CN106683984A - 电池保护控制晶片的制作方法以及电池保护控制芯片以及用户设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例中提供了一种电池保护控制晶片的制作方法、电池保护控制芯片以及用户设备，该制作方法包括在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行氧化；以及在氧化完成后，切割并封装所述电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片，采用本申请中的方案，能够有效避免发生漏电或短路，降低电池保护控制晶片的厚度。

Description

电池保护控制晶片的制作方法以及电池保护控制芯片以及用 户设备
技术领域
本申请涉及电池保护技术领域，具体涉及一种电池保护控制晶片的制作方法、电池保护控制芯片以及用户设备。
背景技术
随着技术的不断发展，便携式用户设备不断小型化。为了适应小型化需要，电池保护芯片也在不断小型化。
目前对于小型化要求较高的应用中，电池保护芯片通常将电池保护控制晶片和功率开关晶片封装在同一个封装中。如图1a所示，电池保护控制晶片和功率开关晶片可以采用层叠放置，也可以采用平铺放置，具体可参见图1b所示。无论哪种放置方式，都需要对电池保护控制晶片和功率开关晶片进行绝缘处理，以避免发生漏电或短路。
发明内容
本申请实施例中提供了一种电池保护控制晶片的制作方法、电池保护控制芯片以及用户设备，能够有效避免发生漏电或短路，降低电池保护控制晶片的厚度。
根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种电池保护控制晶片的制作方法，包括：在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理；以及在氧绝缘处理完成后，切割所述电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片。
根据本申请实施例的第一个方面，在本申请实施例的第一个方面的第一种实施方式中，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行氧化，包括：对所述电池保护控制晶圆的下表面进行绝缘处理。
根据本申请实施例的第一个方面第一种实施方式，在本申请实施例的第一个方面的第二种实施方式中，对电池保护控制晶圆的下表面进行氧化，包括：将所述池保护控制晶圆的下表面进行氮化或氧化处理，将下表面材质替换为绝缘材料。
根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种电池保护控制晶片，包括：切割后的电池保护控制晶圆，其中所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面处理成带有绝缘性能的表面。
根据本申请实施例的第二个方面，在本申请实施例的第二个方面的第一种实施方式中，所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面是下表面。
根据本申请实施例的第二个方面的第一种实施方式或第二种实施方式，在本申请实施例的第二个方面的第二种实施方式中，绝缘性能的材料是二氧化硅；或氮化硅。
根据本申请实施例的第三个方面，提供了一种电池保护控制芯片，包括上述第二方面提出的电池保护控制晶片；与所述电池保护控制晶片封装在同一个封装单元的功率开关晶片。
根据本申请实施例的第三个方面，在本申请实施例的第三个方面第一种实施方式中，所述电池保护控制晶片和所述功率开关晶片层叠设置；或所述电池保护控制晶片和所述功率开关晶片平铺设置。
根据本申请实施例的第三个方面，在本申请实施例的第三个方面第二种实施方式中，所述电池保护控制晶片放置在引线框的设定位置，并将引线与引脚衔接。
根据本申请实施例的第三个方面，提供了一种用户设备，包含上述第三方面所述的电池保护控制芯片。
采用本申请实施例中提供的技术方案，在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理，以及在绝缘处理完成后，切割所述电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片，采用本申请中的方案，在制作电池保护控制晶片过程中，还未进行切割之前，对形成的电池保护控制晶圆做绝缘处理，因为绝缘材料的存在，形成的电池保护控制晶片能够有效避免发生漏电或短路，另外，对形成的电池保护控制晶圆做绝缘处理，一次性的完成绝缘处理，而现有技术中增加环氧树脂做绝缘，简化生产工艺，节省成本，并且绝缘处理不是额外添加绝缘薄膜，这样能够较好降低电池保护控制晶片的厚度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1a为现有技术中提出的电池保护控制芯片的结构组成示意图；
图1b为现有技术中提出的电池保护控制芯片的结构组成示意图；
图2为本申请实施例一提出的电池保护控制晶片的制作方法流程图；
图3为本申请实施例二提出的电池保护控制晶片结构组成示意图；
图4a为本申请实施例三提出的电池保护控制芯片结构组成示意图；
图4b为本申请实施例三提出的电池保护控制芯片结构组成示意图。
具体实施方式
在实现本申请的过程中，发明人发现通过在电池保护控制晶片和功率开关晶片旋涂隔离材料(例如epoxy环氧树脂)实现绝缘处理。但是环氧树脂相对也会增加高度，导致封装后的芯片厚度增加。
针对上述问题，本申请实施例中提供了一种电池保护控制晶片的制作方法，在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行氧化，在氧化完成后，切割并封装电池保护控制晶圆，在避免发生漏电或短路的同时，保证能够降低电池保护控制芯片的厚度。
为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实施例一
本申请实施例一提出一种电池保护控制晶片的制作方法，在制作电池保护控制晶片时，首先要制作电池保护控制晶圆，而本申请提出的技术方案，在常规的制作电池保护控制晶片制作过程进行相应地改变，如图2所示，其具体处理流程如下述：
步骤21，制作电池保护控制晶圆。
在电池保护控制晶片的制作过程中，出于工艺的需要，一次性会制作完成超过两个电池保护控制晶圆。
步骤22，电池保护控制晶圆制作完成后，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理。
在本申请实施例一提出的技术方案中，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理，通过绝缘材料，让绝缘材料替代电池保护控制晶圆需要绝缘的一面的材料或渗入电池保护控制晶圆需要绝缘的一面的材料中去。
具体地，绝缘处理包含氧化处理或氮化处理。
以一实例进行详细阐述：
通常情况下，电池保护控制晶圆后续形成电池保护控制晶片之后，在排放布置时，一般是下表面与地线接触，因此下表面一般对绝缘性要求较高，因此在本申请实施例一提出的技术方案中，电池保护控制晶圆制作完成后，对电池保护控制晶圆的下表面进行氧化。
具体实施中，可以将电池保护控制晶圆的下表面氧化，生成一层绝缘薄膜。
该绝缘薄膜通过氧化处理，并不是涂覆或者单独覆盖在电池保护控制晶圆的下表面，而是渗入或者替代电池保护控制晶圆的下表面的材料，因此相比现有技术来说，在绝缘处理时，没有增加电池保护控制晶圆的下表面的厚度，后续在形成电池保护控制芯片时，能够有效降低芯片的整体厚度。
一种较佳地实现方式，在本申请实施例一提出的技术方案中，绝缘处理的材料可以是二氧化硅或氮化硅等，在此不做具体的限定。
另外，在本申请实施例一提出的技术方案中，形成的绝缘材料的厚度没有具体的限定。
步骤23，在绝缘处理完成后，切割并封装电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片。
一种实施方式中，在绝缘处理完成后，电池保护控制晶圆的下表面已经形成绝缘，可以对该些控制晶圆依次进行切割、封装，从而形成电池保护控制晶片。在形成电池保护控制晶片之后，为保证出厂的成品率，提升产品质量，可以对形成的电池保护控制晶片进行测试，淘汰次品，提升产品的成品率。
一种实施方式中，还可以在氧化完成后，对电池保护控制晶圆进行测试，将测试不通过的电池保护晶圆去除或标注，后续在进行切割、封装时，针对测试不通过的电池保护晶圆不进行封装，这样可以较好地节省封装材料，同样也能够提升出厂的成品率，提升产品质量。
在本申请实施例一上述提出的技术方案中，形成电池保护控制芯片时，需要将形成的电池保护控制晶片放置到引线框中的指定位置，再确定引线，以及其它需要一同放置的晶片，然后注塑、封装形成芯片，这里不再赘述。
在本申请实施例一上述提出的技术方案中，电池保护控制晶圆制作完成后，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理，这种绝缘处理方式是对电池保护控制晶圆整体进行操作，相比现有技术中对切割后的电池保护控制晶圆单个填充环氧树脂来说，能够保证绝缘处理过程中绝缘材料的使用量，以及绝缘处理的均匀性，进一步地，本申请实施例一上述提出的技术方案中，对电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理时，并不是在电池保护控制晶圆需要绝缘的一面增加绝缘薄膜，因此相比现有技术来说，能够在保证电池保护晶片绝缘性能的前提下，有效降低电视保护控制晶片的厚度。
实施例二
本申请实施例二提出一种电池保护控制晶片，如图3所示，包括：
切割后的电池保护控制晶圆31。
电池保护控制晶圆31需要绝缘的一面处理成带有绝缘性能的表面32。
需要说明的是，为便于阐述和示意，本申请实施例二在给出的附图3中给出的绝缘后的表面是有一定高度的，但是，具体实施中，绝缘后的绝缘材料或渗入或替代原材料的。
在电池保护控制晶片的制作过程中，出于工艺的需要，一次性会制作完成超过两个电池保护控制晶圆。
通常情况下，电池保护控制晶圆后续形成电池保护控制晶片之后，在排放布置时，一般是下表面与地线接触，因此下表面一般对绝缘性要求较高，因此在本申请实施例一提出的技术方案中，电池保护控制晶圆制作完成后，对电池保护控制晶圆的下表面进行氧化或氮化处理。
具体地，本申请实施例二提出的技术方案中，电池保护控制晶圆31的下表面生成一层绝缘材料32。
在本申请实施例二提出的技术方案中，绝缘处理的材料可以是二氧化硅或氮化硅等，在此不做具体的限定。
在氧化或氮化完成后，切割并封装电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片。
实施例三
本申请实施例三提出的技术方案中，提出一种电池保护控制芯片，包括电池保护控制晶片，
与电池保护控制晶片封装在同一个封装单元的功率开关晶片。
其中，电池保护控制晶片的制作方法请参见本申请上述实施例一提出的技术方案，在此不做具体地限定。
电池保护控制晶片401的具体结构组成，请参见本申请上述实施例二提出的技术方案，在此不再赘述。
在本申请实施例三提出的技术方案中，如图4a所示，电池保护控制晶片401和功率开关晶片402可以层叠设置。
如图4b所示电池保护控制晶片401和功率开关晶片402还可以平铺设置。
电池保护控制晶片放置在引线框的设定位置，并将引线与引脚衔接。
相应地，本申请实施例三还提出一种用户设备，包含上述电池保护控制芯片。
在本申请上述实施例一～实施例三提出的技术方案中，采用本申请提出的技术方案，在制作电池保护控制晶片时，将电池保护控制晶片需要绝缘的一面做绝缘处理，后续在形成电池保护控制芯片时，无论电池保护控制晶片如何放置，由于已经做过绝缘处理，故相比现有技术来说，不需要再填充绝缘材料，从而在起到保护隔离作用的同时，能够有效地降低电池保护控制晶片的厚度。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种电池保护控制晶片的制作方法，其特征在于，包括：
在电池保护控制晶片的制作过程中，电池保护控制晶圆制作完成后，对所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行绝缘处理；以及
在绝缘处理完成后，切割所述电池保护控制晶圆形成电池保护控制晶片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面进行氧化，包括：
对所述电池保护控制晶圆的下表面进行绝缘处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述电池保护控制晶圆的下表面进行绝缘处理，包括：
将所述池保护控制晶圆的下表面进行氮化或氧化处理，将下表面材质替换为绝缘材料。
4.一种电池保护控制晶片，其特征在于，包括：
切割后的电池保护控制晶圆，其中所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面处理成带有绝缘性能的表面。
5.根据权利要求4所述的电池保护控制晶片，其特征在于，所述电池保护控制晶圆需要绝缘的一面是下表面。
6.根据权利要求5或6所述的电池保护控制晶圆，其特征在于，所述绝缘性能的材料是二氧化硅；或
氮化硅。
7.一种电池保护控制芯片，其特征特在于，包括如权利要求4～6任一所述的电池保护控制晶片；
与所述电池保护控制晶片封装在同一个封装单元的功率开关晶片。
8.根据权利要求7所述的电池保护控制芯片，其特征在于，所述电池保护控制晶片和所述功率开关晶片层叠设置；或
所述电池保护控制晶片和所述功率开关晶片平铺设置。
9.根据权利要求7或8所述的电池保护控制芯片，其特征在于，所述电池保护控制晶片放置在引线框的设定位置，并将引线与引脚衔接。
10.一种用户设备，其特征在于，包含如权利要求7～9任一所述的电池保护控制芯片。
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