액, 예를 들면 초순수(deionized water)를 제공하여 기판(W)의 저면에 잔류한 케미컬을 제거한다.
한편, 케미컬부(420) 및 린스액부(440)는 도 3b에 도시된 바와 같이, 케미컬 또는 초순수를 기판(W)의 저면에 대하여 일정한 각도 또는 수직되게 분사시키기 위하여 다수의 사선홀(421) 및 직선홀(424)을 포함한다.
사선홀(421)은 척(200)에 안착된 기판(W) 저면의 법선을 기준으로 좌측으로 기울어지는 좌사선홀(422) 또는 우측으로 기울어지는 우사선홀(426)으로 형성될 수 있다. 여기서, 좌사선홀(422)은 기체부(430)에 인접하여 다수개로 배치될 수 있으며, 기판(W) 저면의 중앙으로 케미컬이 분사되도록 한다. 이렇게 하여, 기판(W) 저면의 중심에 케미컬이 충분히 제공된다. 좌사선홀(422)은 우사선홀(426)에 인접하 여 배치된다. 또한, 각 사선홀(422, 426)의 기울어지는 각도는 1 내지 60도일 수 있으며, 이 각도는 기판(W)의 저면에 케미컬이 균일하게 제공되는 조건에서 다양하게 변경이 가능하다.
그리고, 직선홀(424)은 우사선홀(426)과 좌사선홀(422) 사이에 배치되며, 기판(W)의 저면에서 우사선홀(426)과 좌사선홀(422)에서 분사되는 케미컬이 미치지 않는 부분에 케미컬이 분사되도록 한다.
본 발명의 일 실시예에서는 좌, 우사선홀 및 직선홀의 배치 및 개수를 도 3b에서 도시한 실시예로 나타내었으나, 이에 제한되지 아니하고, 기판(W)의 저면에 케미컬이 균일하게 제공되는 조건에서 좌, 우사선홀 및 직선홀의 배치 및 개수는 다양하게 변경이 가능하다. 또한, 도 3b에 도시된 바와 같이, 케미컬부와 린스액부에 형성된 좌, 우사선홀 및 직선홀의 배치 및 기울어진 각도는 기체부를 중심으로 대칭되게 형성될 수 있다.
한편, 공급관부(500)는 노즐(400)의 하부에 위치되며 중공 구조인 회전축(310) 내부에 포함된다. 공급관부(500)는 중공 구조인 원통벽(510) 내에 포함된 각각의 공급관(530, 520, 540)이 각각의 기체부(430), 케미컬부(420) 또는 린스액부(440)와 연결된다. 여기서, 각각의 공급관(520, 530, 540)은 약액/기체 공급부(600)의 케미컬 공급 유닛(610), 기체 공급 유닛(620) 및 린스액 공급 유닛(630)과 각각 연결된다.
상면 노즐부(700)는 척(200) 상에 배치되며, 기판(W) 상면에 형성된 포토레지스트 패턴을 따라 식각할 수 있는 케미컬, 예를 들면, 초산, 질산, 인산, 플루오 르화수소 또는 이들의 혼합액 등을 공급한다. 상면 노즐부(700)는 기판(W)이 로딩되거나 언로딩되는 경우에 상하로 이동하는 암(720) 및 상면 노즐(710)을 포함한다.
이하, 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하여, 상술한 장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법 및 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 동작에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 순서도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 로봇 암 등의 이송 수단(미도시)을 통하여 기판(W)을 공정 챔버(100) 내의 척(200)에 로딩하고(S410), 로딩된 기판(W)을 구동부(300)에서 발생된 회전력을 이용하여 회전시킨다.
이어서, 회전하는 기판(W)의 상, 저면에 케미컬을 제공하여 기판(W)의 상면에 포토레지스트 패턴에 따라 식각하며, 기판(W)의 저면에 과증착된 막을 제거한다.(S420) 이때, 기체부(430)는 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W) 저면 중심을 향하여 균일 기체, 예를 들면 질소 기체를 제공한다.(S420) 자세히 설명하면, 케미컬은 케미컬부(420)에서 기체부(430)와 인접한 좌사선홀(422)을 따라 기판(W)의 저면의 중앙 부분으로 제공된다. 이렇게 하여, 케미컬이 기판(W)의 저면에 수직되게 분사되는 경우보다 다량의 케미컬이 중앙 부분에 제공된다. 또한, 기체부(430)에서 제공되는 질소 기체는 원심력으로 인해 기판(W) 외측으로 이동되어져 기판(W) 저면의 중앙과 인접한 부분에 잔류하는 케미컬을 기판(W) 외측으로 흐르게 한다. 이렇 게 하여, 기판(W) 저면의 특정한 부분에서 케미컬이 장시간 잔류하는 것을 방지하고, 기판(W) 저면의 모든 부분에서 잔류 시간이 실질적으로 동일하게 되어 케미컬이 기판(W) 저면의 막을 균일하게 제거하여 식각 공정의 수율을 향상시킨다.
여기서, 질소 기체가 기판(W)의 저면으로 제공될 경우의 압력은 0.05 내지 0.4MPa이며 유량은 5 내지 25L/분일 수 있다. 또한, 케미컬은 질산과 불산의 혼합액이고, 그 비율은 2:1 내지 100:1이며 그 유량은 0.5L/분 내지 2.0L/분으로 제공될 수 있다.
계속해서, 기판(W)의 상, 저면에 상면 노즐부(700) 및 노즐(400)의 린스액부(440)를 통해 초순수를 공급하여 린스 공정을 진행한다.(S430) 다음에, 기판(W)의 상, 저면에 상면 노즐부(700) 및 노즐(400)의 기체부(430)를 통해 질소 기체 등을 공급하여 건조 공정을 진행한다.(S440) 건조 공정이 완료된 후, 기판(W)을 로봇 아암 등의 이송 수단(미도시)에 의해 기판(W)을 척(200)에서 언로딩한다.(S450)
본 발명에 관한 보다 상세한 내용은 다음의 구체적인 실험예를 통하여 설명하며, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 설명을 생략한다.
도 6a 내지 도 6d는 사선홀과 직선홀의 배치 및 개수에 따른 노즐들을 도시한 단면도이고, 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장치에서 도 6a 내지 도 6d에서 도시한 노즐들을 이용하여 기판을 식각하고 난 후, 기판의 직경에 따른 산화막의 잔존 두께를 도시한 그래프이다.
기판(도 2의 W 참고)을 도 6a 내지 도 6d에서 도시한 각각 노즐(400) 상에 위치시키고, 기판(도 2의 W 참고)의 저면에 잔존한 막에 대한 식각을 진행하였다. 이때, 기판(도 2의 W 참고)은 직경이 300mm이고, 기판(도 2의 W 참고)의 저면에는 200 내지 1500 두께의 비정질 실리콘 막과 그 위에 4000 두께의 산화막이 적층되었다. 이때, 각 노즐(400)에서 케미컬을 분사하는 경우에 기체부(430)에서 제공되는 균일 기체로 사용되는 질소 기체의 압력 및 유량은 도 6a 내지 도 6d에 기재된 조건으로 진행하였다. 여기서, 사용되는 케미컬은 질산과 불산의 혼합액으로 그 비율은 20:1로 하였고, 케미컬의 유량은 0.9L/분으로 하였다.
이어서, 도 6a 내지 도 6d에서 도시한 노즐들을 상기한 방법으로 식각하고 난후, 기판의 직경에 따른 산화막의 잔존 두께를 측정하였다. 그 결과가 도 6e에 도시되어 있다.
본 실험예에서 각 노즐들은 기체부 근처에 좌사선홀이 형성되어 있어, 기판 저면의 중앙 부근에서 식각이 상당히 진행되었음을 알 수 있는데, 식각이 기판의 전부분에서 균일하게 진행되었는지를 판단할 수 있는 균일도를 각 노즐에서 계산해 보았을 때, 3% 이내로 기판의 전부분에 케미컬이 균일하게 제공되고 있었음을 알 수 있다. 여기서, 기판의 저면에서 잔류한 산화막에서 가장 많이 잔류한 부분의 값을 max, 가장 적게 남은 부분의 값을 min, 이 두 값의 평균을 mean이라고 할때, 균일도는 50*(max-min)/mean이다.
특히, 도 6c에 도시된 노즐의 경우, 균일 기체인 질소 기체의 압력을 0.2MPa, 유량을 20L/분으로 하여 균일도가 1.53%로, 케미컬이 기판의 저면에 균일하게 제공되게 하는데 있어서 질소 기체가 기여하고 있음을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에서 습식 식각 장비를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 제한되지 아니하고, 공정 조건이 허용되는 범위안에서 습식 세정 장치 등에서도 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 유체 분사 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장비에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
기판의 저면에 분사하는 노즐은 기판의 중심 부근에서 기판의 중심 방향으로 케미컬을 분사함으로써 저면의 각 부분에 케미컬이 균일하게 제공될 수 있다. 또한, 케미컬을 분사함과 동시에 질소 기체를 기판의 반경 방향으로 유입시킴으로써 기판 저면의 중심 부근에 케미컬이 잔류하지 않고 저면의 각 부분에 잔류 시간이 실질적으로 동일하게 되어 케미컬이 균일하게 제공될 수 있다.
Claims (16)
- 공정 챔버;상기 공정 챔버 내에 배치되고, 기판이 안착되어 상기 기판을 회전시키는 척; 및상면에 상기 척 상에 안착된 상기 기판의 저면에 케미컬을 사선 방향으로 분사하는 사선홀을 구비하며, 상기 상면의 아래에는 상기 기판의 중심과 대응되는 위치에 배치되고 균일 기체를 공급하는 기체부와 상기 기체부의 일측에 배치되는 케미컬부와 상기 기체부의 타측에 배치되는 린스액부의 공간이 각각 형성된 노즐을 포함하는 반도체 소자 제조용 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 사선홀은 상기 기판의 법선을 중심으로 좌우 1 내지 60도의 각도를 가지는 반도체 소자 제조용 장치.
- 제2 항에 있어서,상기 사선홀은 상기 기판의 중심 부근과 대응되는 부분에서 상기 기판의 중심 방향으로 향하여 형성되는 반도체 소자 제조용 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 노즐은 상기 기판의 저면에 케미컬을 직선 방향으로 분사하는 직선홀을 더 포함하는 반도체 소자 제조용 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 노즐은 상기 기판의 직경의 길이를 가지는 직선 형태인 반도체 소자 제조용 장치.
- 제5 항에 있어서,상기 사선홀은 상기 노즐의 중앙을 기준으로 양측에 기울지어는 방향과 각도가 대칭되게 형성되는 반도체 소자 제조용 장치.
- 삭제
- 제1 항에 있어서,상기 기체부에서 제공하는 기체는 질소 기체를 포함하며, 상기 질소 기체는 상기 케미컬부에서 케미컬이 상기 기판의 저면에 제공될 경우, 동시에 제공되는 반도체 소자 제조용 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 케미컬에서 제공하는 케미컬은 질산과 불산의 혼합액을 포함하는 반도체 소자 제조용 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 노즐의 단면은 원형으로 이루어지는 반도체 소자 제조용 장치.
- 척에 기판을 로딩하는 단계;상기 기판의 저면에 케미컬을 제공함과 동시에 상기 케미컬을 상기 기판 저면의 전부분에 균일하게 제공하게 하는 균일 기체를 제공하는 단계;상기 기판의 저면에 린스액 및 건조 기체를 제공하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 균일 기체는 상기 기판의 중심에서 상기 기판의 외측으로 지나가는 반도체 소자 제조 방법.
- 제12 항에 있어서,상기 균일 기체는 질소 기체로 이루어지며, 제공되는 질소 기체의 압력은 0.05 내지 0.4MPa이며 유량은 5 내지 25L/분인 반도체 소자 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 케미컬은 질산과 불산의 혼합액이고, 그 비율은 2:1 내지 100:1이며 그 유량은 0.5L/분 내지 2.0L/분인 반도체 소자 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 케미컬이 상기 기판의 중심 부근에서는 상기 기판 저면의 중심 방향으로 제공되는 반도체 소자 제조 방법.
- 제15항에 있어서,상기 케미컬이 분사되는 각도는 상기 기판의 법선을 기준으로 1 내지 60도인 반도체 소자 제조 방법.
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