JP2021168343A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に例示をする基板100は、例えば、半導体ウェーハ、インプリント用テンプレート、フォトリソグラフィ用マスク、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)に用いられる板状体、フラットパネルディスプレイ用基板などとすることができる。
また、以下においては、一例として、基板100が、フォトリソグラフィ用マスクである場合を説明する。基板100が、フォトリソグラフィ用マスクである場合には、基板100の平面形状は、略四角形とすることができる。基板100の一方の面には、マスクのパターンである凹凸部が形成されている。
図2は、図1における載置部2のA−A線方向の模式図である。
図3は、図2における載置部2のB−B線方向の模式断面図である。
図4は、撥液部2d2を例示するための模式断面図である。
載置台2aは、筐体6の内部に回転可能に設けられている。載置台2aは、板状を呈している。
載置台2aの一方の主面には、基板100を支持する複数の支持部2a1が設けられている。基板100を複数の支持部2a1に支持させる際には、基板100の表面100b(凹凸部が形成された側の面)が、載置台2a側とは反対の方を向くようにする。
プレート2dの表面2dbと、載置台2aとの間の距離は、基板100の表面100bと載置台2aとの間の距離と同じとなるか、0.1mm程度小さくなるようにすることが好ましい。この様にすれば、後述する解凍工程において、液体101と、液体101が凍結したものと、を基板100の表面100bから排出する際に、プレート2dが障害となるのを抑制することができる。
図1に示すように、冷却部3は、載置台2aと、基板100の裏面100aと、の間の空間に、冷却ガス3a1を供給する。冷却部3は、冷却液部3a、フィルタ3b、流量制御部3c、および冷却ノズル3dを有する。冷却液部3a、フィルタ3b、および流量制御部3cは、筐体6の外部に設けられている。
を生成する場合を例示したが、窒素ガス等をチラーなどで冷却し、冷却ガス3a1とする
こともできる。この様にすれば、冷却液部を簡素化できる。
供給部4bは、配管を介して、液体収納部4aに接続されている。供給部4bは、液体収納部4aに収納されている液体101を液体ノズル4dに向けて供給する。供給部4bは、例えば、液体101に対する耐性を有するポンプなどとすることができる。なお、供給部4bがポンプである場合を例示したが、供給部4bはポンプに限定されるわけではない。例えば、供給部4bは、液体収納部4aの内部にガスを供給し、液体収納部4aに収納されている液体101を圧送するものとしてもよい。
図5は、基板処理装置1の作用を例示するためのタイミングチャートである。
なお、図5は、基板100が6025クオーツ(Qz)基板(152mm×152mm×6.35mm)、液体101および液体102が純水の場合である。
したがって、回転する基板100およびプレート2dに、液体101がかけ流される状態となる。
凍結工程においては、基板100の表面100bの液膜の少なくとも一部を凍結させる。本実施の凍結洗浄工程では、液膜が完全に凍結し氷膜となる場合を説明する。
以上の様にすることで、基板100の処理(汚染物の除去)を行うことができる。
図6に示すように、載置台202aの一方の主面には、基板100を支持する複数の支持部2a1が設けられている。また、載置台202aの中央部分には、載置台202aの厚み方向を貫通する孔202aaが設けられている。ただし、前述した載置台2aにはプレート2dが設けられていたが、載置台202aにはプレート2dが設けられていない。
このため、予備工程において、基板100をより均一に冷却することができる。
製造誤差などにより、意図しない隙間が、プレート2dの側面2dcと基板100の側面との間に形成される場合がある。プレート2dの基板100側の側面2dcにも設けることで、意図しない隙間が、プレート2dの側面2dcと基板100の側面との間に形成されていたとしても、基板100の表面100bに供給された液体101が、プレート2dの側面2dcと基板100の側面との間から載置台2a側に漏れるのを抑制することができる。特に、プレート2dの基板100側の側面2dcに設ける撥液部2d2は、弾性体としての性質を有していると好ましい。例えば、撥液材でコーティングされた弾性体をプレート2dの側面2dcに取り付けるようにすればよい。
また、図7(b)に示すように、撥液部2d2は、プレート2dの全表面に設けてもよい。
また図9に示すように、複数の小片2dd〜2dgは、載置台2aではなく、載置台2aの周囲に設けられた駆動部2dgに配置され、移動可能としてもよい。
図10に示すように、基板処理装置1aには、載置部2、冷却部3、第1液体供給部4、第2液体供給部5、筐体6、送風部7、測定部8、温度測定部8a、ガス供給部10、および制御部9が設けられている。
ガス収納部10aは、ガス10dの収納と供給を行う。ガス収納部10aは、ガス10dが収納された高圧ボンベや工場配管などとすることができる。
流量制御部10bは、ガス10dの流量を制御する。流量制御部10bは、例えば、ガス10dの流量を直接的に制御するMFCとすることもできるし、圧力を制御することでガス10dの流量を間接的に制御するAPCとすることもできる。
また、送風部7により供給される空気7aの量を制御することで、液体101の過冷却状態の制御を行うこともできる。
Claims (6)
- 基板を支持可能な載置台と、
前記載置台と、前記基板と、の間の空間に、冷却ガスを供給可能な冷却部と、
前記基板の、前記載置台側とは反対側の面に液体を供給可能な液体供給部と、
板状を呈し、前記基板の周縁を囲むプレートと、
少なくとも、前記プレートの、前記載置台側とは反対側の面に設けられ、前記基板よりも前記液体をはじきやすい性質を有する撥液部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記撥液部は、前記プレートの、前記基板側の側面にさらに設けられている請求項1記載の基板処理装置。
- 前記撥液部は、膜状を呈し、飽和フルオロアルキル基、フルオロシリル基、アルキルシリル基、および長鎖アルキル基のいずれかを有する材料を含む請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記撥液部は、フラクタル構造を有する請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記プレートの熱伝導率は、前記基板の熱伝導率と同じである請求項1〜4のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記プレートの線膨張係数は、前記基板の線膨張係数と同じである請求項1〜5のいずれか1つに記載の基板処理装置。
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