KR20220121716A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20220121716A
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cooling gas
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KR1020220020171A
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마사야 가미야
겐스케 데무라
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 온도에 면 내 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 배치 가능한 배치대를 갖고, 배치된 상기 기판을 회전 가능한 배치부와, 상기 배치대와, 상기 기판 사이의 공간에, 냉각 가스를 공급 가능한 냉각 노즐과, 상기 기판의, 상기 배치대측과는 반대의 면에 액체를 공급 가능한 액체 공급부, 그리고 상기 냉각 노즐의, 상기 냉각 가스의 배출측에 설치된 분산판을 구비하고 있다. 상기 분산판은, 두께 방향을 관통하는 제1 구멍을 갖고 있다. 상기 냉각 노즐의 중심축을 따른 방향에서 보아, 상기 제1 구멍은, 상기 냉각 노즐의 중심축에 겹치는 위치에 형성되어 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}
본 발명의 실시형태는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
임프린트용 템플릿, 포토리소그래피용 마스크, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 부착된 파티클 등의 오염물을 제거하는 방법으로서, 동결 세정법이 제안되어 있다.
동결 세정법에서는, 예컨대, 세정에 이용하는 액체로서 순수(純水)를 이용하는 경우, 먼저, 회전시킨 기판의 표면에 순수와 냉각 가스를 공급한다. 다음으로, 순수의 공급을 멈추고, 공급한 순수의 일부를 배출하여 기판의 표면에 수막(水膜)을 형성한다. 수막은, 기판에 공급된 냉각 가스에 의해 동결된다. 수막이 동결되어 빙막(氷膜)이 형성될 때에, 파티클 등의 오염물이 빙막에 받아들여짐으로써 기판의 표면으로부터 분리된다. 다음으로, 빙막에 순수를 공급하여 빙막을 융해하고, 순수와 함께 오염물을 기판의 표면으로부터 제거한다.
그러나, 기판의, 수막이 형성된 측에 냉각 가스를 공급하면, 수막의 표면측(수막의, 기판측과는 반대측)부터 동결이 시작되게 된다. 수막의 표면측으로부터 동결이 시작되면, 기판의 표면에 부착되어 있는 불순물을 기판의 표면으로부터 분리하는 것이 곤란해진다.
그래서, 기판의 이면(기판의, 수막이 형성되는 측과는 반대측의 면)에 냉각 가스를 공급하는 기술이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
그러나, 단순히, 기판의 이면에 냉각 가스를 공급하면, 기판의 면 내에 온도분포의 불균일이 발생하는 경우가 있다. 기판의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하면, 오염물의 제거율을 향상시키는 것이 곤란해진다.
그래서, 기판의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치의 개발이 요망되고 있었다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2018-026436호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 배치 가능한 배치대를 갖고, 배치된 상기 기판을 회전 가능한 배치부와, 상기 배치대와, 상기 기판 사이의 공간에, 냉각 가스를 공급 가능한 냉각 노즐과, 상기 기판의, 상기 배치대측과는 반대의 면에 액체를 공급 가능한 액체 공급부, 그리고 상기 냉각 노즐의, 상기 냉각 가스의 배출측에 설치된 분산판을 구비하고 있다. 상기 분산판은, 두께 방향을 관통하는 제1 구멍을 갖고 있다. 상기 냉각 노즐의 중심축을 따른 방향에서 보아, 상기 제1 구멍은, 상기 냉각 노즐의 중심축에 겹치는 위치에 형성되어 있다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 기판의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치가 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 예시하기 위한 모식도이다.
도 2의 (a)는 분산부를 예시하기 위한 모식 평면도이다. (b)는 (a)에서의 분산부의 A-A선 단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 작용을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 4는 기판의 중심으로부터 외주에 걸친 해동 직전의 동결막의 온도를 도시한 도면이다.
도 5는 기판의 중심으로부터 외주에 걸친 제거율을 도시한 도면이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 분산부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 분산부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 8의 (a)는 다른 실시형태에 따른 분산부를 예시하기 위한 모식도이다. (b)는 날개를 예시하기 위한 사시도이다. (c)는 (a)에서의 분산부의 B-B선 단면도이다. (d)는 (a)에서의 분산부의 C-C선 단면도이다.
도 9는 다른 실시형태에 따른 지지부를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 10은 다른 실시형태에 따른 직경 확대부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 11은 다른 실시형태에 따른 직경 확대부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 12는 분산부에 설치된 날개의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해 예시한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절히 생략한다.
이하에 예시하는 기판(100)은, 예컨대, 반도체 웨이퍼, 임프린트용 템플릿, 포토리소그래피용 마스크, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)에 이용되는 판형상체 등으로 할 수 있다.
이 경우, 기판(100)은, 표면에 패턴인 요철부가 형성되어 있는 기판이어도 좋고, 요철부가 형성되기 전의 기판(예컨대, 이른바 벌크 기판)이어도 좋다.
또한, 이하에서는, 일례로서, 기판(100)이, 포토리소그래피용 마스크인 경우를 설명한다. 기판(100)이, 포토리소그래피용 마스크인 경우에는, 기판(100)의 평면 형상은, 대략 사각형으로 할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에는, 배치부(2), 냉각부(3), 제1 액체 공급부(4), 제2 액체 공급부(5), 케이스(6), 송풍부(7), 검출부(8), 배기부(9), 분산부(10), 및 컨트롤러(11)가 설치되어 있다.
배치부(2)는, 배치대(2a), 회전축(2b), 및 구동부(2c)를 갖는다.
배치대(2a)는, 케이스(6)의 내부에 회전 가능하게 설치되어 있다. 배치대(2a)는, 판 형상을 나타내고 있다. 배치대(2a)의 한쪽의 주면(主面)에는, 기판(100)을 지지하는 복수의 지지부(2a1)가 설치되어 있다. 기판(100)을 복수의 지지부(2a1)에 지지시킬 때에는, 기판(100)의 표면(100b)(세정을 행하는 측의 면)이, 배치대(2a)측과는 반대쪽을 향하도록 한다.
복수의 지지부(2a1)에는, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리(에지)가 접촉한다. 지지부(2a1)의, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리와 접촉하는 부분은, 테이퍼면 또는 경사면으로 할 수 있다. 지지부(2a1)의, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리와 접촉하는 부분이, 테이퍼면으로 되어 있으면, 지지부(2a1)와, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리를 점접촉시킬 수 있다. 지지부(2a1)의, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리와 접촉하는 부분이, 경사면으로 되어 있으면, 지지부(2a1)와, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리를 선접촉시킬 수 있다. 지지부(2a1)와, 기판(100)의 이면(100a)의 가장자리를 점접촉 또는 선접촉시키면, 기판(100)에 오염이나 손상 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 배치대(2a)의 중앙 부분에는, 배치대(2a)의 두께 방향을 관통하는 구멍(2aa)이 형성되어 있다.
회전축(2b)은, 통 형상을 나타내고 있다. 회전축(2b)의 한쪽의 단부측은, 배치대(2a)에 접합되어 있다. 회전축(2b)의 다른쪽의 단부측은, 케이스(6)의 외부에 설치되어 있다. 회전축(2b)은, 케이스(6)의 외부에 있어서 구동부(2c)와 접속되어 있다.
회전축(2b)의, 배치대(2a)측과는 반대측의 단부에는, 후술하는 냉각 노즐(3d)이 부착되어 있다. 회전축(2b)의, 배치대(2a)측과는 반대측의 단부와, 냉각 노즐(3d) 사이에는, 도시하지 않은 회전축 시일이 설치되어 있다. 그 때문에, 회전축(2b)의, 배치대(2a)측과는 반대측의 단부는, 기밀하게 되도록 밀봉되어 있다.
구동부(2c)는, 케이스(6)의 외부에 설치되어 있다. 구동부(2c)는, 회전축(2b)과 접속되어 있다. 구동부(2c)는, 모터 등의 회전 기기를 가질 수 있다. 구동부(2c)의 회전력은, 회전축(2b)을 통해 배치대(2a)에 전달된다. 그 때문에, 구동부(2c)에 의해 배치대(2a), 나아가서는 배치대(2a)에 배치된 기판(100)을 회전시킬 수 있다.
또한, 구동부(2c)는, 회전의 개시와 회전의 정지뿐만이 아니라, 회전수(회전 속도)를 변화시킬 수 있다. 구동부(2c)는, 예컨대, 서보 모터 등의 제어 모터를 구비한 것으로 할 수 있다.
즉, 배치부(2)는, 기판(100)을 배치 가능한 배치대(2a)를 갖고, 배치된 기판(100)을 회전 가능하다.
냉각부(3)는, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에, 냉각 가스(3a1)를 공급한다. 냉각부(3)는, 냉각액부(3a), 필터(3b), 유량 제어부(3c), 및 냉각 노즐(3d)을 갖는다. 냉각액부(3a), 필터(3b), 및 유량 제어부(3c)는, 케이스(6)의 외부에 설치되어 있다.
냉각액부(3a)는, 냉각액의 수납, 및 냉각 가스(3a1)의 생성을 행한다. 냉각액은, 냉각 가스(3a1)를 액화한 것이다. 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 재료와 반응하기 어려운 가스이면 특별히 한정은 없다. 냉각 가스(3a1)는, 예컨대, 질소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 등의 불활성 가스로 할 수 있다.
이 경우, 비열이 높은 가스를 이용하면 기판(100)의 냉각 시간을 단축할 수 있다. 예컨대, 헬륨 가스를 이용하면 기판(100)의 냉각 시간을 단축할 수 있다. 또한, 질소 가스를 이용하면 기판(100)의 처리 비용을 저감시킬 수 있다.
냉각액부(3a)는, 냉각액을 수납하는 탱크와, 탱크에 수납된 냉각액을 기화시키는 기화부를 갖는다. 탱크에는, 냉각액의 온도를 유지하기 위한 냉각 장치가 설치되어 있다. 기화부는, 냉각액의 온도를 상승시켜, 냉각액으로부터 냉각 가스(3a1)를 생성한다. 기화부는, 예컨대, 외기 온도를 이용하거나, 열매체에 의한 가열을 이용하거나 할 수 있다. 냉각 가스(3a1)의 온도는, 액체(101)의 응고점 이하의 온도이면 되고, 예컨대, -170℃로 할 수 있다.
또한, 탱크에 수납된 냉각액을 기화시킴으로써 냉각 가스(3a1)를 생성하는 냉각액부(3a)를 예시하였으나, 질소 가스 등을 칠러 등으로 냉각하여, 냉각 가스(3a1)로 할 수도 있다. 이와 같이 하면, 냉각액부를 간소화할 수 있다.
필터(3b)는, 배관을 통해, 냉각액부(3a)에 접속되어 있다. 필터(3b)는, 냉각액에 포함되어 있던 파티클 등의 오염물이, 기판(100)측으로 유출되는 것을 억제한다.
유량 제어부(3c)는, 배관을 통해, 필터(3b)에 접속되어 있다. 유량 제어부(3c)는, 냉각 가스(3a1)의 유량을 제어한다. 유량 제어부(3c)는, 예컨대, MFC(Mass Flow Controller) 등으로 할 수 있다. 또한, 유량 제어부(3c)는, 냉각 가스(3a1)의 공급 압력을 제어함으로써 냉각 가스(3a1)의 유량을 간접적으로 제어하는 것이어도 좋다. 이 경우, 유량 제어부(3c)는, 예컨대, APC(Auto Pressure Controller) 등으로 할 수 있다.
냉각액부(3a)에 있어서 냉각액으로부터 생성된 냉각 가스(3a1)의 온도는, 대략 소정의 온도로 되어 있다. 그 때문에, 유량 제어부(3c)에 의해, 냉각 가스(3a1)의 유량을 제어함으로써 기판(100)의 온도, 나아가서는 기판(100)의 표면(100b)에 있는 액체(101)의 온도를 제어할 수 있다. 이 경우, 유량 제어부(3c)에 의해, 냉각 가스(3a1)의 유량을 제어함으로써, 후술하는 과냉각 공정에서 액체(101)를 과냉각 상태로 할 수 있다.
냉각 노즐(3d)은, 통 형상을 나타내고 있다. 냉각 노즐(3d)의 한쪽의 단부는, 유량 제어부(3c)에 접속되어 있다. 냉각 노즐(3d)의 내부에는, 냉각 노즐(3d)의 중심축을 따르는 구멍(3d1)이 형성된다[도 2의 (b) 참조]. 냉각 노즐(3d)의 다른쪽의 단부[냉각 가스(3a1)의 배출측의 단부]에는, 직경 확대부(3da)가 형성되어 있다. 직경 확대부(3da)의 외경은, 예컨대, 원형이고, 냉각 노즐(3d)의, 유량 제어부(3c)측의 외경보다 크다. 직경 확대부(3da)의 외형은, 기판(100)의 외형보다 작은 것이 바람직하다. 예컨대, 직경 확대부(3da)의 외형은, 기판(100)의 내접원보다 작게 하면 좋다. 직경 확대부(3da)는, 배치대(2a)의 중앙 부분에 형성된 구멍(2aa)의 내부에 형성되어 있다. 직경 확대부(3da)의 단부면은, 배치대(2a)의, 기판(100)측의 면의 근방에 형성할 수 있다.
냉각 노즐(3d)은, 유량 제어부(3c)에 의해 유량이 제어된 냉각 가스(3a1)를, 냉각 노즐(3d)의 한쪽의 단부로부터 구멍(3d1)을 통해 직경 확대부(3da)에 공급한다. 직경 확대부(3da)에 공급된 냉각 가스(3a1)는, 분산부(10)에 충돌한 후, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간, 나아가서는, 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다.
제1 액체 공급부(4)는, 기판(100)의 표면(100b)에 액체(101)를 공급한다. 후술하는 동결 공정에서, 액체(101)가 고체로 변화하면 체적이 변화하기 때문에 압력파가 발생한다. 이 압력파에 의해, 기판(100)의 표면(100b)에 부착되어 있는 오염물이 분리된다고 생각된다. 그 때문에, 액체(101)는, 기판(100)의 재료와 반응하기 어려운 것이면 특별히 한정은 없다. 또한, 과냉각 상태의 액체(101)는, 액막의 온도 불균일에 의한 밀도 변화, 파티클 등의 오염물의 존재, 진동 등이, 동결 개시의 기점이 되는 성질도 갖는다. 즉, 동결 개시의 기점은, 오염물이 되는 경우도 있다.
또한, 액체(101)를 동결했을 때에 체적이 증가하는 액체로 하면, 체적 증가에 따르는 물리력을 이용하여, 기판(100)의 표면에 부착되어 있는 오염물을 분리할 수 있다고도 생각된다. 그 때문에, 액체(101)는, 기판(100)의 재료와 반응하기 어렵고, 또한, 동결했을 때에 체적이 증가하는 액체로 하는 것이 바람직하다. 예컨대, 액체(101)는, 물(예컨대, 순수나 초순수 등)이나, 물을 주성분으로 하는 액체 등으로 할 수 있다. 물을 주성분으로 하는 액체는, 예컨대, 물과 알코올의 혼합액, 물과 산성 용액의 혼합액, 물과 알칼리 용액의 혼합액 등으로 할 수 있다.
또한, 액체(101)에는 가스를 용존시킬 수 있다. 가스는, 예컨대, 탄산 가스, 오존 가스, 수소 가스 등으로 할 수 있다.
제1 액체 공급부(4)는, 예컨대, 액체 수납부(4a), 공급부(4b), 유량 제어부(4c), 및 액체 노즐(4d)을 갖는다. 액체 수납부(4a), 공급부(4b), 및 유량 제어부(4c)는, 케이스(6)의 외부에 설치되어 있다.
액체 수납부(4a)는, 전술한 액체(101)를 수납한다. 액체(101)는, 응고점보다 높은 온도로 액체 수납부(4a)에 수납된다. 액체(101)의 온도는, 예컨대, 상온(20℃)이다.
공급부(4b)는, 배관을 통해, 액체 수납부(4a)에 접속되어 있다. 공급부(4b)는, 액체 수납부(4a)에 수납되어 있는 액체(101)를 액체 노즐(4d)을 향해 공급한다. 공급부(4b)는, 예컨대, 액체(101)에 대한 내성을 갖는 펌프 등이다.
유량 제어부(4c)는, 배관을 통해, 공급부(4b)에 접속되어 있다. 유량 제어부(4c)는, 공급부(4b)에 의해 공급된 액체(101)의 유량을 제어한다. 유량 제어부(4c)는, 예컨대, 유량 제어 밸브로 할 수 있다. 또한, 유량 제어부(4c)는, 액체(101)의 공급의 개시와 공급의 정지도 행할 수 있다.
액체 노즐(4d)은, 케이스(6)의 내부에 설치되어 있다. 액체 노즐(4d)은, 통 형상을 나타내고 있다. 액체 노즐(4d)의 한쪽의 단부는, 배관을 통해, 유량 제어부(4c)에 접속되어 있다. 액체 노즐(4d)의 다른쪽의 단부는, 배치대(2a)에 배치된 기판(100)의 표면(100b)에 대향하고 있다. 그 때문에, 액체 노즐(4d)로부터 토출된 액체(101)는, 기판(100)의 표면(100b)에 공급된다.
또한, 액체 노즐(4d)의 다른쪽의 단부[액체(101)의 토출구]는, 기판(100)의 표면(100b)의 대략 중앙에 위치하고 있다. 액체 노즐(4d)로부터 토출된 액체(101)는, 기판(100)의 표면(100b)의 대략 중앙으로부터 확산되어, 기판(100)의 표면(100b)에 있어서 대략 일정한 두께를 갖는 액막이 형성된다. 또한, 이하에서는, 기판(100)의 표면(100b)에 형성된 액체(101)의 막을 액막이라고 칭한다.
제2 액체 공급부(5)는, 기판(100)의 표면(100b)에 액체(102)를 공급한다.
제2 액체 공급부(5)는, 액체 수납부(5a), 공급부(5b), 유량 제어부(5c), 및 액체 노즐(4d)을 갖는다.
액체(102)는, 후술하는 해동 공정에서 이용할 수 있다. 그 때문에, 액체(102)는, 기판(100)의 재료와 반응하기 어렵고, 또한, 후술하는 건조 공정에서 기판(100)의 표면(100b)에 잔류하기 어려운 것이면 특별히 한정은 없다. 액체(102)는, 예컨대, 물(예컨대, 순수나 초순수 등)이나, 물과 알코올의 혼합액 등으로 할 수 있다.
액체 수납부(5a)는, 전술한 액체 수납부(4a)와 동일하게 할 수 있다. 공급부(5b)는, 전술한 공급부(4b)와 동일하게 할 수 있다. 유량 제어부(5c)는, 전술한 유량 제어부(4c)와 동일하게 할 수 있다.
또한, 액체(102)와 액체(101)가 동일한 경우에는, 제2 액체 공급부(5)를 생략할 수 있다. 또한, 액체 노즐(4d)을 겸용하는 경우를 예시하였으나, 액체(101)를 토출하는 액체 노즐과, 액체(102)를 토출하는 액체 노즐을 따로따로 설치할 수도 있다.
액체(102)의 온도는, 액체(101)의 응고점보다 높은 온도로 할 수 있다. 또한, 액체(102)의 온도는, 동결한 액체(101)를 해동할 수 있는 온도로 할 수 있다. 액체(102)의 온도는, 예컨대, 상온(20℃) 정도로 할 수 있다.
또한, 제2 액체 공급부(5)가 생략되는 경우에는, 해동 공정에서, 제1 액체 공급부(4)가 이용된다. 즉, 액체(101)를 이용한다. 액체(101)의 온도는, 동결한 액체(101)를 해동할 수 있는 온도로 할 수 있다. 액체(101)의 온도는, 예컨대, 상온(20℃) 정도로 할 수 있다.
케이스(6)는, 상자 형상을 나타내고 있다. 케이스(6)의 내부에는 커버(6a)가 설치되어 있다. 커버(6a)는, 기판(100)에 공급되어, 기판(100)이 회전함으로써 기판(100)의 외부로 배출된 액체(101, 102)를 받아낸다. 커버(6a)는, 통 형상을 나타내고 있다. 커버(6a)의, 배치대(2a)측과는 반대측의 단부의 근방[커버(6a)의 상단 근방]은, 커버(6a)의 중심을 향해 굴곡되어 있다. 그 때문에, 기판(100)의 상방으로 비산하는 액체(101, 102)의 포착을 용이하게 할 수 있다.
또한, 케이스(6)의 내부에는 구획판(6b)이 설치되어 있다. 구획판(6b)은, 커버(6a)의 외면과, 케이스(6)의 내면 사이에 설치되어 있다.
케이스(6)의 바닥면측의 측면에는 복수의 배출구(6c)가 형성되어 있다. 도 1에 예시한 케이스(6)의 경우에는, 배출구(6c)가 2개 형성되어 있다. 사용이 끝난 냉각 가스(3a1), 공기(7a), 액체(101), 및 액체(102)는, 배출구(6c)로부터 케이스(6)의 외부로 배출된다. 배출구(6c)에는 배기관(6c1)이 접속되고, 배기관(6c1)에는 사용이 끝난 냉각 가스(3a1), 공기(7a)를 배기하는 배기부(9)(예컨대, 펌프)가 접속되어 있다. 또한, 배출구(6c)에는 액체(101, 102)를 배출하는 배출관(6c2)이 접속되어 있다.
배출구(6c)는 기판(100)보다 하방에 형성되어 있다. 그 때문에, 냉각 가스(3a1)가 배출구(6c)로부터 배기됨으로써 다운플로우의 흐름이 만들어진다. 그 결과, 파티클의 날아오름을 방지할 수 있다.
송풍부(7)는, 케이스(6)의 천장면에 설치되어 있다. 송풍부(7)는, 팬 등의 송풍기와 필터를 구비할 수 있다. 필터는, 예컨대, HEPA 필터(High Efficiency Particulate Air Filter) 등으로 할 수 있다.
송풍부(7)는, 구획판(6b)과 케이스(6)의 천장 사이의 공간에 공기(7a)(외기)를 공급한다. 그 때문에, 구획판(6b)과 케이스(6)의 천장 사이의 공간의 압력이 외부의 압력보다 높아진다. 그 결과, 송풍부(7)에 의해 공급된 공기(7a)를 배출구(6c)로 유도하는 것이 용이해진다. 또한, 파티클 등의 오염물이, 배출구(6c)로부터 케이스(6)의 내부로 침입하는 것을 억제할 수 있다.
검출부(8)는, 구획판(6b)과 케이스(6)의 천장 사이의 공간에 설치되어 있다. 검출부(8)는, 액막이나, 액체(101)가 동결된 동결막의 온도를 검출한다. 이 경우, 검출부(8)는, 예컨대, 방사 온도계, 서모뷰어, 열전대, 측온(測溫) 저항체로 할 수 있다. 또한, 검출부(8)는, 액막의 두께나, 동결막의 표면 위치를 검출하는 것으로 해도 좋다. 이 경우, 검출부(8)는, 예컨대, 레이저 변위계, 초음파 변위계 등으로 할 수 있다. 또한, 검출부(8)는, 액막의 표면 상태나, 동결막의 표면 상태를 검출하는 화상 센서 등으로 해도 좋다.
검출된 액막의 온도, 두께, 표면 상태는, 후술하는 과냉각 공정에서 액체(101)의 과냉각 상태를 제어하는 데 이용할 수 있다. 또한, 과냉각 상태를 제어한다란, 과냉각 상태에 있는 액체(101)의 온도 변화의 커브를 제어하여, 액체(101)가 급격히 냉각됨으로써 동결되지 않도록 하는 것, 즉, 과냉각 상태가 유지되도록 하는 것이다.
여기서, 단순히, 기판(100)의 이면(100a)에 냉각 가스(3a1)를 공급하면, 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 경우가 있다. 예컨대, 기판(100)의 열전도율이 낮은 경우 등에는, 기판(100)의, 냉각 가스(3a1)가 분무된 영역의 온도가 낮아지지만, 상기 영역으로부터 떨어진 영역의 온도는 상기 영역의 온도보다 높아진다. 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하면, 후술하는 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서, 기판(100)의 영역마다 오염물의 제거율이 불균일해져, 기판(100)의 전영역에서의 오염물의 제거율을 향상시키는 것이 어려워지는 경우가 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에는, 분산부(10)가 설치되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 분산부(10)[분산판(10a)]는, 냉각 노즐(3d)의, 냉각 가스(3a1)의 배출측에 설치되어 있다.
도 2의 (a)는 분산부(10)를 예시하기 위한 모식 평면도이다.
도 2의 (b)는 도 2의 (a)에서의 분산부(10)의 A-A선 단면도이다.
도 2의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 분산부(10)는, 예컨대, 분산판(10a), 및 지지부(10b)를 갖는다. 분산판(10a), 및 지지부(10b)는, 일체로 형성할 수 있다.
분산판(10a)은, 판 형상을 나타내고 있다. 분산판(10a)의 두께는, 기판(100)의 두께보다 얇은 것이 바람직하다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 분산판(10a)은, 냉각 가스(3a1)에 의해 냉각된다. 그 때문에, 분산판(10a)의 두께는, 열팽창에 견딜 수 있는 두께로 하는 것이 바람직하다. 열팽창에 견딜 수 있는 두께는, 예컨대, 2 ㎜이다. 또한, 분산판(10a)은, 금속 등의 열전도율이 좋은 재료로 하는 것이 바람직하다.
분산판(10a)은, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내부에 설치되어 있다. 분산판(10a)은, 직경 확대부(3da)의, 개구 근방에 설치할 수 있다. 구체적으로는, 냉각 노즐(3d)의 중심축을 따른 방향에 있어서, 배치대(2a)의 기판(100)측의 면과, 분산판(10a)의 기판(100)측의 면이 동일한 높이(동일 위치)가 되도록 설치한다. 즉, 지지부(2a1)에 지지된 기판(100)의 이면(100a)과 배치대(2a)의 기판(100)측의 면과의 거리와, 지지부(2a1)에 지지된 기판(100)의 이면(100a)과 분산판(10a)의 기판(100)측의 면과의 거리는, 동일하다.
분산판(10a)의 중심축은, 냉각 노즐(3d)의 중심축과 겹치는 위치에 형성할 수 있다. 즉, 분산판(10a)은, 냉각 노즐(3d)의 구멍(3d1) 바로 위에 설치할 수 있다. 분산판(10a)의 면은, 냉각 노즐(3d)의 중심축과 직교시킬 수 있다.
본 실시형태의 분산판(10a)의 평면 형상은, 원형이다. 그러나, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 분산판(10a)의 평면 형상은, 원형으로 간주할 수 있는 모서리가 짝수 개의 정다각형 등으로 할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 분산판(10a)에 접촉한 냉각 가스(3a1)의 일부는, 직경 확대부(3da)의 내부를 흐르고, 직경 확대부(3da)의 개구로부터 배출된다. 그 때문에, 분산판(10a)의 평면 형상이 원형이면, 분산판(10a)과 직경 확대부(3da)의 내벽 사이의 치수, 나아가서는 유로 저항을 대략 일정하게 할 수 있다. 따라서, 직경 확대부(3da)의 개구로부터 배출되는 냉각 가스(3a1)의 유속이나 유량에 치우침이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 분산판(10a)은, 두께 방향을 관통하는 구멍(10aa)(제1 구멍의 일례에 상당함)을 갖는다. 냉각 노즐(3d)의 중심축을 따른 방향에서 보아, 구멍(10aa)은, 냉각 노즐(3d)의 중심축에 겹치는 위치에 형성되어 있다. 예컨대, 구멍(10aa)은, 분산판(10a)의 중앙 부분에 형성되어 있다.
냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내부에 있어서, 지지부(10b)는, 분산판(10a)을 소정의 위치에 지지한다. 지지부(10b)는, 빔(beam) 형상을 나타내고, 분산판(10a)의 측면과, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내벽 사이에 설치되어 있다. 지지부(10b)의 두께는, 예컨대, 분산판(10a)의 두께와 동일하게 할 수 있다. 지지부(10b)는, 적어도 하나 설치되어 있으면 된다. 단, 복수의 지지부(10b)가 설치되어 있으면, 분산판(10a)의 위치나 자세를 안정시킬 수 있다.
도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 냉각 노즐(3d)의 구멍(3d1)의 내부를 흐른 냉각 가스(3a1)는, 분산판(10a)에 접촉하여 유동 방향이 변화한다. 이때, 분산판(10a)에 접촉한 냉각 가스(3a1)의 일부가, 분산판(10a)의 구멍(10aa)을 통해 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다. 분산판(10a)에 의해 유동 방향이 변화된 냉각 가스(3a1)는, 직경 확대부(3da)의 내부를 흐르고, 직경 확대부(3da)의 개구로부터 배출된다. 또한, 냉각 가스(3a1)의 일부를 직경 확대부(3da)의 내부에 체류시킬 수도 있다.
분산부(10)에 충돌한 후에, 직경 확대부(3da)의 개구로부터 배출된 냉각 가스(3a1)는, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간을 흐르고 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다.
분산부(10)[분산판(10a)]가 설치되어 있으면, 냉각 노즐(3d)로부터 기판(100)의 이면(100a)에 냉각 가스(3a1)를 직접 공급하는 경우에 비해, 기판의 중앙부에 냉각 가스(3a1)를 직접 부딪치지 않도록 할 수 있다. 그 때문에, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부가 기판(100)의 외주에 비해 지나치게 냉각되어 버리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 이면(100a)에 직접 공급되는 것보다 분산부(10)에 충돌하는 편이, 냉각 가스(3a1)의 온도를 낮은 상태로 유지할 수 있다(이에 대한 상세한 것은 후술함). 그 때문에, 기판(100)의 이면(100a)에 직접 공급하는 경우보다 냉각 가스(3a1)의 온도가 낮은 상태를 유지한 채로 보다 넓은 영역에 공급할 수 있다. 따라서, 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 후술하는 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서, 기판(100)의 영역마다 오염물의 제거율이 불균일해지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 기판(100)의 전영역에서의 오염물의 제거율을 향상시킬 수 있다.
기판(100)의 면 내에서의 온도 분포의 불균일은, 분산판(10a)의 평면 치수(D1)나, 구멍(10aa)의 단면 치수(예컨대, 직경)에 의해 조정할 수 있다.
본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 분산판(10a)의 평면 치수(D1)는, 냉각 노즐(3d)의 구멍(3d1)의 직경(D2)과 동일하거나, 약간 크게 하는 것이 바람직하다. 예컨대, 분산판(10a)의 평면 치수(D1)는, 구멍(3d1)의 직경(D2)보다 1 ㎜∼3 ㎜ 정도 크게 할 수 있다.
또한, 구멍(10aa)의 크기는, 구멍(3d1)의 직경(D2)보다 작다. 구멍(10aa)의 단면 치수는, 1 ㎜ 이상, 2.5 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.
분산판(10a)의 평면 치수(D1)나, 구멍(10aa)의 단면 치수를 이와 같이 하면, 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제하는 것이 용이해진다. 그 때문에, 오염물의 제거율을 보다 향상시킬 수 있다.
컨트롤러(11)는, 기판 처리 장치(1)에 설치된 각 요소의 동작을 제어한다. 컨트롤러(11)는, 예컨대, CPU(Central Processing Unit) 등의 연산부와, 반도체 메모리 등의 기억부를 갖는다. 컨트롤러(11)는, 예컨대, 컴퓨터이다. 기억부에는, 기판 처리 장치(1)에 설치된 각 요소의 동작을 제어하는 제어 프로그램을 저장할 수 있다. 연산부는, 기억부에 저장되어 있는 제어 프로그램, 조작자에 의해 입력된 데이터, 검출부(8)로부터의 데이터 등을 이용하여, 기판 처리 장치(1)에 설치된 각 요소의 동작을 제어한다.
예컨대, 액체(101)의 냉각 속도는, 액막의 두께와 상관 관계가 있다. 예컨대, 액막의 두께가 얇아질수록, 액체(101)의 냉각 속도가 빨라진다. 반대로, 액막의 두께가 두꺼워질수록, 액체(101)의 냉각 속도가 느려진다. 그 때문에, 컨트롤러(11)는, 검출부(8)에 의해 검출된 액체(101)의 두께(액막의 두께)에 기초하여, 냉각 가스(3a1)의 유량, 나아가서는 액체(101)의 냉각 속도를 제어할 수 있다. 또한, 액체(101)의 온도나 냉각 속도의 제어는, 후술하는 과냉각 공정에서 액체(101)의 과냉각 상태를 제어할 때에 행해진다. 그 때문에, 예컨대, 컨트롤러(11)는, 기판(100)의 회전, 냉각 가스(3a1)의 유량, 및 액체(101)의 공급량을 제어할 수 있다.
다음으로, 기판 처리 장치(1)의 작용에 대해 예시한다.
도 3은 기판 처리 장치(1)의 작용을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
또한, 도 3은 기판(100)이 6025 쿼츠(Qz) 기판(152 ㎜×152 ㎜×6.35 ㎜), 액체(101)가 순수인 경우이다.
먼저, 케이스(6)의 도시하지 않은 반입 반출구를 통해, 기판(100)이 케이스(6)의 내부에 반입된다. 반입된 기판(100)은, 배치대(2a)의 복수의 지지부(2a1) 위에 배치, 지지된다.
기판(100)이 배치대(2a)에 지지된 후에, 도 3에 도시된 바와 같이 예비 공정, 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정), 해동 공정, 및 건조 공정을 포함하는, 동결 세정 공정이 행해진다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이 예비 공정이 실행된다. 예비 공정에서는, 컨트롤러(11)가, 공급부(4b) 및 유량 제어부(4c)를 제어하여, 기판(100)의 표면(100b)에, 소정의 유량의 액체(101)를 공급한다. 또한, 컨트롤러(11)가, 유량 제어부(3c)를 제어하여, 기판(100)의 이면(100a)에, 소정의 유량의 냉각 가스(3a1)를 공급한다. 또한, 컨트롤러(11)가, 구동부(2c)를 제어하여, 기판(100)을 제2 회전수로 회전시킨다.
그 때문에, 액체(101)가, 회전하는 기판(100)에, 소정의 유량으로 공급되는 상태가 된다.
예컨대, 제2 회전수는, 50 rpm∼500 rpm 정도이다. 예컨대, 액체(101)의 유량은, 0.1 L/min∼1 L/min 정도이다. 예컨대, 냉각 가스(3a1)의 유량은, 40 NL/min∼200 NL/min 정도이다. 예컨대, 예비 공정의 공정 시간은, 1800초 정도이다. 또한, 예비 공정의 공정 시간은, 기판(100)의 면 내 온도가 대략 균일해지는 시간이면 되고, 미리 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 구할 수 있다.
예비 공정에서의 액막의 온도는, 액체(101)가, 소정의 유량으로 공급되는 상태이기 때문에, 공급되는 액체(101)의 온도와 거의 동일해진다. 예컨대, 공급되는 액체(101)의 온도가 상온(20℃) 정도인 경우, 액막의 온도는 상온(20℃) 정도가 된다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)이 실행된다. 또한, 본 실시형태에서는, 냉각 공정 중, 액체(101)가 과냉각 상태가 되고 나서 동결이 시작되기까지의 공정을 「과냉각 공정」, 과냉각 상태의 액체(101)가 동결 상태가 되고, 해동 공정에 의해 해동이 시작되기까지를 「동결 공정」이라고 호칭한다.
여기서, 액체(101)의 냉각 속도가 너무 빨라지면 액체(101)가 과냉각 상태가 되지 않고, 즉시 동결되어 버린다. 그 때문에, 컨트롤러(11)는, 냉각 가스(3a1)의 유량, 및 기판(100)의 회전수 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써, 기판(100)의 표면(100b)의 액체(101)가 과냉각 상태가 되도록 한다.
냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서는, 도 3에 예시하는 바와 같이, 제1 회전수로 한 후에, 예비 공정에서 공급되고 있던 액체(101)의 공급을 정지한다. 예컨대, 제1 회전수는, 0 rpm∼50 rpm 정도이다. 제1 회전수는, 공급부(4b)로부터 공급된 액체(101)가, 기판(100)의 표면(100b)에서 확산되어, 균일한 두께의 액막이 형성되고, 또한, 균일한 두께의 액막이 유지되는 정도의 회전수이다. 즉, 컨트롤러(11)는, 예비 공정 시의 회전수보다 적은 회전수로 기판(100)을 회전시킨다. 또한, 이때의 액체(101)의 액막의 두께는, 기판(100)의 표면(100b)에 형성된 요철부의 높이 치수 이상으로 할 수 있다. 또한, 액막의 두께가 얇은 경우에, 과냉각으로 하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 액막의 두께를 대략 100 ㎛ 이상으로 하면 좋다. 구체적인 회전수의 조건은, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 적절히 결정하는 것이 바람직하다. 또한, 냉각 가스(3a1)의 유량은 예비 공정과 동일하게 유지되어 있다.
이와 같이, 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서는, 액체(101)의 공급을 정지하는 것, 및 기판(100)의 회전수를 제2 회전수보다 적은 제1 회전수로 함으로써, 기판(100) 상에 존재하는 액체(101)가 정체하도록 한다. 그 때문에, 기판(100)의 이면(100a)에 계속 공급되고 있던 냉각 가스(3a1)에 의해, 기판(100) 상의 액막의 온도가, 예비 공정에서의 액막의 온도보다 더 내려가, 과냉각 상태가 된다.
또한, 예비 공정을 제1 회전수로 실시하고, 기판(100)의 면 내 온도가 균일해지면, 액체(101)의 공급을 정지하도록 해도 좋다.
액체(101)가 과냉각 상태가 되는 조건은, 기판(100)의 크기, 액체(101)의 점도, 냉각 가스(3a1)의 비열 등의 영향을 받는다. 그 때문에, 액체(101)가 과냉각 상태가 되는 제어 조건은, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 적절히 결정하는 것이 바람직하다.
과냉각 상태에서는, 예컨대, 액막의 온도, 파티클 등의 오염물이나 기포의 존재, 진동 등에 의해, 액체(101)의 동결이 개시된다. 예컨대, 파티클 등의 오염물이 있는 경우, 액체(101)의 온도가, -35℃ 이상, -20℃ 이하가 되면 액체(101)의 동결이 개시된다. 또한, 기판(100)의 회전을 변동시키는 등 하여 액체(101)에 진동을 가함으로써, 액체(101)의 동결을 개시시킬 수도 있다.
과냉각 상태의 액체(101)의 동결이 개시되면, 과냉각 공정으로부터 동결 공정으로 이행한다. 동결 공정에서도 기판(100)의 이면(100a)에는 냉각 가스(3a1)가 계속 공급되고 있다. 그 때문에, 기판(100)의 표면(100b) 상에서 과냉각 상태가 된 액체(101)는, 액체(101)와 액체(101)가 동결된 것이 혼재된 상태를 거쳐, 완전히 동결되어 동결막이 형성된다.
또한, 과냉각 상태가 된 액체(101)를 동결시키는 조건은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 냉각 가스(3a1)의 유량을 증가시키도록 해도 좋다. 또한, 과냉각 상태에 있는 액체(101)에 진동을 인가하는 등 하여 액체(101)를 동결시키도록 해도 좋다. 예컨대, 기판(100)의 회전수를 변화시키거나, 회전축(2b) 등을 통해 간접적으로, 혹은, 직접적으로, 기판(100) 상의 액체(101)에 진동을 가하는 초음파 발생 장치를 설치하거나 해도 좋다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 해동 공정이 실행된다. 또한, 도 3에 예시한 것은, 액체(101)와 액체(102)가 동일한 액체인 경우이다. 그 때문에, 도 3에서는 액체(101)라고 기재하고 있다. 해동 공정에서는, 컨트롤러(11)가, 공급부(4b) 및 유량 제어부(4c)를 제어하여, 기판(100)의 표면(100b)에, 소정의 유량의 액체(101)를 공급한다. 또한, 액체(101)와 액체(102)가 상이한 경우에는, 컨트롤러(11)가, 공급부(5b) 및 유량 제어부(5c)를 제어하여, 기판(100)의 표면(100b)에, 소정의 유량의 액체(102)를 공급한다.
또한, 컨트롤러(11)가, 유량 제어부(3c)를 제어하여, 냉각 가스(3a1)의 공급을 정지시킨다. 또한, 컨트롤러(11)가, 구동부(2c)를 제어하여, 기판(100)의 회전수를 제3 회전수로 증가시킨다. 제3 회전수는, 예컨대, 200 rpm∼700 rpm 정도이다. 기판(100)의 회전이 빨라지면, 액체(101)와 액체(101)가 동결된 것을 원심력으로 떨쳐 버릴 수 있다. 그 때문에, 액체(101)와 액체(101)가 동결된 것을 기판(100)의 표면(100b)으로부터 배출할 수 있다. 이때, 기판(100)의 표면(100b)으로부터 분리된 오염물도 액체(101)와 액체(101)가 동결된 것과 함께 배출된다.
또한, 액체(101) 또는 액체(102)의 공급량은, 해동을 할 수 있으면 특별히 한정은 없다. 또한, 기판(100)의 제3 회전수는, 액체(101), 액체(101)가 동결된 것, 및 오염물을 배출할 수 있으면 특별히 한정은 없다.
또한, 해동의 개시는, 반드시 동결막에 대해 행할 필요는 없고, 예컨대, 과냉각 상태의 액체(101)의 적어도 일부가 동결된 상태에서 해동을 개시해도 좋다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 건조 공정이 실행된다. 건조 공정에서는, 컨트롤러(11)가, 공급부(4b) 및 유량 제어부(4c)를 제어하여, 액체(101)의 공급을 정지시킨다. 또한, 액체(101)와 액체(102)가 상이한 액체인 경우에는, 컨트롤러(11)가, 공급부(5b) 및 유량 제어부(5c)를 제어하여, 액체(102)의 공급을 정지시킨다.
또한, 컨트롤러(11)가, 구동부(2c)를 제어하여, 기판(100)의 회전수를 제3 회전수보다 빠른 제4 회전수로 증가시킨다. 기판(100)의 회전이 빨라지면, 기판(100)의 건조를 신속히 행할 수 있다. 또한, 기판(100)의 제4 회전수는, 건조를 할 수 있으면 특별히 한정은 없다.
동결 세정이 종료된 기판(100)은, 케이스(6)의 도시하지 않은 반입 반출구를 통해, 케이스(6)의 외부로 반출된다.
이상과 같이 함으로써, 기판(100)의 처리(오염물의 제거)를 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 분산부(10)를 구비한다. 그래서, 분산부(10)의 작용(동결막의 온도, 제거율)에 대해, 비교예를 이용하여 이하에 설명한다.
도 4는 기판(100)의 중심으로부터 외주에 걸친 해동 직전의 동결막의 온도를 도시한 도면이다.
기판의 중심으로부터 외주를 향해, 기판 중심부, 기판 중앙부, 기판 외주부로 구분하였다. 또한, 기판 중심부의 길이는, 분산판(10a)의 반경과 거의 동일하다. 또한, 기판 중심부와 기판 중앙부를 더한 길이는, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 반경과 거의 동일하다.
점선은, 직경 확대부가 없는 선단을 갖는 냉각 노즐을 이용한 경우의 해동 직전의 동결막의 온도를 나타낸다. 이하, 비교예 1이라고 호칭한다.
일점 쇄선은, 직경 확대부(3da)를 갖는 냉각 노즐(3d)만을 이용한 경우의 해동 직전의 동결막의 온도를 나타낸다. 이하, 비교예 2라고 호칭한다.
실선은, 직경 확대부(3da)를 갖는 냉각 노즐(3d) 및 구멍(10aa)이 2 ㎜인 분산판(10a)을 갖는 분산부(10)를 이용한 경우의 해동 직전의 동결막의 온도를 나타낸다. 이하, 실시예 1이라고 호칭한다.
실시예 1과 비교예 1을 비교한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 중심부에서는, 해동 직전의 동결막의 온도는, 실시예 1 쪽이 높다. 그러나, 기판 중간부 및 기판 외주부에서는, 해동 직전의 동결막의 온도는, 실시예 1 쪽이 비교예 1보다 낮아진다. 실시예 1에서, 동결막의 기판 중심부의 온도가 비교예 1보다 상승한 것은, 분산판(10a)에 의해, 기판 중심부에 공급되고 있던 냉각 가스(3a1)의 양이 비교예 1과 비교하여 감소했기 때문이라고 생각된다. 또한, 실시예 1에서는, 비교예 1과 비교하여 열손실이 적은 냉각 가스(3a1)가 기판(100)의 외주로 흐르기 쉬워졌다고 생각된다. 그 결과, 실시예 1에서는, 비교예 1보다 동결막의 온도가 기판 중간부로부터 기판 외주부에 걸쳐 저하된 것으로 생각된다.
다음으로, 실시예 1과 비교예 2를 비교한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 실시예 1에서는, 해동 직전의 동결막의 온도가 기판 중심부에서 높아지고 있다. 그러나, 기판 중간부 및 기판 외주부에서는, 해동 직전의 동결막의 온도는, 실시예 1 쪽이 비교예 2보다 낮아진다. 비교예 2는, 분산판(10a)이 없다. 그 때문에, 냉각 노즐(3d)로부터 공급된 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 이면(100a)에 직접 충돌한다. 그 때문에, 기판 중심부에 있어서, 비교예 2 쪽이 실시예 1보다 기판(100)과 열의 수수(授受)를 행하는 냉각 가스(3a1)의 양이 많아졌다고 생각된다. 그 결과, 비교예 2의 동결막의 온도는, 기판 중심부에 있어서, 실시예 1보다 저하되었다고 생각된다. 그러나, 기판(100)과 열의 수수를 행한 냉각 가스(3a1)에는, 열손실이 발생한다. 또한, 기판(100)의 이면(100a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)는, 직경 확대부(3da)의 바닥면으로 흐른다. 그리고, 직경 확대부(3da)에 있어서 체류가 발생한다. 그러나, 열손실이 발생한 냉각 가스(3a1)에 의해 생성된 체류이기 때문에, 직경 확대부 내부의 온도가 실시예 1보다 높다고 생각된다. 그 때문에, 동결막의 온도는, 기판 중간부 및 기판 외주부에 있어서, 실시예 1보다 비교예 2 쪽이 높아졌다고 생각된다.
도 5는 기판(100)의 중심으로부터 외주에 걸친 제거율을 도시한 도면이다.
점선은, 비교예 1의 경우의 제거율의 분포를 나타낸다.
일점 쇄선은, 비교예 2의 경우의 제거율의 분포를 나타낸다.
실선은, 실시예 1의 경우의 제거율의 분포를 나타낸다.
도 5에 도시된 바와 같이, 실시예 1은, 비교예 1 및 비교예 2와 비교하여, 기판 중심부로부터 기판 외주부에 걸쳐 높은 제거율이다. 특히, 기판 중간부로부터 기판 외주부에 걸쳐, 비교예 1 및 비교예 2보다 높은 제거율이 얻어지고 있다.
실시예 1에서는, 기판 중간부로부터 기판 외주부에 걸쳐, 비교예 1 및 비교예 2보다 높은 제거율이 얻어지고 있다. 상기한 이유로서는, 대응하는 위치에서의 해동 직전의 동결막의 온도가 낮기 때문이라고 생각된다. 이 때문에, 실시예 1은, 비교예 1 및 비교예 2보다 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것이 억제된다. 따라서, 실시예 1은, 액체(101)의 과냉각 상태가 불균일해지거나, 액체(101)의 동결 상태가 불균일해지거나 하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 오염물의 제거율이 향상되었다고 생각된다.
그런데, 직경 확대부(3da) 및 분산부(10)[분산판(10a)]를 갖지 않는 종래의 냉각 가스 노즐의 경우, 냉각 가스(3a1)는, 냉각 가스 노즐의 배출측의 단부로부터 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부에 배출된다. 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부와 접촉한 냉각 가스(3a1)는, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간을 기판(100)의 외주를 향해 흘러 간다.
이때, 냉각 가스(3a1)가 충돌하는 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부가 가장 냉각된다. 바꿔 말하면, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부가 기판(100)의 외주에 비해 지나치게 냉각되어 버린다. 그리고, 기판(100)의 이면(100a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 이면(100a)과 열의 수수를 행하면서 기판(100)의 외주를 향해 흘러 간다. 이 때문에, 기판(100)의 외주로 향할수록, 냉각 가스(3a1)의 온도가 높아져 버린다. 따라서, 기판(100)도 외주로 향할수록 온도가 높아져, 기판의 면 내에 있어서 온도 분포의 불균일이 형성된다.
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에는, 분산부(10)[분산판(10a)]가 설치되어 있다. 분산판(10a)은, 열전도율이 높은 재료로 형성되고, 기판(100)보다 두께가 얇다. 이 때문에, 예비 공정에서, 분산판(10a)의 온도는, 냉각 가스(3a1)의 온도와 거의 동일한 온도까지 냉각된다. 따라서, 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서, 냉각 가스(3a1)가 분산판(10a)에 충돌해도, 냉각 가스(3a1)의 열손실을 저감할 수 있다.
분산판(10a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)의 일부는, 분산판(10a)의 외주를 돌아 들어가, 기판(100)의 이면(100a)으로 흐른다. 분산판(10a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부와 충돌하는 경우와 비교하면 열손실이 저감되어 있다. 그 때문에, 분산판(10a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)의 일부는, 분산판(10a)의 외주에 대향하는 기판(100)의 이면(100a)에 종래보다 낮은 온도로 도달한다. 따라서, 분산판(10a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)의 일부는, 분산판(10a)의 외주에 대향하는 기판(100)의 이면(100a)을 보다 냉각할 수 있다.
여기서, 분산판(10a)은, 직경 확대부(3da)의 개구 근방에 설치된다. 그 때문에, 분산판(10a)과 충돌한 후, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부로 돌아 들어가는 냉각 가스(3a1)의 양을 적게 할 수 있다. 따라서, 종래보다 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부에 충돌하는 냉각 가스(3a1)의 양을 적게 할 수 있다. 그 결과, 기판(100)의 중앙부가 기판(100)의 외주에 비해 지나치게 냉각되어 버리는 것을 억제할 수 있다.
전술한 바와 같이, 기판 중심부의 길이는, 분산판(10a)의 반경과 거의 동일하다. 따라서, 분산판(10a)과 충돌한 냉각 가스(3a1)의 일부는, 도 4에 도시된 기판 중심부와 기판 중간부의 경계 부근을 보다 냉각할 수 있다. 그 결과, 기판의 면 내에 있어서 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.
또한, 분산판(10a)의 중앙에는, 냉각 노즐(3d)의 구멍(3d1)보다 작은 구멍(10aa)이 형성되어 있다. 전술한 바와 같이, 분산판(10a)은, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부로 돌아 들어가는 냉각 가스(3a1)의 양을 적게 할 수 있다. 그러나, 기판(100)의 이면(100a)으로 돌아 들어가는 냉각 가스(3a1)의 양을 지나치게 적게 하면, 기판(100)의 중앙부의 온도가 기판(100)의 외주의 온도보다 높아져 버린다. 그래서, 기판(100)의 중앙부의 온도가 기판(100)의 외주의 온도보다 높아져 버리는 것을 방지하기 위해서, 분산판(10a)에 구멍(10aa)이 형성되어 있다. 분산판(10a)에 구멍(10aa)이 형성됨으로써, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부가 기판(100)의 외주에 비해 지나치게 냉각되어 버리는 것, 및 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부의 온도가 기판(100)의 외주의 온도보다 높아져 버리는 것을 억제할 수 있다. 즉, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부에 구멍(10aa)을 통해 소량의 냉각 가스(3a1)를 공급함으로써, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부의 온도를 기판(100)의 외주의 온도와 같은 정도까지 냉각할 수 있다. 특히, 구멍(10aa)의 단면 치수는, 1 ㎜ 이상, 2.5 ㎜ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에는, 냉각 노즐(3d)에 직경 확대부(3da)가 형성되어 있다. 냉각 노즐(3d)에 직경 확대부(3da)가 형성됨으로써, 분산판(10a)에 의해 유동 방향이 변화된 냉각 가스(3a1)는, 직경 확대부(3da)의 내부를 흐른다. 그리고, 직경 확대부(3da)의 내부로 흐른 냉각 가스(3a1)는, 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한다. 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한 냉각 가스(3a1)는, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에 존재하는 냉각 가스(3a1)를 냉각한다. 따라서, 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 이면(100a)을 간접적으로 냉각한다.
직경 확대부(3da)의 내부로 흐른 냉각 가스(3a1)는, 분산판(10a)에 의해, 비교예 2보다 낮은 온도로 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한다. 전술한 바와 같이, 기판 중심부와 기판 중앙부를 더한 길이는, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 반경과 거의 동일하다. 따라서, 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 기판 중간부를 보다 냉각할 수 있다.
또한, 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한 냉각 가스(3a1)는, 직경 확대부(3da)의 외주로부터 배출된다. 전술한 바와 같이, 직경 확대부(3da)의 내부로 흐른 냉각 가스(3a1)는, 비교예 2보다 낮은 온도로 직경 확대부(3da)의 내부에 체류한다. 이 때문에, 직경 확대부(3da)의 외주로부터 배출되는 냉각 가스(3a1)는, 비교예 2보다 온도가 낮다. 따라서, 직경 확대부(3da)의 외주로부터 배출되는 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 기판 외주부를 보다 냉각할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에는, 냉각 노즐(3d)에 직경 확대부(3da) 및 분산부(10)[분산판(10a)]가 설치되어 있다. 그 때문에, 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 액체(101)의 과냉각 상태가 불균일해지거나, 액체(101)의 동결 상태가 불균일해지거나 하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 오염물의 제거율을 향상시킬 수 있다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 분산부(110)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 분산부(110)는, 예컨대, 분산판(110a), 및 지지부(110b)를 갖는다.
전술한 분산부(10)의 경우에는, 분산판(10a)은, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내부에 설치되어 있다. 이에 대해, 분산부(110)의 경우에는, 분산판(110a)은, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 외부에 설치되어 있다. 분산판(110a)은, 판 형상을 나타내고 있다. 분산판(110a)은, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의, 개구 근방에 설치할 수 있다. 분산판(110a)의 중심축은, 냉각 노즐(3d)의 중심축과 겹치는 위치에 설치할 수 있다. 즉, 분산판(110a)은, 냉각 노즐(3d)의 구멍(3d1) 바로 위에 설치할 수 있다. 분산판(110a)의 면은, 냉각 노즐(3d)의 중심축과 직교시킬 수 있다.
분산판(110a)의 평면 형상이나 치수 등은, 전술한 분산판(10a)과 동일하게 할 수 있다.
또한, 분산판(110a)은, 두께 방향을 관통하는 구멍(110aa)을 갖는다. 예컨대, 구멍(110aa)은, 분산판(110a)의 중앙 부분에 형성되어 있다. 구멍(110aa)은, 전술한 분산판(10a)의 구멍(10aa)과 동일하게 할 수 있다.
냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 외부에 있어서, 지지부(110b)는, 분산판(110a)을 소정의 위치에 지지한다. 지지부(110b)는, 빔 형상을 나타내고, 분산판(110a)의 측면과, 배치대(2a)의 기판(100)측의 면 사이에 설치되어 있다. 이 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 배치대(2a)의 기판(100)측의 면에 오목부가 형성되어 있다. 배치대(2a)의 기판(100)측의 면에 형성되어 있는 오목부에, 지지부(110b)에서의 분산판(110a)측과는 반대측의 단부를 설치할 수도 있다. 지지부(110b)의 두께는, 예컨대, 분산판(110a)의 두께와 동일하게 할 수 있다. 지지부(110b)는, 적어도 하나 설치되어 있으면 된다. 단, 복수의 지지부(110b)가 설치되어 있으면, 분산판(110a)의 위치나 자세를 안정시킬 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 냉각 노즐(3d)의 구멍(3d1)의 내부를 흐른 냉각 가스(3a1)는, 분산판(110a)에 접촉하여 유동 방향이 변화한다. 이때, 분산판(110a)에 접촉한 냉각 가스(3a1)의 일부가, 분산판(110a)의 구멍(110aa)을 통해 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다. 분산판(110a)에 의해 유동 방향이 변화된 냉각 가스(3a1)는, 직경 확대부(3da)의 내부를 흐르고, 직경 확대부(3da)의 개구로부터 배출된다. 또한, 냉각 가스(3a1)의 일부를 직경 확대부(3da)의 내부에 체류시킬 수도 있다.
분산부(110)에 충돌한 후에, 직경 확대부(3da)의 개구로부터 배출된 냉각 가스(3a1)는, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간을 흐르고 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다.
분산부(110)[분산판(110a)]가 설치되어 있으면, 전술한 분산부(10)[분산판(10a)]와 동일한 효과를 향수할 수 있다. 분산부(110)는, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 외부에 설치된다. 그 때문에, 분산부(110)와 기판(100)의 이면(100a)과의 거리가 짧다. 따라서, 기판(100)의 이면(100a)의 중앙부로 돌아 들어가는 냉각 가스(3a1)의 양을 보다 적게 할 수 있다. 그 때문에, 기판(100)의 중앙부가 기판(100)의 외주에 비해 보다 지나치게 냉각되어 버리는 경우에 효과적이다. 즉, 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 분산부(110)는, 지지부(110b)를 통해, 배치대(2a)의 기판(100)측의 면과 접속되어 있다. 그 때문에, 분산부(110)는, 배치대(2a)와 함께 회전할 수 있다. 회전하고 있는 분산부(110)에 냉각 가스(3a1)가 충돌함으로써, 냉각 가스(3a1)는, 분산부(110)와 함께 회전한다. 즉, 냉각 가스(3a1)는, 분산부(110)로부터 회전 에너지를 받는다. 그 때문에, 냉각 가스(3a1)는, 기판(100)의 외주로 보다 향하게 된다. 따라서, 기판 중심부와 기판 중간부의 경계 부근을 보다 냉각할 수 있다. 그 결과, 기판의 면 내에 있어서 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.
그 때문에, 전술한 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서, 기판(100)의 영역마다 오염물의 제거율이 불균일해지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 기판(100)의 전영역에서의 오염물의 제거율을 향상시킬 수 있다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 분산부(210)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 분산부(210)는, 예컨대, 분산판(210a)을 갖는다.
전술한 분산부(10)의 경우에는, 분산판(10a)은, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내부에 설치되어 있다. 이에 대해, 분산판(210a)은, 직경 확대부를 갖고 있지 않은 냉각 노즐(203d)의 선단에 설치되어 있다. 분산판(210a)은, 냉각 노즐(203d)의 냉각 가스(3a1)의 배출측의 단부에 설치되어 있다. 즉, 분산부(210)에는, 분산판(210a)을 지지하는 지지부가 설치되어 있지 않다.
분산판(210a)은, 판 형상을 나타내고 있다. 분산판(210a)의 중심축은, 냉각 노즐(203d)의 중심축과 겹치는 위치에 설치할 수 있다. 즉, 분산판(210a)은, 냉각 노즐(203d)의 내부에서 연장되는 구멍(203d1)(제2 구멍의 일례에 상당함) 바로 위에 설치할 수 있다. 분산판(210a)의 면은, 냉각 노즐(203d)의 중심축과 직교시킬 수 있다.
분산판(210a)의 평면 형상이나 치수 등은, 전술한 분산판(10a)과 동일하게 할 수 있다.
또한, 분산판(210a)은, 두께 방향을 관통하는 구멍(210aa)을 갖는다. 예컨대, 구멍(210aa)은, 분산판(210a)의 중앙 부분에 형성되어 있다. 구멍(210aa)은, 전술한 분산판(10a)의 구멍(10aa)과 동일하게 할 수 있다.
또한, 냉각 노즐(203d)의, 분산판(210a)이 설치된 단부의 근방에는, 복수의 구멍(203d2)(제3 구멍의 일례에 상당함)이 형성되어 있다. 구멍(203d2)은, 냉각 노즐(203d)의 측면과 구멍(203d1) 사이를 관통하고 있다.
또한, 배치대(2a)의 기판(100)측의 면에는, 오목부(2a2)가 형성되어 있다. 오목부(2a2)의 외형은, 예컨대, 원형이나 직사각형이다. 오목부(2a2)의 외형은, 기판(100)의 외형보다 작은 것이 바람직하다. 분산판(210a)과, 냉각 노즐(203d)의, 복수의 구멍(203d2)이 형성된 부분이, 오목부(2a2)의 내부에 설치되어 있다. 즉, 오목부(2a2)는, 직경 확대부(3da)를 대신하여 형성된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 냉각 노즐(203d)의 구멍(203d1)의 내부를 흐른 냉각 가스(3a1)는, 분산판(210a)에 접촉하여 유동 방향이 변화한다. 이때, 분산판(210a)에 접촉한 냉각 가스(3a1)의 일부가, 분산판(210a)의 구멍(210aa)을 통해 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다. 분산판(210a)에 의해 유동 방향이 변화된 냉각 가스(3a1)는, 복수의 구멍(203d2)을 통해, 오목부(2a2)의 내부에 공급된다. 오목부(2a2)의 내부에 공급된 냉각 가스(3a1)는, 오목부(2a2)의 내부를 흐르고, 오목부(2a2)의 개구로부터 배출된다. 또한, 냉각 가스(3a1)의 일부를 오목부(2a2)의 내부에 체류시킬 수도 있다.
오목부(2a2)의 개구로부터 배출된 냉각 가스(3a1)는, 배치대(2a)와, 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간을 흐르고 기판(100)의 이면(100a)에 공급된다.
분산부(210)[분산판(210a)]가 설치되어 있으면, 전술한 분산부(10)[분산판(10a)]와 동일한 효과를 향수할 수 있다. 즉, 기판(100)의 면 내에 온도 분포의 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 전술한 냉각 공정(과냉각 공정+동결 공정)에서, 기판(100)의 영역마다 오염물의 제거율이 불균일해지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 기판(100)의 전영역에서의 오염물의 제거율을 향상시킬 수 있다.
특히, 오목부(2a2)의 외형을 기판(100)과 상사형(相似形)으로 하고, 대략 작게 하면 보다 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 기판(100)이 대략 사각형이어도, 기판(100)의 4모퉁이에 냉각 가스(3a1)를 체류시킬 수 있다. 그리고, 오목부(2a2)는, 기판(100)과 함께 회전할 수 있다. 그 때문에, 기판(100)의 4모퉁이는, 기판(100)의 4모퉁이에 체류시킨 냉각 가스(3a1)에 의해 항상 냉각된다. 이 경우, 오목부(2a2)는, 기판(100)보다 5 ㎜∼10 ㎜ 작게 하면 좋다.
도 8의 (a)는 다른 실시형태에 따른 분산부(310)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 8의 (b)는 날개(310c)를 예시하기 위한 사시도이다.
도 8의 (c)는 도 8의 (a)에서의 분산부(310)의 B-B선 단면도이다.
도 8의 (d)는 도 8의 (a)에서의 분산부(310)의 C-C선 단면도이다.
도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 분산부(310)는, 예컨대, 분산판(10a), 지지부(10b), 및 날개(310c)를 갖는다. 즉, 분산부(310)는, 전술한 분산부(10)에 날개(310c)를 더한 것이다.
날개(310c)는, 지지부(10b)와 지지부(10b) 사이에 설치할 수 있다. 날개(310c)는, 판 형상을 나타내고, 한쪽의 단부가 분산판(10a)에 접속되고, 다른쪽의 단부가 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내벽에 접속되어 있다.
날개(310c)는, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 한쪽의 단부로부터 다른쪽의 단부를 향해 경사 각도가 커지는 비틀어진 형태를 갖는다. 예컨대, 도 8의 (c) 및 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 날개(310c)의 직경 확대부(3da)측의 경사 각도(θ2)는, 날개(310c)의 분산판(10a)측의 경사 각도(θ1)보다 크게 할 수 있다. 예컨대, 경사 각도(θ1)는 10° 정도, 경사 각도(θ2)는 60° 정도로 할 수 있다.
이러한 날개(310c)가 설치되어 있으면, 분산부(310)에 충돌한 후의 냉각 가스(3a1)를 날개(310c)를 따라 기판(100)의 외주측으로 유도할 수 있다.
또한, 날개(310c)가 분산판(10a)에 설치되는 경우를 예시하였으나, 도 6에 예시한 분산판(110a)에 날개(310c)를 설치할 수도 있다. 날개(310c)는, 지지부(110b)와 같이, 한쪽의 단부가 분산판(110a)의 측면과 접속되고, 다른쪽의 단부가 배치대(2a)의 기판(100)측의 면에 접속된다. 이와 같이 함으로써, 날개(310c)는, 배치대(2a)와 함께 회전할 수 있다. 예컨대, 날개(310c)가 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 분산판(110a)에 설치되는 경우, 컨트롤러(11)가 배치대(2a)를 시계 방향으로 회전시킴으로써, 날개(310c)는, 냉각 가스(3a1)를 보다 기판측으로 유도할 수 있다. 즉, 날개(310c)가 아래를 향하고 있는 방향으로 날개(310c)를 회전시킴으로써, 냉각 가스(3a1)를 보다 기판측으로 유도할 수 있다.
또한, 도 7에 예시한 분산판(210a)에 날개(310c)를 설치할 수도 있다. 분산판(210a)에 날개(310c)를 설치하는 경우에는, 날개(310c)의 한쪽의 단부만이 분산판(210a)에 접속된다. 이 경우, 분산부(310)에 충돌한 후의 냉각 가스(3a1)를 날개(310c)를 따라 기판(100)의 외주측으로 유도할 수 있다.
혹은, 날개(310c)의 한쪽의 단부만이 배치대(2a)에 형성된 오목부(2a2)의 내벽에 접속된다. 이 경우, 컨트롤러(11)는, 날개(310c)가 아래를 향하고 있는 방향으로 날개(310c)를 회전시킴으로써, 오목부(2a2)의 내부를 흐르는 냉각 가스(3a1)를 기판(100)측으로 유도한다.
도 9는 다른 실시형태에 따른 지지부(10ba)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
예컨대, 지지부(10b)와 마찬가지로, 지지부(10ba)는, 빔 형상을 나타내고, 분산판(10a)의 측면과, 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내벽 사이에 설치되어 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 예컨대, 지지부(10ba)는, 지지부(10b)의 측면에 나선형의 오목부(10bb)를 형성한 것으로 할 수 있다. 지지부(10ba)의 측면에 나선형의 오목부(10bb)가 형성되어 있으면, 나선형의 오목부(10bb)에 접촉한 냉각 가스(3a1)를, 나선의 방향으로 흘릴 수 있다. 그 때문에, 나선형의 오목부(10bb)가 없는 지지부(10b)에 비해, 기판(100)의 이면(100a)으로 향하는 냉각 가스(3a1)를 증가시킬 수 있다.
또한, 지지부(110b)의 측면에 나선형의 오목부(10bb)를 형성해도 좋다(도 9 참조). 특히, 지지부(110b)의 수평 방향으로 평행한 부분의 측면에, 나선형의 오목부(10bb)를 형성하도록 하면 좋다. 배치대(2a)가 회전함에 따라, 지지부(110b)가 회전한다. 이때에, 나선형의 오목부(10bb)에 접촉한 냉각 가스(3a1)를, 나선의 방향으로 흘리는 것이 보다 가능하다. 결과로서, 기판(100)의 이면(100a)으로 향하는 냉각 가스(3a1)를 증가시킬 수 있다.
도 10은 다른 실시형태에 따른 직경 확대부(13da)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
본 실시형태에서는, 전술한 실시형태와, 냉각 노즐(3d)이 고정되어 있는(회전 불능임) 점에서 공통되지만, 냉각 노즐(3d)과 회전축(2b) 사이에 간극이 형성되어 있고, 회전축 시일 등의 밀봉 부재가 존재하지 않는 점에서 상이하다. 이러한 구성에서는, 밀봉 부재를 불필요하게 할 수 있는 한편, 배치대(2a)와 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에 공급된 냉각 가스(3a1)가 상기한 간극을 통해 케이스(6)의 외부로 새어나오기 쉬워진다.
이것을 방지하기 위해서, 도 10에 도시된 바와 같이, 직경 확대부(13da)는, 전술한 직경 확대부(3da)의 측면에, 플랜지(13db)를 형성한 것으로 할 수 있다. 플랜지(13db)는, 판 형상을 나타내고 있다. 플랜지(13db)의 상면은, 직경 확대부(3da)의 상면과 동일면으로 할 수 있다.
또한, 배치대(2a)의 구멍(2aa)의 둘레 가장자리에는, 배치대(2a)의, 기판(100)측의 면에 개구하는 오목부(2ab)를 형성할 수 있다. 플랜지(13db)는, 간극을 통해, 오목부(2ab)의 내부에 형성되어 있다. 즉, 플랜지(13db)의 이면[오목부(2ab)의 바닥면측의 면]과 오목부(2ab)의 바닥면 사이에는 간극이 형성되어 있다. 또한, 플랜지(13db)의 측면과 오목부(2ab)의 측면 사이에는 간극이 형성되어 있다. 그 때문에, 회전하는 배치대(2a)와, 회전하지 않는 플랜지(13db)가 접촉하는 일이 없다. 또한, 플랜지(13db)와 오목부(2ab)의 내벽 사이에 형성되는 간극의 길이는, 오목부(2ab)의 내벽을 따른 길이가 된다.
여기서, 직경 확대부(3da)와 구멍(2aa) 사이에 형성되는 간극의 길이[도 2의 (b) 참조]와 비교하면, 플랜지(13db)와 오목부(2ab)의 내벽 사이에 형성되는 간극의 길이 쪽이 길어진다. 그 때문에, 직경 확대부(3da)와 구멍(2aa) 사이에 형성되는 간극의 유로 저항보다 플랜지(13db)와 오목부(2ab)의 내벽 사이에 형성되는 간극의 유로 저항 쪽이 커진다. 따라서, 배치대(2a)와 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에 공급된 냉각 가스(3a1)가, 이 간극을 통해 새는 것을 억제할 수 있다. 또한, 이 간극을 통해, 외기가 배치대(2a)와 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 냉각 효율을 향상시킬 수 있다.
회전축(2b)의 길이가 짧을수록, 직경 확대부(3da)와 구멍(2aa) 사이에 형성되는 간극의 길이가 짧아진다. 그 때문에, 냉각 노즐(3d)과 회전축(2b) 사이에 간극이 있고, 회전축(2b)의 길이가 짧을수록, 본 실시형태에 따른 직경 확대부(13da)는, 바람직하다.
도 11은 다른 실시형태에 따른 직경 확대부(113da)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 직경 확대부(113da)는, 전술한 플랜지(13db)의 이면[오목부(2ab)의 바닥면측의 면]에, 환형의 볼록부(13dc)를 더 형성한 것이다. 오목부(2ab)의 바닥면의, 볼록부(13dc)와 대향하는 위치에는, 오목부(2ab)의 바닥면에 개구하는 환형의 오목부(2ac)가 형성되어 있다. 볼록부(13dc)는, 오목부(2ac)의 내부에 간극을 통해 형성되어 있다. 그 때문에, 회전하는 배치대(2a)와, 회전하지 않는 플랜지(13db) 및 볼록부(13dc)가 접촉하는 일이 없다. 볼록부(13dc) 및 오목부(2ac)가 형성되어 있으면, 플랜지(13db)와 오목부(2ab)의 내벽 사이에 형성되는 간극의 유로 저항을 더욱 크게 할 수 있다. 그 때문에, 배치대(2a)와 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에 공급된 냉각 가스(3a1)가, 이 간극을 통해 새는 것을 더욱 억제할 수 있다. 또한, 이 간극을 통해, 외기가 배치대(2a)와 기판(100)의 이면(100a) 사이의 공간에 침입하는 것을 더욱 억제할 수 있다. 따라서, 냉각 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 12는 분산부(310a)에 설치된 날개(310ca)의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 8의 (a)에 예시한 날개(310c)와 마찬가지로, 날개(310ca)는, 지지부(10b)와 지지부(10b) 사이에 설치할 수 있다. 날개(310ca)는, 판 형상을 나타내고, 한쪽의 단부가 분산판(10a)에 접속되고, 다른쪽의 단부가 냉각 노즐(3d)의 직경 확대부(3da)의 내벽에 접속된다.
도 12에 도시된 바와 같이, 날개(310ca)는, 한쪽의 단부로부터 다른쪽의 단부를 향해 경사 각도가 커지는 비틀어진 형태를 갖는다. 비틀어진 형태는, 도 8의 (b)에 예시한 날개(310c)와 동일하게 할 수 있다. 날개(310ca)의 수, 배치, 경사 각도는, 날개(310c)와 동일하게 할 수 있다.
단, 날개(310ca)의 상단(310cb)은, 분산판(10a)의 상면보다 하방에 위치하고 있다. 이와 같이 하면, 분산판(10a)의 상면을 따라 흐르는 냉각 가스(3a1)의 흐름이, 날개(310ca)의 상단(310cb)에 의해 흐트러지는 일이 없다.
날개(310ca)의 상단(310cb)이 분산판(10a)의 상면보다 하방에 위치하기 위해서, 날개(310ca)의, 분산판(10a)에 접속된 한쪽의 단부는, 분산판(10a)의 측면에 대해 비스듬하게 부착되는 것이 바람직하다. 이 경우, 부착할 때의 경사 각도는, 10°보다 작게 하면 좋다.
이상, 실시형태에 대해 예시하였다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것이 아니다. 전술한 실시형태에 대해, 당업자가 적절히, 구성 요소의 추가, 삭제 혹은 설계 변경을 행한 것, 또는, 공정의 추가, 생략 혹은 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
예컨대, 기판 처리 장치(1)가 구비하는 각 요소의 형상, 치수, 수, 배치 등은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니며 적절히 변경할 수 있다.
1: 기판 처리 장치 2: 배치부
2a: 배치대 2ab: 오목부
2ac: 오목부 3: 냉각부
3a1: 냉각 가스 3d: 냉각 노즐
3da: 직경 확대부 4: 제1 액체 공급부
5: 제2 액체 공급부 10: 분산부
10a: 분산판 10aa: 구멍
10b: 지지부 10bb: 오목부
10ba: 지지부 10bb: 오목부
13db: 플랜지 13dc: 볼록부
100: 기판 100a: 이면
100b: 표면 101: 액체
102: 액체 110: 분산부
110a: 분산판 110aa: 구멍
110b: 지지부 310: 분산부
310c: 날개

Claims (12)

  1. 기판을 배치 가능한 배치대를 갖고, 배치된 상기 기판을 회전 가능한 배치부와,
    상기 배치대와 상기 기판 사이의 공간에, 냉각 가스를 공급 가능한 냉각 노즐과,
    상기 기판의, 상기 배치대측과는 반대의 면에 액체를 공급 가능한 액체 공급부, 그리고
    상기 냉각 노즐의, 상기 냉각 가스의 배출측에 설치된 분산판
    을 구비하고,
    상기 분산판은 두께 방향을 관통하는 제1 구멍을 가지며,
    상기 냉각 노즐의 중심축을 따른 방향에서 보아, 상기 제1 구멍은 상기 냉각 노즐의 중심축에 겹치는 위치에 형성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 냉각 노즐은 상기 냉각 가스의 배출측의 단부에 형성된 직경 확대부를 갖고,
    상기 분산판은 상기 직경 확대부의 내부에 설치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각 노즐의 중심축을 따른 방향에 있어서, 상기 배치대의 상기 기판측의 면과, 상기 분산판의 상기 기판측의 면이 동일 위치에 있는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 냉각 노즐은 상기 냉각 가스의 배출측의 단부에 형성된 직경 확대부를 갖고,
    상기 분산판은 상기 직경 확대부의 외부에 설치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분산판은 상기 냉각 노즐의 상기 냉각 가스의 배출측의 단부에 설치되고,
    상기 냉각 노즐은 상기 분산판이 설치된 단부의 근방에, 측면과, 상기 냉각 노즐의 내부에서 연장되는 제2 구멍 사이를 관통하는 제3 구멍을 가지며,
    상기 배치대의 상기 기판측의 면에는, 오목부가 형성되고,
    상기 분산판과, 상기 냉각 노즐의, 상기 제3 구멍이 형성된 부분이, 상기 오목부의 내부에 설치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 구멍의 단면 치수는 1 ㎜ 이상, 2.5 ㎜ 이하인 것인 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 한쪽의 단부가 상기 분산판에 접속되고, 상기 직경 확대부의 내부를 흐르는 상기 냉각 가스를 상기 기판측으로 유도하는 날개를 더 구비한 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 한쪽의 단부가 상기 분산판에 접속되고, 상기 배치대에 형성된 상기 오목부의 내부를 흐르는 상기 냉각 가스를 상기 기판측으로 유도하는 날개를 더 구비한 기판 처리 장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 직경 확대부의 측면에 형성되고, 판 형상을 나타내는 플랜지를 더 구비하고,
    상기 배치대의 상기 기판측의 면에는, 오목부가 형성되며,
    상기 플랜지는, 간극을 통해, 상기 오목부의 내부에 형성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 플랜지의, 상기 오목부의 바닥면측의 면에는, 환형의 볼록부가 형성되고,
    상기 오목부의 바닥면의, 상기 볼록부와 대향하는 위치에는, 상기 오목부의 바닥면에서 개구하는 환형의 오목부가 형성되며,
    상기 환형의 볼록부는, 상기 환형의 오목부의 내부에 간극을 통해 형성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  11. 제2항에 있어서, 빔(beam) 형상을 나타내고, 한쪽의 단부가 상기 분산판에 접속되며, 측면에 나선형의 오목부를 갖는 지지부를 더 구비한 기판 처리 장치.
  12. 제4항에 있어서, 빔 형상을 나타내고, 한쪽의 단부가 상기 분산판에 접속되며, 측면에 나선형의 오목부를 갖는 지지부를 더 구비한 기판 처리 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018026436A (ja) 2016-08-09 2018-02-15 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、および基板処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077321A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
TW201435138A (zh) * 2012-12-21 2014-09-16 Applied Materials Inc 具高清洗效率的對稱氣體分配設備及方法
JP6347543B2 (ja) * 2014-06-30 2018-06-27 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2016148139A1 (ja) * 2015-03-19 2016-09-22 シャープ株式会社 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プラズマ処理装置
JP5940199B1 (ja) * 2015-06-26 2016-06-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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