CN106531907B - 二次电池的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种二次电池(1)的制造方法。根据该制造方法，激光包含：向位于盖体(61)上的第1照射位置照射的第1峰光(PL1)、向位于第1照射位置与连接面(56)之间的第2照射位置照射的第2峰光(PL2)、和向连接面(56)照射的第3峰光(PL3)，第1峰光(PL1)的强度比第2峰光(PL2)的强度以及第3峰光(PL3)的强度高，第3峰光(PL3)的强度比第2峰光(PL2)的强度高。

Description

二次电池的制造方法

技术领域

本发明涉及二次电池的制造方法。

背景技术

锂离子二次电池等包含电极体、和收纳电极体的电池壳体。这样的二次电池的制造方法，例如，如日本特开2001-351582号公报等所记载的那样，包括：将盖体嵌入到形成有开口部的壳体上、并将盖体与壳体的对接部分进行激光焊接的工序。

在将盖体与收纳壳体进行激光焊接时，从激光的照射位置产生羽辉(plume)。羽辉是高温的金属蒸气和/或等离子体，根据焊接方式，该羽辉有对设置于盖体的树脂构件给予热影响的风险。

于是，以抑制在激光焊接时产生的羽辉对设置于盖体的树脂构件给予的影响为目的，曾提出了各种的二次电池的制造方法。

例如，日本特开2014-10887号公报中，记载了在设置于电池壳体盖的绝缘构件的周围形成凹部形状的空间，一边向该空间流动保护气体一边进行激光焊接的方法。

另外，日本特开2015-111573号公报中，记载了以下方法：在盖构件的长边上之中的至少与绝缘构件面对的区间，照射高能量的激光，在上述区间以外的区间，照射低能量的激光。再者，在照射高能量的区间，在盖构件的外表面、电池壳体主体的开口端面和电池壳体主体的外侧面也形成焊接痕。

发明内容

但是，在日本特开2014-10887号公报所记载的方法中，由于形成于电池壳体盖的凹部沿着绝缘构件的外周延伸成长条，因此在凹部的下游侧，保护气体容易扩散，难以准确地控制羽辉的摇摆。

在日本特开2015-111573号公报所记载的方法中，在与绝缘构件面对的区间，被照射高能量的激光。一照射高能量的激光，就产生较多的羽辉，根据情况，反倒有对绝缘构件给予的热影响变大的风险。

本发明是鉴于上述那样的课题而完成的，其目的是提供一种二次电池的制造方法，该制造方法能够抑制在盖体的上表面设置的树脂构件等由于在将盖体与壳体进行激光焊接时产生的羽辉而受到的影响。

本发明涉及的二次电池的制造方法，具备：准备形成有开口部的壳体的工序；在开口部配置盖体的工序；和向壳体的开口边缘部和盖体的外周缘部照射激光，将盖体的外周缘部与壳体的开口边缘部焊接的工序。

上述壳体包含：底板部；和与底板部的外周缘部连接、并且向上方立起来的周壁部。上述周壁部包含：外周面；以形成开口部的方式环状地延展的上表面；和将外周面与上表面连接的连接面。上述连接面以随着从上表面趋向外周面而趋向下方的方式形成。上述激光包含：向位于盖体上的第1照射位置照射的第1峰光(第1峰值光：first peak light)、向位于第1照射位置与连接面之间的第2照射位置照射的第2峰光(第2峰值光：second peaklight)、和向连接面照射的第3峰光(第3峰值光：third peak light)。上述第1峰光的强度比第2峰光的强度以及第3峰光的强度高。上述第3峰光的强度比第2峰光的强度高。

根据上述的二次电池的制造方法，在焊接时从焊接部分释放的羽辉朝向外侧倾斜。因此，能够抑制设于盖体的上表面的绝缘体(insulator)等构件受到羽辉的大的影响。

优选：上述连接面为倾斜面，当将使上述壳体的上表面向壳体的外侧虚拟延伸出的平面作为假想平面时，倾斜面相对于假想平面的倾斜角度为15度以上45度以下。

通过如上述那样设定倾斜面的倾斜角度，能够抑制设于盖体的上表面的绝缘体等构件受到热影响，并且能够形成良好的焊接部。

本发明的上述目的以及其他的目的、特征、形态(aspects)和优点，可从与附图关联地理解的关于本发明的以下的详细说明来明确。

附图说明

图1是表示本实施方式涉及的二次电池1的立体图。

图2是表示正极端子10的立体图。

图3是图1的III-III线的截面图。

图4是表示焊接部7及其周围的构成的截面图。

图5是表示二次电池1的制造流程的流程图。

图6是表示准备壳体50的工序的立体图。

图7为对外周面54的一部分进行剖视的截面图。

图8是表示准备工序P1之中的、准备盖体61的工序的立体图。

图9是示意性地表示准备工序P1之中的、将电极体2与盖体61连接的工序的示意图。

图10是示意性地表示配置工序P2的示意图。

图11是示意性地表示焊接工序P3的示意图。

图12是表示将盖体61嵌入到壳体50后，从盖体61的上方向盖体61的外周缘部65和壳体50的开口边缘部58照射激光L的情形的截面图。

图13是图12的XIII-XIII线的截面图。

图14是示意性地表示如图12所示那样照射激光L时的温度分布的示意温度分布图。

图15是表示壳体50A的变形例的截面图。

图16是表示作为激光L的照射模式的模式1的示意图。

图17是表示作为激光L的照射模式的模式2的示意图。

具体实施方式

使用图1等对本实施方式涉及的二次电池1以及二次电池1的制造方法进行说明。

图1是表示本实施方式涉及的二次电池1的立体图。如该图1所示，二次电池1包含：电极体2、和在内部收纳电极体2的电池壳体3。电极体2是通过将涂布有正极活性物质等的正极片、隔板、涂布有负极活性物质等的负极片、和隔板依次重叠并卷绕而形成的。

电极体2包含：在电极体2的一个端部形成的正极部8、和在其另一个端部形成的负极部9。二次电池1包含：与正极部8连接的正极集电体20、和与负极部9连接的负极集电体21。

电池壳体3包含：底板部6、从底板部6的外周缘部向上方延展的周壁部5、配置于周壁部5的上端部侧的顶板部4、和将顶板部4与周壁部5连接的焊接部7。

电池壳体3包含：设置于顶板部4的上表面的正极端子10、与正极端子10空出间隔地配置的负极端子11、和将形成于顶板部4的注入口12密封的密封构件13。

图2是表示正极端子10的立体图。如该图2所示，正极端子10包含：设置于顶板部4的上表面的绝缘体22、在绝缘体22的上表面上配置的金属片23、在金属片23的一个端部设置的端子24、和设置于金属片23的另一个端部并且连结正极集电体20的结合部25。绝缘体22由树脂等形成。

图3是图1的III-III线的截面图。如该图3所示，顶板部4包含上表面30、和与上表面30连接的外周面31。外周面31包含沿着焊接部7的形状弯曲的边界面32、和与边界面32的下端部连接并且与周壁部5相对的相对面33。周壁部5包含内周面34、沿着焊接部7的形状延展的上表面35、和与上表面35的外周缘部连接的外周面36。

图4是表示焊接部7及其周围的构成的截面图。再者，上述图3和图4是在垂直于焊接部7的延展方向的方向上剖视时的截面图。如该图4所示，焊接部7包含：位于顶板部4的上表面30侧的内周缘部40、和位于周壁部5的外周面36侧的外周缘部41。内周缘部40在宽度方向X上与外周缘部41相比靠近相对面33，内周缘部40在上下方向Y上位于比外周缘部41靠上方的位置。

焊接部7包含：将内周缘部40和外周缘部41连接并且以向上方鼓起的方式形成的上表面42、和将内周缘部40和外周缘部41连接并且以向下方突出的方式形成的下表面43。

上表面42包含：在上下方向Y上位于最上方的顶点部45、以随着从内周缘部40趋向顶点部45而趋向上方的方式形成的弯曲面46、和以随着从外周缘部41趋向顶点部45而趋向上方的方式形成的弯曲面47。

顶点部45，在宽度方向X上，与内周缘部40和外周缘部41相比靠近相对面33，顶点部45位于相对面33或者相对面33的附近。

下表面43包含：在上下方向Y上位于最下方的顶点部44、从内周缘部40向顶点部44延展的倾斜面48、和从外周缘部41向顶点部44延展的倾斜面49。倾斜面48以随着从内周缘部40趋向顶点部44而趋向下方的方式形成，倾斜面49以随着从外周缘部41趋向顶点部44而趋向下方的方式形成。

在此，内周缘部40，在宽度方向X上与外周缘部41相比靠近顶点部44，另一方面，在上下方向Y上与外周缘部41相比远离顶点部44。因此，内周缘部40和顶点部44之间的距离、与外周缘部41和顶点部44之间的距离之差小。再者，顶点部45位于顶点部44的上方或者顶点部44的附近的上方。

如上述那样形成的焊接部7之中、上下方向Y的厚度最厚的部分，位于相对面33及其附近。

因此，焊接部7将顶板部4和周壁部5焊接起来的焊接强度高，即便对顶板部4和/或周壁部5施加外力，也能够抑制焊接部7发生龟裂等。

进而，由于在宽度方向X上，内周缘部40与外周缘部41相比靠近相对面33，因此抑制了上表面30的面积变小，确保了在顶板部4的上表面配置各种构件的装载空间较大。

再者，内周缘部40在宽度方向X上靠近相对面33，另一方面，内周缘部40位于比外周缘部41靠上方的位置。因此，确保了倾斜面48的面积，即便对顶板部4等施加外力，也能够抑制顶板部4从焊接部7剥离。

进而，上表面42的弯曲面47，以随着从外周缘部41趋向上方而趋向内周缘部40侧的方式形成，焊接部7以不从外周面36向外部突出的方式形成。因此，在使多个二次电池1以相互接触的方式排列来构成电池装置的情况下，能够抑制电池装置的尺寸精度变差。

下面对如上述那样构成的二次电池1的制造方法进行说明。图5是表示二次电池1的制造流程的流程图。如该图5所示，制造二次电池1的制造工序包括：准备工序P1、配置工序P2、焊接工序P3、注入工序P4、和密封工序P5。

准备工序P1包括：准备壳体50的工序、准备盖体的工序、和将电极体连接到盖体的工序。图6是表示准备壳体50的工序的立体图。如该图6所示，准备壳体50。壳体50包含：底板部51、和以从底板部51的外周缘部朝向上方立起来的方式形成的周壁部52。壳体50被形成为中空状，在壳体50上形成有开口部53。

图7是对周壁部52一部分进行剖视时的截面图。如该图7所示，周壁部52包含：外周面54、位于比外周面54靠上方的位置的上表面55、将上表面55和外周面54连接的倾斜面56、和与上表面55的内周缘部连接的内周面57。上表面55以形成开口部53的方式环状地延展。再者，通过上表面55和内周面57而形成了开口部53的开口边缘部58。

上表面55被形成为平坦面状，当以将上表面55向壳体50的外侧虚拟延伸出的平面为假想面60，并将假想面60与倾斜面56的交叉角度记为交叉角度θ时，交叉角度θ为15度以上45度以下。

周壁部52的宽度W1例如为0.4mm左右。上表面55的宽度W2为0.1mm以上、(宽度W1-0.1mm)以下。在宽度W1为0.4mm时，上表面55的宽度W2为0.1mm以上0.3mm以下。壳体50例如由铝合金形成。

图8是表示准备工序P1之中的、准备盖体61的工序的立体图。如该图8所示，盖体61包含金属板62、设于金属板62的上表面的正极端子10和负极端子11，在金属板62上形成有注入口12。再者，在准备工序P1中，在注入口12中未设置密封构件13。

盖体61包含上表面63、和与上表面63连接的外周面64，通过外周面64和上表面63而形成了环状地延展的外周缘部65。

图9是示意性地表示准备工序P1之中的、将电极体2和盖体61连接的工序的示意图。如该图9所示，将电极体2的负极部9与负极端子11用负极集电体21连接，并将电极体2的正极部8与正极端子10用正极集电体20连接。

图10是示意性地表示配置工序P2的示意图。如该图10所示，在壳体50的开口部53内配置连接有电极体2的盖体61。此时，以盖体61的外周缘部65、和壳体50的开口边缘部58相对的方式配置。

图11是示意性地表示焊接工序P3的示意图。如该图10和图11所示，在盖体61嵌入到壳体50的开口部的状态下，将由激光焊接装置70射出的激光L照射到盖体61的外周缘部65和壳体50的开口边缘部58。

激光焊接装置70是电流扫描器(galvano scanner)方式的焊接装置。该激光焊接装置70包括：激光振荡器71、衍射光学元件72、旋转用电动机73、电流扫描器74、和fθ透镜75。电流扫描器74包括反射镜76和反射镜77。

激光振荡器71产生激光，采用激光振荡器71产生的激光通过光纤而入射到衍射光学元件72。入射到衍射光学元件72的激光，其后入射到电流扫描器74内。

入射到电流扫描器74内的激光被反射镜76和反射镜77反射，并入射到fθ透镜75。从fθ透镜75射出的激光聚光于规定的焦点位置。

在这样的激光焊接装置70中，通过调整反射镜76和反射镜77，能够调整激光L的照射位置。进而，通过调整fθ透镜75，能够调整激光L的焦点位置。

图12是表示在将盖体61嵌入到壳体50后，从盖体61的上方向盖体61的外周缘部65和壳体50的开口边缘部58照射激光L的情形的截面图。在焊接中，为了抑制熔融金属氧化，从喷嘴90供给保护气体，并由抽真空装置(vacuum)91排气。保护气体95的供给速度非常缓慢，几乎没有对后述的羽辉的上升方向带来影响。

图13是图12的XIII-XIII线的截面图。如图12和图13所示，激光L包含周边光PS、位于周边光PS内的峰光PL1、峰光PL2和峰光PL3。

在图13中，周边光PS的截面形状为圆形形状，周边光PS的直径D1例如为0.45mm左右。各峰光PL1、峰光PL2、峰光PL3的截面形状也是圆形形状，各峰光PL1、PL2、PL3的直径为40μm左右。

峰光PL2位于周边光PS的中心，峰光PL1、峰光PL2和峰光PL3在周边光PS的径向上排列。而且，峰光PL1、峰光PL2和峰光PL3依次等间隔地配置。

再者，峰光PL1与峰光PL2的间隔、和峰光PL2与峰光PL3的间隔例如为0.2mm。

在此，例如激光L的输出功率(周边光PS和峰光PL1、PL2、PL3的合计输出功率)为1200W以上1800W以下。

各峰光PL1、PL2、PL3的激光强度远高于周边光PS的激光强度。峰光PL1的激光强度比峰光PL2的激光强度和峰光PL3的激光强度高。峰光PL3的激光强度比峰光PL2的激光强度高。

例如，若将峰光PL3的激光强度设为1.0，则峰光PL1的激光强度为1.2，峰光PL2的激光强度为0.8。再者，该强度比率值为例示，并不限于该比率。

再者，峰光PL1、PL2、PL3的各自的功率密度例如为1E+07(W/cm²)左右。

在图12中，激光L照射到盖体61的外周缘部65和开口边缘部58。具体而言，被配置为：周边光PS从上表面63通过外周缘部65和开口边缘部58并达到倾斜面56。

峰光PL1的照射位置，位于盖体61的上表面63。峰光PL2的照射位置位于上表面55。峰光PL3的照射位置位于倾斜面56。

激光焊接装置70，在如上述那样照射激光L的状态下使激光L的照射位置向外周缘部65和开口边缘部58延伸的方向移动。激光L的扫描速度例如为9m/min以上24m/min以下左右。

再者，图12所示的截面图，是在与外周缘部65和开口边缘部58延伸方向垂直的方向上剖视的截面图，在该方向上剖视时，峰光PL1、峰光PL2和峰光PL3的照射方向，为相对于上表面63垂直或者实质性地垂直的方向。

通过如上述那样地照射激光L，形成盖体61的金属、和形成壳体50的金属熔融等，盖体61与壳体50被焊接。

图14是示意性地表示如图12所示那样照射激光L时的温度分布的示意温度分布图。

如该图14所示，通过照射峰光PL1，照射位置的金属蒸发，并且在照射位置的周围金属熔融。而且，蒸发出的气态的金属一般被称为羽辉。由于该羽辉趋向上方时的反作用力，熔池凹陷而形成小孔(keyhole)80。同样地，通过峰光PL2在上表面55形成小孔81，通过峰光PL3在倾斜面56形成小孔82。各小孔80、81、82所处的部分的温度变得非常高。在该图14中，区域R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8表示大致的等温区域，随着从区域R1依次趋向区域R8，温度变低。

在图14中，从小孔80、81、82中向外部释放很多的羽辉，并且，从在各小孔80、81、82的周围形成的熔池中也向外部释放羽辉。

在此，从小孔80、81释放的羽辉、和从熔池之中的位于上表面63和上表面55的部分释放的羽辉，朝向大致铅垂方向上方释放。

另一方面，从小孔82释放的羽辉，从小孔82的开口部朝着与倾斜面56垂直的方向或者大致垂直的方向释放。

一般地，羽辉的释放方向被理解为是朝向与小孔的延伸的方向相反的方向释放。而本申请发明人实施各种实验的结果发现：从形成于倾斜面的小孔释放的羽辉，在相对于形成有该小孔的开口部的平面垂直或近似于垂直的方向上释放。

在本实施方式中，峰光PL3的激光强度比峰光PL2的激光强度高。其结果，从利用峰光PL3形成的小孔82的开口部释放的羽辉的释放量，比从小孔81释放的羽辉的释放量多，另外，从小孔82释放的羽辉的释放速度，比从小孔81释放的羽辉的释放速度快。

进而，从形成于倾斜面56的熔池释放的羽辉也朝向相对于倾斜面56垂直或者接近于垂直的方向释放。由于倾斜面56以随着从上表面55趋向外周面54而趋向下方的方式倾斜，因此从倾斜面56释放的羽辉，随着上升，在水平方向上也向着远离壳体50的方向前进。

这样，通过从倾斜面56释放的羽辉前进，从上表面63和上表面55释放的羽辉也被从倾斜面56释放的羽辉拖拉。

其结果，观察从激光L的照射位置及其周围释放的羽辉85，羽辉85向从垂直于上表面63和上表面55的方向倾斜了的方向放射。具体而言，羽辉85的释放方向86，是随着从上表面55趋向铅垂方向上方而在水平方向上远离壳体50和盖体61的方向。

因此，如图12所示，因为羽辉85向远离绝缘体22的方向倾斜，所以在激光L的照射中，能够抑制绝缘体22受到羽辉85的热影响。

在此，如图7所示，交叉角度θ被设定为15度以上45度以下。

如果交叉角度θ小于15度，则图14等所示的释放方向86的倾斜角度变小，在羽辉85发生摇摆时，有羽辉85接近于绝缘体22的风险。

如果交叉角度θ大于45度，则在从上方照射激光L时，激光L向倾斜面56的入射角度变大，被倾斜面56反射的激光L变多。其结果，进入到倾斜面56的能量变小，难以形成焊接所需的熔池，有引起焊接不良的风险。

另外，在图7中，如果宽度W2小于0.1mm，则壳体50的熔融量不足。特别是在由于壳体50、盖体61的尺寸偏差等而导致相对于盖体61的上表面63，壳体50的上表面55位于下方的情况下，有无法确保壳体50与盖体61的接合强度和/或壳体内部的气密性的风险。

另外，如果宽度W2大于(宽度W1-0.1mm)，则倾斜面56的面积变小，图12所示的羽辉85的倾斜度变小。其结果，在羽辉85发生摇摆时，有绝缘体22受到羽辉85的热影响的风险。

进而，峰光PL1、PL2、PL3的各自的功率密度例如为1E+07(W/cm²)以上，被设定得比较高。因此，能够抑制所形成的羽辉85发生摇摆。

在图14中，在区域R1到区域R6中，盖体61和壳体50的金属熔融，其后凝固，由此形成焊接部7。

在此，峰光PL2位于激光L的中心，另一方面，峰光PL1的激光强度比峰光PL2、PL3的激光强度高，因此盖体61和壳体50内的温度分布偏向峰光PL1侧。

具体而言，对于区域R3、R4、R5、R6，位于最下方的部分，位于相比于峰光PL2的照射位置更靠峰光PL1的照射位置侧的位置。区域R3、R4、R5、R6的最下端位于相对面33的附近。

因此，如图4所示，通过熔池凝固而形成的焊接部7的顶点部44，位于相对面33或者其附近。

另外，在水平方向上，峰光PL1的照射位置与相对面3之间的距离，比峰光PL2的照射位置与相对面33之间的距离短。进而，在水平方向上，峰光PL1的照射位置与相对面33之间的距离，比峰光PL3的照射位置与相对面33之间的距离短。

因此，熔池的盖体61侧的端部与相对面33之间的距离，比熔池的壳体50侧的端部与相对面33之间的距离短。其结果，如图4所示，内周缘部40形成于比外周缘部41靠近相对面33的位置。

盖体61的热容量比壳体50的热容量大，另一方面，峰光PL1的激光强度比峰光PL2、PL3的激光强度高，因此在上表面63上也能够形成充分的熔池。在假设峰光PL1的激光强度低的情况下，形成于上表面63的熔池变小，结果，焊接部7的宽度变小。而且，激光L一通过，熔池就开始凝固。

此时，由于盖体61的热容量比壳体50的热容量多，因此在上表面63产生的熔池的热提早地向盖体61内扩散。因此，形成于盖体61上的熔池，比形成于壳体50上的熔池先开始凝固。

在熔池凝固时，会牵拉周围的熔融金属。因此，在倾斜面56上形成的熔融金属被向盖体61侧牵拉，如图4所示，能够抑制焊接部7的弯曲面47被拉到外周面36的外侧。

另外，在照射激光L时，峰光PL1的激光强度高，因此在峰光PL1的照射位置产生的熔融量多。在熔融量多的熔池凝固时，大量地拉拢周围的熔融金属，因此如图4所示，焊接部7的顶点部45形成于比焊接部7的宽度方向的中央靠近内周缘部40侧的位置。

如上述那样，在图14等所示的例子中，向倾斜面56照射了峰光PL3，但不需要如倾斜面56那样为倾斜面。图15是表示壳体50A的变形例的截面图。如该图15所示，壳体50A包含上表面55、外周面54、和将上表面55和外周面54连接的弯曲面92。再者，拐点93位于上表面55与弯曲面92的边界部分，拐点94位于外周面54与弯曲面92的边界部分。

另外，弯曲面92以下述方式形成，即，随着从拐点93趋向拐点94，在趋向下方的同时，远离盖体61地延展。也可以向这样的壳体50A的弯曲面92照射峰光PL3。

如上述那样，当焊接工序P3完成后，如图6所示，实施注入工序P4。具体而言，从图1中的注入口12注入电解液。

然后，如图7所示，实施密封工序P5。具体而言，在注入口12处形成密封构件13。这样就能够制造出图1所示的二次电池1。

再者，在上述的实施方式中，对锂离子电池的制造方法和锂离子电池进行了说明，但也能够应用于例如锂聚合物电池(lithium-polymer battery)等。

即，能够应用于包含电极体、和将电极体收纳于内部的电池壳体的二次电池，能够理想地应用于密闭型电池。

实施例

下述表表示对焊接条件进行各种变更来实施实验的结果。在下述表1中，“θ”是指图7所示的交叉角度θ。“激光强度”的“模式1”是指图16所示的光束模式。再者，在图16中，周边光PS的直径D1为0.45mm，距离L1、L2为0.2mm。“模式2”是指图17所示的光束模式。在该光束模式中，激光L包含周边光PS、和位于该周边光PS的中心的峰光PL4。

周边光PS的直径D1为0.45mm，峰光PL3的直径为80μm。再者，在模式2中，周边光PS与峰光PL4的功率比率为1：1。

在表1中，“功率比率”表示各峰光PL1、PL2、PL3的功率比率。“激光输出功率”是指激光L的激光输出功率。

表1中的“加工速度”是指激光L的照射位置的移动速度，单位是(m/min)。

在各实施例1～6和各比较例1～16中，在各焊接条件下形成了10个电池壳体3。

另外，表1中的“不良比例1”表示产生了焊接部7的焊接宽度不充分的部分的电池壳体3的比例。“不良比例2”表示在焊接后观察绝缘体22，绝缘体22发生了烧灼或烧焦的电池壳体3的比例。

在表1中的“判定”中，在不良比例1为“0/10”、“不良比例2”为“0/10”的情况下记为“○”，在不满足“○”的条件的情况下记为“×”。

表1

由实施例1、2、3、4、5、6、和比较例3、4明确可知，当交叉角度θ小于15度时，绝缘体22会受到羽辉的热影响。

由实施例1～6、和比较例7、8明确可知，当交叉角度θ大于45度时，绝缘体22会受到热影响。

另外，由实施例1、2、和比较例9～16明确可知，即便交叉角度θ为30度、激光L的照射模式为“模式1，”在峰光PL1、PL2、PL3的功率比率不满足“峰光PL1＞峰光PL3＞峰光PL2”的关系的情况下，也会对绝缘体22产生热影响、或发生焊接不良。

再者，由比较例1、2明确可知，在交叉角度θ为0度、激光L的照射模式为“模式2”时，发生焊接不良、或绝缘体22受到热影响。

对本发明的实施方式进行了说明，但此次公开的实施方式应被理解为在所有的方面均为例示，并不是限制性的。本发明的范围由权利要求书表示出，包括与权利要求书等同的意义和范围内的所有的变更。

Claims (1)

1.一种二次电池的制造方法，具备：

准备形成有开口部的壳体的工序；

在所述开口部配置盖体的工序；和

向所述壳体的开口边缘部和所述盖体的外周缘部照射激光，将所述盖体的外周缘部与所述壳体的开口边缘部焊接的工序，

所述壳体包含底板部和周壁部，所述周壁部与所述底板部的外周缘部连接，并且向上方立起来，

所述周壁部包含：外周面；以形成所述开口部的方式环状地延展的上表面；和将所述外周面与所述上表面连接的连接面，

所述连接面为倾斜面，以随着从所述上表面趋向所述外周面而趋向下方的方式形成，当将使所述壳体的上表面向所述壳体的外侧虚拟延伸出的平面作为假想平面时，所述倾斜面相对于所述假想平面的倾斜角度为15度以上45度以下，

所述激光包含：向位于所述盖体上的第1照射位置照射的第1峰光；向位于所述第1照射位置与所述连接面之间的第2照射位置照射的第2峰光；和向所述连接面照射的第3峰光，

所述第1峰光的强度比所述第2峰光的强度和所述第3峰光的强度高，

所述第3峰光的强度比所述第2峰光的强度高。