CN106716532A - 磁盘用基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

提高磁盘用基板的研磨处理后的成品率。使作为对基板的主表面进行研磨的研磨处理中所用的研磨液的原料的浆料通过过滤器，该过滤器由疏水性高分子材料构成，开口直径为100nm以下。使用通过过滤器将浆料中包含的粒径大于磨粒的平均粒径的颗粒除去后的研磨液来进行研磨处理。

Description

磁盘用基板的制造方法

技术领域

本发明涉及具有研磨处理的磁盘用基板的制造方法。

背景技术

目前，在个人计算机、笔记本型个人计算机、DVD(Digital Versatile Disc，数字多功能光盘)记录装置等中内置有用于数据记录的硬盘装置。特别是，在笔记本型个人计算机等以移动性为前提的设备中所用的硬盘装置中，使用在玻璃基板设有磁性层的磁盘，利用在磁盘的面上略微悬浮的磁头(DFH(Dynamic Flying Height，动态飞行高度)磁头)在磁性层记录或读取磁记录信息。该磁盘的基板具有与金属基板等相比难以发生塑性变形的性质，因而适合使用玻璃基板。为了利用磁头稳定地进行磁记录信息的读写，要求尽可能减小磁盘用玻璃基板的表面凹凸。

为了减小磁盘用玻璃基板的表面凹凸，进行玻璃基板的研磨处理。在用于将玻璃基板制成最终制品的精密的研磨中，使用包含二氧化硅(SiO₂)等微细的研磨磨粒的研磨剂。对于这样的研磨剂来说，为了提高研磨处理后的玻璃基板的表面品质，通过进行过滤或离心分离统一为规定的尺寸而作为研磨剂进行使用。另外，在研磨处理时，一边循环包含二氧化硅磨粒的浆料一边用于研磨的情况下，对研磨中所用的浆料进行过滤后，在研磨中进行再使用。

例如，已知一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其在研磨工序的最终工序中，进行玻璃基板的主表面的使用二氧化硅磨粒的镜面研磨处理。在该镜面研磨处理中，利用使用最小捕捉粒径为1μm以下的过滤器过滤后的研磨液(包含二氧化硅磨粒)(专利文献1)。对于镜面研磨处理后的玻璃基板来说，为了除去附着于表面的磨粒等异物，用清洗液进行清洗(最终清洗处理)。

另外，还尝试了在研磨处理前对包含二氧化硅磨粒的浆料进行过滤，从而由浆料中除去异物。例如，在专利文献2中，尝试了通过使用聚醚砜(PES)的过滤器对浆料进行过滤。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-079948号公报

专利文献2：日本特开2013-170119号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在研磨处理后的最终清洗处理中，若为了从磁盘用玻璃基板的表面除去磨粒等异物而使用蚀刻力高的清洗液，则磁盘用玻璃基板会被清洗液所蚀刻，在主表面形成微小的凹凸。该微小的凹凸与现有磁头的悬浮距离相比足够小，以前为可忽视的范围。

但是，近年来，随着磁盘的记录密度的增加，为了确实地进行微弱的磁场的读取和记录，使磁头与磁盘表面的悬浮距离极小。因此，蚀刻导致的微小的凹凸变得无法忽视。于是，正在尝试使用蚀刻力比以往低的清洗液进行磁盘用基板的最终清洗处理。

另一方面，在镜面研磨处理后的磁盘用基板的主表面，有时会附着来自研磨处理中所用的包含二氧化硅磨粒的浆料的异物。在该异物中存在形状极其平坦的板状的异物(下文中称为板状异物)。在板状异物残存于磁盘用基板的主表面的状态下在主表面形成磁性层时，在磁盘的面上形成表面凹凸。若利用悬浮距离极短的磁头进行该磁盘的磁记录信息的读写，则磁头有可能碰撞该表面凹凸。该板状异物由于与磁盘用基板的附着面积大，因而无法用蚀刻力低的清洗液容易地除去。

上述板状异物是与近似球形的二氧化硅磨粒的平均粒径(d50)相比更大的异形的异物，因而也认为可以利用过滤器将其除去。此处，平均粒径表示基于使用激光衍射/散射法的体积分布所测定的中值粒径。

但是，若通过使用聚醚砜的过滤器过滤浆料，则过滤器容易因二氧化硅磨粒引起堵塞，因而无法高效地从浆料中除去异物。

因此，本发明的目的在于提供一种磁盘用基板的制造方法，其通过将研磨液中包含的异物除去，从而能够提高磁盘用基板的研磨处理后的成品率。

用于解决课题的方案

本发明人对在使用聚醚砜的过滤器中容易发生二氧化硅磨粒的堵塞的原因进行了研究。结果发现，由于二氧化硅颗粒的表面是亲水性的，因而二氧化硅颗粒容易附着于亲水性的聚醚砜，并且发现，越小的二氧化硅颗粒在附着后越难离去，由此发明了以下的方法。

为了解决上述课题，本发明的第1方式为一种磁盘用基板的制造方法，其特征在于，该磁盘用基板的制造方法包括下述研磨处理，即，用一对研磨垫夹持基板，向上述研磨垫与上述基板之间供给包含磨粒的研磨液，使上述研磨垫与上述玻璃基板相对滑动，由此对上述磁盘用基板的两主表面进行研磨，

上述磨粒是平均粒径为40nm以下的胶态二氧化硅，

上述研磨液通过对包含上述磨粒和粒径大于上述磨粒的平均粒径的大径颗粒的浆料实施除去上述大径颗粒的除去处理而得到，

上述除去处理为使上述浆料通过由疏水性高分子材料构成且开口直径为100nm以下的过滤器的处理。

由于浆料中包含的磨粒、大于磨粒的平均粒径的颗粒难以附着于由疏水性高分子材料构成的过滤器，因而，即便使浆料通过该过滤器，也难以发生过滤器的堵塞。因此，能够将大于磨粒的平均粒径的颗粒作为过滤残渣而高效地除去。

优选使上述浆料中的胶态二氧化硅的浓度为30重量％以下并通过上述过滤器。

优选将上述浆料的pH调整为8以上13以下的碱性的范围并通过上述过滤器。

上述疏水性高分子材料优选为聚偏二氟乙烯(PVDF)。

上述过滤器优选为通过相转移法而形成为多孔膜状的疏水性高分子膜。

上述制造方法在利用使用水玻璃和离子交换树脂得到的胶态二氧化硅进行研磨处理的情况下最适合。

优选的是，对于使上述浆料通过上述过滤器而得到的研磨液，在进行研磨处理前将其pH调整为酸性。

发明的效果

根据上述磁盘用基板的制造方法，能够将板状异物之类的异物从研磨处理中所用的二氧化硅磨粒中除去。因此，板状异物不会附着于磁盘用基板的主表面，能够提高磁盘用基板的研磨处理后的成品率。

具体实施方式

下面，对本发明的实施方式的磁盘用基板的制造方法进行说明。

(磁盘用基板)

首先，对磁盘用基板进行说明。磁盘用基板为圆板形状，且为挖穿有与外周同心的圆形中心孔的环状。通过在磁盘用玻璃基板的两面的圆环状区域形成磁性层(记录区域)，从而形成磁盘。作为磁盘用基板，可以使用玻璃基板、表面形成有NiP合金膜的铝合金基板等。

本实施方式中，在形成磁性层前，进行镜面研磨处理。在镜面研磨处理中，使用具备行星齿轮机构的双面研磨装置，对磁盘用基板的主表面进行研磨处理。具体地说，将磁盘用基板的外周侧端面保持于设置在双面研磨装置的保持部件的保持孔内，同时对磁盘用基板的两侧的主表面进行研磨。双面研磨装置具有上下一对定盘(上定盘和下定盘)，在下定盘的上表面和上定盘的底面，整体安装有圆环形的平板的研磨垫(例如，树脂抛光材料)。一边向磁盘用基板的主表面与研磨垫之间供给研磨液，一边使上定盘或下定盘中的任一个或双方移动，由此磁盘用基板与研磨垫相对移动，对磁盘用基板的两主表面进行研磨。

本实施方式中，作为镜面研磨处理中所用的研磨液，优选使用包含胶态二氧化硅(二氧化硅磨粒)作为游离磨粒的研磨液。

镜面研磨处理中所用的研磨液中包含的胶态二氧化硅可以利用以正硅酸四甲酯、正硅酸四乙酯等为原料的溶胶凝胶法、以水玻璃为原料的离子交换法来制造。其中，从成本方面考虑，优选利用离子交换法进行制造。

具体地说，将硅砂与碱性试剂(例如Na₂CO₃、NaHCO₃、NaOH、K₂CO₃、KHCO₃、KOH等)混合，加热使其熔融，由此生成硅酸盐。接着，将所得到的硅酸盐根据需要冷却后，溶解于水中，由此生成硅酸盐水溶液(水玻璃)。在该水玻璃中混合质子型阳离子交换树脂，降低硅酸盐水溶液的pH。其后，进行规定时间、规定温度的加热处理，从而在硅酸盐水溶液中促进硅烷醇基彼此的缩聚，生成胶态二氧化硅，得到包含胶态二氧化硅作为磨粒的浆料。

在如此生成的包含胶态二氧化硅的浆料中，有时会包含不适合用作研磨磨粒的、粒径大的大径颗粒(粗大颗粒、板状物质等)。具体地说，适合作为研磨磨粒的胶态二氧化硅的平均粒径为60nm以下、优选为10～60nm、更优选为20～50nm；与此相对，不适合用作磨粒的大径颗粒的粒径为平均粒径的2倍以上，更不适合的情况下为5倍以上。例如，大径颗粒的粒径为200nm～1μm。

另外，在如此生成的包含胶态二氧化硅的浆料中，有时会混杂来自原料硅砂的板状物质。该板状物质为包含铝的硅酸盐的结晶，该结晶为呈层状的层状硅酸盐(例如蒙脱土、皂石、高岭石等层状粘土矿物)。该板状物质为极其平坦的形状。这种板状物质在附着于被精密研磨的表面时容易粘合，因而难以进行清洗，因此该板状物质对于包含胶态二氧化硅的浆料来说视为异物(下文中称为板状异物)。

该板状异物即便将硅砂与碱性试剂混合并熔融也不熔化而残存，也会残存于将熔融物溶解于水中得到的水玻璃内、由水玻璃制造的包含胶态二氧化硅的浆料内。

关于板状异物，大径颗粒中的最大长度为厚度的5倍以上的颗粒为板状异物。例如板状异物的最大长度为50nm～1μm、优选为70nm～300nm、进一步优选为130～240nm，厚度为1～25nm、优选为1～5nm。

此处，板状异物的最大长度是指与板状异物外切的长方体框的最长边的长度，板状异物的厚度是指该长方体框的最短边的长度。利用SEM、AFM对附着于玻璃基板的板状异物进行观察时，可以将与板状异物的轮廓线外切的长方形的长边的长度作为最大长度，将板状异物的最大高度作为厚度。

本实施方式中，预先进行以下说明的除去处理。

(除去处理)

除去处理是指下述处理：使浆料通过过滤器，从而将浆料中包含的粒径大于磨粒的平均粒径的颗粒作为过滤残渣而除去。

作为过滤器，可以使用由疏水性高分子材料构成的、开口直径为100nm以下的微孔过滤膜。此处，疏水性高分子材料是指由极性小、难以与水形成氢键的高分子构成的材料。由于浆料中包含的磨粒、大于磨粒的平均粒径的颗粒难以附着于由疏水性高分子材料构成的过滤器，因而即便使浆料通过该过滤器，也难以发生过滤器的堵塞。因此，能够高效地将大于磨粒的平均粒径的颗粒作为过滤残渣除去。

作为这样的疏水性高分子材料，例如可以使用水的接触角为(85～125°)的材料。

此处，开口直径是指与开口内切的圆的直径。例如利用扫描型电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)计测过滤器的开口的形状，可以求出开口的开口直径。

作为用于微孔过滤膜的疏水性高分子材料，例如可以使用聚丙烯、聚乙烯、氟树脂等。作为氟树脂，例如可以使用聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烃(PFA)、全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)等。其中，优选使用防水性高的氟树脂。通过使用防水性高的氟树脂，过滤器与浆料的接触面积降低，可以进一步降低过滤器的堵塞。

作为过滤方法，可以使用基于重力的自然过滤、减压过滤(抽滤)、加压过滤、离心过滤、横向流方式的超滤等任意方法。

可以将由疏水性高分子材料构成的微孔过滤膜制成多孔性的膜过滤器，也可以制成由疏水性高分子纤维构成的无纺布状的过滤膜。另外，还可以对膜状的过滤材料进行压缩成型而制成板状的过滤板。另外，可以为中空纤维膜形状、螺旋膜形状、管状膜形状，可以根据过滤方法适宜选择。

本实施方式中，设置于疏水性高分子膜的开口的扁平率优选小于0.3，最优选开口为正圆(扁平率为0)。开口的扁平率小的疏水性高分子膜例如可以通过相转移法制作。通过相转移法而形成为多孔膜状的疏水性高分子膜具有扁平率极小的开口。

在相转移法中，具体地说，首先，将作为疏水性高分子膜的材料的高分子材料溶解于溶剂中，将所得到的溶液涂布至支撑板。接着，将涂布有溶液的支撑板浸渍到水等非溶剂中。于是，涂布于支撑板的溶液中的聚合物析出到支撑板，在支撑板上形成固相的多孔膜。

溶剂可以从溶解作为疏水性高分子膜的材料的高分子材料的物质中适宜选择。非溶剂可以从作为疏水性高分子膜的材料的高分子材料难溶或不溶、且不与溶剂混合的物质中适宜选择。

例如，作为疏水性高分子膜的材料可以选择PVDF，作为溶剂可以选择磷酸三乙酯(TEP)，作为非溶剂可以选择水(去离子水)。

通过使浆料通过上述过滤器，可以将浆料中包含的粒径大于磨粒的平均粒径的颗粒作为过滤残渣除去。此处，为了高效地进行浆料的过滤，优选使浆料中的胶态二氧化硅的浓度为30重量％以下、优选为5～25重量％而通过过滤器。调整胶态二氧化硅的浓度而通过过滤器，确认到：在胶态二氧化硅的浓度为20重量％的情况下，每单位时间的过滤器通过量为800升，与此相对，在25重量％的情况下为430升，在30重量％的情况下为150升，在35重量％的情况下为30升，在40重量％的情况下为10升，随着胶态二氧化硅的浓度增加，过滤器的通过量急剧地减少，发生过滤器的堵塞。因此，优选在第2研磨处理中所用的胶态二氧化硅的浓度的范围内，以尽可能稀释浆料中的胶态二氧化硅的浓度的状态进行过滤器处理。具体地说，在使第2研磨处理中所用的胶态二氧化硅的浓度为20重量％以下而使用的情况下，以将浆料中的胶态二氧化硅的浓度稀释为20～25重量％左右的状态下进行过滤器处理。

另外，为了提高磨粒在浆料中的分散性，优选将浆料的pH调整为8以上13以下的碱性的范围而通过过滤器。通过将浆料的pH调整为碱性侧，过滤器通过量相对地增加，通过将pH调整为酸性侧，过滤器通过量相对地减少。因此，为了在防止过滤器的堵塞的同时，将板状异物适当地从胶态二氧化硅磨粒的研磨浆料中除去，优选将浆料的pH调整为8～13的碱性的范围。

在进行了上述除去处理后，为了使所得到的研磨液中的胶态二氧化硅凝集，优选进行减少胶态二氧化硅的表面电荷的处理。通过使胶态二氧化硅凝集，可以提高研磨速率，并且减小研磨处理后的玻璃基板的表面凹凸。

作为减少胶态二氧化硅的表面电荷的方法，包括将研磨液的pH调整为1以上5以下的酸性的方法。

或者，优选添加使研磨液中的胶态二氧化硅的表面电荷减少的添加剂(例如，K₂SO₄、Na₂SO₄等硫酸化合物、K₃PO₄、Na₃PO₄等磷酸化合物、NaNO₃等硝酸化合物)。若在进行除去处理前减少胶态二氧化硅的表面电荷，则表面电荷为正的吸附材料难以附着于粗大颗粒或板状异物，难以将粗大颗粒或板状异物从浆料中除去。

上述板状异物若附着于尤其是玻璃基板的主表面，则在之后的清洗处理等中难以除去。因此，将预先除去了板状异物的胶态二氧化硅用于游离磨粒而进行的镜面研磨处理适合于玻璃基板的镜面研磨处理。作为磁盘用玻璃基板中所用的玻璃，具体可以举出铝硅酸盐玻璃、碱石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃等。特别是，从可以制作能够实施化学强化、并且在主表面的平面度和基板的强度方面优异的磁盘用玻璃基板的方面出发，可以适合使用铝硅酸盐玻璃。

此处，对磁盘用玻璃基板的制造方法进行说明。

(磁盘用玻璃基板的制造方法)

首先，通过模压成型制作磁盘用玻璃坯料。磁盘用玻璃坯料(下文中简称为玻璃坯料)是具有一对主表面的圆板状的磁盘用玻璃基板的原材料，其为挖穿中心孔前的形态。

接着，在所制作的玻璃坯料的中心部分开孔，制作环形(圆环状)的玻璃基板。接着，对开有孔的玻璃基板进行形状加工。接着，对经形状加工的玻璃基板进行端面研磨。接着，对进行了端面研磨的玻璃基板，利用固定磨粒进行磨削。接着，对玻璃基板的主表面进行第1研磨。接着，根据需要对玻璃基板进行化学强化。其后，对玻璃基板进行第2研磨(镜面研磨)。在第2研磨后，经清洗处理得到磁盘用玻璃基板。

下面，对各处理进行进一步的说明。

(a)模压成型处理

将切断了熔融玻璃流的前端部的熔融玻璃块夹入一对金属模具的模压成型面之间，进行模压，成型出玻璃坯料。在进行了规定时间的模压后，打开金属模具，取出玻璃坯料。

(b)圆孔形成处理

对于玻璃坯料，使用钻等形成圆孔，由此可以得到开有圆形中央孔的玻璃基板。

(c)形状加工处理

在形状加工处理中，对圆孔形成后的玻璃基板的端部进行倒角加工。

(d)端面研磨处理

在端面研磨处理中，通过刷光研磨对玻璃基板的内侧端面和外周侧端面进行镜面抛光。此时，使用包含氧化铈等颗粒作为游离磨粒的磨粒浆料。

(e)磨削处理

在利用固定磨粒的磨削处理中，使用具备行星齿轮机构的双面磨削装置，对玻璃基板的主表面进行磨削加工。具体地说，将由玻璃坯料生成的玻璃基板的外周侧端面保持于设置在双面磨削装置的保持部件的保持孔内，同时对玻璃基板的两侧的主表面进行磨削。双面磨削装置具有上下一对定盘(上定盘和下定盘)，在上定盘和下定盘之间夹持有玻璃基板。并且，使上定盘或下定盘中的任一个或双方进行移动操作，使玻璃基板与各定盘相对移动，由此可以对玻璃基板的两主表面进行磨削。

(f)第1研磨处理

第1研磨的目的在于除去例如利用固定磨粒进行磨削时残留于主表面的瑕疵及应变、或者调整微小的表面凹凸(微观波纹度、粗糙度)。

在第1研磨处理中，使用与双面磨削装置具有同样构成的双面研磨装置，一边对双面研磨装置提供包含游离磨粒的研磨液，一边对玻璃基板进行研磨。作为游离磨粒，例如使用氧化铈磨粒、氧化铝磨粒或者氧化锆磨粒等(颗粒尺寸：直径1～2μm左右)。双面研磨装置也与双面磨削装置同样地在上下一对定盘之间夹持有玻璃基板。在下定盘的上表面和上定盘的底面，整体安装有圆环形的平板的研磨垫(例如，树脂抛光材料)。一边向玻璃基板的主表面与研磨垫之间供给研磨液，一边使上定盘或下定盘中的任一个或双方移动，从而玻璃基板与研磨垫相对移动，对玻璃基板的两主表面进行研磨。

(g)化学强化处理

在化学强化处理中，将玻璃基板浸渍到化学强化液中，由此对玻璃基板进行化学强化。作为化学强化液，例如可以使用硝酸钾与硝酸钠的混合熔融液等。需要说明的是，也可以不实施化学强化处理。

(h)第2研磨(镜面研磨)处理

第2研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。在第2研磨中也使用与第1研磨中所用的双面研磨装置具有同样构成的双面研磨装置。第2研磨所产生的加工余量为例如1μm左右。第2研磨处理与第1研磨处理的不同之处在于游离磨粒的种类和颗粒尺寸不同；树脂抛光材料的硬度不同。

在第2研磨处理中，使用进行了上述除去处理而得到的、包含胶态二氧化硅作为游离磨粒的研磨液。

通过实施第2研磨处理，可以使主表面的粗糙度(Ra)为0.15nm以下并且使主表面的微观波纹度为0.1nm以下。

需要说明的是，在第2研磨处理中，也可以使用两种以上的研磨磨粒进行多阶段的研磨处理。例如，可以在使用包含胶态二氧化硅作为游离磨粒的研磨液进行研磨处理前，使用包含氧化铈(CeO₂)作为游离磨粒的研磨液进行研磨处理。另外，也可以在使用包含胶态二氧化硅作为游离磨粒的研磨液进行研磨处理后，进一步使用包含胶态二氧化硅作为游离磨粒的研磨液进行最后的研磨处理。

(i)清洗处理

在第2研磨处理后，玻璃基板利用碱清洗液对玻璃基板的表面进行清洗，成为形成磁性层前的磁盘用玻璃基板。

此时，在清洗处理中，优选使用清洗处理前后的玻璃基板的表面粗糙度Ra之差为0.05nm以下的碱清洗液。由于附着于玻璃基板的板状异物难以除去，因而以往使用了清洗力高的碱清洗液。因此，清洗力强的碱清洗液作用于不存在板状异物的玻璃基板的主表面，容易使主表面粗糙。但是，本实施方式中，由于使用实施了上述除去处理的二氧化硅磨粒进行研磨处理，因而玻璃基板上不附着板状异物。因此，本实施方式中，可以使用清洗力比以往弱的碱清洗液、即使清洗处理前后的玻璃基板的表面粗糙度Ra之差为0.05nm以下的碱清洗液。需要说明的是，Ra为JIS B0601所规定的表面粗糙度。该表面粗糙度基于利用原子力显微镜(AFM)、以256×256像素的分辨率对1μm×1μm的范围所测得的数据而得到。

另外，从不损伤玻璃基板的方面出发，清洗处理优选为将玻璃基板浸渍到清洗液中或者与清洗液接触的非擦洗清洗。在现有的清洗处理中，为了将牢固地附着于玻璃基板的板状异物除去，进行用刷或清洗垫摩擦玻璃基板而将板状异物除去的擦洗清洗。但是，该擦洗清洗容易损伤玻璃基板的主表面。本实施方式中，使用上述实施了除去处理的包含二氧化硅磨粒的浆料进行研磨，因而板状异物不附着于玻璃基板。因此，可以不像以往那样进行擦洗清洗。因此，本实施方式中，通过进行将玻璃基板浸渍到清洗液中或者与清洗液接触的非擦洗清洗，可以使玻璃基板的主表面不受到不必要的损伤。

以上，使用玻璃基板作为磁盘用基板进行了说明，但本发明也可以应用于铝合金基板。在铝合金基板的情况下，对铝合金进行轧制，使用在切割成圆板状的铝合金坯板的表面成膜有NiP镀层的铝合金基板，利用研磨垫对NiP镀膜表面进行研磨。使用了铝合金基板的磁盘通过在铝合金基板上层积软磁性层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等而得到。

具体地说，经过以下的各处理工序来制造，研磨处理工序中所用的研磨垫可以使用与在玻璃基板的研磨工序中所用的研磨垫相同的研磨垫。

对熔化的铝合金进行铸造、轧制，之后切割成圆板状的铝合金坯板，对主表面和端面进行磨削处理，从而加工成规定的尺寸。其后，在铝合金坯板的表面以5～30μm的厚度实施NiP镀覆成膜处理，制成铝合金基板。接着，利用研磨垫对实施了NiP镀覆的铝合金基板的主表面进行研磨处理，由此降低微小起伏。研磨处理通常改变研磨磨粒的种类和粒径而以2个阶段进行，在第1研磨处理中使用含有平均粒径为0.3～3μm的氧化铝磨粒的浆料，在第2研磨处理中使用含有平均粒径为40nm以下、优选为5～40nm的胶态二氧化硅磨粒的浆料，夹入分别实施了开口处理的研磨垫间并相对滑动，由此降低铝合金基板表面的NiP镀层表面的伤痕或起伏。进而，在第1研磨处理后和第2研磨处理后，为了将研磨处理后附着于基板表面的研磨磨粒或研磨渣等颗粒除去，进行清洗处理。在该第2研磨处理中，可以使用进行上述除去处理而得到的、包含胶态二氧化硅作为游离磨粒的研磨液。

下面，对本发明的实施例以及比较例进行说明。

(胶态二氧化硅的制作)

以硅砂和碳酸钠为原料，利用离子交换法得到包含胶态二氧化硅的浆料。胶态二氧化硅的平均粒径如表1所示。

(除去处理)

在实施例中，准备通过相转移法而制作的聚偏二氟乙烯(PVDF)的多孔膜，将其用作过滤器。所准备的多孔膜的开口直径如表1所示。

将上述浆料中的胶态二氧化硅的浓度调整为30重量％以下，并且将浆料的pH调整为10，通过过滤器。

在比较例中，准备通过相转移法而制作的聚醚砜(PES)的多孔膜，将其用作过滤器。所准备的多孔膜的开口直径如表1所示。

在比较例中，也将上述浆料中的胶态二氧化硅的浓度调整为30重量％以下，并且将浆料的pH调整为10，想要通过过滤器。但是，发生过滤器的堵塞，无法通过过滤器。

因此，在比较例中无法进行之后的处理，仅在实施例中进行了之后的处理。

(玻璃基板的研磨处理)

接着，将分离处理中通过了过滤器的滤液的pH调整为3，将其用作研磨液，进行了玻璃基板的镜面研磨处理。向玻璃基板的主表面与聚氨酯制的研磨垫之间供给上述研磨液，同时使研磨垫相对于玻璃基板的主表面相对移动，由此对玻璃基板的主表面进行研磨。

对于在上述研磨处理后进行了清洗、干燥的玻璃基板的主表面，利用激光式的表面检查装置进行了异物或缺陷的检测。将激光器的阈值设定为异物或缺陷的检出数为20个以下的范围，对于检测出的异物或缺陷，利用SEM(扫描型电子显微镜)或AFM(原子力显微镜)计算了长径为100nm以上的异物的个数。接着，使用截面TEM(透射型电子显微镜)，对于长径为100nm以上的异物，确认了是否为层状的平板异物(由层状硅酸盐构成的板状异物)。在用未进行基于过滤器的除去处理、而基于离子交换法的包含二氧化硅的浆料进行了研磨的玻璃基板中，确认到在玻璃基板的表里的主表面附着有多个层状平板异物(附着有2个/片以上的层状平板异物)。另一方面，关于基于离子交换法的包含二氧化硅的浆料，在进行了基于过滤器的异物除去处理后对基板进行研磨的情况下，未检测出附着于玻璃基板的表里的主表面的层状平板异物(在基板主表面没有层状平板异物的附着)。

[玻璃基板主表面的异物的评价]

对于研磨处理后进行了清洗、干燥的玻璃基板的主表面，利用激光式的表面检查装置和SEM、AFM进行了异物的检测和鉴定。对于以相同条件所制造的100片玻璃基板，每一片分别检测出1点并进行鉴定，在合计100点中的异物数为0个时评价为A，为1～2个时评价为B，为3～10个时评价为C，为11个以上时评价为D。若评价为A、B或C，则可以用作研磨液。

结果列于表1。

[表1]

关于实施例1～6的玻璃基板，每100片玻璃基的异物数为2个以下，可知使浆料通过由疏水性高分子材料构成的过滤器而得到的滤液适合作为研磨液。

以上，对本发明的磁盘用基板的制造方法进行了详细说明，但是本发明不限于上述实施方式，显然也可以在不脱离本发明主旨的范围内进行各种改良、变更。

Claims (7)

1.一种磁盘用基板的制造方法，其特征在于，该磁盘用基板的制造方法包括下述研磨处理，即，用一对研磨垫夹持基板，向所述研磨垫与所述基板之间供给包含磨粒的研磨液，使所述研磨垫与所述玻璃基板相对滑动，由此对所述磁盘用基板的两主表面进行研磨，

所述磨粒是平均粒径为40nm以下的胶态二氧化硅，

所述研磨液通过对包含所述磨粒和粒径大于所述磨粒的平均粒径的大径颗粒的浆料实施除去所述大径颗粒的除去处理而得到，

所述除去处理为使所述浆料通过由疏水性高分子材料构成且开口直径为100nm以下的过滤器的处理。

2.如权利要求1所述的磁盘用基板的制造方法，其中，使所述浆料中的胶态二氧化硅的浓度为30重量％以下并通过所述过滤器。

3.如权利要求1或2所述的磁盘用基板的制造方法，其中，将所述浆料的pH调整为8以上13以下的碱性的范围并通过所述过滤器。

4.如权利要求1～3中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，所述疏水性高分子材料为聚偏二氟乙烯PVDF。

5.如权利要求1～4中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，所述过滤器为通过相转移法而形成为多孔膜状的疏水性高分子膜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，所述胶态二氧化硅使用水玻璃和离子交换树脂而获得。

7.如权利要求1～6中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，对于使所述浆料通过所述过滤器而得到的研磨液，在进行研磨处理前将其pH调整为酸性。