KR101062177B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대하여 일정한 처리를 행할 수 있도록 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버, 챔버의 공간부를 개폐하도록 챔버에 결합되는 탑리드, 챔버의 공간부에 회전가능하게 설치되는 턴테이블, 턴테이블의 상부에 장착되며, 챔버의 높이방향을 따라 복수의 기판이 탑재되는 카세트, 챔버의 일측에 설치되어 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제1노즐 및 턴테이블의 하부에 설치되되, 제1노즐과 동일하게 챔버의 일측에 배치되어 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제2노즐을 구비하는데 특징이 있다.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판에 대한 일정한 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 특히 기판 상에 형성된 포토레지스트를 제거 및 세정하기 위한 장치에 적용할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중 식각공정이나 이온 주입공정에서는 포토리쏘그라피(photolithography) 공정이 널리 사용되고 있다. 포토리쏘그라피 공정은 기판 상에 이른바 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 처리하는 방식으로 이루어지는 바, 포토리쏘그라피 공정 이후에는 기판 상에 형성된 포토레지스트를 제거하기 위한 후속 공정이 필연적으로 요청된다. 포토레지스트를 제거하기 위한 방법으로 애싱(ashing), 황산용액 등의 화학물질을 이용한 스트립, 오존을 이용한 스트립, 유기용액을 이용한 스트립 등이 있다.
이들 중 화학물질을 이용하여 포토레지스트를 제거하기 위한 공정에 사용되는 장치는 내부에 공간부가 마련된 챔버와, 이 챔버 내부의 공간부에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지블럭을 구비한다. 매엽식 장치의 경우 기판지지블럭 위에낱장의 웨이퍼가 지지되지만, 배치식 장치의 경우 복수의 웨이퍼가 적재되어 있는 카세트가 기판지지블럭 상에 지지된다. 배치식 장치의 경우 기판지지블럭이 모터 등의 구동수단에 연결되어 챔버 내에서 회전되는 턴테이블 형태로 이루어져 있다. 또한 챔버에는 웨이퍼로 황산용액 등의 화학물질을 공급하기 위한 장치가 설치된다. 황산용액이 등의 화학물질이 공급되는 가운데 기판지지블럭이 회전하면, 황산용액과 웨이퍼 상의 포토레지스트가 반응하여 웨이퍼로부터 포토레지스트가 스트립된다.
한편, 황산용액을 이용한 포토레지스트의 스트립 공정은 고온의 환경에서 훨씬 효율적으로 진행되는 바, 챔버 내부의 환경을 고온으로 만들 필요가 있다. 챔버 내부의 온도를 높이기 위하여 별도의 히터 등을 이용할 수도 있지만 최근에는 황산용액과 수증기의 발열반응을 이용하여 별도의 히터를 채용하지 않은 채 챔버의 온도를 올릴 수 있는 방법이 제안되고 있다. 즉, 황산용액과 함께 챔버 내부로 수증기를 분사하면 황산용액과 수증기가 반응하여 열을 발산함으로써 챔버 내부의 온도가 100℃ 이상으로 상승되는 것이다.
그러나 수증기가 아닌 액체 상태의 물이 황산용액과 만나게 되면 발열율이 현저하게 저하되는 것으로 알려져 있는데, 수증기 공급라인을 통해 챔버 내로 수증기를 분사하다 보면 완전히 수증기 상태로만 유입되는 것이 아니라 분사과정에서 일부는 액체 상태로 응축함으로써 발열 효율이 떨어지는 문제점이 있다. 이에 황산용액이 증기 상태의 물과 만날 수 있도록 챔버 내부의 유체공급경로를 개선할 필요가 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부에서 황산용액과 증기 상태의 물이 만나는 비율을 향상시킴으로써 발열 효율을 증대시킬 수 있도록 구조가 개선된 기판처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대하여 일정한 처리를 행할 수 있도록 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버, 상기 챔버의 공간부를 개폐하도록 상기 챔버에 결합되는 탑리드, 상기 챔버의 공간부에 회전가능하게 설치되는 턴테이블, 상기 턴테이블의 상부에 장착되며, 상기 챔버의 높이방향을 따라 복수의 기판이 탑재되는 카세트, 상기 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제1노즐 및 상기 턴테이블의 하부에 설치되어 상기 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제2노즐을 구비하는 데에 특징이 있다.
본 발명에 따르면, 상기 제2노즐은 상기 턴테이블의 하부에서 수평한 방향으로 유체를 분사하는 것바람직하다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 제1노즐은 상기 챔버의 내벽에 설치되며, 상기 턴테이블의 중앙부 상측에는 상기 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제3노즐을 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 제1노즐에서 유체를 분사하는 방향과 상기 제3노즐에서 유체를 분사하는 방향은 상호 교차되는 것이 바람직하며, 분사방향이 상호 직교하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 따른 기판처리장치에서는 챔버 내에서의 수증기의 공급경로를 개선하여 황산용액이 액체 상태의 물이 아닌 증기 상태의 물과 만날 수 있는 비율을 최대화함으로써 황산용액과 수증기에 의한 발열 효율이 증대되어 포토레지스트의 스트립 효율이 향상된다는 장점이 있다.
또한, 챔버의 중앙부에 배치된 노즐과 챔버의 측면에 배치된 노즐이 서로 직교하는 방향으로 유체를 분사함으로써 기판이 효율적으로 세정된다는 장점이 있다.
또한, 기판을 린스 및 건조하기 위한 복수의 유체공급라인과 복수의 노즐을 3-way 밸브를 이용하여 배관단순화 함으로써 장치가 간단하고 경제적으로 구성될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치를 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 기판처리장치의 구성을 설명하기 위한 개략적 구성도이고, 도 3은 도 1에 도시된 중앙노즐의 개략적 일부 절개 사시도이며, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선 개략적 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 챔버(10), 탑리드(20), 턴테이블(30) 및 카세트(40)를 구비한다.
챔버(10)는 포토레지스트를 스트립(strip)하기 위한 공정이 이루어지는 곳으 로서, 내부에 공간부(11)가 형성된다. 챔버(10)의 바닥에는 포토레지스트를 제거하기 위한 황산용액 등의 화학물질, 기판을 린스(rinse)하기 위한 세정수(deionized water) 등이 배출될 수 있는 배출구(미도시)가 형성되어 있다.
탑리드(20)는 실린더(미도시)에 의하여 구동되며, 회동포인트를 중심으로 챔버(10)에 힌지가능하게 결합된다. 즉, 일방향으로 회전시 챔버(10)의 공간부(11)를 폐쇄하며, 타방향으로 회전시 챔버(10)의 공간부(11)를 개방한다. 또한, 챔버(10)의 상면에는 전자석(21)이 설치되어 있고, 탑리드(20)의 하면에는 챔버(10)의 전자석(21)과 대응되는 위치에 자성플레이트(22)가 설치되어 있어, 탑리드(20)가 폐쇄된 상태에서 전자석(21)에 전류가 인가되면 전자석(21)과 자성플레이트(22)가 자력에 의하여 결합됨으로써 탑리드(20)가 챔버(10)에 안정적으로 결합된다.
턴테이블(30)은 챔버(10)의 공간부(11)에 배치된다. 턴테이블(30)은 원반 형태의 플레이트(31)와 회전축(32)을 구비한다. 플레이트(31)의 상면에는 후술할 카세트(40)가 장착되는데, 본 실시예에서는 플레이트(31)의 양측에 각각 하나씩 대칭적으로 장착된다. 회전축(32)은 플레이트(31)의 하면으로부터 하방으로 연장형성되어 챔버(10)의 외부로 돌출되며, 모터(미도시) 등의 구동수단과 연결된다. 모터(미도시)의 구동에 따라 턴테이블(30)은 챔버(10) 내에서 회전하게 된다.
카세트(40)는 처리대상이 되는 기판(s)을 거치하기 위한 것으로서, 높이방향을 따라 복수의 슬롯이 형성된다. 각 슬롯에는 기판(s)이 놓여지는데, 기판(s)들 사이에는 일정한 간격이 형성되어 후술하는 노즐로부터 분사되는 화학물질, 세정수 또는 질소 가스 등이 기판(s)으로 공급될 수 있다.
챔버(10)의 내벽에는 복수의 제1노즐(60)이 부착된다. 본 실시예에서는 90°각도 간격으로 2개의 제1노즐(60)이 부착된다. 제1노즐(60)은 대략 직사각의 판 형상으로 형성되며, 카세트(40)의 높이 방향을 따라 다수의 분사구(미도시)가 형성되어 있다. 제1노즐(60)에서는 황산(H2SO4)과 과산화수소(과수, H2O2)의 혼합용액을 분무화시켜(atomized) 챔버(10)의 중앙부를 향해 분사한다. 제1노즐(60)로부터 분사된 황산과 과산화수소의 혼합용액은 기판(s)상에 존재하는 포토레지스트를 스트립한다. 또한, 후술하겠지만 제1노즐(60)에서는 다른 유체공급라인을 연결함에 따라 상기한 혼합용액 이외에 질소가스 또는 초순수(deionized water)로 형성된 세정수 및 NH4OH 등의 화학물질도 분사가능하다.
턴테이블(30)의 하부에는 챔버(10)의 공간부(11)로 수증기를 공급하기 위한 제2노즐(70)이 설치된다. 제2노즐(70)은 도 2에 화살표(a)로 나타낸 바와 같이 수증기를 수평한 방향으로 분사한다.
즉, 턴테이블(30)의 하면을 따라 수평하게 분사한다. 분사된 수증기들은 수평한 방향을 따라 이동하여 챔버(10)의 내벽과 턴테이블(30) 사이를 통해 기판(s)이 놓여져 있는 공간으로 유입된다. 수증기를 챔버(10)의 공간부(11)로 공급하는 이유는 챔버(10) 내부의 온도를 고온으로 형성하기 위해서이다.
즉, 황산에 의한 포토레지스트의 제거는 고온의 환경에서 효율적으로 수행되기 때문에 챔버(10)의 내부를 고온으로 유지할 필요가 있는데, 황산과 물이 만나면 발열반응을 일으켜 온도가 상승되므로 챔버(10)에 별도의 히터를 설치하지 않아도 된다. 특히, 증기 상태의 물, 즉 수증기와 황산이 만나는 경우 발열 효율이 향상되고, 액체 상태의 물과 황산이 만나는 경우 발열 효율이 떨어지는 문제점이 있다.
예컨대, 턴테이블(30)의 중앙부에 설치되는 제3노즐(50)과 챔버(10)의 내벽에 설치된 제1노즐(60)이 서로 마주한 상태에서 각각 수증기와 황산을 분사한다고 하면 황산과 수증기가 분사된 즉시 만나서 반응하게 되는데, 제3노즐(50)에서 완전한 수증기 상태의 물이 분사되지 않고 액체 상태의 물이 많이 포함되게 된다. 즉, 고압의 상태를 유지하면서 유체공급라인을 따라 이동된 물이 노즐을 통해 대기압 상태의 챔버(10)로 유입되면서 증기 상태로 상변태되어야 하는데, 그 중 일부는 상변태 과정에서 다시 응축하여 액체상태로 환원되는 것이다.
이에 따라, 액체 상태의 물과 황산이 만나게 되면 발열 효율이 급격하게 떨어지면서 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 정도의 고온으로 형성할 수 없게 된다. 위와 같이 챔버 중앙부와 측벽에 각각 배치된 제3노즐(50)과 제1노즐(60)을 서로 마주하게 한 상태에서 수증기와 황산을 공급한 결과 챔버(10) 내부는 90℃ 정도로 상대적으로 온도가 낮게 형성된다는 실험결과를 얻을 수 있었다.
이에 본 발명에서는 챔버(10)에서 황산과 수증기 상태의 물이 만나는 비율을 최대한으로 향상시키기 위하여 제2노즐(70)의 위치와 분사방향 및 분사경로를 조절하였다. 즉, 수증기를 분사하는 제2노즐(70)을 턴테이블(30)의 하부에 배치한 후 수증기를 수평방향으로 분사하게 되면 분사과정에서 액체 상태로 응축된 물은 턴테이블(30)의 하부로 낙하되고 수증기 상태의 물만 기판(s)이 놓여진 턴테이블(30)의 상측으로 유입될 수 있게 된다. 이에 따라, 증기 상태의 물과 황산이 만나 챔 버(10)를 고온으로 형성할 수 있게 된다. 위와 같이 제2노즐(70)을 턴테이블(30)의 하부에 배치하고 수평방향으로 수증기를 분사하여 실험한 결과 챔버(10) 내부의 온도가 180℃ 이상으로 상승되는 결과를 얻을 수 있었다.
여기서 수증기라고 함은 증기 상태의 물, 증기 상태의 물, 액체 상태의 물, 액체 상태의 물이 분무화된(atomized) 형태 및 이들이 혼합된 형태를 모두 포함할 수 있다. 다만, 완전 액체 상태의 물은 황산과 반응시 발열효율이 떨어지므로 바람직하지 못하다.
또한, 제2노즐(70)을 턴테이블(30)의 하부에 배치한 상태에서 턴테이블(30)의 하면을 향해 수직하게 수증기를 분사한 결과 챔버(10)의 온도가 대략 120℃ 정도로 상승되었다.
위와 같은 실험결과를 토대로 본 발명에서는 수증기가 턴테이블(30) 등의 구조물과 최대한 적게 접촉하도록 수평방향으로 수증기를 분사하며, 분사 후 액체로 응축된 물이 낙하될 수 있도록 수증기의 경로가 하부에서 상부로 형성되도록 제2노즐(70)의 위치를 턴테이블(30)의 하부에 배치시켰으며, 제2노즐에서 분사된 후 황산과 만날때가지 충분한 시간적 여유를 두어 분사과정 및 분사후에 액체로 응축된 물이 낙하될 수 있도록 하였다. 이렇게 제2노즐(70)의 위치, 분사방향 및 분사경로를 새롭게 설계함으로써 황산과 증기 상태의 물이 만날 수 있는 비율을 최대화시켰으며, 이러한 결과 챔버(10)의 내부를 180℃ 이상의 고온으로 형성할 수 있게 되었다.
한편, 테이블(30)의 상측 중앙부, 즉 두 개의 카세트(30) 사이에는 챔버(10) 의 높이 방향을 따라 길게 제3노즐(50)이 설치된다. 제3노즐(50)은 봉 형상으로 높이 방향을 따라 복수의 분사구(51)가 상호 이격되게 형성되어 있다. 이 분사구(51)를 통해 기판(s)을 린스하기 위한 세정수 및 기판(s)을 건조시키기 위한 질소 가스 등이 기판(s)을 향하여 분사되며, 다른 유체공급라인의 연결에 따라 황산이나 NH4OH 등의 화학물질 등도 분사될 수 있다.
이와 같이 봉 형상의 제3노즐(50)로부터 다양한 유체가 분사될 수 있도록, 도 3에 도시된 바와 같이, 제3노즐(50)의 내부에는 높이방향을 따라 3개의 공급라인(58)이 형성된다. 본 실시예에서, 중앙에 배치된 공급라인으로는 질소 가스, 좌우측의 공급라인으로는 각각 세정수와 화학물질이 공급된다. 또한, 제3노즐(50)의 높이방향을 따라 서로 이격되어 배치되어 있는 분사구(51)도 3개의 공급라인(58)에서 각각의 유체가 분사될 수 있도록 3개(52,53,54)로 형성된다.
본 실시예에서 제3노즐(50)에서의 유체의 분사방향(b)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 유체의 분사방향이 제1노즐(60)의 분사방향(c)과 상호 직교한다. 기판(s)에 잔존하는 포토레지스트를 제거하는 공정을 완료 후 기판(s)을 세정하기 위하여 제1노즐(60)과 제3노즐(50)에서 함께 세정수를 공급하거나 기판(s)을 건조하기 위하여 질소 가스를 함께 공급함에 있어서, 턴테이블(30)이 회전하고 있는 조건에서는 원심력이 작용하는 바 제1노즐(60)과 제3노즐(50)이 서로 마주하여 유체를 분사하게 되면 유체의 확산에 있어서 유리하지 않으며 결과적으로 세정효율 또는 건조효율이 저하된다. 이에 본 발명에서는 제1노즐(60)과 제3노즐(50)에서 유체를 분사하는 방향이 서로 교차하도록, 더욱 바람직하게는 서로 직교하도록 배치한다.
또한, 카세트(40)의 상부에는 한 쌍의 제4노즐(80)이 배치된다. 제 4노즐(80)은 수직부와 수평부를 구비하여 대략 'ㄱ'자 형상으로 이루어진다. 수직부의 하단은 턴테이블(30)에 고정되며, 수평부는 카세트(40)의 상방에 수평하게 배치된다. 수평부에는 턴테이블(30)의 반경 방향을 따라 복수의 분사구(81)가 상호 이격되어 형성되어 있다. 분사구(81)에서는 세정수 또는 질소 가스를 탑리드(20)의 하면을 향해 분사하는데, 턴테이블(30)이 회전되므로 탑리드(20)의 하면 전체가 세정수 또는 질소 가스의 분사 영역에 포함된다.
위와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에서는 제1노즐 내지 제4노즐의 총 4개의 노즐이 마련되는데, 본 실시예에서는 제2노즐(70)을 제외한 나머지 3개의 노즐(50,60,80)에서는 고온의 초순수와, 상대적으로 저온인 초순수 및 질소가스를 모두 분사할 수 있다. 노즐에서 3개의 유체를 모두 분사할 수 있으려면 각 노즐에 3개의 유체공급라인이 연결되어 있어야 하는데, 이렇게 되면 3개의 노즐에 각각 3개씩 총 9개의 유체공급라인이 필요하므로 노즐 주변의 주변의 배관이 너무 복잡해진다. 이에, 본 실시예에서는 3way 밸브를 이용하여 노즐 주변의 배관을 단순화 시켰다.
유체를 공급하기 위한 라인들의 배치상황이 도 5에 도시되어 있다. 도 5는 기판의 린스 및 건조를 위한 유체를 각 노즐에 공급하기 위한 유체공급라인의 배관을 설명하기 위한 구성도이다.
도 5를 참조하면, 제1노즐(60)로 유체를 공급하기 위한 제1유체공급라인은 제1유체라인(91a)과, 제2유체라인(92a), 제3유체라인(93a), 제1통합라인(94a) 및 제2통합라인(95a)로 이루어진다.
즉, 고온의 초순수를 공급하기 위한 제2유체라인(92a)과 질소가스를 공급하기 위한 제3유체라인(93a)은 제1통합라인(94a)로 통합되는데 3개의 라인(92a,93a,94a)이 만나는 지점에 제1선택밸브(Va)가 설치된다. 제1선택밸브(Va)는 이른바 3-way 밸브로서 제2유체와 제3유체를 택일적으로 제1통합라인(94a)으로 공급한다. 제1통합라인(94a)은 저온의 초순수를 공급하기 위한 제1유체라인(91a)과 만나서 제2통합라인(95a)으로 통합된다. 제1통합라인(94a)과 제1유체라인(91a) 및 제2통합라인(95a)이 만나는 지점에는 제2선택밸브(Ka)가 설치된다. 제2선택밸브(Ka)도 3-way 밸브로서 제1통합라인(94a)을 지나는 제2유체 또는 제3유체와 제1유체라인(91a)을 지나는 제1유체를 선택적으로 제2통합라인(95a)으로 공급한다. 제2통합라인(95a)은 챔버(10)의 내벽에 설치된 제1노즐(60)로 최종적으로 선택된 유체를 공급하게 된다.
제1유체공급라인과 마찬가지의 구성으로 제2유체공급라인과 제3유체공급라인이 마련된다. 제2유체공급라인은 제3노즐(50)로 유체를 공급하고 제3유체공급라인은 제4노즐(80)로 유체를 공급한다. 제2,3유체공급라인은 제1유체공급라인과 완전히 동일한 구성으로 이루어진 바, 설명의 간략화를 위하여 제2유체공급라인과 제3유체공급라인에 대한 설명은 각 공급라인을 구성하는 라인들의 참조번호만 기재한 채 생략하기로 한다. 즉, 제2유체공급라인의 참조번호와 제3유체공급라인의 참조번호는 제1유체공급라인의 참조번호에서 아라비아 숫자 뒤위 알파벳이 각각 b와 c 로 표시되어 있는데, 예컨대 제2유체공급라인의 경우 제1유체라인(91b)과, 제2유체라인(92b), 제3유체라인(93b), 제1통합라인(94b), 제2통합라인(95b), 제1선택밸브(Vb) 및 제2선택밸브(Kb)로 이루어진다.
이렇게 배관 라인을 3-way 밸브로 연결하여 각각의 유체를 선택할 수 있게 함으로써 배관과 장치가 단순화되며, 각각의 노즐에서는 고온의 초순수, 저온의 초순수 및 질소가스를 선택적으로 분사할 수 있어 공정의 다양화를 꾀할 수 있다.
상기한 구성으로 이루어진 기판처리장치(100)에서는 포토레지스트가 잔존하고 있는 기판(s)이 카세트(40)에 탑재되어 턴테이블(30)에 장착되면 포토레지스트 스트립 공정을 수행한다. 즉, 턴테이블(30)을 회전시키면서 챔버(10) 측벽에 설치된 제1노즐(60)로부터 황산 혼합용액을 분사하고, 턴테이블(30) 하부에 설치된 제2노즐(70)로부터 수증기를 분사한다.
위에서 설명한 바와 같이, 제2노즐(70)에서 분사된 수증기 중 다시 액체 상태로 응축된 물은 턴테이블(30)의 상부로 유입되지 못하고 하부로 낙하하게 되며, 수증기만 상승하여 턴테이블(30)과 챔버(10)의 측벽 사이를 통해 상부로 유입됨으로써 황산 혼합용액과 만나게 된다. 황산 용액은 수증기와 발열 반응을 통해 높은 열을 발산하고 챔버(10) 내부의 온도는 180℃ 이상의 고온으로 형성됨으로써 포토레지스트 스트립 공정이 효율적으로 수행된다.
포토레지스트 제거가 완료되면, 턴테이블(30)을 계속 회전시키면서 제1노즐(60)과 제3노즐(70)로 세정수를 공급하여 기판(s)을 세정하고, 최종적으로 제1노즐(60)과 제3노즐(70) 및 제4노즐(80)로 질소 가스를 분사하면서 기판(s)과 탑리 드(20)의 하면을 건조시키게 된다. 즉, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에서는 포토레지스트의 제거, 세정 및 건조가 하나의 챔버 내에서 이루어지게 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판처리장치의 구성을 설명하기 위한 개략적 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 중앙노즐의 개략적 일부 절개 사시도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선 개략적 단면도이다.
도 5는 기판의 린스 및 건조를 위한 유체를 각 노즐에 공급하기 위한 유체공급라인의 배관을 설명하기 위한 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 ... 기판처리장치 10 ... 챔버
20 ... 탑리드 30 ... 턴테이블
40 ... 카세트 50 ... 제3노즐
60 ... 제1노즐 70 ... 제2노즐
80 ... 제4노즐 s ... 기판

Claims (8)

  1. 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버;
    상기 챔버의 공간부를 개폐하도록 상기 챔버에 결합되는 탑리드;
    상기 챔버의 공간부에 회전가능하게 설치되는 턴테이블;
    상기 턴테이블의 상부에 장착되며, 상기 챔버의 높이방향을 따라 복수의 기판이 탑재되는 카세트;
    상기 챔버의 일측에 설치되어 상기 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제1노즐;
    상기 턴테이블의 하부에 설치되되, 상기 제1노즐과 동일하게 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제2노즐; 및
    상기 카세트의 상부에 배치되어 상기 탑리드를 향하여 유체를 분사하는 제4노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1노즐은 상기 챔버의 내벽에 설치되며,
    상기 턴테이블의 중앙부 상측에는 상기 챔버의 공간부로 유체를 분사하는 제3노즐을 더 구비하며,
    상기 제1노즐에서 유체를 분사하는 방향과 상기 제3노즐에서 유체를 분사하는 방향은 상호 직교하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    제1유체를 공급하기 위한 제1유체라인과, 제2유체를 공급하기 위한 제2유체라인과, 제3유체를 공급하기 위한 제3유체라인과, 상기 제2유체라인과 제3유체라인이 각각 연결되며 제1선택밸브에 의하여 상기 제2유체와 제3유체 중 선택된 유체가 진행하는 제1통합라인과, 상기 제1통합라인과 제1유체라인이 각각 연결되며 제2선택밸브에 의하여 상기 제1유체와 상기 제1통합라인을 지나는 유체 중 선택된 유체가 진행되는 제2통합라인을 구비하는 유체공급라인을 3개 구비하며,
    상기 각 유체공급라인은 상기 챔버의 내벽에 설치된 제1노즐과 상기 턴테이블의 상측 중앙부에 설치된 제3노즐 및 상기 카세트의 상부에 설치된 제4노즐에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 삭제
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