CN106794689B - 层叠体的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种层叠体的制造方法，是具有层叠膜和粘接层的层叠体的制造方法，该制造方法包括在该层叠膜的一面形成该粘接层的工序，该层叠膜是至少层叠基材和薄膜层而成的层叠膜，上述薄膜层至少含有硅，形成该粘接层的工序包括：一边将该层叠膜带状地连续的层叠膜卷料在长度方向输送，一边以对上述层叠膜卷料在该长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态，在该层叠膜卷料的层叠有该薄膜层的面形成该粘接层。

Description

层叠体的制造方法

技术领域

本发明涉及一种层叠体的制造方法。

本申请基于2014年10月9日在日本提出申请的日本特愿2014－208087号而主张优先权并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，作为显示装置、照明装置中所使用的发光元件，正在研究有机电致发光元件(有机EL元件)。有机EL元件由阳极、有机发光层和阴极构成，以阳极和阴极夹持有机发光层的方式形成，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在位于两个电极之间的有机发光层结合而生成激子，通过激子放出能量来发光。

但是，对于有机EL元件，如果发光层、电极与水分、氧接触，则引起发光层、电极的劣化，有时在元件内产生发光不良部分。因此，具备有机EL元件的有机EL装置采用将有机EL元件的周围用密封材料密封来防止水分、氧与有机EL元件的接触的构成。

作为这样的有机EL装置用的密封材料，已知在合成树脂制的基材的表面层叠形成有无机化合物的气体阻隔层(薄膜层)的气体阻隔性膜和粘接层而成的层叠体(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平07－153570号公报

发明内容

通常，在要大量加工膜状的成型体的情况下，有时采用通过对膜状的成型体带状地连续的卷料(膜卷料)连续地进行加工并在加工后进行适当裁剪而大量得到经加工的成型体这样的制造方法。

在要使用这样的制造方法来制造上述层叠体的情况下，有可能产生具有气体阻隔性的薄膜层的破损、因粘接层的表面起伏所致的外观不良，要求进行改良。

本发明是鉴于这样的的情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制具有气体阻隔性的薄膜层的破损、外观不良的产生的层叠体的制造方法。

为了解决上述的课题，本发明的一方案提供一种层叠体的制造方法，是具有层叠膜和形成于上述层叠膜的一面侧的粘接层的层叠体的制造方法，上述层叠膜具有基材和至少含有硅且形成于上述基材与上述粘接层之间的薄膜层，具有以下工序：一边将上述层叠膜带状地连续的层叠膜卷料在长度方向输送，一边以对上述层叠膜卷料在上述长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态，在上述层叠膜卷料的一面形成上述粘接层。

在本发明的一方案中，可以为如下的制造方法：在使用上述粘接层的形成材料带状地连续的粘接层卷料形成上述粘接层的工序中，一边将上述粘接层卷料在长度方向输送，一边以对上述粘接层卷料在上述长度方向施加每单位截面积为大于等于0.01N/mm²且小于5N/mm²的张力的状态，贴合于上述层叠膜卷料。

在本发明的一方案中，可以为如下的制造方法：具有一边将上述基材带状地连续的基材卷料连续地输送一边在上述基材卷料的至少单侧的表面上连续地形成上述薄膜层的工序。

在本发明的一方案中，可以为如下的制造方法：形成上述薄膜层的工序使用等离子体CVD，该等离子体CVD使用在卷挂上述基材卷料的第1成膜辊与卷挂上述基材卷料的第2成膜辊之间施加交流电压而在上述第1成膜辊与上述第2成膜辊之间的空间产生的上述薄膜层的形成材料即成膜气体的放电等离子体，上述第2成膜辊与上述第1成膜辊对置。

在本发明的一方案中，可以为如下进行的制造方法：通过在上述第1成膜辊与上述第2成膜辊之间形成交流电场，并且在上述第1成膜辊与上述第2成膜辊对置的空间形成膨胀的无终端的通道状的磁场，从而上述放电等离子体具有沿着上述通道状的磁场而形成的第1放电等离子体和形成于上述通道状的磁场的周围的第2放电等离子体，形成上述薄膜层的工序以与上述第1放电等离子体和上述第2放电等离子体重叠的方式输送上述基材卷料。

在本发明的一方案中，可以为如下的制造方法：上述薄膜层至少含有硅、氧和碳，在形成上述薄膜层的工序中，对于所形成的上述薄膜层，以硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线全部满足下述的条件(i)～(iii)的方式控制上述成膜气体中所含的有机硅化合物与氧的混合比，上述硅分布曲线、上述氧分布曲线和上述碳分布曲线分别表示距上述薄膜层的表面的距离与相对于位于上述距离的点的上述薄膜层中所含的硅原子、氧原子和碳原子的总数的硅原子数的比率(硅的原子数比)、氧原子数的比率(氧的原子数比)、碳原子数的比率(碳的原子数比)的关系，

(i)硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在上述薄膜层的膜厚整体中的90％以上的区域满足下述式(1)所示的条件，

(氧的原子数比)＞(硅的原子数比)＞(碳的原子数比)…(1)；

(ii)上述碳分布曲线至少具有1个极值；

(iii)上述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为0.05以上。

在本发明的一方案中，可以为如下的制造方法：上述薄膜层的硅分布曲线中的硅的原子比的最大值和最小值之差的绝对值小于5at％。

在本发明的一方案中，可以为如下的制造方法：上述薄膜层的组成为SiO_xC_y(0＜x＜2、0＜y＜2)。

即，本发明包含以下的方案。

[1]一种层叠体的制造方法，是具有层叠膜和粘接层的层叠体的制造方法，

上述制造方法包括在上述层叠膜的一面形成上述粘接层的工序，

上述层叠膜是至少层叠基材和薄膜层而成的层叠膜，上述薄膜层至少含有硅，

形成上述粘接层的工序包括：一边将上述层叠膜带状地连续的层叠膜卷料在长度方向输送，一边以对上述层叠膜卷料在上述长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态，在上述层叠膜卷料的层叠有上述薄膜层的面形成上述粘接层。

[2]如[1]所述的层叠体的制造方法，其中，形成上述粘接层的工序进一步包括：一边将上述粘接层带状地连续的粘接层卷料在长度方向输送，一边以对上述粘接层卷料在上述长度方向施加每单位截面积为大于等于0.01N/mm²且小于5N/mm²的张力的状态，在上述层叠膜卷料贴合上述粘接层卷料。

[3]如[1]或[2]所述的层叠体的制造方法，其中，进一步包括在上述基材的至少一侧的表面上形成上述薄膜层的工序，

形成上述薄膜层的工序包括：一边将上述基材带状地连续的基材卷料连续地输送，一边在上述基材卷料的至少单侧的表面上连续地形成上述薄膜层。

[4]如[3]所述的层叠体的制造方法，其中，形成上述薄膜层的工序包括：

通过在卷挂上述基材卷料的第1成膜辊与卷挂上述基材卷料的第2成膜辊之间施加交流电压，从而在上述第1成膜辊与上述第2成膜辊之间的空间产生上述薄膜层的形成材料即成膜气体的放电等离子体，上述第2成膜辊以与上述第1成膜辊对置的方式设置；以及

通过使用上述产生的放电等离子体的等离子体CVD，在上述基材卷料的表面形成上述薄膜层。

[5]如[4]所述的层叠体的制造方法，其中，包括：以通过在上述第1成膜辊与上述第2成膜辊之间形成交流电场，并且在上述第1成膜辊与上述第2成膜辊对置的空间形成膨胀的无终端的通道状的磁场，从而上述放电等离子体具有沿着上述通道状的磁场而形成的第1放电等离子体和形成于上述通道状的磁场的周围的第2放电等离子体的方式施加交流电压，形成磁场；以及

形成上述薄膜层的工序以与上述第1放电等离子体和上述第2放电等离子体重叠的方式输送上述基材卷料。

[6]如[4]或[5]所述的层叠体的制造方法，其中，上述薄膜层至少含有硅、氧和碳，

形成上述薄膜层的工序包括：对于所形成的上述薄膜层，以硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线满足下述的条件(i)～(iii)的方式控制上述成膜气体中所含的有机硅化合物与氧的混合比，上述硅分布曲线、上述氧分布曲线和上述碳分布曲线分别表示上述薄膜层的膜厚方向的距上述薄膜层的表面的距离与相对于位于上述距离的点的上述薄膜层中所含的硅原子、氧原子和碳原子的总数的作为硅原子数的比率的硅的原子数比、作为氧原子数的比率的氧的原子数比、作为碳原子数的比率的碳的原子数比的关系，

(i)上述硅的原子数比、上述氧的原子数比和上述碳的原子数比在上述薄膜层的膜厚整体中的90％以上的区域满足下述式(1)所示的条件，

(氧的原子数比)＞(硅的原子数比)＞(碳的原子数比)…(1)；

(ii)上述碳分布曲线至少具有1个极值；

(iii)上述碳分布曲线中的上述碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为0.05at％以上。

[7]如[6]所述的层叠体的制造方法，其中，上述薄膜层的硅分布曲线中的上述硅的原子比的最大值和最小值之差的绝对值小于5at％。

[8]如[1]～[7]中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，上述薄膜层的组成为SiO_xC_y(0＜x＜2、0＜y＜2)。

根据本发明，可以提供一种能够抑制具有气体阻隔性的薄膜层的破损、外观不良的产生的层叠体的制造方法。

附图说明

图1是表示作为本发明的一实施方式的层叠体的制造方法中所制造的层叠体的一个例子的示意图。

图2是表示作为本发明的一实施方式的层叠体的制造方法的层叠体的薄膜层的示意图。

图3是表示本发明的第1实施方式的层叠体的制造方法的说明图。

图4是表示本发明的第1实施方式的层叠体的制造方法的说明图。

图5是表示本发明的第2实施方式的层叠体的制造方法的说明图。

图6是表示作为本发明的一实施方式的层叠体的制造方法的变形例的说明图。

图7是使用有通过作为本发明的一实施方式的层叠体的制造方法而制造的层叠体的有机EL装置的示意图。

图8是表示制造例1中得到的层叠膜1的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、氮分布曲线和碳分布曲线的图表。

具体实施方式

[第1实施方式]

以下，一边参照图1～4一边对本发明的第1实施方式的层叠体的制造方法进行说明。应予说明，在以下的全部附图中，为了使附图易于观察，使各构成要素的尺寸、比率等适当不同。

[层叠体]

图1是表示本实施方式的层叠体的制造方法中所制造的层叠体的一个例子的示意图。层叠体1具有层叠膜2和形成于层叠膜2的一面的粘接层6。

(层叠膜)

在本实施方式的层叠体1中，层叠膜2具有基材3、夹在基材3与粘接层6之间而形成的薄膜层4以及设置于基材3的与设置有薄膜层4的面相反侧的面的卷曲抑制层5。

即，本实施方式的层叠体1的1个侧面具有层叠膜2和粘接层6；层叠膜2具有基材3、薄膜层4和卷曲抑制层5；薄膜层4设置在基材3与粘接层6之间，卷曲抑制层5设置在基材3的与设置有薄膜层4的面相反侧的面。

(基材)

作为基材3的形成材料，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、环状聚烯烃等聚烯烃树脂；聚酰胺树脂；聚碳酸酯树脂；聚苯乙烯树脂；聚乙烯醇树脂；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的皂化物；聚丙烯腈树脂；聚甲醛树脂；聚酰亚胺树脂；聚醚硫化物(PES)，也可以根据需要组合使用它们中的2种以上。优选根据透明性、耐热性、线膨胀性等需要的特性选自聚酯树脂和聚烯烃树脂；更优选选自PET、PEN、和环状聚烯烃。另外，作为含有树脂的复合材料，可以举出聚二甲基硅氧烷、聚倍半硅氧烷等有机硅树脂；玻璃复合基板；玻璃环氧基板等。这些材料中，从耐热性高、线膨胀率小这样的观点考虑，优选聚酯系树脂、聚烯烃系树脂、玻璃复合基板和玻璃环氧基板。另外，这些材料可以单独使用1种或组合使用2种以上。

在本实施方式的层叠体1中，使用PEN作为基材3的形成材料。

基材3的厚度可考虑制造层叠膜时的稳定性等来适当设定，但从在真空中也容易输送基材3的方面考虑，优选为5μm～500μm。进而，本实施方式的制造方法中使用的层叠膜从在形成薄膜层4时如后所述通过基材3进行放电的方面考虑，基材3的厚度更优选为50μm～200μm，特别优选为50μm～100μm。

应予说明，“基材的厚度”可以作为任意9个部位的基材的厚度方向的从表面到表面的距离的平均值而求出。

应予说明，从与形成的薄膜层4的密合性的观点考虑，基材3可以实施用于对其表面进行清洁的表面活性处理。作为这样的表面活性处理，例如可以举出电晕处理、等离子体处理和火焰处理。

(薄膜层)

薄膜层4设置在基材3的表面(即，如果以制品的层叠体来看，则设置在基材与粘接层之间)，担保气体阻隔性。薄膜层4具备至少1层，但也可以具备多个层(例如2～4层)，至少各层含有硅、氧和氢。

图2是表示薄膜层4的示意图。图中所示的薄膜层4包含大量含有通过后述的成膜气体的完全氧化反应而形成的SiO₂的第1层4a和大量含有通过不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y的第2层4b，成为将第1层4a和第2层4b交替层叠而成的3层结构。另外，构成薄膜层4的层中的至少1层可以进一步含有氮、铝、钛。

但是，图是示意性地表示膜组成具有分布的图，实际上第1层4a与第2层4b之间并没有明确地产生界面，组成连续地发生变化。在图中，薄膜层4作为3层结构示出，但也可以进一步层叠多层。薄膜层4由多于3层的层构成时，在层叠方向的两端形成第1层4a，第2层4b成为夹持于相邻的第1层4a的构成。

即，薄膜层4的1个侧面为在基材3的表面上依次层叠有大量含有SiO₂的第1层4a、大量含有通过不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y的第2层4b和大量含有SiO₂的第1层4a的构成。

薄膜层4的另一侧面为大量含有SiO₂的第1层4a和大量含有通过不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y的第2层4b交替层叠多层、且层叠方向的两端为第1层4a的构成。

(卷曲抑制层)

卷曲抑制层5是为了抑制层叠膜2整体的卷曲(翘曲)而设置的。作为卷曲抑制层5的形成材料，可以采用与上述薄膜层4相同的材料。另外，对于卷曲抑制层5的厚度(以下，有时称为层厚)，也可以为与上述薄膜层4相同的厚度。薄膜层4和卷曲抑制层5优选为相同的形成材料、相同的层结构和相同的厚度。卷曲抑制层5的厚度可以通过与后述的薄膜层4的厚度同样的方法求出。

应予说明，也可以不形成卷曲抑制层5。

即，本实施方式的层叠体1的另一侧面具有层叠膜2和粘接剂层6；层叠膜2具有基材3和薄膜层4；薄膜层4设置在基材3与粘接层6之间。

(粘接层)

粘接层6具有使层叠体1粘接于其它部件的功能。作为粘接层6的形成材料，可以使用通常已知的材料，例如可可以用热固性树脂组合物、光固化性树脂组合物。

应予说明，所谓热固性树脂组合物，例如可以举出酚醛树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯树脂、热固化性聚酰亚胺，可以举出可以根据需要含有溶剂、粘度调节剂等的组合物。所谓光固化性树脂组合物，例如可以举出丙烯酸酯树脂、环氧树脂，可以举出根据需要含有溶剂或粘度调节剂等的组合物。

粘接层6由残留有聚合性官能团的树脂组合物构成，通过使层叠体1与其它部件密合后，使构成粘接层6的树脂组合物进一步聚合，可以制成实现牢固的粘接的构成。

另外，粘接层6可以为使用热固性树脂组合物、光固化性树脂组合物作为材料并通过在事后供给能量将上述树脂高分子化而使其固化的构成，也可以为被称为压敏型粘接剂(Pressure Sensitive Adhesive，PSA)的通过按压贴合于对象物的构成。

作为压敏型粘接剂，可以使用“在常温下具有粘合性，以较轻的压力粘接于被粘物的物质”(JIS K6800)即粘合剂，也可以使用“将特定成分内置于保护被膜(微胶囊)，在通过适当的手段(压力、热等)破坏被膜之前能够保持稳定性的粘接剂”(JIS K6800)即胶囊型粘接剂。

作为粘接层6的厚度(以下，有时也称为膜厚)，可以为100μm以下。另外，如果粘接层6的厚度小于10μm，则推测耐冲击性降低、容易产生皱褶，因此，优选为10μm以上。即，作为粘接层6的厚度，优选为10μm～100μm。

粘接层6如图所示可以由1层构成，也可以如双面胶带那样通过在成为基材的膜的两面设置粘接层而具有能够在两面粘接的层叠结构。

为了抑制对由层叠体1密封的对象物的影响，层叠体1的含水率相对于层叠体1的总质量优选为0.1质量％以下。层叠体1的含水率例如可以通过对层叠体1进行减压干燥、加热干燥或减压加热干燥来降低。

层叠体1的含水率可以如下求出，即，由层叠体1制作约0.1g的试验片并进行精确称量，将试验片利用卡尔费歇尔水分计在150℃加热3分钟而测定产生的水分量，由此求出。

通过本实施方式的制造方法制造的层叠体1成为如上所述的构成。

[层叠体的制造方法]

图3、4是表示本实施方式的层叠体的制造方法的说明图。本实施方式的层叠体的制造方法具有在基材形成薄膜层的工序和在所形成的层叠膜形成粘接层的工序。在以下的说明中，作为未设置图1所示的卷曲抑制层5的层叠体进行说明。

(形成薄膜层的工序)

图3是表示形成薄膜层的工序的说明图，是实施形成薄膜层的工序的成膜装置10的示意图。

图中所示的成膜装置10具备退绕辊11、卷绕辊12、输送辊13～16、成膜辊17、18、气体供给管19、等离子体产生用电源20、电极21、22、设置在成膜辊17的内部的磁场形成装置23和设置在成膜辊18的内部的磁场形成装置24。成膜装置10的构成要素中，至少成膜辊17、18、气体供给管19和磁场形成装置23、24在制造层叠膜时，配置在未图示的真空腔室内。该真空腔室与未图示的真空泵连接。真空腔室内部的压力通过真空泵的工作来调整。

如果使用该装置，则通过控制等离子体产生用电源20，可以在成膜辊17与成膜辊18之间的空间产生从气体供给管19供给的成膜气体的放电等离子体，可以使用产生的放电等离子体进行等离子体CVD成膜。

退绕辊11以卷绕有成膜前的基材卷料3A的状态设置，一边将基材卷料3A在长度方向退绕一边进行供给。另外，在基材卷料3A的端部侧设置有卷绕辊12，一边牵引进行成膜后的基材卷料3A一边卷绕，收容成卷状。

基材卷料3A呈带状，通过在与长度方向交叉的方向每隔规定的长度进行切断，由此成为上述图1的基材3。作为基材卷料3A的形成材料，可以采用与上述基材3的形成材料同样的材料。在本实施方式的层叠体的制造方法中，使用PEN作为基材卷料3A的形成材料。

成膜辊17与成膜辊18平行地延伸且对置配置。两辊由导电性材料形成，一边分别旋转一边输送基材卷料3A。另外，成膜辊17与成膜辊18彼此绝缘，并且与共通的等离子体产生用电源20连接。如果由等离子体产生用电源20施加，则在成膜辊17与成膜辊18之间的空间SP形成电场。

进而，成膜辊17与成膜辊18在内部收纳有磁场形成装置23、24。磁场形成装置23、24是在空间SP形成磁场的部件，以不与成膜辊17和成膜辊18一起旋转的方式收纳。

磁场形成装置23、24具有中心磁石23a、24a和圆环状的外部磁石23b、24b，上述中心磁石23a、24a在与成膜辊17、成膜辊18的延伸方向相同的方向延伸，上述外部磁石23b、24b一边包围中心磁石23a、24a的周围一边在与成膜辊17、成膜辊18的延伸方向相同的方向延伸而配置。在磁场形成装置23中，将中心磁石23a和外部磁石23b连接的磁力线(磁场)形成无终端的通道。在磁场形成装置24中，也同样地，将中心磁石24a和外部磁石24b连接的磁力线形成无终端的通道。

通过该磁力线与形成于成膜辊17与成膜辊18之间的电场交叉的磁控管放电，产生成膜气体的放电等离子体。即，详细情况如后所述，空间SP作为进行等离子体CVD成膜的成膜空间使用，在基材卷料3A，在未与成膜辊17、18相接的面(即，成膜面)形成有将成膜气体作为形成材料的薄膜层。

在空间SP的附近设置有向空间SP供给等离子体CVD的原料气体等成膜气体的气体供给管19。气体供给管19具有在与成膜辊17和成膜辊18的延伸方向相同方向延伸的管状的形状，从设置在多个部位的开口部向空间SP供给成膜气体。在图3中，以箭头表示从气体供给管19向空间SP供给成膜气体的情况。

原料气体可以根据形成的阻隔膜的材质适当选择而使用。作为原料气体，例如可以使用含有硅的有机硅化合物。作为这样的有机硅化合物，例如可以举出六甲基二硅氧烷、1,1,3,3－四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲基硅烷、甲基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、二乙基硅烷、丙基硅烷、苯基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、二甲基二硅氮烷、三甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、五甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷等。这些有机硅化合物中，从化合物的操作性、得到的阻隔膜的气体阻隔性等观点考虑，优选六甲基二硅氧烷和1,1,3,3－四甲基二硅氧烷。另外，这些有机硅化合物可以单独使用1种或组合使用2种以上。进而，作为原料气体，除上述有机硅化合物以外，也可以含有单硅烷，作为形成的阻隔膜的硅源使用。

作为成膜气体，除原料气体以外，也可以使用反应气体。作为这样的反应气体，可以适当选择使用与原料气体反应而成为氧化物、氮化物等无机化合物的气体。作为用于形成氧化物的反应气体，例如可以使用氧、臭氧等。另外，作为用于形成氮化物的反应气体，例如可以使用氮、氨等。这些反应气体可以单独使用1种或组合使用2种以上，例如形成氮氧化物时，可以组合使用用于形成氧化物的反应气体和用于形成氮化物的反应气体。

作为成膜气体，为了将原料气体供给至真空腔室内，可以根据需要使用载气。进而，作为成膜气体，为了产生放电等离子体，可以根据需要使用放电用气体。作为这样的载气和放电用气体，可以适当使用公知的气体，例如可以使用氦、氩、氖、氙等稀有气体；氢。

真空腔室内的压力(真空度)可以根据原料气体的种类等适当调整，但优选空间SP的压力为0.1Pa～50Pa。出于抑制气相反应的目的而使等离子体CVD为低压等离子体CVD法时，通常为0.1Pa～10Pa。另外，等离子体产生装置的电极转鼓的电力可以根据原料气体的种类、真空腔室内的压力等适当调整，但优选为0.1kW～10kW。

基材卷料3A的输送速度(线速度)可以根据原料气体的种类、真空腔室内的压力等适当调整，但优选为0.1m/min～100m/min，更优选为0.5m/min～20m/min。如果线速度小于下限值，则存在容易在基材卷料3A产生起因于热的皱褶的趋势，另一方面，如果线速度超过上限值，则存在所形成的阻隔膜的厚度变薄的趋势。即，如果线速度为下限值以上，则能够抑制基材卷料3A的起因于热的皱褶的产生，如果线速度为上限值以下，则所形成的阻隔膜的厚度变得充分。

在如上所述的成膜装置10中，如下对基材卷料3A进行成膜。

首先，可以在成膜前，以从基材卷料3A产生的释气充分变少的方式进行事前的处理。从基材卷料3A的释气的产生量可以将基材卷料3A安装于制造装置，使用将装置内(腔室内)减压时的压力来判断。例如，如果制造装置的腔室内的压力为1×10^－3Pa以下，则可以判断从基材卷料3A的释气的产生量充分地变少。

作为减少从基材卷料3A的释气的产生量的方法，可以举出真空干燥、加热干燥和利用它们的组合的干燥以及利用自然干燥的干燥方法。即使为任一种干燥方法，为了促进卷绕成卷状的基材卷料3A的内部的干燥，优选在干燥中重复进行辊的卷换(退绕和卷绕)，将基材卷料3A整体曝露在干燥环境下。

真空干燥通过在耐压性的真空容器放入基材卷料3A，使用如真空泵这样的减压机将真空容器内排气而成为真空来进行。真空干燥时的真空容器内的压力优选为1×10^－6Pa～1000Pa，更优选1×10^－5Pa～100Pa，进一步优选1×10^－4Pa～10Pa。真空容器内的排气可以通过连续地运转减压机而连续地进行，也可以一边以内压无法成为一定以上的方式进行管理一边通过间歇地运转减压机而间歇地进行。干燥时间优选至少为8小时以上，更优选为1周以上，进一步优选为1个月以上。

加热干燥通过将基材卷料3A曝露在50℃以上的环境下来进行。加热温度优选50℃～200℃，更优选70℃～150℃。如果超过200℃的温度，则基材卷料3A有可能变形。另外，由于从基材卷料3A溶出低聚物成分并析出至表面，有可能产生缺陷。干燥时间可以根据加热温度、使用的加热手段而适当选择。

作为加热装置，只要是在常压下能够将基材卷料3A加热至50℃～200℃就没有特别限制。在通常已知的装置中，优选使用红外线加热装置、微波加热装置和加热滚筒。

在此，“红外线加热装置”是通过从红外线产生装置放射红外线来加热对象物的装置。

“微波加热装置”是通过从微波产生装置照射微波来加热对象物的装置。

“加热滚筒”是通过加热滚筒表面并使对象物与滚筒表面接触而从接触部分通过热传导进行加热的装置。

自然干燥通过将基材卷料3A配置在低湿度的气氛中并使干燥气体(干燥空气、或干燥氮)通风，从而维持低湿度的气氛来进行。在进行自然干燥时，优选在配置基材卷料3A的低湿度环境一起配置硅胶等干燥剂。干燥时间优选至少为8小时以上，更优选为1周以上，进一步优选为1个月以上。

这些干燥可以在将基材卷料3A安装于制造装置之前另行进行，也可以在将基材卷料3A安装于制造装置之后在制造装置内进行。

作为将基材卷料3A安装于制造装置之后使其干燥的方法，可以举出一边从退绕辊退绕基材卷料3A并进行输送，一边将腔室内减压的方法。另外，也可以使通过的辊为具备加热器的辊，通过对辊进行加热，将上述辊作为上述加热滚筒使用来加热。

作为减少从基材卷料3A的释气的其它方法，可以举出预先在基材卷料3A的表面使无机膜成膜。作为无机膜的成膜方法，可以举出真空蒸镀(加热蒸镀)、电子束(ElectronBeam，EB)蒸镀、溅射、离子镀等的物理成膜方法。另外，也可以通过热CVD、等离子体CVD、大气压CVD等化学沉积法使无机膜成膜。进而，通过对在表面成膜有无机膜的基材卷料3A实施利用上述干燥方法的干燥处理，能够进一步减少释气的影响。

即，本发明的制造方法的1个方面可以包含在使薄膜层成膜之前，以从基材卷料3A产生的释气充分变少方式进行真空干燥、加热干燥、利用真空干燥与加热干燥的组合的干燥和自然干燥；或者

可以包含在基材卷料3A的表面使无机膜成膜。

接着，使未图示的真空腔室内为减压环境，对成膜辊17、成膜辊18施加而使空间SP产生电场。

此时，由于在磁场形成装置23、24中形成有上述无终端的通道状的磁场，因此，通过导入成膜气体，利用上述磁场与空间SP所放出的电子形成沿着上述通道的环状的成膜气体的放电等离子体。该放电等离子体由于可以以数Pa附近的低压力产生，因此，可以使真空腔室内的温度为室温附近。

另一方面，由于在磁场形成装置23、24所形成的磁场以高密度捕捉到的电子的温度高，因此，产生通过上述电子与成膜气体的碰撞而产生的放电等离子体。即，通过由空间SP所形成的磁场与电场将电子封闭到空间SP，在空间SP形成高密度的放电等离子体。更详细而言，在与无终端的通道状的磁场重叠的空间，形成高密度的(高强度的)放电等离子体，在未与无终端的通道状的磁场重叠的空间，形成低密度的(低强度的)放电等离子体。这些放电等离子体的强度连续地变化。

如果产生放电等离子体，则大量生成自由基、离子而进行等离子体反应，产生成膜气体中所含的原料气体与反应气体的反应。例如，作为原料气体的有机硅化合物与作为反应气体的氧进行反应而产生有机硅化合物的氧化反应。

在此，在形成有高强度的放电等离子体的空间，由于对氧化反应赋予的能量多，因此，反应容易进行，可以主要产生有机硅化合物的完全氧化反应。另外，在形成有低强度的放电等离子体的空间，由于对氧化反应赋予的能量少，因此，反应难以进行，可以主要产生有机硅化合物的不完全氧化反应。

应予说明，在本说明书，“有机硅化合物的完全氧化反应”是指进行有机硅化合物与氧的反应，使有机硅化合物氧化分解直到成为二氧化硅(SiO₂)、水和二氧化碳为止。“有机硅化合物的不完全氧化反应”是指有机硅化合物未进行完全氧化反应，成为不是SiO₂而是在结构中产生含有碳的SiO_xC_y(0＜x＜2,0＜y＜2)的反应。

如上所述，放电等离子体在成膜辊17、成膜辊18的表面环状地形成，因此，在成膜辊17、成膜辊18的表面输送的基材卷料3A会交替通过形成有高强度的放电等离子体的空间和形成有低强度的放电等离子体的空间。因此，在通过成膜辊17、成膜辊18的表面的基材卷料3A的表面交替形成通过完全氧化反应而产生的SiO₂和通过不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y。

除此以外，高温的2次电子由于磁场的作用而防止流入基材卷料3A，因此，能够在抑制基材卷料3A的温度使其较低的状态下投入高的电力，实现高速成膜。膜的沉积主要仅发生在基材卷料3A的成膜面，成膜辊由于被基材卷料3A覆盖而不易污染，能够进行长时间的稳定成膜。

对于如此形成的薄膜层4，含有硅、氧和碳的薄膜层4在分别表示上述层的膜厚方向的距上述层的表面的距离与相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的硅原子的量的比率(以下，有时也称为硅的原子数比)、氧原子的量的比率(以下，有时也称为氧的原子数比)和碳原子的量的比率(以下，有时也称为碳的原子数比)的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中满足全部下述条件(i)～(iii)。

(i)首先，薄膜层4的硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在上述层的膜厚的90％以上、100％以下(更优选为95％～100％，特别优选为100％)的区域满足下述式(1)所示的条件。

(氧的原子数比)＞(硅的原子数比)＞(碳的原子数比)…(1)

薄膜层4的硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比满足(i)的条件时，得到的气体阻隔性层叠膜的气体阻隔性变得充分。

(ii)进而，薄膜层4的碳分布曲线至少具有1个极值。

在薄膜层4中，更优选碳分布曲线至少具有2个极值，特别优选至少具有3个极值。碳分布曲线不具有极值时，得到的气体阻隔性层叠膜的使膜弯曲时的气体阻隔性变得不充分。另外，如此至少具有3个极值时，碳分布曲线所具有的一个极值和与上述极值邻接的极值的薄膜层4的膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离之差的绝对值均优选为200nm以下，更优选为100nm以下。

应予说明，在本实施方式中，“极值”是指在薄膜层4中，相对于薄膜层4的膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离的元素的原子数比的极大值或极小值。另外，在本说明书中，“极大值”是指在薄膜层4中，使距薄膜层4的表面的距离改变时元素的原子数比的值从增加变为减少的点，且与该点的元素的原子数比的值相比，使从上述点起薄膜层4的膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离进一步改变变化20nm的位置的元素的原子数比(原子组成百分率)的值减少3at％以上的点。进而，在本实施方式中，“极小值”是指在薄膜层4中，使距薄膜层4的表面的距离改变时元素的原子数比的值从减少变为增加的点，且与该点的元素的原子数比的值相比，使从上述点起薄膜层4的膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离进一步改变20nm的位置的元素的原子数比的值增加3at％以上的点。

(iii)进而，薄膜层4的碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为5at％以上。

在薄膜层4中，更优选碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为6at％以上，特别优选为7at％以上。如果绝对值小于5at％，则得到的气体阻隔性层叠膜的使膜弯曲时的气体阻隔性变得不充分。即，如果绝对值为5at％以上，则得到的气体阻隔性层叠膜的使膜弯曲时的气体阻隔性变得充分。

在本实施方式中，优选薄膜层4的氧分布曲线至少具有1个极值，更优选至少具有2个极值，特别优选至少具有3个极值。氧分布曲线不具有极值时，得到的气体阻隔性层叠膜的使膜弯曲时的气体阻隔性存在降低的趋势。另外，如此至少具有3个极值时，氧分布曲线所具有的一个极值和与上述极值邻接的极值的薄膜层4的膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离之差的绝对值均优选为200nm以下，更优选为100nm以下。

另外，在本实施方式中，优选薄膜层4的氧分布曲线中的氧的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为5at％以上，更优选为6at％以上，特别优选为7at％以上。如果绝对值小于下限，则得到的气体阻隔性层叠膜的使膜弯曲时的气体阻隔性存在降低的趋势。即，如果绝对值为下限值以上，则能够抑制得到的气体阻隔性层叠膜的使膜弯曲时的气体阻隔性的降低。

在本实施方式中，优选薄膜层4的硅分布曲线中的硅的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值小于5at％，更优选小于4at％，特别优选小于3at％。如果绝对值超过上限，则得到的气体阻隔性层叠膜的气体阻隔性存在降低的趋势。即，如果绝对值为上限值以下，则能够抑制得到的气体阻隔性层叠膜的气体阻隔性的降低。

另外，在本实施方式中，对于薄膜层4，在表示薄膜层4的膜厚方向的距上述层的表面的距离与相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的氧原子和碳原子的总量的比率(氧和碳的原子数比)的关系的氧碳分布曲线中，氧碳分布曲线中的氧和碳的原子数比的合计的最大值和最小值之差的绝对值优选小于5at％，更优选小于4at％，特别优选小于3at％。如果绝对值超过上限，则得到的气体阻隔性层叠膜的气体阻隔性存在降低的趋势。即，如果绝对值为上限值以下，则能够抑制得到的气体阻隔性层叠膜的气体阻隔性的降低。

在此，硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线和氧碳分布曲线可以通过并用X射线光电子能谱法(XPS：Xray Photoelectron Spectroscopy)的测定和氩等稀气体离子溅射，利用使试料内部露出的同时依次进行表面组成分析的所谓XPS深度剖析测定来制作。通过这样的XPS深度剖析测定而得到的分布曲线例如可以将纵轴设为各元素的原子数比(单位：at％)、将横轴设为蚀刻时间(溅射时间)来制作。应予说明，在如此将横轴设为蚀刻时间的元素的分布曲线中，蚀刻时间与膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离大致相关，因此，作为“薄膜层4的膜厚方向的距薄膜层4的表面的距离”，可以采用由在XPS深度剖析测定时采用的蚀刻速率与蚀刻时间的关系算出的距薄膜层4的表面的距离。另外，作为这样的XPS深度剖析测定时采用的溅射法，优选采用使用氩(Ar+)作为蚀刻离子种的稀有气体离子溅射法，优选使其蚀刻速率(蚀刻速率)为0.05nm/sec(SiO₂热氧化膜换算值)。

另外，在本实施方式中，从在膜面整体形成均匀且具有优异的气体阻隔性的薄膜层4的观点考虑，优选薄膜层4在膜面方向(即，与薄膜层4的表面平行的方向)实质上相同。在本说明书中，“薄膜层4在膜面方向实质上相同”是指在通过XPS深度剖析测定对薄膜层4的膜面的任意的2个部位的测定部位制作氧分布曲线、碳分布曲线和氧碳分布曲线时，在该任意的2个部位的测定部位得到的碳分布曲线所具有的极值数相同，各自的碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值可以互相相同或具有5at％以内的差。

进而，在本实施方式中，优选碳分布曲线实质上连续。

在本说明书，“碳分布曲线实质上连续”是指碳分布曲线中的碳的原子数比不含不连续变化的部分，具体而言，是指在由蚀刻速率和蚀刻时间算出的薄膜层4的膜厚方向的距上述层的表面的距离(x、单位：nm)与碳的原子数比(C、单位：at％)的关系中，满足下述数学式(F1)所示的条件。

|dC/dx|≤0.01…(F1)

应予说明，“dC”表示由蚀刻速率和蚀刻时间算出的薄膜层4的膜厚方向的距上述层的表面的碳的原子数比，“dx”表示由蚀刻速率和蚀刻时间算出的薄膜层4的膜厚方向的距上述层的表面的距离。

通过本实施方式的方法而制造的气体阻隔性层叠膜具备至少1层满足全部上述条件(i)～(iii)的薄膜层4，但也可以具备2层以上满足这样的条件的层。进而，具备2层以上这样的薄膜层4时，多个薄膜层4的材质可以相同，也可以不同。另外，具备2层以上这样的薄膜层4时，这样的薄膜层4可以在基材的一侧的表面上形成，也可以在基材的两侧的表面上形成。另外，作为这样的多个薄膜层4，也可以包含未必具有气体阻隔性的薄膜层4。

另外，在硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中，硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在上述层的膜厚的90％以上区域满足式(1)所示的条件时，薄膜层4中的硅原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的原子数比率优选为25at％～45at％，更优选为30at％～40at％。另外，薄膜层4中的氧原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的原子数比率优选为33at％～67at％，更优选为45at％～67at％。进而，薄膜层4中的碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的原子数比率优选为3at％～33at％，更优选为3at％～25at％。

进而，在硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中，硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在上述层的膜厚的90％以上区域满足式(2)所示的条件时，薄膜层4中的硅原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的原子数比率优选为25at％～45at％，更优选为30at％～40at％。另外，薄膜层4中的氧原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的原子数比率优选为1at％～33at％，更优选为10at％～27at％。进而，薄膜层4中的碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的总量的原子数比率优选为33at％～66at％，更优选为40at％～57at％。

另外，薄膜层4的厚度(也称为膜厚)优选为5nm～3000nm的范围，更优选为10nm～2000nm的范围，特别优选为100nm～1000nm的范围。如果薄膜层4的厚度小于下限，则存在氧气体阻隔性、水蒸气阻隔性等气体阻隔性劣化的趋势，另一方面，如果超过上限，则存在因弯曲而导致气体阻隔性容易降低的趋势。即，如果薄膜层4的厚度为下限值以上，则氧气体阻隔性、水蒸气阻隔性等气体阻隔性良好，如果为上限值以下，则不易因弯曲而导致气体阻隔性降低。

另外，本实施方式的气体阻隔性层叠膜具备多个薄膜层4时，这些薄膜层4的厚度(膜厚)的合计值通常为10nm～10000nm的范围，优选为10nm～5000nm的范围，更优选为100nm～3000nm的范围，特别优选为200nm～2000nm的范围。如果薄膜层4的厚度的合计值小于下限值，则存在氧气体阻隔性、水蒸气阻隔性等气体阻隔性劣化的趋势，另一方面，如果超过上限，则存在因弯曲而导致气体阻隔性容易降低的趋势。即，如果薄膜层4的厚度的合计值为下限值以上，则氧气体阻隔性、水蒸气阻隔性等气体阻隔性良好，如果为上限值以下，则不易因弯曲而导致气体阻隔性降低。

为了形成这样的薄膜层4，作为成膜气体中所含的原料气体与反应气体的比率，与为了使原料气体与反应气体完全反应而理论上需要的反应气体的量的比率相比，不过度使反应气体的比率过量。如果使反应气体的比率过度过量，则得不到满足全部上述条件(i)～(iii)的薄膜层4。

以下，例举使用含有作为原料气体的六甲基二硅氧烷(HMDSO：(CH₃)₆Si₂O：)和作为反应气体的氧(O₂)的成膜气体制造硅－氧系的薄膜层的情况，对成膜气体中的原料气体与反应气体的适合比率等进行更详细的说明。

使含有作为原料气体的HMDSO与作为反应气体的氧的成膜气体通过等离子体CVD进行反应来制作硅－氧系的薄膜层时，通过该成膜气体引起如下述反应式(1)中记载的反应，制造二氧化硅。

(CH₃)₆Si₂O+12O₂→6CO₂+9H₂O+2SiO₂…(1)

在这样的反应中，将1摩尔的HMDSO完全氧化所需的氧量为12摩尔。因此，在成膜气体中，相对于1摩尔的HMDSO，含有12摩尔以上的氧并使其完全反应时，形成均匀的二氧化硅膜，因此无法形成满足全部上述条件(i)～(iii)的薄膜层4。因此，在形成本实施方式的薄膜层4时，为了使上述(1)式的反应无法完全进行，需要使相对于1摩尔的HMDSO的氧量比化学计量比的12摩尔少。

应予说明，在成膜装置10的真空腔室内的反应中，原料的HMDSO与反应气体的氧由于从气体供给部向成膜区域供给而进行成膜，因此，反应气体的氧的摩尔量(流量)即使为原料的HMDSO的摩尔量(流量)的12倍摩尔量(流量)，实际上也无法完全地进行反应，认为与化学量计量比相比使氧的含量非常过量地供给才能完成反应(例如为了通过CVD使其完全氧化而得到氧化硅，也有时使氧的摩尔量(流量)为原料的HMDSO的摩尔量(流量)的20倍以上左右)。因此，相对于原料的HMDSO的摩尔量(流量)的氧的摩尔量(流量)优选为化学计量比即12倍量以下(更优选为10倍以下)的量。

通过以这样的比含有HMDSO和氧，将未完全氧化的HMDSO中的碳原子、氢原子纳入薄膜层4中，能够形成满足全部上述条件(i)～(iii)的薄膜层4，能够使得到的气体阻隔性层叠膜发挥优异的阻隔性和耐弯曲性。

应予说明，如果相对于成膜气体中的HMDSO的摩尔量(流量)的氧的摩尔量(流量)过少，则由于未氧化的碳原子、氢原子被过量地纳入薄膜层4中，因此此时阻隔膜的透明性降低。这样的气体阻隔性膜无法利用于有机EL装置、有机薄膜太阳能电池等需要透明性的装置用的挠性基板。从这样的观点考虑，相对于成膜气体中的HMDSO的摩尔量(流量)的氧的摩尔量(流量)的下限优选为多于HMDSO的摩尔量(流量)的0.1倍的量，更优选为多于0.5倍的量。

即，相对于成膜气体中的HMDSO的摩尔量(流量)的氧的摩尔量(流量)优选为HMDSO的摩尔量(流量)的0.1倍量～12倍量，更优选为0.5倍量～10倍量。

如此，有机硅化合物是否完全氧化除成膜气体中的原料气体与反应气体的混合比以外，也可以通过施加于成膜辊17、成膜辊18的施加电压来控制。

通过使用这样的放电等离子体的等离子体CVD法，能够对卷挂于成膜辊17、成膜辊18的基材卷料3A的表面连续地进行薄膜层4的形成。

形成卷曲抑制层5时，在形成薄膜层4后，对基材卷料3A的与形成有薄膜层4的面相反侧的面进行成膜。卷曲抑制层5通过在与形成薄膜层4的条件相同条件下进行成膜，能够制成与薄膜层4相同的组成、相同的层结构和相同的层厚(厚度)。当然通过使卷曲抑制层5的形成条件与薄膜层4的形成条件不同，也可以使卷曲抑制层5的组成、层结构、层厚与薄膜层4不同。

即，本发明的层叠体的制造方法的1个方面包括：形成粘接层的工序、形成薄膜层的工序以及进一步根据期望形成卷曲抑制层的工序；上述形成卷曲抑制层的工序可以与形成上述薄膜层的工序以同样的条件进行，也可以以不同的条件进行。

由此，能够制造层叠膜带状地连续的层叠膜卷料2A。层叠膜卷料2A通过在与长度方向交叉的方向每隔规定长度进行切断而成为层叠膜2。

(形成粘接层的工序)

图4是表示形成粘接层的工序的说明图，是实施形成粘接层的工序的制造装置100的示意图。

图中所示的制造装置100具备第1退绕辊110、卷绕辊120、第2退绕辊130、贴合辊140和表面处理装置150。

在第1退绕辊110中，将薄膜层以朝向外侧的状态并以卷绕有层叠膜卷料2A的状态设置，一边将层叠膜卷料2A在长度方向退绕一边进行供给。

卷绕辊120设置于层叠膜卷料2A的端部侧，一边牵引形成粘接层后的层叠膜卷料2A(后述的层叠体卷料1A)一边卷绕，收容成卷状。

在第2退绕辊130中，以卷绕有带状的粘接膜8A的状态设置，一边将粘接膜8A在长度方向退绕一边进行供给。粘接膜8A在带状的分隔膜7A的一面带状地设置粘接层6A，将粘接层6A以朝向外侧的状态卷绕于第2退绕辊130。

粘接层6A相当于本发明的“粘接层卷料”。作为粘接层6A的形成材料，可以采用与上述粘接层6的形成材料同样的材料。

分隔膜7A可剥离地贴合于粘接层6A的一面。通过从粘接膜8A剥离分隔膜7A，露出粘接层6A，能够粘接。

贴合辊140具有一对辊141和辊142。对于贴合辊140，相对于一对辊的间隙，从同方向侵入层叠膜卷料2A和粘接膜8A，在一对辊间夹持层叠膜卷料2A和粘接膜8A而进行加压，由此贴合两者而形成层叠体卷料1A。详细而言，对于贴合辊140，以使层叠膜卷料2A的薄膜层与粘接膜8A的粘接层6A对置的状态贴合两者，形成层叠体卷料1A。层叠体卷料1A通过在与长度方向交叉的方向每隔规定长度进行切断而成为本实施方式的层叠体的制造方法的目标物即层叠体1。

在本实施方式的层叠体的制造方法中，以对层叠膜卷料2A在长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态贴合层叠膜卷料2A和粘接膜8A，在层叠膜卷料2A的一面形成粘接层。在制造装置100中，第1退绕辊110与贴合辊140之间的层叠膜卷料2A的张力成为上述范围。

应予说明，在本说明书中，“单位截面积”中的截面积是指在与长度方向垂直的面切断时的切断面。

即，本实施方式的层叠体的制造方法的1个方面包括：以对层叠膜卷料2A在长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态贴合层叠膜卷料2A和粘接膜8A，由此在层叠膜卷料2A的一面形成粘接层。

通过对层叠膜卷料2A施加上述张力，即使在第1退绕辊110卷绕成卷状的层叠膜卷料2A弯曲，也能够与粘接膜8A良好地贴合，不易产生外观不良。

另外，如果对层叠膜卷料2A施加的张力为0.5N/mm²以上，则不易在层叠体卷料1A形成皱褶，不易产生外观不良。另外，如果对层叠膜卷料2A施加的张力小于50N/mm²，则即使在对所制造的层叠体1施加冲击时薄膜层也不易破损，容易维持气体阻隔性。

另外，在本实施方式的层叠体的制造方法中，优选以对粘接膜8A在长度方向施加每单位截面积为大于等于0.01N/mm²且小于5N/mm²的张力的状态贴合层叠膜卷料2A和粘接膜8A，在层叠膜卷料2A的一面形成粘接层。施加的张力如果每单位截面积为大于等于0.1N/mm²且小于0.5N/mm²，则更优选。在制造装置100中，第2退绕辊130与贴合辊140之间的粘接膜8A的张力成为上述范围。

即，本实施方式的层叠体的制造方法的1个方面包括：以对粘接膜8A在长度方向施加每单位截面积为大于等于0.01N/mm²且小于5N/mm²的张力的状态贴合层叠膜卷料2A和粘接膜8A，由此在层叠膜卷料2A的一面形成粘接层。

如果对粘接膜8A施加的张力为0.01N/mm²以上，则不易在层叠体卷料1A形成皱褶，不易产生外观不良。另外，如果对层叠膜卷料8A施加的张力小于5N/mm²，则粘接膜8A被拉伸而变形的顾虑低，容易制造如设计那样的层叠体1。

对层叠膜卷料2A施加的张力可以通过调整第1退绕辊110的退绕速度(旋转速度)和贴合辊140的旋转速度来控制。另外，对粘接膜8A施加的张力可以通过调整第2退绕辊130的退绕速度(旋转速度)和贴合辊140的旋转速度来控制。如果调整贴合辊140的旋转速度，则会影响对层叠膜卷料2A施加的张力和对粘接膜8A施加的张力这两者，因此，在分开控制张力时，可以调整第1退绕辊110、第2退绕辊130的旋转速度。

贴合辊140可以具有对一对辊141、142进行加热的构成。在这样的构成的贴合辊140中，通过对层叠膜卷料2A和粘接膜8A进行加热，能够一边使层叠膜卷料2A和粘接膜8A柔软一边进行贴合，因此，能够使两者的对置面(贴合面)的接触面积增加，可期待提高密合性的效果。另外，粘接层6A的形成材料为热固性树脂时，促进固化。

加热温度可以为超过构成层叠膜卷料2A的树脂和构成粘接膜8A的树脂的至少一者的玻璃化转变温度(Tg)的温度。如果为这样的温度，则层叠膜卷料2A或粘接膜8A可热变形，可期待提高上述密合性的效果。

贴合时的压力优选例如以0.1MPa～0.5MPa进行控制。

表面处理装置150配置在第1退绕辊110与贴合辊140之间的层叠膜卷料2A的输送路线上。表面处理装置150配置在能够对层叠膜卷料2A的与粘接膜8A的对置面即薄膜层的表面进行处理的位置。表面处理装置150对薄膜层的表面实施等离子体处理、UV臭氧处理、电晕处理等。由此，在薄膜层的表面，由于杂质被除去、羟基等极性基团量增加，因此，能够实现层叠膜卷料2A与粘接膜8A的密合性的提高(剥离强度的提高)。

此外，制造装置100可以具有卷绕粘接膜8A的保护膜的卷绕辊、输送各膜时使用的输送辊等公知的构成。

从如上制造的层叠体卷料1A，例如一边从卷绕辊120进行退绕一边在与长度方向交叉的方向每隔规定长度进行切断，可得到在粘接层6贴合有分隔膜的层叠体1。

即，本发明的层叠体的制造方法作为1个方面，可以包括将通过上述制造工序而形成的上述层叠体卷料1A进一步在与长度方向交叉的方向进行切断。

进而，上述方法可以包含将分隔膜剥离。

本实施方式的层叠体的制造方法成为如上所述的构成。

根据如上所述的构成的层叠体的制造方法，可以提供一种能够抑制具有气体阻隔性的薄膜层的破损、外观不良的产生的层叠体的制造方法。

[第2实施方式]

图5是本发明的第2实施方式的层叠体的制造方法的说明图。本实施方式的层叠体的制造方法与第1实施方式的层叠体的制造方法一部分共通，形成粘接层的工序不同。因此，在本实施方式中，对与第1实施方式共通的构成要素标注相同的符号，省略详细的说明。

(形成粘接层的工序)

图5是表示本实施方式的形成粘接层的工序的说明图，是实施形成粘接层的工序的制造装置200的示意图。

图中所示的制造装置200具备第1退绕辊110、卷绕辊120、表面处理装置150、涂布装置160和固化装置170。

涂布装置160配置在表面处理装置150与卷绕辊120之间的层叠膜卷料2A的输送路线上。涂布装置160在层叠膜卷料2A的与粘接膜8A的对置面即薄膜层的表面涂布呈液状的粘接层的前体的组合物。

涂布装置具有贮存上述前体的组合物的未图示的罐、与层叠膜卷料2A对置且喷出上述前体的组合物的涂布部和设置在将罐和涂布部连接的配管的未图示的送液泵。在图5中，标注符号160仅表示涂布部。

作为涂布部，可以使用能够涂布液状的前体的组合物的通常已知的构成，例如可以采用分配器、模涂机、棒涂机、狭缝涂布机、喷雾涂布装置或印刷机。

作为上述前体的组合物，可以为含有固化性树脂、光聚合引发剂、根据需要的溶剂、粘度调节剂等的组合物(光固化性组合物)，也可以为含有热分解型聚合引发剂代替光聚合引发剂的组合物(热固化性组合物)。在本实施方式中，使用光固化性组合物。

通过调整利用涂布装置160的上述前体的组合物的涂布量和利用第1退绕辊110和卷绕辊120的层叠膜卷料2A的输送速度，能够控制层叠膜卷料2A的表面所形成的前体的组合物的涂膜60的厚度(膜厚)。

固化装置170具有促进涂膜60的固化的功能。在本实施方式中，由于使用光固化性组合物作为前体的组合物，因此，例如使用可照射紫外线等光的光源作为固化装置170。对于固化装置170，对涂膜60照射紫外线，照射了紫外线的涂膜60通过光聚合反应促进聚合反应而固化，形成粘接层6A。应予说明，涂布装置160涂布的上述前体的组合物为热固化性组合物时，使用红外线照射装置、加热器等热源作为固化装置170。

在本实施方式的层叠体的制造方法中，以对层叠膜卷料2A在长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态在层叠膜卷料2A的表面形成涂膜60，在层叠膜卷料2A的一面形成粘接层。在制造装置100中，第1退绕辊110与卷绕辊120之间的层叠膜卷料2A的张力成为上述范围。

即，本发明的层叠体的制造方法的1个方面包括：以对层叠膜卷料2A在长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态在层叠膜卷料2A的表面形成涂膜60并使上述涂膜固化，由此在层叠膜卷料2A的一面形成粘接层。

如果对层叠膜卷料2A施加的张力为0.5N/mm²以上，则所形成的涂膜60的膜厚不易产生不均，因此，不易在层叠体卷料1A形成皱褶，不易产生外观不良。另外，如果对层叠膜卷料2A施加的张力小于50N/mm²，则即使对所制造的层叠体1施加冲击时薄膜层也不易破损，容易维持气体阻隔性。

从如上制造的层叠体卷料1A，例如一边从卷绕辊120进行退绕一边在与长度方向交叉的方向每隔规定长度进行切断，由此能得到层叠体1。

即，本发明的层叠体的制造方法作为1个方面，可以包括将通过上述制造工序而形成的上述层叠体卷料1A进一步在与长度方向交叉的方向进行切断。

本实施方式的层叠体的制造方法成为如上所述的构成。

根据如上所述的构成的层叠体的制造方法，可以提供一种能够抑制具有气体阻隔性的薄膜层的破损、外观不良的产生的层叠体的制造方法。

(变形例)

图6是表示上述实施方式的变形例的说明图，是对应于第1实施方式的图4的图。图6所示的制造装置300具备第1退绕辊110、第2退绕辊130、贴合辊140、表面处理装置150、输送辊180和切断装置190。

输送辊180配合在层叠膜卷料2A(层叠体卷料1A)的输送路线上、且贴合辊140的下游侧。输送辊180具有一对辊181和辊182，在一对辊181、182之间夹持层叠体卷料1A并输送至下游侧。

切断装置190配置在层叠膜卷料2A(层叠体卷料1A)的输送路线上，且输送辊180的下游侧。切断装置190将输送来的层叠体卷料1A在与层叠体卷料1A的长度方向交叉的方向每隔规定长度进行切断，连续地制造层叠体1。

在使用如上所述的制造装置300的层叠体的制造方法中，通过实施使用切断装置190切断层叠体卷料1A而制造层叠体1的工序，可以在图4所示的卷绕辊120不卷绕层叠体卷料1A而连续地制造层叠体1。

即，本发明的层叠体的制造方法的1个方面包括：在卷绕辊120不卷绕层叠体卷料1A而使用切断装置190切断层叠体卷料1A而制造层叠体1的工序。

应予说明，在第2实施方式的图5所示的制造装置200，可以为在固化装置170的下游侧配置有上述输送辊180和切断装置190代替卷绕辊120的制造装置。即使为使用这样的制造装置的层叠体的制造方法，也能够连续地制造层叠体1。

[有机EL装置]

图7是使用通过本实施方式的层叠体的制造方法而制造的层叠体的有机EL装置的示意图。

图中所示的有机EL装置1000具有基板1100、设置在基板1100上的有机EL元件1200和设置在基板1100和有机EL元件1200上的层叠体1。层叠体1使用通过上述层叠体的制造方法而制造的层叠体。

基板1100在有机EL元件1200为从基板1100侧取出光的底部发射型的构成时，使用具有透光性的基板。另外，有机EL元件1200为从与基板1100侧相反侧取出光的顶部发射型的构成时，基板1100可以为具有透光性的基板，也可以为不透明的基板。

作为不透明的基板的形成材料，例如可以举出氧化铝等陶瓷、树脂材料等。另外，也可以使用对于金属板的表面进行了绝缘处理这样的基板。作为具有透光性的基板的形成材料，可以举出玻璃、石英等无机物；丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等树脂材料。这些材料中，基板的形成材料为树脂材料时，优选适当实施气体阻隔处理。

基板1100可以为具有挠性的基板，也可以为不具有挠性的基板。

有机EL元件1200具有阳极1210、阴极1220和夹持于阳极1210和阴极1220的有机发光层1230。

阳极1210由铟锡氧化物、铟锌氧化物、锡氧化物等通常已知的形成材料形成。

阴极1220由与阳极1210相比功函数小(例如小于5eV)的材质形成。作为阴极1220的形成材料，例如可以举出钙、镁、钠、锂金属、氟化钙等金属氟化物、氧化锂等金属氧化物、乙酰丙酮钙等的有机金属络合物等。有机EL元件1200为顶部发射型的构成时，通过选择阴极1220的厚度、材料，使阴极1220具有透光性。

有机发光层1230可以使用通常已知的发光材料作为有机EL元件的形成材料。有机发光层1230的形成材料可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。

层叠体1将粘接层6朝向有机EL元件1200而粘接于基板1100和有机EL元件1200，在由层叠体1和基板1100所包围的空间内密封有机EL元件1200。应予说明，在图中，仅示出一个方向的截面视野，有机EL元件1200在全方位被层叠体1和基板1100包围。

在这样的构成的有机EL装置1000中，由于使用上述层叠体1密封有机EL元件1200，因此，具有气体阻隔性的薄膜层不易破损，可靠性高。另外，在使用的层叠体1中外观不良的产生得到抑制，因此，外观良好。进而，有机EL装置1000具备顶部发射型的有机EL元件1200时，虽然发出的光介由层叠体1射出至外部，但由于在层叠体1粘接层6皱褶的形成得到抑制，因此，发出的光不会折射·散射，有效地射出至外部而优选。

以上，一边参照附图一边对本发明的适合的实施方式例进行了说明，但本发明当然并不限定于该例子。在上述例子中示出的各构成部件的各种形状、组合等为一个例子，可以在不脱离本发明的主旨的范围基于设计要求等进行各种变更。

例如，在上述实施方式中，以对层叠膜卷料2A、粘接膜8A在长度方向施加张力的状态实施形成粘接层的工序，但施加量力的方向并不限于此。也可以实施除长度方向以外还以将层叠膜卷料2A、粘接膜8A在短边方向扩展的方式施加张力，即对各膜在双轴方向施加张力，同时形成粘接层的工序。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。

[层叠膜]

在以下的实施例和比较例中，使用通过下述方法制造的层叠膜。

使用上述图3所示的制造装置制造层叠膜。

使用双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯膜(帝人杜邦膜公司制，PQDA5，厚度100μm、宽度700mm)作为基材，将其安装于真空腔室内的送出辊。使真空腔室内为1×10^－3Pa以下后，一边将基材以0.5m/分钟的恒定速度输送一边在基材上进行薄膜层的成膜。基材中使用的双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯膜形成有对单面实施了易粘接处理(底漆处理)的非对称结构，对未实施易粘接处理的面进行薄膜层的成膜。在为了形成薄膜层而使用的等离子体CVD装置中，在一对电极间产生等离子体，一边密合于上述电极表面一边输送基材，在基材上形成薄膜层。另外，上述一对电极以磁通密度在电极和基材表面变高的方式在电极内部配置磁石，在等离子体产生时在电极和基材上高密度地拘束等离子体。

在薄膜层的成膜时，朝向成为成膜区域的电极间的空间导入100sccm(StandardCubic Centimeter per Minute，0℃、1气压基准)的六甲基二硅氧烷气体、900sccm的氧气，在电极辊间供给1.6kW、频率70kHz的交流电力，进行放电而产生等离子体。接着，以真空腔室内的排气口周边的压力为1Pa的方式调节排气量后，通过等离子体CVD法在输送基材上形成薄膜层。将该工序重复4次。

层叠膜的薄膜层的膜厚使用小坂研究所制的Surfcorder ET200对层叠膜进行无成膜部与成膜部的阶差测定而求出。得到的层叠膜的薄膜层的膜厚为700nm。

层叠膜的总光线透射率通过Suga试验机公司制的直读浊度计算机(型号HGM－2DP)测定。以没有样品的状态进行背景测定后，将层叠膜设定在样品支架进行测定而求出。得到的层叠膜的总光线透射率为87％。

层叠膜的水蒸气透过度在温度40℃、湿度90％RH的条件下通过钙腐蚀法(日本特开2005－283561号公报中记载的方法)进行测定而求出。得到的层叠膜的水蒸气透过度为2×10^－5g/m²/day。

得到的层叠膜在薄膜层的膜厚方向的90％以上的区域中从原子数比大的一方依次为氧、硅、碳，另外，具有10个以上的膜厚方向的碳分布曲线的极值，进而，碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为15at％以上。

另外，在得到的层叠膜中，在下述条件下进行XPS深度剖析测定，求出得到的硅原子、氮原子、氧原子和碳原子的分布曲线。图8是表示制造例1中得到的层叠膜1的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、氮分布曲线和碳分布曲线的图表。

＜XPS深度剖析测定＞

蚀刻离子种：氩(Ar⁺)

蚀刻速率(SiO₂热氧化膜换算值)：0.05nm/秒

蚀刻间隔(SiO₂换算值)：10nm

X射线光电子能谱装置：Thermo Fisher Scientific公司制，机型名“VG ThetaProbe”

照射X射线：单晶光谱AlKα

X射线的光点和其尺寸：800×400μm的椭圆形。

[实施例1]

以对上述层叠膜和透明双面粘合胶带(Lintec公司制，TL－430S－06，30μm厚)分别施加下述张力的状态使用辊进行贴合，制造实施例1的层叠体。此时，在层叠膜的薄膜层侧贴合透明双面粘合胶带。

应予说明，透明双面粘合胶带相当于上述实施方式中的“粘接膜8A”，透明双面粘合胶带的粘接层相当于上述实施方式中的“粘接层6A”、“粘接层6”。

(贴合条件)

层叠膜的每单位截面积的张力：39N/mm²

透明粘合双面胶带的每单位截面积的张力：0.1N/mm²

[实施例2]

除将贴合条件变更为下述条件以外，与实施例1同样地制造实施例2的层叠体。

(贴合条件)

层叠膜的每单位截面积的张力：0.5N/mm²

透明粘合双面胶带的每单位截面积的张力：0.1N/mm²

[比较例1]

除将贴合条件变更为下述条件以外，与实施例1同样地制造比较例1的层叠体。

(贴合条件)

层叠膜的每单位截面积的张力：62.5N/mm²

透明粘合双面胶带的每单位截面积的张力：0.1N/mm²

[比较例2]

除将贴合条件变更为下述条件以外，与实施例1同样地制造比较例2的层叠体。

(贴合条件)

层叠膜的每单位截面积的张力：无

[透明粘合双面胶带的每单位截面积的张力：0.1N/mm²

对得到的层叠体以下述的方法进行评价。

(评价1：外观观察)

对得到的层叠体的外观进行目视评价。

(评价2：耐冲击性试验)

从得到的层叠体切出2cm见方而制作试验片。对于试验片，以层叠膜侧为下、透明双面粘合胶带侧为上的方式载置在试验台，从层叠体的上方10nm的位置使铁球(直径：1英寸(2.54cm)、重量：68g)落下而施加冲击。

对于落球后的层叠体，使用显微镜(High Rocks株式会社公司制，DIGITALMICROSCOPE KH7700)以210倍的倍率进行观察，测量存在于1.8mm×1.4mm的视野范围的薄膜层的裂纹数。

将评价结果示于下述表1。在表1中，将没有皱褶和裂纹两者的情况设为良品，以“A”表示，将具有皱褶和裂纹中的任一方的情况设为不良品，以“B”表示。另外，在表1中，将使用的透明双面粘合胶带仅表示为“粘合胶带”。

[表1]

评价的结果，实施例1、2的层叠体在贴合后没有皱褶，耐冲击试验后的薄膜层在观察视野中不存在裂纹。

另一方面，比较例1的层叠体虽然在贴合后没有皱褶，但耐冲击试验后的薄膜层在观察视野中存在14条裂纹。

另外，比较例2的层叠体虽然耐冲击试验后的薄膜层在观察视野中不存在裂纹，但在透明双面粘合胶带形成有皱褶。

根据以上的结果，可知本发明有用。

符号说明

1…层叠体，1A…层叠体卷料，2…层叠膜，2A…层叠膜卷料，3…基材，3A…基材卷料，4…薄膜层，4a…第1层，4b…第2层，5…卷曲抑制层，6、6A…粘接层，7A…分隔膜，8A…粘接膜，10…成膜装置，11…退绕辊，12…卷绕辊，13…输送辊，17、18…成膜辊，19…气体供给管，20…等离子体产生用电源，21…电极，23…磁场形成装置，23a、24a…中心磁石，23b、24b…外部磁石，24…磁场形成装置，60…涂膜，100、200、300…制造装置，110…第1退绕辊，120…卷绕辊，130…第2退绕辊，140…贴合辊，141、142…辊，150…表面处理装置，160…涂布装置，170…固化装置，180…输送辊，181、182…辊，190…切断装置，1000…有机EL装置，1100…基板，1200…有机EL元件，1210…阳极，1220…阴极，1230…有机发光层，SP…空间。

Claims (12)

1.一种层叠体的制造方法，是由层叠膜和粘接层构成的层叠体的制造方法，

所述层叠膜是依次层叠卷曲抑制层、基材和薄膜层而成的结构，

所述薄膜层包含通过有机硅化合物与氧的完全氧化反应而形成的第1层和含有通过有机硅化合物与氧的不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y的第2层，其中，0＜x＜2，0＜y＜2，

所述制造方法包括在所述层叠膜的一面形成所述粘接层的工序，

形成所述粘接层的工序包括：一边将所述层叠膜带状地连续的层叠膜卷料在长度方向输送，一边以对所述层叠膜卷料在所述长度方向施加每单位截面积为大于等于0.5N/mm²且小于50N/mm²的张力的状态，在所述层叠膜卷料的层叠有所述薄膜层的面形成所述粘接层，

所述制造方法还包括对所述基材带状地连续的基材卷料的与形成有所述薄膜层的面相反侧的面形成所述卷曲抑制层的工序。

2.如权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中，形成所述粘接层的工序进一步包括：一边将所述粘接层带状地连续的粘接层卷料在长度方向输送，一边以对所述粘接层卷料在所述长度方向施加每单位截面积为大于等于0.01N/mm²且小于5N/mm²的张力的状态，在所述层叠膜卷料贴合所述粘接层卷料。

3.如权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，进一步包括在所述基材的至少一侧的表面上形成所述薄膜层的工序，

形成所述薄膜层的工序包括：一边将所述基材带状地连续的基材卷料连续地输送，一边在所述基材卷料的至少单侧的表面上连续地形成所述薄膜层。

4.如权利要求3所述的层叠体的制造方法，其中，形成所述薄膜层的工序包括：

通过在卷挂所述基材卷料的第1成膜辊与卷挂所述基材卷料的第2成膜辊之间施加交流电压，从而在所述第1成膜辊与所述第2成膜辊之间的空间产生所述薄膜层的形成材料即成膜气体的放电等离子体，所述第2成膜辊以与所述第1成膜辊对置的方式设置；以及

通过使用所述产生的放电等离子体的等离子体CVD，在所述基材卷料的表面形成所述薄膜层。

5.如权利要求4所述的层叠体的制造方法，其中，包括：

以通过在所述第1成膜辊与所述第2成膜辊之间形成交流电场，并且在所述第1成膜辊与所述第2成膜辊对置的空间形成膨胀的无终端的通道状的磁场，从而所述放电等离子体具有沿着所述通道状的磁场而形成的第1放电等离子体和形成于所述通道状的磁场的周围的第2放电等离子体的方式施加交流电压，形成磁场；以及

形成所述薄膜层的工序以与所述第1放电等离子体和所述第2放电等离子体重叠的方式输送所述基材卷料。

6.如权利要求4或5所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层还含有碳，

形成所述薄膜层的工序包括：对于所形成的所述薄膜层，以硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线满足下述的条件(i)～(iii)的方式，控制所述成膜气体中所含的有机硅化合物与氧的混合比，所述硅分布曲线、所述氧分布曲线和所述碳分布曲线分别表示所述薄膜层的膜厚方向的距所述薄膜层的表面的距离与相对于位于所述距离的点的所述薄膜层中所含的硅原子、氧原子和碳原子的总数的作为硅原子数的比率的硅的原子数比、作为氧原子数的比率的氧的原子数比、作为碳原子数的比率的碳的原子数比的关系，

(i)所述硅的原子数比、所述氧的原子数比和所述碳的原子数比在所述薄膜层的膜厚整体中的90％以上的区域满足下述式(1)所示的条件，

(氧的原子数比)＞(硅的原子数比)＞(碳的原子数比)…(1)；

(ii)所述碳分布曲线至少具有1个极值；

(iii)所述碳分布曲线中的所述碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为0.05at.％以上。

7.如权利要求6所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层的硅分布曲线中的所述硅的原子比的最大值和最小值之差的绝对值小于5at％。

8.如权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层的组成为SiO_xC_y，0＜x＜2，0＜y＜2。

9.如权利要求3所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层的组成为SiO_xC_y，0＜x＜2，0＜y＜2。

10.如权利要求4或5所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层的组成为SiO_xC_y，0＜x＜2，0＜y＜2。

11.如权利要求6所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层的组成为SiO_xC_y，0＜x＜2，0＜y＜2。

12.如权利要求7所述的层叠体的制造方法，其中，所述薄膜层的组成为SiO_xC_y，0＜x＜2，0＜y＜2。

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