CN106663644B - 半导体基板表面的有机物污染评价方法及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明的一种形态涉及一种半导体基板表面的有机物污染评价方法，该方法包括：在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息；根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。

Description

半导体基板表面的有机物污染评价方法及其应用

相关专利申请的相互参照

本申请主张2014年7月4日申请的日本专利申请第2014-139131号公报的优先权，作为公开，特在此引用其全部记载。

技术领域

本发明涉及一种半导体基板表面的有机物污染评价方法及其应用。具体而言，涉及一种利用光致发光来评价半导体基板表面的有机物污染的评价方法及其应用。

背景技术

作为污染半导体基板表面的污染物质，可以列举来自于半导体基板的制造装置及收容容器的有机物。

半导体基板表面的有机物污染所引起的现象是：成为栅极绝缘膜的经时绝缘破坏现象中偶发故障的发生、氧化膜耐压劣化等设备性能下降的原因。因此，为了稳定地供给能制造高质量的装置的半导体基板，要求评价半导体基板表面的有机物污染，判别应从出厂的成品基板中排除的不合格的基板(被污染的半导体基板)、判断在成品基板出厂前是否进行用于除去有机物的再清洗(再清洗的必要性)、进行用于排除污染原因的工序管理等。因此，以往已经提出各种用于评价半导体基板表面的有机物污染的方法(例如，特开2002-368050号公报、特开平8-220071号公报、特开平6-283582号公报及其英语同族专利即美国专利第5,426,057号公报中记载的方法等，作为公开，特在此引用这些文献的全部记载)。

发明内容

然而，上述现有评价方法具有下述问题：测定需要很长时间，测定灵敏度、分辨率低，需要进行破坏性检查等。

本发明的一种形态是提供一种半导体基板表面的有机物污染的新的评价方法。

为了达成上述目的，本发明的发明人经过不断深入研究的结果是获得了新的见解，以往用于分析半导体基板中的缺陷和金属污染而不用于分析半导体基板表面附着物引起的污染的方法，即光致发光法能够用来评价半导体基板表面的有机污染。而且在测定原理上，光致发光法的测定灵敏度和分辨率高，并且不需要长时间测定，是一种非破坏性检查，是一种优异的方法。

更具体而言，半导体基板表面因自然氧化膜的影响而存在容易带正电的倾向，所以带负电的有机物容易付着在半导体基板表面。而且当带负电的有机物付着时，在p型半导体中，能带因负电而倾向于蓄积侧，在n型半导体中，能带倾向于反转侧，未被电子填充的表面准位变多，所以容易引起表面准位处的SRH再复合。因此，在半导体基板表面付着了有机物的部位，光致发光(下文也被记载为“PL”)信号(PL强度)弱。通过利用这一点，根据与PL强度有关的信息(PL强度信息)，半导体基板表面的有机物污染的评价成为可能，这是本发明人努力研究的结果、新的发现。因此，例如通过与没有有机物污染(或有机物污染少)的参照基板的PL强度信息对比，能够对评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无和程度进行评价。而且，根据在评价对象半导体基板表面所获得的PL强度的面内分布信息，能够对评价对象半导体基板表面的有机物污染的面内分布(在面内的哪个部位付着有有机物，在面内的哪个部位付着有较多的有机物等)进行评价。

本发明是基于以上见解而完成的。

即，本发明的一种形态涉及一种半导体基板表面的有机物污染评价方法，该方法包括：在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息；根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度以及面内分布所组成的群。

在一种形态中，光致发光强度信息包含评价对象半导体基板表面的光致发光强度的面内分布信息。

在一种形态中，至少对有机物污染的面内分布进行评价。

关于这一点，为了推定有机物污染的半导体基板表面的有机物污染的原因，并进行应该排除该原因的工序管理，希望获得半导体基板表面的有机物污染的面内分布。在半导体基板的制造装置和收容容器，位于通过面内分布信息确认有机物污染多有发生的区域附近(或者与该区域接触)的部件，成为半导体基板表面的有机物污染的发生原因的可能性高。然而利用上述专利文献2和3记载的方法，在半导体基板表面无法获得有机物污染的面内分布信息。另一方面，利用例如根据半导体基板表面的接触角度测定的评价方法、和专利文献1记载的根据表面光电压的评价方法，能够获得半导体基板表面的有机物污染的面内分布信息。然而这些评价方法需要进一步改善测定灵敏度。与此相对，利用上述评价方法，能够高灵敏度地评价半导体基板表面的有机物污染的面内分布信息。而且，基于如此获得的评价结果，能够推定表面有机物污染的发生原因。

上述半导体基板可以是p型、n型中的任一种，在一种形态中是p型半导体基板。与n型半导体基板相比，p型半导体基板的付着有机物的部位与未付着有机物的部位的PL强度差以及因付着量的差异而导致的PL强度差大，因此在p型半导体基板上，能够获得更高对比的面内分布信息。

另外，由于能够像上述那样进行半导体基板表面的有机物污染的评价，所以根据本发明的另一形态，也能评价在制造或保管中由配置有半导体基板的装置造成的有机物污染的有无及程度。

即，本发明的另一形态涉及一种在制造或保管时配置有半导体基板的装置的评价方法，包含：

在被配置于所述装置的半导体基板表面获得光致发光强度信息；以及

根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由所述装置造成的半导体基板表面的有机物污染的发生的有无、程度所组成的群。

在一种形态中，根据所获得的光致发光强度的面内分布信息，能够推定因所述装置造成的半导体基板表面的有机物污染的发生原因。

在一种形态中，所述装置为半导体基板的收容容器。

本发明的另一种形态涉及一种半导体基板的制造方法，该方法包括：

准备由多个半导体基板组成的半导体基板的组的工序；

从所述组中抽出至少一个半导体基板的工序；

评价所抽出的半导体基板的工序；和以下工序中的至少一个：

将从经过所述评价被判定合格品的半导体基板及与该半导体基板同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择的至少一个半导体基板作为成品基板出厂，或，对从经所述评价被判定为不合格品的半导体基板及与该半导体基板同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择的至少一个半导体基板实施清洗处理，在表面有机物污染降低后再作为成品基板出厂；

利用所述半导体基板表面的有机物污染评价方法，对被抽出的半导体基板进行评价。

本发明的另一种形态涉及一种半导体基板表面的有机物污染的评价装置，该装置包含：

测定部，在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息；

评价部，根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。

根据本发明，能够评价半导体基板表面得有机物污染的有无、程度和面内分布。另外，通过上述评价，能够推定因半导体基板的制造装置和收容容器而造成的有机物污染原因。根据该推定结果，通过进行排除污染原因的装置检修和容器更换等工序管理，能够稳定地供给表面有机物污染少的高质量的半导体基板。

附图说明

图1是根据强激发显微光致发光法的测定装置的概略图。

图2是显示将半导体晶片收容于实施例中所使用的半导体晶片出厂容器中的状态的概略剖视图。

图3的上段显示在实施例1中获得的PL强度的映射剖面图，图3的下段显示在比较例1中获得的接触角测定值的映射剖面图。

图4显示通过GC-MS分析得到的有机物付着量定量结果。

具体实施方式

本发明一种形态是一种半导体基板表面的有机物污染的评价方法，包含下述工序。

(1)在评价对象半导体基板表面，获得光致发光强度(PL强度)信息，

(2)根据所获得的PL强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。

以下，对各工序依次进行说明。

工序(1)

在本工序中，在评价对象半导体基板表面获得PL强度信息。像上文说明的那样，在半导体基板表面付着有机物的部位的PL强度比未付着有机物的部位的PL强度弱，而且，付着量越多，PL强度越弱。因此，根据在本工序所获得的PL强度信息，例如，能够判定PL强度弱的被观察部位是发生表面有机物付着的部位，并能够判定PL强度越弱，该部位的有机物付着量越多。根据这样的PL强度的面内分布信息，能够评价有机物污染的面内分布。而且，通过将在评价对象半导体基板表面所获得的PL强度(例如，在整个面内或一部分区域被测定的PL强度的平均值、最大值、最小值等)与在参照半导体基板表面所获得的PL强度进行对比，也能够判定评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无及程度，所述参照半导体基板是指确认为没有有机物污染或有机物污染极少且数值是成品所允许的阈值以下的基板。本发明的PL强度信息包含上述那样的PL强度的平均值、最大值、最小值、面内整个区域或一部分区域的PL强度的分布信息(面内分布信息)等与PL强度相关的各种信息。

针对判定的具体情况，后面描述工序(2)。

虽然评价对象半导体基板例如是硅基板，但并无特别限定。例如化合物半导体基板也能适用上述评价方法。半导体基板的导电型可以是p型，也可以是n型。即使评价对象半导体基板是任一种导电型的半导体基板，利用光致发光法，也能高灵敏度地评价表面有机物污染的有无、程度和面内分布。对比p型和n型，在n型中，在没有有机物付着的状态下，被电子填充的表面准位多，在有机物付着的状态下，未被因排斥所产生的电子填充的表面准位量变少，所以与p型相比，有机物付着部位和未付着部位的PL强度差及因付着量的差异而导致的PL强度差变小。所以，与n型相比，p型能够更高灵敏度地评价表面有机物污染的有无、程度及面内分布。例如在利用映射剖面图获得PL面内分布信息的情况下，为了更高灵敏度地进行评价，最好能够获得更高对比的映射剖面图。而且，从容易评价的角度出发，最好获得高对比的PL面内分布信息。

本发明的PL强度的获得方法只要是利用光致发光法即可，并无特别限定。从操作简便性的观点出发，最好利用不需要温度控制的室温光致发光法(室温PL法)进行。如果采用硅基板为例，在室温PL法中，利用从试样基板表面入射的且比硅的禁带宽度能量大的激发光在表面附近产生的电子空穴对(也就是载流子)，在晶片内部边扩散边发光然后熄灭。该发光被称作能带端发光，显示室温(例如20～30℃)下的波长为约1.15μm的发光强度。通常，在光致发光法中，激发光能够使用可见光，所以作为PL强度，如果测定波长950nm以上的光强度，由于能够从激发光分离，所以高灵敏度的测定就成为可能。由此，作为PL强度，最好测定能带端发光强度。因此，如上所述，在半导体基板表面的有机物付着部位，由于能带倾向于蓄积侧(p型)或反转侧(n型)会导致发光强度下降，因此，表面有机物付着的有无和程度会在半导体基板表面产生PL强度的高低差异。

在本发明中，作为在利用室温PL法来测定PL强度时能够使用的装置的一例，可以列举根据强激发显微光致发光法的测定方法。所谓强激发显微光致发光法是指利用可见光激光使硅中的载流子激发，进而检测出被激发的载流子直接在禁带宽度之间再结合时产生的发光(能带端发光)强度的方法。图1是根据强激发显微光致发光法的测定装置的概略图。在图1中，10表示测定装置，1表示激光光源，2表示半反射镜，3表示光致发光检测器，4表示自动聚焦用检测器，5表示带通滤波器，6表示输入计，7表示输出计，8表示表面散射光检测器，W表示测定对象试样(半导体基板)。测定对象试样W被载置在未图示的X·Y载物台上，通过X·Y载物台工作，激励激光向基板面的X方向、Y方向扫描。由此，获得评价对象半导体基板的PL强度信息。PL强度信息也可以在评价对象试样表面的整个面内获得，也可以在表面的一部分获得。而目，在获得作为PL强度信息的PL面内分布信息的情况下，所获得的面内分布信息是PL强度的线图，也可以是映射剖面图。为了评价在面内整个区域上的有机物付着的有无、程度和分布，最好获得映射剖面图。在映射剖面图中，可以通过将PL强度的由高到低分配成例如由黑到白的亮度(明暗程度)，利用映射图像的明暗来评价PL强度的高低。而且在本发明中，所谓的面内分布信息，不局限于面内整个面的分布信息，也用于表示包含面内一部分区域的分布信息的含义。例如，PL面内分布信息的获得也包含获得面内某个区域的PL强度信息(例如PL强度的平均值、最大值、最小值)和获得面内其他一个以上区域的PL强度信息。

工序(2)

本工序是基于通过工序(1)获得的PL强度信息，对从评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群中选择的评价项目进行评价的工序。在一种形态中，在所获得的PL强度信息(例如上述PL面内分布信息)中，通过确认PL强度的高低差异，能够判定在硅片表面发生了有机物污染(更详细地说，有机物污染在局部发生)。而目，在另一种形态中，通过将像上文记载的那样获得的PL强度信息与针对参照半导体基板所获得的PL强度信息进行对比，能够判断评价对象半导体基板的表面有机物附着的有无及污染的程度(污染是重度还是轻度)。而且，在另一种形态中，在工序(1)获得的PL面内分布信息中，通过判定在PL强度低的区域发生了表面有机物污染，能够评价表面有机物污染的面内分布。

上述评价方法不仅能对评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无及程度进行评价，也能评价面内分布，所以也能推定半导体基板的表面有机物污染的发生原因。针对这一点作进一步说明，作为半导体基板的有机物污染的发生原因，可以列举从半导体基板的制造装置和收容容器脱气产生的有机气体物质的付着、这些装置和容器的构成材料与半导体基板表面接触时的付着、混入到这些装置和容器内部的环境气体内的有机气体物质的付着等。例如，在PL面内分布信息中，如果PL强度局部下降的区域被确认，则可以推定在制造装置和收容容器内，位于该区域附近的部件和与该区域接触的部件是表面有机物污染的发生原因。或者，与无污染(或污染极少)的参照半导体基板对比，如果确认在面内整个区域PL强度几乎均等地下降，就能推定混入到制造装置和收容容器内部的环境气体内的有机气体物质是污染原因。

因此，根据本发明的一种形态，通过使用上述评价方法，也能评价由半导体基板的制造装置和收容容器所造成得有机物污染的发生的有无及程度。

即，本发明的一种形态是涉及一种在制造或保管时配置有半导体基板的装置的评价方法，所述评价方法包含：在被配置于所述装置的半导体基板表面获得PL强度信息；根据所获得的PL强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由所述装置造成的半导体基板表面的有机物污染的发生的有无、程度所组成的群。评价的具体情况与上文记载的相同。而且，作为评价对象的装置，可以列举半导体基板的收容容器、在制造工序中配置有半导体基板的各种装置(例如热处理炉等)。

如上所述，根据PL面内分布信息，能够推定半导体基板的表面有机物污染的发生原因。这意味着能够推定在制造或保管时配置有半导体基板的装置所造成的半导体基板表面的有机物污染的产生原因。推定的具体情况与上文记载的相同。另外，通过实施制造装置、收容容器的更换、维修、清洗等污染降低处理，以减少或排除所推定的产生原因，能够提供表面有机物污染少的半导体基板。

而且，本发明的其他形态涉及一种半导体基板的制造方法，通过实施上述本发明的一种形态所涉及的半导体基板表面的有机物污染的评价方法，对被抽出的半导体基板进行评价，该方法包括：预备由多个半导体基板组成的半导体基板组的工序；从所述组中抽出至少一个半导体基板的工序；对所述被抽出的半导体基板进行评价的工序；和以下工序中的至少一个：从经所述评价被判定为合格品的半导体基板及与该半导体基板处于同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择至少一个半导体基板，将其作为成品基板出厂；或者，从经所述评价被判定为不合格品的半导体基板及与该半导体基板处于同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择至少一个半导体基板实施清洗处理，在降低表面有机物污染后再作为成品基板出厂。

利用上述本发明的一种形态涉及的半导体基板表面的有机物污染的评价方法，能够高灵敏度且高分辨率地评价半导体基板的表面有机物污染。因此，在一种形态中，将经过相关的评价方法判定表面有机物污染的有无、程度和面内分布状态均可用于制造高质量的装置的合格品的半导体基板、以及与该基板同一组内的半导体基板作为成品基板出厂，藉此，能够高可靠性地提供可用于制作高质量的装置的成品基板。而且，判定为合格品的基准可以因应半导体基板的用途等并考虑基板所要求的物理特性来设定。而且一个组内所包含的基板数量和要抽出的基板数量适当设定即可。

而且，在另一种形态中，对根据上述评价的结果被判定为不满足合格品的判断基准的不合格品的半导体基板、以及与被判断为不合格品的半导体基板同一组内的其他半导体基板实施清洗处理，在降低表面有机物污染后，作为成品基板出厂，籍此，能够高可靠性地提供可用于制作高质量的装置的成品基板。清洗处理可以采用公知的方法进行。而且，降低表面有机物污染后的半导体基板可以直接作为成品基板出厂，也可以在利用上述评价方法确认为合格品后，再作为成品基板出厂。

本发明的另一种形态涉及一种半导体基板表面的有机物污染的评价装置，该装置包括：测定部，在评价对象半导体基板表面获得PL强度信息；评价部，根据所获得的PL强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。上述评价装置能够很好地适用于所述评价方法。

作为上述评价装置所包含的测定部，可以不受限制地使用市场上销售的光致发光测定装置等、公知的基于光致发光法的测定装置。测定装置的一例如上文所记载。而且上述评价装置中，测定部和后述的评价部可以作为分体的构成要素被包含，也可以作为一体的构成要素被包含。在测定部所获得的PL强度信息的具体情况如上文所记载。

评价部至少包含能够显示在测定部所获得的PL强度信息的显示部。在一种形态中，评价者通过目视显示部所显示的PL强度信息进行判定，藉此，能够进行基于显示部所显示的PL强度信息的评价。虽然本发明并不限定于下述形态，但作为具体的形态，可以列举的有：采用目视判断映射剖面图的评价；以及以面内的PL强度的最大值和最小值的差是否超过阈值、面内的PL强度的平均值是否超过阈值、起因于制造装置和收容容器的表面有机物污染有可能发生的特定区域的PL强度是否超过阈值等作为判定基准来判定的评价等。

实施例

下文，基于实施例对本发明进一步说明。但是本发明并不限定于实施例所示形态。下文记载的评价在室温(约20℃)下进行。

评价对象硅片的准备

针对下述3个级别的掺杂硼的p型硅片，每个级别分别准备3片。同一级别中的一片硅片采用PL法评价，另一片硅片采用GC-MS法评价，剩余的一片采用接触角法评价。评价的细节将在下文叙述。所有硅片是同一批次制造的硅片。因此，级别间的评价结果的差异能够判断为因评价法的差异或保管时的污染导致的影响所造成的。

<评价对象硅片>

参照晶片：出厂前刚进行清洗后的硅片。

晶片1：与参照晶片进行相同的出厂前清洗后，在半导体晶片出厂容器内保管1个月后的硅片。

晶片2：与参照晶片进行相同的出厂前清洗后，在与晶片1的保管中所使用的半导体晶片出厂容器不同的半导体晶片出厂容器内保管3个月后的硅片。

图2是显示收容有硅片状态的半导体晶片收容容器的剖视图。

[实施例1]

采用室温PL法的评价

作为图1所示装置，使用Nanometrics公司制造的PL测定装置SiPHER；作为测定激光，利用波长532nm的光源，针对参照晶片、晶片1和晶片2，进行在500μm节距下能带端光致发光发光强度图测定。

在图3上段显示参照晶片、晶片1和晶片2的PL强度的映射剖面图。在映射剖面图中，PL强度越低的部分越暗(黑)，越高的部位越亮(白)。在图3上段所示的映射剖面图中，面内上方显示半导体晶片出厂容器中被配置在上方(槽口侧)的区域的结果，面内下方显示半导体晶片出厂容器中被配置在下方的区域的结果。在晶片1和晶片2的映射剖面图中，确认在配置于面内上方的区域PL强度低，观察到在半导体晶片出厂容器内的保管时间长的晶片2有更大程度的PL强度的降低。与此相对，在参照晶片确认到这种PL强度的降低，其在面内整个区域显示几乎相同的PL强度。

根据上述结果能够推定，在半导体晶片出厂容器内在晶片上方的附近存在表面有机物污染源，成为晶片1和晶片2的晶片面内在半导体晶片出厂容器内位于上方的区域产生PL强度的下降的原因。在半导体晶片出厂容器的构成部件中，作为仅位于上方而成为有机物污染原因的部件可以列举垫圈(密封部件)。综上所述，推定半导体晶片出厂容器的垫圈成为表面有机物污染的产生原因。

利用GC-MS的付着有机物的确定和有机物付着量的确认

通过对参照晶片、晶片1和晶片2加热，将付着在晶片表面的有机物气化回收。利用气相色谱仪质量分析仪(GC-MS)对回收的有机物进行分析。根据GC-MS的质量光谱，能够在晶片1和晶片2上确认到来自半导体晶片出厂容器的垫圈所包含的来自可塑剂的有机物。认为有机物是可塑剂脱气并付着于晶片1和晶片2的产物。

根据使用标准物质制成的标准曲线，对付着于晶片1和晶片2的上述有机物数量进行定量。在图4中显示结果。另外从对参照晶片进行清洗后的有机溶剂中未检测到上述有机物。在气体色谱法分析中，虽然能够对付着在半导体基板表面的有机物进行定量，但难以获得表面有机物污染的面内分布信息。与此相对，利用PL法，能够像实施例1所示那样能够获得表面有机物污染的面内分布信息。另外，根据表面有机物污染的面内分布信息，也能推定表面有机物污染的发生原因。由此可知，利用PL法的评价方法是一种优异的方法。

作为评价方法的具体形态，例如，如图3所示，在晶片1和晶片2的PL强度映射剖面图中，对比差在面内被确认，能够判定在晶片1和晶片2发生了有机物污染。而且，针对晶片1和晶片2各个晶片，计算出晶片表面的一部分区域(例如面内上方)的PL强度的平均值和另一部分区域(例如面内下方)的PL强度的平均值，一部分区域的PL强度的平均值比另一部分区域的PL强度的平均值低，就能判定在一部分区域内(例如面内上方)发生了有机物污染。或者，针对晶片1、晶片2和参照晶片，计算出面内的PL强度的平均值，与针对参照晶片计算出的平均值相比，针对晶片1和晶片2计算出的平均值低，也能判定在晶片1和晶片2发生了有机物污染。另外，将针对晶片1算出的平均值与针对晶片2算出的平均值对比，针对晶片2算出的平均值低，能判定在晶片2的表面发生了比晶片1更重度的有机物污染。

[比较例1]

根据接触角测定的评价

通过上述评价，能够推定半导体晶片出厂容器的垫圈是晶片表面有机物污染的发生原因。因此，在参照晶片、晶片1和晶片2的面内，以在半导体晶片出厂容器内位于上方的面内区域为中心，在面内的多个点上，利用市场上销售的接触角测定装置测定相对于水的接触角。可以判定相对于水的接触角越大，有机物付着量越少。在图3下段显示对测定值进行颜色缩放所获得的映射剖面图。

在图3下段所示的接触角测定值的映射剖面图中，像在实施例1获得的PL强度的映射剖面图那样的面内无法确认出清晰的对比差。

根据上述结果可以确认，与采用接触角测定的评价相比，利用PL法能够高灵敏度地评价半导体晶片的表面有机物污染。

本发明在半导体基板的制造领域中有用。

Claims (10)

1.一种半导体基板表面的有机物污染评价方法，包括：

在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息，该评价对象半导体基板在制造时、保管时、或者制造和保管时被配置于包含有机物污染发生原因的装置内；和

使用所获得的光致发光强度信息，基于以下判定标准对评价项目进行评价：将光致发光强度弱的被观察部位判定为发生表面有机物付着的部位，光致发光强度越弱则判定为该部位的有机物付着量越多；该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的程度和面内分布所组成的群。

2.根据权利要求1记载的半导体基板表面的有机物污染评价方法，其中，所述光致发光强度信息包含评价对象半导体基板表面中的光致发光强度的面内分布信息。

3.根据权利要求1或2记载的有机物污染的评价方法，还包括：至少对有机物污染的面内分布进行评价，根据所获得的评价结果来推定表面有机物污染的发生原因。

4.根据权利要求1或2记载的有机物污染的评价方法，所述半导体基板为p型半导体基板。

5.一种在制造或保管时配置有半导体基板的装置的评价方法，所述装置包含有机物污染的发生原因，所述装置的评价方法包括：

在配置于所述装置的半导体基板表面获得光致发光强度信息；和

使用所获得的光致发光强度信息，基于以下判定标准对由所述装置造成的半导体基板表面的有机物污染的发生的程度进行评价：将光致发光强度弱的被观察部位判定为发生表面有机物付着的部位；光致发光强度越弱则判定为该部位的有机物付着量越多。

6.根据权利要求5记载的装置的评价方法，所述光致发光强度信息包含被配置于所述装置的半导体基板表面的光致发光强度的面内分布信息。

7.根据权利要求6记载的装置的评价方法，还包括：根据所述光致发光强度的面内分布信息，推定因所述装置而造成的半导体基板表面的有机物污染的发生原因。

8.根据权利要求5～7中任一项记载的装置的评价方法，所述装置为半导体基板的收容容器。

9.一种半导体基板的制造方法，包括：

由多个半导体基板组成的半导体基板的组的准备工序；

从所述组抽出至少一个半导体基板的工序；

对所述被抽出的半导体基板进行评价的工序；和以下工序中的至少一个：

将从经过所述评价被判定合格品的半导体基板及与该半导体基板同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择的至少一个半导体基板作为成品基板出厂，或者，对从经所述评价被判定为不合格品的半导体基板及与该半导体基板同一组内的其他半导体基板所组成的群中选择的至少一个半导体基板实施清洗处理，在表面有机物污染降低后再作为成品基板出厂；

在所述准备工序中，所述多个半导体基板被配置于包含有机物污染发生原因的装置内；

利用权利要求1～4中任一项记载的方法对被抽出的半导体基板进行评价。

10.一种半导体基板表面的有机物污染的评价装置，包含：

测定部，在评价对象半导体基板表面获得光致发光强度信息；和

评价部，根据所获得的光致发光强度信息，对评价项目进行评价，该评价项目选自由评价对象半导体基板表面的有机物污染的有无、程度和面内分布所组成的群。