CN103187340A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents
基板处理装置以及基板处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103187340A CN103187340A CN2012105550691A CN201210555069A CN103187340A CN 103187340 A CN103187340 A CN 103187340A CN 2012105550691 A CN2012105550691 A CN 2012105550691A CN 201210555069 A CN201210555069 A CN 201210555069A CN 103187340 A CN103187340 A CN 103187340A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- mentioned
- interarea
- aforesaid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 1036
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 764
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 122
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims abstract description 113
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 87
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 80
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 claims description 60
- 238000010257 thawing Methods 0.000 claims description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 abstract 4
- 239000013526 supercooled liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 226
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 80
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 27
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 27
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229960004424 carbon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 235000019628 coolness Nutrition 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。在基板处理装置（1）中，通过从第一液体供给部（31）向基板（9）的上表面（91）供给的纯水的过冷却液在上表面（91）上形成液膜，通过来自冻结部（4）的冷却气体冷却该液膜来形成冻结膜。通过过冷却液形成的液膜的温度比纯水的凝固点低，处于容易冻结的状态。因此，被冻结部（4）冷却了时，能够缩短冻结液膜所需的时间。另外，与利用温度比凝固点高的纯水形成液膜的情况相比，即使来自冻结部（4）的冷却气体的温度变高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴（41）供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制冻结液膜所需的冷却成本。
Description
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往，在半导体基板（下面仅称为“基板”）的制造工序中，利用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板进行各种处理。例如进行如下清洗处理，即，通过向基板的表面供给清洗液来除去附着在基板的表面上的颗粒等。
在日本特开2008-71875号公报中公开了如下技术，即，在基板的表面上形成去离子水（DIW：deionized water）等液膜，通过冷却气体对该液膜进行冷却而使该液膜冻结之后，利用冲洗液进行解冻除去处理，从而除去基板表面的颗粒。另外，在日本特开2009-254965号公报中公开了如下技术，即，向基板的表面供给冷却至常温以下的去离子水，通过冷却气体进行冻结。在日本特开2009-254965号公报中记载了如下内容，即，优选去离子水的冷却温度低于10℃，若考虑配管的绝热结构、热交换器的能力等，优选去离子水的冷却温度设定为2℃左右。在日本特开2008-28008号公报中公开了如下技术，即，通过向基板的背面供给液体制冷剂使形成于基板的表面的去离子水的液膜冻结之后，利用冲洗液进行解冻除去处理。在日本特开2008-71875号公报、日本特开2009-254965号公报以及日本特开2008-28008号公报所记载的装置中，通过使基板旋转来从基板上除去喷出至基板的表面的液体的一部分（即，甩出液体），在基板的表面上形成液膜。
另一方面，在日本特开2000-58494号公报中提出了如下的方法，即，在除去基板上的光致抗蚀膜时，将光致抗蚀膜浸渍在液态氮中来使光致抗蚀膜冻结之后，吹送干冰粒子或冰粒子来进行喷砂清洗。另外，还提出了如下的方法，即，在使光致抗蚀膜冻结之前，通过浸渍在水中或者吹送水蒸气等的方法，使光致抗蚀膜含有水分。
但是，在进行上述那样的冻结清洗的基板处理装置中，作为使基板上的液膜冻结的冷却气体，利用通过经过液态氮内的配管而被冷却至大约-190℃的氮气等。为了将这样的冷却气体导入至处理基板的腔室内，需要高性能的绝热设备，从而导致装置的制造成本增加。然而，若降低绝热设备的性能，则冷却气体的温度变高，从而导致冻结液膜所需的时间变长。
在日本特开2009-254965号公报的装置中，通过利用进行了冷却的去离子水形成液膜，来缩短冻结液膜所需的时间和抑制冻结液膜所需的冷却成本。然而，在使基板旋转来形成液膜期间，从基板的周围的气体等向液膜流入热，从而导致液膜的温度上升，因此缩短冻结所需的时间和抑制冻结所需的冷却成本是有限的。
在日本特开2008-71875号公报、日本特开2009-254965号公报以及日本特开2008-28008号公报那样的除去基板表面的颗粒等的装置中，为了在基板的表面上形成液膜，需要喷出去离子水等液体并向基板的表面供给的机构。另外，一边旋转基板以使液体在基板上移动一边形成液膜，因此当要使液膜的厚度薄至某种程度以上时，在基板的表面上混有存在液膜的区域和不存在液膜的区域。
发明内容
本发明涉及处理基板的技术，其主要的目的在于抑制冻结液膜所需的冷却成本，另外，缩短冻结液膜所需的时间。另外，本发明的目的还有省略朝向基板喷出液体的结构来使基板处理装置实现小型化。而且，本发明的目的还有容易地在基板上形成薄的液膜。
本发明的基板处理装置具有：腔室；基板保持部，在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态；液体供给部，向上述基板的上述一个主面供给被过冷却至比凝固点低的温度的过冷却液；基板旋转机构，通过使被供给了上述过冷却液的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，在上述一个主面上形成液膜；冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。根据该基板处理装置，能够抑制冻结液膜所需的冷却成本。另外，能够缩短冻结液膜所需的时间。
在本发明的一个优选的实施方式中，通过从上述液体供给部向上述基板的上述一个主面供给上述过冷却液，来使上述一个主面的温度变为比上述过冷却液的凝固点低的温度之后，通过上述基板旋转机构形成上述液膜。
在本发明的其它优选的实施方式中，上述基板处理装置还具有冷却部，在形成上述液膜时，该冷却部对旋转中的上述基板的另一个主面进行冷却。
更优选上述冷却部向上述另一个主面供给上述过冷却液。
在本发明的其它实施方式中，上述过冷却液为纯水。
在本发明的其它实施方式中，上述基板处理装置还具有冻结膜除去部，该冻结膜除去部向冻结了的上述液膜即冻结膜供给被加热了的解冻用液体来除去上述冻结膜。
本发明的其它基板处理装置具有：腔室；基板保持部，在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态；第一液体供给部，向上述基板供给预先被冷却了的第一液体来对上述基板进行预冷；第二液体供给部，向被预冷了的上述基板的上述一个主面供给具有上述第一液体的温度以上的凝固点的第二液体；基板旋转机构，通过使被供给了上述第二液体的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，在上述一个主面上形成上述第二液体的液膜；冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。根据该基板处理装置，能够抑制冻结液膜所需的冷却成本。另外，能够缩短冻结液膜所需的时间。
在本发明的一个优选的实施方式中，上述第二液体供给部向上述基板供给预先被冷却了的上述第二液体。
在本发明的其它优选的实施方式中，通过上述第一液体供给部进行的预冷动作，上述基板的温度变为上述第二液体的凝固点以下。
在本发明的其它实施方式中，上述基板处理装置还具有第三液体供给部，该第三液体供给部朝向上述基板的另一个主面供给具有上述第一液体的温度以上的凝固点的第三液体；一边通过上述基板旋转机构使上述基板旋转，一边从上述第一液体供给部朝向上述基板的上述一个主面供给被冷却至上述第三液体的凝固点以下的上述第一液体，并且从上述第三液体供给部朝向上述基板的上述另一个主面供给上述第三液体。
在本发明的其它实施方式中，上述第一液体供给部朝向上述基板的另一个主面供给上述第一液体。
在本发明的其它实施方式中，上述第二液体为纯水。
在本发明的其它实施方式中，上述第一液体是具有蚀刻性能的功能液。
在本发明的其它实施方式中，上述基板处理装置还具有冻结膜除去部，该冻结膜除去部向冻结了的上述液膜即冻结膜供给被加热了的解冻用液体来除去上述冻结膜。
本发明的其它基板处理装置具有：腔室；基板保持部，在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态；液体供给部，向上述基板的上述一个主面供给液体；基板旋转机构，通过使被供给上述液体的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，在上述一个主面上形成上述液体的液膜；冷却部，在形成上述液膜时，该冷却部对旋转中的上述基板的另一个主面进行冷却；冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。根据该基板处理装置，能够抑制冻结液膜所需的冷却成本。另外，能够缩短冻结液膜所需的时间。
在本发明的一个优选的实施方式中，上述冷却部向上述基板的上述另一个主面供给被冷却了的冷却用液体。
更优选上述冷却用液体与从上述液体供给部供给的上述液体相同。
根据本发明的其它优选的实施方式中，上述冷却部朝向上述基板的上述另一个主面供给被冷却了的气体。
根据本发明的其它实施方式中，从上述液体供给部供给的上述液体为纯水。
在本发明的其它实施方式中，上述基板处理装置还具有冻结膜除去部，该冻结膜除去部向冻结了的上述液膜即冻结膜供给被加热了的解冻用液体来除去上述冻结膜。
本发明的其它基板处理装置具有：腔室；基板保持部，在上述腔室内保持基板；液膜形成部，使纯水在上述基板的一个主面上结露来在上述一个主面上形成液膜；冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。根据该基板处理装置，能够省略朝向基板喷出液体的结构来使基板处理装置实现小型化。另外，也能够容易地在基板上形成薄的液膜。
在本发明的一个优选的实施方式中，上述液膜形成部是对上述基板进行冷却的基板冷却部。
更优选上述基板冷却部也是上述冻结部。
更优选上述基板冷却部朝向上述基板的另一个主面供给冷却气体。
或者，基板处理装置还具有基板旋转机构，该基板旋转机构使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转；一边通过上述基板旋转机构使上述基板旋转，一边从上述基板冷却部朝向上述基板的上述一个主面的中央部或者另一个主面的中央部供给冷却气体。
或者，基板处理装置还具有基板旋转机构，该基板旋转机构使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转；上述基板冷却部具有：冷却气体喷嘴，向上述基板供给冷却气体；喷嘴移动机构，使上述冷却气体喷嘴在上述基板的中央部与外缘部之间相对地往复移动；一边通过上述基板旋转机构使上述基板旋转，一边从通过上述喷嘴移动机构进行往复移动的上述冷却气体喷嘴朝向上述基板的上述一个主面或者另一个主面供给冷却气体。
更优选还具有冷却气体温度控制部，该冷却气体温度控制部用于控制从上述基板冷却部向上述基板供给的冷却气体的温度；从上述冷却气体喷嘴向上述基板的上述外缘部供给的冷却气体的温度比从上述冷却气体喷嘴向上述基板的上述中央部供给的冷却气体的温度低。
在本发明的其它优选的实施方式中，还具有湿度控制部，该湿度控制部用于控制上述腔室内的湿度。
在本发明的其它实施方式中，还具有冻结膜除去部，该冻结膜除去部向冻结了的上述液膜即冻结膜供给被加热了的解冻用液体来除去上述冻结膜。
本发明也涉及处理基板的基板处理方法。本发明的一个基板处理方法包括：a）向在腔室内被保持为一个主面朝向上侧的状态的基板的上述一个主面供给被过冷却至比凝固点低的温度的过冷却液的工序；b）通过使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转来在上述一个主面上形成液膜的工序；c）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
本发明的另外基板处理方法包括：a）向在腔室内被保持为一个主面朝向上侧的状态的基板供给预先被冷却了的第一液体来对上述基板进行预冷的工序；b）通过向上述基板的上述一个主面供给具有上述第一液体的温度以上的凝固点的第二液体，并使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，来在上述一个主面上形成上述第二液体的液膜的工序；c）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
本发明的另外基板处理方法包括：a）向在腔室内被保持为一个主面朝向上侧的状态的基板的上述一个主面供给液体的工序；b）通过一边对上述基板的另一个主面进行冷却，一边使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，来在上述一个主面上形成上述液体的液膜的工序；c）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
本发明的另外基板处理方法包括：a）在腔室内使纯水在基板的一个主面上结露来在上述一个主面上形成液膜的工序；b）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
通过参照附图以及下面将要进行的对该发明的详细的说明，来明确上述的目的以及其它目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是示出第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是示出基板的处理过程的图。
图3是示出第二实施方式的基板处理装置的结构的图。
图4A是示出基板的处理过程的图。
图4B是示出基板的处理过程的图。
图5是示出第三实施方式的基板处理装置的结构的图。
图6是示出基板的处理过程的图。
图7是示出第四实施方式的基板处理装置的结构的图。
图8是示出基板的处理过程的图。
图9是示出比较例的基板处理装置中的液膜的形成时间、液膜的厚度以及温度间的关系的图。
图10是示出第五实施方式的基板处理装置的结构的图。
图11是示出基板的处理过程的图。
图12是示出第六实施方式的基板处理装置的结构的图。
具体实施方式
图1是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置1的结构的图。如图1所示，基板处理装置1是逐张地处理半导体基板9（下面仅称为“基板9”）的单张式的装置。在基板处理装置1中，进行如下冻结清洗处理，即，通过在基板9上形成冻结膜并除去该冻结膜，来从基板9上除去颗粒等。
基板处理装置1具有基板保持部2、罩部21、第一液体供给部31、第二液体供给部32、冻结部4、基板旋转机构5、加热液供给部6、腔室7、控制部8。控制部8控制第一液体供给部31、第二液体供给部32、冻结部4、基板旋转机构5以及加热液供给部6等的结构。基板保持部2在腔室7内以基板9的一个主面91（下面称为“上表面91”）朝向上侧的状态保持基板9。在基板9的上表面91上形成有电路图案等。罩部21在腔室7内包围基板9以及基板保持部2的周围。基板旋转机构5使基板9与基板保持部2一起，以穿过基板9的中心并且与基板9的上表面91垂直的旋转轴为中心，在水平面内旋转。
第一液体供给部31将被过冷却至比凝固点低的温度的液体即过冷却液供给至基板9的上表面91。过冷却指，在物质的相变（phase change）中，物质即使处于要发生变化的温度以下而其状态不发生变化的状态。在本实施方式中，从第一液体供给部31朝向基板9的上表面91的中央部喷出过冷却至低于0℃的温度（例如大约-5℃）的纯水即过冷却水。另外，从第二液体供给部32朝向基板9的另一个主面92（下面称为“下表面92”）的中央部喷出与从第一液体供给部31供给的过冷却水同样的过冷却液。作为过冷却液，优选利用去离子水（DIW）。
冻结部4朝向基板9的上表面91供给冷却气体。冷却气体是被冷却至比从第一液体供给部31供给的过冷却液的凝固点低的温度的气体。所说的过冷却液的凝固点指，作为过冷却液使用的液体未被过冷却而凝固的温度。冻结部4具有：冷却气体喷嘴41，喷出冷却气体；喷嘴旋转机构42，使冷却气体喷嘴41以旋转轴421为中心水平地旋转。喷嘴旋转机构42具有从旋转轴421沿着水平方向延伸并且安装有冷却气体喷嘴41的臂部422。作为冷却气体，采用被冷却了的氮（N2）气。冷却气体的温度，优选为-100℃～-20℃，在本实施方式中大约为-50℃。
加热液供给部6朝向基板9的上表面91的中央部供给被加热了的液体即加热液。在图1中，为了便于图示，将加热液供给部6描画在第一液体供给部31的上方，但是实际上，在第一液体供给部31从基板9的上方退避到外侧的状态下，加热液供给部6从基板9的外侧移动至上方。另外，在第一液体供给部31位于基板9的上方时，加热液供给部6从基板9的上方退避至外侧。作为加热液，采用被加热至比常温高的温度的纯水（优选为去离子水）。加热液的温度优选为50℃～90℃，在本实施方式中大约为80℃。
图2是示出基板处理装置1中的基板9的处理过程的图。在基板处理装置1中，首先，将基板9搬入至腔室7内并被基板保持部2保持，通过控制部8的控制，通过基板旋转机构5使基板9开始旋转（步骤S11）。基板9的转速例如为300rpm～900rpm，在本实施方式中为400rpm。
接着，通过控制部8控制第一液体供给部31以及第二液体供给部32，开始从第一液体供给部31朝向基板9的上表面91供给过冷却液，开始从第二液体供给部32朝向基板9的下表面92供给过冷却液（步骤S12、S13）。供给至基板9的上表面91以及下表面92上的过冷却液，通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到整个上表面91以及整个下表面92，并从基板9的边缘向外侧飞散。从基板9飞散的过冷却液被罩部21接受并回收。
在基板处理装置1中，从第一液体供给部31以及第二液体供给部32持续供给规定时间的过冷却液。然后，冷却基板9，直到基板9的上表面91的温度至少低于0℃（即，过冷却液的凝固点）为止（步骤S14）。更优选为，持续向基板9的上表面91以及下表面92供给过冷却液，直到基板9的整体的温度低于0℃为止。在下面的说明中，将步骤S14中的基板9的冷却称为“预冷”。在本实施方式中，通过预冷，基板9的整体被冷却至大约-1℃。
然后，减小通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度，变更为比通过过冷却液对基板9进行预冷时的旋转速度小的旋转速度。基板9的转速例如为50rpm～300rpm，在本实施方式中为80rpm。接着，停止从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给过冷却液（步骤S15）。在基板处理装置1中，在低速旋转的基板9的上表面91上，残留在上表面91上的过冷却液的一部分从基板9的中央部朝向边缘运动，并从基板9向外侧飞散。并且，在基板9的上表面91上形成过冷却液的薄的液膜（步骤S16）。液膜的厚度在基板9的上表面91的整个面上大概均匀，在本实施方式中大约为50μm。此外，液膜的厚度不必一定均匀。
在基板处理装置1中，在基板9的上表面91上形成液膜时，也通过第二液体供给部32向旋转中的基板9的下表面92持续地供给过冷却液，来对基板9的下表面92进行冷却。换而言之，第二液体供给部32是在液膜形成中也对基板9的下表面92进行冷却的冷却部。
当形成液膜的步骤结束时，停止从第二液体供给部32供给过冷却液（步骤S17）。接着，通过控制部8的控制，开始通过冻结部4的喷嘴旋转机构42使冷却气体喷嘴41转动，冷却气体喷嘴41在基板9的中央部和边缘之间反复进行往复移动。并且，从设置于基板处理装置1的外部的冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体，从冷却气体喷嘴41朝向旋转中的基板9的上表面91供给冷却气体。由此，向基板9的上表面91的整个面供给冷却气体，上表面91上的液膜被冷却而冻结（步骤S18）。下面将冻结的液膜称为“冻结膜”。此外，在基板处理装置1中，还可以从停止在基板9的中央部的上方的冷却气体喷嘴41供给冷却气体，通过基板9的旋转使冷却气体从基板9的中央部向外缘部扩散，由此形成冻结膜。
在基板9上，浸入到基板9和颗粒等之间的过冷却液冻结（凝固）而体积增加，由此颗粒等从基板9浮起微小距离。结果，颗粒等与基板9之间的附着力减小，颗粒等从基板9脱离。另外，在过冷却液冻结时，在与基板9的上表面91平行的方向上体积增加，从而也使附着于基板9的颗粒等从基板9剥离。
当形成冻结膜的步骤结束时，停止从冻结部4供给冷却气体，冷却气体喷嘴41从基板9的上方移动至外侧。接着，使通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度增加，变更为比形成冻结膜时的旋转速度大的旋转速度。基板9的转速例如为1500rpm～2500rpm，在本实施方式中为2000rpm。
接着，通过控制部8控制加热液供给部6，从加热液供给部6朝向基板9的上表面91供给加热液。加热液通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91的整个面。由此，上表面91上的冻结膜被快速解冻（即，液化），与加热液一起从基板9的边缘向外侧飞散（步骤S19）。附着于基板9的上表面91上的颗粒等与从基板9上飞散的液体一起从基板9上除去。从基板9上向外侧飞散的液体被罩部21接受并回收。在基板处理装置1中，加热液供给部6发挥向基板9上的冻结膜供给解冻用液体即加热液来除去冻结膜的冻结膜除去部的作用。
当除去冻结膜的步骤结束时，从省略图示的冲洗液供给部向基板9的上表面91上供给冲洗液（例如为常温的去离子水），对基板9进行冲洗处理（步骤S20）。冲洗处理中的基板9的转速优选为300rpm～1000rpm，在本实施方式中为800rpm。然后，将基板9的转速变更为1500rpm～3000rpm（在本实施方式中为2000rpm），进行通过基板9的旋转除去基板9上的冲洗液的干燥处理（步骤S21）。当基板9的干燥处理结束时，停止通过基板旋转机构5使基板9的旋转（步骤S22）。
如上面说明那样，在基板处理装置1中，通过供给至基板9的上表面91的过冷却液在上表面91上形成液膜，该液膜通过来自冻结部4的冷却气体被冷却而形成冻结膜。通过过冷却液形成的液膜的温度比该液体（纯水）的凝固点低，与温度比凝固点高的纯水相比处于易于冻结的状态。因此，在通过冻结部4进行冷却时，能够缩短冻结液膜所需的时间（即，液体向固体变化的相变时间）。另外，能够通过缩短相变时间来提高颗粒等的除去率。
在基板处理装置1中，与利用温度比凝固点高的纯水形成液膜的情况相比，即使来自冻结部4的冷却气体的温度变高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制通过冻结部4冻结液膜所需的冷却成本。此外，过冷却状态的液膜的温度和凝固点之差即过冷幅度越大，相变时间越短。
在基板处理装置1中，如上述那样，从第一液体供给部31以及第二液体供给部32向基板9的上表面91以及下表面92供给过冷却液，在基板9的温度成为比过冷却液的凝固点低的温度之后，在基板9上形成液膜。因此，抑制液膜吸收基板9的热而使液膜的温度上升。结果，能够进一步缩短冻结液膜所需的时间。另外，能够进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。
在基板处理装置1中，在形成液膜时，通过作为冷却部的第二液体供给部32对基板9的下表面92进行冷却，因此能够进一步抑制在液膜形成中基板9以及液膜的温度上升。由此，能够更进一步缩短冻结液膜所需的时间。另外，能够进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。如上述那样，从第二液体供给部32供给至下表面92的液体是与从第一液体供给部31供给至上表面91的过冷却液同样的液体。因此，能够简化基板处理装置1的结构，例如使第一液体供给部31以及第二液体供给部32的配管的一部分共用等。另外，能够集中回收供给至基板9的上表面91以及下表面92的液体，来再次利用于基板处理装置1的处理中。
如上述那样，基板9上的冻结膜由体积膨胀率比较大的纯水形成，因此与由其它液体形成冻结膜的情况相比，能够更进一步减小颗粒等对基板9的附着力。结果，能够提高从基板9上除去颗粒等的除去率。另外，通过供给加热液来从基板9上除去冻结膜，能够与冻结膜一起高效地除去附着于基板9的颗粒等。在基板处理装置1中，加热液为与从第一液体供给部31以及第二液体供给部32供给的过冷却液同样的液体，从而还能够在对冻结膜进行解冻时回收从基板9飞散的液体并再利用。
图3是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置1a的结构的图。如图3所示，基板处理装置1a是逐张地处理半导体基板9（下面仅称为“基板9”）的单张式的装置。在基板处理装置1a中进行如下的冻结清洗处理，即，通过在基板9上形成冻结膜并除去该冻结膜，来从基板9上除去颗粒等。
基板处理装置1a具有基板保持部2、罩部21、第一液体供给部31、第二液体供给部32、第三液体供给部33、冻结部4、基板旋转机构5、加热液供给部6、腔室7、控制部8。控制部8控制第一液体供给部31、第二液体供给部32、第三液体供给部33、冻结部4、基板旋转机构5以及加热液供给部6等的结构。基板保持部2在腔室7内以使基板9的一个主面91（下面称为“上表面91”）朝向上侧的状态保持基板9。在基板9的上表面91上形成有电路图案等。罩部21在腔室7内包围基板9以及基板保持部2的周围。基板旋转机构5使基板9与基板保持部2一起，以穿过基板9的中心并且与基板9的上表面91垂直的旋转轴为中心，在水平面内旋转。
第一液体供给部31朝向基板9的上表面91的中央部供给预先冷却至低于常温的温度的第一液体。第二液体供给部32朝向基板9的上表面91的中央部供给第二液体，该第二液体具有从第一液体供给部31供给的第一液体的温度以上的凝固点。从第二液体供给部32供给的第二液体也预先被冷却至低于常温的温度。
作为第二液体，利用纯水、碳酸水、含氢水、SC1（氨过氧化氢溶液）、叔丁醇（TBA：tertiary butanol）等各种液体。作为第二液体，优选利用凝固点为0℃的纯水，更优选利用去离子水（DIW）。从第一液体供给部31供给温度为第二液体的凝固点以下的各种液体来作为第一液体。优选利用SCl、氢氟酸、氨水等那样具有蚀刻性能的功能液来作为第一液体。TBA的凝固点为25.7℃，氢氟酸的凝固点为-35℃。另外，SCl的凝固点虽然随着成分的混合比不同而发生变化，但是大概是-10℃以下。
第三液体供给部33朝向基板9的另一个主面92（下面称为“下表面92”）的中央部供给第三液体，该第三液体具有从第一液体供给部31供给的第一液体的温度以上的凝固点。作为第三液体，与第二液体同样地，利用纯水、SC1（氨过氧化氢溶液）、叔丁醇（TBA）等各种液体。作为第三液体，优选利用纯水，更优选利用去离子水。在本实施方式中，利用氢氟酸作为第一液体，利用纯水作为第二液体以及第三液体。此外，第三液体不必是与第二液体同样的液体。
冻结部4朝向基板9的上表面91供给冷却气体。冷却气体是冷却至比从第二液体供给部32供给的第二液体的凝固点低的温度的气体。在图3中，为了便于图示，将冻结部4描画在第一液体供给部31的上方，但是实际上，在第一液体供给部31从基板9的上方退避到外侧的状态下，冻结部4从基板9的外侧移动至上方。另外，在第一液体供给部31位于基板9的上方时，冻结部4从基板9的上方退避到外侧。
冻结部4具有：冷却气体喷嘴41，喷出冷却气体；喷嘴旋转机构42，使冷却气体喷嘴41以旋转轴421为中心水平地转动。喷嘴旋转机构42具有从旋转轴421向水平方向延伸并且安装有冷却气体喷嘴41的臂部422。作为冷却气体，采用被冷却了的氮（N2）气。冷却气体的温度，优选为-100℃～-20℃，在本实施方式中大约为-50℃。
加热液供给部6向基板9的上表面91的中央部供给被加热了的液体即加热液。在图3中，为了便于图示，将加热液供给部6描画在第二液体供给部32的上方，但是实际上，在第二液体供给部32从基板9的上方退避到外侧的状态下，加热液供给部6从基板9的外侧移动至上方。另外，在第二液体供给部32位于基板9的上方时，加热液供给部6从基板9的上方退避到外侧。作为加热液，采用加热至高于常温的温度的纯水（优选为去离子水）。加热液的温度优选为50℃～90℃，在本实施方式中大约为80℃。
图4A以及图4B是示出基板处理装置1a中的基板9的处理过程的图。在基板处理装置1a中，首先，将基板9搬入至腔室7内并被基板保持部2保持，通过控制部8的控制，开始通过基板旋转机构5使基板9旋转（步骤S31）。基板9的转速例如为300rpm～900rpm，在本实施方式中为400rpm。
接着，通过控制部8控制第一液体供给部31以及第三液体供给部33，开始从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给第一液体，开始从第三液体供给部33向基板9的下表面92供给第三液体（步骤S32、S33）。第一液体预先被冷却至第二液体以及第三液体的凝固点以下的温度（例如-5℃～0℃）。第三液体也预先被冷却至低于常温的温度。分别供给至基板9的上表面91以及下表面92的第一液体以及第三液体，通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩展到上表面91的整个面以及下表面92的整个面，并从基板9的边缘向外侧飞散。从基板9飞散的液体被罩部21接受并回收。
在基板处理装置1a中，一边通过基板旋转机构5使基板9旋转，一边从第一液体供给部31朝向基板9的上表面91持续供给规定时间的第一液体。由此，基板9被冷却，基板9的温度变为0℃（即，第二液体以及第三液体的凝固点）以下（步骤S34）。在下面的说明中，将步骤S34中的基板9的冷却称为“预冷”（在后述的步骤S53中也同样）。在本实施方式中，通过预冷使基板9的整体冷却至大约-5℃。
在基板处理装置1a中，与由第一液体供给部31进行的预冷动作并行，从第三液体供给部33朝向基板9的下表面92持续供给规定时间的第三液体。如上述那样，基板9的温度通过预冷变为第三液体的凝固点以下，因此供给至基板9的下表面92的第三液体的一部分凝固而成为粒状的凝固体。然后，粒状的凝固体与液状的第三液体一起从基板9的下表面92的中央部向外缘部移动，在移动中与颗粒等碰撞，由此从基板9的下表面92除去颗粒等。换而言之，通过从第三液体供给部33供给的第三液体进行基板9的下表面92的清洗处理（步骤S35）。
当基板9的预冷以及由第三液体清洗下表面92的步骤结束时，停止从第一液体供给部31供给第一液体以及从第三液体供给部33供给第三液体（步骤S36）。接着，通过控制部8控制第二液体供给部32，开始朝向被预冷的基板9的上表面91的中央部供给预先冷却至低于常温的温度（例如为1℃）的第二液体（步骤S37）。供给至基板9的上表面91的第二液体通过基板9的旋转从基板9的中央部向外缘部扩散。残留于基板9的上表面91上的第一液体被第二液体推出，从而从上表面91上除去。换而言之，基板9的上表面91上的第一液体被从第二液体供给部32供给的第二液体置换（步骤S38）。
当基板9上的第一液体被第二液体置换的步骤结束时，减小通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度，变更为比置换液体时的旋转速度小的旋转速度。基板9的转速例如为50rpm～300rpm，在本实施方式中为80rpm。然后，停止从第二液体供给部32供给第二液体（步骤S39）。在基板处理装置1a中，在低速旋转的基板9的上表面91上，供给至上表面91上的第二液体的一部分从基板9的中央部朝向边缘运动并从基板9向外侧飞散。并且，在基板9的上表面91上形成第二液体的薄的液膜（步骤S40）。液膜的厚度在基板9的上表面91的整个面上大概均匀，在本实施方式中大约为50μm。此外，液膜的厚度不必一定均匀。
当形成液膜的步骤结束时，通过控制部8的控制，开始通过冻结部4的喷嘴旋转机构42使冷却气体喷嘴41转动，冷却气体喷嘴41在基板9的中央部与边缘之间反复进行往复移动。并且，从设置于基板处理装置1a的外部的冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体，从冷却气体喷嘴41朝向旋转中的基板9的上表面91供给冷却气体。由此，向基板9的上表面91的整个面供给冷却气体，上表面91上的第二液体的液膜被冷却而冻结（步骤S41）。下面将冻结的液膜称为“冻结膜”。此外，在基板处理装置1a中，还可以从停止在基板9的中央部的上方的冷却气体喷嘴41供给冷却气体，通过基板9的旋转使冷却气体从基板9的中央部向外缘部扩散，由此形成冻结膜（在后述的基板处理装置1b中也同样）。
在基板9上，浸入到基板9与颗粒等之间的第二液体冻结（凝固）而体积增加，由此颗粒等从基板9浮起微小距离。结果，颗粒等与基板9之间的附着力减小，颗粒等从基板9脱离。另外，在第二液体冻结时，体积沿着与基板9的上表面91平行的方向增加，从而也使附着于基板9的颗粒等从基板9剥离。
当形成冻结膜的步骤结束时，停止从冻结部4供给冷却气体，冷却气体喷嘴41从基板9的上方移动至外侧。接着，增大通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度，变更为比形成冻结膜时的旋转速度大的旋转速度。基板9的转速例如为1500rpm～2500rpm，在本实施方式中为2000rpm。
接着，通过控制部8控制加热液供给部6，从加热液供给部6朝向基板9的上表面91供给加热液。加热液通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91的整个面。由此，上表面91上的冻结膜被快速解冻（即，液化），与加热液一起从基板9的边缘向外侧飞散（步骤S42）。将附着于基板9的上表面91上的颗粒等与从基板9上飞散的液体一起从基板9上除去。从基板9上向外侧飞散的液体被罩部21接受并回收。在基板处理装置1中，加热液供给部6发挥向基板9上的冻结膜供给解冻用液体即加热液来除去冻结膜的冻结膜除去部的作用。
当除去冻结膜的步骤结束时，从省略图示的冲洗液供给部向基板9的上表面91上供给冲洗液（例如为常温的去离子水），对基板9进行冲洗处理（步骤S43）。冲洗处理中的基板9的转速优选为300rpm～1000rpm，在本实施方式中为800rpm。然后，将基板9的转速变更为1500rpm～3000rpm（在本实施方式中为2000rpm），进行通过基板9的旋转除去基板9上的冲洗液的干燥处理（步骤S44）。当基板9的干燥处理结束时，通过基板旋转机构5使基板9停止旋转（步骤S45）。
如上面说明那样，在基板处理装置1a中，基板9被温度为第二液体的凝固点以下的第一液体预冷之后，在基板9的上表面91上形成第二液体的液膜，该液膜被来自冻结部4的冷却气体冷却而形成冻结膜。因此，抑制液膜吸收基板9的热而使液膜的温度上升的情况。结果，能够缩短冻结液膜所需的时间。另外，与不对基板9进行预冷就形成液膜并冻结的情况相比，即使来自冻结部4的冷却气体的温度高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制通过冻结部4冻结液膜所需的冷却成本。
在基板处理装置1a中，通过由第一液体供给部31对基板9进行的预冷动作，基板9被冷却至第二液体的凝固点以下的温度。由此，能够防止基板9的上表面91上的液膜吸收基板9的热而使液膜的温度上升。结果，能够进一步缩短冻结液膜所需的时间。另外，能够进一步抑制冻结部4冻结液膜所需的冷却成本。进而，从第二液体供给部32供给的第二液体被预先冷却，从而能够更进一步缩短冻结液膜所需的时间，能够更进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。
如上述那样，在基板处理装置1a中，在对基板9进行预冷时，向基板9的上表面91供给具有蚀刻性能的功能液即第一液体，由此颗粒等与基板9之间的附着力进一步减小。结果，能够提高从基板9除去颗粒等的除去率。另外，在对基板9进行预冷时，从第三液体供给部33供给至基板9的下表面92的第三液体的一部分成为粒状的凝固体而与颗粒等碰撞。由此，也能够除去附着于基板9的下表面92的颗粒等。而且，从第三液体供给部33向基板9供给的第三液体被预先冷却，因此能够使第三液体的一部分迅速地凝固来形成粒状的凝固体。
基板9上的冻结膜由体积膨胀率比较大的纯水形成，因此与由其它液体形成冻结膜的情况相比，能够更进一步减小颗粒等对基板9的附着力。结果，更能够提高从基板9除去颗粒等的除去率。另外，通过供给加热液来从基板9除去冻结膜，能够与冻结膜一起高效地除去附着于基板9的颗粒等。在基板处理装置1a中，加热液为与形成冻结膜的第二液体同样的液体，从而能够在对冻结膜进行解冻时回收从基板9飞散的液体并再利用。
接着，对本发明的第三实施方式的基板处理装置进行说明。图5是示出第三实施方式的基板处理装置1b的结构的图。在基板处理装置1b中，省略图3所示的基板处理装置1a中的第三液体供给部33，第一液体供给部31配置于基板9的下方。在图5所示的基板处理装置1b中，从第一液体供给部31朝向基板9的下表面92的中央部供给预先冷却至第二液体的凝固点以下的温度的第一液体。其它结构与图3所示的基板处理装置1a相同，在下面的说明中，对于对应的结构标注相同的附图标记。在基板处理装置1b中，也与基板处理装置1a同样地，作为第一液体利用作为具有蚀刻性能的功能液中的一种的氢氟酸，作为第二液体利用纯水，更有选利用去离子水。
图6是示出基板处理装置1b中的基板9的处理过程的一部分的图。在基板处理装置1b中，首先，与基板处理装置1a同样地，将基板9搬入至腔室7内并被基板保持部2保持，通过控制部8的控制，开始通过基板旋转机构5使基板9旋转（步骤S51）。基板9的转速例如为300rpm～900rpm，在本实施方式中为400rpm。
接着，通过控制部8控制第一液体供给部31，开始从第一液体供给部31向基板9的下表面92供给第一液体（步骤S52）。第一液体预先被冷却至第二液体的凝固点以下的温度（例如为-5℃～0℃）。供给至基板9的下表面92的第一液体，通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到下表面92的整个面，并且从基板9的边缘向外侧飞散。从基板9飞散的液体被罩部21接受并回收。
在基板处理装置1b中，一边通过基板旋转机构5使基板9旋转，一边从第一液体供给部31朝向基板9的下表面92持续供给规定时间的第一液体。由此，基板9被预冷，基板9的整体的温度变为0℃（即，第二液体的凝固点）以下（步骤S53）。当基板9的预冷结束时，停止从第一液体供给部31供给第一液体（步骤S54）。
接着，减小通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度，变更为比预冷时的旋转速度小的旋转速度。基板9的转速例如为50rpm～300rpm，在本实施方式中为80rpm。然后，通过控制部8控制第二液体供给部32，由此开始朝向被预冷了的基板9的上表面91的中央部供给预先冷却至低于常温的温度（例如为1℃）的第二液体（步骤S55）。供给至基板9的上表面91的第二液体通过基板9的旋转从基板9的中央部向外缘部扩散。经过规定时间后，停止供给第二液体（步骤S56）。
在基板处理装置1b中，在低速旋转的基板9的上表面91上，供给至上表面91上的第二液体的一部分从基板9的中央部朝向边缘运动，并从基板9向外侧飞散。并且，在基板9的上表面91上形成第二液体的薄的液膜（步骤S57）。液膜的厚度在基板9的上表面91的整个面上大概均匀，在本实施方式中大约为50μm。此外，液膜的厚度不必一定均匀。
当形成液膜的步骤结束时，与图3所示的基板处理装置1a同样地，通过控制部8控制冻结部4，从在基板9的中央部与边缘之间反复进行往复移动的冷却气体喷嘴41朝向旋转中的基板9的上表面91供给冷却气体。由此，向基板9的上表面91的整个面供给冷却气体，上表面91上的第二液体的液膜冻结而形成冻结膜（图4A中的步骤S41）。
当形成冻结膜的步骤结束时，停止从冻结部4供给冷却气体，基板9的旋转速度变更为比形成冻结膜时的旋转速度大的旋转速度。接着，通过控制部8控制加热液供给部6，从加热液供给部6朝向基板9的上表面91供给加热液。加热液通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91的整个面。由此，上表面91上的冻结膜被快速解冻（即，被液化），与加热液一起从基板9的边缘向外侧飞散（步骤S42）。附着于基板9的上表面91的颗粒等与从基板9上飞散的液体一起从基板9上除去。从基板9向外侧飞散的液体被罩部21接受并回收。
当除去冻结膜的步骤结束时，向基板9的上表面91上供给冲洗液（例如为常温的去离子水），对基板9进行冲洗处理（步骤S43）。然后，使基板9的旋转速度变大，进行通过基板9的旋转除去基板9上的冲洗液的干燥处理（步骤S44）。当基板的干燥处理结束时，使基板9停止旋转（步骤S45）。
如上面说明那样，在基板处理装置1b中，基板9被温度为第二液体的凝固点以下的第一液体预冷之后，在基板9的上表面91上形成第二液体的液膜，该液膜被来自冻结部4的冷却气体冷却而形成冻结膜。因此，与图3所示的基板处理装置1a同样地，能够抑制因基板9的热引起的液膜的温度上升，能够缩短冻结液膜所需的时间。另外，能够抑制冻结部4冻结液膜所需的冷却成本。
在基板处理装置1b中，与图3所示的基板处理装置1a同样地，基板9被预冷至第二液体的凝固点以下的温度。由此，能够进一步缩短冻结液膜所需的时间。另外，能够进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。进而，通过从第二液体供给部32供给的第二液体被预先冷却，能够更进一步缩短冻结液膜所需的时间，能够更进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。
如上述那样，在基板处理装置1b中，在对基板9进行预冷时，向基板9的下表面92供给第一液体。因此，不需在形成第二液体的液膜之前在基板9上将第一液体置换为第二液体的工序。结果，能够缩短基板9的冻结清洗处理所需的时间。另外，通过利用具有蚀刻性能的功能液来作为第一液体，能够高效地除去基板9的下表面92的颗粒等。
图7是示出本发明的第四实施方式的基板处理装置1c的结构的图。如图7所示，基板处理装置1c是逐张地处理半导体基板9（下面仅称为“基板9”）的单张式的装置。在基板处理装置1c中进行如下冻结清洗处理，即，通过在基板9上形成冻结膜并除去该冻结膜，来从基板9上除去颗粒等。
基板处理装置1c具有基板保持部2、罩部21、第一液体供给部31、第二液体供给部32、冻结部4、基板旋转机构5、加热液供给部6、腔室7、控制部8。控制部8控制第一液体供给部31、第二液体供给部32、冻结部4、基板旋转机构5以及加热液供给部6等的结构。基板保持部2在腔室7内以基板9的一个主面91（下面称为“上表面91”）朝向上侧的状态保持基板9。在基板9的上表面91上形成有电路图案等。罩部21在腔室7内包围基板9以及基板保持部2的周围。基板旋转机构5使基板9与基板保持部2一起，以穿过基板9的中心并且与基板9的上表面91垂直的旋转轴为中心，在水平面内旋转。
第一液体供给部31朝向基板9的上表面91的中央部喷出预先冷却的液体。另外，从第二液体供给部32朝向基板9的另一个主表面92（下面称为“下表面92”）的中央部喷出与从第一液体供给部31供给的液体相同的液体。在本实施方式中，从第一液体供给部31以及第二液体供给部32分别向基板9的上表面91以及下表面92供给冷却至大约0.5℃的纯水（优选为去离子水（DIW））。
冻结部4朝向基板9的上表面91供给冷却气体。冷却气体是被冷却至比从第一液体供给部31供给的纯水的凝固点即0℃低的温度的气体。冻结部4具有：冷却气体喷嘴41，喷出冷却气体；喷嘴旋转机构42，使冷却气体喷嘴41以旋转轴421为中心水平地旋转。喷嘴旋转机构42具有从旋转轴421沿着水平方向延伸并且安装有冷却气体喷嘴41的臂部422。作为冷却气体，采用被冷却了的氮（N2）气。冷却气体的温度，优选为-100℃～-20℃，在本实施方式中大约为-50℃。
加热液供给部6朝向基板9的上表面91的中央部供给被加热了的液体即加热液。在图7中，为了便于图示，将加热液供给部6描画在第一液体供给部31的上方，但是实际上，在第一液体供给部31从基板9的上方退避到外侧的状态下，加热液供给部6从基板9的外侧移动至上方。另外，在第一液体供给部31位于基板9的上方时，加热液供给部6从基板9的上方向规避至外侧。作为加热液，采用加热至高于常温的温度的纯水（优选去离子水）。加热液的温度，优选为50℃～90℃，在本实施方式中大约为80℃。
图8是示出基板处理装置1c中的基板9的处理过程的图。在基板处理装置1c中，首先，将基板9搬入至腔室7内并被基板保持部2保持，通过控制部8的控制，通过基板旋转机构5使基板9开始旋转（步骤S61）。基板9的转速例如为300rpm～900rpm，在本实施方式中为400rpm。
接着，通过控制部8控制第一液体供给部31以及第二液体供给部32，开始从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给纯水，开始从第二液体供给部32向基板9的下表面92供给纯水（步骤S62、S63）。供给至基板9的上表面91以及下表面92的纯水，通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91以及下表面92的整个面，并从基板9的边缘向外侧飞散。从基板9飞散的纯水被罩部21接受并回收。
在基板处理装置1c中，从第一液体供给部31以及第二液体供给部32持续供给规定时间的纯水，基板9的温度被冷却至与从第一液体供给部31以及第二液体供给部32供给的纯水的温度大致相同的温度（步骤S64）。在下面的说明中，将步骤S64中的基板9的冷却称为“预冷”。在本实施方式中，通过预冷使基板9的整体冷却至大约0.5℃。
然后，减小通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度，变更为比对基板9进行预冷时的旋转速度小的旋转速度。基板9的转速例如为50rpm～300rpm，在本实施方式中为80rpm。接着，停止从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给纯水（步骤S65）。在基板处理装置1c中，在低速旋转的基板9的上表面91上，残留在上表面91上的纯水的一部分从基板9的中央部朝向边缘运动，并从基板9向外侧飞散。并且，在基板9的上表面91上形成纯水的薄的液膜（步骤S66）。液膜的厚度在基板9的上表面91的整个面上大概均匀，在本实施方式中大约为50μm。此外，液膜的厚度不必一定均匀。
在基板处理装置1c中，在基板9的上表面91上形成液膜时，也通过第二液体供给部32向旋转中的基板9的下表面92持续地供给纯水，来对基板9的下表面92进行冷却。换而言之，第二液体供给部32是向液膜形成中的基板9的下表面92供给被冷却了的冷却用液体来对基板9进行冷却的冷却部。
当形成液膜的步骤结束时，停止从第二液体供给部32供给纯水（步骤S67）。接着，通过控制部8的控制，通过冻结部4的喷嘴旋转机构42使冷却气体喷嘴41开始旋转，冷却气体喷嘴41在基板9的中央部和边缘之间反复进行往复移动。然后，从设置于基板处理装置1c的外部的冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体，从冷却气体喷嘴41朝向旋转中的基板9的上表面91供给冷却气体。由此，向基板9的上表面91的整个面供给冷却气体，上表面91上的液膜被冷却而冻结（步骤S68）。下面将冻结的液膜称为“冻结膜”。此外，在基板处理装置1c中，还可以从停止在基板9的中央部的上方的冷却气体喷嘴41供给冷却气体，通过基板9的旋转使冷却气体从基板9的中央部向外缘部扩散，由此形成冻结膜。
在基板9上，浸入到基板9与颗粒等之间的纯水冻结（凝固）而体积增加，由此颗粒等从基板9浮起微小距离。结果，颗粒等与基板9之间的附着力减小，颗粒等从基板9脱离。另外，在纯水冻结时，通过使体积沿着与基板9的上表面91平行的方向增加，也使附着于基板9的颗粒等从基板9剥离。
当形成冻结膜的步骤结束时，停止从冻结部4供给冷却气体，冷却气体喷嘴41从基板9的上方向外侧移动。接着，通过基板旋转机构5使基板9的旋转速度增加，变更为比形成冻结膜时的旋转速度大的旋转速度。基板9的转速例如为1500rpm～2500rpm，在本实施方式中为2000rpm。
接着，通过控制部8控制加热液供给部6，从加热液供给部6朝向基板9的上表面91供给加热液。加热液通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91的整个面。由此，上表面91上的冻结膜快速解冻（即，被液化），与加热液一起从基板9的边缘向外侧飞散（步骤S69）。将附着于基板9的上表面91的颗粒等与从基板9上飞散的液体一起从基板9上除去。从基板9上向外侧飞散的液体被罩部21接受并回收。在基板处理装置1c中，加热液供给部6发挥向基板9上的冻结膜供给作为解冻用液体的加热液来除去冻结膜的冻结膜除去部的作用。
当除去冻结膜的步骤结束时，从省略图示的冲洗液供给部向基板9的上表面91上供给冲洗液（例如为常温的去离子水），对基板9进行冲洗处理（步骤S70）。冲洗处理中的基板9的转速优选为300rpm～1000rpm，在本实施方式中为800rpm。然后，将基板9的转速变更为1500rpm～3000rpm（在本实施方式中为2000rpm），进行通过基板9的旋转除去基板9上的冲洗液的干燥处理（步骤S71）。当基板9的干燥处理结束时，通过基板旋转机构5使基板9停止旋转（步骤S72）。
如上面说明那样，在基板处理装置1c中，在基板9的上表面91上形成液膜时，旋转中的基板9的下表面92被第二液体供给部32冷却。由此，抑制在形成液膜时基板9以及液膜的温度上升。结果，在通过冻结部4进行冷却时，能够缩短冻结液膜所需的时间。另外，即使来自冻结部4的冷却气体的温度变高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制通过冻结部4冻结液膜所需的冷却成本。
在基板处理装置1c中，优选从第二液体供给部32向基板9的下表面92供给纯水的动作一直进行到即将开始通过冻结部4向基板9供给冷却气体为止。由此，能够在将基板9以及液膜的温度维持得低的状态下，开始冻结液膜。
但是，在形成液膜时不对基板的下表面进行冷却的基板处理装置（下面称为“比较例的基板处理装置”）中，若用于形成液膜的基板的旋转时间即液膜的形成时间变长，则从基板的周围的气体等流入基板以及液膜的热量增大，从而基板以及液膜的温度会上升。
图9是示出比较例的基板处理装置中的液膜的形成时间和在基板上的规定位置处的液膜的厚度以及液膜的温度间的关系的图。图9的横轴表示液膜的形成时间，左侧以及右侧的纵轴分别表示在基板上的规定位置处的液膜的厚度以及液膜的温度。图9中的实线95表示液膜的厚度，虚线96表示液膜的温度。
如图9所示，当使液膜的形成时间变长时，虽然可以使液膜变薄，但是液膜的温度会上升，从而冻结液膜所需的时间变长，或者需要使从冻结部供给的冷却气体的温度非常低。因此，在比较例的基板处理装置中，无法充分地确保液膜的形成时间，难以使液膜薄至所希望的厚度。液膜的厚度关系到从基板除去颗粒等的除去率，当液膜的厚度与所希望的厚度相差大时，颗粒等的除去率会降低。
相对于此，在本实施方式的基板处理装置1c中，如上述那样，能够在形成液膜时从下表面92对基板9进行冷却，来抑制基板9以及液膜的温度上升。因此，能够充分地确保液膜的形成时间，能够形成所希望的厚度的液膜。结果，能够提高从基板9除去颗粒等的除去率。
在基板处理装置1c中，通过第二液体供给部32向基板9的下表面92供给作为冷却用液体的纯水，从而与向基板9的下表面92供给冷却气体来进行冷却的情况相比，能够在形成液膜时高效地对基板9进行冷却。此外，在冻结液膜时，虽然使残留在基板9的下表面92上的纯水也与上表面91上的液膜一起冻结，但是由于基板9的热容量大于上表面91以及下表面92上的纯水的热容量，因此冻结下表面92上的纯水所需要的热量，比因通过预冷来抑制基板9的温度上升而不需要的热量小。因此，在基板处理装置1c中冻结液膜所需的热量，比在比较例的基板处理装置中冻结液膜所需的热量小。
在基板处理装置1c中，从第二液体供给部32向下表面92供给的液体与从第一液体供给部31向上表面91供给的液体相同，因此简化基板处理装置1c的结构，例如能够共用第一液体供给部31以及第二液体供给部32的配管的一部分，或者共用该配管的冷却机构等。另外，能够集中回收供给至基板9的上表面91以及下表面92的液体，并再利用于基板处理装置1c的处理中。
如上述那样，基板9上的冻结膜由体积膨胀率比较大的纯水形成，因此与由其它液体形成冻结膜的情况相比，能够更进一步减小颗粒等相对于基板9的附着力。结果，能够提高从基板9除去颗粒等的除去率。另外，通过供给加热液来从基板9除去冻结膜，能够与冻结膜一起高效地除去附着于基板9的颗粒等。在基板处理装置1c中，加热液采用与从第一液体供给部31以及第二液体供给部32供给的液体同样的液体，从而还能够回收再利用对冻结膜进行解冻时从基板9飞散的液体。
在基板处理装置1c中，作为在形成液膜中对基板9进行冷却的冷却部，还可以设置朝向基板9的下表面92供给被冷却了的气体（例如氮气）的机构，来代替第二液体供给部32。这样，通过在对基板9进行冷却时利用气体，在基板9的旋转速度比形成液膜时的基板9的旋转速度小的形成冻结膜时，不必担心纯水从基板9的下表面92绕到上表面91而冻结，从而能够提高冻结膜的膜厚的均匀性。
图10是示出本发明的第五实施方式的基板处理装置1d的结构的图。如图10所示，基板处理装置1d是逐张地处理半导体基板9（下面仅称为“基板9”）的单张式的装置。在基板处理装置1d中进行如下冻结清洗处理，即，通过在基板9上形成冻结膜并除去该冻结膜，来从基板9上除去颗粒等。
基板处理装置1d具有基板保持部2、罩部21、处理气体供给部3、制冷剂供给部4a、基板旋转机构5、加热液供给部6、腔室7、湿度计71、控制部8。控制部8具有：湿度控制部81，用于控制腔室7内的湿度；冷却气体温度控制部82，用于控制后述的冷却气体的温度。控制部8控制处理气体供给部3、制冷剂供给部4a、基板旋转机构5以及加热液供给部6等的结构。
基板保持部2在腔室7内以基板9的一个主面91（下面称为“上表面91”）朝向上侧的状态保持基板9。基板保持部2具有：大致为圆板状的保持部主体22；多个支撑部23，设置在保持部主体22上。多个支撑部23支撑基板9的另一个主面即下表面92。在基板9的下表面92和保持部主体22之间设置有间隙。在基板9的上表面91上形成有电路图案等。罩部21在腔室7内包围基板9以及基板保持部2的周围。基板旋转机构5使基板9与基板保持部2一起，以穿过基板9的中心并且与基板9的上表面91垂直的旋转轴为中心，在水平面内旋转。
处理气体供给部3向腔室7的内部空间供给常温的洁净气体。处理气体供给部3具有：气体配管36，用于连接设置于基板处理装置1d的外部的干气供给源（省略图示）和腔室7；流量调整部37，用于调整来自干气供给源的洁净且未加湿的干气的流量；加湿部35，用于向干气添加水蒸气。在下面的说明中，将从处理气体供给部3向腔室7内供给的气体称为“处理气体”。作为干气，利用空气、氮（N2）气等。处理气体从腔室7上部的供给口34供给并朝向腔室7的底部运动，然后从腔室7的底部附近向外部排出。在基板处理装置1d中，通过湿度计71测定腔室7内的湿度，并将所测定的湿度输出至控制部8的湿度控制部81。湿度控制部81控制处理气体供给部3的加湿部35，以使由湿度计71测定到的湿度变为规定的目标湿度。
制冷剂供给部4a朝向基板9的上表面91供给作为制冷剂的冷却气体。冷却气体是冷却至比纯水的凝固点（0℃）低的温度的气体。制冷剂供给部4a具有：冷却气体喷嘴41，用于喷出冷却气体；喷嘴移动机构42，使冷却气体喷嘴41以旋转轴421为中心水平地旋转。喷嘴移动机构42具有从旋转轴421沿着水平方向延伸并且安装有冷却气体喷嘴41的臂部422。作为冷却气体，采用被冷却了的氮气。从制冷剂供给部4a供给的冷却气体的温度由冷却气体温度控制部82控制，在本实施方式中控制在-100℃～5℃的范围内。
加热液供给部6朝向基板9的上表面91的中央部供给被加热了的液体即加热液。作为加热液，采用加热至比常温高的温度的纯水（优选去离子水）。加热液的温度优选为50℃～90℃，在本实施方式中大约为80℃。
图11是示出基板处理装置1d中的基板9的处理过程的图。在基板处理装置1d中，首先，基板9搬入至腔室7内并被基板保持部2保持。当腔室7的搬入口关闭时，通过控制部8的湿度控制部81控制处理气体供给部3，将未通过加湿部35添加水蒸气的干气作为处理气体向腔室7内供给，直到腔室7内的湿度变为规定的第一湿度。
接着，通过加湿部35向干气添加水蒸气，腔室7内的湿度变为比第一湿度高的规定的第二湿度（步骤S81）。在基板处理装置1d中，通过湿度控制部81控制处理气体供给部3，来持续供给处理气体，以使腔室7内的湿度维持在第二湿度。接着，通过控制部8的控制，通过基板旋转机构5使基板9开始旋转（步骤S82）。基板9的转速例如为10rpm～500rpm，在本实施方式中为50rpm。
然后，从设置于基板处理装置1d的外部的冷却气体供给源向制冷剂供给部4a的冷却气体喷嘴41供给冷却气体，从冷却气体喷嘴41朝向旋转中的基板9的上表面91的中央部供给冷却气体。冷却气体通过基板9的旋转扩散至上表面91的整个面，从而基板9的整体被冷却。由此，腔室7内的处理气体中的水分（纯水）结露在基板9的上表面91上，从而形成覆盖上表面91的整体的纯水的薄的液膜（步骤S83）。换而言之，制冷剂供给部4a是冷却基板9的基板冷却部，是在基板9的上表面91上形成遍及整个面的纯水的液膜的液膜形成部。此外，在基板9的下表面92也产生结露现象。
当形成液膜的步骤结束时，通过控制部8的控制，开始通过制冷剂供给部4a的喷嘴移动机构42使冷却气体喷嘴41旋转，冷却气体喷嘴41在基板9的中央部和外缘部之间反复进行往复移动。由此，向基板9的整个上表面91供给冷却气体，上表面91上的液膜被冷却而冻结（步骤S84）。下面，将冻结的液膜称为“冻结膜”。在基板处理装置1d中，制冷剂供给部4a也发挥冷却基板9的上表面91上的液膜来使该液膜冻结的冻结部的功能。
这样，在基板处理装置1d中，在冻结液膜时，一边通过基板旋转机构5使基板9旋转，一边从通过喷嘴移动机构42进行往复移动的冷却气体喷嘴41向基板9的上表面91供给冷却气体。由此，无论在基板9的径向上的哪个位置，上表面91都会与冷却气体喷嘴41相向，从而能够提高基板9的上表面91上的冷却的均匀性。
在基板9上，浸入到基板9与颗粒等之间的纯水冻结（凝固）而体积增加，由此颗粒等从基板9浮起微小距离。结果，颗粒等和基板9之间的附着力减小，颗粒等从基板9脱离。另外，在纯水冻结时，体积沿着与基板9的上表面91平行的方向增加，从而也使附着于基板9的颗粒等从基板9剥离。
在制冷剂供给部4a中，基于冷却气体喷嘴41的位置，控制从在基板9的中央部与外缘部之间进行往复移动的冷却气体喷嘴41供给的冷却气体的温度。具体地说，通过冷却气体温度控制部82控制制冷剂供给部4a，使在与基板9的外缘部相向的位置上从冷却气体喷嘴41喷出的冷却气体的温度，比在与基板9的中央部相向的位置上从冷却气体喷嘴41喷出的冷却气体的温度低。换而言之，从冷却气体喷嘴41供给至基板9的外缘部的冷却气体的温度比供给至基板9的中央部的冷却气体的温度低。
在基板处理装置1d中，通过在基板9的周围朝向下方流动的常温的处理气体，使基板9的外缘部的温度比基板9的中央部的温度更容易接近常温。因此，如上述那样，通过使从冷却气体喷嘴41供给的冷却气体的温度在基板9的外缘部比在中央部低，能够进一步提高基板9的上表面91上的冷却的均匀性。
当形成冻结膜的步骤结束时，停止从制冷剂供给部4a供给冷却气体，冷却气体喷嘴41从基板9的上方移动至外侧。接着，通过基板旋转机构5使基板9旋转的旋转速度加快，变更为比形成冻结膜时的旋转速度大的旋转速度。基板9的转速例如为1500rpm～2500rpm，在本实施方式中为2000rpm。
接着，通过控制部8控制加热液供给部6，从加热液供给部6朝向基板9的上表面91供给加热液。加热液通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91的整个面。由此，上表面91上的冻结膜被快速解冻（即，被液化），与加热液一起从基板9的边缘向外侧飞散（步骤S85）。将附着于基板9的上表面91的颗粒等与从基板9上飞散的液体一起从基板9上除去。从基板9上向外侧飞散的液体被罩部21接受并回收。在基板处理装置1d中，加热液供给部6发挥去部向基板9上的冻结膜供给作为解冻用液体的加热液来除去冻结膜的冻结膜除去部的作用。
当除去冻结膜的步骤结束时，从省略图示的冲洗液供给部向基板9的上表面91上供给冲洗液（例如常温的去离子水），对基板9进行冲洗处理（步骤S86）。冲洗处理中的基板9的转速优选为300rpm～1000rpm，在本实施方式中为800rpm。然后，将基板9的转速变更为1500rpm～3000rpm（在本实施方式中为2000rpm），进行通过基板9的旋转除去基板9上的冲洗液的干燥处理（步骤S87）。当基板9的干燥处理结束时，停止通过基板旋转机构5使基板9的旋转（步骤S88）。
如上面说明那样，在基板处理装置1d中，通过在基板9的上表面91上使纯水结露来形成液膜。由此，能够省略朝向基板9的上表面91喷出供给液膜形成用的液体的结构。结果，能够使基板处理装置1d实现小型化。另外，与通过基板的旋转使液体从基板的中央部向外缘部扩散来形成液膜的情况相比，能够在基板9的整个上表面91上容易地形成薄的液膜。这样，通过使液膜变薄，能够缩短冻结液膜所需的时间。进而，即使来自制冷剂供给部4a的冷却气体的温度变高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制通过制冷剂供给部4a冻结液膜所需的冷却成本。
在基板处理装置1d中，通过制冷剂供给部4a对基板9进行冷却，从而在基板9的上表面91上使纯水结露来形成液膜。由此，由于在基板9的上表面91上形成低于常温的温度的液膜，因此能够进一步缩短冻结液膜所需的时间。另外，能够进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。
如上述那样，制冷剂供给部4a发挥在基板9的上表面91上形成液膜的液膜形成部和冷却该液膜来使该液膜冻结的冻结部的双重作用。由此，能够简化基板处理装置1d的结构。另外，在基板9的上表面91上形成液膜时，通过湿度控制部81使腔室7内的湿度维持在规定的第二湿度上。由此，能够使基板9上的结露速度（即，在单位时间内液化的纯水的量）维持恒定，能够容易地形成所希望的厚度的液膜。
在基板处理装置1d中，通过加热液供给部6供给加热液来从基板9除去冻结膜，由此能够与冻结膜一起高效地除去附着于基板9的颗粒等。另外，通过利用形成冻结膜的纯水来作为加热液，能够回收并再利用对冻结膜进行解冻时从基板9飞散的液体。
在基板处理装置1d中，也可以在步骤S84中，从配置于基板9的中央部的上方并相对于该中央部固定的冷却气体喷嘴41，朝向基板9的上表面91的中央部供给冷却气体，通过基板9的旋转使冷却气体从基板9的中央部向外缘部扩散来形成冻结膜。
另外，在步骤S83中，也可以一边使冷却气体喷嘴41在旋转中的基板9的中央部和外缘部之间进行往复移动，一边从冷却气体喷嘴41向基板9的上表面91供给冷却气体。由此，在形成液膜时，也能够提高基板9的上表面91上的冷却的均匀性。
此外，在步骤S83、S84中，只要通过喷嘴移动机构42使冷却气体喷嘴41相对于基板9移动即可，例如也可以在使冷却气体喷嘴41固定的状态下，使基板9与基板保持部2一起移动。在该情况下，也能够提高基板9的上表面91上的冷却的均匀性。
接着，对本发明的第六实施方式的基板处理装置进行说明。图12是示出第六实施方式的基板处理装置1e的结构的图。在基板处理装置1e中，制冷剂供给部4a配置于基板9的下方，从制冷剂供给部4a的冷却气体喷嘴41a朝向基板9的下表面92的中央部供给作为制冷剂的冷却气体。其它结构与图10所示的基板处理装置1d同样，在下面的说明中，对于对应的结构标注相同的附图标记。
基板处理装置1e中的基板9的处理过程与图11所示的基板处理装置1d中的处理过程同样，因此下面参照图11来进行说明。在基板处理装置1e中，首先，与基板处理装置1d同样地，将基板9搬入至腔室7内并被基板保持部2保持，通过处理气体供给部3供给处理气体来使腔室7内的湿度形成为第一湿度。接着，通过控制部8的湿度控制部81基于湿度计71的输出控制处理气体供给部3，从而使腔室7内的湿度形成为比第一湿度高的规定的第二湿度，并维持第二湿度（步骤S81）。另外，通过基板旋转机构5使基板9开始旋转（步骤S82）。基板9的转速例如为10rpm～500rpm，在本实施方式中为50rpm。
接着，从作为基板冷却部的制冷剂供给部4a朝向旋转中的基板9的下表面92的中央部供给冷却气体。冷却气体通过基板9的旋转扩散至下表面92的整个面，从而基板9的整体被冷却。由此，腔室7内的处理气体中的水分（纯水）在基板9的上表面91上结露，在上表面91上形成纯水的薄的液膜（步骤S83）。此外，在基板9的下表面92上也产生结露。
在形成液膜的步骤结束之后，也持续从制冷剂供给部4a供给冷却气体。冷却气体通过基板9的旋转供给至基板9的下表面92的整个面，上表面91上的液膜被冷却而冻结，由此形成冻结膜（步骤S84）。当形成冻结膜的步骤结束时，停止从制冷剂供给部4a供给冷却气体，使通过基板旋转机构5使基板9的旋转速度增加，变更为比形成冻结膜时的旋转速度大的旋转速度。基板9的转速例如为1500rpm～2500rpm，在本实施方式中为2000rpm。
接着，从加热液供给部6朝向基板9的上表面91供给加热液，加热液通过基板9的旋转从基板9的中央部朝向外缘部扩散到上表面91的整个面上。由此，上表面91上的冻结膜被快速解冻（即，被液化），与加热液一起从基板9的边缘向外侧飞散（步骤S85）。将附着于基板9的上表面91的颗粒等与从基板9上飞散的液体一起从基板9上除去。从基板9上向外侧飞散的液体被罩部21接受并回收。
当除去冻结的步骤膜结束时，向基板9的上表面91上供给冲洗液（例如常温的去离子水），对基板9进行冲洗处理（步骤S86）。然后，使基板9的旋转速度变大，进行通过基板9的旋转除去基板9上的冲洗液的干燥处理（步骤S87）。当基板9的干燥处理结束时，使基板9停止旋转（步骤S88）。
如上面说明那样，在基板处理装置1e中，与图10所示的基板处理装置1d同样地，通过在基板9的上表面91上使纯水结露来形成液膜。由此，能够省略朝向基板9的上表面91喷出供给液膜形成用的液体的结构。结果，能够使基板处理装置1e实现小型化。另外，能够在基板9上容易地形成薄的液膜，因此能够缩短冻结液膜所需的时间。进而，即使来自制冷剂供给部4a的冷却气体的温度变高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41a供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制通过制冷剂供给部4a冻结液膜所需的冷却成本。
在基板处理装置1e中，通过由制冷剂供给部4a对基板9进行冷却，能够在基板9的上表面91上使纯水结露来形成比常温低的温度的液膜，因此能够缩短冻结液膜所需的时间，也能够进一步抑制冻结液膜所需的冷却成本。另外，制冷剂供给部4a发挥在基板9的上表面91上形成液膜的液膜形成部和冷却该液膜来使该液膜冻结的冻结部的双重作用，由此能够简化基板处理装置1e的结构。
在基板处理装置1e中，在步骤S83、S84中，在不移动制冷剂供给部4a的冷却气体喷嘴41a的情况下形成液膜以及形成冻结膜。因此，能够省略移动冷却气体喷嘴41a的机构，能够简化基板处理装置1e的结构。
另一方面，在基板处理装置1e中，也可以通过设置使冷却气体喷嘴41a在基板9的中央部和外缘部之间进行往复移动的喷嘴移动机构，来在步骤S83、S84中提高基板9的上表面91上的冷却的均匀性。此外，只要通过喷嘴移动机构使却气体喷嘴41a相对于基板9移动即可，例如也可以在使冷却气体喷嘴41a固定的状态下，使基板9与基板保持部2一起移动。在该情况下，也能够提高基板9的上表面91上的冷却的均匀性。
上面对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，可以进行各种变更。
例如，在基板处理装置1中，也可以从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给除了纯水之外的液体（例如含氢水、碳酸水、SCI（氨过氧化氢溶液）、叔丁醇（TBA））被过冷却了的过冷却液，通过使该过冷却液的液膜冻结来形成冻结膜。
在基板处理装置1、1a～lc中，也可以通过向基板9的上表面91供给温度比形成液膜的液体的凝固点低的除了氮之外的冷却气体（例如氧、空气、臭氧、氩），来通过冻结部4冻结液膜。可以通过向基板9的下表面92供给温度比形成液膜的液体的凝固点低的冷却气体或液体，来冻结液膜。另外，也可以在加热液供给部6中，除了纯水之外的各种液体作为解冻用液体被加热至比常温高的温度，然后供给至基板9的上表面91。另外，也可以利用常温以下的液体来作为解冻用液体。
在第一实施方式中，在基板9的上表面91上形成液膜之前以及在形成液膜时，从作为冷却部的第二液体供给部32向基板9的下表面92供给纯水的过冷却液，由此对下表面92进行冷却，但是也可以通过供给除了纯水之外的液体被过冷却了的过冷却液，来对下表面92进行冷却。另外，可以从冷却部向下表面92供给温度比常温低的未被过冷却的液体（更优选温度比在基板9的上表面91上形成液膜的液体的凝固点低的液体）来对基板9的下表面92进行冷却，也可以通过供给温度比常温低的气体来对基板9的下表面92进行冷却。
在基板处理装置1中，只要在形成液膜中的液膜的温度上升处于允许范围内，则可以省略通过冷却部对基板9的下表面92进行冷却的步骤。另外，只要因液膜吸收基板9的热而产生的温度上升处于允许范围内，则可以省略步骤S14中的对基板9进行预冷的步骤。在该情况下，在通过冻结部4开始冻结处理时，液膜的温度可能会达到凝固点以上，但是与向基板9的上表面91供给温度比凝固点高的液体来形成液膜的情况相比，能够缩短冻结液膜所需的时间，另外，能够抑制冻结部4冻结液膜所需的冷却成本。
例如，在第二实施方式的基板处理装置1a中，从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给的第一液体不必一定是具有蚀刻性能的功能液，例如也可以是异丙醇（IPA：凝固点为-89.5℃）等那样不具有蚀刻性能的液体。
在基板处理装置1a中，也可以在步骤S36中停止供给第一液体以及第三液体之后，且在步骤S37中开始供给第二液体之前，通过基板9的旋转进行从基板9上除去第一液体以及第三液体的干燥工序。在该情况下，在步骤S38中不用通过第二液体置换第一液体。另外，在基板处理装置1a中，在不需要进行基板9的下表面92的清洗处理的情况下，可以省略第三液体供给部33。
在基板处理装置1a以及基板处理装置1b中，只要供给第二液体的凝固点以下的温度的液体来作为第一液体即可，不必一定使第一液体的凝固点比第二液体的凝固点低。例如，第一液体也可以是被冷却至凝固点以下的温度的（即，被过冷却了）的第二液体同样的液体。在第二液体为温度比0℃高且比常温低的纯水的情况下，第一液体也可以是被过冷却至0℃以下的纯水。此外，过冷却指，在物质的相变中，物质即使处于要发生变化的温度以下而其状态不发生变化的状态。其中，通过利用具有比第二液体的凝固点低的凝固点的液体来作为第一液体，能够使从第一液体供给部31供给的第一液体的温度容易地变为第二液体的凝固点以下。
在基板处理装置1a中，只要供给第三液体的凝固点以下的温度的液体来作为第一液体即可，不必一定使第一液体的凝固点比第三液体的凝固点低，也可以利用对与第三液体同样的液体进行了过冷却的液体来作为第一液体。其中，通过作为第一液体利用具有比第三液体的凝固点低的凝固点的液体，能够使从第一液体供给部31供给的第一液体的温度容易地变为第三液体的凝固点以下。
在基板处理装置1a以及基板处理装置1b中，虽然优选通过第一液体供给部31进行预冷动作，来使基板9的整体的温度（至少是基板9的上表面91的温度）变为第二液体的凝固点以下，但是只要通过第二液体的凝固点以下的温度的第一液体对基板9进行预冷即可，可以使预冷后的基板9的温度高于第二液体的凝固点。另外，不必对从第二液体供给部32供给的第二液体进行预先冷却。
从基板处理装置1c的第二液体供给部32向基板9的下表面92供给的液体并不限定于纯水。例如也可以从第二液体供给部32向基板9的下表面92供给被冷却了的碳酸水、含氢水等。另外，也可以将异丙醇、氢氟酸等那样凝固点比从第一液体供给部31供给的纯水的凝固点低的液体，以被冷却至纯水的凝固点以下的温度的状态向基板9的下表面92供给。或者，也可以向基板9的下表面92供给被过冷却至凝固点以下的温度的纯水。这样，通过向基板9的下表面92供给从第一液体供给部31供给的纯水的凝固点以下的低温的液体，能够更进一步抑制在形成液膜时基板9以及液膜的温度上升。
在基板处理装置1c中，从第一液体供给部31向基板9的上表面91供给的液体，不必一定是预先进行了冷却的纯水，例如也可以向基板9的上表面91供给常温的纯水，通过该纯水来形成液膜。在该情况下，能够省略向第一液体供给部31供给纯水的机构的冷却设备、绝热设备等，从而能够简化基板处理装置1c的结构。另外，也可以从第一液体供给部31供给除了纯水之外的液体（碳酸水、含氢水、SCI（氨过氧化氢溶液）、叔丁醇（TBA）等），通过该液体形成液膜。
在第六实施方式的基板处理装置1e中，也可以设置朝向基板9的下表面92喷出液状的制冷剂（即，冷却液）的冷却液喷嘴，来代替制冷剂供给部4a的冷却气体喷嘴41a。在该情况下，从制冷剂供给部4a供给的冷却液的温度比纯水的凝固点即0℃低。优选来自冷却液喷嘴的冷却液填充并保持在基板9的下表面92和基板保持部2之间。由此，高效地对基板9进行冷却。
在第五以及第六实施方式的基板处理装置1d、1e中，制冷剂供给部4a发挥在基板9的上表面91上形成液膜的液膜形成部和冷却该液膜来使该液膜冻结的冻结部的双重作用，但是也可以单独地设置液膜形成部和冻结部。例如可以在基板处理装置上设置基板处理装置1d的冷却气体喷嘴41和基板处理装置1e的冷却气体喷嘴41a两者，通过作为液膜形成部的冷却气体喷嘴41a向基板9的下表面92供给冷却气体来在基板9的上表面91上形成液膜，通过作为冻结部的冷却气体喷嘴41向基板9的上表面91供给冷却气体来使液膜冻结。
在基板处理装置1d、1e中，在步骤S83、S84中进行的基板9的冷却动作并不一定限定于通过供给制冷剂来实现，可以在在基板保持部2的保持部主体22上设置冷却机构，通过接近基板9的下表面92的保持部主体22对基板9进行冷却。或者，通过使基板保持部2与基板9的下表面92接触，来对基板9进行冷却。在该情况下，基板保持部2发挥基板冷却部的作用。
在基板处理装置1d、1e中，不必一定对基板9进行冷却来在基板9上形成液膜。例如也可以通过由控制部8的湿度控制部81来控制处理气体供给部3并向腔室7内供给水蒸气处于过饱和状态的处理气体（即，水蒸气的分压力处于比饱和水蒸气压高的状态的处理气体），来使水蒸气在常温的基板9上液化，由此在基板9的上表面91上形成液膜。在该情况下，供给过饱和状态的处理气体的处理气体供给部3发挥液膜形成部的功能。
通过基板处理装置1、1a～le处理的基板也可以是光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED（Field Emission Display：场致发射显示器）用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等。
上述实施方式以及各变形例的结构能够在不相互矛盾的情况下适当地组合。
详细地描写说明了本发明，但是上述的说明是例示而非限定。因此，可以理解为在不脱离本发明的范围的情况下，进行各种变形以及形成各种方式。
Claims (30)
1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：
腔室；
基板保持部，在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态；
液体供给部，向上述基板的上述一个主面供给被过冷却至低于凝固点的温度的过冷却液；
基板旋转机构，通过使被供给了上述过冷却液的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，在上述一个主面上形成液膜；
冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，通过从上述液体供给部向上述基板的上述一个主面供给上述过冷却液，来使上述一个主面的温度变为比上述过冷却液的凝固点低的温度之后，通过上述基板旋转机构形成上述液膜。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有冷却部，在形成上述液膜时，该冷却部对旋转中的上述基板的另一个主面进行冷却。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述冷却部向上述另一个主面供给上述过冷却液。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，上述过冷却液为纯水。
6.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：
腔室；
基板保持部，在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态；
第一液体供给部，向上述基板供给预先被冷却了的第一液体来对上述基板进行预冷；
第二液体供给部，向被预冷了的上述基板的上述一个主面供给具有上述第一液体的温度以上的凝固点的第二液体；
基板旋转机构，通过使被供给了上述第二液体的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，在上述一个主面上形成上述第二液体的液膜；
冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二液体供给部向上述基板供给预先被冷却了的上述第二液体。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，通过上述第一液体供给部进行的预冷动作，上述基板的温度变为上述第二液体的凝固点以下。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有第三液体供给部，该第三液体供给部朝向上述基板的另一个主面供给具有上述第一液体的温度以上的凝固点的第三液体，
一边通过上述基板旋转机构使上述基板旋转，一边从上述第一液体供给部朝向上述基板的上述一个主面供给被冷却至上述第三液体的凝固点以下的上述第一液体，并且从上述第三液体供给部朝向上述基板的上述另一个主面供给上述第三液体。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一液体供给部朝向上述基板的另一个主面供给上述第一液体。
11.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二液体为纯水。
12.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一液体是具有蚀刻性能的功能液。
13.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：
腔室；
基板保持部，在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态；
液体供给部，向上述基板的上述一个主面供给液体；
基板旋转机构，通过使被供给上述液体的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，在上述一个主面上形成上述液体的液膜；
冷却部，在形成上述液膜时，该冷却部对旋转中的上述基板的另一个主面进行冷却；
冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述冷却部向上述基板的上述另一个主面供给被冷却了的冷却用液体。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述冷却用液体与从上述液体供给部供给的上述液体相同。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述冷却部朝向上述基板的上述另一个主面供给被冷却了的气体。
17.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，从上述液体供给部供给的上述液体为纯水。
18.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：
腔室；
基板保持部，在上述腔室内保持基板；
液膜形成部，使纯水在上述基板的一个主面上结露来在上述一个主面上形成液膜；
冻结部，使上述液膜冷却来使该液膜冻结。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，上述液膜形成部是对上述基板进行冷却的基板冷却部。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板冷却部也是上述冻结部。
21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板冷却部朝向上述基板的另一个主面供给冷却气体。
22.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有基板旋转机构，该基板旋转机构使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，
一边通过上述基板旋转机构使上述基板旋转，一边从上述基板冷却部朝向上述基板的上述一个主面的中央部或者另一个主面的中央部供给冷却气体。
23.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有基板旋转机构，该基板旋转机构使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转；
上述基板冷却部具有：冷却气体喷嘴，向上述基板供给冷却气体；喷嘴移动机构，使上述冷却气体喷嘴在上述基板的中央部与外缘部之间相对地往复移动；
一边通过上述基板旋转机构使上述基板旋转，一边从通过上述喷嘴移动机构进行往复移动的上述冷却气体喷嘴朝向上述基板的上述一个主面或者另一个主面供给冷却气体。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有冷却气体温度控制部，该冷却气体温度控制部用于控制从上述基板冷却部向上述基板供给的冷却气体的温度，
从上述冷却气体喷嘴向上述基板的上述外缘部供给的冷却气体的温度比从上述冷却气体喷嘴向上述基板的上述中央部供给的冷却气体的温度低。
25.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，还具有湿度控制部，该湿度控制部用于控制上述腔室内的湿度。
26.根据权利要求1至25中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有冻结膜除去部，该冻结膜除去部向冻结了的上述液膜即冻结膜供给被加热了的解冻用液体来除去上述冻结膜。
27.一种处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：
a）向在腔室内被保持为一个主面朝向上侧的状态的基板的上述一个主面供给被过冷却至比凝固点低的温度的过冷却液的工序；
b）通过使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转来在上述一个主面上形成液膜的工序；
c）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
28.一种处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：
a）向在腔室内被保持为一个主面朝向上侧的状态的基板供给预先被冷却了的第一液体来对上述基板进行预冷的工序；
b）通过向上述基板的上述一个主面供给具有上述第一液体的温度以上的凝固点的第二液体，并使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，来在上述一个主面上形成上述第二液体的液膜的工序；
c）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
29.一种处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：
a）向在腔室内被保持为一个主面朝向上侧的状态的基板的上述一个主面供给液体的工序；
b）通过一边对上述基板的另一个主面进行冷却，一边使上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转，来在上述一个主面上形成上述液体的液膜的工序；
c）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
30.一种处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：
a）在腔室内使纯水在基板的一个主面上结露来在上述一个主面上形成液膜的工序；
b）使上述液膜冷却来使该液膜冻结的工序。
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-287744 | 2011-12-28 | ||
| JP2011-287742 | 2011-12-28 | ||
| JP2011287742A JP5918997B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011287745A JP5816544B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011287744A JP5865073B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011-287745 | 2011-12-28 | ||
| JP2011287743A JP2013138074A (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011-287743 | 2011-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103187340A true CN103187340A (zh) | 2013-07-03 |
| CN103187340B CN103187340B (zh) | 2016-08-03 |
Family
ID=48678438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210555069.1A Expired - Fee Related CN103187340B (zh) | 2011-12-28 | 2012-12-19 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130167877A1 (zh) |
| KR (2) | KR101465523B1 (zh) |
| CN (1) | CN103187340B (zh) |
| TW (1) | TWI493616B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106716532A (zh) * | 2014-10-14 | 2017-05-24 | Hoya株式会社 | 磁盘用基板的制造方法 |
| CN107251191A (zh) * | 2015-02-27 | 2017-10-13 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理装置的控制方法 |
| CN107706130A (zh) * | 2016-08-09 | 2018-02-16 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
| CN110190016A (zh) * | 2013-09-02 | 2019-08-30 | 斯克林集团公司 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| CN115121551A (zh) * | 2021-03-29 | 2022-09-30 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 基板处理装置 |
| TWI831268B (zh) * | 2022-03-22 | 2024-02-01 | 日商鎧俠股份有限公司 | 基板處理裝置以及基板處理方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9536757B2 (en) * | 2013-09-06 | 2017-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device manufacturing cleaning process using vaporized solvent |
| JP6216274B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2017-10-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| EP3340280A1 (en) * | 2016-12-26 | 2018-06-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| JP6770468B2 (ja) | 2017-03-23 | 2020-10-14 | キオクシア株式会社 | 凍結洗浄装置 |
| JP6811675B2 (ja) | 2017-04-28 | 2021-01-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7010629B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-01-26 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
| JP6954793B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2021-10-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 |
| JP7224981B2 (ja) * | 2019-03-15 | 2023-02-20 | キオクシア株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7321052B2 (ja) * | 2019-10-17 | 2023-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
| KR102500591B1 (ko) * | 2020-02-25 | 2023-02-15 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
| US20210323036A1 (en) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate treatment device |
| CN114121715A (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-01 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0423761A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
| JPH1131673A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| CN1811307A (zh) * | 2005-01-28 | 2006-08-02 | 大日本网目版制造株式会社 | 冰浆的制造装置以及基板处理装置 |
| CN101145502A (zh) * | 2006-09-13 | 2008-03-19 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法 |
| US20080121251A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Katsuhiko Miya | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962776A (en) * | 1987-03-26 | 1990-10-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Process for surface and fluid cleaning |
| JP2009099721A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却方法および基板冷却装置 |
| JP5114278B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-01-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5315189B2 (ja) | 2009-09-28 | 2013-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011204712A (ja) | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2012
- 2012-12-19 CN CN201210555069.1A patent/CN103187340B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-20 KR KR1020120149764A patent/KR101465523B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-27 TW TW101150443A patent/TWI493616B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-12-28 US US13/730,443 patent/US20130167877A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-09-11 KR KR20140120033A patent/KR101487652B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0423761A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
| JPH1131673A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| CN1811307A (zh) * | 2005-01-28 | 2006-08-02 | 大日本网目版制造株式会社 | 冰浆的制造装置以及基板处理装置 |
| CN101145502A (zh) * | 2006-09-13 | 2008-03-19 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法 |
| US20080121251A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Katsuhiko Miya | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110190016A (zh) * | 2013-09-02 | 2019-08-30 | 斯克林集团公司 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| CN110190016B (zh) * | 2013-09-02 | 2022-10-21 | 斯克林集团公司 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| CN106716532A (zh) * | 2014-10-14 | 2017-05-24 | Hoya株式会社 | 磁盘用基板的制造方法 |
| CN106716532B (zh) * | 2014-10-14 | 2019-07-02 | Hoya株式会社 | 磁盘用基板的制造方法 |
| CN107251191A (zh) * | 2015-02-27 | 2017-10-13 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理装置的控制方法 |
| CN107706130A (zh) * | 2016-08-09 | 2018-02-16 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
| CN107706130B (zh) * | 2016-08-09 | 2021-05-11 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
| CN115121551A (zh) * | 2021-03-29 | 2022-09-30 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 基板处理装置 |
| CN115121551B (zh) * | 2021-03-29 | 2024-02-23 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 基板处理装置 |
| TWI831268B (zh) * | 2022-03-22 | 2024-02-01 | 日商鎧俠股份有限公司 | 基板處理裝置以及基板處理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201340198A (zh) | 2013-10-01 |
| KR101465523B1 (ko) | 2014-11-26 |
| KR101487652B1 (ko) | 2015-02-02 |
| CN103187340B (zh) | 2016-08-03 |
| US20130167877A1 (en) | 2013-07-04 |
| KR20140130373A (ko) | 2014-11-10 |
| TWI493616B (zh) | 2015-07-21 |
| KR20130076726A (ko) | 2013-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103187340A (zh) | 基板处理装置以及基板处理方法 | |
| US11355337B2 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
| KR100332707B1 (ko) | 아르곤에의한표면세정 | |
| CN102592970B (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
| JP2012074564A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US5660047A (en) | Refrigeration system and method for cooling a susceptor using a refrigeration system | |
| KR20200036027A (ko) | 기판 건조 방법 및 기판 건조 장치 | |
| JP2828891B2 (ja) | 表面洗浄方法および表面洗浄装置 | |
| JP5665217B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2013138075A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP5801678B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR101188948B1 (ko) | 드라이아이스 분사 시스템 | |
| JP7051947B2 (ja) | 基板処理装置、および基板処理方法 | |
| US20210276055A1 (en) | Substrate treatment device | |
| US20210323036A1 (en) | Substrate treatment device | |
| US20230271231A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2012175036A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR20080040173A (ko) | 응축기 냉각장치 | |
| US20210299713A1 (en) | Substrate treatment device | |
| US20220068671A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR20210108311A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR100237893B1 (ko) | 식각액 열 교환장치 | |
| JP2002168483A (ja) | 氷蓄熱方法および氷蓄熱装置 | |
| JP2837826B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| KR20220121716A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Kyoto City, Kyoto Prefecture, Japan Applicant after: DAINIPPON SCREEN MFG Address before: Kyoto City, Kyoto Prefecture, Japan Applicant before: Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD. TO: SCREEN GROUP CO., LTD. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160803 Termination date: 20201219 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |