CN106676631A - 一种制备abx3钙钛矿单晶薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中,含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1:0.1~2;配置成浓度为0.05‑5.0mol/L钙钛矿溶液;向基片P上滴加钙钛矿溶液,盖上基片Q;利用基片P与基片Q两片基片,控制钙钛矿单晶的生长方向,使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长,即钙钛矿单晶只能延两个方向生长,随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。本发明可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜;方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。
Description
技术领域
本发明属于钙钛矿技术领域,尤其涉及一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法。
背景技术
随着人类社会的高速发展,人们对于能源的需求也迅速增加,有限的传统化石能源大量消耗而日益枯竭并引起环境污染及全球气温变暖等一系列问题,引发了人们对可持续能源的迫切需求。新型能源开发为人类文明可持续发展提供重要保障,太阳能作为一种清洁的、取之不尽的能源恰好可以很好的解决目前日益尖锐的环境与能源之间的矛盾。目前,一种钙钛矿结构的有机无机杂化材料CH3NH3PbX3正在光伏领域引发一场革命。从2009年至今,工艺简单、成本低廉的钙钛矿太阳能电池的效率由3.8%迅速提高至22.1%。研究发现,有机无机杂化钙钛矿具有优异的光学和电学性质,最常见的钙钛矿材料是甲胺碘化铅(CH3NH3PbI3),其为直接带隙半导体,带隙约为1.5eV。消光系数高,约400nm厚的薄膜就可以充分吸收800nm以下的太阳光。光激发的激子束缚能只有0.03eV,说明在室温下大部分激子会很快分离为自由载流子。电子和空穴表现出很小的有效质量和很高的迁移率(电子:7.5cm2V-1s-1,空穴:12.5cm2V-1s-1),复合时间为几百纳秒,这导致很长的载流子扩散距离(100-1000nm)。上述特性使得钙铁矿型结构CH3NH3PbI3不仅可以实现对可见光和部分近红外光的吸收,而且所产生的光生载流子不易复合,能量损失小,这是钙铁矿型太阳能电池能够实现高效率的根本原因。此外,这种材料制备简单,将含有PbI2和CH3NH3I的溶液,在常温下通过旋涂法即可获得均匀多晶薄膜。不仅在太阳能电池领域,性能优异的钙铁矿材料在激光器、LED、光电探测器和氢气制备等方面都有广阔的应用前景。目前,人们将注意力更多的是放在如何改善钙钛矿多晶薄膜的合成方法或者材料的性能、提高电池光电转换效率和电池稳定性等方面,对其他方面应用的研究较少;另外,对于钙钛矿单晶来说,相关报道也证实其在激光器、LED、光电探测器等的巨大应用前景,但相关单晶薄膜的生长方法及性能的报道较少。目前没有制备钙钛矿单晶薄膜的其他方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,旨在解决目前没有制备钙钛矿单晶薄膜的问题。
本发明是这样实现的,一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中,含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1:0.1~2;配置成浓度为0.05-5.0mol/L钙钛矿溶液;向基片P上滴加钙钛矿溶液,盖上基片Q;利用基片P与基片Q两片基片,控制钙钛矿单晶的生长方向,使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长,即钙钛矿单晶只能延两个方向生长,随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。
进一步,所述基片P与基片Q的材质是玻璃、刚玉、石英、云母、单晶硅、多晶硅、LaAlO3、二氧化钛、三氧化二镓、GeO2、二氧化锆、ITO。
进一步,所述A为CH3NH3 +、H2N-CH=NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+、C3H11SN3 2+中的一种或多种,B为Pb、Ge、Sn中的一种或多种;X为Cl、Br、I中的一种或多种。
进一步,所述溶剂M为氢碘酸、γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚枫或N-甲基-2-吡咯烷酮。
进一步,滴入钙钛矿溶液的基片P与基片Q两基片直接放置于室内或置于室温~200℃的恒温箱中。
进一步,单晶薄膜厚度为50nm-2mm,通过对P、Q两基片施加载荷、垫入厚度已知的垫片等,改变两基片之间的间距,控制单晶薄膜的厚度;
含A卤代物为含有有机或无机离子半径为的有机或无机卤代物中的一种或多种混合;
含B金属化合物为氯化铅、溴化铅、碘化铅或醋酸铅;氯化亚锡、四氯化锡、溴化亚锡、碘化亚锡;氯化锗、溴化锗、碘化锗化合物中的一种或多种混合。
本发明的另一目的在于提供一种由所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法制备的单晶薄膜。
本发明的另一目的在于提供一种由所述单晶薄膜制备的太阳能电池。
本发明的另一目的在于提供一种由所述单晶薄膜制备的激光晶体。
本发明的另一目的在于提供一种由所述单晶薄膜制备的半导体材料。
本发明提供的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,制备出高质量钙钛矿单晶薄膜的方法,利用两片基片,控制钙钛矿单晶的生长方向,使晶体只能在两基片之间的缝隙生长,即钙钛矿单晶只能延两个方向生长,随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜,该方法具有所得单晶薄膜质量高,设备要求简单、工艺简单等优点。本发明制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,实现了钙钛矿单晶薄膜的制备;可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜;方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。
附图说明
图1是本发明实施例提供的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法流程图。
图2是本发明实施例提供的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜方法示意图。
图3是本发明实施例提供的制备的CH3NH3PbBr3单晶薄膜样品示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
如图1所示,本发明实施例提供的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法包括以下步骤:
本发明制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法所采用的技术方案是:
S101:将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中,配置成一定浓度的钙钛矿溶液;
S102:向基片P上滴加适量的钙钛矿溶液,盖上基片Q,使溶液均匀分布在两基片之间;
S103:将两基片放置于一定温度下,随着溶剂的蒸发,两基片之间可得到钙钛矿单晶薄膜。
A为CH3NH3 +、H2N-CH=NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+、C3H11SN3 2+中的一种或多种,B为Pb、Ge、Sn中的一种或多种;X为Cl、Br、I中的一种或多种。
溶剂M为对ABX3有较大溶解度的单一溶剂或混合溶剂,包括但不限于氢碘酸、γ-丁内酯(GBL)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚枫(DMSO)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
基片P与基片Q的材质可以是玻璃、刚玉、石英、云母、单晶或多晶硅、LaAlO3,二氧化钛,三氧化二镓,GeO2,二氧化锆、ITO等,且两基片可用不同材质。
滴入钙钛矿溶液的两基片可直接放置于室内或置于室温~200℃的恒温箱中,可通过改变温度来控制单晶薄膜的生长速率。
单晶薄膜厚度为50nm-2mm,可通过对P、Q两基片施加载荷、垫入厚度已知的垫片等,改变两基片之间的间距,进而控制单晶薄膜的厚度。
含A卤代物为含有有机或无机离子半径为的有机或无机卤代物中的一种或多种混合,包括氯甲胺(CH3NH3Cl)、氯甲脒(H2N-CH=NH2Cl)、氯化四甲胺((CH3)4NCl)、氯卓鎓(C7H7Cl)、氯代2-异硫脲(C3H11SN3Cl2)、溴甲胺(CH3NH3Br)、溴甲脒(H2N-CH=NH2Br)、溴化四甲胺((CH3)4NBr)、溴卓鎓(C7H7Br)、溴代2-异硫脲(C3H11SN3Br2)、碘甲胺(CH3NH3I)、碘甲脒(H2N-CH=NH2I)、碘化四甲胺((CH3)4NI)、碘卓鎓(C7H7I)、碘代2-异硫脲(C3H11SN3I2)及无机CsI。
含B金属化合物为以下化合物中的一种或多种混合:氯化铅(PbCl2)、溴化铅(PbBr2)、碘化铅(PbI2)或醋酸铅(Pb(CH3COO)2);氯化亚锡(SnCl2)、四氯化锡(SnCl4)、溴化亚锡(SnBr2)、碘化亚锡(SnI2);氯化锗(GeCl2)、溴化锗(GeBr2)、碘化锗(GeI2)。
所述单晶生长液中含A卤代物与含B金属化合物的摩尔比为1:(0.1~2)。
所述单晶生长液的浓度为0.05-5.0mol/L。
下面结合具体实施例对本发明的应用原理作进一步的描述。
实施例1:
本发明制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,A为CH3NH3 +、H2N-CH=NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+、C3H11SN3 2+中的一种或多种,B为Pb、Ge、Sn中的一种或多种;X为Cl、Br、I中的一种或多种,具体方法包括以下步骤:
1)称取上述含A卤代有机无机物一种或多种、含B金属化合物一种或多种,于已加入搅拌子的50ml烧杯中。
其中,含A卤代物为含有有机或无机离子半径为的有机或无机卤代物中的一种或多种混合,包括氯甲胺(CH3NH3Cl)、氯甲脒(H2N-CH=NH2Cl)、氯化四甲胺((CH3)4NCl)、氯卓鎓(C7H7Cl)、氯代2-异硫脲(C3H11SN3Cl2)、溴甲胺(CH3NH3Br)、溴甲脒(H2N-CH=NH2Br)、溴化四甲胺((CH3)4NBr)、溴卓鎓(C7H7Br)、溴代2-异硫脲(C3H11SN3Br2)、碘甲胺(CH3NH3I)、碘甲脒(H2N-CH=NH2I)、碘化四甲胺((CH3)4NI)、碘卓鎓(C7H7I)、碘代2-异硫脲(C3H11SN3I2)及无机CsI。
其中,含B金属化合物为以下化合物中的一种或多种混合:氯化铅(PbCl2)、溴化铅(PbBr2)、碘化铅(PbI2)或醋酸铅(Pb(CH3COO)2);氯化亚锡(SnCl2)、四氯化锡(SnCl4)、溴化亚锡(SnBr2)、碘化亚锡(SnI2);氯化锗(GeCl2)、溴化锗(GeBr2)、碘化锗(GeI2)。
其中,含A卤代物与含B金属化合物的摩尔比为1:(0.1~2)。
2)向步骤1烧杯中加入溶剂M;
其中,相关溶剂M为对ABX3有较大溶解度的单一溶剂或混合溶剂,包括但不限于氢碘酸、γ-丁内酯(GBL)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚枫(DMSO)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
3)将烧杯置于磁力搅拌加热器上,在室温~90℃搅拌2小时以上,可通过超声波辅助溶质溶解,得到澄清透明溶液,溶液浓度为0.05~5.0mol/L,备用。
4)取步骤3溶液10-1000μL滴在干净的基片P上,盖上基片Q,使溶液均匀分布于两基片之间,如:2所示.
其中,基片P与基片Q的材质可以是玻璃、刚玉、石英、云母、单晶或多晶硅、LaAlO3,二氧化钛,三氧化二镓,GeO2,二氧化锆、ITO等,且两基片可用不同材质。
5)将步骤4中已滴入溶液的两基片,放置于室内或置于室温~200℃的恒温箱中,随着溶剂的蒸发,两基片之间可得到钙钛矿单晶薄膜,如图3所示。
其中,单晶薄膜厚度为50nm-2mm,可通过对P、Q两基片施加载荷、垫入厚度已知的垫片等,改变两基片之间的间距,进而控制单晶薄膜的厚度。
实施例2
1、配置溶液
称取0.2462g溴甲胺(CH3NH3Br)、0.8074g溴化铅(PbBr2)于已放入搅拌子的50ml烧杯中,加入10ml N,N-二甲基甲酰胺(DMF),放在磁力搅拌器上室温搅拌2小时以上,得到无色澄清透明的前驱体溶液,浓度为0.22M,溴甲胺与溴化铅摩尔比为1:1。
2、单晶薄膜的制备
取步骤1中溶液100μL,滴在干净的10mm×10mm玻璃片中间,另取一玻璃片盖在其上,使溶液均匀分布在两玻璃片之间,将两玻璃片置于室温大气环境下,5天后,两玻璃片之间即可得到CH3NH3PbBr3单晶薄膜。
实施例3
1、配置溶液
称取0.7833g溴甲胺(CH3NH3Br)、2.5690g溴化铅(PbBr2)于已放入搅拌子的50ml烧杯中,加入10ml N,N-二甲基甲酰胺(DMF),放在磁力搅拌器上室温搅拌2小时以上,得到无色澄清透明的前驱体溶液,浓度为0.7M,溴甲胺与溴化铅摩尔比为1:1。
2、单晶薄膜的制备
取步骤1中溶液100μL,滴在干净的10mm×10mm玻璃片中间,另取一玻璃片盖在其上,使溶液均匀分布在两玻璃片之间,在盖玻璃片上放置一块底面平整的5kg重的铁块,将上述装置置于室温大气环境下,5天后,两玻璃片之间即可得到CH3NH3PbBr3单晶薄膜。
实施例4
1、配置溶液
称取2.3835g碘甲胺(CH3NH3I)、2.3050g碘化铅(PbI2)于已放入搅拌子的50ml烧杯中,加入10mlγ-丁内酯(GBL),放在加热磁力搅拌器上,60℃搅拌2小时以上,得到黄色澄清透明的前驱体溶液,浓度为0.5M,碘甲胺与碘化铅摩尔比为3:1。
2、单晶薄膜的制备
取步骤1中溶液100μL,滴在干净的10mm×10mm刚玉片中间,另取一玻璃片盖在其上,使溶液均匀分布在两基片之间,将两基片置于60℃恒温箱中,5天后,两基片之间即可得到CH3NH3PbI3单晶薄膜。
实施例5
1、配置溶液
称取1.4896g溴化铯(CsBr)、2.5690g溴化铅(PbBr2)于已放入搅拌子的50ml烧杯中,加入10ml N,N-二甲基甲酰胺(DMF),放在磁力搅拌器上室温搅拌2小时以上,得到无色澄清透明的前驱体溶液,浓度为0.7M,溴化铯与溴化铅摩尔比为1:1。
2、单晶薄膜的制备
取步骤1中溶液100μL,滴在干净的10mm×10mm石英片中间,另取一玻璃片盖在其上,使溶液均匀分布在两基片之间,将两基片置于室温大气环境下,5天后,两基片之间即可得到CsPbBr3单晶薄膜。
实施例6
1、配置溶液
称取0.3917g溴甲胺(CH3NH3Br)、1.2845g溴化铅(PbBr2)、0.2361g氯甲胺(CH3NH3Cl)、0.9734g氯化铅(PbCl2)于已放入搅拌子的50ml烧杯中,加入5ml N,N-二甲基甲酰胺(DMF)与5ml二甲基亚枫(DMSO),放在磁力搅拌器上室温搅拌2小时以上,得到无色澄清透明的前驱体溶液,浓度为0.7M,卤甲胺与卤化铅摩尔比为1:1。
2、单晶薄膜的制备
取步骤1中溶液100μL,滴在干净的10mm×10mm云母片中间,另取一玻璃片盖在其上,使溶液均匀分布在两基片之间,将两基片置于室温大气环境下,5天后,两基片之间即可得到CH3NH3PbCl1.5Br1.5单晶薄膜。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,其特征在于,所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中,含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1:0.1~2;配置成浓度为0.05-5.0mol/L钙钛矿溶液;向基片P上滴加钙钛矿溶液,盖上基片Q;利用基片P与基片Q两片基片,控制钙钛矿单晶的生长方向,使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长,即钙钛矿单晶延两个方向生长,随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。
2.如权利要求1所述的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,其特征在于,所述基片P与基片Q的材质是玻璃、刚玉、石英、云母、单晶硅、多晶硅、LaAlO3、二氧化钛、三氧化二镓、GeO2、二氧化锆、ITO。
3.如权利要求1所述的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,其特征在于,所述A为CH3NH3 +、H2N-CH=NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+、C3H11SN3 2+中的一种或多种,B为Pb、Ge、Sn中的一种或多种;X为Cl、Br、I中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,其特征在于,所述溶剂M为氢碘酸、γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚枫或N-甲基-2-吡咯烷酮。
5.如权利要求1所述的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,其特征在于,滴入钙钛矿溶液的基片P与基片Q两基片直接放置于室内或置于室温~200℃的恒温箱中。
6.如权利要求1所述的制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,其特征在于,单晶薄膜厚度为50nm-2mm,通过对P、Q两基片施加载荷、垫入厚度已知的垫片,改变两基片之间的间距,控制单晶薄膜的厚度;
含A卤代物为含有有机或无机离子半径为的有机或无机卤代物中的一种或多种混合;
含B金属化合物为氯化铅、溴化铅、碘化铅或醋酸铅;氯化亚锡、四氯化锡、溴化亚锡、碘化亚锡;氯化锗、溴化锗、碘化锗化合物中的一种或多种混合。
7.一种由权利要求1~6任意一项所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法制备的单晶薄膜。
8.一种由权利要求7所述单晶薄膜制备的太阳能电池。
9.一种由权利要求7所述单晶薄膜制备的激光晶体。
10.一种由权利要求7所述单晶薄膜制备的半导体材料。
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---|---|
CN (1) | CN106676631A (zh) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107221612A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-09-29 | 西南大学 | 一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法 |
CN107460535A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-12-12 | 石家庄铁道大学 | 原位生长单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜材料的制备方法 |
CN108360067A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-03 | 深圳大学 | 一种超薄二维PbI2单晶的制备方法 |
CN108560056A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-21 | 武汉大学 | 一种二维钙钛矿单晶材料及其制备方法 |
CN109137083A (zh) * | 2017-06-15 | 2019-01-04 | 中国科学院化学研究所 | 一种大面积分子晶体及其制备方法 |
CN109206449A (zh) * | 2018-08-01 | 2019-01-15 | 南京航空航天大学 | 一种有机-无机钙钛矿晶体材料及其制备方法与应用 |
CN109355708A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-02-19 | 天津理工大学 | 一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法 |
CN110483046A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-11-22 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种高发射率红外节能材料以及制备方法 |
CN110484963A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-22 | 山东大学 | 一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法 |
CN110504618A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 北京大学 | 一种原位生长钙钛矿单晶薄膜制备垂直腔面发射激光器的方法和一种垂直腔面发射激光器 |
CN110581056A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 中国科学院化学研究所 | 具有普适性的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及应用 |
CN110699745A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-17 | 东南大学 | 一种钙钛矿单晶的制备方法 |
CN111051560A (zh) * | 2017-08-10 | 2020-04-21 | 克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司 | 生产具有钙钛矿状结构的吸光材料的膜的方法 |
CN111519254A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-11 | 南昌大学 | 一种二维晶体的生长方法 |
CN111933809A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-11-13 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种薄膜干燥方法及其应用 |
WO2021079793A1 (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | セラミック複合体及びセラミック複合体の製造方法 |
CN113106535A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-07-13 | 合肥工业大学 | 一种二维钙钛矿单晶的制备方法 |
CN113121390A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-16 | 北京理工大学 | 基于四甲基胍阳离子的有机-无机杂化材料、制备方法及其应用 |
CN114150363A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-08 | 吉林大学 | 一种锡基钙钛矿单晶的生长方法 |
CN115125607A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-09-30 | 山东科技大学 | 一种生长面积和厚度可控的超薄钙钛矿单晶薄膜的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104882543A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-09-02 | 北京交通大学 | 一种具有梯度能带结构的有机-无机杂化钙钛矿MAPbBr3材料及其制备方法 |
CN104911705A (zh) * | 2015-05-18 | 2015-09-16 | 陕西师范大学 | 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法 |
CN105336856A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-17 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 一种制备钙钛矿薄膜的新方法 |
CN105470391A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-04-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 有机无机杂化钙钛矿薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
CN105586641A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-05-18 | 山东大学 | 甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置 |
-
2016
- 2016-11-28 CN CN201611064731.8A patent/CN106676631A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104911705A (zh) * | 2015-05-18 | 2015-09-16 | 陕西师范大学 | 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法 |
CN104882543A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-09-02 | 北京交通大学 | 一种具有梯度能带结构的有机-无机杂化钙钛矿MAPbBr3材料及其制备方法 |
CN105336856A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-17 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 一种制备钙钛矿薄膜的新方法 |
CN105470391A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-04-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 有机无机杂化钙钛矿薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
CN105586641A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-05-18 | 山东大学 | 甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
YANI CHEN,ET AL.: "Structure and Growth Control of Organic–Inorganic Halide Perovskites for Optoelectronics: From Polycrystalline Films to Single Crystals", 《ADVANCED SCIENCE》 * |
YAO-XUAN CHEN,ET AL.: "General Space-Confined On-Substrate Fabrication of Thickness-Adjustable Hybrid Perovskite Single-Crystalline Thin Films", 《J. AM. CHEM. SOC.》 * |
YUCHENG LIU,ET AL.: "Thinness- and Shape-Controlled Growth for Ultrathin Single-Crystalline Perovskite Wafers for Mass Production of Superior Photoelectronic Devices", 《ADV. MATER.》 * |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109137083A (zh) * | 2017-06-15 | 2019-01-04 | 中国科学院化学研究所 | 一种大面积分子晶体及其制备方法 |
CN107221612A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-09-29 | 西南大学 | 一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法 |
CN107460535A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-12-12 | 石家庄铁道大学 | 原位生长单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜材料的制备方法 |
CN111051560B (zh) * | 2017-08-10 | 2022-04-22 | 克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司 | 生产具有钙钛矿状结构的吸光材料的膜的方法 |
CN111051560A (zh) * | 2017-08-10 | 2020-04-21 | 克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司 | 生产具有钙钛矿状结构的吸光材料的膜的方法 |
CN108360067A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-03 | 深圳大学 | 一种超薄二维PbI2单晶的制备方法 |
CN108560056A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-21 | 武汉大学 | 一种二维钙钛矿单晶材料及其制备方法 |
CN110581056A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 中国科学院化学研究所 | 具有普适性的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及应用 |
CN109206449A (zh) * | 2018-08-01 | 2019-01-15 | 南京航空航天大学 | 一种有机-无机钙钛矿晶体材料及其制备方法与应用 |
CN109355708A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-02-19 | 天津理工大学 | 一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法 |
CN110484963A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-22 | 山东大学 | 一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法 |
CN110504618A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 北京大学 | 一种原位生长钙钛矿单晶薄膜制备垂直腔面发射激光器的方法和一种垂直腔面发射激光器 |
CN110483046B (zh) * | 2019-09-26 | 2021-06-29 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种高发射率红外节能材料以及制备方法 |
CN110483046A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-11-22 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种高发射率红外节能材料以及制备方法 |
WO2021079793A1 (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | セラミック複合体及びセラミック複合体の製造方法 |
CN110699745A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-17 | 东南大学 | 一种钙钛矿单晶的制备方法 |
CN110699745B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-08-06 | 东南大学 | 一种钙钛矿单晶的制备方法 |
CN111519254A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-11 | 南昌大学 | 一种二维晶体的生长方法 |
CN111933809B (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-22 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种薄膜干燥方法及其应用 |
CN111933809A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-11-13 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种薄膜干燥方法及其应用 |
CN113106535A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-07-13 | 合肥工业大学 | 一种二维钙钛矿单晶的制备方法 |
CN113121390A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-16 | 北京理工大学 | 基于四甲基胍阳离子的有机-无机杂化材料、制备方法及其应用 |
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CN114150363A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-08 | 吉林大学 | 一种锡基钙钛矿单晶的生长方法 |
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