CN106340473A - 水刀、基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

水刀、基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供能够以短时间形成均匀地喷出处理液的状态的水刀、基板处理装置及基板处理方法。实施方式所涉及的水刀(11)具有：贮存部(11T)，贮存处理液；喷出部(11S)，形成为沿着贮存部(11T)的长度方向延伸的狭缝状，与贮存部(11T)连接并喷出处理液；处理液供给路径(11P)，对贮存部(11T)供给处理液；及吸引路径(11V)，吸引存在于贮存部(11T)的气体。从处理液供给路径(11P)向贮存部(11T)供给处理液的同时，对贮存部(11T)施加吸引力，该吸引力是外部气体不会从喷出部(11S)被吸引到贮存部(11T)内的吸引力。

Description

水刀、基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及水刀(aqua knife)、基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在液晶显示装置、半导体装置的制造工序中，有对玻璃基板、半导体晶片等被处理物进行清洗处理或进行药液处理的处理工序。作为在该处理工序中使用的处理液，使用纯水、药液等，并采用对一片一片的基板喷射该处理液进行处理的单片方式的情况较多。
在通过单片方式处理基板的情况下，进行如下处理，即，在基板的输送路径的上方、下方配置处理用的水刀(狭缝喷嘴，slit nozzle)，对于所输送的基板，将处理液作为帘状的处理液膜而喷射。
该以往以来使用的通常的水刀是二个板状部件隔着间隔件一体化而成的，在前端形成有狭缝。图8及图9是表示以往的水刀的图。如图8所示，二个板状部件中，在一个板状部件上设置有处理液供给路径110P。此外，如图9所示，在水刀内，设置有用于贮存从处理液供给路径110P供给的处理液的贮存部110T。水刀将贮存于贮存部110T的处理液从狭缝110S向基板喷射，从而对基板的表面进行处理。
在使用如图8及图9所示的以往的水刀进行基板的处理的情况下，首先在开始处理之前在贮存部110T充满处理液。若以贮存部110T中未充满处理液的状态开始基板的处理，则在贮存部110T存在的空气会混入被供给到贮存部110T的处理液中，从而产生气泡。该气泡会与处理液一起从狭缝110S喷射，由此帘状的处理液会产生条纹不均(沿着供给液的方向出现途中间断，日语：スジムラ)，因此需要在贮存部110T充满处理液。若将产生了条纹不均的帘状的处理液提供给基板，则在基板上的与条纹不均对应的部位，未被充分供给处理液，不能均匀地进行处理。
因此，为了将贮存部110T内的空气去除，需要经由处理液供给管110P对贮存部110T持续供给处理液一定时间，并等待贮存部110T内的空气从狭缝110S排出。当然，这期间不能进行基板的处理。
但是，为了使贮存部110T内的空气排出到喷出的帘状的处理液不产生条纹不均的程度，与水刀的尺寸也有关，有时需要1个小时以上，存在使基板的处理开始之前需要非常长的时间的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述的问题点而做出的，目的在于提供与以往相比能够以短时间形成均匀地喷出处理液的状态的水刀、基板处理装置及基板处理方法。
本发明的水刀，其特征在于，具有：贮存部，贮存处理液；喷出部，形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状，与所述贮存部连接，喷出所述处理液；处理液供给路径，对所述贮存部供给处理液；以及吸引路径，与所述贮存部连接，吸引存在于所述贮存部的气体，所述水刀在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时，对所述贮存部施加吸引力，该吸引力是外部气体不会从所述喷出部被吸引到所述贮存部内的吸引力。
本发明的基板处理装置，其特征在于，具有：水刀处理部，通过从水刀喷出的处理液对被输送的基板进行处理；以及干燥处理部，通过气刀使被所述处理液处理过的所述基板干燥，所述水刀具有：贮存部，贮存处理液；喷出部，形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状，与所述贮存部连接，喷出所述处理液；处理液供给路径，对所述贮存部供给处理液；以及吸引路径，与所述贮存部连接，吸引存在于所述贮存部的气体，所述水刀在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时，对所述贮存部施加吸引力，该吸引力是外部气体不会从所述喷出部被吸引到所述贮存部内的吸引力。
本发明的基板处理方法，其特征在于，具有：水刀处理工序，通过从水刀喷出的处理液对被输送的基板进行处理；以及干燥处理工序通过气刀使被所述处理液处理过的所述基板干燥，所述水刀具有：贮存部，贮存处理液；喷出部，形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状，与所述贮存部连接，喷出所述处理液；处理液供给路径，对所述贮存部供给处理液；以及吸引路径，与所述贮存部连接，吸引存在于所述贮存部的气体，所述水刀在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时，对所述贮存部施加吸引力，该吸引力是外部气体不会从所述喷出部被吸引到所述贮存部内的吸引力。
根据本发明，能够提供能够以短时间形成均匀地喷出处理液的状态的水刀、基板处理装置及基板处理方法。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的基板处理装置的概略图。
图2是本发明的第1实施方式的基板处理装置所具有的水刀的立体图。
图3是图2所示的水刀的A－A线的剖视图。
图4是图2所示的水刀的B－B线的剖视图。
图5是对于本发明的第1实施方式的基板处理装置所具有的水刀的贮存部的压力调整的工序进行表示的图。
图6是本发明的第2实施方式的基板处理装置所具有的水刀的立体图。
图7是图6所示的水刀的C－C线的剖视图。
图8是以往的基板处理装置所具备的水刀的概略图。
图9是以往的基板处理装置所具备的水刀的剖视图。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下，参照图1至图5，对本发明的第1实施方式的基板处理装置进行说明。
图1是表示本发明所涉及的基板处理装置100的概略的图。
基板处理装置100具有水刀处理部10、喷淋清洗部20及干燥部(干燥处理部)30这多个处理部。并且，基板处理装置100是在各处理部内及处理部间通过输送部H输送基板W并进行处理的装置。输送部H由沿着基板W的输送方向而设置的多个输送轴H1及以规定间隔设置于各输送轴H1的多个输送辊H2构成。
水刀处理部10具备基板W的送入口101、及用于对基板W的表面进行处理的水刀11。该水刀11在前端沿着水刀11的长度方向而具有狭缝11S(参照图2、图3)。并且，水刀11配置为，狭缝11S沿着与基板W的输送方向相交的方向(在本实施方式中是正交的水平方向)。此外，水刀11以能够朝向图1中箭头所示的基板W的输送方向下游侧喷出处理液的方式倾斜设置。在此，作为处理液，使用药液或纯水。在水刀处理部10，能够供给药液并对基板W进行药液处理。或者，当在水刀处理部10的前级的装置已进行了药液处理等的情况下，也能够在水刀处理部10进行通过纯水将残留于基板W上的药液去除的清洗处理。
喷淋清洗部20具备用于清洗基板W的表面的喷淋喷嘴21及用于清洗基板W的背面的喷淋喷嘴22。在喷淋清洗部20，进一步冲洗在通过水刀处理部10进行的处理中使用的基板W上残留的药液等。作为在喷淋清洗部20使用的清洗水，可列举出纯水等。
干燥部30具备用于将基板W的表面干燥的气刀31、用于将基板W的背面干燥的气刀32、及将干燥结束后的基板W排出的送出口102。气刀31、气刀32都是以高压从狭缝状的喷嘴朝向基板W喷出空气，将附着于基板W的液体吹走，从而进行干燥处理的部件。
接下来，使用图2至图4对水刀11的构造进行说明。图2是水刀11的立体图。在水刀11的长度方向侧面，设置有处理液供给路径11P，在水刀11的上面设置有2个吸引路径11V。在吸引路径11V上，设置有能够对吸引路径11V的吸引力进行调整的压力调整阀11C(压力调整部)。
图3是图2所示的水刀11的A－A线的剖视图。另外，在图3中，吸引路径11V也用剖面表示。对于水刀11而言，第1板状部件11A和第2板状部件11B这2片板状部件隔着未图示的间隔件、通过未图示的螺钉而被一体化。在第2板状部件11B的上面设置有上述的吸引路径11V。吸引路径11V与泵等的未图示的真空供给装置连接。此外，在第2板状部件11B的与第1板状部件11A的对置面形成有切口，通过第1板状部件11A与第2板状部件11B一体化，形成后述的沿着狭缝11S延伸的贮存部11T。未图示的间隔件是用于保证第1板状部件11A与第2板状部件11B的对置面间的气密性的部件，被配置在两板状部件11A、11B的贴合面的外周部分。但是，在上述二个板状部件11A、11B的对置面的一部分(下方端部)未设置间隔件，在该贮存部11T的下方，形成有用于将处理液帘状地喷射的狭缝状的喷出部11S(以下，仅称为狭缝11S)。狭缝11S与贮存部11T连接，并形成为细长的长方形，以便能够作为处理液膜而帘状地喷出。
图4是图2所示的水刀11的B－B线的剖视图。如图4所示，处理液供给路径11P贯通构成水刀11的第1板状部件11A的侧面的长度方向中央部分，并与贮存部11T连接。通过这样将处理液供给路径11P设置于贮存部11T的长度方向的中央部分，能够均匀地(evenly)对贮存部11T内供给处理液。另外，处理液供给路径11P与处理液供给箱等未图示的处理液供给源连接。2个吸引路径11V被设置为，在水刀11的长度方向上夹着处理液供给路径11P。从处理液供给路径11P供给的处理液如图4所示的箭头那样在贮存部11T内流动。
如前所述，若存在于贮存部11T的空气混入到处理液中而产生气泡，则成为从狭缝11S喷出的帘状的处理液产生条纹不均的原因。因此，需要在贮存部11T内整体被处理液充满的状态下进行从狭缝11S的喷出。因此，如图2至图4所示，在本实施方式中，在第2板状部件11B的上面设置有与贮存部11T连接的吸引路径11V。通过来自该吸引路径11V的吸引力，能够使存在于贮存部11T内的气体(本实施方式中为空气)从贮存部11T排出。
接下来，关于使基于基板处理装置100的基板W的处理开始前的水刀11的调整(以下也称为“事前调整”。)，使用图5(a)至图5(d)进行说明。
该事前调整是水刀11内的贮存部11T中的液面L的调整，在使用基板处理装置100开始基板W的处理之前进行该事前调整。
在此，关于与使用了以往的水刀的情况下的事前调整的差异进行说明。
如上所述，在以往的水刀中，图9所示的贮存部110T的液面，通过从处理液供给路径110P供给的处理液的自然增加而上升，在达到贮存部110T被处理液充满的状态之前有较长的时间。具体而言，处理液经由处理液供给路径110P被供给至贮存部110T，该处理液从狭缝110S喷出，但在以往的水刀中构成为，只要在贮存部110T存在气体，由于处理液的自重而从狭缝110S喷出的处理液的每单位时间的喷出量就比从处理液供给路径110P供给来的液量少。因此，在开始对贮存部110T供给处理液后，相应于前述的喷出量与供给液量的差分，随着时间经过，贮存部110T的液面会一直上升。
但是，会如上所述那样，到该贮存部110T的处理液的液面达到最上位置为止(即，贮存部110T被处理液充满为止)，例如花费1个小时以上等，必须长时间待机。这会引起如下情况，即，从处理液供给管110P供给的处理液的每单位时间的供给量不变，与之相对，随着贮存部110T内处理液渐渐地充满，对狭缝110S附近的处理液施加的压力会一直上升，从狭缝110S喷出的液量会渐渐地变多，因此贮存部110T中的液面的上升速度渐渐地变慢的情况。此外，气体的释放场所仅为狭缝110S，因此即使待机了认为贮存部110T的处理液的液面会达到最上位置的规定时间，有时贮存部110T整个区域也难以完全被处理液充满。在这样贮存部110T残留着空气的状态下直接开始了处理的情况下，在从水刀持续喷出处理液的中途，会不慎喷出混入了空气的状态的处理液，会发生条纹不均。
在本实施方式所涉及的水刀11中，也与以往的水刀同样地、作为使基板W的处理开始前的事前调整，用处理液将贮存部11T内充满。
因此，在本实施方式中，与以往的水刀同样地，经由处理液供给路径11P对贮存部11T供给处理液，但除此之外，通过来自吸引路径11V的吸引力进行贮存部11T的压力调整。
具体而言，首先，对于充满了空气的贮存部11T，经由处理液供给路径11P开始处理液的供给。由此，在贮存部11T中渐渐地贮存处理液(图5(a))。另外，在图5中，从狭缝11S喷出的处理液未图示。至此，与以往是同样的，每单位时间的对贮存部11T供给的处理液的流量，比从狭缝11S喷出的处理液的流量多。在本实施方式中，在该阶段，打开压力调整阀11C使贮存部11T内的压力下降。在对贮存于贮存部11T的处理液作用负压时，对贮存于贮存部11T的处理液施加阻止该处理液从狭缝11S喷出的方向的力。由此，即使贮存部11T中的液面L变高，也能够使从狭缝11S喷出的处理液的量不变或者使之减少。即，进行压力调整以便尽可能减少从狭缝11S流出的处理液，而使处理液留在贮存部11T。不过，优选的是，对贮存部11T施加的负压(吸引力)最大为不从狭缝11S吸引外部的空气(外部气体)的程度，即设为从狭缝11S不喷出处理液的状态的负压。并且，从处理液供给路径11P向贮存部11T供给的处理液的供给压力，比吸引路径11V吸引贮存部11T的吸引力高。该调整压力根据狭缝11S的宽度、水刀11的尺寸而不同，但能够预先通过实验等求出。
通过这样进行调整，最初如图5(a)所示那样较低的液面L，如图5(b)、图5(c)所示那样、一点一点上升，但液面L的上升速度远远快于图9所示的以往技术中的自然增加的速度。另外，伴随着时间经过，贮存部11T中的处理液的贮存量一直增加，液面L的水平(level)一直上升，所以通过吸引路径11V的压力调整阀11C而从吸引路径11V吸引的力(对贮存部11T施加的负压)也与液面L的水平的上升相应地渐渐地上升并升高，是有效的。这是由于，随着贮存部11T内的液体的量增加，为了尽可能阻止从狭缝11S喷出处理液，需要以更强的吸引力吸引。贮存部11T的液面L的水平如图5(d)所示那样达到最高的位置(贮存部11T装满的状态)时，水刀11的处理前的事前调整完毕。这样，吸引路径11V对贮存部11T的吸引，与从处理液供给路径11P向贮存部11T供给处理液并行地进行。此外，通过吸引路径11V吸引贮存部11T的力，是不会从狭缝11S侧向贮存部11T内吸入空气的吸引力。这是由于若从狭缝11S侧吸入空气则成为贮存部11T内的处理液中混入气泡的原因。
接下来，对基于基板处理装置100的基板处理的工序进行说明。另外，以下的动作控制全部通过未图示的控制部自动控制。
在水刀11的处理前的事前调整完毕后，关闭压力调整阀11C(使从吸引路径11V的吸引停止)。从处理液供给路径11P继续对贮存部11T供给处理液。在关闭压力调整阀11C的同时，如图1所示，通过输送部H将基板W从送入口101向基板处理装置100的水刀处理部10送入，开始基于水刀11的处理。基板W在通过水刀11供给处理液的同时被输送(水刀处理工序)，冲洗通过前级的装置附着于基板W的药液或者从水刀11对基板W供给药液。
对于水刀11的贮存部11T，通过处理液供给路径11P持续供给处理液，吸引路径11V的压力调整阀11C被关闭，所以从狭缝11S供给的帘状的处理液膜始终以贮存部11T被充满的状态形成。因此，从狭缝11S喷出的处理液不易形成条纹不均，由于均匀地对基板W供给处理液，所以能够均匀地进行处理。此外，在贮存部11T成为以处理液充满的状态后，通过从处理液供给路径11P向贮存部11T供给的处理液的供给控制，来控制从狭缝11S喷出的处理液的状态。即，通过调整从处理液供给路径11P对贮存部11T供给的处理液的流量，能够调节从狭缝11S喷出的处理液的流量、流速等。
接下来，基板W被向喷淋清洗部20输送。在喷淋清洗部20，通过喷淋喷嘴21、喷淋喷嘴22对基板W的两面进行清洗(喷淋处理工序)。通过从喷淋喷嘴21、喷淋喷嘴22供给的纯水，来冲洗通过由前级的水刀处理部10或水刀处理部10的前级的装置进行的药液处理而残留在基板W上的药液或颗粒等。
通过喷淋清洗部20清洗过的基板W接着通过输送部H被输送到干燥部30，通过从气刀31、气刀32喷出的空气进行干燥处理(干燥处理工序)。气刀31、气刀32都倾斜设置，以便朝向基板W的输送方向上游侧喷出空气。通过干燥部30实施了干燥处理的基板W从送出口102向基板处理装置100的外部送出。
如以上说明，根据本实施方式，在水刀11的处理前的事前调整中，用处理液将贮存部11T充满，因此能够从狭缝11S喷出均匀的帘状的处理液膜，能够防止条纹不均而以均匀的状态对基板W供给处理液。
并且，在用处理液将贮存部11T充满时，通过吸引贮存部11T，与由于自重而流出的量相比，抑制了从狭缝11S流出的处理液的量。由此，在事前调整中，与以往相比，使贮存部11T中的液面L的上升速度加速，与以往相比能够以显著短的时间在贮存部11T中充满处理液，能够快速地开始基板W的处理。
并且，通过吸引路径11V吸引贮存部11T的力设为不会从狭缝11S侧向贮存部11T内吸入空气的吸引力。为此，也能够防止在贮存部11T内的处理液中混入新的气泡。
此外，贮存部11T内的空气经由吸引路径11V向贮存部11T的外部排气，所以也能够防止空气残留在贮存部11T内。
(第2实施方式)
接下来，使用图6及图7，对本发明的第2实施方式进行说明。
第2实施方式基本上与第1实施方式是同样的。因此，在第2实施方式中，对于与第1实施方式的区别点进行说明，其他的说明省略。如图6及图7所示，第2实施方式所涉及的基板处理装置具有的水刀12与上述第1实施方式不同的点在于，处理液供给路径11P有多个，即具备处理液供给路径11P1～11P4，吸引路径11V设有多个，即设置有吸引路径11V1～11V3。并且，该处理液供给路径11P1～11P4与吸引路径11V1～11V3，被设置为在水刀12的长度方向上交替地存在。
图6是第2实施方式的水刀12的立体图。处理液供给路径11P1～11P4与第1实施方式同样地，设置于水刀12的长度方向侧面，这些处理液供给路径11P1～11P4具有规定间隔而设置。吸引路径11V1～11V3也与第1实施方式同样地，设置于水刀12的上面，这些吸引路径11V1～11V3具有规定间隔而设置。贮存部11T的压力调整以与第1实施方式同样的步骤进行。
此外，在吸引路径11V1～11V3上，分别设置有能够调整吸引力的压力调整阀11C1～11C3。来自处理液供给路径11P1～11P4的处理液，如图7所示的箭头那样在贮存部11T流动，液面一直上升。并且，由于随着处理液被供给到贮存部11T中贮存部11T内的处理液的液面不断上升，从而原本存在于贮存部11T的气体被向上方赶走。从吸引路径11V1～11V3分别吸引该被赶走的气体。
如前所述，在第2实施方式中，处理液供给路径11P1～11P4与吸引路径11V1～11V3交替地设置，所以从处理液供给路径11P1～11P4均匀地向贮存部11T供给处理液。并且，吸引路径11V1吸引滞留在处理液供给路径11P1与处理液供给路径11P2之间的气体，吸引路径11V2吸引滞留在处理液供给路径11P2与处理液供给路径11P3之间的气体，吸引路径11V3吸引滞留在处理液供给路径11P3与处理液供给路径11P4之间的气体，所以能够防止贮存部11T中滞留多余的气体。
另外，在本实施方式的水刀12的事前调整中，每单位时间从处理液供给路径11P1～11P4向贮存部11T供给的处理液的流量比从狭缝11S喷出的处理液的流量多、吸引路径11V1～11V3对贮存部11T的吸引与从处理液供给路径11P1～11P4向贮存部11T供给处理液并行地进行、以及通过吸引路径11V1～11V3吸引贮存部11T的力是不会从狭缝11S侧向贮存部11T内吸入外部的空气(外部气体)的吸引力等情况，与第1实施方式是同样的。
根据这样的构成，能够均匀地在贮存部11T中充满处理液，因此能够从狭缝11S喷出更均匀的帘状的处理液膜。因此，基板W的处理也能够均匀地进行。
(其他的实施方式)
另外，在上述的实施方式中，列举出水刀11、12倾斜设置以便能够朝向基板W的输送方向下游侧喷出处理液的例子进行了说明，但不限于此，为了能够朝向输送方向上游侧喷出处理液，既可以是倾斜的也可以是垂直的。在倾斜设置以便能够朝向输送方向下游侧喷出的情况下，可获得能够均匀地进行基板W的处理的效果。即，在水刀11、12相对于基板W垂直设置的情况下、和以朝向基板W的输送方向上游侧喷出的方式倾斜设置的情况下，对基板W供给的处理液向输送方向上游侧扩散，基板W的输送方向上游侧的表面与基板W的下游侧前端部分相比，处理的开始定时总是更早。与此相对，在如上述的实施方式那样从水刀11、12对基板W以朝向输送方向下游侧喷出处理液的方式倾斜地供给处理液的情况下，对于输送的基板W而言处理液的处理开始的定时总是相同的，因此能够进行均匀的处理。此外，在将基板W上的处理液去除以避免带入下一工序的情况下等，若朝向基板W的输送方向上游侧喷出处理液，则来自水刀11、12的处理液与被输送的基板W的相对速度增加，因此能够高效地将基板W上的液体排除。
此外，在上述的实施方式中，列举出水刀11、12仅设置在基板W的上方、喷淋喷嘴21、22及气刀31、32设置在基板W的上下的例子而进行了说明，但不限于此，既可以设置为与基板W的任意一个表面对置，也可以设置为与两个面对置。
此外，在上述的实施方式中，对处理液供给路径11P、11P1～11P4沿着水刀11、12的长度方向的侧面而设置的例子进行了说明，但不限于此，也可以设置于水刀11、12的上面。但是，在水刀11、12的侧面设置有处理液供给路径11P的情况下，处理液以沿着贮存部11T的壁面的方式被供给至贮存部11T，因此在事前调整中，贮存部11T内的处理液不易起泡，防止气泡的产生，此外在基板W的处理中，防止经由处理液供给路径11P供给的处理液的供给变动原封不动地成为从狭缝11S的喷出变动，所以能够从狭缝11S喷出更均匀的帘状的处理液膜。
此外，在上述的实施方式中，关于吸引路径11V、11V1～11V3对贮存部11T的压力调整，将使负压作用于贮存部11T的开始定时设为对贮存部11T开始供给处理液之后，但也可以设为开始供给前。
此外，若随着贮存部11T的液面L的水平上升，一点一点使从吸引路径11V、11V1～11V3吸引的力不断上升，则是有效的，但也可以是，吸引的力恒定，例如，以与从最初到液面L的水平达到最上方时的压力相同的压力(负压)持续吸引。此情况下，贮存部11T中更快充满处理液，所以是有效率的。但是，如上述的实施方式那样渐渐地使吸引力增加的情况下，与从最初起以相同的压力吸引的情况相比较，能够节约能量，因此是经济的。另外，优选的是，此情况下，通过吸引路径11V、11V1～11V3吸引贮存部11T的力也设为不会从狭缝11S侧向贮存部11T内吸入空气的吸引力。
此外，在上述的实施方式中，对水刀11、12设为第1板状部件11A与第2板状部件11B一体化的构成进行了说明，但不限于此，也可以通过对一个板状部件进行加工而实现具有贮存部11T、狭缝11S等。
此外，在上述的实施方式中，也可以是，在相应于液面L的水平的上升而调整对贮存部11T施加的负压时，设置检测贮存部11T的液面L的水平的测定器，预先通过实验求出液面L的水平随时间经过的变化，并基于测定器的测定值和时间经过，对贮存部11T的压力进行控制等。作为测定器，只要使用利用了光和/或导通线的位移计、或设置观察窗并通过相机拍摄等、公知的液面传感器即可。或者，也可以是，在从吸引路径11V、11V1～11V3吸引了处理液时，判断为贮存部11T达到了充满以上。
此外，在上述的实施方式中，水刀11、12的事前调整中的控制，可以根据来自前述的测定器的输出信号、时间控制，通过未图示的控制部自动进行，也可以通过操作员手动进行。
另外，本发明不限于从狭缝11S将处理液作为帘状的膜喷出的实施例那样的装置，也能够应用于具有贮存部的各种水刀。
以上，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，无意限定发明的范围。上述的这些新的实施方式，能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形，包含于发明的范围及主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (5)

1.一种水刀，其特征在于，具有：
贮存部，贮存处理液；
喷出部，形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状，与所述贮存部连接，喷出所述处理液；
处理液供给路径，对所述贮存部供给处理液；以及
吸引路径，与所述贮存部连接，吸引存在于所述贮存部的气体，
在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时，所述贮存部被施加不会使外部气体从所述喷出部吸引到所述贮存部内的吸引力。
2.根据权利要求1记载的水刀，其特征在于，
所述吸引路径的吸引力相应于所述贮存部中贮存的所述处理液的液面上升而提高。
3.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
水刀处理部，通过从水刀喷出的处理液对被输送的基板进行处理；以及
干燥处理部，通过气刀使被所述处理液处理过的所述基板干燥，
所述水刀具有：
贮存部，贮存处理液；
喷出部，形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状，与所述贮存部连接，喷出所述处理液；
处理液供给路径，对所述贮存部供给处理液；以及
吸引路径，与所述贮存部连接，吸引存在于所述贮存部的气体，
在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时，所述贮存部被施加不会使外部气体从所述喷出部吸引到所述贮存部内的吸引力。
4.一种基板处理方法，其特征在于，具有：
水刀处理工序，通过从水刀喷出的处理液对被输送的基板进行处理；以及
干燥处理工序，通过气刀使被所述处理液处理过的所述基板干燥，
所述水刀具有：
贮存部，贮存处理液；
喷出部，形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状，与所述贮存部连接，喷出所述处理液；
处理液供给路径，对所述贮存部供给处理液；以及
吸引路径，与所述贮存部连接，吸引存在于所述贮存部的气体，
在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时，所述贮存部被施加不会使外部气体从所述喷出部吸引到所述贮存部内的吸引力。
5.根据权利要求4记载的基板处理方法，其特征在于，
在所述贮存部被所述处理液充满时，使存在于所述贮存部的气体的吸引停止，然后，使所述水刀处理工序开始。
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