CN106450032A - Oled显示器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED显示器及其制作方法。本发明的OLED显示器，薄膜封装层中每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，每一台阶区上设置有覆盖该台阶区的类金刚石层，即本发明将类金刚石应用于侧向封装，薄膜封装层中每一有机缓冲层的外侧均设有一层类金刚石层，从而不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题。

Description

OLED显示器及其制作方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示器及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器。目前，从小尺寸的移动电话显示屏，到大尺寸高分辨率的平板电视，应用OLED显示面板都成为一种高端的象征。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。
目前对于OLED器件的封装，最常用的方法是利用紫外光固化胶加硬质封装基板(如玻璃或金属)覆盖封装，但是该方法并不适用于柔性器件，因此，也有技术方案采用无机/有机叠层的薄膜对OLED器件进行封装的薄膜封装(TFE)，其中该方法所选用的薄膜材料也多种多样，类金刚石(DLC)因具有良好的化学惰性、高热导率以及高致密度而被广泛应用于OLED封装结构之中。
例如，专利文件US20060078677公开了一种OLED封装结构，包括基板、设于基板上的OLED器件、及设于基板上并覆盖OLED器件的薄膜封装层，其中，所述薄膜封装层包括交替层叠的3层DLC层和2层含硅或氮的无机材料层，虽然这种层层交替的方式能够有效的阻隔外界的水氧，但由于DLC的透过率和阻隔水氧能力之间呈矛盾关系，对于顶发射器件，如果要增强DLC防水氧能力，这就意味着其透过率就会随之降低，而该专利对此问题并未进行明确说明。
再例如，3M公司在专利文件US20080196664上公开了一种OLED封装工艺，具体为，在OLED器件的阴极上依次覆盖粘合剂层、聚苯乙烯层、以及覆盖粘合剂层及聚苯乙烯层的DLC层，虽然这种封装方式也可以有效的阻隔外界的水氧侵蚀，然而这种封装方式和前述专利公开的一样，对DLC防水氧能力和透过率之间的关系缺乏说明。
再例如，最近，InnoLux公司在专利文件US20150340653上报道了一种DLC与其他无机材料交替的封装结构，该封装结构具体包括设在OLED器件上的有机覆盖层、及设置在有机覆盖层上的交替层叠的3层DLC层和2层无机层，对于该封装结构，DLC的加入能够有效的填充无机层中的裂缝，提高其阻隔水氧特性。然而，DLC以及其他无机层的制备工艺在该专利文件中却没有详细说明，同样这种结构如果用于顶发射元件，要保证DLC具有很高的阻隔水氧能力，那么它的透过率会随之下降，这样会增加光的损失，降低器件效率。
再例如，专利文件US20040056269公开了一种DLC与有机材料交替的封装结构，虽然这种结构可用于顶发射式柔性元件，但是该专利文件对于DLC的透过率方面也并未做详细说明。
因此，通过上述案例对DLC的应用进行详细总结后可以看出，目前DLC在OLED封装领域的应用基本采用DLC/无机或DLC/有机交替的结构，且DLC整面覆盖DLC下方的功能层，然而，这样的封装方式都会带来DLC阻隔水氧能力与透过率之间的矛盾。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器，薄膜封装层中有机缓冲层的外侧设有类金刚石层，不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题。
本发明的另一目的在于提供一种OLED显示器的制作方法，将类金刚石用于侧向封装，在薄膜封装层中有机缓冲层的外侧设置类金刚石层，不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示器，包括基板、设于所述基板上的OLED器件、及设于所述基板、及OLED器件上并覆盖OLED器件的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层；所述薄膜封装层中，每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层，无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置，无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置，且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层；
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小，从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
所述无机钝化层的材料为Al2O3、ZrO2、ZnO2、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO2，所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm；
所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm；
所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
所述薄膜封装层包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层
可选地，所述薄膜封装层包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层，该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层，该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层，该一层类金刚石层为第一类金刚石层；
所述第一无机钝化层对应所述第一有机缓冲层的外侧边缘与第一无机钝化层的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区，所述第一类金刚石层设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区。
可选地，所述薄膜封装层包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层，该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层，该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层，该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层；
所述第一无机钝化层对应所述第一有机缓冲层的外侧边缘与第一无机钝化层的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区，所述第一类金刚石层设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区；所述第二无机钝化层对应所述第二有机缓冲层的外侧边缘与第二无机钝化层的外侧边缘之间形成的台阶区为第二台阶区，所述第二类金刚石层设置于第二台阶区上并覆盖该第二台阶区。
本发明还提供一种OLED显示器的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供基板，在所述基板上形成OLED器件；
步骤2、在所述基板、及OLED器件上形成覆盖OLED器件的薄膜封装层，得到OLED显示器；
其中，所述薄膜封装层包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层；所述薄膜封装层中，每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层，无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置，无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置，且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层；
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小，从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
所述步骤2中，所述无机钝化层通过等离子体增强化学气相沉积法、原子力沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法形成，所述无机钝化层的材料为Al2O3、ZrO2、ZnO2、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO2，所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm；
所述步骤2中，所述有机缓冲层通过喷墨印刷、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷、或狭缝涂布形成，所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm；
所述步骤2中，所述类金刚石层利用掩模板通过沉积形成；所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
所述步骤2中形成的薄膜封装层包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层。
可选地，所述步骤2中形成的薄膜封装层包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层，该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层，该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层，该一层类金刚石层为第一类金刚石层；
所述步骤2具体包括：
步骤21、在所述基板、及OLED器件上形成覆盖OLED器件的第一无机钝化层；
步骤22、在所述第一无机钝化层上形成第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层的尺寸小于所述第一无机钝化层的尺寸，所述第一无机钝化层对应所述第一有机缓冲层的外侧边缘和第一无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成第一台阶区；
步骤23、在所述第一台阶区上形成覆盖第一台阶区的第一类金刚石层；
步骤24、在所述第一有机缓冲层、及第一类金刚石层上形成覆盖所述第一有机缓冲层、及第一类金刚石层的第二无机钝化层。
可选地，所述薄膜封装层包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层，该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层，该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层，该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层；
所述步骤2具体包括：
步骤21、在所述基板、及OLED器件上形成覆盖OLED器件的第一无机钝化层；
步骤22、在所述第一无机钝化层上形成第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层的尺寸小于所述第一无机钝化层的尺寸，所述第一无机钝化层对应所述第一有机缓冲层的外侧边缘和第一无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成第一台阶区；
步骤23、在所述第一台阶区上形成覆盖第一台阶区的第一类金刚石层；
步骤24、在所述第一有机缓冲层、及第一类金刚石层上形成覆盖所述第一有机缓冲层、及第一类金刚石层的第二无机钝化层；
步骤25、在所述第二无机钝化层上形成第二有机缓冲层，所述第二有机缓冲层的尺寸小于所述第二无机钝化层的尺寸，所述第二无机钝化层对应所述第二有机缓冲层的外侧边缘和第二无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成第二台阶区；
步骤26、在所述第二台阶区上形成覆盖第二台阶区的第二类金刚石层；
步骤27、在所述第二有机缓冲层、及第二类金刚石层上形成覆盖所述第二有机缓冲层、及第二类金刚石层的第三无机钝化层。
本发明的有益效果：本发明的OLED显示器，薄膜封装层中每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，每一台阶区上设置有覆盖该台阶区的类金刚石层，即本发明将类金刚石应用于侧向封装，薄膜封装层中每一有机缓冲层的外侧均设有一层类金刚石层，从而不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题，进而避免了类金刚石应用于封装时在阻隔水氧能力与透过率之间的矛盾；本发明的OLED显示器的制作方法，将类金刚石用于侧向封装，在薄膜封装层中有机缓冲层的外侧设置类金刚石层，不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题，从而能够获得高寿命的OLED器件，而且不会影响OLED器件光的输出。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED显示器的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明的OLED显示器的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明的OLED显示器的制作方法的流程示意图；
图4为本发明的OLED显示器的制作方法的第一、及第二实施例的步骤21的示意图；
图5为本发明的OLED显示器的制作方法的第一、及第二实施例的步骤22的示意图；
图6为本发明的OLED显示器的制作方法的第一、及第二实施例的步骤23的示意图；
图7为本发明的OLED显示器的制作方法的第二实施例的步骤25的示意图；
图8为本发明的OLED显示器的制作方法的第二实施例的步骤26的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，为本发明的OLED显示器的第一实施例的结构示意图，在本实施例中，所述OLED显示器包括基板100、设于所述基板100上的OLED器件200、及设于所述基板100、及OLED器件200上并覆盖OLED器件200的薄膜封装层300；
所述薄膜封装层300包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层；所述薄膜封装层300中，每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层，无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置，无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置，且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层；
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小，从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
本发明的OLED显示器，通过在薄膜封装层中每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的台阶区设置覆盖该台阶区的类金刚石层，即将类金刚石应用于侧向封装，使薄膜封装层中每一有机缓冲层的外侧均设有一层类金刚石层，从而不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题，进而避免了类金刚石应用于封装时在阻隔水氧能力与透过率之间的矛盾。
具体地，所述无机钝化层的材料为氧化铝(Al2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化锌(ZnO2)、氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCN)、氧化硅(SiOx)、或二氧化钛(TiO2)，所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm。
具体地，所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物(例如，压克力)、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm。
具体地，所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
具体地，所述薄膜封装层300包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层。
具体地，在本实施例中，所述薄膜封装层300包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层，该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层311、312，该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层321，该一层类金刚石层为第一类金刚石层331；
所述第一无机钝化层311对应所述第一有机缓冲层321的外侧边缘与第一无机钝化层311的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区，所述第一类金刚石层331设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区。
请参阅图2，为本发明的OLED显示器的第二实施例的结构示意图，与上述第一实施例相比，在本实施例中，所述薄膜封装层300包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层，该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层311、312、313，该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层321、322，该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层331、332。所述第一无机钝化层311对应所述第一有机缓冲层321的外侧边缘与第一无机钝化层311的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区，所述第一类金刚石层331设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区；所述第二无机钝化层312对应所述第二有机缓冲层322的外侧边缘与第二无机钝化层312的外侧边缘之间形成的台阶区为第二台阶区，所述第二类金刚石层332设置于第二台阶区上并覆盖该第二台阶区。其他与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
基于上述OLED显示器，请参阅图3，本发明还提供一种OLED显示器的制作方法，具体地，其第一实施例包括如下步骤：
步骤1、提供基板100，在所述基板100上形成OLED器件200。
步骤2、在所述基板100、及OLED器件200上形成覆盖OLED器件200的薄膜封装层300，得到OLED显示器。
其中，所述薄膜封装层300包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层；所述薄膜封装层300中，每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层，无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置，无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置，且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层；
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小，从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
本发明的OLED显示器的制作方法，将类金刚石应用于侧向封装，使薄膜封装层中每一有机缓冲层的外侧均设有一层类金刚石层，从而不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题，进而避免了类金刚石应用于封装时在阻隔水氧能力与透过率之间的矛盾。
具体地，所述步骤2中，所述无机钝化层通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、原子力沉积法(ALD)、脉冲激光沉积法(PLD)、或溅镀沉积法(Sputter)形成，所述无机钝化层的材料为Al2O3、ZrO2、ZnO2、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO2，所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm。
具体地，所述步骤2中，所述有机缓冲层通过喷墨印刷(IJP)、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷(Screen printing)、或狭缝涂布(slot coating)形成，所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物(例如，压克力)、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm。
具体地，所述步骤2中，所述类金刚石层利用掩模板通过沉积形成；所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
具体地，所述步骤2中形成的薄膜封装层300包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层。
具体地，在本实施例中，所述步骤2中形成的薄膜封装层300包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层，该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层311、312，该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层321，该一层类金刚石层为第一类金刚石层331。
从而，所述步骤2具体包括：
步骤21、如图4所示，在所述基板100、及OLED器件200上形成覆盖OLED器件200的第一无机钝化层311；
步骤22、如图5所示，在所述第一无机钝化层311上形成第一有机缓冲层321，所述第一有机缓冲层321的尺寸小于所述第一无机钝化层311的尺寸，所述第一无机钝化层311对应所述第一有机缓冲层321的外侧边缘和第一无机钝化层311的外侧边缘之间的部分形成第一台阶区；
步骤23、如图6所示，在所述第一台阶区上形成覆盖第一台阶区的第一类金刚石层331；
步骤24、在所述第一有机缓冲层321、及第一类金刚石层331上形成覆盖所述第一有机缓冲层321、及第一类金刚石层331的第二无机钝化层312，从而得到如图1所示的OLED显示器。
本发明的OLED显示器的制作方法的第二实施例，与上述第一实施例相比，所述步骤2中形成的薄膜封装层300包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层，该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层311、312、313，该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层321、322，该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层331、332；
从而，在本实施例中，与上述第一实施例相比，在进行步骤24之后，所述步骤2还包括：
步骤25、如图7所示，在所述第二无机钝化层312上形成第二有机缓冲层322，所述第二有机缓冲层322的尺寸小于所述第二无机钝化层312的尺寸，所述第二无机钝化层312对应所述第二有机缓冲层322的外侧边缘和第二无机钝化层312的外侧边缘之间的部分形成第二台阶区；
步骤26、如图8所示，在所述第二台阶区上形成覆盖第二台阶区的第二类金刚石层332；
步骤27、在所述第二有机缓冲层322、及第二类金刚石层332上形成覆盖所述第二有机缓冲层322、及第二类金刚石层332的第三无机钝化层313，从而得到如图2所示的OLED显示器。
综上所述，本发明的OLED显示器，薄膜封装层中每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，每一台阶区上设置有覆盖该台阶区的类金刚石层，即本发明将类金刚石应用于侧向封装，薄膜封装层中每一有机缓冲层的外侧均设有一层类金刚石层，从而不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题，进而避免了类金刚石应用于封装时在阻隔水氧能力与透过率之间的矛盾；本发明的OLED显示器的制作方法，将类金刚石用于侧向封装，在薄膜封装层中有机缓冲层的外侧设置类金刚石层，不但能够有效阻隔外界水氧从侧面对OLED器件的伤害，而且避免了顶发射器件的光经过类金刚石而造成损失的问题，从而能够获得高寿命的OLED器件，而且不会影响OLED器件光的输出。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示器，其特征在于，包括基板(100)、设于所述基板(100)上的OLED器件(200)、及设于所述基板(100)、及OLED器件(200)上并覆盖OLED器件(200)的薄膜封装层(300)；
所述薄膜封装层(300)包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层；所述薄膜封装层(300)中，每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层，无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置，无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置，且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层；
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小，从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
2.如权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述无机钝化层的材料为Al2O3、ZrO2、ZnO2、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO2，所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm；
所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm；
所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
3.如权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述薄膜封装层(300)包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层。
4.如权利要求3所述的OLED显示器，其特征在于，所述薄膜封装层(300)包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层，该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层(311、312)，该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层(321)，该一层类金刚石层为第一类金刚石层(331)；
所述第一无机钝化层(311)对应所述第一有机缓冲层(321)的外侧边缘与第一无机钝化层(311)的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区，所述第一类金刚石层(331)设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区。
5.如权利要求3所述的OLED显示器，其特征在于，所述薄膜封装层(300)包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层，该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层(311、312、313)，该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层(321、322)，该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层(331、332)；
所述第一无机钝化层(311)对应所述第一有机缓冲层(321)的外侧边缘与第一无机钝化层(311)的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区，所述第一类金刚石层(331)设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区；所述第二无机钝化层(312)对应所述第二有机缓冲层(322)的外侧边缘与第二无机钝化层(312)的外侧边缘之间形成的台阶区为第二台阶区，所述第二类金刚石层(332)设置于第二台阶区上并覆盖该第二台阶区。
6.一种OLED显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板(100)，在所述基板(100)上形成OLED器件(200)；
步骤2、在所述基板(100)、及OLED器件(200)上形成覆盖OLED器件(200)的薄膜封装层(300)，得到OLED显示器；
其中，所述薄膜封装层(300)包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层；所述薄膜封装层(300)中，每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层，无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置，无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置，且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层；
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小，从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区，所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
7.如权利要求6所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述无机钝化层通过等离子体增强化学气相沉积法、原子力沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法形成，所述无机钝化层的材料为Al2O3、ZrO2、ZnO2、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO2，所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm；
所述步骤2中，所述有机缓冲层通过喷墨印刷、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷、或狭缝涂布形成，所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm；
所述步骤2中，所述类金刚石层利用掩模板通过沉积形成；所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
8.如权利要求6所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述步骤2中形成的薄膜封装层(300)包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层。
9.如权利要求8所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述步骤2中形成的薄膜封装层(300)包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层，该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层(311、312)，该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层(321)，该一层类金刚石层为第一类金刚石层(331)；
所述步骤2具体包括：
步骤21、在所述基板(100)、及OLED器件(200)上形成覆盖OLED器件(200)的第一无机钝化层(311)；
步骤22、在所述第一无机钝化层(311)上形成第一有机缓冲层(321)，所述第一有机缓冲层(321)的尺寸小于所述第一无机钝化层(311)的尺寸，所述第一无机钝化层(311)对应所述第一有机缓冲层(321)的外侧边缘和第一无机钝化层(311)的外侧边缘之间的部分形成第一台阶区；
步骤23、在所述第一台阶区上形成覆盖第一台阶区的第一类金刚石层(331)；
步骤24、在所述第一有机缓冲层(321)、及第一类金刚石层(331)上形成覆盖所述第一有机缓冲层(321)、及第一类金刚石层(331)的第二无机钝化层(312)。
10.如权利要求8所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述薄膜封装层(300)包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层，该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层(311、312、313)，该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层(321、322)，该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层(331、332)；
所述步骤2具体包括：
步骤21、在所述基板(100)、及OLED器件(200)上形成覆盖OLED器件(200)的第一无机钝化层(311)；
步骤22、在所述第一无机钝化层(311)上形成第一有机缓冲层(321)，所述第一有机缓冲层(321)的尺寸小于所述第一无机钝化层(311)的尺寸，所述第一无机钝化层(311)对应所述第一有机缓冲层(321)的外侧边缘和第一无机钝化层(311)的外侧边缘之间的部分形成第一台阶区；
步骤23、在所述第一台阶区上形成覆盖第一台阶区的第一类金刚石层(331)；
步骤24、在所述第一有机缓冲层(321)、及第一类金刚石层(331)上形成覆盖所述第一有机缓冲层(321)、及第一类金刚石层(331)的第二无机钝化层(312)；
步骤25、在所述第二无机钝化层(312)上形成第二有机缓冲层(322)，所述第二有机缓冲层(322)的尺寸小于所述第二无机钝化层(312)的尺寸，所述第二无机钝化层(312)对应所述第二有机缓冲层(322)的外侧边缘和第二无机钝化层(312)的外侧边缘之间的部分形成第二台阶区；
步骤26、在所述第二台阶区上形成覆盖第二台阶区的第二类金刚石层(332)；
步骤27、在所述第二有机缓冲层(322)、及第二类金刚石层(332)上形成覆盖所述第二有机缓冲层(322)、及第二类金刚石层(332)的第三无机钝化层(313)。
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