CN106796989A - 太阳能电池 - Google Patents
太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106796989A CN106796989A CN201580054970.2A CN201580054970A CN106796989A CN 106796989 A CN106796989 A CN 106796989A CN 201580054970 A CN201580054970 A CN 201580054970A CN 106796989 A CN106796989 A CN 106796989A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- solar cell
- encapsulant
- organic
- layered product
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 229910052798 chalcogen Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 150000001787 chalcogens Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 38
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 19
- -1 aluminum-copper-lithium Chemical compound 0.000 description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002402 Oppanol® B 100 Polymers 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical compound C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- REPVLJRCJUVQFA-UHFFFAOYSA-N (-)-isopinocampheol Natural products C1C(O)C(C)C2C(C)(C)C1C2 REPVLJRCJUVQFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-O 2-phenylethanaminium Chemical compound [NH3+]CCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCOGKXLOEWLIDC-UHFFFAOYSA-N N-methylbutylamine Chemical compound CCCCNC QCOGKXLOEWLIDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N azetidine Chemical compound C1CNC1 HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116229 borneol Drugs 0.000 description 2
- CKDOCTFBFTVPSN-UHFFFAOYSA-N borneol Natural products C1CC2(C)C(C)CC1C2(C)C CKDOCTFBFTVPSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-UHFFFAOYSA-N dl-isoborneol Natural products C1CC2(C)C(O)CC1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-1-amine Chemical compound CCCNC GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical group [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHKJHQBOAJQXQR-UHFFFAOYSA-N 1H-azirine Chemical compound N1C=C1 ZHKJHQBOAJQXQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000574 NaK Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005987 OPPANOL® Polymers 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000705989 Tetrax Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSIKFNOYIGGILA-UHFFFAOYSA-N [Na].[Na].[K] Chemical compound [Na].[Na].[K] NSIKFNOYIGGILA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- LKSPYOVNNMPMIZ-UHFFFAOYSA-N azete Chemical compound C1=CN=C1 LKSPYOVNNMPMIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 210000000795 conjunctiva Anatomy 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- BABWHSBPEIVBBZ-UHFFFAOYSA-N diazete Chemical compound C1=CN=N1 BABWHSBPEIVBBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004693 imidazolium salts Chemical class 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001261 isocyanato group Chemical group *N=C=O 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SCKOUBDZKROGNS-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylformamide;methoxymethane Chemical compound COC.CN(C)C=O SCKOUBDZKROGNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHCCDDQKNUYGNC-UHFFFAOYSA-N n-ethylbutan-1-amine Chemical compound CCCCNCC QHCCDDQKNUYGNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCVNDBIXFPGMIW-UHFFFAOYSA-N n-ethylpropan-1-amine Chemical compound CCCNCC XCVNDBIXFPGMIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJINZNWPEQMMBV-UHFFFAOYSA-N n-methylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNC XJINZNWPEQMMBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOIWOHLIGKIYFE-UHFFFAOYSA-N n-methylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNC UOIWOHLIGKIYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNCCCCC JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
- H01G9/2009—Solid electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
- H01G9/2077—Sealing arrangements, e.g. to prevent the leakage of the electrolyte
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/84—Layers having high charge carrier mobility
- H10K30/85—Layers having high electron mobility, e.g. electron-transporting layers or hole-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/84—Layers having high charge carrier mobility
- H10K30/86—Layers having high hole mobility, e.g. hole-transporting layers or electron-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少、具有高湿耐久性且温度循环耐性优异的太阳能电池。本发明为太阳能电池，其是具有层叠体和密封材料的太阳能电池，所述层叠体具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层，所述密封材料覆盖在上述对置电极上而将上述层叠体密封，上述光电转换层包含通式R‑M‑X3(其中，R为有机分子，M为金属原子，X为卤素原子或硫属原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物，上述密封材料包含具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂。
Description
技术领域
本发明涉及光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少、具有高湿耐久性且温度循环耐性优异的太阳能电池。
背景技术
一直以来，正在开发具备在对置的电极间配置有N型半导体层和P型半导体层的层叠体的光电转换元件。在此种光电转换元件中，因光激发而生成光载流子，电子在N型半导体中移动，空穴在P型半导体中移动，由此产生电场。
现在，大多数的实用化的光电转换元件是使用硅等无机半导体制造的无机太阳能电池。然而，无机太阳能电池在制造上耗费成本并且难以大型化，导致利用范围受限，因此代替无机半导体而使用有机半导体制造的有机太阳能电池受到注目。
在有机太阳能电池中，大部分情况下使用富勒烯。富勒烯已知主要作为N型半导体发挥作用。例如，在专利文献1中记载了使用成为P型半导体的有机化合物和富勒烯类形成的半导体异质结膜。然而，在使用富勒烯制造的有机太阳能电池中已知其劣化的原因为富勒烯(例如参照非专利文献1)，需要可以替代富勒烯的材料。
另一方面，在有机太阳能电池中，一般使用密封材料等密封树脂将在对置的电极间配置有N型半导体层和P型半导体层的层叠体进行密封(例如参照非专利文献2)。然而，使用密封材料等密封树脂所密封的有机太阳能电池会因半导体材料的种类而在密封时发生半导体材料的劣化，产生光电转换效率降低的问题(初始劣化)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-344794号公报
非专利文献
非专利文献1：Reese et al.，Adv.Funct.Mater.，20，3476-3483(2010)
非专利文献2：Proc.of SPIE Vol.7416 74160K-1
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少、具有高湿耐久性且温度循环耐性优异的太阳能电池。
用于解决课题的手段
本发明为一种太阳能电池，其是具有层叠体和密封材料的太阳能电池，所述层叠体具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层，所述密封材料覆盖在上述对置电极上而将上述层叠体密封，上述光电转换层包含通式R-M-X3(其中，R为有机分子，M为金属原子，X为卤素原子或硫属原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物，上述密封材料包含具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂。
以下对本发明进行详细叙述。
本发明人等研究了以下内容：就将具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层的层叠体用密封材料进行密封的太阳能电池而言，在光电转换层中使用特定的有机无机钙钛矿化合物。通过使用有机无机钙钛矿化合物，从而可以期待太阳能电池的光电转换效率的提高。
然而，对包含使用了有机无机钙钛矿化合物的光电转换层的层叠体利用以往的密封材料进行密封，结果可知：在密封时导致光电转换效率降低(初始劣化)。
为此，本发明人等对将包含使用了有机无机钙钛矿化合物的光电转换层的层叠体利用密封材料密封时的劣化的原因进行了详细地研究。结果发现其原因在于：在密封时有机无机钙钛矿化合物中的有机成分会熔入密封材料，导致有机无机钙钛矿化合物劣化。
本发明人等进行深入研究的结果发现：通过使用具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂作为密封材料，从而可以抑制在密封时有机无机钙钛矿化合物中的有机成分溶出的情况。进而，本发明人发现通过在密封材料中使用具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂，还可以提高太阳能电池的高湿耐久性及温度循环耐性，以至完成本发明。
本发明的太阳能电池具有层叠体和密封材料，所述层叠体具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层，所述密封材料覆盖在上述对置电极上而将上述层叠体密封。
予以说明，本说明书中，“层”不仅是指具有明确边界的层，而且还指具有含有元素逐渐地变化的浓度梯度的层。予以说明，层的元素分析例如可以通过进行太阳能电池的剖面的FE-TEM/EDS射线分析测定并确认特定元素的元素分布等来进行。另外，本说明书中，“层”不仅是指平坦的薄膜状的层，而且还指能够形成与其他层一起复杂地相互混入的结构的层。
上述电极及上述对置电极的材料并无特别限定，可以使用现有公知的材料。予以说明，上述对置电极大多为图案化的电极。
作为上述电极及上述对置电极的材料，可列举例如：FTO(氟掺杂氧化锡)、钠、钠-钾合金、锂、镁、铝、镁-银混合物、镁-铟混合物、铝-锂合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、金等金属、CuI、ITO(铟锡氧化物)、SnO2、AZO(铝锌氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、GZO(镓锌氧化物)等导电性透明材料；导电性透明聚合物等。这些材料可以单独使用，也可以并用2种以上。
另外，上述电极及上述对置电极可以分别成为阴极或阳极。
上述光电转换层包含通式R-M-X3(其中，R为有机分子、M为金属原子、X为卤素原子或硫属原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物。
通过在上述光电转换层中使用上述有机无机钙钛矿化合物，从而可以提高太阳能电池的光电转换效率。
上述R为有机分子，优选以ClNmHn(l、m、n均为正整数)来表示。
上述R具体可列举例如甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、戊基胺、己基胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺、二戊基胺、二己基胺、三甲基胺、三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、乙基甲基胺、甲基丙基胺、丁基甲基胺、甲基戊基胺、己基甲基胺、乙基丙基胺、乙基丁基胺、甲脒、胍、咪唑、唑、吡咯、氮丙啶、吖丙因、氮杂环丁烷(azetidine)、氮杂环丁二烯(azete)、唑、咪唑啉、咔唑及它们的离子(例如甲基铵(CH3NH3)等)及苯乙基铵等。其中，优选甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、戊基胺、己基胺、甲脒、胍及它们的离子、以及苯乙基铵，更优选甲基胺、乙基胺、丙基胺、甲脒、胍及它们的离子。
上述M为金属原子，可列举例如铅、锡、锌、钛、锑、铋、镍、铁、钴、银、铜、镓、锗、镁、钙、铟、铝、锰、铬、钼、铕等。这些金属原子可以单独使用，也可以并用2种以上。
上述X为卤素原子或硫属原子，可列举例如氯、溴、碘、硫、硒等。这些卤素原子或硫属原子可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从通过使结构中含有卤素而使上述有机无机钙钛矿化合物可溶于有机溶剂并且能够应用于廉价的印刷法等的方面出发，优选卤素原子。进而，从使上述有机无机钙钛矿化合物的能带隙变狭窄的方面出发，更优选碘。
上述有机无机钙钛矿化合物优选具有在体心配置金属原子M、在各顶点配置有机分子R、在面心配置卤素原子或硫属原子X而成的立方晶系结构。
图1是表示有机无机钙钛矿化合物的结晶结构的一例即在体心配置金属原子M、在各顶点配置有机分子R、在面心配置卤素原子或硫属原子X而成的立方晶系结构的示意图。详细情况还尚不明确，但可推断如下：通过具有上述结构，从而可以容易地改变晶格内的八面体的配向，因此使上述有机无机钙钛矿化合物中的电子迁移率变高，太阳能电池的光电转换效率提高。
上述有机无机钙钛矿化合物优选为结晶性半导体。结晶性半导体是指：测定X射线散射强度分布而能够检测到散射峰的半导体。通过使上述有机无机钙钛矿化合物为结晶性半导体，从而使上述有机无机钙钛矿化合物中的电子迁移率变高，太阳能电池的光电转换效率提高。
另外，作为结晶化的指标，还可以评价结晶度。将利用X射线散射强度分布测定检测到的来自结晶质的散射峰和来自非晶质部的光晕通过拟合而分离，求得各自的强度积分，计算整体中的结晶部分之比，由此可以求得结晶度。
上述有机无机钙钛矿化合物的结晶度的优选下限为30％。若结晶度为30％以上，则上述有机无机钙钛矿化合物中的电子的迁移率变高，太阳能电池的光电转换效率提高。结晶度的更优选下限为50％、进一步优选下限为70％。
另外，作为提高上述有机无机钙钛矿化合物的结晶度的方法，可列举例如热退火、激光等强度强的光的照射、等离子体照射等。
只要在不损害本发明效果的范围内，则上述光电转换层可以在上述有机无机钙钛矿化合物的基础上进一步含有有机半导体或无机半导体。予以说明，在此所说的有机半导体或无机半导体可以发挥作为后述的电子传输层或空穴传输层的作用。
作为上述有机半导体，可列举例如聚(3-烷基噻吩)等具有噻吩骨架的化合物等。另外，还可列举例如具有聚对苯乙炔骨架、聚乙烯基咔唑骨架、聚苯胺骨架、聚乙炔骨架等的导电性高分子等。进而，还可列举例如：具有酞菁骨架、萘酞菁骨架、并五苯骨架、苯并卟啉骨架等卟啉骨架、螺二芴骨架等的化合物；以及可以被进行表面修饰的碳纳米管、石墨烯、富勒烯等含碳材料。
作为上述无机半导体，可列举例如氧化钛、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化镓、硫化锡、硫化铟、硫化锌、CuSCN、Cu2O、CuI、MoO3、V2O5、WO3、MoS2、MoSe2、Cu2S等。
上述光电转换层在包含上述有机半导体或上述无机半导体的情况下可以是将薄膜状的有机半导体或无机半导体部位与薄膜状的有机无机钙钛矿化合物部位层叠而成的层叠结构体，也可以是将有机半导体或无机半导体部位与有机无机钙钛矿化合物部位复合化而成的复合结构体。从使制法简便的方面出发，优选层叠结构体，从能够提高上述有机半导体或上述无机半导体中的电荷分离效率的方面出发，优选复合结构体。
上述薄膜状的有机无机钙钛矿化合物部位的厚度的优选的下限为5nm、优选的上限为5000nm。若上述厚度为5nm以上，则变得能够充分地吸收光，使光电转换效率变高。若上述厚度为5000nm以下，则可以抑制无法电荷分离的区域的产生，因此有助于光电转换效率的提高。上述厚度的更优选的下限为10nm、更优选的上限为1000nm，进一步优选的下限为20nm、进一步优选的上限为500nm。
在上述光电转换层为将有机半导体或无机半导体部位与有机无机钙钛矿化合物部位复合化而成的复合结构体的情况下，上述复合结构体的厚度的优选的下限为30nm、优选的上限为3000nm。若上述厚度为30nm以上，则变得能够充分地吸收光，使光电转换效率变高。若上述厚度为3000nm以下，则电荷容易到达电极，因此光电转换效率变高。上述厚度的更优选的下限为40nm、更优选的上限为2000nm，进一步优选的下限为50nm、进一步优选的上限为1000nm。
在上述层叠体中，可以在上述电极与上述光电转换层之间配置电子传输层。
上述电子传输层的材料并无特别限定，可列举例如N型导电性高分子、N型低分子有机半导体、N型金属氧化物、N型金属硫化物、卤化碱金属、碱金属、表面活性剂等，具体而言，可列举例如含氰基的聚苯乙炔、含硼聚合物、浴铜灵、红菲绕啉、羟基喹啉铝、噁二唑化合物、苯并咪唑化合物、萘四羧酸化合物、苝衍生物、氧化膦化合物、硫化膦化合物、含氟基的酞菁、氧化钛、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化镓、硫化锡、硫化铟、硫化锌等。
上述电子传输层可以仅由薄膜状的电子传输层构成，但优选包含多孔状的电子传输层。尤其，在上述光电转换层为将有机半导体或无机半导体部位与有机无机钙钛矿化合物部位复合化而成的复合结构体的情况下，从得到更复杂的复合结构体(更复杂地相互混入的结构)，使光电转换效率变高的方面出发，优选在多孔状的电子传输层上成膜复合结构体。
上述电子传输层的厚度的优选的下限为1nm、优选的上限为2000nm。若上述厚度为1nm以上，则变得能够充分地阻挡空穴。若上述厚度为2000nm以下，则不易成为电子传输时的阻力，使光电转换效率变高。上述电子传输层的厚度的更优选的下限为3nm、更优选的上限为1000nm，进一步优选的下限为5nm、进一步优选的上限为500nm。
在上述层叠体中，可以在上述对置电极与上述光电转换层之间配置空穴传输层。
上述空穴传输层的材料并无特别限定，可列举例如P型导电性高分子、P型低分子有机半导体、P型金属氧化物、P型金属硫化物、表面活性剂等，具体可列举例如：聚乙烯二氧噻吩的聚苯乙烯磺酸加成物；含羧基的聚噻吩；酞菁；卟啉；氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍、氧化铜、氧化锡、硫化钼、硫化钨、硫化铜、硫化锡等；含氟基的膦酸、含羰基的膦酸；CuSCN、CuI等铜化合物；可以被进行表面修饰的碳纳米管、石墨烯等含碳材料等。
上述空穴传输层的厚度的优选的下限为1nm、优选的上限为2000nm。若上述厚度为1nm以上，则变得能够充分地阻挡电子。若上述厚度为2000nm以下，则不易成为空穴传输时的阻力，使光电转换效率变高。上述厚度的更优选的下限为3nm、更优选的上限为1000nm，进一步优选的下限为5nm、进一步优选的上限为500nm。
上述层叠体可以进一步具有基板等。上述基板并无特别限定，可列举例如：钠钙玻璃、无碱玻璃等透明玻璃基板；陶瓷基板、透明塑料基板等。
本发明的太阳能电池将上述层叠体用密封材料密封而成。通过将上述层叠体用上述密封材料密封，从而可以提高太阳能电池的耐久性。可认为这是由于：通过用上述密封材料进行密封，从而可以抑制水分渗透到内部。在此，上述密封材料优选以密闭其端部的方式覆盖上述层叠体整体。由此可以可靠地防止水分渗透到内部。
予以说明，若将上述层叠体用密封材料进行密封，则可以将上述层叠体的电极侧或对置电极侧中的任一侧用密封材料覆盖。
上述密封材料包含具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂(在本说明书中也称为“具有聚异丁烯等骨架的树脂”)。
当在上述光电转换层中使用上述有机无机钙钛矿化合物的情况下，在密封时上述有机无机钙钛矿化合物中的有机成分会熔入上述密封材料，使上述有机无机钙钛矿化合物劣化(初始劣化)。与此相对，在本发明的太阳能电池中，通过在上述密封材料中使用具有聚异丁烯等骨架的树脂，从而即使在上述光电转换层中使用上述有机无机钙钛矿化合物，也会在密封时抑制上述有机无机钙钛矿化合物中的有机成分的溶出，从而可以防止光电转换层劣化。
进而，上述具有聚异丁烯等骨架的树脂与例如硅酮树脂等其他树脂相比，水蒸气阻挡性更高，因此，通过在上述密封材料中使用上述具有聚异丁烯等骨架的树脂，从而还可以提高太阳能电池的高湿耐久性。进而，上述具有聚异丁烯等骨架的树脂与例如降冰片烯树脂等其他树脂相比，在更宽泛的温度区域内对被粘物的密合性高，因此通过在上述密封材料中使用上述具有聚异丁烯等骨架的树脂，从而还可以提高太阳能电池的温度循环耐性。进而，通过在上述密封材料中使用上述具有聚异丁烯等骨架的树脂，从而可以抑制经时性的分子扩散，因此可以提高太阳能电池的耐热耐久性。
上述具有聚异丁烯等骨架的树脂只要具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架，则并无特别限定，可以是均聚物，也可以是共聚物，可列举例如聚异丁烯树脂、聚异戊二烯树脂、聚丁二烯树脂、丁二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR树脂)、含两末端羟基的聚异戊二烯与异氰酸酯的聚合物、两末端丙烯酸改性聚丁二烯的聚合物等。这些具有聚异丁烯等骨架的树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从水蒸气阻挡性高的方面出发，优选聚异丁烯树脂。
另外，上述具有聚异丁烯等骨架的树脂可以是将具有反应性官能团的化合物制膜后利用交联剂使上述反应性官能团发生交联反应而得的树脂。作为上述反应性官能团，可列举例如环氧基、羟基、羧基、烯基、异氰酸酯基等。上述交联剂并无特别限定，可以使用催化剂等而引发上述反应性官能团的交联反应。此时，通过调整上述反应性官能团的数量，从而可以抑制由与交联反应相伴的固化收缩引起的太阳能电池的密封时的劣化(初始劣化)。
作为上述具有聚异丁烯等骨架的树脂，具体而言，可列举例如OPPANOL系列(BASF公司制、具有聚异丁烯骨架)、TETRAX系列(JX日矿日石能源公司制、具有聚异丁烯骨架)、NISSOPB系列(日本曹达公司制)的聚合物(具有聚丁二烯骨架)、Polyip(出光兴产公司制)的聚合物(具有聚异戊二烯骨架)等。
上述密封材料的厚度的优选的下限为100nm、优选的上限为100000nm。上述厚度的更优选的下限为500nm、更优选的上限为50000nm，进一步优选的下限为1000nm、进一步优选的上限为20000nm。
在本发明的太阳能电池中，优选在上述密封材料上进一步具有无机层。由此，上述无机层具有水蒸气阻挡性，可以抑制水分渗透到内部，因此可以进一步提高太阳能电池的高湿耐久性。
另外，在本发明的太阳能电池中，还优选在上述层叠体与上述密封材料之间具有无机层。此时，上述无机层也具有水蒸气阻挡性，可以抑制水分渗透到内部，因此可以进一步提高太阳能电池的高湿耐久性。
上述无机层优选包含金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
上述金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物只要具有水蒸气阻挡性，则并无特别限定，可列举例如Si、Al、Zn、Sn、In、Ti、Mg、Zr、Ni、Ta、W、Cu或包含2种以上这些金属的合金的氧化物、氮化物或氮氧化物。其中，优选Si、Al、Zn或Sn的氧化物、氮化物或氮氧化物，更优选Zn或Sn的氧化物、氮化物或氮氧化物，从可以对上述无机层赋予特别高的水蒸气阻挡性及柔软性的方面出发，进一步优选包含Zn及Sn两种金属元素的金属元素的氧化物、氮化物或氮氧化物。
其中，上述金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物特别优选为通式ZnaSnbOc所示的金属氧化物。其中，a、b、c表示正整数。
通过在上述无机层中使用上述通式ZnaSnbOc所示的金属氧化物，从而使上述金属氧化物包含锡(Sn)原子，因此可以对上述无机层赋予适度的挠性，即使在上述无机层的厚度增加的情况下也会使应力变小，因此可以抑制上述无机层、电极、半导体层等的剥离。由此，可以提高上述无机层的水蒸气阻挡性，可以进一步提高太阳能电池的耐久性。另一方面，由于上述金属氧化物包含锌(Zn)原子，因此上述无机层可以发挥出特别高的阻挡性。
在上述通式ZnaSnbOc所示的金属氧化物中，优选使Sn相对于Zn与Sn的总和之比Xs(重量％)满足70＞Xs＞0。另外，优选使Y＝c/(a+2b)所示的值Y满足1.5＞Y＞0.5。
予以说明，上述无机层中的上述通式ZnaSnbOc所示的金属氧化物中所含的锌(Zn)、锡(Sn)及氧(O)的元素比率可以使用X射线光电子分光(XPS)表面分析装置(例如VGSCIENTIFICS公司制的ESCALAB-200R等)来测定。
上述无机层在包含上述通式ZnaSnbOc所示的金属氧化物的情况下优选还包含硅(Si)和/或铝(Al)。
通过在上述无机层中添加硅(Si)和/或铝(Al)，从而可以提高上述无机层的透明性，使太阳能电池的光电转换效率提高。
上述无机层的厚度的优选的下限为30nm、优选的上限为3000nm。若上述厚度为30nm以上，则上述无机层可以具有充分的水蒸气阻挡性，使太阳能电池的耐久性提高。若上述厚度为3000nm以下，则即使在上述无机层的厚度增加的情况下，所产生的应力也小，因此可以抑制上述无机层、电极、半导体层等的剥离。上述厚度的更优选的下限为50nm、更优选的上限为1000nm，进一步优选的下限为100nm、进一步优选的上限为500nm。
予以说明，上述无机层的厚度可以使用光学干涉式膜厚测定装置(例如大塚电子公司制的FE-3000等)来测定。
另外，在本发明的太阳能电池中，可以进一步在上述密封材料上覆盖例如玻璃板、树脂膜、被覆有无机材料的树脂膜、铝等的金属箔等其他材料。即，本发明的太阳能电池可以是利用上述密封材料将上述层叠体与上述其他材料之间密封、填充或粘接的构成。由此，即使在假设在上述密封材料中有针孔的情况下也可以充分地阻挡水蒸气，可以进一步提高太阳能电池的高湿耐久性。其中，更优选配置被覆有无机材料的树脂膜。
图2是示意性表示本发明的太阳能电池的一例的剖面图。
在图2所示的太阳能电池1中，将在基板6上具有电极2、对置电极3和配置于该电极2与对置电极3之间的光电转换层4的层叠体用覆盖在对置电极3上的密封材料5密封。在此，密封材料5的端部通过与基板6密合而密闭。予以说明，图2所示的太阳能电池1中，对置电极3为图案化的电极。虽然未图示，但是也可以在层叠体与密封材料5之间或者密封材料5上配置无机层。
制造本发明的太阳能电池的方法并无特别限定，可列举例如以下方法等：在上述基板上依次形成上述电极、上述光电转换层、上述对置电极而制作层叠体后，用上述密封材料将上述层叠体密封，再用无机层覆盖在上述密封材料上。
形成上述光电转换层的方法并无特别限定，可列举真空蒸镀法、溅射法、气相反应法(CVD)、电化学沉积法、印刷法等。其中，通过采用印刷法，从而可以大面积且简易地形成能够发挥高光电转换效率的太阳能电池。作为印刷法，可列举例如旋涂法、流延法等，作为使用印刷法的方法，可列举辊对辊法等。
用上述密封材料将上述层叠体密封的方法并无特别限定，可列举例如：使用片状的密封材料将上述层叠体密封的方法；将使密封材料溶解于有机溶剂的密封材料溶液涂布于上述层叠体的方法；将成为密封材料的具有反应性官能团的化合物涂布于上述层叠体后，利用热或UV等使具有反应性官能团的化合物交联或聚合的方法；对密封材料施加热而使其熔解后将其冷却的方法等。
作为用上述无机层覆盖在上述密封材料上的方法，优选真空蒸镀法、溅射法、气相反应法(CVD)、离子镀敷法。其中，为了形成致密的层，优选溅射法，在溅射法中，更优选DC磁控管溅射法。
在上述溅射法中，以金属靶及氧气或氮气作为原料，在上述密封材料上堆积原料而进行制膜，由此可以形成无机层。
发明效果
根据本发明，可以提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少、具有高湿耐久性且温度循环耐性优异的太阳能电池。
附图说明
图1为表示有机无机钙钛矿化合物的结晶结构的一例的示意图。
图2为示意性表示本发明的太阳能电池的一例的剖面图。
具体实施方式
以下列举实施例对本发明进一步进行详细说明，但本发明并不仅限定于这些实施例。
(实施例1)
(层叠体的制作)
在玻璃基板上形成厚度1000nm的FTO膜作为电极，依次使用纯水、丙酮、甲醇，超声波清洗各10分钟后，使其干燥。
利用旋涂法在FTO膜的表面上涂布调整为2％的异丙醇钛的乙醇溶液后，在400℃烧成10分钟，形成厚度20nm的薄膜状的电子传输层。再利用旋涂法在薄膜状的电子传输层上涂布包含作为有机粘合剂的聚甲基丙烯酸异丁酯和氧化钛(平均粒径为10nm和30nm的混合物)的氧化钛糊剂，之后在500℃烧成10分钟，形成厚度500nm的多孔状的电子传输层。
接着，作为有机无机钙钛矿化合物形成用溶液，以N，N-二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比1∶1溶解，制备成CH3NH3I和PbI2的合计重量浓度为20％的溶液。利用旋涂法将该溶液层叠在电子传输层上，从而形成光电转换层。
再制备在氯苯25μL中溶解有Spiro-OMeTAD(具有螺二芴骨架)68mM、叔丁基吡啶55mM、双(三氟甲基磺酰)亚胺锂盐9mM的溶液。利用旋涂法将该溶液以300nm的厚度层叠在光电转换层上，形成空穴传输层。
利用真空蒸镀在空穴传输层上形成厚度100nm的金膜作为对置电极，得到层叠体。
(层叠体的密封)
在所得的层叠体上旋涂具有聚异丁烯骨架的树脂(OPPANOLB 50、BASF公司制)的环己烷溶液，使其在100℃干燥10分钟，形成厚度10μm的密封材料，得到太阳能电池。
(实施例2～5)
在层叠体的制作中，通过变更有机无机钙钛矿化合物形成用溶液的配合成分而形成表1所示的光电转换层(有机无机钙钛矿化合物)，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
予以说明，在实施例2中，以N，N-二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，将CH3NH3Br、CH3NH3I、PbBr2、PbI2按照摩尔比1∶2∶1∶2溶解。在实施例3中，以N，N-二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，将CH3NH3I和PbCl2按照摩尔比3∶1溶解。在实施例4中，以N，N-二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，将CH3NH3Br和PbBr2按照摩尔比1∶1溶解。在实施例5中，以N，N-二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，将CH3(NH3)2I和PbI2按照摩尔比1∶1溶解。
(实施例6)
在层叠体的密封中，变更为表1所示的密封材料厚度，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
(实施例7～10)
在层叠体的密封中，变更为表1所示的密封材料，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
予以说明，在实施例7中，使用具有聚异丁烯骨架的树脂(OPPANOL B 100、BASF公司制)。
在实施例8中，使用含有作为固化剂的4mol％的过氧化物(PercumylD、日油公司制)和成为密封材料的液状单体(具有丁二烯骨架的丙烯酸酯、NISSO PB GI-3000、日本曹达公司制)的混合物层叠在层叠体上后，在120℃加热1小时，使液状单体聚合。
在实施例9中，使用具有聚异戊二烯骨架的树脂(和光纯药工业公司制)。
在实施例10中，使用具有聚丁二烯骨架的树脂(宇部兴产公司制)。
(实施例11～13)
在层叠体上形成表1所示的无机层后，层叠密封材料，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
(无机层的制膜方法)
将所得的层叠体安装到溅射装置的基板支架上，再在溅射装置的阴极A上安装ZnSn合金(Zn∶Sn＝95∶5重量％)靶，在阴极B上安装Si靶。利用真空泵对溅射装置的成膜室进行排气，减压至5.0×10-4Pa。之后，在溅射条件A所示的条件下进行溅射，在层叠体上形成100nm的ZnSnO(Si)薄膜作为无机层。
＜溅射条件A＞
氩气流量：50sccm、氧气流量：50sccm
电源输出：阴极A＝500W、阴极B＝1500W
予以说明，在实施例11中，使用Si靶作为金属靶。在实施例12中，使用Sn靶作为金属靶。
(实施例14、15)
在层叠体的密封中，变更为表1所示的密封材料，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
在实施例14中，使用具有聚异丁烯骨架的树脂(OPPANOL B 100、BASF公司制)和降冰片烯树脂(TOPAS6015、Polyplastics公司制)的重量比为5∶5的混合物作为密封材料。
在实施例15中，使用具有聚异丁烯骨架的树脂(OPPANOL B 100、BASF公司制)和降冰片烯树脂(TOPAS6015、Polyplastics公司制)的重量比为2∶8的混合物作为密封材料。
(比较例1～4)
在层叠体的密封中，变更为表1所示的密封材料，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
予以说明，在比较例1中，使用聚乙烯醇(PVA)(和光纯药工业公司制)作为密封材料。在比较例2中，在层叠体上在100℃层压层叠有含有作为固化剂的4mol％的咪唑化合物2MZA(四国化成工业公司制)和双酚A型环氧树脂(三菱化学公司制)的混合物的铝箔，然后在120℃加热1小时，使其固化。在比较例3中，使用不具有聚异丁烯等骨架的硅酮树脂，在层叠体上层压层叠有该硅酮树脂的铝箔后，在120℃加热1小时，使其固化。在比较例4中，使用降冰片烯树脂(TOPAS6015、Polyplastics公司制)。
予以说明，上述硅酮树脂按照以下方式进行聚合。
在具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆分式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷164.1g、甲基乙烯基二甲氧基硅烷6.6g及1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷4.7g，在50℃下搅拌。向其中缓缓地滴加将氢氧化钾2.2g溶解于水35.1g所得的溶液，滴加后在50℃搅拌6小时，使其反应，得到反应液。接着，进行减压，除去挥发成分，向反应液中添加乙酸2.4g，在减压下加热。之后，利用过滤除去乙酸钾，得到聚合物A。
接着，在具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆分式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷80.6g及1，1，3，3-四甲基二硅氧烷45g，在50℃下搅拌。向其中缓缓地滴加乙酸100g与水27g的溶液，滴加后在50℃搅拌6小时，使其反应，得到反应液。接着，进行减压，除去挥发成分，得到聚合物。在所得的聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，用离子交换水300g清洗10次，进行减压，除去挥发成分，得到聚合物B。
将聚合物A90重量份、聚合物B12重量份和0.2重量％的氢化硅烷化反应催化剂(铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷络合物)混合，得到硅酮树脂。
(比较例5)
不进行层叠体的密封，除此以外，与实施例1同样地得到太阳能电池。
＜评价＞
对实施例及比较例中所得的太阳能电池进行以下的评价。
(1)密封时的劣化(初始劣化)
在密封前的层叠体的电极间连接电源(KEITHLEY公司制、236Model)，使用强度100mW/cm2的太阳光模拟器(山下电装公司制)，测定光电转换效率，作为初始转换效率。
在刚密封后的太阳能电池的电极间连接电源(KEITHLEY公司制、236Model)，使用强度100mW/cm2的太阳光模拟器(山下电装公司制)，测定光电转换效率，求得刚密封后的光电转换效率/初始转换效率的值。
○：刚密封后的光电转换效率/初始转换效率的值为0.5以上
×：刚密封后的光电转换效率/初始转换效率的值不足0.5
(2)高湿耐久性
将太阳能电池在70％30℃的条件下放置24小时，进行高湿耐久试验。在高湿耐久试验后的太阳能电池的电极间连接电源(KEITHLEY公司制、236Model)，使用强度100mW/cm2的太阳光模拟器(山下电装公司制)，测定光电转换效率，求得高湿耐久试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率的值。
◎：高湿耐久试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率为0.9以上
○：高湿耐久试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率为0.5以上且不足0.9
×：高湿耐久试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率不足0.5
(3)温度循环耐性
对实施例1～12、比较例3、4及6中所得的太阳能电池，将从-55℃至125℃的循环进行300个循环，从而进行了温度循环试验。在温度循环试验后的太阳能电池的电极间连接电源(KEITHLEY公司制、236Model)，使用强度100mW/cm2的太阳光模拟器(山下电装公司制)，测定光电转换效率，求得温度循环试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率的值。
○：温度循环试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率的值为0.5以上
×：温度循环试验后的光电转换效率/刚密封后的光电转换效率的值不足0.5
[表1]
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少、具有高湿耐久性且温度循环耐性优异的太阳能电池。
符号说明
1 太阳能电池
2 电极
3 对置电极(图案化的电极)
4 光电转换层
5 密封材料
6 基板
Claims (3)
1.一种太阳能电池，其特征在于，其是具有层叠体和密封材料的太阳能电池，所述层叠体具有电极、对置电极和配置于所述电极与所述对置电极之间的光电转换层，所述密封材料覆盖在所述对置电极上而将所述层叠体密封，
所述光电转换层包含通式R-M-X3所示的有机无机钙钛矿化合物，其中，R为有机分子，M为金属原子，X为卤素原子或硫属原子，
所述密封材料包含具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在层叠体与密封材料之间具有无机层，所述无机层包含金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在密封材料上具有无机层，所述无机层包含金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014210192 | 2014-10-14 | ||
| JP2014-210192 | 2014-10-14 | ||
| PCT/JP2015/079090 WO2016060182A1 (ja) | 2014-10-14 | 2015-10-14 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106796989A true CN106796989A (zh) | 2017-05-31 |
| CN106796989B CN106796989B (zh) | 2019-08-02 |
Family
ID=55746724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580054970.2A Active CN106796989B (zh) | 2014-10-14 | 2015-10-14 | 太阳能电池 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10297395B2 (zh) |
| EP (1) | EP3208857A4 (zh) |
| JP (1) | JP6078662B2 (zh) |
| CN (1) | CN106796989B (zh) |
| AU (1) | AU2015331364B2 (zh) |
| BR (1) | BR112017007730B1 (zh) |
| WO (1) | WO2016060182A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021015902A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | 積水化学工業株式会社 | ペロブスカイト太陽電池用封止剤及びペロブスカイト太陽電池 |
| CN111463351A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-28 | 武汉理工大学 | 钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构及其封装方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1992371A (zh) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN101485037A (zh) * | 2006-07-06 | 2009-07-15 | 夏普株式会社 | 染料敏化太阳能电池组件及其制备方法 |
| WO2009125685A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 樹脂封止シート |
| CN102544055A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-07-04 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN102737848A (zh) * | 2011-04-15 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料 |
| TW201427056A (zh) * | 2012-09-12 | 2014-07-01 | Korea Res Inst Chem Tech | 包含光吸收結構之太陽能電池 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165512A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機光電変換素子 |
| JP2006344794A (ja) | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | フラーレン類含有半導体ヘテロ接合膜 |
| CN101945965A (zh) | 2007-12-28 | 2011-01-12 | 3M创新有限公司 | 柔性封装膜系统 |
| CN102668154A (zh) | 2009-10-30 | 2012-09-12 | 住友化学株式会社 | 有机光电转换元件 |
| CN102668155B (zh) | 2009-10-30 | 2015-01-28 | 住友化学株式会社 | 有机薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| US20120211048A1 (en) | 2009-11-02 | 2012-08-23 | Norio Murofushi | Wet solar cell and wet solar cell module |
| JP2013511410A (ja) | 2009-11-18 | 2013-04-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 可撓性組立品並びにその製造及び使用方法 |
| JP2012089663A (ja) | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Fujifilm Corp | 太陽電池モジュール、および、太陽電池モジュールの製造方法 |
| WO2012056941A1 (ja) | 2010-10-28 | 2012-05-03 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| EP2850669B1 (en) | 2012-05-18 | 2016-02-24 | Isis Innovation Limited | Photovoltaic device comprising perovskites |
| JP6069991B2 (ja) | 2012-09-12 | 2017-02-01 | 日本ゼオン株式会社 | ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子の製造方法 |
| JP5734382B2 (ja) | 2013-09-26 | 2015-06-17 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子モジュールおよびその製造方法 |
| CN107408630B (zh) | 2015-03-25 | 2020-03-03 | 积水化学工业株式会社 | 太阳能电池 |
-
2015
- 2015-10-14 AU AU2015331364A patent/AU2015331364B2/en active Active
- 2015-10-14 EP EP15850457.1A patent/EP3208857A4/en active Pending
- 2015-10-14 BR BR112017007730-2A patent/BR112017007730B1/pt active IP Right Grant
- 2015-10-14 WO PCT/JP2015/079090 patent/WO2016060182A1/ja active Application Filing
- 2015-10-14 US US15/514,907 patent/US10297395B2/en active Active
- 2015-10-14 CN CN201580054970.2A patent/CN106796989B/zh active Active
- 2015-10-14 JP JP2015552936A patent/JP6078662B2/ja active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1992371A (zh) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN103956375A (zh) * | 2005-12-30 | 2014-07-30 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN101485037A (zh) * | 2006-07-06 | 2009-07-15 | 夏普株式会社 | 染料敏化太阳能电池组件及其制备方法 |
| WO2009125685A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 樹脂封止シート |
| CN102544055A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-07-04 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN102737848A (zh) * | 2011-04-15 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料 |
| TW201427056A (zh) * | 2012-09-12 | 2014-07-01 | Korea Res Inst Chem Tech | 包含光吸收結構之太陽能電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10297395B2 (en) | 2019-05-21 |
| CN106796989B (zh) | 2019-08-02 |
| AU2015331364B2 (en) | 2021-01-21 |
| BR112017007730B1 (pt) | 2022-06-14 |
| JP6078662B2 (ja) | 2017-02-08 |
| US20170236652A1 (en) | 2017-08-17 |
| AU2015331364A1 (en) | 2017-03-16 |
| EP3208857A1 (en) | 2017-08-23 |
| JPWO2016060182A1 (ja) | 2017-04-27 |
| BR112017007730A2 (pt) | 2017-12-26 |
| WO2016060182A1 (ja) | 2016-04-21 |
| EP3208857A4 (en) | 2018-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106796990A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN107112420A (zh) | 太阳能电池及太阳能电池的制造方法 | |
| CN110392940B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| CN106796991A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN107431131A (zh) | 柔性太阳能电池 | |
| CN107710437B (zh) | 太阳能电池、以及有机半导体用材料 | |
| CN110268537A (zh) | 太阳能电池和太阳能电池的制造方法 | |
| JP2016178290A (ja) | 太陽電池 | |
| CN106796989B (zh) | 太阳能电池 | |
| JP6876480B2 (ja) | 太陽電池 | |
| CN107078220B (zh) | 太阳能电池 | |
| JP6196685B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP5926467B1 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2013243321A (ja) | 有機薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JP2013191630A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2016082004A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2021197500A (ja) | 光電変換素子及び光電変換層形成用組成物 | |
| JP2016015408A (ja) | 薄膜太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |