CN106504969A - 聚焦环和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。

Description

聚焦环和基板处理装置
技术领域
本发明涉及聚焦环和基板处理装置。
背景技术
在处理容器的内部配置于载置基板的下部电极的周缘部的聚焦环的背面多数是镜面状。对此，提案了将聚焦环的背面或者正面加工成规定的粗糙度、设置凹凸(例如，参照专利文献1～3)。
在专利文献1中，在形成于聚焦环的背面的凹凸上设置聚酰亚胺胶带，使该胶带发生变形，使支承聚焦环的电介质板与聚焦环密合。由此，使电介质板与聚焦环间的导热性良好。
在专利文献2中，通过在聚焦环的背面设置凹凸，从而使聚焦环的散热特性上升，抑制接触热电阻变高。
在专利文献3中，在聚焦环的正面设置凹凸，由此缩短在安装聚焦环之后为了防止放电异物的产生所进行的空放电时间。由此，解决空放电时间变长且生产率下降这样的课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2010/109848号手册
专利文献2：日本特开2011－151280号公报
专利文献3：日本特开平11－61451号公报
发明内容
发明想要解决的课题
然而，在上述的专利文献1～3中没有公开解决如下课题的方法，该课题在于：当聚焦环的背面是镜面状时，在静电吸附聚焦环的静电卡盘与聚焦环之间，吸附聚焦环的力会变弱。
另一方面，当工艺时间变长时，吸附聚焦环的力会慢慢地变弱，其结果是，向静电卡盘与聚焦环之间供给的传热气体的泄漏量增加。
针对上述课题，在一个方面，本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述课题，根据一个方式，提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部，与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
发明效果
根据一个方面，通过使聚焦环的吸附特性稳定化，能够防止传热气体的泄漏量增加。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的纵剖面的一个例子的图。
图2是表示镜面状的聚焦环与静电卡盘之间的电荷的状态的一个例子的图。
图3是表示一个实施方式所涉及的聚焦环与静电卡盘之间的电荷的状态的一个例子的图。
图4是表示一个实施方式和比较例的聚焦环的背面的粗糙度与传热气体的泄漏量的关系的一个例子的图。
图5是表示一个实施方式和比较例的聚焦环的背面的粗糙度与传热气体的泄漏量的关系的一个例子的图。
图6是表示一个实施方式和比较例的聚焦环的背面的粗糙度与蚀刻速度的关系的一个例子的图。
附图标记说明
8：气体供给源
10：基板处理装置
11：处理容器
12：载置台(下部电极)
16：APC阀
19：第一高频电源
21a、21b：静电电极板
22：静电卡盘
23a、23b：直流电源
24：聚焦环
27：传热气体供给孔
28：传热气体供给线路
29：气体喷头(上部电极)
31：第二高频电源
32：多个气孔
33：顶部电极板
34：冷却板
35：盖体
36：缓冲室
37：气体导入管
38：排气装置
50：控制部。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。另外，在本说明书和附图中，针对实质上相同的结构，标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[基板处理装置的整体结构]
首先，参照图1对本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置10的整体结构进行说明。基板处理装置10由铝等构成，具有内部能够密封的筒状的处理容器11。处理容器11与接地电位连接。在处理容器11的内部设置有由导电性材料、例如铝等构成的载置台12。载置台12是载置半导体晶片W(以下，称为“晶片W”。)的圆柱状的台，也作为下部电极发挥功能。
在处理容器11的侧壁与载置台12的侧面之间形成有成为将载置台12的上方的气体向处理容器11外排出的线路的排气路径13。在排气路径13的中途配置排气板14。排气板14是具有多个孔的板状部件，作为将处理容器11分隔成上部和下部的隔板发挥功能。由排气板14隔开的处理容器11的上部是实行等离子体处理的处理室17。由排气板14隔开的处理容器11的下部是排气室(总管)18。排气装置38经由排出处理容器11内的气体的排气管15和APC(Adaptive Pressure Control：自动压力控制)阀16与排气室18连接。排气板14捕捉在处理室17中生成的等离子体，防止向排气室18的泄漏。排气装置38排出处理容器11内的气体，并通过APC阀16的调整将处理室17内减压至规定的压力。由此，将处理室17内维持在所希望的真空状态。
第一高频电源19经由匹配器20与载置台12连接，例如施加适合于向载置台12上的晶片W引入等离子体中的离子的低的频率、例如13.56MHz的高频电力RF(以下，也标记为“高频电力LF”(Low Frequency)。)。匹配器20抑制从载置台12反射高频电力，使偏压用的高频电力LF的供给效率成为最大。
在载置台12上配置有在内部具有静电电极板21a和静电电极板21b的静电卡盘22。静电卡盘22可以是绝缘体，也可以向铝等金属喷镀陶瓷等。直流电源23a与静电电极板21a连接，直流电源23b与静电电极板21b连接。在载置台12上载置晶片W时，将晶片W放置在静电卡盘22上。静电卡盘22是设置在载置台12上、静电吸附晶片W的静电吸附机构的一个例子。静电吸附机构具有基板用的静电吸附机构和聚焦环用的静电吸附机构。静电电极板21a和直流电源23a是基板用的静电吸附机构的一个例子，静电电极板21b和直流电源23b是聚焦环用的静电吸附机构的一个例子。
在静电卡盘22的外周部，以包围晶片W的周缘部的方式载置圆环状的聚焦环24。聚焦环24由导电性部件、例如硅形成，在处理室17中向晶片W的表面收集等离子体，提高蚀刻处理的效率。
聚焦环24由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成。聚焦环24由含硅材料形成时，包含单晶硅或碳化硅(SiC)。聚焦环24利用这些部件中的任一者一体形成。
向静电电极板21a和静电电极板21b施加正的直流电压(以下，也标记为“HV”(HighVoltage)。)时，在晶片W的背面和聚焦环24的背面会产生负电位，在静电电极板21a和静电电极板21b的正面与晶片W的背面和聚焦环24的背面之间产生电位差。晶片W利用由该电位差而产生的库仑力或约翰逊·拉别克力被静电吸附并保持在静电卡盘22上。另外，聚焦环24被静电吸附在静电卡盘22上。
另外，在载置台12的内部例如设置有在圆周方向上延伸的环状的制冷剂室25。经由制冷剂用配管26从冷却单元向该制冷剂室25循环供给低温的制冷剂、例如冷却水和Galden(注册商标)。利用该低温的制冷剂冷却的载置台12经由静电卡盘22对晶片W和聚焦环24进行冷却。
在静电卡盘22的吸附晶片W的面(吸附面)开有多个传热气体供给孔27。经由传热气体供给线路28向这些多个传热气体供给孔27供给氦(He)气等传热气体。传热气体经由多个传热气体供给孔27被供给静电卡盘22的正面与晶片W的背面的间隙以及静电卡盘22的正面与聚焦环24的背面的间隙，发挥将晶片W和聚焦环24的热传递给静电卡盘22这样的功能。
在处理容器11的顶部，以与载置台12对置的方式配置有气体喷头29。第二高频电源31经由匹配器30与气体喷头29连接，例如将适合于在处理容器11内生成等离子体的频率、例如60MHz的高频电力RF(以下，也标记为“高频电力HF”(High Frequency)。)供给气体喷头29。
这样，气体喷头29也作为上部电极发挥功能。另外，匹配器30抑制从气体喷头29反射高频电力，使等离子体激发用的高频电力HF的供给效率成为最大。另外，从第二高频电源31供给的高频电力HF也可以施加给载置台12。
气体喷头29具有：具有多个气孔32的顶部电极板33；可装卸地吊支顶部电极板33的冷却板34；和覆盖冷却板34的盖体35。另外，在冷却板34的内部设置缓冲室36，气体导入管37与缓冲室36连接。气体喷头29将经由气体导入管37和缓冲室36从气体供给源8供给的气体经由多个气孔32向处理室17内供给。
气体喷头29相对于处理容器11可自由装卸，也作为处理容器11的盖发挥功能。如果使气体喷头29从处理容器11脱离，作业者就能够直接接触到处理容器11的壁面和结构部件。由此，作业者能够对处理容器11的壁面和结构部件的表面进行清洗，能够除去附着在处理容器11的壁面等的附着物。
在基板处理装置10中，由从气体喷头29供给的气体生成等离子体，利用其等离子体对晶片W实施蚀刻等的等离子体处理。利用控制基板处理装置10的整体的控制部50控制基板处理装置10的各结构部件的动作。
控制部50具有CPU51、ROM(Read Only Memory)52、RAM(Random Access Memory)53。控制部50按照存储在RAM53等中的方案所设定的顺序对蚀刻处理等的等离子体处理进行控制。另外，控制部50的功能可以使用软件来实现，也可以使用硬件来实现。
在以上的结构的基板处理装置10中进行蚀刻等处理时，首先，以保持在搬送臂上的状态，将晶片W从开口的闸阀9搬入到处理容器11内。在搬入晶片W后关闭闸阀9。晶片W利用推升销被保持在静电卡盘22的上方，通过降下推升销而被载置于静电卡盘22上。向静电卡盘22的静电电极板21a和静电电极板21b施加来自直流电源23a和直流电源23b的直流电压HV。由此，将晶片W和聚焦环24静电吸附在静电卡盘22上。
利用排气装置38和APC阀16将处理容器11内的压力减压至设定值。将气体从气体喷头29喷淋状地导入到处理容器11内，向处理容器11内施加规定的高频电力。导入的气体利用高频电力发生电离和解离，从而生成等离子体。利用等离子体对晶片W实施蚀刻处理和成膜处理。之后，将晶片W保持在搬送臂上，搬出到处理容器11的外部。
[聚焦环的背面]
接着，参照图2和图3对本实施方式所涉及的聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra和电荷的移动进行说明。图2表示背面是镜面状(光滑)的聚焦环24与静电卡盘22之间的电荷的状态的一个例子。图3表示背面是粗糙的本实施方式所涉及的聚焦环24与静电卡盘22之间的电荷的状态的一个例子。
在图2的(a)～(c)和图3的(a)～(c)中，从直流电源23a和直流电源23b向静电卡盘22的静电电极板21a和静电电极板21b施加正的直流电压HV。在图2的(a)～(c)和图3的(a)～(c)所示的各工艺中，施加的直流电压HV的值是一定的，不发生变化。另一方面，在图2的(a)和图3的(a)中，从第二高频电源31向处理容器11内供给比较低的等离子体生成用的高频电力HF，生成等离子体。
由此，在聚焦环24的背面产生负电荷。由此，静电卡盘22的表面的正电荷与聚焦环24的背面的负电荷相互吸引，从而将聚焦环24静电吸附在静电卡盘22上。
接着，在图2的(b)和图3的(b)中，供给比在图2的(a)和图3的(a)中施加的高频电力HF高的高频电力HF，生成等离子体。其结果是，静电卡盘22的表面的正电荷与聚焦环24的背面的负电荷相互吸引的力变强，聚焦环24与静电卡盘22之间的距离变窄。
接着，图2的(c)和图3的(c)中，施加比在图2的(b)和图3的(b)中施加的高频电力HF低的高频电力HF。
在图2中，聚焦环24的背面是镜面状，例如，聚焦环24的背面的表面粗糙度为0.08μm以下。在这种情况下，施加比在图2的(a)中施加的高频电力HF高的高频电力HF时，如图2的(b)所示，聚焦环24与静电卡盘22之间的距离比图2的(a)时的距离窄。之后，施加比在图2的(b)中施加的高频电力HF低的高频电力HF时，如图2的(c)所示，聚焦环24与静电卡盘22之间的距离比图2的(b)时的距离宽。其时，聚焦环24的负电荷的一部分残留在静电卡盘22的表面。这样，通过施加低功率和高功率的高频电力HF，从聚焦环24向静电卡盘22移动的负电荷增加。其结果是，聚焦环24的背面的负电荷的数量减少，聚焦环24向静电卡盘22的吸附力下降。
根据工艺，反复从第二高频电源31施加低功率和高功率的高频。通过该重复，用于使聚焦环24吸附在静电卡盘22上的电荷进一步减少。其结果是，聚焦环24向静电卡盘22的吸附力进一步下降，向聚焦环24与静电卡盘22之间供给的传热气体从聚焦环24与静电卡盘22之间泄漏的量(以下，也称为“泄漏量”。)增加。
例如，等离子体生成用的高频电力HF的适宜值根据实行的工艺而不同。例如在图2的(a)中，将等离子体生成用的高频电力HF控制在1000W。接着，在图2的(b)中，将等离子体生成用的高频电力HF控制在2000W时，在图2的(b)时刻的等离子体中的电子密度Ne比在图2的(a)时刻的等离子体中的电子密度Ne高。
另一方面，如上所述，向静电卡盘22施加的直流电压HV的值是一定的。因此，静电卡盘22的吸附力因在图2的(a)和图2的(b)中施加的高频电力的差分“1000W”而变高。由此，静电卡盘22的吸附力比图2的(a)时刻的吸附力高。其结果是，在图2的(b)时刻，与图2的(a)时刻比较，聚焦环24与静电卡盘22的距离变窄。
在图2的(c)中，再将等离子体生成用的高频电力控制在1000W。由此，静电卡盘22的吸附力比图2的(b)时刻的吸附力低。其结果是，在图2的(c)时刻，与图2的(b)时刻比较，聚焦环24与静电卡盘22的距离变宽。此时，产生从聚焦环24向静电卡盘22的电荷的移动。由此，聚焦环24与静电卡盘22之间的吸附力变弱，向静电卡盘22与聚焦环24之间供给的传热气体的泄漏量增加。
为了减少传热气体的泄漏量，需要防止或者抑制负电荷从聚焦环24的背面向静电卡盘22的表面移动。因此，在本实施方式中，使与静电卡盘22接触的聚焦环24的背面变粗糙。即，使本实施方式所涉及的聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra成为0.1μm以上。
图3表示使用背面的表面粗糙度Ra为0.1μm以上的本实施方式所涉及的聚焦环24时的聚焦环24与静电卡盘22之间的电荷的状态的一个例子。关于本实施方式所涉及的聚焦环24，使用挫等使背面的表面粗糙度Ra成为0.1μm以上。然而，本实施方式所涉及的聚焦环24的背面的加工方法并不限于此，例如也可以通过喷砂处理使背面的表面粗糙度Ra成为0.1μm以上。
使用本实施方式所涉及的聚焦环24时，由于聚焦环24的背面的凸凹，与聚焦环24的背面是镜面状时相比，聚焦环24与静电卡盘22的接触面积会变小。由此，能够使在聚焦环24的背面产生的接触电阻增加。通过增加接触电阻，从聚焦环24向静电卡盘22的电荷的移动变得困难。该结果是，能够防止聚焦环24的背面的负电荷向静电卡盘22移动，并能够避免聚焦环24与静电卡盘22之间的吸附力下降。由此，能够防止向聚焦环24与静电卡盘22之间供给的传热气体的泄漏量增加。
利用本实施方式所涉及的聚焦环24，即使是从第二高频电源31反复施加低功率和高功率的高频的工艺，也能够保持聚焦环24与静电卡盘22之间的吸附力。因此，利用本实施方式，能够在多种工艺中防止向聚焦环24与静电卡盘22之间供给的传热气体的泄漏量的增大。
[泄漏量的实验结果]
接着，参照图4对本实施方式所涉及的聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra与传热气体的泄漏量的关系进行说明。在本实施方式中，作为传热气体，将氦(He)气供给晶片W的背面和聚焦环24的背面与静电卡盘22的正面之间。
图4的(a)的纵轴表示聚焦环24的背面是光滑时(表面粗糙度Ra≤0.08μm时)的从聚焦环24与静电卡盘22之间泄漏的氦气的量。
图4的(b)的纵轴表示聚焦环24的背面是粗糙时(即，表面粗糙度Ra≥0.1μm时)的从聚焦环24与静电卡盘22之间泄漏的氦气的量。
图4的(a)和图4的(b)的横轴表示时间。a～f的各时间存在于工艺中。即，a～f的各时间的以No.1和No.30表示的曲线表示在基板处理装置10中进行等离子体处理的第1个晶片(No.1)和第30个晶片(No.30)的各工艺的氦气的泄漏量。
根据本实验结果，图4的(a)所示的聚焦环24的背面是光滑时，第1个晶片(No.1)的氦气的泄漏量为1sccm左右，而第30个晶片(No.30)的氦气的泄漏量上升到3～4sccm左右。从该结果可知，图4的(a)所示的聚焦环24的背面是光滑时，如果晶片的处理个数变多，氦气的泄漏量就增加。
另一方面，图4的(b)所示的聚焦环24的背面是粗糙时，第1个晶片(No.1)和第30个晶片(No.30)的氦气的泄漏量都是2.5sccm±0.5sccm。从该结果可知，图4的(b)所示的聚焦环24的背面是粗糙时，即使晶片的处理个数变多，氦气的泄漏量也几乎不发生变化。
参照图5对本实施方式所涉及的聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra与传热气体的泄漏量的关系作进一步说明。图5的横轴表示在工艺中施加的高频电力HF的累积时间，图5的纵轴表示从聚焦环24与静电卡盘22之间泄漏的氦气的泄漏量。曲线A表示聚焦环24的背面是光滑时(即，表面粗糙度Ra≤0.08μm时)的氦气的泄漏量。曲线B表示聚焦环24的背面是粗糙时(即，表面粗糙度Ra≥0.1μm时)的氦气的泄漏量。
根据本结果，也可知聚焦环24的背面是光滑时，如果晶片的处理个数变多，氦气的泄漏量就增加。这表示：在静电吸附聚焦环24的静电卡盘22与聚焦环24之间，随时间发生了电荷的移动，吸附聚焦环24的力慢慢地变弱了。
另一方面，可知聚焦环24的背面是粗糙时，即使晶片的处理个数变多，氦气体的泄漏量也不会发生变化。这表示：防止了静电卡盘22与聚焦环24之间的电荷的移动，聚焦环的吸附特性稳定。
从以上的结果可知，在本实施方式所涉及的基板处理装置10中，通过使用使背面成为表面粗糙度Ra≥0.1μm的聚焦环24而实行等离子体工艺，能够使聚焦环的吸附特性稳定化。由此，聚焦环24与静电卡盘22之间的密封性稳定，即使晶片的处理个数增加，也能够防止传热气体的泄漏量的变动。
[蚀刻速度的实验结果]
最后，参照图6对使用本实施方式所涉及的聚焦环24时的等离子体蚀刻处理的结果进行说明。
图6的(a)的纵轴表示聚焦环24的背面是光滑时(即，表面粗糙度Ra≤0.08μm时)的蚀刻速度。图6的(b)的纵轴表示聚焦环24的背面是粗糙时(即，表面粗糙度Ra≥0.1μm时)的蚀刻速度。
图6的(a)和图6的(b)的横轴表示晶片W的位置。在图6的(a)和图6的(b)中，将300mm的晶片W朝向径向测定蚀刻速度。在图6的(a)和图6的(b)中，将任意的一个径向作为x方向，绘制x方向和与x方向垂直的y方向的蚀刻速度的平均值。另外，蚀刻对象膜是多晶硅膜和氧化硅膜的2个种类。
根据本实验结果，图6的(a)所示的聚焦环24的背面是光滑时和图6的(b)所示的聚焦环24的背面是粗糙时，对多晶硅膜和氧化硅膜进行蚀刻时的蚀刻速度都大致相同。根据以上的说明，可知使用本实施方式所涉及的聚焦环24时，良好地保持了等离子体处理特性，并使聚焦环的吸附特性稳定，能够防止传热气体的泄漏量的变动。
以上，对本实施方式所涉及的聚焦环24和具有其聚焦环24的基板处理装置10进行了说明。根据本实施方式所涉及的聚焦环24，聚焦环24的背面(即，聚焦环24的与静电卡盘22的接触面)具有0.1μm以上的表面粗糙度Ra。由此，能够使在聚焦环24的背面产生的接触电阻增加，使聚焦环的吸附特性稳定化，减少传热气体的泄漏量，并提高气体的密封性。
但是，如果使聚焦环24的背面过于粗糙，则有聚焦环24的吸附特性变差，传热气体的泄漏量增加的担忧。即，如果使聚焦环24的背面过于粗糙，就会在物理上产生聚焦环24与静电卡盘22之间的距离。
即，聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra的值越大，聚焦环24与静电卡盘22的距离越宽，因此静电卡盘22正面的正电荷与聚焦环24背面的负电荷的库仑力等降低。该结果是，聚焦环24的吸附力变弱，传热气体的泄漏量增加。因此，聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra优选为1.0μm以下。即，本实施方式所涉及的聚焦环24的背面的表面粗糙度Ra优选为0.1μm以上、1.0μm以下。
以上，利用上述实施方式对聚焦环和基板处理装置进行了说明，但本发明所涉及的聚焦环和基板处理装置并不限定于上述实施方式，在本发明的范围内能够有各种变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内进行组合。
例如，在上述实施方式中，使聚焦环24的背面成为0.1μm以上、1.0μm以下的表面粗糙度Ra。然而，只要使聚焦环24与静电卡盘22接触的聚焦环24的接触面和静电卡盘22的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度Ra就可以。另外，优选使聚焦环24与静电卡盘22接触的聚焦环24的接触面和静电卡盘22的接触面中的至少一者为1.0μm以下的表面粗糙度Ra。
本发明所涉及的聚焦环不仅适用于图1所示的电容耦合型等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)的基板处理装置，也适用于其它的基板处理装置。作为其它的基板处理装置，可以是使用电感耦合型等离子体(ICP：Inductively CoupledPlasma)、径向线隙天线的基板处理装置、螺旋波激发型等离子体(HWP：Helicon WavePlasma)装置、电子回旋共振等离子体(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)装置等。
在本说明书中，作为蚀刻对象，对晶片W进行了说明，但也可以是在LCD(LiquidCrystal Display)、FPD(Flat Panel Display)等中使用的各种基板和光掩模、CD基板、印制电路板等。

Claims (7)

1.一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部，与该下部电极的部件接触，所述聚焦环的特征在于：
所述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝和石英中的任一者形成，
所述聚焦环的接触面和所述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
2.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：
所述聚焦环的接触面和所述下部电极的部件的接触面中的至少一者为1.0μm以下的表面粗糙度。
3.如权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：
所述聚焦环利用含硅材料、氧化铝和石英中的任一者一体形成。
4.如权利要求3所述的聚焦环，其特征在于：
所述聚焦环由单晶硅或碳化硅形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的聚焦环，其特征在于：
所述下部电极的部件包括基板用的静电吸附机构和聚焦环用的静电吸附机构。
6.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
下部电极，其具有静电吸附机构，对基板进行静电吸附；
聚焦环，其在处理容器内配置于所述下部电极的周缘部，与所述下部电极的静电吸附机构接触；和
向所述处理容器内供给高频电力的高频电源，
所述基板处理装置利用所述高频电力由导入到所述处理容器内的气体生成等离子体，利用该等离子体对基板进行处理，
所述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝和石英中的任一者形成，
所述聚焦环的接触面和所述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述静电吸附机构包括基板用的静电吸附机构和聚焦环用的静电吸附机构。
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