CN106465577B - 元件安装装置、表面安装机及吸附高度位置的检测方法 - Google Patents

Abstract

一种元件安装装置(30)，具备通过利用负压从元件的上方吸引元件而吸附元件的吸附部(54)并将由吸附部(54)吸附的元件(E1)安装于基板(P1)，元件安装装置(30)具备：测定部(60)，测定吸附部(54)中的负压的大小；及控制部(70)，控制吸附部(54)和测定部(60)，控制部(70)具有：执行观测处理的观测处理部(76)，该观测处理是通过吸附部(54)吸引元件(E1)并观测在从开始吸引元件(E1)至结束吸引为止的期间由测定部(60)测定的负压的大小的时间变化的处理；及决定处理部(77)，基于在观测处理中观测到的负压的大小的时间变化来决定通过吸附部(54)吸附元件(E1)时的吸附高度位置，改变开始吸引元件(E1)时的元件(E1)与吸附部(54)之间的距离而多次执行观测处理。

Description

元件安装装置、表面安装机及吸附高度位置的检测方法

技术领域

本说明书公开的技术涉及决定元件的吸附高度位置的元件安装装置、具备该元件安装装置的表面安装机及吸附高度位置的检测方法。

背景技术

以往，已知有一种元件安装装置，具备通过利用负压吸引各个种类的电子元件等而吸附该电子元件的多个吸嘴，将由该吸嘴吸附的电子元件安装在印刷基板上。在这样的具备吸嘴的元件安装装置中，在将电子元件安装于印刷基板时，若吸附高度位置过于接近电子元件，则吸嘴的前端部与电子元件过度发生干扰，吸嘴、电子元件有时会损伤。因此，在将电子元件安装在印刷基板上的安装作业之前，要求按照电子元件的各种类来检测最佳的吸附高度位置。

下述专利文献1在上述那样的元件安装装置中，公开了一种检测用于进行电子元件的安装作业的吸嘴的吸附高度位置的检测方法。在该检测方法中，一边使吸嘴相对于预先确定的计测基准面下降，一边计测从吸嘴吸引的空气的流量，根据流量计测结果来算出流量计测值下降为预定值以下的时机，基于其算出结果来检测吸嘴的吸附高度位置。

专利文献1：日本特开2003-133786号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，上述专利文献1的检测方法不是一边使吸嘴相对于成为吸附对象的电子元件下降一边计测流量的方法，因此难以应对以各吸附元件的变动为起因的吸附高度位置的差异。而且，即便假设使用上述专利文献1的检测方法，一边使吸嘴相对于电子元件下降一边计测流量，电子元件也会被吸嘴吸引而使电子元件从载置面升起，因此无法得到适当的流量计测值，难以高精度地检测吸附高度位置。

本说明书公开的技术鉴于上述的课题而创作，目的在于提供能够高精度地检测各种元件的吸附高度位置的元件安装装置、具备这样的元件安装装置的表面安装机及能够高精度地检测各种元件的吸附高度位置的吸附高度位置的检测方法。

用于解决课题的方案

本说明书中公开的技术涉及一种元件安装装置，具备通过利用负压从元件的上方吸引元件而吸附该元件的吸附部，并将由所述吸附部吸附的所述元件安装于基板，所述元件安装装置具备：测定部，测定所述吸附部中的所述负压的大小；及控制部，控制所述吸附部和所述测定部，所述控制部具有：执行观测处理的观测处理部，该观测处理是通过所述吸附部吸引所述元件并观测在从开始吸引该元件至吸引结束为止的期间由所述测定部测定的所述负压的大小的时间变化的处理；及执行决定处理的决定处理部，该决定处理是基于所述观测处理中观测到的所述负压的大小的时间变化来决定为了将所述元件安装于所述基板而通过所述吸附部吸附该元件时的吸附高度位置的处理，所述观测处理部改变开始吸引所述元件时的该元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述观测处理。另外，在本说明书中所说的测定负压的大小不限定为以压力值测定负压的大小，也包括例如作为电压值或流量来测定负压的大小。

在上述的元件安装装置中，控制部的观测处理部在观测处理中观测在从开始吸引元件至吸引结束为止的期间由测定部测定的负压的大小的时间变化。在此，伴随着吸附部的吸引而电子元件从其载置面升起，从而由测定部测定的负压的大小以平缓的斜度变化，当电子元件与吸附部接触时，吸附部内的真空度急速升高而以急斜度变化。因此，通过观测负压的大小的时间变化，能够算出例如从吸附部开始吸引至吸附电子元件为止的经过时间，能够视为，该经过时间越短，则电子元件与吸附部之间的距离越短。

此外，在上述的元件安装装置中，控制部的决定处理部改变开始吸引元件时的该元件与吸附部之间的距离而多次执行测定处理，在决定处理中，基于观测处理中观测到的负压的大小的时间变化来决定关于该元件的吸附高度位置。因此，对在多次执行的测定处理中分别算出的上述经过时间进行比较，由此能够决定电子元件与吸附部之间极其接近的最佳的吸附部的吸附高度位置。并且，按照形状等不同的多个种类的各元件来执行上述的各处理，由此能够按照各元件高精度地检测最佳的吸附高度位置。如以上所述，在上述的元件安装装置中，着眼于通过吸附部的吸引而使元件升起并吸附于吸附部时的负压的大小的时间变化的特性，由此能够高精度地检测各种元件的吸附高度位置。

可以是，上述的元件安装装置具备存储部，所述观测处理部在所述观测处理中，从通过所述吸附部开始吸附所述元件起经过了预定时间之后结束吸引，并且将在所述预定时间的期间观测到的所述负压的大小的时间变化作为波形而存储于所述存储部，所述决定处理部在所述决定处理中，基于与存储于所述存储部的多个所述波形中的一个波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。另外，本说明书中所说的预定时间是指从配置于元件的上方的吸附部开始吸引直至元件吸附于吸附部为止的时间加上微小时间所得到的时间，例如为几毫秒左右。

根据该结构，关于多次执行的观测处理，从开始吸引元件至吸引结束为止的时间相等，因此通过使在多次的观测处理中观测到的上述波形分别重合，能够对多次观测处理中的上述经过时间有效地进行比较。因此，在决定处理中，能够高精度地决定吸附高度位置。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述观测处理部在多次执行的所述观测处理中的一次观测处理中，将所述距离设为在所述预定时间的期间所述元件未吸附于所述吸附部的距离而执行，并将所述波形作为基准波形而存储于所述存储部，在其他次观测处理中，将所述波形作为通常波形而存储于所述存储部，所述决定处理部在所述决定处理中，执行：读出处理，从所述存储部读出所述基准波形和所述通常波形；差分波形计算处理，对于所述通常波形，算出取所述通常波形与所述基准波形的差分的波形作为差分波形；及经过时间计算处理，对于所述差分波形，算出从开始所述吸引至所述负压的大小的差分成为预定的阈值为止的经过时间，所述决定处理部基于与所述经过时间被算出的所述差分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

在上述通常波形及上述差分波形中，在元件吸附于吸附部时的斜度的变化点处，波形平缓地变化，因此难以高精度地检测变化点。根据上述的结构，根据读出的基准波形及通常波形来算出差分波形，关于差分波形，算出成为预定的阈值为止的经过时间，由此唯一地确定经过时间，因此能够排除上述变化点附近的波形的影响。并且，基于与算出这样排除了变化点附近的波形的影响的经过时间的差分波形对应的元件和吸附部之间的距离来决定吸附高度位置，由此能够更高精度地决定吸附高度位置。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述决定处理部在所述决定处理中，执行对于在使多个所述差分波形重合的情况下相邻的两个所述差分波形算出所述经过时间之差的时间差计算处理，所述决定处理部基于与所述经过时间之差成为第一预定值以下的两个所述差分波形中的所述经过时间大的一方的差分波形对应的所述距离来决定所述吸附高度位置。

排除了上述变化点附近的波形的影响的上述经过时间之差处于元件与吸附部之间的距离越小则越变小的倾向。根据上述的结构，基于与算出的经过时间之差成为第一预定值以下时的一方的差分波形对应的元件和吸附部之间的距离来决定吸附高度位置，由此能够以更高的精度决定吸附高度位置。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述决定处理部在所述决定处理中，执行：读出处理，从所述存储部读出多个所述波形；微分波形计算处理，算出对所述波形进行微分而得到的微分波形；及经过时间计算处理，对于所述微分波形，算出从开始所述吸引至产生了关于所述负压的大小的第二次峰值的时刻为止的经过时间，所述决定处理部基于与所述经过时间被算出的所述差分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

根据该结构，对于根据上述波形算出的微分波形来算出上述经过时间之差，由此能够排除上述变化点附近的波形的影响。此外，不算出上述基准波形而算出上述微分波形，并算出直至产生了算出的微分波形的第二次峰值的时刻为止的经过时间。在此，产生了第二次峰值的时刻确定为一点，因此通过观察产生了第二次峰值的时刻，能够高精度地检测上述经过时间。基于与算出这样高精度地检测出的经过时间的差分波形对应的元件和吸附部之间的距离来决定吸附高度位置，由此能够以更高的精度决定吸附高度位置。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述决定处理部在所述决定处理中，执行对于在使多个所述微分波形重合的情况下所述经过时间接近的两个所述微分波形算出所述经过时间之差的时间差计算处理，所述决定处理部基于与所述经过时间之差成为第二预定值以下的两个所述微分波形中的所述经过时间相对大的一方的微分波形对应的所述距离来决定所述吸附高度位置。

根据该结构，通过根据相邻的2个微分波形来算出经过时间之差，对于观测处理能够以较少的次数检测吸附高度位置。这样在上述的结构中，能够缩短从开始吸附高度位置的检测至检测到吸附高度位置为止所需的时间。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述决定处理部在所述决定处理中，在关于所述一方的差分波形或所述一方的微分波形的所述经过时间为第三预定值以下的情况下决定所述吸附高度位置。

在决定处理中算出的相邻的2个上述差分波形或者相邻的2个上述微分波形中，即使在吸附部由于元件与吸附部之间的距离的变化幅度而从元件分离的情况下，上述经过时间之差有时也会成为第一预定值以下或第二预定值以下。根据上述的结构，进而在经过时间为第三预定值以下的情况下决定吸附高度位置，因此能够防止尽管吸附部从元件分离但还决定吸附高度位置的情况。因此，能够以更高的精度决定吸附高度位置。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述观测处理部等间隔地改变所述元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述观测处理。

当等间隔地改变上述距离而多次执行观测处理时，随着吸附部接近元件而上述经过时间之差减小。根据上述的结构，在上述经过时间之差成为第一预定值以下或第二预定值以下的情况下，即使没有为了决定吸附高度位置而另行设置条件，也能够决定吸附高度位置。因此，能够以更简单的决定方法决定吸附高度位置。

在上述的元件安装装置中，可以是，所述决定处理部在所述决定处理中，执行：读出处理，从所述存储部读出多个所述波形；微分波形计算处理，算出对所述波形进行微分而得到的微分波形；经过时间计算处理，对于所述微分波形，算出从开始所述吸引至产生了关于所述负压的大小的第二次峰值的时刻为止的经过时间；及函数计算处理，根据所述经过时间及与该经过时间被算出的所述微分波形对应的所述距离，算出近似函数，所述决定处理部在所述近似函数中，基于所述经过时间成为预定的阈值时的所述元件与所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

在上述的结构中，控制部根据上述经过时间和与上述经过时间被算出的微分波形对应的距离来算出近似函数，根据算出的近似函数来决定吸附高度位置。该近似函数通过至少进行3次观测处理能够算出。因此，对于观测处理能够以更少的次数来检测吸附高度位置，能够进一步缩短从开始吸附高度位置的检测至检测到吸附高度位置为止所需的时间。

可以是，上述的元件安装装置具备接受来自外部的输入的输入部，所述观测处理部及所述决定处理部通过所述输入部接受输入来执行所述观测处理及所述决定处理。

根据该结构，输入部接受作业者等来自外部的输入，由此能够基于作业者等的意图而开始用于检测吸附高度位置的处理。

可以是，上述的元件安装装置具备使所述吸附部上下升降的升降部，所述控制部通过控制所述升降部来改变所述元件的吸引开始时的所述吸附部的高度而多次执行所述观测处理。

由此，吸附部通过控制部而升降，由此能够提供一种用于改变元件与吸附部之间的距离的具体的结构。

本说明书中公开的另一技术涉及一种表面安装机，具备：上述的元件安装装置；元件供给装置，向所述元件安装装置供给所述元件；及基板搬运装置，沿搬运方向搬运所述基板。

本说明书所公开的又一技术涉及一种吸附高度位置的检测方法，在具备吸附部和测定部并将由所述吸附部吸附的元件安装于基板的元件安装装置中，检测为了将所述元件安装于所述基板而利用所述吸附部吸附该元件时的吸附高度位置，所述吸附部通过利用负压从元件的上方吸引元件而吸附该元件，所述测定部测定所述吸附部中的所述负压的大小，所述吸附高度位置的检测方法具备：观测工序，通过所述吸附部吸引所述元件，并观测在从开始吸引该元件至吸引结束为止的期间由所述测定部测定的所述负压的大小的时间变化；及决定工序，决定所述吸附高度位置，在所述观测工序中，改变开始吸引所述元件时的该元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述负压的大小的时间变化的观测，在所述决定工序中，基于所述观测工序中观测到的所述负压的大小的时间变化来决定所述吸附高度位置。

发明效果

根据在本说明书中公开的技术，可提供能够高精度地检测各种元件的吸附高度位置的元件安装装置、具备这样的元件安装装置的表面安装机及能够高精度地检测各种元件的吸附高度位置的吸附高度位置的检测方法。

附图说明

图1是表面安装机的俯视图。

图2是从正面观察头单元的放大主视图。

图3是表示用于使吸嘴产生负压的结构的示意图。

图4是表示表面安装机的电气结构的框图。

图5是表示从吸附高度位置的检测开始至电子元件的安装为止的流程的流程图。

图6是表示吸附高度位置检测处理的流程的流程图。

图7是表示吸附高度位置检测处理中的电子元件与吸嘴之间的距离的变化形态的说明图。

图8是表示观测处理中观测到的各波形的坐标图。

图9是表示各波形的差分波形的坐标图。

图10是表示实施方式2的吸附高度位置检测处理的流程的流程图。

图11是表示实施方式2的观测处理中观测到的各波形的坐标图。

图12是在实施方式2中表示各波形的微分波形的坐标图。

图13是表示实施方式3的吸附高度位置检测处理的流程的流程图。

图14是表示实施方式3的观测处理中观测到的各波形的坐标图。

图15是在实施方式3中表示各波形的微分波形的坐标图。

图16是在实施方式3中表示近似函数的坐标图。

图17是表示实施方式4的用于使吸嘴产生负压的结构的示意图。

图18是表示实施方式4的观测处理中观测到的各波形的坐标图。

图19是在实施方式4中表示各波形的差分波形的坐标图。

图20是表示实施方式5的观测处理中观测到的各波形的坐标图。

图21是在实施方式5中表示各波形的微分波形的坐标图。

图22是表示实施方式6的观测处理中观测到的各波形的坐标图。

图23是在实施方式6中表示各波形的微分波形的坐标图。

图24是在实施方式6中表示近似函数的坐标图。

图25是表示实施方式7的吸附高度位置检测处理的流程的流程图。

具体实施方式

(表面安装机的整体结构)

参照附图，说明实施方式1。在本实施方式中，例示图1所示的表面安装机1。另外，表面安装机1在以下所示的各实施方式中设为同样的结构。表面安装机1具备基台10、用于搬运印刷基板(基板的一例)P1的搬运输送器(基板搬运装置的一例)20、用于在印刷基板P1上安装电子元件(元件的一例)E1的元件安装装置30、用于向元件安装装置30供给电子元件E1的供料器型供给装置(元件供给装置的一例)40等。

基台10呈俯视观察长方形形状且上表面平坦。而且，在基台10的搬运输送器20的下方设有未图示的支撑板等，在印刷基板P1上安装电子元件E1时，该支撑板用于支撑该印刷基板P。在以下的说明中，将基台10的长边方向(图1的左右方向)及搬运输送器20的搬运方向作为X轴方向，将基台10的短边方向(图1的上下方向)作为Y轴方向，将基台10的上下方向(图2的上下方向)作为Z轴方向。

搬运输送器20配置在Y轴方向上的基台10的大致中央位置，沿着搬运方向(X轴方向)搬运印刷基板P1。搬运输送器20具备沿着搬运方向进行循环驱动的一对输送带22。印刷基板P1以架设于两输送带22的方式安设。在本实施方式中，印刷基板P1从搬运方向的一侧(图1所示的右侧)沿着输送带22被搬入到基台10上的作业位置(图1的双点划线包围的位置)，在作业位置停止而进行了电子元件E1的安装作业之后，沿着输送带22向另一侧(图1所示的左侧)搬出。

供料器型供给装置40在搬运输送器20的两侧(图1的上下两侧)沿着X轴方向排列而配设在各2个部位、总计4个部位。在上述的供料器型供给装置40以横向排列状地整齐排列而安装有多个供料器42。各供料器42具备卷绕有收容多个电子元件E1的元件供给带(未图示)的带盘(未图示)及从带盘引出元件供给带的电动式的送出装置(未图示)等，从位于搬运输送器侧的端部逐个地供给电子元件E1。

元件安装装置30由设置在基台10及供料器型供给装置40等的上方的一对支撑框架31、头单元32、对头单元32进行驱动的头单元驱动机构构成。各支撑框架31分别位于X轴方向上的基台10的两侧，且沿Y轴方向延伸。在支撑框架31设有构成头单元驱动机构的X轴伺服机构及Y轴伺服机构。头单元32通过X轴伺服机构及Y轴伺服机构而在一定的可动区域内能够沿着X轴方向及Y轴方向移动。

构成头单元驱动机构的Y轴伺服机构具有：以沿着Y轴方向延伸的方式设置于各支撑框架31的Y轴导轨34Y；以沿着Y轴方向延伸的方式安装于各Y轴导轨34Y且与未图示的滚珠螺母螺合的Y轴滚珠丝杠36Y；及附设于Y轴滚珠丝杠36Y的Y轴伺服电动机38Y。

另外，在各Y轴导轨34Y安装有以沿着X轴方向延伸的方式固定于滚珠螺母的头支撑体39。当对Y轴伺服电动机38Y进行通电控制时，滚珠螺母沿着Y轴滚珠丝杠36Y进退，其结果是，固定于滚珠螺母的头支撑体39及下述的头单元32沿着Y轴导轨34Y在Y轴方向上移动。

构成头单元驱动机构的X轴伺服机构具有：以沿着X轴方向延伸的方式设置于头支撑体的X轴导轨34X(参照图2)；以沿着X轴方向延伸的方式安装于头支撑体39且与未图示的滚珠螺母螺合的X轴滚珠丝杠36X；及附设于X轴滚珠丝杠36X的Y轴伺服电动机38X。

另外，在X轴导轨34X上以沿着其轴向移动自如的方式安装有头单元32。当对X轴伺服电动机38X进行通电控制时，滚珠螺母沿着X轴滚珠丝杠36X进退，其结果是，固定于滚珠螺母的头单元32沿着X轴导轨34X在X轴方向上移动。

头单元32将从供料器型供给装置40向基台10上供给的电子元件E1取出而安装到印刷基板P1上。在头单元32上，如图2所示，进行电子元件E1的安装动作的安装头52呈列状地搭载多个。各安装头52从头单元32的下表面向下突出，在其前端设有吸嘴(吸附部的一例)54。

各安装头52通过R轴伺服电动机38R(参照图4)等而能够进行绕轴的旋转动作。而且，各安装头52成为通过Z轴伺服电动机38Z(升降部的一例，参照图4)等的驱动而相对于头单元32的框架32A能够沿上下方向升降的结构。因此，当对Z轴伺服电动机38Z进行通电控制时，吸嘴54与安装头52一起沿上下方向移动，吸嘴54的下端部的高度位置变化。

另外，在头单元32设有基板识别相机C1(参照图4，在图1及图2中未图示)。基板识别相机C1以摄像面朝下的状态固定于头单元32，成为与头单元32一起一体地移动的结构。因此，通过使上述的X轴伺服机构、Y轴伺服机构驱动，能够利用基板识别相机C1来拍摄停止在作业位置的印刷基板P上的任意的位置的图像。

(用于使吸嘴产生负压的结构)

接下来，说明用于使吸嘴54产生负压的结构。如图3所示，在吸嘴54的内部设置的吸引路56经由压力传感器(测定部的一例)60而与阀62连接。阀62还与负压产生部64连接。负压产生部64例如是真空泵，以一定的压力值(例如-80kPa～-90kPa)产生负压。上述的压力传感器60、阀62及负压产生部64分别与后述的控制部70连接。

在通过控制部70使负压产生部64为启动的状态而阀62成为开状态时，从负压产生部64向吸嘴54供给负压，在吸嘴54的前端产生吸引力。通过设为这样的结构，将由供料器F1供给的电子元件E1吸附在元件安装装置30的吸嘴54的前端部54A，向停止在作业位置的印刷基板P1上安装。从各安装头52突出的吸嘴54各自的直径、突出的长度不同，向吸引路56内供给的负压的大小也不同。

与吸引路56连接的压力传感器60将吸嘴54附近的吸引路56内的负压的大小作为电压值向控制部70输出。另外，如图1所示，在基台10上，在由头单元32进行安装的安装位置的附近分别固定有元件识别相机C2。元件识别相机C2拍摄由安装头52从供料器型供给装置40取出的电子元件E1的图像，由此识别各电子元件E1的由吸嘴54进行吸附的吸附姿势等。

(表面安装机的电气结构)

接下来，关于表面安装机1的电气结构，参照图4进行说明。表面安装机1的主体由控制部70对其整体进行总括控制。控制部70具备由CPU等构成的运算处理部71。在运算处理部71上分别连接电动机控制部72、存储部73、图像处理部74、外部输入输出部75、观测处理部76、决定处理部77、显示部78、输入部79。

电动机控制部72按照后述的安装程序73A而使各头单元32的X轴伺服电动机38X、Y轴伺服电动机38Y、Z轴伺服电动机38Z、R轴伺服电动机38R分别驱动。而且，电动机控制部72按照安装程序73A而驱动搬运输送器20。

存储部73由存储对CPU进行控制的程序等的ROM(Read Only Memory)及在装置的动作过程中临时存储各种数据的RAM(Random Access Memory)等构成。在存储部73存储有下述的安装程序73A和各种数据73B。

在存储于存储部73的安装程序73A中，具体而言，包括：与成为安装对象的印刷基板P1的生产台数相关的基板信息；安装于印刷基板P1的电子元件E1的包含个数、种类等的元件信息；与印刷基板P1上的电子元件E1的安装位置相关的安装信息等。此外，安装程序73A包括通过后述的吸附高度位置检测处理检测的关于各种电子元件E1的与吸附高度位置相关的信息。

另外，存储于存储部73的各种数据73B包括：供料器型供给装置40的各供料器42所保持的电子元件E1的关于个数、种类的数据；与在后述的吸附高度位置检测处理中观测到的各种波形相关的数据；与后述的吸附高度位置检测处理中使用的各种预定值、阈值、容许时间相关的数据等。

向图像处理部74分别取入从基板识别相机C1及元件识别相机C2输出的摄像信号。在图像处理部74中，基于来自取入的各相机C1、C2的摄像信号，分别进行元件图像的解析以及基板图像的解析。

外部输入输出部75是所谓接口，被取入从设置在表面安装机1的主体上的上述的压力传感器60等各种传感器类75A输出的检测信号。而且，外部输入输出部75基于从运算处理部71输出的控制信号，进行上述的阀62的开闭控制等对于各种促动器类75B的动作控制。

观测处理部76观测由压力传感器60测定的负压的大小的时间。决定处理部77基于由观测处理部76观测到的负压的大小的时间变化，决定为了将电子元件E1安装于印刷基板P1而利用吸嘴54吸附该电子元件E1时的吸附高度位置。

显示部78由具有显示画面的液晶显示装置等构成，将表面安装机1的状态等显示在显示画面上。输入部79由键盘等构成，通过手动的操作而接受来自外部的输入。

(表面安装机的动作形态)

在本实施方式的表面安装机1中，在自动运转过程中，交替地执行通过搬运输送器20进行印刷基板P1的搬运作业的搬运状态和进行电子元件E1向印刷基板P1上的安装作业的安装状态。而且，在供料器型供给装置40中，在1个或多个供料器42中的各供料器42收容有形状不同的多个种类的电子元件E1。电子元件E1按照各种类而形状、尺寸不同，当电子元件E1的种类不同时，为了将电子元件E1安装于印刷基板P1而通过吸嘴54吸附该电子元件E1时的最佳的吸附高度位置也不同。

因此，在表面安装机1中，控制部70在向印刷基板P1上安装各种电子元件E1之前，按照作为安装对象的电子元件E1的各种类，执行检测上述吸附高度位置的处理。该吸附高度位置的检测可以在例如自动运转过程中的上述搬运状态下执行，也可以在例如自动运转的停止过程中通过从外部接受到输入部79用于使吸附高度位置的检测开始的输入而执行。并且，在上述安装状态下，基于关于各种电子元件E1检测到的吸附高度位置来进行电子元件E1的安装作业。

(控制部执行的处理)

本实施方式的表面安装机1为以上那样的结构，接下来，关于控制部70在从电子元件E1的吸附高度位置的检测开始至该电子元件E1的安装为止所执行的处理，参照图5所示的流程图进行说明。以下所示的一连串的处理是控制部70按照上述的安装程序73A而执行的处理。

吸附高度位置的检测对于各吸嘴54，按照种类不同的各电子元件E1来执行。控制部70首先使X轴伺服机构及Y轴伺服机构驱动而使头单元32移动，以使各吸嘴54中的执行吸附高度位置的检测的吸嘴54位于成为检测对象的电子元件E1的上方(S2)。

接下来，控制部70的观测处理部76及决定处理部77对于成为检测对象的电子元件E1，执行检测吸附高度位置的吸附高度位置检测处理(S4)。关于吸附高度位置检测处理在后文详细说明。当吸附高度位置检测处理结束时，控制部70将其检测结果、即通过吸附高度位置检测处理检测到的吸附高度位置存储于存储部73的安装程序73A，向S8转移。

控制部70在S8中，向安装状态转移而执行各种电子元件E1的安装作业。在该安装作业中，控制部70对于进行吸附的吸嘴54，从安装程序73A读出成为安装对象的电子元件E1的吸附高度位置，对于各种电子元件E1在最佳的吸附高度位置处进行电子元件E1的安装作业。

(吸附高度位置检测处理)

接下来，说明与控制部70的观测处理部76及决定处理部77在S4中执行的吸附高度位置检测处理相关的各实施方式。另外，在实施方式1、实施方式2、实施方式3中，关于表面安装机1的结构及控制部70执行的上述的S2、S6、S8的处理，在各实施方式中共通，因此在以下的说明中进行省略。

(实施方式1)

关于实施方式1的吸附高度位置决定处理，参照图6所示的流程图进行说明。在此，在本实施方式中，作为成为吸附高度位置的检测对象的电子元件E1的一例，例示出图7所示的大致块状的电子元件E1。在该电子元件E1中，其上表面成为由吸嘴54吸附的吸附部位。

在吸附高度位置检测处理中，控制部70的观测处理部76首先如图7(A)所示，使Z轴伺服电动机38Z驱动而使吸嘴54移动至距成为检测对象的电子元件E1足够远的位置(S10)。在此所说的距电子元件E1足够远的位置是例如吸嘴54处于最上端时的位置，是指在从吸嘴54的吸引开始至吸引结束为止的期间避免电子元件E1因吸嘴54的吸引力而从载置面升起的位置。另外，图7的附图标记DS1～DS5表示吸嘴54分别处于图7(A)～图7(E)所示的位置时的电子元件E1与吸嘴54之间的距离。

接下来，控制部70的观测处理部76使吸嘴54对电子元件E1的吸引开始，在经过预定时间(例如几毫秒左右)之后结束吸引。而且，控制部70的观测处理部76在上述预定时间的期间观测由压力传感器60测定的负压的大小的时间变化(S12)，将观测到的该时间变化作为基准波形而存储于存储部73(S14)。

在此，在S14的处理中存储于存储部73的时间变化的基准波形的一例在图8的坐标图中由波形W0表示。图8的横轴是时间轴，吸嘴54对电子元件E1的吸引开始的时刻、即通过控制部70使阀62成为开状态的时刻为0。图8的纵轴表示压力、即从压力传感器60作为电压值而输出的负压的大小，越靠坐标图的上侧则负压越大(吸引路56内的真空度越高)。

在S12的处理中，如上所述吸嘴54处于距电子元件E1足够远的位置，因此在从吸嘴54的吸引开始至结束为止的期间，该电子元件E1不会妨碍吸引。因此，如图8的基准波形W0所示，在S12的处理中测定的负压从吸嘴54的吸引开始而吸气到达压力传感器60的时刻起较大地上升之后，上升至与通过负压产生部64产生的负压的压力值P0相等而成为恒定。

当S14的处理结束时，如图7(B)所示，控制部70的观测处理部76使吸嘴54下降至电子元件E1由于吸嘴54的吸引而从载置面升起那样的高度位置(S16)。接下来，控制部70的观测处理部76使吸嘴54对电子元件E1的吸引开始，在经过了上述预定时间之后结束吸引。而且，控制部70的观测处理部76在上述预定时间的期间观测由压力传感器60测定的负压的大小的时间变化(S18)，将观测到的该时间变化作为通常波形而存储于存储部73(S20)。

在此，在吸嘴54的高度位置为图7(B)所示的位置的情况下，在S20的处理中存储于存储部73的时间变化的通常波形的一例在图8的坐标图中由波形W1表示。在吸嘴54的高度位置为图7(B)所示的位置的情况下，在吸嘴54的吸引开始之后，由于吸嘴54的吸引而电子元件E1从载置面升起，如图7(B)的双点划线所示，电子元件E1的上表面吸附于吸嘴54的下端部。当电子元件E1被吸嘴54吸附时，吸嘴54的下端部的吸引口由电子元件E1闭塞，因此通过压力传感器60测定的负压进一步上升，吸引路56内的真空度升高。

因此，图8所示的通常波形W1首先较大地上升，上升至与通过负压产生部64产生的负压的压力值P0相等之后，在从载置面升起的电子元件E1吸附于吸嘴54之前的期间表现为恒定值。并且，图8所示的通常波形W1在电子元件E1吸附于吸嘴54的时刻TA1(斜度的变化点、第二次的上升点)再次较大地上升，在上述预定时间经过之前的期间，在图8的坐标图上以一边描绘曲线一边收敛成真空状态的压力值的方式上升。

当S20的处理结束时，控制部70的观测处理部76判断未算出的经过时间之差是否能够算出(S22)。在此所谓经过时间之差在后述的处理中算出，基于基准波形和2个通常波形来算出。因此，在未算出经过时间之差的至少2个通常波形存储于存储部73的情况下，控制部70的观测处理部76判断为未算出的经过时间之差能够算出(S22：是)，向S24转移。另一方面，在未算出经过时间之差的至少2个通常波形未存储于存储部73的情况下，控制部70的观测处理部76判断为未算出的经过时间之差无法算出(S22：否)，返回S16。

先说明从S22的处理返回S16的处理的情况。当从S22返回S16时，控制部70的观测处理部76使吸嘴54从图7(B)所示的位置进一步下降到图7(C)所示的位置(S16)。然后，控制部70依次执行上述的S18、S20的处理，再次向S22转移。这样，改变电子元件E1与吸嘴54之间的距离而多次执行S16至S22的处理。另外，控制部70的观测处理部76在S10至S14中所执行的处理及在S16至S22中所执行的处理是观测处理的一例。

在吸嘴54的高度位置为图7(C)所示的位置的情况下，存储于存储部73的时间变化的通常波形的一例由图8的波形W2表示。吸嘴54从图7(B)所示的位置下降到图7(C)所示的位置，由此电子元件E1与吸嘴54之间的距离减小，从吸嘴54的吸引开始至电子元件E1吸附于吸嘴54为止的经过时间缩短。因此，如图8所示，与通常波形W1相比，通常波形W2的从吸引开始至到达上述第二次的上升点TA2为止的经过时间短。

如上所述，每当从S22的处理向S16的处理返回时，控制部70的观测处理部76在S16中，使吸嘴54从图7(C)所示的位置向图7(D)所示的位置、从图7(D)所示的位置向图7(E)所示的位置、从图7(E)所示的位置向图7(F)所示的位置依次下降，执行S18至S22的处理。在图7(F)所示的位置，吸嘴54的下端部与电子元件E1的上表面接触。另外，在本实施方式中，吸嘴54的下降幅度并非恒定而可变，以随着吸嘴54接近电子元件E1而吸嘴54的下降幅度减小的方式进行控制。

在吸嘴54的高度位置为图7(C)所示的位置时、图7(D)所示的位置时、图7(E)所示的位置时、图7(F)所示的位置时，存储于存储部73的通常波形的一例在图8中分别由波形W2、W3、W4、W5表示。如通常波形W2、通常波形W3、通常波形W4所示，随着吸嘴54下降(随着电子元件E1与吸嘴54之间的距离缩短)，从吸引开始至到达上述第二次的上升点为止的经过时间逐渐缩短。而且，在吸嘴54与电子元件E1接触的状态(图7(F)所示的状态)下，在开始吸引的时刻吸嘴54的下端部的吸引口已经由电子元件E1堵塞，因此如图8的通常波形W5所示，通过S12的处理测定的负压从最初的上升点开始在图8的坐标图上以一边描绘曲线一边收敛成真空状态的压力值的方式上升。

对图6所示的流程图的接续进行说明。在S24中，控制部70的决定处理部77从存储部73读出存储于存储部73的基准波形及多个通常波形的数据(读出处理的一例)。接下来，控制部70的决定处理部77对于多个通常波形，算出取多个通常波形与基准波形的差分的差分波形(S26，差分波形计算处理的一例)。在此，图8所示的关于通常波形W1、W2、W3、W4、W5的差分波形分别由图9的D1、D2、D3、D4、D5表示。图9的横轴与图8的横轴相同。图9的纵轴表示压力的差分，越靠坐标图的上侧则与基准波形W0的压力的差分越大。

接下来，控制部70的决定处理部77对于在S26中算出的差分波形，算出从开始吸引至负压的大小的差分成为预定的阈值为止的经过时间(S28，经过时间计算处理的一例)。在图9所示的例子中，上述阈值由TH1表示。该阈值TH1是用于排除各差分波形D1、D2、D3、D4、D5的上升点附近的波形的影响的阈值，基于评价试验而预先设定。另外，图9中的T1、T2、T3、T4、T5分别表示关于各差分波形D1、D2、D3、D4、D5的上述经过时间。

接下来，控制部70的决定处理部77对于在使多个差分波形重合的情况下相邻的2个差分波形(图9所示的相邻的2个差分波形)，算出上述经过时间之差(S30，时间差计算处理的一例)。在图9的坐标图中，差分波形D1与差分波形D2的经过时间之差由T1-T2表示，差分波形D2与差分波形D3的经过时间之差由T2-T3表示，差分波形D3与差分波形D4的经过时间之差由T3-T4表示，差分波形D4与差分波形D5的经过时间之差由T4-T5表示。

接下来，控制部70的决定处理部77判断在S30中算出的经过时间之差是否为第一预定值(S32)。该第一预定值是经过时间之差可看作充分小的值，基于评价试验而预先设定，例如为5毫秒。因此，在S30中算出的经过时间之差为第一预定值以下的情况是指算出该经过时间之差的2个经过时间大致相等的情况。控制部70在S32中判断为经过时间之差为第一预定值时(S32：是)，向S34转移。控制部70的决定处理部77在S32中判断为经过时间之差不是第一预定值时(S32：否)，返回S16。

控制部70的决定处理部77在S34中，对于在S32中判断为经过时间之差为第一预定值以下的2个差分波形中的经过时间相对大的一方的差分波形，判断关于该差分波形的上述经过时间是否为第三预定值以下。该第三预定值为常数，按照各表面安装机1基于评价试验而预先设定。

第三预定值是例如在图8中在基准波形W0和吸嘴54处于与电子元件E1接触的状态时观测到的通常波形W5的分支点J1中加入为了决定吸附高度位置所需的容许时间而得到的值。另外，基准波形W0和通常波形W5均是无论有无电子元件E1都能够观测。即，通常波形W5例如在作业者塞住吸嘴54的前端部54A的吸引口的状态下，通过观测由压力传感器60测定的负压的大小的时间变化而能够得到。

控制部70的决定处理部77在S34中判断为经过时间为第三预定值以下时(S34：是)，对于与算出了第三预定值以下的经过时间的差分波形对应的通常波形，将观测到该通常波形时的吸嘴54的高度位置决定为吸附高度位置(S36)，结束吸附高度位置检测处理。控制部70的决定处理部77在S34中判断为经过时间不是第三预定值以下时(S34：否)，返回S16。另外，控制部70在S24至S36中所执行的处理是决定处理的一例。

在此，在本实施方式中，上述的各经过时间之差中，仅T3-T4及T4-T5为第一预定值以下，图9的附图标记TS3所示的时刻作为第三预定值。因此，在本实施方式中，在S30的处理中算出的经过时间之差为T1-T2、T2-T3中的任一个的情况下，在S32中判断为经过时间之差不是第一预定值以下(S32：否)。

另外，在本实施方式中，控制部70的决定处理部77在S30的处理中算出的经过时间之差为T3-T4的情况下，在S32中判断为经过时间之差为第一预定值以下(S32：是)，在S34中判断为关于经过时间相对大的一方的差分波形即差分波形D3的上述经过时间T3不是第三预定值TS3以下(S34：否)。

另外，在本实施方式中，控制部70的决定处理部77在S30的处理中算出的经过时间之差为T4-T5的情况下，在S32中判断为经过时间之差为第一预定值以下(S32：是)，在S34中判断为关于经过时间相对大的一方的差分波形即差分波形D4的上述经过时间T4为第三预定值TS3以下(S34：是)。并且，控制部70的决定处理部77在S36中，对于与算出了第三预定值TS3以下的经过时间T4的差分波形D4对应的通常波形W4，将观测到该通常波形W4时的吸嘴54的高度位置即图7(E)所示的高度位置决定为吸附高度位置。

如以上所述按照多个吸嘴54中的各吸嘴54来检测关于各种电子元件E1的最佳的吸附高度位置。另外，不将吸嘴54处于与电子元件E1接触的状态时的高度位置(观测到通常波形W5的高度位置)作为最佳的吸附高度位置是因为，当通过使吸嘴54下降而使吸嘴54与电子元件E1接触时，吸嘴54的前端部54A可能与电子元件E1过度地发生干扰，在这种情况下，电子元件E1或吸嘴54可能会损伤，因此不能称之为最佳的吸附高度位置。

(实施方式1的效果)

如以上说明所述，在本实施方式中，观测负压的大小的时间变化作为基准波形及通常波形，并根据基准波形及通常波形来算出差分波形。在此，通常波形及差分波形在吸嘴54吸附有电子元件E1时的斜度的变化点(第二次的上升点)处，波形平缓地变化，因此难以高精度地检测变化点。相对于此，在本实施方式中，根据读出的基准波形及通常波形来算出差分波形，对于差分波形，算出成为预定的阈值TH1之前的经过时间之差，由此能够排除上述变化点附近的波形的影响。而且，上述经过时间之差处于电子元件E1与吸嘴54之间的距离越小则越变小的倾向。因此，基于与算出的经过时间之差成为第一预定值以下时的一方的差分波形对应的电子元件E1和吸嘴54之间的距离能够决定吸附高度位置。

这样，在本实施方式中，着眼于由于吸嘴54的吸引而电子元件E1升起并吸附于吸嘴54时的负压的大小的时间变化的特性，由此对于各种电子元件E1，能够高精度地决定吸附高度位置。

另外，在本实施方式中，控制部70的决定处理部77在关于上述一方的差分波形的经过时间为第三预定值以下的情况下，决定吸附高度位置。在此，在S26的处理中算出的相邻的2个上述差分波形中，即使在由于电子元件E1与吸嘴54之间的距离的变化幅度而吸嘴54从电子元件E1分离的情况下，也是进而在经过时间为第三预定值以下时才决定吸附高度位置，因此能够防止尽管吸嘴54从电子元件E1分离但还决定吸附高度位置的情况。因此，能够更高精度地决定吸附高度位置。

另外，在本实施方式中，在控制部70连接有接受来自外部的输入的输入部79。并且，控制部70通过输入部79接受输入，来执行吸附高度位置检测处理。因此，通过输入部79接受来自作业者的输入，能够基于作业者的意图而开始吸附高度位置检测处理。

(实施方式1的变形例)

接下来，说明实施方式1的变形例。在该变形例中，在实施方式1说明的吸附高度位置检测处理中，等间隔地改变使吸嘴54下降的距离而多次执行观测各波形的处理。而且，在本变形例中，控制部70的决定处理部77不执行S34的处理，在S32中判断为经过时间之差为第一预定值以下时(S32：是)，向S36转移。即，控制部70的决定处理部77在S32中判断为经过时间之差为第一预定值以下时(S32：是)，对于与上述一方的差分波形对应的通常波形，将观测到该通常波形时的吸嘴54的高度位置决定为吸附高度位置。

若如本变形例那样多次执行等间隔地改变距离而观测波形的处理，则随着吸嘴54接近电子元件E1而上述经过时间之差变小。因此，在本变形例中，在上述经过时间之差成为第一预定值以下的情况下，即便没有为了决定吸附高度位置而另行设置条件(例如是否为上述第三预定值以下)，也能够高精度地决定吸附高度位置。因此，能够通过更简单的决定方法来决定吸附高度位置。

(实施方式2)

接下来，对于实施方式2的吸附高度位置检测处理，参照图10所示的流程图进行说明。在本实施方式的吸附高度位置检测处理中，控制部70的观测处理部76首先使吸嘴54下降至吸附电子元件E1的位置(S110)。在此所说的吸附电子元件E1的位置是例如图7(B)所示的位置。

接下来，控制部70的观测处理部76使吸嘴54对电子元件E1的吸引开始，在经过预定时间(例如几秒左右)之后结束吸引。而且，控制部70的观测处理部76在上述预定时间的期间观测由压力传感器60测定的负压的大小的时间变化(S112)，并将观测到的该时间变化作为波形而存储于存储部73(S114)。

在此，在S114的处理中存储于存储部73的时间变化的波形的一例在图11的坐标图中如波形W11所示。图11的横轴是时间轴，吸嘴54对电子元件E1的吸引开始的时刻、即通过控制部70使阀62成为开状态的时刻为0。图11的纵轴表示压力、即从压力传感器60作为电压值而输出的负压的大小，越靠坐标图的上侧则负压越大(吸引路56内的真空度越高)。

在吸附电子元件E1的位置存在吸嘴54的情况下，在吸嘴54的吸引开始之后，由于吸嘴54的吸引而电子元件E1从载置面升起，电子元件E1的上表面被吸附于吸嘴54的下端部。因此，图11所示的波形W11首先上升(最初的上升点TA0)，上升至与通过负压产生部64产生的负压的压力值P0相等之后，在从载置面升起的电子元件E1吸附于吸嘴54之前的期间表现为恒定值，在电子元件E1吸附于吸嘴54的时刻TA11再次上升(斜度的变化点，第二次的上升点)，在经过上述预定时间之前的期间，在图11的坐标图上一边描绘曲线一边朝向真空状态的压力值上升。

当S114的处理结束时，控制部70的观测处理部76判断未算出的经过时间之差是否能够算出(S116)。在此所说的经过时间之差在后述的处理中算出，基于后述的2个微分波形来算出。因此，在未算出经过时间之差的至少2个微分波形存储于存储部73的情况下，控制部70的观测处理部76判断为未算出的经过时间之差能够算出(S116：是)，向S120转移。另一方面，在未算出经过时间之差的至少2个微分波形未存储于存储部73的情况下，控制部70的观测处理部76判断为未算出的经过时间之差无法算出(S116：否)，向S118转移。

控制部70的观测处理部76在S118中，使吸嘴54的高度位置进一步下降，向S112返回。例如在吸嘴54处于图7(B)所示的位置的情况下，控制部70在S116中使吸嘴54的高度位置从图7(B)所示的位置向图7(C)所示的位置进一步下降。然后，控制部70的观测处理部76依次执行上述的S112、S114的处理，再次向S116转移。这样改变电子元件E1与吸嘴54之间的距离而多次执行S112至S116的处理。另外，控制部70的观测处理部76在S110中所执行的处理及在S112至S116中所执行的处理是观测处理的一例。

在吸嘴54的高度位置为图7(C)所示的位置时、为图7(D)所示的位置时、为图7(E)所示的位置时、为图7(F)所示的位置时，存储于存储部73的波形的一例在图11中分别由波形W12、W13、W14、W15表示。各波形W12、W13、W14、W15的变化的形态与在实施方式1中说明的通常波形W2、W3、W4、W5的变化的形态相同。另外，图11中的附图标记TA12、TA13、TA14、TA15表示各波形W12、W13、W14、W15的第二次的上升点。

对图10所示的流程图的接续进行说明。在S120中，控制部70的决定处理部77从存储部73读出存储于存储部73的各波形的数据(读出处理的一例)。接下来，控制部70的决定处理部77算出对多个波形分别进行了微分而得到的微分波形(S122，微分波形计算处理的一例)。在此，在图12的坐标图中，示出关于上述各波形W12、W13、W14、W15的各微分波形重合的情况。图12的横轴与图11的横轴相同。图12的纵轴表示压力的变化、即图11中的各波形W12、W13、W14、W15的倾斜的大小，越靠坐标图的上侧，则压力的变化越大。

因此，图12中的最初的峰值PK10对应于图11中的各波形W11、W12、W13、W14、W15的最初的上升点TA10，图12中的各峰值PK11、PK12、PK13、PK14、PK15是第二次的峰值，对应于图11中的各波形W11、W12、W13、W14、W15的第二次的上升点TA11、TA12、TA13、TA14、TA15。

接下来，控制部70的决定处理部77对于在S122中算出的微分波形，算出从开始吸引至产生了关于负压的大小的第二次峰值的时刻为止的经过时间(S124，经过时间计算处理的一例)。在S124的处理中算出的经过时间等于从吸嘴54对电子元件E1的吸引开始直至电子元件E1吸附于吸嘴54为止的时间。

另外，图12中的T11、T12、T13、T14、T15分别表示关于各微分波形的上述经过时间，对应于关于各微分波形而产生了第二次峰值PK11、PK12、PK13、PK14、PK15的时刻。这样根据微分波形来算出上述经过时间是因为，在进行微分之前的上述波形中，第二次的上升点平缓上升，因此难以高精度地检测第二次的上升点，相对于此，在微分波形中，第二次的上升点作为峰值而出现，因此能够高精度地检测第二次的上升点。

接下来，控制部70的决定处理部77对于在多个微分波形重合的情况下上述经过时间接近的2个微分波形(在图12中，第二次峰值接近的2个微分波形)，算出经过时间之差(S126，时间差计算处理的一例)。在图12的坐标图中，关于各微分波形的经过时间之差分别由T11-T12、T12-T13、T13-T14、T14-T15表示。

接下来，控制部70的决定处理部77判断在S126中算出的经过时间之差是否为第二预定值(S128)。该第二预定值是经过时间之差可看作充分小的值，基于评价试验而预先设定，例如为5毫秒。因此，在S126中算出的经过时间之差为第二预定值以下这样的情况是指算出该经过时间之差的2个经过时间大致相等的情况。控制部70的决定处理部77在S128中判断为经过时间之差为第二预定值时(S128：是)，向S130转移。控制部70的决定处理部77在S128中判断为经过时间之差不是第二预定值时(S128：否)，返回S118。

控制部70的决定处理部77在S130中，对于在S128中判断为经过时间之差为第二预定值以下的2个微分波形中的经过时间相对大的一方的微分波形，判断关于该微分波形的上述经过时间是否为第三预定值以下。该第三预定值与实施方式1中说明的情况相同。

控制部70的决定处理部77在S130中判断为经过时间为第三预定值以下时(S130：是)，对于与算出了第三预定值以下的经过时间的微分波形对应的波形，将观测到该波形时的吸嘴54的高度位置决定为吸附高度位置(S132)，结束吸附高度位置检测处理。控制部70的决定处理部77在S130中判断为经过时间不是第三预定值以下时(S130：否)，返回S118。另外，控制部70的决定处理部77在S120至S132中所执行的处理是决定处理的一例。

(实施方式2的效果)

如以上说明所述，在本实施方式中，观测负压的大小的时间变化作为波形，根据观测到的波形来算出微分波形。并且，对于算出的微分波形，算出上述经过时间之差。因此，能够排除电子元件E1吸附于吸嘴54时的变化点附近的波形的影响。此外，不是像实施方式1那样算出基准波形，而是算出上述微分波形，并算出直至产生了算出的微分波形的第二次峰值的时刻为止的经过时间。在此，如图12所示，产生了第二次峰值的时刻确定为一点，因此通过观察产生了第二次峰值的时刻，能够高精度地检测上述经过时间。并且，根据相邻的2个微分波形来算出经过时间之差，由此对于波形的观测，能够以较少的次数检测吸附高度位置。这样在本实施方式中，能够缩短吸附高度位置检测处理所需的时间。

(实施方式3)

接下来，对于实施方式3的吸附高度位置检测处理，参照图13所示的流程图进行说明。在本实施方式的吸附高度位置检测处理中，控制部70的观测处理部76首先依次执行图13所示的S210、S212、S214的处理。该S210、S212、S214的处理是与实施方式2中的S110、S112、S114(参照图10)的处理相同的处理，因此省略说明。

当S214的处理结束时，控制部70的观测处理部76判断是否能够算出近似函数(S216)。在此所说的近似函数在后述的处理中算出，基于至少3个波形来算出。因此，在至少3个波形存储于存储部73的情况下，控制部70的观测处理部76判断为能够算出近似函数(S216：是)，向S220转移。另一方面，在至少3个波形未存储于存储部73的情况下，控制部70的观测处理部76判断为无法算出近似函数(S216：否)，向S218转移。

控制部70的观测处理部76在S218中，使吸嘴54的高度位置进一步下降，返回S212。例如在吸嘴54处于图7(B)所示的位置时，控制部70的观测处理部76在S218中使吸嘴的高度位置从图7(B)所示的位置向图7(C)所示的位置进一步下降。然后，控制部70的观测处理部76依次执行上述的S212、S214的处理，再次向S216转移。另外，控制部70的观测处理部76在S210中所执行的处理及在S212至S216中所执行的处理是观测处理的一例。

图14所示的波形W21、W22、W23表示使吸嘴54的高度位置依次下降而观测了3次负压的大小的时间变化时的存储于存储部73的各波形的一例。各波形的变化的形态与在实施方式2中说明的波形W12、W13、W14、W15的变化的形态相同。另外，图11中的附图标记TA21、TA22、TA23表示各波形W21、W22、W23的第二次的上升点。

对图13所示的流程图的接续进行说明。控制部70的决定处理部77在判断为能够算出近似函数时，依次执行S220、S222、S224的处理，向S226转移。该S220、S222、S224的处理是与实施方式2中的S120、S122、S124(参照图10)的处理相同的处理，因此省略说明。另外，控制部70的决定处理部77在S220、S222、S224中所执行的处理分别是读出处理的一例、微分波形计算处理的一例、经过时间计算处理的一例。

在此，在图15的坐标图中，示出根据图14所示的各波形W21、W22、W23而算出的各微分波形重合的情况。图15的横轴及纵轴与图12的横轴及纵轴相同。图15中的最初的峰值PK20对应于图14中的各波形W21、W22、W23的最初的上升点TA20，图15中的各峰值PK21、PK22、PK23是第二次峰值，对应于图14中的各波形W21、W22、W23的第二次的上升点TA21、TA22、TA23。而且，图15的T21、T22、T23分别表示在S224的处理中根据上述的各微分波形而算出的经过时间，对应于关于各微分波形而产生了第二次峰值PK21、PK22、PK23的时刻。

接下来，控制部70的决定处理部77在S226中，根据在S224的处理中算出的各经过时间和观测到与算出各经过时间的各微分波形对应的各波形时的吸嘴54的高度位置，来算出近似函数(函数计算处理的一例)。在此，图16的坐标图中，横轴表示上述高度位置，坐标图的纵轴表示上述经过时间、即从吸嘴54对电子元件E1的吸引开始直至电子元件E1吸附于吸嘴54为止的时间。

另外，图16所示的曲线W20是在S226的处理中算出的近似函数的一例，如下算出。即，控制部70的决定处理部77在图16所示的坐标图上，检测对应于上述的3个经过时间T21、T22、T23和与算出这3个经过时间T21、T22、T23的3个微分波形对应的3个吸嘴54的高度位置的3点P21、P22、P23，将根据这3点P21、P22、P23而算出的指数近似式作为上述近似函数。

接下来，控制部70的决定处理部77对于在S226中算出的近似函数，基于上述经过时间成为预定的阈值时的吸嘴54的高度位置来决定吸附高度位置(S228)，结束吸附高度位置检测处理。在图16所示的例子中，上述阈值由TH2表示。该阈值TH2预先设定为0附近的值。在图16所示的例子中，在曲线W20上，将与阈值TH2对应的高度位置H1决定为吸嘴54的吸附高度位置。另外，控制部70的决定处理部77在S220至S228中所执行的处理是决定处理的一例。

(实施方式3的效果)

如以上说明所述，在本实施方式中，控制部70的决定处理部77根据上述经过时间和与算出上述经过时间的微分波形对应的距离来算出近似函数，根据算出的近似函数来决定吸附高度位置。该近似函数如图16所示可以通过进行至少3次波形的观测来算出。因此，对于波形的观测，能够以更少的次数检测吸附高度位置，能够进一步缩短吸附高度位置检测处理所需的时间。

(实施方式4)

接下来，说明实施方式4的吸附高度位置检测处理。在实施方式4、实施方式5、实施方式6中，如图17所示，在用于使吸嘴54产生负压的结构中，取代压力传感器60(参照图3)而设置流量传感器(测定部的一例)360。关于表面安装机1的其他的结构，与实施方式1相同。流量传感器360将在吸嘴54附近的吸引路56内流动的吸气的流量作为流量值向控制部70输出。当吸引路56内的负压变大时，吸引路56内的真空度升高，在吸引路56内流动的吸气的流量减少，因此通过这样测定吸引路56内的流量，能够间接地测定吸引路56内的负压的大小。

在本实施方式中，控制部70的观测处理部76及决定处理部77取代压力传感器60而使用流量传感器360来执行与实施方式1中说明的吸附高度位置检测处理相同的处理。在此，图18的坐标图是与实施方式1的图8的坐标图对应的坐标图。图18的横轴是时间轴，吸嘴54对电子元件E1的吸引开始的时刻、即通过控制部70使阀62为开状态的时刻为0。图18的纵轴表示从流量传感器360输出的流量值，越靠坐标图的下侧，则流量越少，即负压越大(吸引路56内的真空度越高)。

图18所示的波形W30是与图8所示的基准波形W0对应的基准波形，图18所示的波形W31、W32、W33、W35分别是与图8所示的通常波形W1、W2、W3、W5对应的通常波形。即，基准波形W30是在吸嘴54的高度位置处于图7(A)的位置时通过S12的处理(参照图6)观测的波形，通常波形W31、W32、W33、W35分别是在吸嘴54的高度位置处于图7(B)、图7(C)、图7(D)、图7(F)的位置时通过S18的处理(参照图6)观测的波形。

如图18的基准波形W30所示，在本实施方式中通过S12的处理测定的流量在吸嘴54的吸引开始的同时较大地上升，在流量暂时成为最大流量之后，平缓地下降至流量与通过负压产生部64产生的负压的流量相等为止并稳定，流量变得恒定。另一方面，基准波形W31在开始吸引而流量成为最大流量之后，在从载置面升起的电子元件E1吸附于吸嘴54之前的期间，一边平缓地下降一边接近于通过负压产生部64产生的负压的流量。并且，基准波形W31在电子元件E1吸附于吸嘴54的时刻TA1再次较大地下降(第二次的下降点)，在经过上述预定时间之前的期间，在图8的坐标图上以一边描绘曲线一边收敛成真空状态下的流量值的方式下降。

图19的坐标图是与实施方式1的图9的坐标图对应的坐标图。图19的横轴与图18的横轴相同。图19的纵轴表示流量的差分，越靠坐标图的下侧，则与基准波形W30的流量的差分越大。图19所示的波形D31、D32、D33、D35分别是与图9所示的差分波形D1、D2、D3、D5对应的通常波形。而且，图19所示的TH3是与图9所示的预定的阈值对应的阈值，图19所示的时间T31、T32、T33、T35分别是与图9所示的经过时间T1、T2、T3、T5对应的经过时间。

因此，在本实施方式中，如下检测吸附高度位置。即，在经过时间T31、T32、T33、T35之差为上述第一预定值以下且经过时间T31、T32、T33、T35之差为第一预定值以下的2个差分波形中的一方的差分波形的经过时间为上述第三预定值以下的情况下，将观测到与算出该经过时间的差分波形对应的通常波形时的吸嘴54的高度位置决定为吸附高度位置。

(实施方式4的效果)

如以上说明所述，在本实施方式中，即使在通过测定流量而间接地测定负压的大小的情况下，也能够观测负压的大小的时间变化作为基准波形及通常波形，根据基准波形及通常波形能够算出差分波形。因此，取代压力传感器60而使用流量传感器360，并且关于各种电子元件E1能够高精度地决定吸附高度位置。

(实施方式5)

接下来，说明实施方式5的吸附高度位置检测处理。在本实施方式中，控制部70的观测处理部76及决定处理部77取代压力传感器60而使用流量传感器360，来执行与实施方式2中说明的吸附高度位置检测处理相同的处理。在此，图20、图21的坐标图是与实施方式2中的图11、图12的坐标图对应的坐标图。

图20所示的波形W41、W42、W43、W45分别是与图11所示的波形W11、W12、W13、W15对应的波形。而且，图20中的TA41、TA42、TA43、TA45分别表示各波形W41、W42、W43、W45的第二次的下降点。而且，图21中的各峰值PK41、PK42、PK43、PK45表示根据各波形W41、W42、W43、W45而算出的关于各微分波形的第二次峰值。而且，图21中的T41、T42、T43、T45表示关于各微分波形的上述经过时间，对应于关于各微分波形的产生了第二次峰值PK41、PK42、PK43、PK45的时刻。

因此，在本实施方式中，如下检测吸附高度位置。即，在经过时间T41、T42、T43、T45之差为上述第二预定值以下且经过时间T41、T42、T43、T45之差为第二预定值以下的2个微分波形中的一方的微分波形的经过时间为上述第三预定值以下的情况下，将观测到与算出该经过时间的微分波形对应的波形时的吸嘴54的高度位置决定为吸附高度位置。

(实施方式5的效果)

如以上说明所述，在本实施方式中，即使在通过测定流量而间接地测定负压的大小的情况下，也能够观测负压的大小的时间变化作为波形，根据观测到的波形能够算出微分波形。因此，取代压力传感器60而使用流量传感器360，并能够高精度地决定吸附高度位置，而且，能够缩短吸附高度位置检测处理所需的时间。

(实施方式6)

接下来，说明实施方式6的吸附高度位置检测处理。在本实施方式中，控制部70的观测处理部76及决定处理部77取代压力传感器60而使用流量传感器360来执行与实施方式3中说明的吸附高度位置检测处理同样的处理。在此，图22、图23、图24的坐标图是与实施方式3中的图14、图15、图16的坐标图对应的坐标图。另外，在图24中，横轴和纵轴与图16的情况相反。

图22所示的波形W51、W52、W53分别是与图14所示的波形W21、W22、W23对应的波形。而且，图20中的TA51、TA52、TA53分别表示各波形W51、W52、W53的第二次的下降点。而且，图23中的各峰值PK51、PK52、PK53表示根据各波形W51、W52、W53而算出的关于各微分波形的第二次峰值。而且，图23中的T51、T52、T53表示关于各微分波形的上述经过时间，对应于产生了关于各微分波形的第二次峰值PK51、PK52、PK53的时刻。

图24所示的直线L50是在S226的处理中算出的近似函数的一例，如下算出。即，控制部70的决定处理部77在图24所示的坐标图上，检测对应于上述的3个经过时间T51、T52、T53和与算出这3个经过时间T51、T52、T53的3个微分波形对应的3个吸嘴54的高度位置的3点P51、P52、P53，将根据这3点P21、P22、P23使用最小平方法算出的直线近似式作为上述近似函数。而且，在图24中，关于上述经过时间的预定的阈值由TH4表示。因此，在本实施方式中，如下检测吸附高度位置。即，在图24所示的近似函数(直线L50)上，将与阈值TH4对应的高度位置H2决定为吸附高度位置。

(实施方式6的效果)

如以上说明所述，在本实施方式中，即使在通过测定流量而间接地测定负压的大小的情况下，也能够观测负压的大小的时间变化作为波形，根据观测到的波形而算出微分波形，而且基于微分波形能够算出近似函数。因此，取代压力传感器60而使用流量传感器360，并能够高精度地决定吸附高度位置，而且，能够进一步缩短吸附高度位置检测处理所需的时间。

(实施方式7)

接下来，对于实施方式7的吸附高度位置检测处理，参照图25所示的流程图进行说明。本实施方式的吸附高度位置检测处理的一部分与实施方式1不同。在本实施方式的吸附高度位置检测处理中，控制部70的观测处理部76首先依次执行图25所示的S10、S12、S14、S16、S18、S20的处理。这些处理是与实施方式1中的S10、S12、S14、S16、S18、S20(参照图6)的处理相同的处理，因此省略说明。

当S214的处理结束时，控制部70的观测处理部76不执行与图6所示的S22对应的处理，向S24转移。然后，控制部70的决定处理部77依次执行图25所示的S24、S26、S28的处理。上述的处理是与实施方式1中的S24、S26、S28(参照图6)的处理相同的处理，因此省略说明。

控制部70的决定处理部77当执行了S28的处理时，不执行与图6所示的S30、S32对应的处理而向S334转移。控制部70的决定处理部77在S334中，判断在S28中算出的经过时间是否为第三预定值以下。该第三预定值与实施方式1中说明的情况相同，按照各表面安装机1基于评价试验而预先设定。

控制部70的决定处理部77在S334中判断为经过时间为第三预定值以下时(S334：是)，对于与算出第三预定值以下的经过时间的差分波形对应的通常波形，将观测到该通常波形时的吸嘴54的高度位置决定为吸附高度位置(S36)，结束吸附高度位置检测处理。控制部70的决定处理部77在S334中判断为经过时间不是第三预定值以下时(S334：否)，返回S16。

(实施方式7的效果)

如以上说明所述，本实施方式在吸附高度位置检测处理中，不执行使用了第一预定值的判断，仅通过使用了第三预定值的判断来决定吸附高度位置，在这一点上与实施方式1不同。例如，在S28中算出的经过时间充分小的情况下，即使不算出实施方式1中的“经过时间之差”，也能够看作吸嘴54接近于电子元件E1，仅通过使用了第三预定值的判断能够决定吸附高度位置。这样在本实施方式中，与实施方式1相比，能够通过简单的决定方法来决定吸附高度位置。

(其他的实施方式)

本说明书中公开的技术没有限定为通过上述已述及附图而说明的各实施方式，例如下面的实施方式也包含在技术范围中。

(1)在上述的各实施方式中，例示了吸嘴上下升降的结构，但是也可以是吸嘴沿上下方向固定且载置电子元件的载置面上下升降的结构。在这种情况下，通过改变载置面的高度位置而能够改变电子元件与吸嘴之间的距离，在吸附高度位置决定处理中，关于各电子元件能够检测最佳的载置面的高度位置。

(2)在上述的各实施方式中，例示了块状的电子元件作为电子元件的一例，但是电子元件的形状、尺寸等不受限定。电子元件可以是具有凹部或凸部的结构。而且，由吸嘴吸附的电子元件的部位没有限定为电子元件的上表面，可以将吸嘴的前端部密闭的部位作为吸附部位。例如在作为吸附对象的元件为具有透镜的元件的情况下，可以将避开透镜部分的部位作为吸附部位。而且，吸嘴吸附的元件没有限定为电子元件。

(3)在上述的各实施方式中，示出了在自动运转过程中的搬运状态下执行吸附高度位置的检测的例子、或者在自动运转的停止过程中通过输入部从外部接受到用于使吸附高度位置的检测开始的输入而执行吸附高度位置的检测的例子，但是没有限定于此。例如，可以在自动运转的停止过程中，在更换供料器型供给装置的各供料器时执行吸附高度位置的检测。

(4)在上述的各实施方式中，例示了供料器型供给装置作为元件供给装置的一例，但是没有限定于此。例如可以是在托盘上载置有多个电子元件的托盘型的元件供给装置。

(5)在上述的各实施方式中，例示了压力传感器及流量传感器作为测定部的一例，但只要是能够直接或间接地测定吸附部中的负压的大小即可，没有限定为压力传感器及流量传感器。

(6)除了上述的各实施方式以外，关于表面安装机的结构，也可以适当变更。

(7)在上述的实施方式7中，示出了在实施方式1的吸附高度位置检测处理中不执行使用了第一预定值的判断而仅通过使用了第三预定值的判断来决定吸附高度位置的例子，但是在实施方式2的吸附高度位置检测处理中，也可以不执行使用了第二预定值的判断而仅通过使用了第三预定值的判断来决定吸附高度位置。

以上，详细地说明了各实施方式，但是它们只不过是例示，没有对权利要求书进行限定。权利要求书记载的技术包括对以上例示的具体例进行了各种变形、变更的情况。

附图标记说明

1…表面安装机

10…基台

20…搬运输送器(基板搬运装置)

30…元件安装装置

32…头单元

38X…X轴伺服电动机

38Y…Y轴伺服电动机

38Z…Z轴伺服电动机(升降部)

38R…R轴伺服电动机

40…供料器型供给装置(元件供给装置)

42…供料器

52…安装头

54…吸嘴(吸附部)

56…吸引路

60…压力传感器(测定部)

62…阀

64…负压产生部

70…控制部

73…存储部

76…观测处理部

77…决定处理部

79…输入部

360…流量传感器(测定部)

C1…基板识别相机

C2…元件识别相机

D1～D5、D31～D35…差分波形

DS1～DS5…(电子元件与吸嘴之间的)距离

E1…电子元件

P1…印刷基板

PK21～23、PK41～43、PK51～53…第二次峰值

T1～T5、T11～T15、T21～T23、T31～T35、T41～T45、T51～T53…经过时间

TH1、TH2、TH3、TH4…阈值

W0、W30…基准波形

W1～W5、W31～W35…通常波形

W20、L50…近似函数

Claims (16)

1.一种元件安装装置，具备通过利用负压从元件的上方吸引元件而吸附该元件的吸附部，并将由所述吸附部吸附的所述元件安装于基板，

所述元件安装装置具备：

测定部，测定所述吸附部中的所述负压的大小；及

控制部，控制所述吸附部和所述测定部，

所述控制部具有：

执行观测处理的观测处理部，该观测处理是通过所述吸附部吸引所述元件并观测在从开始吸引该元件至结束吸引为止的期间由所述测定部测定的所述负压的大小的时间变化的处理；及

执行决定处理的决定处理部，该决定处理是基于所述观测处理中观测到的所述负压的大小的时间变化来决定为了将所述元件安装于所述基板而通过所述吸附部吸附该元件时的吸附高度位置的处理，

所述观测处理部改变开始吸引所述元件时的该元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述观测处理。

2.根据权利要求1所述的元件安装装置，其中，

所述元件安装装置具备存储部，

所述观测处理部在所述观测处理中，从通过所述吸附部开始吸引所述元件起经过了预定时间之后结束吸引，并且将在所述预定时间的期间观测到的所述负压的大小的时间变化作为波形而存储于所述存储部，

所述决定处理部在所述决定处理中，基于与存储于所述存储部的多个所述波形中的一个波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

3.根据权利要求2所述的元件安装装置，其中，

所述观测处理部在多次执行的所述观测处理中的一次观测处理中，将所述距离设为在所述预定时间的期间所述元件未吸附于所述吸附部的距离而执行，并将所述波形作为基准波形而存储于所述存储部，在其他次观测处理中，将所述波形作为通常波形而存储于所述存储部，

所述决定处理部在所述决定处理中，执行：

读出处理，从所述存储部读出所述基准波形和所述通常波形；

差分波形计算处理，对于所述通常波形，算出取所述通常波形与所述基准波形的差分的波形作为差分波形；及

经过时间计算处理，对于所述差分波形，算出从开始所述吸引至所述负压的大小的差分成为预定的阈值为止的经过时间，

所述决定处理部基于与所述经过时间被算出的所述差分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

4.根据权利要求3所述的元件安装装置，其中，

所述决定处理部在所述决定处理中，执行：对于在使多个所述差分波形重合的情况下相邻的两个所述差分波形算出所述经过时间之差的时间差计算处理，

所述决定处理部基于与所述经过时间之差成为第一预定值以下的两个所述差分波形中的所述经过时间大的一方的差分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

5.根据权利要求2所述的元件安装装置，其中，

所述决定处理部在所述决定处理中，执行：

读出处理，从所述存储部读出多个所述波形；

微分波形计算处理，算出对所述波形进行微分而得到的微分波形；及

经过时间计算处理，对于所述微分波形，算出从开始所述吸引至产生了关于所述负压的大小的第二次峰值的时刻为止的经过时间，

所述决定处理部基于与所述经过时间被算出的所述微分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

6.根据权利要求5所述的元件安装装置，其中，

所述决定处理部在所述决定处理中，执行：对于在使多个所述微分波形重合的情况下所述经过时间接近的两个所述微分波形算出所述经过时间之差的时间差计算处理，

所述决定处理部基于与所述经过时间之差成为第二预定值以下的两个所述微分波形中的所述经过时间大的一方的微分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

7.根据权利要求4所述的元件安装装置，其中，

所述决定处理部在所述决定处理中，在关于所述一方的差分波形的所述经过时间为第三预定值以下的情况下决定所述吸附高度位置。

8.根据权利要求6所述的元件安装装置，其中，

所述决定处理部在所述决定处理中，在关于所述一方的微分波形的所述经过时间为第三预定值以下的情况下决定所述吸附高度位置。

9.根据权利要求4所述的元件安装装置，其中，

所述观测处理部等间隔地改变所述元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述观测处理。

10.根据权利要求6所述的元件安装装置，其中，

所述观测处理部等间隔地改变所述元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述观测处理。

11.根据权利要求2所述的元件安装装置，其中，

所述决定处理部在所述决定处理中，执行：

读出处理，从所述存储部读出多个所述波形；

微分波形计算处理，算出对所述波形进行微分而得到的微分波形；

经过时间计算处理，对于所述微分波形，算出从开始所述吸引至产生了关于所述负压的大小的第二次峰值的时刻为止的经过时间；及

函数计算处理，根据所述经过时间及与该经过时间被算出的所述微分波形对应的所述元件和所述吸附部之间的距离，算出近似函数，

所述决定处理部在所述近似函数中，基于所述经过时间成为预定的阈值时的所述元件与所述吸附部之间的距离来决定所述吸附高度位置。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的元件安装装置，其中，

所述元件安装装置具备接受来自外部的输入的输入部，

所述观测处理部及所述决定处理部通过所述输入部接受输入来执行所述观测处理及所述决定处理。

13.根据权利要求1～11中任一项所述的元件安装装置，其中，

所述元件安装装置具备使所述吸附部上下升降的升降部，

所述观测处理部通过控制所述升降部来改变开始吸引所述元件时的所述吸附部的高度而多次执行所述观测处理。

14.根据权利要求12所述的元件安装装置，其中，

所述元件安装装置具备使所述吸附部上下升降的升降部，

所述观测处理部通过控制所述升降部来改变开始吸引所述元件时的所述吸附部的高度而多次执行所述观测处理。

15.一种表面安装机，具备：

权利要求1～14中任一项所述的元件安装装置；

元件供给装置，向所述元件安装装置供给所述元件；及

基板搬运装置，沿搬运方向搬运所述基板。

16.一种吸附高度位置的决定方法，在具备吸附部和测定部并将由所述吸附部吸附的元件安装于基板的元件安装装置中，决定为了将所述元件安装于所述基板而利用所述吸附部吸附该元件时的吸附高度位置，所述吸附部通过利用负压从元件的上方吸引元件而吸附该元件，所述测定部测定所述吸附部中的所述负压的大小，

所述吸附高度位置的决定方法具备：

观测工序，通过所述吸附部吸引所述元件，并观测在从开始吸引该元件至结束吸引为止的期间由所述测定部测定的所述负压的大小的时间变化；及

决定工序，决定所述吸附高度位置，

在所述观测工序中，改变开始吸引所述元件时的该元件与所述吸附部之间的距离而多次执行所述负压的大小的时间变化的观测，

在所述决定工序中，基于所述观测工序中观测到的所述负压的大小的时间变化来决定所述吸附高度位置。