JP2003133786A - 高周波集積回路搭載装置およびこれを用いた電子回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波集積回路搭載装置において、多層基板
とシールドケースとの接合をはんだ付けのみによって強
固に行えて接合作業の効率化を図ることができる高周波
集積回路搭載装置およびこれを用いた電子回路装置を提
供する。 【解決手段】４層のセラミック基板１１〜１４が積層さ
れてなる多層基板１と、この多層基板の上層基板１４側
面を覆う金属製のシールドケース２とを備えた高周波集
積回路搭載装置Ｘを前提とする。シールドケースの側面
中央に、先側片２５ａが外方に向かって折曲するように
略Ｌ字状に成形されたＬ型成形部２５を設け、このＬ型
成形部の先側片上に、略半球状に突出する凸部２６を設
けるとともに、その凸部の頂部に開口する孔２６ａを開
設させる。そして、シールドケースを、Ｌ型成形部の孔
より凸部内に導入されたはんだによって多層基板の上層
基板側面に接合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
無線システムに適用される高周波集積回路搭載装置、お
よびこれを用いた電子回路装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】主として、携帯電話などの移動体通信機
器に用いられる高周波集積回路搭載装置では、放熱性、
高周波帯域における誘電体損失、配線パターンの印刷精
度などを配慮してセラミック基板が用いられることが多
い。セラミック基板は、小型化のため、通常、積層され
て使用される。セラミック基板の積層体の表面および内
部には、高周波用の半導体素子、抵抗、コンデンサ、コ
イルなどの電子部品が搭載され、これら電子部品を電気
的に接続する配線パターンおよび高周波伝送線路（スト
リップライン）も形成されている。また、外部への不要
な輻射や外部からの雑音による不安定動作を実現するた
めに、一般に、金属製キャップがシールドケースとして
用いられる。

【０００３】従来の高周波集積搭載回路装置の一例を図
１０〜図１２を参照して説明する。図１０に示した高周
波集積回路搭載装置では、多層基板１０２を上方から金
属キャップ１０１（シールドケース）が覆っている。多
層基板１０２は、この例では４層のセラミック基板１２
３，１２４，１２５，１２６が積層されて構成されてお
り、相対する一対の側面には端面電極を設けるための切
り欠き部１３１が形成されている。多層基板１０２のも
う一対の側面には、金属キャップ１０１の爪部１１６を
収容するための切り欠き部１３６が形成されている。図
１０のＡ−Ａ線断面図である図１１に示すように、爪部
１１６は多層基板１０２の端面グランド電極１２８と接
触した状態で多層基板１０２を挟み込んでいる。なお、
図１１には、図１０のＢ−Ｂ断面における主要部も破線
で示す（以下、同様の表示方法を採用する）。

【０００４】この高周波集積回路搭載装置は、機器基板
１０３に実装される際は、図１２に示すように、端面グ
ランド電極１２８が、電子回路装置の機器基板１０３の
グランド配線（グランドパターン）１２９に接続するよ
うにはんだ付けされる。このはんだ付けにより、金属キ
ャップ１０１もはんだ１０４を介してグランドパターン
１２９に接続される。端面グランド電極１２８は、多層
基板１０２に設けられた、図示を省略する回路配線パタ
ーンのグランド配線に接続している。

【０００５】この高周波集積回路搭載装置では、多層基
板１０２を保持する力が爪部１１６を構成する金属板の
復元力（ばね力）のみに依存している。この力は、製造
工程における搬送中や出荷後の輸送中における振動や衝
撃を考慮すると十分ではない。そのため、金属キャップ
１０１の側面の一部を後退させて形成した凹部１１５を
はんだしろとして利用し、この凹部１１５と多層基板１
０２上のパターンとのはんだ付けが行われるようにして
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
高周波集積回路搭載装置では、多層基板１０２上にシー
ルドケース（金属キャップ１０１）を接合する際に、シ
ールドケースの爪部１１６と多層基板１０２側面の切り
欠き部１３６との嵌め込みと、シールドケース側面の凹
部１１５と多層基板１０２上のパターンとのはんだ付け
とが必要となり、作業工数が増えて、接合作業の効率化
を図れない。

【０００７】しかも、シールドケースの爪部１１６と多
層基板１０２の切り欠き部１３６との嵌め込みを行う場
合、両者の寸法精度を十分に検討する必要があり、シー
ルドケースの爪部１１６を多層基板１０２の切り欠き部
１３６に対し容易に嵌め込めるように両者間の寸法精度
に裕度を持たせると、爪部１１６を切り欠き部１３６に
嵌め込んだ際にガタ（遊び）が発生する。一方、シール
ドケースの爪部１１６と多層基板１０２の切り欠き部１
３６との間の寸法精度に裕度をなくすと、爪部１１６を
切り欠き部１３６に嵌め込み難くなって取付難度が増
す。

【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、多層基板とシールド
ケースとの接合をはんだ付けのみによって、ガタの発生
や取付難度を生じさせることなく強固に行えて接合作業
の効率化を図ることができる高周波集積回路搭載装置お
よびこれを用いた電子回路装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明が講じた解決手段は、下層基板および上層基
板を含む多層基板と、この多層基板の上層基板側面を覆
う金属製のシールドケースとを備えた高周波集積回路搭
載装置を前提とする。そして、上記シールドケースの側
面に、先側片が外方に向かって折曲するように略Ｌ字状
に成形されたＬ型成形部を設け、このＬ型成形部の先側
片上に、略半球状に突出する凸部を設けるとともに、そ
の凸部の頂部に開口する孔を開設させる。さらに、上記
シールドケースを、Ｌ型成形部の孔より凸部内に導入さ
れたはんだによって多層基板の上層基板側面に接合させ
ている。

【００１０】この特定事項により、Ｌ型成形部の孔より
凸部内に導入されたはんだは、凸部内で多層基板の上層
基板側面を満たして高さ方向（多層基板の反上層基板
側）にも及んで、多層基板とＬ型成形部とが三次元的に
はんだ付けされることになり、多層基板とシールドケー
スとの接合をはんだ付けのみによって強固に行え、多層
基板とシールドケースとを爪部と切り欠き部との嵌め込
みにより接合するもののように両者間にガタの発生や取
付難度を生じさせることがなくなって非常に取付易いも
のとなり、多層基板とシールドケースとの接合作業の効
率化を図ることが可能となる。しかも、はんだがＬ型成
形部の孔より凸部内に導入されることにより、孔から気
化ガスおよびその圧が円滑に逃がされ、この気化ガスお
よび圧によるＬ型成形部の浮きを抑制することが可能と
なる。また、はんだは凸部内に閉ざされるので、シール
ドケース外（Ｌ型成形部の先側片）に不要に漏れ出すこ
とがなく、他のパターンとの短絡といった不具合も確実
に防止することが可能となる。

【００１１】特に、この他、Ｌ型成形部の先側片に工夫
を講じたもののとしては、以下の構成が掲げられる。

【００１２】つまり、高周波集積回路搭載装置におい
て、シールドケースの側面に、先側片が外方に向かって
折曲するように略Ｌ字状に成形されたＬ型成形部を設
け、このＬ型成形部の先側片上に、内外方向に山が連な
るように山形に突出する凸部を設けておき、上記シール
ドケースを、Ｌ型成形部の凸部の外側部分より凸部内に
導入されたはんだによって多層基板の上層基板側面に接
合させている。

【００１３】この特定事項により、Ｌ型成形部の凸部の
外側部分より凸部内に導入されたはんだは、凸部内で高
さを確保しつつ凸部の内側部分に向かって充填され、多
層基板とＬ型成形部とが三次元的にはんだ付けされるこ
とになり、多層基板とシールドケースとの接合をはんだ
付けのみによって強固に行える上、爪部と切り欠き部と
の嵌め込みによる多層基板とシールドケースとの接合を
廃止して両者間にガタの発生や取付難度を生じさせずに
非常に取付易いものとなる。このため、多層基板とシー
ルドケースとの接合作業の効率化を図ることが可能とな
るのはもちろんのこと、気化ガスおよびその圧を凸部内
から円滑に逃がしてＬ型成形部の浮きを抑制することが
可能となる。

【００１４】また、高周波集積回路搭載装置において、
シールドケースの側面に、先側片が外方に向かって折曲
するように略Ｌ字状に成形された外折れＬ型成形部を設
け、この外折れＬ型成形部の先側片に、その中央部にお
いて内外方向に所定間隔隔ててそれぞれ折り返した一対
の折返し部を設けておき、上記シールドケースを、外折
れＬ型成形部の一対の折返し部間に導入されたはんだに
よって多層基板の上層基板側面に接合させている場合に
は、外折れＬ型成形部の一対の折返し部間に導入された
はんだは、折返し部間で高さを確保しつつ折返し部間で
内外方向に充填され、多層基板と外折れＬ型成形部とが
三次元的にはんだ付けされることになり、多層基板とシ
ールドケースとの接合をはんだ付けのみによって強固に
行える上、爪部と切り欠き部との嵌め込みによる多層基
板とシールドケースとの接合を廃止して両者間にガタの
発生や取付難度を生じさせずに非常に取付易いものとな
る。このため、同様に接合作業の効率化を図ることが可
能となるのはもちろんのこと、気化ガスおよびその圧を
折返し部間から円滑に逃がして外折れＬ型成形部の浮き
を抑制することが可能となる。

【００１５】ここで、一対の折返し部を、その折返し部
間に導入されるはんだの導入量が調整可能となるよう
に、外折れＬ型成形部の先側片に対する折返し角度を設
定している場合には、折返し角度を変更するのみではん
だ量が調整されて、はんだ強度を調整または制限するこ
とが可能となる。

【００１６】更に、高周波集積回路搭載装置を機器基板
上に搭載してなる電子回路装置に適用するものとして、
以下の構成が掲げられる。

【００１７】つまり、シールドケースの側面に、先側片
が内方に向かって折曲するように略Ｌ字状に成形された
内折れＬ型成形部を設け、この内折れＬ型成形部の先側
片を、機器基板上に対し鋭角な隙間を存するように折り
曲げておく。さらに、上記シールドケースを、内折れＬ
型成形部の先側片と機器基板との間の隙間に導入された
はんだによって機器基板に接合させている。

【００１８】この特定事項により、内折れＬ型成形部の
先側片と機器基板との間の鋭角な隙間に導入されたはん
だは、先側片の鋭角な折曲面に沿って隙間内を高さ方向
にも充填され、機器基板と内折れＬ型成形部とが三次元
的にはんだ付けされることになり、機器基板とシールド
ケースとの接合をはんだ付けのみによって強固に行え
る。このため、機器基板とシールドケースとの接合作業
の効率化を図ることが可能となる。

【００１９】しかも、内折れＬ型成形部を採用すること
で、シールドケースの外側に面積負担を与えることなく
機器基板上における周辺回路に対し省スペースでシール
ドケースを面実装することが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波集積回路搭
載装置および電子回路装置の好ましい形態を図面を参照
しつつ説明する。

【００２１】＜第１の実施の形態＞図１および図２は、
本発明の高周波集積回路搭載装置の一形態の斜視図であ
る。

【００２２】図１および図２において、１は多層基板で
あって、この多層基板１は、下層基板１１および上層基
板１４の間に２層の中間層基板１２，１３を含む４層の
セラミック基板１１，１２，１３，１４が積層されてな
るセラミック多層基板である。多層基板１の一対の側面
１１，１２には、セラミック基板１１，１２，１３，１
４に跨って切り欠いた端面電極１５，…が形成されてい
る。

【００２３】多層基板１（セラミック基板１１，１２，
１３，１４）の表面および内部には、従来例と同様に、
高周波用の半導体素子、抵抗、コンデンサ、コイルなど
の電子部品が搭載され、これら電子部品を電気的に接続
するための配線パターンおよび高周波伝送線路（ストリ
ップライン）が形成されている。このように、多層基板
１には、高周波集積回路が搭載されている。

【００２４】また、図中２は金属製のシールドケースで
あって、このシールドケース２は、上面側から見て（平
面視で）略矩形をなし、その上面２１の四辺からは、上
記多層基板１側（下方）へと折り込まれてそれぞれ対を
なす側面２２，２２と２３，２３とが設けられている。

【００２５】上記シールドケース２は、多層基板１の上
層基板１４側面を上方から覆うように取り付けられ、多
層基板１とで高周波集積回路搭載装置Ｘを構成してい
る。この高周波集積搭載回路装置Ｘは、多層基板１の側
面１１，１２の端面電極１５，…が図示を省略する電子
回路装置の機器基板のグランド配線（グランドパター
ン）に接続されるように、はんだ４付けにより実装され
ている。このはんだ４付けによって、シールドケース２
もはんだ４を介してグランドパターンに接続される。こ
の場合、多層基板１の端面電極１５，…は、多層基板１
に設けられた、図示を省略する回路配線パターンのグラ
ンド配線に接続されている。

【００２６】そして、本発明の特徴部分として、上記シ
ールドケース２の一対の側面２２，２２の中央部には、
先側片２５ａが外方に向かって折曲するように略Ｌ字状
に成形されたＬ型成形部２５が設けられている。上記Ｌ
型成形部２５の先側片２５ａ上には、略半球状に突出す
る凸部２６が設けられているとともに、その凸部２６の
頂部に開口する孔２６ａが開設されている。そして、上
記シールドケース２は、Ｌ型成形部２５の孔２６ａより
凸部２６内に導入されたはんだ４によって多層基板１の
上層基板１４側面に接合されている。

【００２７】従って、本実施形態では、Ｌ型成形部２５
の孔２６ａより凸部２６内に導入されたはんだ４は、凸
部２６内で多層基板１の上層基板１４側面を満たして高
さ方向（多層基板１の反上層基板１４側）にも及んで、
多層基板１とＬ型成形部２５とが三次元的にはんだ４付
けされることになり、多層基板１とシールドケース２と
の接合をはんだ４付けのみによって強固に行える上、多
層基板とシールドケースとを爪部と切り欠き部との嵌め
込みにより接合するもののように両者間にガタの発生や
取付難度を生じさせることがなくなって非常に取付易い
ものとなり、多層基板１とシールドケース２と接合作業
の効率化を図ることができる。

【００２８】しかも、はんだ４がＬ型成形部２５の孔２
６ａより凸部２６内に導入されることにより、孔２６ａ
から気化ガスおよびその圧が円滑に逃がされ、この気化
ガスおよび圧によるＬ型成形部２５の浮きを抑制するこ
とができる。

【００２９】また、はんだ４は凸部２６内に閉ざされる
ので、シールドケース２外（Ｌ型成形部２５の先側片２
５ａ）に不要に漏れ出すことがなく、他のパターンとの
短絡といった不具合も確実に防止することができる。

【００３０】＜第２の実施の形態＞次に、本発明の第２
の実施形態を図３および図４に基づいて説明する。

【００３１】この実施形態では、Ｌ型成形部の先側片の
構成を変更している。なお、Ｌ型成形部の先側片を除く
その他の構成は、上記第１の実施形態と同じであり、同
一部分については同じ符号を付してその詳細な説明は省
略する。

【００３２】すなわち、本実施形態では、図３および図
４に示すように、シールドケース２の一対の側面２２，
２２の中央部には、先側片５１ａが外方に向かって折曲
するように略Ｌ字状に成形されたＬ型成形部５１が設け
られている。このＬ型成形部５１の先側片５１ａ上に
は、内外方向に山が連なるように山形に突出する凸部５
２が設けられている。そして、上記シールドケース２
は、Ｌ型成形部５１の凸部５２の外側部分より凸部５２
内に導入されたはんだ４によって多層基板１の上層基板
１４側面に接合されている。

【００３３】従って、本実施形態では、Ｌ型成形部５１
の凸部５２の外側部分より凸部５２内に導入されたはん
だ４は、凸部５２内で高さを確保しつつ凸部５２の内側
部分に向かって充填され、多層基板１とＬ型成形部５１
とが三次元的にはんだ４付けされることになり、多層基
板１とシールドケース２との接合をはんだ４付けのみに
よって強固に行える上、爪部と切り欠き部との嵌め込み
による多層基板とシールドケースとの接合を廃止して両
者間にガタの発生や取付難度を生じさせずに非常に取付
易いものとなる。このため、多層基板１とシールドケー
ス２と接合作業の効率化を図ることができるのはもちろ
んのこと、気化ガスおよびその圧を凸部５２内から円滑
に逃がしてＬ型成形部５１の浮きを抑制することができ
る。

【００３４】＜第３の実施の形態＞次に、本発明の第３
の実施形態を図５および図６に基づいて説明する。

【００３５】この実施形態では、Ｌ型成形部の先側片の
構成を変更している。なお、Ｌ型成形部の先側片を除く
その他の構成は、上記第１の実施形態と同じであり、同
一部分については同じ符号を付してその詳細な説明は省
略する。

【００３６】すなわち、本実施形態では、図５および図
６に示すように、シールドケース２の一対の側面２２，
２２の中央部には、先側片５３ａが外方に向かって折曲
するように略Ｌ字状に成形された外折れＬ型成形部５３
が設けられている。この外折れＬ型成形部５３の先側片
５３ａには、その中央部において内外方向に所定間隔隔
ててそれぞれ略直角の折返し角度θで折り返した一対の
折返し部５４，５４が設けられている。そして、上記シ
ールドケース２は、外折れＬ型成形部５３の一対の折返
し部５４，５４間に導入されたはんだ４によって多層基
板１の上層基板１４側面に接合されている。

【００３７】従って、本実施形態では、外折れＬ型成形
部５３の一対の折返し部５４，５４間に導入されたはん
だ４は、折返し部５４，５４間で高さを確保しつつ折返
し部５４，５４間で内外方向に充填され、多層基板１と
外折れＬ型成形部５３とが三次元的にはんだ４付けされ
ることになり、多層基板１とシールドケース２との接合
をはんだ付けのみによって強固に行える上、爪部と切り
欠き部との嵌め込みによる多層基板とシールドケースと
の接合を廃止して両者間にガタの発生や取付難度を生じ
させずに非常に取付易いものとなる。これにより、多層
基板１とシールドケース２との接合作業の効率化を図る
ことができるのはもちろんのこと、気化ガスおよびその
圧を折返し部５４，５４間から円滑に逃がして外折れＬ
型成形部５３の浮きを抑制することができる。

【００３８】なお、上記第３の実施形態では、Ｌ型成形
部５３の先側片５３ａの中央部において内外方向に所定
間隔隔ててそれぞれ略直角に折り返した一対の折返し部
５４，５４を設けたが、図７に示すように、一対の折返
し部５４´，５４´が、その折返し部５４´，５４´間
に導入されるはんだ４の導入量が調整可能となるよう
に、外折れＬ型成形部５３´の先側片５３ａ´に対する
折返し角度θが設定されていてもよい。この場合、折返
し角度θを、外折れＬ型成形部５３´の先側片５３ａ´
に対する一対の折返し部５４´，５４´の折返し角度θ
を、折返し部５４´，５４´同士が互いに離反し合う離
反位置（図７に一点鎖線で示す位置）に位置付けられる
ような角度（例えば略６０°）に設定変更したり、折返
し部５４´，５４´同士が互いに接近し合う接近位置
（図７に二点鎖線で示す位置）に位置付けられるような
角度（例えば略１２０゜）に設定変更したりするのみ
で、はんだ量が調整されて、はんだ４強度を調整または
制限することができる。

【００３９】＜第４の実施の形態＞次に、本発明の第４
の実施形態を図８および図９に基づいて説明する。

【００４０】この実施形態では、高周波集積回路搭載装
置を機器基板上に搭載してなる電子回路装置に適用する
場合について説明している。なお、Ｌ型成形部の先側片
を除くその他の構成は、上記第１の実施形態と同じであ
り、同一部分については同じ符号を付してその詳細な説
明は省略する。

【００４１】すなわち、本実施形態では、図８および図
９に示すように、多層基板１はシールドケース２内の上
部位置に取り付けられている。上記シールドケース２の
一対の側面２３，２３の両側端部には、先側片６１ａが
内方に向かって折曲するように略Ｌ字状に成形された内
折れＬ型成形部６１が設けられ、この内折れＬ型成形部
６１の先側片６１ａは、機器基板３上に対し鋭角な隙間
６２を存するように折り曲げられている。そして、上記
シールドケース２を、内折れＬ型成形部６１の先側片６
１ａと機器基板３との間の隙間６２に導入されたはんだ
４によって機器基板３上に接合されている。

【００４２】従って、本実施形態では、内折れＬ型成形
部６１の先側片６１ａと機器基板３との間の鋭角な隙間
６２に導入されたはんだ４は、先側片６１ａの鋭角な折
曲面に沿って隙間６２内を高さ方向にも充填され、機器
基板３と内折れＬ型成形部６１とが三次元的にはんだ４
付けされることになり、機器基板３とシールドケース２
との接合をはんだ４付けのみによって強固に行える。こ
のため、機器基板３とシールドケース２接合作業の効率
化を図ることができる。

【００４３】しかも、内折れＬ型成形部６１を採用する
ことで、シールドケース２の外側に面積負担を与えるこ
となく機器基板３上における周辺回路に対し省スペース
でシールドケース２を面実装することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明の高周波
集積回路搭載装置によれば、外方向きに折曲するＬ型成
形部の先側片上に、略半球状に突出する凸部を設けると
ともに、その凸部の頂部に孔を開設し、Ｌ型成形部の孔
より凸部内に導入したはんだによって多層基板の上層基
板側面にシールドケースを接合させることで、多層基板
とＬ型成形部との接合を三次元的なはんだ付けのみによ
って強固に行え、多層基板とシールドケースとの間での
ガタの発生や取付難度を生じさせずに非常に取付易く
し、多層基板とシールドケースとの接合作業の効率化を
図ることができる。しかも、凸部の孔から気化ガスおよ
びその圧を円滑に逃がしてＬ型成形部の浮きを抑制する
ことができる上、はんだを凸部内に閉ざしてシールドケ
ース外への不要な漏れ出しを無くし、他のパターンとの
短絡といった不具合も確実に防止することができる。

【００４５】また、Ｌ型成形部の先側片上に山形の凸部
を設け、この凸部の外側部分より凸部内に導入したはん
だによって多層基板の上層基板側面にシールドケースを
接合することで、多層基板とＬ型成形部との接合を三次
元的なはんだ付けのみによって強固に行え、多層基板と
シールドケースとの間でのガタの発生や取付難度を生じ
させずに非常に取付易くし、多層基板とシールドケース
との接合作業の効率化を図ることができ、しかも、凸部
内から気化ガスおよびその圧を円滑に逃がしてＬ型成形
部の浮きを抑制することができる上、はんだを凸部内に
閉ざしてシールドケース外への不要な漏れ出しを無く
し、他のパターンとの短絡といった不具合も確実に防止
することができる。

【００４６】更に、シールドケースの側面の外折れＬ型
成形部の先側片に所定間隔隔てた一対の折返し部を設
け、この一対の折返し部間に導入されたはんだによって
多層基板の上層基板側面にシールドケースを接合させる
ことで、多層基板と外折れＬ型成形部との接合を三次元
的なはんだ付けのみによって強固に行え、多層基板とシ
ールドケースとをガタの発生や取付難度を生じさせずに
非常に取付易くし、多層基板とシールドケースとの接合
作業の効率化を図ることができ、しかも、折返し部間か
ら気化ガスおよびその圧を円滑に逃がして外折れＬ型成
形部の浮きを抑制することができる上、はんだを折返し
部間に閉ざしてシールドケース外への不要な漏れ出しを
無くし、他のパターンとの短絡といった不具合も確実に
防止することができる。

【００４７】そして、折返し部間に導入されるはんだの
導入量を調整可能とするように、外折れＬ型成形部の先
側片に対する折返し角度を設定することで、折返し角度
を変更するのみではんだ量を調整できて、はんだ強度を
調整または制限することができる。

【００４８】更に、内方に向かって折曲する内折れＬ型
成形部の先側片を機器基板上に対し鋭角な隙間を存して
折り曲げ、その隙間に導入したはんだによって機器基板
上にシールドケースを接合させることで、機器基板と内
折れＬ型成形部との接合を三次元的なはんだ付けのみに
よって強固に行え、機器基板とシールドケースとの接合
作業の効率化を図ることができる。しかも、シールドケ
ースの外側に面積負担を与えることなく機器基板上にお
ける周辺回路に対し省スペースでシールドケースを面実
装することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係わる高周波集積回
路搭載装置の一形態を示す斜視図である。

【図２】同じくＬ型成形部の要部を拡大した斜視図であ
る。

【図３】本発明の第２の実施形態に係わる高周波集積回
路搭載装置の一形態を示す斜視図である。

【図４】同じくＬ型成形部の要部を拡大した斜視図であ
る。

【図５】本発明の第３の実施形態に係わる高周波集積回
路搭載装置の一形態を示す斜視図である。

【図６】同じくＬ型成形部の要部を拡大した斜視図であ
る。

【図７】第３の実施形態の変形例に係わるＬ型成形部の
正面図である。

【図８】本発明の第４の実施形態に係わる高周波集積回
路搭載装置の一形態を示す斜視図である。

【図９】同じくＬ型成形部を側方から見た側面図であ
る。

【図１０】従来の高周波集積回路搭載装置の一例を示す
斜視図である。

【図１１】図１０に示した高周波集積回路搭載装置のＡ
−Ａ線において切断した断面図である。

【図１２】図１０に示した高周波集積回路搭載装置を用
いた電子回路装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 多層基板 １１ 下層基板 １４ 上層基板 ２ シールドケース ２２ 側面 ２５ Ｌ型成形部 ２５ａ 先側片 ２６ 凸部 ２６ａ 孔 ３ 機器基板 ４ はんだ ５１ Ｌ型成形部 ５１ａ 先側片 ５２ 凸部 ５３ 外折れＬ型成形部 ５３ａ 先側片 ５４ 折返し部 ５４´ 折返し部 ５３´ 外折れＬ型成形部 ５３ａ´ 先側片 ６１ 内折れＬ型成形部 ６１ａ 先側片 ６２ 隙間 Ｘ 高周波集積回路搭載装置 θ 折返し角度

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層基板および上層基板を含む多層基板
   と、この多層基板の上層基板側面を覆う金属製のシール
   ドケースとを備えた高周波集積回路搭載装置であって、 上記シールドケースの側面は、先側片が外方に向かって
   折曲するように略Ｌ字状に成形されたＬ型成形部を備
   え、 このＬ型成形部の先側片上には、略半球状に突出する凸
   部が設けられているとともに、その凸部の頂部に開口す
   る孔が開設されており、 上記シールドケースは、Ｌ型成形部の孔より凸部内に導
   入されたはんだによって多層基板の上層基板側面に接合
   されていることを特徴とする高周波集積回路搭載装置。
2. 【請求項２】 下層基板および上層基板を含む多層基板
   と、この多層基板の上層基板側面を覆う金属製のシール
   ドケースとを備えた高周波集積回路搭載装置であって、 上記シールドケースの側面は、先側片が外方に向かって
   折曲するように略Ｌ字状に成形されたＬ型成形部を備
   え、 このＬ型成形部の先側片上には、内外方向に山が連なる
   ように山形に突出する凸部が設けられており、 上記シールドケースは、Ｌ型成形部の凸部の外側部分よ
   り凸部内に導入されたはんだによって多層基板の上層基
   板側面に接合されていることを特徴とする高周波集積回
   路搭載装置。
3. 【請求項３】 下層基板および上層基板を含む多層基板
   と、この多層基板の上層基板側面を覆う金属製のシール
   ドケースとを備えた高周波集積回路搭載装置であって、 上記シールドケースの側面は、先側片が外方に向かって
   折曲するように略Ｌ字状に成形された外折れＬ型成形部
   を備え、 この外折れＬ型成形部の先側片には、その中央部におい
   て内外方向に所定間隔隔ててそれぞれ折り返した一対の
   折返し部が設けられており、 上記シールドケースは、外折れＬ型成形部の一対の折返
   し部間に導入されたはんだによって多層基板の上層基板
   側面に接合されていることを特徴とする高周波集積回路
   搭載装置。
4. 【請求項４】 上記請求項３に記載の高周波集積回路搭
   載装置において、 一対の折返し部は、その折返し部間に導入されるはんだ
   の導入量が調整可能となるように、外折れＬ型成形部の
   先側片に対する折返し角度が設定されていることを特徴
   とする高周波集積回路搭載装置。
5. 【請求項５】 上記請求項１ないし請求項４のいずれか
   １つに記載の高周波集積回路搭載装置を、機器基板上に
   搭載してなる電子回路装置であって、 シールドケースの側面は、先側片が内方に向かって折曲
   するように略Ｌ字状に成形された内折れＬ型成形部を備
   え、 この内折れＬ型成形部の先側片は、上記機器基板上に対
   し鋭角な隙間を存するように折り曲げられており、 上記シールドケースは、内折れＬ型成形部の先側片と機
   器基板との間の隙間に導入されたはんだによって機器基
   板に接合されていることを特徴とする高周波集積回路搭
   載装置を用いた電子回路装置。