CN106471001A - 含催化剂金属的有机硅低聚物、其制造方法以及含催化剂金属的有机硅低聚物的用途 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种不管基材种类为何均可镀敷的新颖技术。该技术是在催化剂金属存在下，使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位(其中，n为1以上的整数)上键合有羟基的多元醇进行缩合反应而获得的含催化剂金属的有机硅低聚物及利用包含其的涂覆剂的镀敷方法。

Description

含催化剂金属的有机硅低聚物、其制造方法以及含催化剂金 属的有机硅低聚物的用途
技术领域
本发明涉及一种可赋予基材自催化性或导电性的含催化剂金属的有机硅低聚物、其制造方法及含催化剂金属的有机硅低聚物的用途。
背景技术
镀敷通常为了提高作为基材的金属装饰性、或提高耐腐蚀性而实施。
然而，对玻璃、陶瓷、塑料等的所谓难镀敷性基材进行镀敷时，首先必须进行化学性或物理性的使表面粗糙的前处理。
迄今为止，虽然对于ABS等塑料以铬酸蚀刻进行前处理，然而该铬酸蚀刻几乎无法应对塑料以外的难镀敷性基材，或由于环境限制而期望减少铬酸本身的使用，因此近年来几乎未进行。
此外，作为前处理也有以含有阳离子聚合物与氟化氢(bifluoride)盐的水溶液进行蚀刻(专利文献1)，但即便其也不能应对所有的难镀敷性材料。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本特开2011-162806号公报
发明内容
发明要解决的课题
据此，本发明的课题在于提供一种不管基材种类为何，均可镀敷的新颖前处理技术。
用于解决课题的手段
本发明人等为解决上述课题而积极研究的结果，发现使用通过在催化剂金属的存在下使烷氧基硅烷、与在特定的位置键合有羟基的多元醇缩合反应而得的含催化剂金属的有机硅低聚物，不管基材种类为何均可赋予自催化性或导电性，结果可使镀敷简便，并完成了本发明。
即，本发明是一种含催化剂金属的有机硅低聚物，其通过在催化剂金属存在下使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位(其中，n为1以上的整数)上键合有羟基的多元醇进行缩合反应而得到。
另外，本发明是一种含催化剂金属的有机硅低聚物的制造方法，其特征在于，通过在催化剂金属存在下使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位(其中，n为1以上的整数)上键合有羟基的多元醇进行缩合反应。
进而，本发明是一种涂覆剂，其特征在于，含有上述的含催化剂金属的有机硅低聚物。
进而，本发明是一种对基材的镀敷方法，其特征在于，在以上述的涂覆剂处理基材后，进行催化剂金属的活性化处理，接着进行镀敷。
[发明效果]
本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物由于在其结构中引入催化剂金属，故通过涂布于基材上而可赋予基于催化剂金属的自催化性或导电性。
另外，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物即使并无过去所必须的在涂布前使基材的表面化学性或物理性粗糙化，仍可进行涂布。
此外，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物由于可适当选择为了催化剂金属的活性化而进行的加热处理或化学还原处理，故不管涂布的基材种类为何均可使用。
因此，含催化剂金属的有机硅低聚物可容易地对各种基材进行镀敷等。
另外，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物由于也不会产生过去的有机硅低聚物中成为问题的凝胶化等问题，所以生成后1年以上仍可稳定地保存。
具体实施方式
本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物是通过在催化剂金属存在下使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位(其中，n为1以上的整数)上键合有羟基的多元醇进行缩合反应而得到的。
上述所用的四烷氧基硅烷并无特别限制，可列举例如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等，这些中优选为四乙氧基硅烷。这些四烷氧基硅烷可为1种或也可以组合2种以上。
另外，上述所用的至少n、n+1位或n、n+2位(其中，n为1以上的整数)上键合有羟基的多元醇并无特别限制，可列举例如n为1～3的整数的2元～4元醇，优选n为1～2的整数的2～3元醇等。作为这些多元醇的具体例，可列举乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,2-戊二醇、1,3-戊二醇、2,3-戊二醇、2,4-戊二醇等2元醇、丙三醇等3元醇等、季戊四醇等4元醇等。这些多元醇中优选2元醇，更优选乙二醇及/或1,3-丙二醇，最优选乙二醇。这些多元醇可使用1种或组合2种以上使用。
此外，上述所用的催化剂金属并非对于四烷氧基硅烷与多元醇的缩合反应具有催化作用的金属，而是对于后述的镀敷析出反应具有自催化作用的金属。因此，与WO2014/207885或WO2014/207886中所提到的金属催化剂不同。作为这样的催化剂金属，可列举例如铁、镍、钴、铜、钯、银、金、铂等。这些催化剂金属中，优选铁、镍、钴、铜、钯，更优选铁、镍、铜、钯，最优选钯。另外，上述催化剂金属在缩合反应时，优选使其在溶解于上述多元醇中的状态下存在，该情况下，优选利用氯化铁、氯化镍、氯化铜、氯化钯、氯化金(III)、氯化银(I)、氯化铂(IV)等的包含催化剂金属的金属盐。另外，催化剂金属难以溶解于多元醇时，亦可预先溶解于盐酸等无机酸中。这些催化剂金属可使用1种或组合2种以上使用，该情况下，优选至少包含钯。
在催化剂金属存在下使上述四烷氧基硅烷与多元醇发生缩合反应的方法并无特别限制，例如，只要向上述多元醇中添加0.01～20g/kg、优选0.1～10g/kg的催化剂金属并溶解后，边搅拌边加热至反应温度，进而添加四烷氧基硅烷并进行反应即可。反应温度为25～150℃，优选为30～70℃，反应时间为30分钟～8小时，优选为2小时～4小时。另外，上述反应时，重要的是使四烷氧基硅烷与多元醇以摩尔比计为4：1～1：4，优选1：2～1：4下反应。由此使多元醇进入到四烷氧基硅烷与四烷氧基硅烷之间。
另外，虽然上述反应时生成醇，但由于不分馏该醇而可控制聚合反应，故优选不分馏该醇。
另外，在上述反应中，四烷氧基硅烷与多元醇缩合反应前分离成2层，但由于反应完成时成为1层，因此也可以成为1层的时刻结束反应。
如此获得的本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物是催化剂金属进入到使四烷氧基硅烷的2～4个、与多元醇的1～13个缩合反应而成的有机硅低聚物中而得到的物质。
另外，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物为四烷氧基硅烷的烷氧基、与存在于多元醇的n、n+1位或n、n+2位的羟基的1或2个进行缩合反应而得到的物质，例如，具有如下述(a)～(d)这样的部分结构。而另外，推测在本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物中，催化剂金属存在于氧原子间，形成以催化剂金属为顶点的5员环结构或6员环结构，而稳定化。因此，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物在生成后，即使经过1年也未见到催化剂金属沉淀。
【化1】
如此的本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物可利用1HNMR、29SiNMR等NMR、IR、MASS等公知方法鉴定。具体而言，若为NMR，则以1HNMR确认由四烷氧基硅烷与多元醇的缩合反应而生成的醇，另外，以29SiNMR确认含催化剂金属的有机硅低聚物中的硅的数目，由此可鉴定本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物。另外，催化剂金属进入至有机硅低聚物中，可通过在生成有机硅低聚物后，并经过一定期间后，例如经过1年后未见到催化剂金属沉淀来加以确认。
本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物与过去的有机硅低聚物同样，可作为涂覆剂对基材的表面等进行处理。尤其本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物由于在其结构中引入催化剂金属，故以涂覆剂处理基材后，通过进行活性化处理，可对基材赋予自催化性或导电性。
含有本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物的涂覆剂只要含有本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物即可，但例如组合使用所含催化剂金属不同的2种以上的含催化剂金属的有机硅低聚物，使用制备含催化剂金属有机硅低聚物时在2种以上的催化剂金属的存在下进行制备的，由此因可增强催化剂金属的催化作用故优选。另外，催化剂金属的组合并无特别限制，例如优选钯与选自铁、镍、钴、铜中的1种以上的组合。
上述涂覆剂亦可含有过去习知的涂覆剂中添加的溶剂、用以提高对基材的润湿性的树脂等。该涂覆剂可利用适当搅拌、混合上述成分予以制备。
添加于上述涂覆剂中的溶剂并无特别限制，可列举例如水、异丙醇、乙基溶纤剂等。另外，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物在以例如聚乙二醇或乙基溶纤剂等二醇系溶剂中稀释时，即使在水分存在下仍可稳定地保存。尤其，通过使用乙二醇200～1000，优选为聚乙二醇200作为二醇系溶剂，由此即使在水分存在下也可长期间稳定地保存。
此外，作为添加于上述涂覆剂的树脂，只要可溶于或分散于涂覆剂的树脂即无特别限制，可列举例如丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、酚系树脂、环氧系树脂等。另外，这些树脂中优选丙烯酸系树脂，更优选甲基丙烯酸烷基酯共聚物、胶体二氧化硅·丙烯酸复合体、乙烯·丙烯酸共聚物铵盐，特别优选甲基丙烯酸烷基酯共聚物。这些树脂可使用1种或2种以上。另外，这些树脂可为溶液状也可为粉末状。这些树脂在涂覆剂中调配50质量％(以下简称为“％”)以下，优选0.1～50％，更优选1～20％。
另外，上述涂覆剂中，在不损及本发明效果的范围内也可调配着色剂、摩擦系数调整剂、增膜剂、赋予其他功能性的添加剂。
作为以上述涂覆剂处理的基材并无特别限制，若利用上述涂覆剂，则对于以迄今的技术难以赋予自催化性或导电性的、因离子化倾向等的关系而无法镀敷的镁等金属、无自催化性等的金属、木材、布、玻璃、陶瓷、塑料等难镀敷性基材，仍可赋予自催化性或导电性。因此，上述涂覆剂可优选地使用于前述难镀敷性基材。另外，上述基材中，尤其若为基材表面上有氧或羟基的基材，例如ABS、玻璃等，密合性也高。
另外，利用上述涂覆剂的基材处理只要与过去公知的涂覆剂同样的处理即可，例如以浸渍与旋转法等的浸渍法、喷雾涂覆法等喷雾法等处理基材即可。另外，这些处理时可以用遮蔽或喷墨方式等由涂覆剂形成图画、电路。另外，基材上的涂覆剂厚度并无特别限制，只要覆盖基材即可。上述处理后，直接干燥或以温风等干燥即可。
此外，上述处理后，进行用于催化剂金属还原的活性化处理。该活性化处理只要配合基材的特性，适当组合加热处理或化学还原处理即可。例如，若为玻璃或陶瓷等的即使加热至100℃以上亦无问题的基材，则只要在100℃以上进行加热处理即可。另一方面，若为ABS等加热至100℃以上时有问题的基材，则只要在不足100℃，优选在50～100℃下进行加热处理，随后进行化学还原处理即可。
上述加热处理并无特别限制，例如，只要以烘箱、电炉等于上述温度维持10分钟～2小时左右即可。加热处理的氛围并无特别限制，宜为空气。加热处理后只要放冷等即可。
上述化学还原处理并无特别限制，例如，只要浸渍在含还原剂的水溶液等中1～3分钟左右即可。还原剂可列举例如次磷酸、二甲基胺硼烷、福尔马林、硼氢化钠、肼等。这些还原剂可使用1种或2种以上。化学还原处理后只要进行水洗、干燥等即可。
上述进行了化学还原处理的基材由于被赋予自催化性，故可进行后述的镀敷。
上述镀敷中，镀敷的种类并无特别限制，可为电镀、化学镀等的任一种。另外，镀敷的金属种类亦无特别限制，可为例如镍、铜等中的任意。
若利用包含本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物的涂覆剂，则不管基材种类为何均可进行镀敷。而且所得的镀敷制品自表面起依次包括经镀敷的金属层、包含本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物的涂覆剂层、基材层。
[实施例]
以下，列举实施例详细说明本发明，但本发明并不受这些实施例的任何限制。
参考例1
四乙氧基硅烷与水的反应缩合物的制备：
将预先溶解于1.7g盐酸的氯化钯1.7g添加于水336g中后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷564g，边以罩式加热器加温至50℃边搅拌2小时，进行缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。另外，该反应之前，水与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
该反应物为四乙氧基硅烷与水的反应缩合物。另外，由于该反应物不到24小时即确认到钯的沉淀，可知钯并未进入到该结构中。另外，该反应物在室温下2个月以内进行了固化。
实施例1
含钯的有机硅低聚物的制备：
将预先溶解于1.7g盐酸的氯化钯1.7g添加于乙二醇336g后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷564g，边以罩式加热器加温至50℃边搅拌2小时，进行缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。另外，该反应之前，乙二醇与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
反应后进行冷却获得反应物。反应前与反应后测定了1HNMR及29SiNMR。1HNMR中，反应结束后的光谱在1.1及3.5ppm附近发现源自乙醇的峰。认为该乙醇是四乙氧基硅烷的乙氧基与乙二醇引起缩合反应的结果并因此生成的产物。
此外，29SiNMR中，反应前的光谱在-82ppm附近仅发现源自四乙氧基的单一锋，但在反应结束后的光谱中，在-90ppm至-80ppm的范围出现多个峰。由此认为分子中的Si的数目为2～4个。
另外，上述所得的有机硅低聚物即使经过1年也未见到钯的沉淀。由此认为钯已进入到有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Pd的有机硅低聚物1”)。
实施例2
含钯的有机硅低聚物的制备：
将预先溶解于1.7g盐酸的氯化钯1.7g添加于1,3-丙二醇380g后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷521g，边以罩式加热器加温至50℃边搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。另外，该反应之前，1,3-丙二醇与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
另外，与实施例1同样进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起了四乙氧基硅烷的乙氧基与1,3-丙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到钯沉淀。由此认为钯已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Pd的有机硅低聚物2”)。
实施例3
含钯的有机硅低聚物的制备：
将预先溶解于1.7g盐酸的氯化钯1.7g添加于乙二醇248g后，搅拌并溶解。向其中添加四丁氧基硅烷641g，边以罩式加热器加温至50℃边搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。该反应前，乙二醇与四丁氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
另外，与实施例1同样进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起了四丁氧基硅烷的丁氧基与乙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到钯沉淀。由此认为钯已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Pd的有机硅低聚物3”)。
实施例4
含钯的有机硅低聚物的制备：
将预先溶解于1.7g盐酸的氯化钯1.7g添加于乙二醇405g后，搅拌并溶解。向其中添加四甲氧基硅烷496g，在室温(25℃)搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。该反应前，乙二醇与四丁氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
此外，与实施例1同样进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起四甲氧基硅烷的甲氧基与乙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到钯沉淀。由此认为钯已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Pd的有机硅低聚物4”)。
实施例5
含铁的有机硅低聚物的制备：
将氯化铁四水合物6.7g添加于乙二醇335g后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷575g，边以罩式加热器加温至70℃边搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。该反应前，乙二醇与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
另外，与实施例1同样进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起了四乙氧基硅烷的乙氧基与乙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到铁沉淀。由此认为铁已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Fe的有机硅低聚物”)。
实施例6
含铜的有机硅低聚物的制备：
将氯化铜二水合物5.5g添加于乙二醇336g后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷563g，边以罩式加热器加温至90℃边搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。该反应前，乙二醇与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
另外，与实施例1同样进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起了四乙氧基硅烷的乙氧基与乙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到铜沉淀。由此认为铜已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Cu的有机硅低聚物”)。
实施例7
含镍的有机硅低聚物的制备：
将氯化镍六水合物8.4g添加于乙二醇336g后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷564g，边以罩式加热器加温至100℃边搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。该反应前，乙二醇与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
另外，与实施例1相同进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起了四乙氧基硅烷的乙氧基与乙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到镍沉淀。由此认为镍已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Ni的有机硅低聚物”)。
实施例8
含钴的有机硅低聚物的制备：
将氯化钴六水合物8.1g添加于乙二醇336g后，搅拌并溶解。向其中添加四乙氧基硅烷564g，边以罩式加热器加温至50℃边搅拌，进行2小时缩合反应获得反应物。另外，该反应时生成的醇未经分馏。该反应前，乙二醇与四乙氧基硅烷并未混合，而分离成2层，但2小时缩合反应后，成为单一层。因此，可知该反应的反应率为100％。
另外，与实施例1同样进行1HNMR及29SiNMR测定，确认引起了四乙氧基硅烷的乙氧基与乙二醇的缩合反应，且确认到分子中的Si的数目为2～4。另外，上述所得的有机硅低聚物经过1年亦未见到钴沉淀。由此认为钴已进入有机硅低聚物的结构中(以下将其称为“含Co的有机硅低聚物”)。
实施例9
涂覆剂的制备：
以使金属浓度成为150ppm的浓度将实施例1～8中获得的含催化剂金属的有机硅低聚物添加于乙基溶纤基中，经混合获得涂覆剂1～8。
实施例10
对玻璃板的镀敷：
在实施例9中获得的涂覆剂中，针对涂覆剂1～5、7～8，如下所述那样，利用其对玻璃板进行镀敷。首先，将玻璃板(2×5cm)浸渍于涂覆剂中之后，以温风预干燥。接着，以200℃的烘箱使之干燥20分钟，冷却至室温。随后，将该玻璃板浸渍于40℃的化学镍镀敷浴(JCU公司制造：ENIREX NI-100)中7分钟，进行镀敷。另外，针对实施例9中获得的涂覆剂6，除将化学镍镀敷浴变更成化学铜镀敷浴(JCU公司制造：EVS SHIELD EC)以外，与上述同样利用其进行镀敷。最后是否在玻璃板上析出镀敷，由以下评价基准评价析出面积。其结果示于表1。
〈析出面积评价基准〉
[表1]
将玻璃板浸渍于涂覆剂中，以烘箱干燥后的润湿面积((干燥后涂布的面积/浸渍于涂覆剂中的面积)×100(％))均为80％。另外，在所用的以涂覆剂处理的玻璃板上均析出镀层。尤其含有含Pd的有机硅低聚物的涂覆剂1～4以润湿面积的100％析出镀层。
实施例11
对ABS板的镀敷：
实施例9所得的涂覆剂中，针对涂覆剂1～5、7～8，如下所述那样，利用其对ABS板进行镀敷。首先，将ABS板(2×5cm)浸渍于涂覆剂中后，以温风预干燥。接着，以70℃的烘箱使之干燥20分钟，冷却至室温。随后，将该ABS板浸渍于二甲基胺硼烷水溶液(100ppm)中，进行涂覆剂中所含的含催化剂金属的有机硅低聚物的金属的还原。进而，使之经水洗后，浸渍于40℃的化学镍镀敷浴(JCU公司制造：ENIREX NI-100)中7分钟，进行镀敷。另外，针对实施例9中获得的涂覆剂6，除将化学镍镀敷浴变更成化学铜镀敷浴(JCU公司制造：EVA SHIELDEC)以外，与上述同样利用此进行镀敷。最后是否于ABS板上析出镀敷，藉与实施例10相同的评价基准评价析出面积。其结果示于表2。
[表2]
所有的以涂覆剂处理的ABS板上均析出镀敷。另外，将ABS板浸渍于涂覆剂中，以烘箱干燥后的润湿面积均为80％。另外，含有含Pd的有机硅低聚物的涂覆剂1～4以润湿面积的100％析出镀敷。
实施例12
加入树脂的涂覆剂的制备：
将丙烯酸树脂(AICA工业株式会社制造：APX-1256)8.75g添加于乙基溶纤剂78.75g中，经搅拌溶解。将钯浓度成为150ppm的浓度的实施例1所得的含Pd的有机硅低聚物1添加于其中，并混合获得加入树脂的涂覆剂1。
将玻璃板(2×5cm)浸渍于该加入树脂的涂覆剂1中之后，以温风预干燥。接着，以200℃的烘箱使之干燥20分钟，冷却至室温，润湿面积为100％。
实施例13
加入树脂的涂覆剂的制备：
以使钯浓度成为150ppm的浓度将实施例1所得的含Pd的有机硅低聚物1添加于乙基溶纤剂中，经混合后，再以使固体成分成为3％的浓度添加聚乙烯粉末(日本BYK化学公司制造：CERAFLOUR990)并混合，获得加入树脂的涂覆剂2。
将玻璃板(2×5cm)浸渍于该加入树脂的涂覆剂2中后，以温风预干燥。接着，以200℃的烘箱使之干燥20分钟，冷却至室温，润湿面积为100％。
实施例14
2元系涂覆剂的制备：
将丙烯酸树脂(AICA工业株式会社制造：APX-1256)8.75g添加于乙基溶纤剂78.75g中，并搅拌溶解。以使金属浓度分别成为150ppm的浓度将实施例1所得的含Pd的有机硅低聚物1及实施例5所得的含Fe的有机硅低聚物添加于其中并混合，获得2元系涂覆剂1。另外，除将实施例5所得的含Fe的有机硅低聚物变更成实施例6所得的含Cu的有机硅低聚物、实施例7所得的含Ni的有机硅低聚物、实施例8所得的含Co的有机硅低聚物以外，与上述同样，获得2元系涂覆剂2～4。
实施例15
对玻璃板的镀敷：
实施例14所得的2元系涂覆剂1～4中，针对涂覆剂1、3～4，如下所述那样，利用其对玻璃板进行镀敷。首先，将玻璃板(2×5cm)浸渍于涂覆剂中后，以温风预干燥。接着，以200℃的烘箱使之干燥20分钟，冷却至室温。随后，将该玻璃板浸渍于25℃的化学镍镀敷浴(JCU公司制造：ENIREX NI-100)中7分钟，进行镀敷。另外，针对实施例14所得的2元系涂覆剂3，除将化学镍镀敷浴变更成化学铜镀敷浴(JCU公司制造：PB-506)以外，与上述同样利用其进行镀敷。另外，藉由将各2元系涂覆剂变更成含实施例1所得的含钯的低聚物1的涂覆剂而得到的产品，与上述同样进行镀敷的产品作为对照。另外，该对照条件相较于实施例1的镀敷条件，由于化学镀敷浴的温度降低15℃，故镀敷为仅能析出润湿面积的几％左右的条件。最后算出在对照的玻璃板上析出镀敷的润湿面积、及由该润湿面积与使用2元系涂覆剂所得的玻璃板上析出镀敷的润湿面积算出增加倍率。其结果示于表3。
[表3]
显示相较于单独使用含催化剂金属的有机硅低聚物，通过组合2种的含催化剂金属的有机硅低聚物的析出面积更增加。
实施例16
含钯·铁的有机硅低聚物的制备：
实施例1中，除对于氯化钯1.7g追加添加氯化铁四水合物6.7g以外，与实施例1同样进行反应。
认为由该反应所得的有机硅低聚物的结构中，钯与铁已进入。
实施例17
涂覆剂的制备：
使钯与铁的总金属浓度成为150ppm的浓度将实施例16所得的含钯·铁的有机硅低聚物添加于乙基纤维剂中，并混合获得涂覆剂。
实施例18
对玻璃板的镀敷：
利用实施例17所得的涂覆剂，与实施例15的对照同样对玻璃板进行相同的镀敷时，比含有1种催化剂金属的含催化剂金属的有机硅低聚物析出面积增加。
[产业上的可利用性]
本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物不管基材种类为何，均可赋予自催化性或导电性。
据此，本发明的含催化剂金属的有机硅低聚物可用于镀敷基材。

Claims (20)

1.一种含催化剂金属的有机硅低聚物，其是在催化剂金属存在下使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位上键合有羟基的多元醇进行缩合反应而得的，其中，n为1以上的整数。
2.根据权利要求1所述的含催化剂金属的有机硅低聚物，其中，未对缩合反应时生成的醇进行分馏。
3.根据权利要求1所述的含催化剂金属的有机硅低聚物，其中，四烷氧基硅烷为选自由四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷及四丁氧基硅烷所组成的组中的1种或2种以上。
4.根据权利要求1所述的含催化剂金属的有机硅低聚物，其中，至少在n、n+1位或n、n+2位上键合有羟基的多元醇为乙二醇及/或1,3-丙二醇，其中，n为1以上的整数。
5.根据权利要求1所述的含催化剂金属的有机硅低聚物，其中，催化剂金属为选自由铁、镍、钴、铜及钯所组成的组中的1种或2种以上。
6.一种含催化剂金属的有机硅低聚物的制造方法，其特征在于，在催化剂金属存在下使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位上键合有羟基的多元醇进行缩合反应，其中，n为1以上的整数。
7.根据权利要求6所述的含催化剂金属的有机硅低聚物的制造方法，其中，未对缩合反应时生成的醇进行分馏。
8.根据权利要求6所述的含催化剂金属的有机硅低聚物的制造方法，其中，四烷氧基硅烷为选自由四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷及四丁氧基硅烷所组成的组中的1种或2种以上。
9.根据权利要求6所述的含催化剂金属的有机硅低聚物的制造方法，其中，至少在n、n+1位或n、n+2位上键合有羟基的多元醇为乙二醇及/或1,3-丙二醇，其中，n为1以上的整数。
10.根据权利要求6所述的含催化剂金属的有机硅低聚物的制造方法，其中，催化剂金属为选自由铁、镍、钴、铜及钯所组成的组中的1种或2种以上。
11.一种涂覆剂，其特征在于，含有权利要求1～5中任一项所述的含催化剂金属的有机硅低聚物。
12.根据权利要求11所述的涂覆剂，其还含有选自由丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、酚系树脂及环氧系树脂所组成的组中的树脂的1种或2种以上。
13.根据权利要求11或12所述的涂覆剂，其用于赋予自催化性。
14.根据权利要求11或12所述的涂覆剂，其用于赋予导电性。
15.一种对基材的镀敷方法，其特征在于，以权利要求11～14中任一项所述的涂覆剂处理基材后，进行催化剂金属的活性化处理，接着进行镀敷。
16.根据权利要求15所述的对基材的镀敷方法，其中，催化剂金属的活性化处理是在100℃以上进行的加热处理。
17.根据权利要求15所述的对基材的镀敷方法，其中，催化剂金属的活性化处理是在不足100℃进行加热处理后，进行化学还原处理的处理。
18.根据权利要求17所述的对基材的镀敷方法，其中，化学还原处理使用选自由次磷酸、二甲基胺硼烷、福尔马林、硼氢化钠、肼所组成的组中的1种或2种以上而进行。
19.根据权利要求15所述的对基材的镀敷方法，其中，基材为难镀敷性基材。
20.一种镀敷制品，其是以权利要求15～19中任一项所述的对基材的镀敷方法获得的，自表面起依次包括经镀敷的金属层、包含含催化剂金属的有机硅低聚物的涂覆剂层、基材层。
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