CN106463633B - 发光装置、电子设备及检查方法 - Google Patents

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Abstract

提供可在出厂前检查中简单地知道是否为缺陷品的发光装置、具备这样的发光装置的电子设备以及检查这样的发光装置是否为缺陷品的检查方法。本发明的发光装置(100)具备发光元件(1A)，其具有：阳极(3)、阴极(8)以及发光层(5)，发光层设于阳极(3)与阴极(8)之间，通过在阳极(3)与阴极(8)之间通电而发出近红外区域的光，当在阳极(3)与阴极(8)之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时，发光装置发出5cd/cm2以上的可见光。

Description

发光装置、电子设备及检查方法
技术领域
本发明涉及发光装置、电子设备及检查方法。
背景技术
有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)是具有在阳极与阴极之间插入有至少一层发光性有机层的结构的发光元件。在这样的发光元件中，通过在阴极与阳极之间施加电场，从而从阴极侧向发光层注入电子并从阳极侧向发光层注入空穴，通过在发光层中电子与空穴的复合而生成激子，当该激子回到基态时，其相应的能量以光的形式释放。
作为这样的发光元件，已知有在超过700nm的近红外区域发光的元件(例如参照专利文献1、2)，近年来，将这样的在近红外区域进行面发光的发光元件例如作为使用静脉、指纹等生物体信息来认证个人的生物体认证用的光源、军事用途等的近红外线显示器这样的发光装置，不断在研究其实现。
可是，在制造该发光装置后的出厂前检查中，必须将发生了起因于异物及气泡等的黑斑、不发光以及像素缺陷等不良情况的发光装置作为缺陷品而拣出。
如果是发出可见光的发光装置，则在出厂前检查中，通过点亮该发光装置并用肉眼观察上述不良情况，从而无需使用规定的检查设备即可拣出缺陷品。这意味着能够用肉眼来确认由该规定的检查设备得到的检查结果的正确性并能由人来确认该规定的检查设备的工作。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2000-091073号公报
专利文献2：特开2001-110570号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在发出近红外区域的光的发光装置中，由于无法通过肉眼来识别近红外区域的光，因此不能够应用上述这样的方法。
本发明的目的之一在于，提供可在出厂前检查中简单地知道是否为缺陷品的发光装置、具备这样的发光装置的电子设备以及检查这样的发光装置是否为缺陷品的检查方法。
用于解决技术问题的方案
为了解决上述技术问题中的至少之一，本发明申请可采用以下的构成。
本发明的发光装置的特征在于，具备发光元件，所述发光元件具有阳极、阴极以及发光层，所述发光层设于所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极与所述阴极之间通电，所述发光层发出近红外区域的光，当在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时，所述发光装置发出5cd/m2以上的可见光。
这样，由于发光装置发出5cd/m2以上的可见光，因此，在出厂前检查中，通过观察该可见光而能简单地知道发光装置是否为缺陷品。
在本发明的发光装置中，优选地，所述发光层构成为包括发光材料和保持所述发光材料的主体材料。
由此，通过适当地组合发光材料与主体材料而能使发光层在近红外区域和可见光区域双方都发光。
在本发明的发光装置中，优选地，所述发光材料包括由以下通式(IRD-1)表示的化合物、由以下通式(IRD-2)表示的化合物、由以下通式(IRD-3)表示的化合物、以及由以下通式(IRD-4)表示的化合物中的至少一种。
[化学式1]
[所述通式(IRD-1)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基(arylamino group)、三芳胺基(triarylamine)、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]
[化学式2]
[所述通式(IRD-2)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]
[化学式3]
[所述通式(IRD-3)中，X表示结合有氢的碳原子、或氮原子，R表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、烯丙基、烷氧基或者杂环基。]
[化学式4]
[所述通式(IRD-4)中，各R分别独立地表示苯基、苯硫基、呋喃基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]
由此，可使发光层在近红外区域发光。
在本发明的发光装置中，优选地，所述主体材料包括由下述式IRH-1表示的化合物。
[化学式5]
[所述式IRH-1中，n表示1～12的自然数，R分别独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳胺基。]
由此，能够使发光层成为发出可见光的层，具体而言，能够使发光层发出绿色光。
在本发明的发光装置中，优选地，所述发光层中的所述发光材料的含量为4.0wt％以下。
由此，在发光层中，不仅能够将注入发光层的载体用于发光材料中的复合，而且还能用于主体材料中的复合，因此，能够使发光元件可靠地发出5cd/m2以上的可见光。并且，能够使发光元件的发光效率与寿命的平衡变得优异。
在本发明的发光装置中，优选地，所述发光元件具备设于所述发光层与所述阴极之间的电子传输层。
由此，能够将电子传输层应用作为发出可见光的层。
在本发明的发光装置中，优选地，所述电子传输层构成为包括具有蒽骨架的化合物。
由此，能够使电子传输层成为发出可见光的层，具体而言，能够使电子传输层发出蓝色光。
在本发明的发光装置中，优选地，所述电子传输层的厚度为20nm以上200nm以下。
由此，发光元件可靠地发出5cd/m2以上的可见光。
在本发明的发光装置中，优选地，所述发光层的厚度为5nm以上100nm以下。
由此，发光元件可靠地发出5cd/m2以上的可见光。
本发明的电子设备的特征在于，具备本发明的发光装置。
这样的电子设备由于具备被视为不是缺陷品的发光装置，因而可靠性优异。
本发明的检查方法的特征在于，在本发明的发光装置中，通过在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度通电并观察所发出的5cd/m2以上的可见光来进行检查。
通过这样的检查方法，能够简单地知道发光装置是否为缺陷品。
附图说明
图1是示出发光装置的实施方式的纵截面图。
图2是将图1所示的发光装置具备的发光元件示意性放大后的局部放大截面图。
图3是示出应用了发光装置的认证装置的实施方式的图。
图4是示出应用了电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的构成的立体图。
图5是示出实施例1、2所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图6是示出实施例3、4所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图7是示出实施例5、6所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图8是示出实施例7、8所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图9是示出实施例9、10所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图10是示出实施例11、12所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图11是示出实施例13、14所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图12是示出实施例15、16所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图13是示出实施例17、18所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图14是示出实施例19、20所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图15是示出实施例21、22所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图16是示出实施例23、24所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
图17是示出实施例25、26所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。
具体实施方式
下面，针对附图所示的优选实施方式，说明本发明的发光装置、电子设备以及检查方法。
首先，对本发明的发光装置进行说明。
图1为示出本发明的发光装置的实施方式的纵截面图，图2为将图1所示的发光装置具备的发光元件示意性放大后的局部放大截面图。需要注意的是，以下为了便于说明，将图1、2中的上侧作为“上”、将下侧作为“下”来进行说明。
图1所示的发光装置100具有：基板21、多个发光元件1A、以及用于分别驱动各发光元件1A的多个驱动用晶体管24。在此，发光装置100具有从基板21的相反侧(后述的密封基板20侧)取出所发的光的顶部发光结构。
在基板21上设有多个驱动用晶体管24，以覆盖这些驱动用晶体管24的方式形成有由绝缘材料构成的平坦化层22。
各驱动用晶体管24具有：由硅构成的半导体层241、形成于半导体层241上的栅极绝缘层242、形成于栅极绝缘层242上的栅电极243、源电极244、以及漏电极245。
另外，在平坦化层上，对应于各驱动用晶体管24，依次层叠地设置有反射膜32和防腐蚀膜33。
进而，在各防腐蚀膜33上，与它们对应地、即与驱动用晶体管24对应地设有发光元件1A。
发光元件1A在防腐蚀膜33上依次层叠有阳极3、层叠体(有机EL发光部)14、阴极8、阴极罩34，如图2所示，层叠体14依次层叠有空穴注入层4、发光层5、第一电子传输层6b、第二电子传输层6a、电子注入层7、以及阴极8。
在这样构成的发光元件1A的相邻的发光元件彼此之间设有分隔壁31，由此各发光元件1A单独地设置。
本实施方式中，在各发光元件1A中，反射膜32、防腐蚀膜33以及阳极3被分隔壁31划分而单独地设置，层叠体14、阴极8及阴极罩34一体地设置。通过采用这样的构成，从而各发光元件1A的阳极3构成像素电极，进而，各发光元件1A的阴极8构成公共电极。另外，各发光元件1A的阳极3通过导电部(布线)27而与各驱动用晶体管24的漏电极245电连接。
这样，在具备发光元件1A的发光装置100中，通过使用驱动用晶体管24来控制发光元件1A的动作、即通过控制向发光元件1A的电压施加，从而能够发光。
这样构成的发光装置100所具备的发光元件1A在近红外区域发光，而关于该发光元件1A的详情，将在后面说明。
进而，在这些发光元件1A上，以覆盖它们的方式形成有由环氧树脂构成的环氧层35。
而且，在环氧层35上以覆盖它们的方式设有密封基板20。由此，确保了发光元件1A的气密性，能够防止进入氧、水分，从而能够实现发光元件1A的可靠性的提高。
这样构成的发光装置100例如也能用作军事用途等的近红外线显示器。
在以上说明的发光装置100中，如上所述，发光元件1A在近红外区域发光，下面对该发光元件1A进行说明。
(发光元件)
图2中示出的发光元件(电致发光元件)1A是将阳极3、空穴注入层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8依次层叠而成的元件。即，发光元件1A中，在阳极3和阴极8之间插入有从阳极3侧起向阴极8一侧按照空穴注入层4、发光层5、电子传输层6和电子注入层7的顺序层叠而成的层叠体14。
在这样的发光元件1A中，通过向阳极3和阴极8施加驱动电压，从而分别从阴极8侧提供(注入)电子到发光层5，并从阳极3侧提供(注入)空穴到发光层5。于是，在发光层5中，空穴与电子复合，通过该复合时所释放的能量而生成激子(励起子(exciton))，当激子返回基态时释放(发光)能量(荧光、磷光)。由此，发光元件1A发光。
特别地，如后所述，该发光元件1A通过含有作为由下述通式(IRD-1)表示的化合物的噻二唑类化合物、作为由下述通式(IRD-2)表示的化合物的噻二唑类化合物、作为由下述通式(IRD-3)表示的化合物的吡咯甲川类硼络合物、以及作为由下述通式(IRD-4)表示的化合物的苯并双噻二唑类化合物等中的至少一种材料作为发光材料，从而在700nm以上的波长区域这样的近红外区域发光。需要说明的是，在本说明书中，“近红外区域”是指700nm以上1500nm以下的波长区域，“在近红外区域的发光”是指发光波形的峰值为700nm以上1500nm以下的发光。
此外，在这样的发光元件1A中，阳极3与阴极8之间的距离(即层叠体14的平均厚度)优选为100nm～500nm，更优选为100nm～300nm，进一步优选为100nm～250nm。由此，能够简单且可靠地将发光元件1A的驱动电压控制在实用的范围内。
下面，依次说明构成发光元件1A的各部。
(阳极)
阳极3是将空穴注入空穴注入层4的电极。作为该阳极3的构成材料，优选使用功函数大且导电性卓越的材料。
作为阳极3的构成材料，例如可列举出：ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)、In3O3、SnO2、含Sb的SnO2、含Al的ZnO等氧化物；Au、Pt、Ag、Cu或包含它们的合金等，可以组合它们中的一种或两种以上使用。
特别是，阳极3优选由ITO构成。ITO是一种具有透明性且功函数大、导电性卓越的材料。由此，能够从阳极3向空穴注入层4高效地注入空穴。
此外，优选对阳极3的空穴注入层4侧的面(图1、2中的上表面)实施等离子体处理。由此，能够提高阳极3与空穴注入层4的接合面的化学及机械稳定性。其结果，能够提高从阳极3向空穴注入层4的空穴注入性。
这样的阳极3的平均厚度不作特别限定，但优选为10nm～200nm左右，更优选为50nm～150nm左右。
(阴极)
另一方面，阴极8是经由后述的电子注入层7将电子注入电子传输层6的电极。作为该阴极8的构成材料，优选使用功函数小的材料。
作为阴极8的构成材料，例如可列举出：Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或包含它们的合金等，可以组合它们中的一种或两种以上(例如作为多层的层叠体、多种的混合层等)使用。
特别是，在使用合金作为阴极8的构成材料的情况下，优选使用包含Ag、Al、Cu等稳定的金属元素的合金，具体而言，为MgAg、Al Li、CuLi等合金。通过使用这样的合金作为阴极8的构成材料，能够提高阴极8的电子注入效率以及稳定性。
由于本实施方式的发光元件1A为顶部发光型，因此需要使光从阴极8侧透过，因而这样的阴极8的平均厚度优选为1nm～50nm左右。
并且，在底部发光型的情况下，对阴极8并不特别要求透光性，因而阴极8的平均厚度优选为100nm～10000nm左右，更优选为100nm～500nm左右。
(空穴注入层)
空穴注入层4具有提高从阳极3的空穴注入效率的功能(即、具有空穴注入性)。由此，能够提高发光元件1A的发光效率。在此，空穴注入层4还具有将从阳极3注入的空穴传输至发光层5的功能(即、具有空穴传输性)。因此，空穴注入层4由于如上所述地具有空穴传输性，从而也可以说成是空穴传输层。需要说明的是，也可以在空穴注入层4与发光层5之间另行设置由与空穴注入层4不同的材料(例如联苯胺衍生物等胺类化合物)构成的空穴传输层。
该空穴注入层4包括具有空穴注入性的材料(空穴注入性材料)。
作为包括在该空穴注入层4中的空穴注入性材料，并没有特别的限制，例如可列举出：酞菁铜；4,4’,4”-三(N,N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N’-双-(4-二苯氨基-苯基)-N,N’-二苯基-联苯基-4-4’-二胺等胺类材料。
其中，作为包括在空穴注入层4中的空穴注入性材料，从空穴注入性和空穴传输性卓越的角度出发，优选使用胺类材料，更优选使用苯二胺(diaminobenzene)衍生物、联苯胺衍生物(具有联苯胺骨架的材料)、分子内具有“苯二胺”单元和“联苯胺”单元两者的三胺类化合物、四胺类化合物(具体地例如，如下式HIL1～HIL27所表示那样的化合物)。
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
另外，优选空穴注入层4的构成材料的LUMO与用于发光层5的主体材料的LUMO之差为0.5eV以上。由此，能够减少电子从发光层5漏向空穴注入层4，提高发光效率。
另外，空穴注入层4的构成材料的HOMO优选为4.7eV以上5.6eV以下，并且，空穴注入层4的构成材料的LUMO优选为2.2eV以上3.0eV以下。
(发光层)
发光层5通过在上述的阳极3与阴极8之间通电而发光。
该发光层5只要是获得在近红外区域的发光的层的话，则就没有特别的限制，其构成为包括作为发光掺杂剂而发挥作用的发光材料。
作为该发光材料，例如可列举出：作为由下述通式(IRD-1)表示的化合物的噻二唑类化合物(以下也单纯称为“噻二唑类化合物1”)、作为由下述通式(IRD-2)表示的化合物的噻二唑类化合物(以下也单纯称为“噻二唑类化合物2”)、作为由下述通式(IRD-3)表示的化合物的吡咯甲川类硼络合物(以下也单纯称为“吡咯甲川类硼络合物”)、以及作为由下述通式(IRD-4)表示的化合物的苯并双噻二唑类化合物(以下也单纯称为“苯并双噻二唑类化合物”)等，可组合使用它们中的一种或两种以上。由此，可使发光层5在近红外区域发光。
[化学式9]
[上述通式(IRD-1)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]
作为所述通式(IRD-1)中的各基团R，可列举出：芳基、芳胺基、三芳胺基、或者它们的衍生物，可组合它们中的两种以上使用，包括具备这样的基团R的噻二唑类化合物1作为发光掺杂剂的发光层5能够获得在近红外区域的发光。
作为具备上述那样的基团R的噻二唑类化合物1，具体而言，例如可列举出由下述式IRD-11～IRD-18表示的化合物或其衍生物。
[化学式10]
[化学式11]
[上述通式(IRD-2)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]
作为上述通式(IRD-2)中的各基团R，可列举出：芳基、芳胺基、三芳胺基、或者它们的衍生物，可组合它们中的两种以上使用，包括具备这样的基团R的噻二唑类化合物2作为发光掺杂剂的发光层5能够获得在近红外区域的发光。
作为具备上述那样的基团R的噻二唑类化合物2，具体而言，例如可列举出由下式IRD-21～IRD-26表示的化合物或其衍生物。
[化学式12]
[化学式13]
[上述通式(IRD-3)中，X表示结合有氢的碳原子、或氮原子，R表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、烯丙基、烷氧基、或者杂环基。]
在此，作为用作通式(IRD-3)中的R的杂环基，没有特别的限制，但优选使用吡咯、呋喃、噻吩等五员杂环基；或者吡啶等六员杂环基。
包括这样的吡咯甲川类硼络合物的发光层5能够获得在近红外区域的发光。
另外，作为用于发光层5的发光材料，只要是由上述通式(IRD-3)表示的化合物且能在近红外区域发光的材料即可，具体而言，例如可列举出由下式IRD-31～IRD-35表示的化合物或其衍生物。
[化学式14]
[化学式15]
[上述通式(IRD-4)中，各R分别独立地表示苯基、苯硫基、呋喃基(furyl group)、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]
作为上述通式(IRD-4)中的各基团R，只要为苯基、苯硫基、呋喃基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团的话，则就没有特别的限制，例如可列举出：苯基、苯硫基(噻吩基)、呋喃基(furan group)、包括噁唑基以及噁二唑基等的基团，优选组合它们中的两种以上。由此，包括具备这样的基团R的苯并双噻二唑类化合物作为发光掺杂剂的发光层5获得在近红外区域的发光、特别是获得在850nm以上1500nm以下的波长区域的发光。
作为具备上述那样的基团R的苯并双噻二唑类化合物，具体而言，例如可列举出由下式IRD-41～IRD-45表示的化合物或其衍生物。
[化学式16]
需要说明的是，发光层5中也可以包括上述发光材料以外的发光材料(各种荧光材料、各种磷光材料)。
并且，发光层5构成为除上述那样的发光材料以外还包括该发光材料作为客体材料(掺杂剂)而添加(承载)于其中的主体材料。该主体材料具有使空穴与电子复合而生成激子，并使该激子的能量转移至发光材料(福斯特转移或德克斯特转移)而激发发光材料的功能。为此，能够提高发光元件1A的发光效率。作为这样的主体材料，例如可以将作为客体材料的发光材料作为掺杂剂掺杂到主体材料中进行使用。
用于发光层5的主体材料没有特别的限制，但特别优选作为由下式IRH-1表示的化合物的蒽类材料。
[化学式17]
[上述式IRH-1中，n表示1～12的自然数，R分别独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳胺基。]
如上述那样的作为发光材料举出的各种化合物(苯并双噻二唑类化合物等)由于极性高(极化大)，因此在作为发光材料使用的情况下，当发光层中的浓度高时，由于发光材料的分子彼此的相互作用，容易产生发光效率下降的现象、即浓度猝灭(濃度消光)。
另一方面，上述并四苯类材料的极性低(极化小)。为此，通过使用并四苯类材料作为主体材料，从而能够降低上述那样的发光材料的分子彼此的相互作用，降低浓度猝灭性。
与此相反，例如在使用极性高(极化大)的Alq3作为主体材料的情况下，由于主体材料和发光材料两者的极性都高(极化大)，所以容易产生发光材料的分子彼此的相互作用，导致浓度猝灭性高。
另外，与并四苯类材料相同的作为并苯类材料的蒽类材料在用作主体材料的情况下，虽然具有降低浓度猝灭性的效果，但与使用并四苯类材料作为主体材料的情况相比，发光效率变低。推测这是由于，当使用蒽类材料作为主体材料时，从主体材料向发光材料的能量转移不充分、以及注入主体材料的LUMO的电子向阳极侧穿透的概率高。鉴于这种情况，不能说蒽类材料是合适的主体材料。需要注意的是，除蒽类材料以外，并五苯类材料也同样会产生这种情况。
鉴于此，由于使用并四苯类材料(并苯类材料)作为主体材料而能够提高发光元件1A的发光效率，因此，优选用作为主体材料。
另外，并四苯类材料对电子及空穴的耐受性卓越。并且，并四苯类材料的热稳定性也卓越。为此，能够实现发光元件1A的使用寿命延长。此外，由于并四苯类材料的热稳定性卓越，所以在使用气相成膜法形成发光层的情况下，能够防止由成膜时的热所引起的主体材料的分解。为此，能够形成具有卓越的膜质的发光层。其结果，从这些方面上来说，也能够在提高发光元件1A的发光效率的同时，实现使用寿命延长。
进而，由于并四苯类材料其本身难以发光，因此，也能够防止主体材料对发光元件1A的发光光谱带来不良影响。
另外，作为用作主体材料的并四苯类材料，只要是由上述式IRH-1表示且可以发挥如上述那样的作为主体材料的功能的材料的话，则就没有特别的限制，但优选使用由下式IRH-2表示的化合物，更优选使用由下式IRH-3表示的化合物。
[化学式18]
[上述式IRH-2、IRH-3中，R1～R4分别独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳胺基。另外，R1～R4既可以彼此相同，也可以彼此不同。]
另外，用作主体材料的并四苯类材料优选由碳原子以及氢原子构成。由此，能够降低主体材料的极性，并能防止发生主体材料与发光材料的非本意的相互作用。为此，能够提高发光元件1A的发光效率。并且，能够提高主体材料对电子及空穴的耐受性。为此，能够实现发光元件1A的使用寿命延长。
具体而言，作为并四苯类材料，例如优选使用由下式H-1～H-27表示的化合物。
[化学式19]
[化学式20]
另外，用于发光层5的主体材料的HOMO优选为5.0eV以上5.8eV以下，另外，空穴注入层4的构成材料的LUMO优选为2.5eV以上3.6eV以下。
(电子传输层)
电子传输层6具有将从阴极8经由电子注入层7所注入的电子传输至发光层5的功能。
作为电子传输层6的构成材料(电子传输性材料)，例如可以列举出：2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)等菲咯啉衍生物、将三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等8-羟基喹啉或其衍生物作为配体的有机金属络合物等的喹啉衍生物、氮杂吲哚嗪衍生物(azaindolizine)、噁二唑衍生物、苝(perylene)衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、二苯醌衍生物(dephenyl quinone)、硝基取代芴(nitro-substituted fluorine)衍生物、蒽类材料等并苯类材料等，可以组合使用它们中的一种或二种以上。
其中，作为用于电子传输层6的电子传输性材料，优选使用具有蒽骨架的化合物。另外，优选使用菲咯啉衍生物、像菲咯啉衍生物这样地在骨架中具有氮原子的含氮化合物。鉴于此，特别是，更优选使用在分子内具有氮杂吲哚嗪骨架及蒽骨架两者的氮杂吲哚嗪类化合物(下面，也单纯称为“氮杂吲哚嗪类化合物”)。由此，能够高效地将电子传输、注入至发光层5。其结果，能够提高发光元件1A的发光效率。
此外，电子传输层6在组合使用上述那样的电子传输性材料中的二种以上的情况下，既可以由混合了二种以上的电子传输性材料的混合材料构成，也可以层叠由不同的电子传输性材料构成的多个层而构成。在本实施方式中，如图2所示，电子传输层6具有第一电子传输层6b、以及设于第一电子传输层6b和发光层5之间的第二电子传输层6a。
作为第一电子传输层6b的构成材料而使用的具有蒽骨架的化合物优选是在分子内具有氮杂吲哚嗪骨架及蒽骨架两者的氮杂吲哚嗪类化合物。此外，作为第二电子传输层6a的构成材料而使用的具有蒽骨架的化合物优选是在分子内具有蒽骨架、且由碳原子及氢原子所构成的蒽类化合物。由此，能够在高效地将电子传输、注入到发光层5中的同时，还能减少电子传输层6的劣化。其结果，能够在提高发光元件1A的发光效率的同时，实现发光元件1A的使用寿命延长。
在此，既能够通过第二电子传输层6a确保光学出光所需的电子传输层6的厚度，又能够使第一电子传输层6b的厚度变薄而实现使用寿命延长。
用于电子传输层6的氮杂吲哚嗪类化合物优选在1个分子内所包含的氮杂吲哚嗪骨架以及蒽骨架的数量分别为1个或2个。由此，能够使电子传输层6的电子传输性以及电子注入性优异。
具体而言，作为用于电子传输层6的氮杂吲哚嗪类化合物，例如优选使用如下式ETL1-1～24所表示那样的化合物、如下式ETL1-25～36所表示那样的化合物、如下式ETL1-37～56所表示的化合物。
[化学式21]
[化学式22]
[化学式23]
这样的氮杂吲哚嗪类化合物的电子传输性以及电子注入性优异。为此，能够提高发光元件1A的发光效率。
这样的氮杂吲哚嗪类化合物的电子传输性以及电子注入性之所以优异，考虑其原因如下。
上述那样的在分子内具有氮杂吲哚嗪骨架及蒽骨架的氮杂吲哚嗪类化合物由于其分子整体通过π共轭体系相连，所以电子云扩散至整个分子。
并且，这样的氮杂吲哚嗪类化合物的氮杂吲哚嗪骨架的部分具有接收电子的功能、以及将其接收的电子送至蒽骨架的部分的功能。另一方面，这样的氮杂吲哚嗪类化合物的蒽骨架的部分具有从氮杂吲哚嗪骨架的部分接收电子的功能、以及将其接收的电子交接至与电子传输层6的阳极3侧相邻的层、即发光层5的功能。
更具体地说明的话，这样的氮杂吲哚嗪类化合物的氮杂吲哚嗪骨架的部分具有2个氮原子，其中一方(离蒽骨架的部分近的一侧)的氮原子具有sp2杂化轨道，另一方(离蒽骨架的部分远的一侧)的氮原子具有sp3杂化轨道。具有sp2杂化轨道的氮原子构成氮杂吲哚嗪类化合物的分子的共轭体系的一部分，并且，由于其电负性比碳原子高、吸引电子的能力强，所以作为接受电子的部分而发挥作用。另一方面，具有sp3杂化轨道的氮原子虽然不是通常的共轭体系，但因为具有孤对电子，所以作为其电子向氮杂吲哚嗪类化合物的分子的共轭体系发送电子的部分而发挥作用。
另一方面，由于这样的氮杂吲哚嗪类化合物的蒽骨架的部分在电性上是中性的，所以能够容易地从氮杂吲哚嗪骨架的部分接收电子。此外，由于这样的氮杂吲哚嗪类化合物的蒽骨架的部分与发光层5的构成材料、特别是主体材料(并四苯类材料)之间的轨道重叠大，所以能够容易地将电子交接至发光层5的主体材料。
此外，如上所述，由于这样的氮杂吲哚嗪类化合物的电子传输性及电子注入性优异，其结果，能够使发光元件1A的驱动电压低电压化。
此外，氮杂吲哚嗪骨架的部分在具有sp2杂化轨道的氮原子还原时很稳定，在具有sp3杂化轨道的氮原子氧化时也很稳定。为此，这样的氮杂吲哚嗪类化合物对于电子及空穴的稳定性高。其结果，能够实现发光元件1A的使用寿命延长。
此外，作为用于电子传输层6(在具有第二电子传输层6a的情况下，特别是第二电子传输层6a)的蒽类化合物，为由下式ETL2所表示的化合物即可，但优选是由下式ETL2-A、下式ETL2-B、下式ETL2-C或下式ETL2-D所表示的化合物，更具体地，例如优选是由下式ETL2-1～56所表示的化合物。
[化学式24]
[化学式25]
[化学式26]
[化学式27]
此外，优选地，电子传输层6(更具体地，第二电子传输层6a)的构成材料的HOMO与用于发光层5的主体材料的HOMO之间的差在0.2eV以上。由此，能够减少空穴从发光层5漏向电子传输层6，从而提高发光效率。
此外，第二电子传输层6a的构成材料的HOMO优选为5.5eV以上6.0eV以下，并且，第二电子传输层6a的构成材料的LUMO优选为2.5eV以上3.0eV以下。
此外，第一电子传输层6b的构成材料的HOMO优选为5.8eV以上6.5eV以下，并且，第一电子传输层6b的构成材料的LUMO优选为2.8eV以上3.5eV以下。
此外，优选地，第二电子传输层6a的厚度比第一电子传输层6b的厚度厚。由此，既能够抑制发光元件1A的驱动电压，又能够高效地将电子传输、注入到发光层5，同时能够减少电子传输层6的劣化。
此外，第二电子传输层6a的具体厚度优选为30nm以上150nm以下，更优选为70nm以上90nm以下。由此，既能够抑制发光元件1A的驱动电压，又能够高效地将电子传输、注入到发光层5，同时能够减少电子传输层6的劣化。
需要说明的是，根据第一电子传输层6b与发光层5的构成材料的组合等，也可以省略第二电子传输层6a。
(电子注入层)
电子注入层7具有提高来自阴极8的电子注入效率的功能。
作为该电子注入层7的构成材料(电子注入性材料)，例如可列举出各种无机绝缘材料、各种无机半导体材料。
作为这样的无机绝缘材料，例如可列举出：碱金属硫族化物(alkali metalchalcogenides)(氧化物、硫化物、硒化物、碲化物)、碱土金属硫族化物、碱金属的卤化物以及碱土金属的卤化物等，可以组合使用它们中的一种或二种以上。通过将它们作为主要材料来构成电子注入层7，可以进一步提高电子注入性。特别是碱金属化合物(碱金属硫族化物、碱金属的卤化物等)功函数非常小，通过使用它来构成电子注入层7，从而发光元件1A可获得高亮度。
作为碱金属硫族化物，例如可列举出Li2O、LiO、Na2S、Na2Se、NaO等。
作为碱土金属硫族化物，例如可列举出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等。
作为碱金属的卤化物，例如可列举出CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。
作为碱土金属的卤化物，例如可列举出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等。
此外，作为无机半导体材料，例如可列举出包含Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、Sb以及Zn中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物等，可组合使用它们中的一种或二种以上。
电子注入层7的平均厚度并没有特别限定，但优选为0.1nm～1000nm左右，更优选为0.2nm～100nm左右，进一步优选为0.2nm～50nm左右。
此外，根据阴极8以及电子传输层6的构成材料、厚度等，也可以省略该电子注入层7。
根据如以上那样构成的发光元件1A，能够使在近红外区域的发光成为可能。
(发光装置的制造方法)
以上那样的发光元件100例如可通过如下方式来制造。
[1]首先，准备基板21，与要形成的发光元件1A对应地形成了多个驱动用晶体管24之后，以覆盖这些晶体管24的方式形成平坦化层22。
[1-A]首先，准备基板21，在基板21上形成驱动用TFT24。
[1-Aa]首先，在基板21上，例如通过等离子体CVD法等形成平均厚度大约为30nm～70nm的以非晶硅为主材料而构成的半导体膜。
[1-Ab]接着，通过激光退火或固相成长法等对半导体膜进行结晶化处理，使非晶硅变化成多晶硅。
这里，在激光退火法中，例如使用为准分子激光且光束的长度尺寸为400mm的线光束，其输出强度例如设定为200mJ/cm2左右。
[1-Ac]接着，通过对半导体膜形成图案而使其形成为岛状，从而获得半导体层241，以覆盖这些岛状的半导体层241的方式，例如以TEOS(四乙氧基硅烷)、氧气等为原料气体并通过等离子体CVD法等形成平均厚度大约为60nm～150nm的以氧化硅或氮化硅等为主材料而构成的栅极绝缘层242。
[1-Ad]接着，在栅极绝缘层242上，例如通过溅射法等形成了以铝、钽、钼、钛、钨等金属为主材料而构成的导电膜之后，进行图案化，形成栅电极243。
[1-Ae]接着，在该状态下，注入高浓度的磷离子，在栅电极243上以自对准方式形成源漏区。需要注意的是，未导入杂质的部分成为沟道区域。
[1-B]接下来，形成与驱动用TFT24电连接的源电极244以及漏电极245。
[1-Ba]首先，以覆盖栅电极243的方式形成了第一平坦化层之后，形成接触孔。
[1-Bb]接着，在接触孔内形成源电极244及漏电极245。
[1-C]接下来，形成将漏电极245与阳极3电连接的布线(中继电极)27。
[1-Ca]首先，在第一平坦化层上形成了第二平坦化层之后形成接触孔。
[1-Cb]接着，在接触孔内形成布线27。
需要注意的是，由在[1-B]工序及[1-C]工序中形成的第一平坦化层及第二平坦化层构成平坦化层22。
[2]接下来，在平坦化层22上，对应于各布线27地将反射膜32、防腐蚀膜33以及阳极(独立电极)3依次层叠而形成。
可通过在平坦化层22上例如利用真空蒸镀法、溅射法这样的气相成膜法等形成了以反射膜32的构成材料为主材料而构成的薄膜之后再进行图案化而获得该反射膜32。
另外，可通过以覆盖反射膜32的方式在平坦化层22上与上述同样地形成了以防腐蚀膜33的构成材料为主材料而构成的薄膜之后再进行图案化而获得防腐蚀膜33。
进而，可通过以覆盖反射膜32及防腐蚀膜33的方式在平坦化层22上与上述同样地形成了以阳极3的构成材料为主材料而构成的薄膜之后再进行图案化而获得阳极3。
[3]接下来，在平坦化层22上形成分隔壁(堰堤)31，以划分出各阳极3、即划分出形成各发光元件1A的区域。
可通过以覆盖反射膜32、防腐蚀膜33以及阳极3的方式在平坦化层22上形成了绝缘膜之后以使阳极3露出的方式采用光刻法等进行图案化等来形成分隔壁31。
在此，分隔壁31的构成材料考虑到耐热性、拒液性、油墨溶剂耐性、与平坦化层22等的贴紧性等来进行选择。
具体而言，作为分隔壁31的构成材料，例如可列举出丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂这样的有机材料、SiO2这样的无机材料。
另外，分隔壁31的开口的形状除如图1所示的四边形以外，例如还可以为圆形、椭圆形、六边形等多边形等任何形状。
这样的分隔壁31的高度没有特别的限制，但优选设定为30nm～500nm左右。通过设定为这样的高度，从而作为分隔壁(堰堤)的功能得以充分地发挥。
[4]接下来，以与阳极3及分隔壁31重叠的方式、即以覆盖分隔壁31的与阳极3相反一侧的整面的方式形成空穴注入层4。
由此，一并(一体)形成各发光元件1A共同的空穴注入层4。
空穴注入层4优选通过使用了例如CVD法、真空蒸镀、溅射等干式镀覆法等的气相工艺而形成。
需要说明的是，例如通过将空穴注入层形成用材料供给至阳极3及分隔壁31上之后进行干燥(去除溶剂或去除分散介质)，也可以形成空穴注入层4，其中，通过将空穴注入性材料溶解于溶剂或分散于分散介质中而形成上述空穴注入层形成用材料。
作为空穴注入层形成用材料的供给方法，例如也可以使用旋涂法、辊涂法、喷墨印刷法等各种涂布法。通过使用这样的涂布法，能够比较容易地形成空穴注入层4。
作为用于空穴注入层形成用材料的制备的溶剂或分散介质，例如可列举出各种无机溶剂、各种有机溶剂、或者包括这些溶剂的混合溶剂等。
需要说明的是，例如可以通过在大气压或减压气氛中的搁置、加热处理、喷不活性气体等来进行干燥。
另外，也可以在本工序之前对阳极3的上表面实施氧等离子体处理。由此，能够赋予阳极3的上表面以亲液性、除去(清洗)附着于阳极3的上表面的有机物、调节阳极3的上表面附近的功函数；等等。
在此，作为氧等离子体处理的条件，例如优选设为等离子体功率100W～800W左右、氧气流量50mL/min～100mL/min左右、被处理部件(阳极3)的传送速度0.5mm/sec～10mm/sec左右、基板21的温度70℃～90℃左右。
[5]接下来，以覆盖空穴注入层4的整面的方式形成发光层5。由此，一并形成各发光元件1A共同的发光层5。
[6]接下来，以覆盖发光层5的整面的方式形成电子传输层6(第一电子传输层6b及第二电子传输层6a)。由此，一并形成各发光元件1A共同的电子传输层6(第一电子传输层6b及第二电子传输层6a)。
[7]接下来，以覆盖电子传输层6的整面的方式形成电子注入层7。由此，一并形成各发光元件1A共同的电子注入层7。
[8]接下来，以覆盖电子注入层7的整面的方式形成阴极8。由此，一并形成各发光元件1A共同的阴极8。
[9]接下来，以覆盖阴极8的整面的方式形成阴极罩34。由此，一并形成各发光元件1A共同的阴极罩34。
需要说明的是，在上述工序[5]～[9]中形成的各层也可以通过在上述工序[4]中形成空穴注入层4时所说明的气相工艺、液相工艺来形成，其中，优选采用气相工艺。通过采用气相工艺，从而能够在防止相邻的层彼此间的层溶解的同时，可靠地形成要形成的层。
按上述方式，对应于驱动用晶体管24而形成多个发光元件1A。
[10]接下来，准备密封基板20，在使环氧类的粘接剂介于阴极罩34与密封基板20之间之后使该粘接剂干燥。
由此，经由环氧层35，能够以由密封基板20覆盖阴极罩34(阴极8)的方式将阴极罩34(阴极8)与密封基板20接合。
该密封基板20发挥作为保护各发光元件1A的保护基板的功能。通过构成为将这样的密封基板20设于阴极8侧，从而能够更合适地防止或减少发光元件1A与氧、水分接触，因此能够更可靠地获得提高发光元件1A的可靠性、防止变质、劣化等效果。
经过以上那样的工序，完成各发光元件1A被密封基板20密封的发光装置100。
本发明中，在具备这样构成的发光元件1A的发光装置100中，当在阳极3与阴极8之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时将发出5cd/m2以上的可见光。
由此，发光元件1A不仅发出近红外区域的光，而且还发出5cd/m2以上的可见光。为此，在将发生了起因于异物及气泡等的黑斑、不发光以及像素缺陷等不良情况的发光装置作为缺陷品拣出的出厂前检查中，能够基于点亮发光装置100时所发出的5cd/m2以上的可见光来用肉眼观察上述不良情况。因此，与现有的发出可见光的其它显示装置同样地，能够在出厂前检查中简单地辨别作为检查对象的发光装置100是否为缺陷品。
即，在发光装置100中，通过在阳极3与阴极8之间以300mA/cm2以下的电流密度进行通电并观察发出的5cd/m2以上的可见光，从而能够实施将发生了上述不良情况的显示装置作为缺陷品拣出的出厂前检查(本发明的检查方法)。
在此，可以通过适当选择分别包含于发光元件1A所具备的空穴注入层4、发光层5以及电子传输层6中的空穴注入材料、主体材料以及电子传输材料的种类来实现可使发光元件1A不仅进行近红外区域的发光、而且还发出可见光。
具体而言，例如，通过如上所述地使用胺类材料作为包含于空穴注入层4中的空穴注入材料，从而能够使空穴注入层4发出蓝色光；通过使用并四苯类材料作为包含于发光层5中的主体材料，从而能够使发光层5发出绿色光；进而，通过使用蒽类材料作为包含于电子传输层6中的电子传输材料，从而能够使电子传输层6发出蓝色光。因此，通过适当选择在空穴注入层4、发光层5以及电子传输层6中发光的发光色，能够使发光元件1A发出期望颜色的光。
另外，要使发光元件1A发出5cd/m2以上的可见光，例如可以通过除了分别调整空穴注入层4、发光层5以及电子传输层6的膜厚以外还调整包含于发光层5中的主体材料的含量来实现。
具体而言，这样的空穴注入层4的平均厚度虽然根据空穴注入材料的种类、发光波长、或者取光结构(底部发光或顶部发光)也会有所不同，但优选为5nm以上200nm以下，更优选为10nm以上150nm以下。
另外，发光层5的平均厚度虽然根据主体材料的种类、发光材料的种类、以及发光层的层叠数也会有些许不同，但优选为5nm以上100nm以下，更优选为5nm以上50nm以下。
进而，整个电子传输层6的厚度虽然根据电子传输材料的种类、发光波长、或者取光结构(底部发光或顶部发光)也会有所不同，但优选为20nm以上200nm以下，更优选为50nm以上150nm以下。
通过将空穴注入层4、发光层5以及电子传输层6的平均厚度分别设定于上述范围内，从而发光元件1A可靠地发出5cd/m2以上的可见光。另外，通过将发光层5的平均厚度设定于上述范围内，从而能够在抑制发光元件1A的驱动电压的同时，实现发光元件1A的使用寿命延长。进而，通过将电子传输层6的平均厚度设定于上述范围内，从而能够在抑制发光元件1A的驱动电压的同时，向发光层5高效地传输、注入电子。
另外，在发光层5如上所述地包括发光材料及主体材料的情况下，该发光层5中的发光材料的含量(掺杂量)优选为4.0wt％以下，更优选为0.25wt％以上2.0wt％以下。由此，在发光层5中，注入发光层5的载体并非只被发光材料消耗，而是被主体材料或与发光层相邻的层消耗而能发光，因此，能够使发光元件1A可靠地发出5cd/m2以上的可见光。并且，能够使发光元件1A的发光效率与寿命的平衡变得优异。
进而，虽然通过使发光元件1A发出5cd/m2以上的可见光而能够用肉眼或(可见光)照相机至少在暗室环境下观察不良情况，但优选发出10cd/m2以上的可见光，更优选发出30cd/m2以上的可见光。通过使发光元件1A发出10cd/m2以上的可见光，从而至少在暗室环境下能够容易地观察不良情况，通过使发光元件1A发出30cd/m2以上的可见光，从而即使在荧光灯下也能够容易地观察不良情况。
需要说明的是，在使发光元件1A发出5cd/m2的可见光的情况下，例如，当使其发出波长450nm的光时，应供给发光元件1A的能量为192mW/sr/m2；当使其发出波长485nm的光时，应供给发光元件1A的能量为43mW/sr/m2；当使其发出波长555nm的光时，应供给发光元件1A的能量为7mW/sr/m2；当使其发出波长640nm的光时，应供给发光元件1A的能量为42mW/sr/m2；进一步地，当使其发出波长650nm的光时，应供给发光元件1A的能量为69mW/sr/m2。
换而言之，当使其发出蓝色的光时，应供给发光元件1A的能量为200mW/sr/m2左右；当使其发出绿色的光时，应供给发光元件1A的能量为40mW/sr/m2左右；进一步地，当使其发出红色的光时，应供给发光元件1A的能量为100mW/sr/m2左右，因此，当使其发出可见光时，应供给发光元件1A的能量需要设定为40mW/sr/m2～200mW/sr/m2左右的总量。
因此，从供给至发光元件1A的能量的角度来看，优选使发光元件1A发出绿色光。由此，能够以卓越的能量效率使发光元件1A发出5cd/m2以上的可见光。另外，也可以使用可见光相机来进行观察。在使用可见光相机来观察发光元件1A的可见光的发光的情况下，优选使发光元件1A发出蓝色光。可见光相机由于测量通过发光元件1A的发光所产生的能量，因此在发光元件1A发出同一辉度的光的情况下，通过观察作为短波长的蓝色光，从而能够以卓越的灵敏度观察发光元件1A的发光。进而，在用肉眼观察发光元件1A的可见光的发光的情况下，优选使发光元件1A发出绿色光，更优选使其发出白色光。由此，能够降低检查者的眼睛的负担。
另外，在本发明中，当获得作为发出光的5cd/m2以上的可见光时，在阳极3与阴极8之间通电时的电流密度被设定为300mA/cm2以下。这是因为，拣出发光装置100的缺陷品的出厂前检查通常在较长时间(例如30秒以上)的连续亮灯下实施。
为此，例如如果以500mA/cm2左右的电流密度在阳极3与阴极8之间通电，则由于蓄积的热，发光元件内部的温度会超过构成各层的构成材料的Tg。其结果，发光元件的各层带有流动性，起因于此，发光元件的发光效率有可能降低。
对此，通过将所述电流密度设定为300mA/cm2以下，从而在出厂前检查时，即使实施了长时间的连续亮灯，也能够抑制或防止各层因热而带有流动性，因此，确实地抑制或防止了发光元件1A的发光效率的降低。
需要注意的是，所述电流密度设定为300mA/cm2以下即可，但优选设定为200mA/cm2以下，更优选设定为100mA/cm2以下。由此，能够使上述效果更显著地发挥。
(认证装置)
另外，如上所述，本发明的发光装置可应用于显示器装置(显示装置)，但除此以外，还能够应用于认证装置。以下，说明将本发明的发光装置应用于认证装置时的实施方式。
图3为示出应用了本发明的发光装置的认证装置的实施方式的图。
图3所示的认证装置1000是使用生物体F(本实施方式中为指尖)的生物体信息来认证个人的生物体认证装置。
该认证装置1000具有光源100B、盖玻璃(カバーガラス)1001、微透镜阵列1002、光接收元件组1003、发光元件驱动部1006、光接收元件驱动部1004、以及控制部1005。
光源100B具备多个上述发光装置100所具有的发光元件1A，朝作为摄像目标物的生物体F通过面发光而照射近红外区域的光。例如，该光源100B的多个发光元件1A沿着盖玻璃1001的外周部配置。
盖玻璃1001是生物体F接触或接近的部位。
微透镜阵列1002设置于盖玻璃1001的与生物体F接触或接近一侧相反的一侧。该微透镜阵列1002构成为多个微透镜呈矩阵状排列。
光接收元件组1003设置于微透镜阵列1002的与盖玻璃1001相反的一侧。该光接收元件组1003由与微透镜阵列1002的多个微透镜相对应地设置成矩阵状的多个光接收元件构成。作为该光接收元件组1003的各个光接收元件，可以使用例如CCD(电荷耦合器件，Charge Coupled Device)、CMOS等。
发光元件驱动部1006是驱动光源100B的驱动电路。
光接收元件驱动部1004是驱动光接收元件组1003的驱动电路。
控制部1005例如为MPU，具有控制发光元件驱动部1006以及光接收元件驱动部1004的驱动的功能。
此外，控制部1005具有通过将光接收元件组1003的光接收结果与预先存储的生物体认证信息进行比较来进行生物体F的认证的功能。
例如，控制部1005基于光接收元件组1003的光接收结果，生成与生物体F相关的图像图案(例如静脉图案)。然后，控制部1005将该图像图案与作为生物体认证信息而预先存储的图像图案进行比较，从而基于该比较结果来进行生物体F的认证(例如静脉认证)。
通过这样的具备光源100B的认证装置1000，能够使用近红外光来进行生物体认证，将本发明的发光装置应用于具备该光源100B的认证装置1000，从而能够使用本发明的检查方法来检查认证装置1000(光源100B)是否为缺陷品。
并且，这样的认证装置1000可组装在各种电子设备中。
(电子设备)
图4为示出应用了本发明电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的构成的立体图。
在该图中，个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104、以及具备显示部的显示单元1106构成，显示单元1106通过铰链结构部而可旋转地支撑于主体部1104。
在该个人计算机1100中，上述认证装置1000设置于主体部1104。
根据这样的个人计算机1100，由于具备高效且长寿命的发光元件1A，从而可靠性优异。
需要注意的是，除图4的个人计算机(移动型个人计算机)之外，本发明的电子设备还可应用于例如：便携式电话、数码相机、电视、摄像机、取景器型、监控直观型的录像机、轻便型(laptop type)个人计算机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本(也含带有通信功能的)、电子词典、计算器、电子游戏机、文字处理器、工作站、可视电话、安全防范监控电视、电子双眼望远镜、POS终端、具备触屏的设备(例如金融机构的自动提款机、自动售票机)、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、脉搏计测装置、脉波计测装置、心电显示装置、超声波诊断装置、内窥镜用显示装置)、鱼群探测器、各种测量仪器、仪器仪表类(例如车辆、飞机、轮船的仪器仪表类)、飞行模拟器、其它各种监控类、投影仪等投影型显示装置等。
以上基于图示的实施方式，对本发明的发光装置、电子设备以及检查方法进行了说明，但本发明并不仅限于此。
例如，本发明的发光装置还可用作照明用的光源。
实施例
接下来，对本发明的具体实施例进行说明。
1.发光材料的制造(IRD-15的制造)
[化学式28]
合成(A1-1)
将发烟硝酸1500ml加入5升的烧瓶中并冷却。向其中分批添加硫酸1500ml，使之保持为10℃～50℃。进而，用一个小时将作为原料的二溴苯并噻二唑(ジブロモベンゾチアジアゾール)、即化合物(a)150g一点点地添加到其中。此时，溶液温度变为5℃以下。在添加了全部量之后，于室温(25℃)下反应20个小时。反应后，将反应液注入至3kg冰中，搅拌一晚。然后，过滤并用甲醇、庚烷清洗。
使过滤残留物在200ml的甲苯中热溶解，之后，渐冷至室温之后过滤，将残留物用少量的甲苯清洗后，使其减压干燥。
由此，得到HPLC纯度95％的化合物(b)(4,7-二溴-5,6-二硝基-苯并[1,2,5]噻二唑)60g。
合成(A1-2)
在Ar下，将所得到的作为二溴体的化合物(b)30g和三苯胺的硼酸物质160g、甲苯2500ml、2M碳酸铯水溶液(152g/(蒸馏水)234ml)加入5升的烧瓶中，在90℃下使之反应一晚。反应后进行过滤、分液、浓缩，用硅胶柱(SiO2 5kg)分离所得到的粗品(粗体)52g，得到红紫色固体。
由此，得到HPLC纯度96％的化合物(c)(5,6-二硝基-4,7-二苯基-苯并[1,2,5]噻二唑)6g。
合成(A1-3)
在Ar下，将所得到的作为二硝基体的化合物(c)6g、还原铁7g、醋酸600ml加入1升的烧瓶中，在80℃下使之反应4个小时并冷却至室温。反应后，将反应液注入至离子交换水1.5升中，并向其中进一步添加乙酸乙酯1.5升。添加后，由于析出固体，所以添加四氢呋喃1升和食盐300g，并分液。水层用1升的四氢呋喃再提取(再抽出)。将浓缩干燥后的物质再次用少量的水、甲醇清洗，得到橙色固体。
由此，得到HPLC纯度80％的化合物(d)(4,7-二苯基-苯并[1,2,5]噻二唑基-5,6-二胺)7g。
合成(A1-4)
在Ar下，将所得到的作为二胺体的化合物(d)4.5g、苯偶酰3.7g、作为溶剂的醋酸300ml加入1升的烧瓶中，在80℃下使它们反应2个小时。反应后，使其冷却至室温，将反应液注入至1升的离子交换水中，对结晶进行过滤、水洗，得到7g的黑绿色固体。然后，用硅胶柱(SiO2 1kg)对该黑绿色固体进行提纯。
由此，得到HPLC纯度99％的化合物(e)(由上述式IRD-15表示的化合物)4g。对该化合物(e)进行了质量分析，结果为M+：492。
进而，在设定温度340℃下对所得到的化合物(e)进行升华提纯。该升华提纯后的化合物(e)的HPLC纯度为99％。
(IRD-24的制造)
[化学式29]
在前述的上述式IRD-15的合成中，代替在合成(A1-4)中使用的苯偶酰而使用了1，2-苯醌，除此以外，与上述的IRD-15的合成同样地进行了合成。由此，得到了由上述IRD-24表示的化合物。
(IRD-31的制造)
通过以下的工序1～6，合成了由上述式IRD-31表示的吡咯甲川类硼络合物。
[工序1]乙酯体(5-甲基噻吩-2-甲酸乙酯(5-Methyl-thiophene-2-carboxylicacid ethyl ester))的合成
[化学式30]
Ar气气流之下，在1升的三颈烧瓶中，将2-甲基噻吩(1.7g、0.175mol)加入脱水THF(150ml)中，冷却至-65℃。之后，在-60℃以下滴加1.6M的n-BuLi己烷溶液(120ml、0.19mol)，直接搅拌1个小时。
接着，将2-氯甲酸乙酯(C2H5OCOCI：2.1g、0.19mol)加入脱水THF(10ml)中，冷却至-55℃以下。在-50℃以下，将该溶液滴加进之前的溶液。滴加后，中止反应液的冷却，过一夜使之上升至室温。
反应后，在溶液中滴加水50ml并搅拌。在分液漏斗中分馏有机层后，在减压下进行浓缩操作。
将得到的粗品(35g)在硅胶层析(500g、展开：CH2Cl2/Hep＝1/2→CH2Cl2/Hep＝1/1)中提纯，得到作为目标物的乙酯体(收量8.1g、收率27％)。
[工序2]酰肼体(5-甲基噻吩-2-甲酸酰肼(5-Methyl-thiophene-2-carboxylicacid hydrazide))的合成
[化学式31]
Ar气流下，在300ml的三颈烧瓶中，将工序1中得到的乙酯体(8.1g、48mmol)悬浮在乙醇(100ml)中，加入NH2NH2·H2O(7ml、140mmol)，在78℃中加温，使之反应一夜。监视该反应液，确认乙酯体消失后，冷却至室温。
将反应液转移到1升的烧杯中，加入300ml的CH2Cl2和100ml的蒸馏水，搅拌。全部转移到1升的分液漏斗中分馏有机层，用蒸馏水清洗两次。最后，分馏有机层后，浓缩，添加20ml左右的庚烷，沉淀后过滤，得到作为目标物的酰肼体(收量3g、收率40％)。
[工序3]中间体(5-甲基噻吩-2-甲酸[1-(2-羟基-4-甲氧基苯基)-乙叉基]-酰肼(5-Methyl-thiophene-2-carboxylic acid[1-(2-hydroxy-4-methoxy-phenyl)-ethylidene]-hydrazide))的合成
[化学式32]
Ar气流下，在30ml的三颈烧瓶中，加入工序2中得到的酰肼体(2.64g、16.9mmol)和2-羟基-4-甲氧基苯乙酮(2.84g、17.1mmol)，在外温80℃中搅拌10个小时。
冷却至室温后，为了从反应液中取出而使用THF，减压浓缩后加入庚烷，使之沉淀，得到作为目标物的中间体(收量4.4g、收率85％)。
[工序4]二酮体(1-[4-甲氧基-2-(5-甲基噻吩-2-羰基)-苯基]-乙酮(1-[4-Methoxy-2-(5-methyl-thiophene-2-carbonyl)-phenyl]-ethanone))的合成
[化学式33]
Ar气流下，在100ml的三颈烧瓶中，将工序3中得到的中间体(2.25g、7.39mmol)悬浮在脱水THF(35ml)中，在30℃以下缓缓加入Pb(OAc)4(3.93g、8.86mmol)。搅拌一夜后，过滤反应液，将滤液减压浓缩后用CH2Cl2(100ml)和蒸馏水(100ml)清洗和提取，通过浓缩得到作为目标物的二酮体(收量2.2g)。
[工序5]前驱体的合成
[化学式34]
Ar气流下，在100ml的三颈烧瓶中，将工序4中得到的二酮体(3.0g、10.9mmol)加入到乙酸30ml和EtOH(100ml)中，以内温65℃加热。之后，加入乙酸铵(5.1g、66.4mmol)和氯化铵(583mg、10.9mmol)，直接搅拌5个小时。进而，将反应温度升至85℃，搅拌约1个小时。
将反应液冷却至室温，减压下进行浓缩操作。将水(300ml)注入残留物，用CH2Cl2进行提取操作。将得到的有机层在减压下进行浓缩操作，将得到的粗品在硅胶层析(100g、展开：CH2Cl2→CH2Cl2+THF(50：50))中进行提纯，得到作为目标物的前驱体(收量830mg、收率29％)。
[工序6]IRD-31的合成
[化学式35]
Ar气流下，在100ml的三颈烧瓶中，将工序5中得到的前驱体(830mg、1.58mmol)在脱水CH2CL2(100ml)中溶解，冷却至5℃。并且，顺序滴加N，N-二异丙基乙胺(611mg、4.73mmol)和BF3·OEt2(1.34g、9.46mmol)，升温至室温。搅拌大约2个小时后，加入水(100ml)进行清洗操作。将得到的有机层在硅胶层析(100g，展开CH2Cl2)中进行提纯，得到目标物、即由上述式IRD-31所表示的化合物(收量600mg、收率70％)。
(IRD-41的制造)
通过以下的工序1～6，合成了由上述式IRD-41表示的苯并双噻二唑类化合物。
[工序1]
[化学式36]
首先，将发烟硝酸(97％)345ml装入至1升的三颈烧瓶中，冷却至内温5℃。在内温10℃以下向其中慢慢地分批添加浓硫酸(95％)(345ml)。添加结束后，室温搁置，搅拌一夜。
接着，向冰水(1升)中注入反应液，过滤固体。向所得到的固体(30g)中添加甲苯(100ml)，通过再结晶而得到了目标物(收量16g，收率33％)。
[工序2]
[化学式37]
首先，在Ar气体下，在1升的三颈烧瓶中，使4-溴三苯胺(25g，77mmol)溶解于脱水THF(500ml)中，冷却至-78℃。在内温-60℃以下向其中滴加1.6Mn-BuLi己烷溶液(52.5ml，84.5mmol)，直接搅拌30分钟。之后，在内温-60℃以下滴加三丁基氯化锡(IV)(25.1g，77mmol)。滴加后，使其上升至室温，并搅拌一夜。
接着，将NaF(4.20g，100mmol)溶解于水(500ml)中，向其中注入反应液。添加甲苯(250ml)并搅拌1个小时之后，分馏有机层，再次用水(250ml×2)清洗有机层。通过对所得到的有机层在减压下进行浓缩操作，从而得到目标物(收量42g)。
[工序3]
[化学式38]
首先，在Ar气体下，在500ml的三颈烧瓶中，将二溴体(7.5g，19.5mmol)和锡体(工序2的产物)(25.1g，50mmol)溶解于二噁烷(350ml)中，向其中添加Pd(PPh3)4(1.13g，0.975mmol)，升温至内温95℃，并搅拌一夜。
接着，冷却至室温后，减压下浓缩反应液。用甲苯清洗所得到的固体，之后，通过使用甲苯400ml进行再结晶而得到目标物(收量7.8g，收率56％)。
[工序4]
[化学式39]
首先，在Ar气体下，在300ml的三颈烧瓶中添加乙酸(200ml)和Fe(10.2g，182mmol)，升温至内温65℃。向其中慢慢地分批添加在工序3中得到的二硝基体(10.1g，14.2mmol)，并升温至80℃，直接搅拌3个小时。
接着，将反应液冷却至室温后，注入至水(300ml)中。之后，过滤固体(包含Fe)。使用THF(300ml)从该固体提取有机物，减压下进行浓缩。向所得到的残留物中添加甲苯(150ml)，通过再次在减压下进行浓缩而得到目标物(收量7.2g，收率78％)。
[工序5]
[化学式40]
Ar气体下，在300ml的三颈烧瓶中，将工序4中得到的二胺体(7.21g，11.0mmol)溶解于脱水吡啶(180ml)中，并添加N-亚磺酰苯胺(1.69g，12mmol)和三甲基氯硅烷(2.4g，22mmol)。之后，升温至内温80℃，并搅拌一夜。
将反应液冷却至室温后，注入至水(200ml)中。滤取析出晶体，用THF清洗固体，得到了3.8g的固体。
通过硅胶层析(硅胶100g，展开溶剂氯苯)进行提纯。
最后，通过使用了二甲苯的再沉淀法进行提纯，从而得到作为目标物的由上述化学式IRD-41表示的化合物(收量2.2g，收率30％)。
2.发光元件的制造
(实施例1)
〈1〉首先，准备好平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着，在该基板上，通过溅射法形成平均厚度为100nm的ITO电极(阳极)。
然后，将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇中，进行超声波清洗后，实施氧等离子体处理以及氩等离子体处理。这些等离子体处理分别在将基板加温至70℃～90℃的状态、和等离子体功率为100W、气流量为20sccm、处理时间为5sec下进行。
〈2〉接着，通过真空蒸镀法将上述式HIL-1所表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度为50nm的空穴注入层。
〈3〉接着，通过真空蒸镀法将发光层的构成材料蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度为25nm的发光层。作为发光层的构成材料，使用由上述式IRD-15所表示的化合物(噻二唑类化合物1)作为发光材料(客体材料)，使用由上述式H-5所表示的化合物(并四苯类材料)作为主体材料。并且，将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为2.0wt％。
〈4〉接着，通过真空蒸镀法，使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)在发光层上成膜，形成平均厚度为80nm的电子传输层(第一电子传输层)。
〈5〉接着，通过真空蒸镀法，使氟化锂(LiF)在电子传输层上成膜，形成平均厚度为1nm的电子注入层。
〈6〉接着，通过真空蒸镀法，使Al在电子注入层上成膜。由此，形成由Al构成的平均厚度为100nm的阴极。
〈7〉接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的保护罩(密封部件)，并通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制得底部发光型的发光元件。
(实施例2)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为1.0wt％以外，与上述实施例1同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例3)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为0.5wt％以外，与上述实施例1同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例4)
除了在上述工序＜4＞中通过真空蒸镀法使由上述式ETL2-30表示的化合物(蒽类化合物)成膜之后再通过真空蒸镀法使由上述式ETL1-3表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)成膜而形成了在平均厚度为25nm的第二电子传输层上层叠有平均厚度为5nm的第一电子传输层的电子传输层以外，与上述实施例1同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例5)
除了在上述工序＜4＞中通过真空蒸镀法使由上述式ETL2-30表示的化合物(蒽类化合物)成膜之后再通过真空蒸镀法使由上述式ETL1-3表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)成膜而形成了在平均厚度为20nm的第二电子传输层上层叠有平均厚度为5nm的第一电子传输层的电子传输层以外，与上述实施例1同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例6)
除了在上述工序＜4＞中通过真空蒸镀法使由上述式ETL2-30表示的化合物(蒽类化合物)成膜之后再通过真空蒸镀法使由上述式ETL1-3表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)成膜而形成了在平均厚度为20nm的第二电子传输层上层叠有平均厚度为5nm的第一电子传输层的电子传输层以外，与上述实施例3同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例7)
除了在上述工序＜2＞中形成平均厚度为30nm的空穴注入层、并在上述工序＜4＞中通过真空蒸镀法使由上述式ETL2-30表示的化合物(蒽类化合物)成膜之后再通过真空蒸镀法使由上述式ETL1-3表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)成膜而形成了在平均厚度为55nm的第二电子传输层上层叠有平均厚度为5nm的第一电子传输层的电子传输层以外，与上述实施例1同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例8)
〈1〉首先，准备好平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着，在该基板上，通过溅射法形成平均厚度为10nm的ITO电极(阳极)。
然后，将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇中，进行超声波清洗后，实施氧等离子体处理以及氩等离子体处理。这些等离子体处理分别在将基板加温至70℃～90℃的状态、和等离子体功率为100W、气流量为20sccm、处理时间为5sec下进行。
〈2〉接着，通过真空蒸镀法将上述式HIL-1所表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度为30nm的空穴注入层。
〈3〉接着，通过真空蒸镀法将发光层的构成材料蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度为25nm的发光层。作为发光层的构成材料，使用由上述式IRD-15所表示的化合物(噻二唑类化合物1)作为发光材料(客体材料)，使用由上述式H-5所表示的化合物(并四苯类材料)作为主体材料。并且，将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为1.0wt％。
〈4〉接着，通过真空蒸镀法，使由上述式ETL2-30所表示的化合物(蒽类化合物)在发光层上成膜之后，通过真空蒸镀法使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)成膜，从而形成在平均厚度为55nm的第二电子传输层上层叠有平均厚度为5nm的第一电子传输层的电子传输层。
〈5〉接着，通过真空蒸镀法，使氟化锂(LiF)在电子传输层上成膜，形成平均厚度为1nm的电子注入层。
〈6〉接着，通过真空蒸镀法，使Mg和Ag以1:20的重量比成膜于电子注入层上。由此，形成由MgAg构成的平均厚度为20nm的阴极。
〈7〉接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的保护罩(密封部件)，并通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制得顶部发光型的发光元件。
(实施例9)
除了在上述工序＜1＞中形成了平均厚度为20nm的ITO电极以外，与上述实施例8同样地制得顶部发光型的发光元件。
(实施例10)
除了在上述工序＜1＞中形成了平均厚度为30nm的ITO电极以外，与上述实施例8同样地制得顶部发光型的发光元件。
(实施例11)
除了在上述工序＜1＞中形成了平均厚度为70nm的ITO电极以外，与上述实施例8同样地制得顶部发光型的发光元件。
(实施例12)
〈1〉首先，准备好平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着，在该基板上，通过溅射法形成平均厚度为100nm的ITO电极(阳极)。
然后，将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇中，进行超声波清洗后，实施氧等离子体处理以及氩等离子体处理。这些等离子体处理分别在将基板加温至70℃～90℃的状态、和等离子体功率为100W、气流量为20sccm、处理时间为5sec下进行。
〈2〉接着，通过真空蒸镀法将上述式HIL-1所表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度为60nm的空穴注入层。
〈3〉接着，通过真空蒸镀法将发光层的构成材料蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度为25nm的发光层。作为发光层的构成材料，使用由上述式IRD-24所表示的化合物(噻二唑类化合物2)作为发光材料(客体材料)，使用由上述式H-5所表示的化合物(并四苯类材料)作为主体材料。并且，将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为4.0wt％。
〈4〉接着，通过真空蒸镀法，使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)在发光层上成膜，形成平均厚度为90nm的电子传输层(第一电子传输层)。
〈5〉接着，通过真空蒸镀法，使氟化锂(LiF)在电子传输层上成膜，形成平均厚度为1nm的电子注入层。
〈6〉接着，通过真空蒸镀法，使Al在电子注入层上成膜。由此，形成由Al构成的平均厚度为100nm的阴极。
〈7〉接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的保护罩(密封部件)，并通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制得底部发光型的发光元件。
(实施例13)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为2.0wt％以外，与上述实施例12同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例14)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为1.0wt％以外，与上述实施例12同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例15)
除了在上述工序＜3＞中形成平均厚度为40nm的发光层、并在上述工序＜4＞中形成平均厚度为75nm的电子传输层(第一电子传输层)以外，与上述实施例14同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例16)
除了在上述工序＜3＞中形成平均厚度为60nm的发光层、并在上述工序＜4＞中形成平均厚度为55nm的电子传输层(第一电子传输层)以外，与上述实施例14同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例17)
〈1〉首先，准备好平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着，在该基板上，通过溅射法形成平均厚度为18nm的ITO电极(阳极)。
然后，将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇中，进行超声波清洗后，实施氧等离子体处理以及氩等离子体处理。这些等离子体处理分别在将基板加温至70℃～90℃的状态、和等离子体功率为100W、气流量为20sccm、处理时间为5sec下进行。
〈2〉接着，通过真空蒸镀法将上述式HIL-1所表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度为70nm的空穴注入层。
〈3〉接着，通过真空蒸镀法将发光层的构成材料蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度为25nm的发光层。作为发光层的构成材料，使用由上述式IRD-24所表示的化合物(噻二唑类化合物2)作为发光材料(客体材料)，使用由上述式H-5所表示的化合物(并四苯类材料)作为主体材料。并且，将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为2.0wt％。
〈4〉接着，通过真空蒸镀法，使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)在发光层上成膜，形成平均厚度为70nm的电子传输层(第一电子传输层)。
〈5〉接着，通过真空蒸镀法，使氟化锂(LiF)在电子传输层上成膜，形成平均厚度为1nm的电子注入层。
〈6〉接着，通过真空蒸镀法，使Mg和Ag按1:20的重量比在电子注入层上成膜。由此，形成由MgAg构成的平均厚度为20nm的阴极。
〈7〉接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的保护罩(密封部件)，并通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制得顶部发光型的发光元件。
(实施例18)
除在上述工序＜1＞中形成了平均厚度为25nm的ITO电极以外，与上述实施例17同样地制得顶部发光型的发光元件。
(实施例19)
除了在上述工序＜1＞中形成了平均厚度为30nm的ITO电极以外，与上述实施例17同样地制得顶部发光型的发光元件。
(实施例20)
〈1〉首先，准备好平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着，在该基板上，通过溅射法形成平均厚度为100nm的ITO电极(阳极)。
然后，将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇中，进行超声波清洗后，实施氧等离子体处理以及氩等离子体处理。这些等离子体处理分别在将基板加温至70℃～90℃的状态、和等离子体功率为100W、气流量为20sccm、处理时间为5sec下进行。
〈2〉接着，通过真空蒸镀法将上述式HIL-1所表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度为50nm的空穴注入层。
〈3〉接着，通过真空蒸镀法将发光层的构成材料蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度为25nm的发光层。作为发光层的构成材料，使用由上述式IRD-31所表示的化合物(吡咯甲川类硼络合物)作为发光材料(客体材料)，使用由上述式H-5所表示的化合物(并四苯类材料)作为主体材料。并且，将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为1.0wt％。
〈4〉接着，通过真空蒸镀法，使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)在发光层上成膜，形成平均厚度为80nm的电子传输层(第一电子传输层)。
〈5〉接着，通过真空蒸镀法，使氟化锂(LiF)在电子传输层上成膜，形成平均厚度为1nm的电子注入层。
〈6〉接着，通过真空蒸镀法，使Al在电子注入层上成膜。由此，形成由Al构成的平均厚度为1000nm的阴极。
〈7〉接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的保护罩(密封部件)，并通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制得底部发光型的发光元件。
(实施例21)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为0.5wt％以外，与上述实施例20同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例22)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为0.25wt％以外，与上述实施例20同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例23)
〈1〉首先，准备好平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着，在该基板上，通过溅射法形成平均厚度为100nm的ITO电极(阳极)。
然后，将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇中，进行超声波清洗后，实施氧等离子体处理以及氩等离子体处理。这些等离子体处理分别在将基板加温至70℃～90℃的状态、和等离子体功率为100W、气流量为20sccm、处理时间为5sec下进行。
〈2〉接着，通过真空蒸镀法将上述式HIL-1所表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度为70nm的空穴注入层。
〈3〉接着，通过真空蒸镀法将发光层的构成材料蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度为25nm的发光层。作为发光层的构成材料，使用由上述式IRD-41所表示的化合物(苯并双噻二唑类化合物)作为发光材料(客体材料)，使用由上述式H-5所表示的化合物(并四苯类材料)作为主体材料。并且，将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为2.0wt％。
〈4〉接着，通过真空蒸镀法，使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)在发光层上成膜，形成平均厚度为95nm的电子传输层(第一电子传输层)。
〈5〉接着，通过真空蒸镀法，使氟化锂(LiF)在电子传输层上成膜，形成平均厚度为1nm的电子注入层。
〈6〉接着，通过真空蒸镀法，使Al在电子注入层上成膜。由此，形成由Al构成的平均厚度为100nm的阴极。
〈7〉接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的保护罩(密封部件)，并通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制得底部发光型的发光元件。
(实施例24)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为1.0wt％以外，与上述实施例23同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例25)
除了将发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)设为0.5wt％以外，与上述实施例23同样地制得底部发光型的发光元件。
(实施例26)
除了在上述工序＜4＞中通过真空蒸镀法使由上述式ETL2-30所表示的化合物(蒽类化合物)成膜之后再通过真空蒸镀法使由上述式ETL1-3所表示的化合物(氮杂吲哚嗪类化合物)成膜而形成了在平均厚度为90nm的第二电子传输层上层叠有平均厚度为5nm的第一电子传输层的电子传输层以外，与上述实施例23同样地制得底部发光型的发光元件。
3.评价
对于各实施例的发光元件，使用恒流源(株式会社东阳制造KEITHLEY2400)，分别使50mA/cm2、100mA/cm2、以及300mA/cm2的恒流流经发光元件，并使用小型光纤光学分光器(柯尼卡美能达公司制造S2000)测量各发光元件中的发光光谱作为发光能量(mW/sr/m2)。
然后，将对各实施例的发光元件测得的50mA/cm2、100mA/cm2、以及300mA/cm2下的发光光谱分别从发光能量(mW/sr/m2)换算成发光辉度(cd/m2)，并根据换算成发光辉度(cd/m2)的发光光谱求出可见光(400nm～600nm)中的发光辉度(cd/m2)。
将其结果示于表1。
[表1]
由表1明显可知，各实施例的发光元件分别在流过300mA/cm2的恒流时，可发出5cd/m2以上的可见光。
另外，如实施例2、3、13、14、21、22、24、25所示，显然通过将发光层中的发光材料的浓度设定为低浓度而实现了发光辉度的提高。进而，如实施例4～7、15、16、26所示，通过改变发光层及空穴注入层的膜厚、或者改变电子传输层的层结构，也显然实现了发光辉度的提高。另外，如实施例8～11、17～19所示可知，本发明不仅能够适用于底部发光型的发光元件，而且还可以适用于顶部发光型的发光元件。
接着，将对各实施例的发光元件测得的、300mA/cm2下的发光光谱示于图5～图17。需要说明的是，各图中，左侧曲线图是基于发光能量(W/sr/m2)的发光光谱，右侧曲线图是基于发光辉度(cd/m2)的发光光谱。
然后，根据对各实施例的发光元件测得的300mA/cm2下的发光光谱分别求出可见光(400nm～600nm)中的发光辉度(cd/m2)、发光能量(W/sr/m2)的最大值以及发光辉度(cd/m2)的最大值(参照表2-1)。
进而，根据这些结果，对于为了使发光元件具有5cd/m2以上、10cd/m2以上、进而30cd/m2以上的发光辉度所需的发光能量(W/sr/m2)的最大值以及发光辉度(cd/m2)的最大值，通过求出各自的平均(Ave.)+3标准偏差(σ)的值而得到(参照表2-2～2-4)。
将其结果示于表2。
[表2]
由表2明显可知，要使发光元件具有5cd/m2以上的发光辉度，发光能量(W/sr/m2)的最大值以及发光辉度(cd/m2)的最大值必须分别为2.614E-04(W/sr/m2)以上以及1.274E-01(cd/m2)以上；另外，要使发光元件具有10cd/m2以上的发光辉度，发光能量(W/sr/m2)的最大值以及发光辉度(cd/m2)的最大值必须分别为5.229E-04(W/sr/m2)以上以及2.549E-01(cd/m2)以上；进一步地，要使发光元件具有30cd/m2以上的发光辉度，发光能量(W/sr/m2)的最大值以及发光辉度(cd/m2)的最大值必须分别为1.569E-03(W/sr/m2)以上以及7.646E-01(cd/m2)以上。
符号说明
1A…发光元件、3…阳极、4…空穴注入层、5…发光层、6…电子传输层、6a…第二电子传输层、6b…第一电子传输层、7…电子注入层、8…阴极、14…层叠体、20…密封基板、21…基板、22…平坦化层、24…驱动用晶体管、27…布线、31…分隔壁、32…反射膜、33…防腐蚀膜、34…阴极罩、35…环氧层、100…发光装置、100B…光源、241…半导体层、242…栅极绝缘层、243…栅电极、244…源电极、245…漏电极、1000…认证装置、1001…盖玻璃、1002…微透镜阵列、1003…光接收元件组、1004…光接收元件驱动部、1005…控制部、1006…发光元件驱动部、1100…个人计算机、1102…键盘、1104…主体部、1106…显示单元、F…生物体。

Claims (9)

1.一种发光装置，其特征在于，
具备发光元件，
所述发光元件具有阳极、阴极、发光层以及电子传输层，所述发光层设于所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极与所述阴极之间通电，所述发光层发出近红外区域的光，所述电子传输层设于所述发光层与所述阴极之间，
所述电子传输层具有第一电子传输层和设于所述第一电子传输层和所述发光层之间的第二电子传输层，
所述第一电子传输层通过含有具有蒽骨架的化合物而构成，
当在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时，所述发光装置发出5cd/m2以上的可见光，
所述第二电子传输层的厚度比所述第一电子传输层的厚度厚，所述第二电子传输层的厚度是30nm以上150nm以下。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光层构成为包括发光材料和保持所述发光材料的主体材料。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述发光材料包括由以下通式(IRD-1)表示的化合物、由以下通式(IRD-2)表示的化合物、由以下通式(IRD-3)表示的化合物、以及由以下通式(IRD-4)表示的化合物中的至少一种，
所述通式(IRD-1)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团，
所述通式(IRD-2)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团，
所述通式(IRD-3)中，X表示结合有氢的碳原子、或氮原子，R表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、烯丙基、烷氧基或者杂环基，
所述通式(IRD-4)中，各R分别独立地表示苯基、苯硫基、呋喃基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。
4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述主体材料包括由以下式IRH-1表示的化合物，
所述式IRH-1中，n表示1～12的自然数，R分别独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳胺基。
5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述发光层中的所述发光材料的含量为4.0wt％以下。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述电子传输层的厚度为20nm以上200nm以下。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光层的厚度为5nm以上100nm以下。
8.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至7中任一项所述的发光装置。
9.一种检查方法，其特征在于，在权利要求1至7中任一项所述的发光装置中，通过在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度通电并观察所发出的5cd/m2以上的可见光来进行检查。
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